[go: up one dir, main page]

JP5487672B2 - 物理量センサ - Google Patents

物理量センサ Download PDF

Info

Publication number
JP5487672B2
JP5487672B2 JP2009078418A JP2009078418A JP5487672B2 JP 5487672 B2 JP5487672 B2 JP 5487672B2 JP 2009078418 A JP2009078418 A JP 2009078418A JP 2009078418 A JP2009078418 A JP 2009078418A JP 5487672 B2 JP5487672 B2 JP 5487672B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
strain
vibrator
physical quantity
processing circuit
quantity sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009078418A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010230490A (ja
Inventor
昭 松浦
偉生 大越
努 中西
孝士 川井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2009078418A priority Critical patent/JP5487672B2/ja
Priority to EP10755591A priority patent/EP2397828A1/en
Priority to US13/254,298 priority patent/US20120000288A1/en
Priority to PCT/JP2010/001588 priority patent/WO2010109787A1/ja
Priority to CN2010800131525A priority patent/CN102362162A/zh
Publication of JP2010230490A publication Critical patent/JP2010230490A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5487672B2 publication Critical patent/JP5487672B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00Measuring force or stress, in general
    • G01L1/18Measuring force or stress, in general using properties of piezo-resistive materials, i.e. materials of which the ohmic resistance varies according to changes in magnitude or direction of force applied to the material
    • G01L1/183Measuring force or stress, in general using properties of piezo-resistive materials, i.e. materials of which the ohmic resistance varies according to changes in magnitude or direction of force applied to the material by measuring variations of frequency of vibrating piezo-resistive material

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Measurement Of Mechanical Vibrations Or Ultrasonic Waves (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Description

本発明は、物体に働く歪や張力を検出する物理量センサに関するものである。
近年、マイクロマシン技術を応用して、物体に働く歪や張力を検出する小形で高性能の物理量センサが開発されつつある。このような物理量センサとしては図6に示すようなものが知られている(特許文献1参照)。図6は従来の物理量センサの断面図を示したもので、この図6において、1はシリコン等の半導体基板で、この半導体基板1の表面には酸化シリコン層や窒化シリコン層からなる絶縁層2が形成され、かつこの絶縁層2の表面には多結晶シリコンや金属層からなる下部電極3と上部電極5とを有する振動素子部が設けられている。また、前記上部電極5はリボン状弾性体をなし、かつその長手方向の両端部は絶縁層2の表面に固定され、そして、その中央部は空洞4を介して下部電極3と対向しているものである。そしてまた、前記半導体基板1上には電子回路部6が前記振動素子部と一体的に形成されている。さらに、前記半導体基板1の略中央には空洞部7が設けられており、かつこの半導体基板1は、前記空洞部7の両側の部分によって、歪や張力を測定する被測定体8に固定されているものである。
上記構成において、振動素子部の下部電極3と上部電極5との間に、上部電極5の中央部が有する固有周波数に対応する交流電圧を印加すると、下部電極3と上部電極5間に生ずる静電引力と上部電極5の弾性応力の相互作用により、上部電極5の中央部は共振して特定の周波数と振幅で振動する。
このように振動素子部が振動している状態で、被測定体8に矢印E、Fの方向の伸び歪が生じると、半導体基板1に絶縁層2を介して固定された上部電極5の長手方向の両端部も矢印E、Fと同じ方向に拡げられる。この時、半導体基板1における空洞部7の上に位置する部分は薄く形成されているため、上部電極5の中央部に発生する歪は前記空洞部7の両側の部分に発生する歪よりも大きくなる。これにより、上部電極5の中央部に張力が印加されることになるため、上部電極5の中央部の振動周波数または振動振幅が変化する。そして、この物理量センサはこの振動周波数または振動振幅の変化を電子回路部6で処理することにより、被測定体8に生じた歪や張力を求めることができるものである。
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
特開平7−333077号公報
しかしながら、上記した従来の物理量センサにおいては、電子回路部6を半導体基板1の上に一体に形成しているため、空洞部7の両側の部分に発生する歪によって、電子回路部6を構成する抵抗等の回路素子の値が変化して回路が不安定になり誤動作が発生するという問題点を有していた。また、振動素子部と電子回路部6が暴露された状態となっているため、水分やダスト等が振動素子部や電子回路部6に付着することになり、これにより、センサ機能が阻害されてしまうという問題点をも有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、物体に働く歪や張力を常に安定した状態で検出することができる物理量センサを提供することを目的とするものである。
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
本発明は、応力により歪が発生する起歪体と、この起歪体に配置され、かつ起歪体の歪量に応じて振動周波数または振動振幅が変化する振動子と、前記起歪体に配置され、かつ前記振動子からの出力を処理する処理回路とを備え、前記起歪体に発生する歪を振動子に伝達させるとともに、前記処理回路には前記歪が実質的に伝達されないように構成したもので、この構成によれば起歪体に発生する歪を振動子によって正確に検出することができるとともに、処理回路には前記歪が実質的に伝達されないように構成しているため、処理回路内の回路素子値の変動も抑制することができ、これにより、物体に働く歪や張力を常に安定した状態で検出することができるという作用効果を有するものである。
本発明は、特に、起歪体に振動子と処理回路を収納保護する外装材を設け、かつこの外装材には前記起歪体に発生する歪が実質的に伝達されないように構成したもので、この構成によれば、外装材の存在により、振動子や処理回路を水分やダスト等から保護することができ、また、外装材によって起歪体に発生する歪が抑制されることもないため、起歪体に発生する歪を振動子によって正確に検出することができ、これにより、物体に働く歪や張力を常に安定した状態で検出することができるという作用効果を有するものである。
本発明は、特に、起歪体と外装材とを弾性を有する接着剤で接続したもので、この構成によれば、外装材によって起歪体に発生する歪が抑制されることはないため、起歪体に発生する歪を振動子によって正確に検出することができ、これにより、物体に働く歪や張力を常に安定した状態で検出することができるという作用効果を有するものである。
本発明は、特に、起歪体と振動子とを剛性を有する物質で接続したもので、この構成によれば、起歪体に発生する歪と実質的に同じ歪を振動子に発生させることができ、これにより、起歪体に発生する歪を振動子によって正確に検出することができるという作用効果を有するものである。
本発明は、特に、起歪体と処理回路とを弾性を有する接着剤で接続したもので、この構成によれば、起歪体に歪が発生しても処理回路には歪が発生しないように構成しているため、処理回路内の回路素子値の変動を抑制することができ、これにより、物体に働く歪や張力を常に安定した状態で検出することができるという作用効果を有するものである。
本発明は、特に、処理回路を可撓性プリント基板に実装し、かつこの可撓性プリント基板と起歪体とを弾性を有する接着剤で接続したもので、この構成によれば、起歪体に発生する歪を可撓性プリント基板と弾性を有する接着剤の両者で吸収することができるため、歪による処理回路内の回路素子値の変動をより一層抑制することができ、これにより、物体に働く歪や張力を常に安定した状態で検出することができるという作用効果を有するものである。
以上のように本発明の物理量センサは、応力により歪が発生する起歪体と、この起歪体に配置され、かつ起歪体の歪量に応じて振動周波数または振動振幅が変化する振動子と、前記起歪体に配置され、かつ前記振動子からの出力を処理する処理回路とを備え、前記起歪体に発生する歪を振動子に伝達させるとともに、前記処理回路には前記歪が実質的に伝達されないように構成しているため、起歪体に発生する歪を振動子によって正確に検出することができるとともに、処理回路には前記歪が実質的に伝達されることはなくなり、その結果、処理回路内の回路素子値の変動も抑制することができるため、物体に働く歪や張力を常に安定した状態で検出することができるという優れた効果を奏するものである。
以下、本発明の実施の形態1における物理量センサについて、図面を参照しながら説明する。
図1(a)は本発明の実施の形態1における物理量センサの上面図、図1(b)は同物理量センサの側面図、図2は図1(a)のA−A線断面図である。図1(a)(b)および図2において、21はSUS等の金属からなり応力によって歪が発生する起歪体で、この起歪体21の上にポリイミドフィルム等からなる可撓性プリント基板22が装着されている。そして、この可撓性プリント基板22には起歪体21に発生する歪量に応じて振動周波数が変化する振動子23と、前記起歪体21に配置され、かつ前記振動子23からの出力を処理するICや抵抗等からなる処理回路24が設けられている。そしてまた、前記起歪体21には前記振動子23と処理回路24の全体を収納保護するセラミックや金属からなる外装材25が配置されている。
図3(a)は上記物理量センサに装着される振動子の上面図、図3(b)は図3(a)のB−B線断面図、図3(c)は図3(a)のC−C線断面図である。この図3(a)(b)(c)において、26はシリコン等からなる半導体基板で、この半導体基板26の表面には酸化シリコン層や窒化シリコン層からなる絶縁層が形成されている。27は半導体基板26をエッチング処理して形成した梁部、28は前記梁部27を取り囲む固定部である。また、前記梁部27の表面には順に下部電極、PZT等からなる圧電体層(いずれも図示せず)が形成されている。そしてまた、前記梁部27の中央部には駆動電極29が形成され、かつ梁部27の端部には検出電極30が形成され、そして、前記駆動電極29、検出電極30は配線パターン(図示せず)によりランド31に接続されるものである。また、前記振動子23は半導体基板26における梁部27の両端の固定部28において、起歪体21に発生する歪が振動子23に伝達されるようにAu−Au接合等の金属系接合材やエポキシ樹脂等の剛性を有する物質32で接続固定されているものである。
振動子23における下部電極と駆動電極29との間に、梁部27が有する固有周波数に対応する交流電圧を印加すると、梁部27は共振して特定の周波数と振幅で振動する。
このように振動子23が上下に弦振動している状態で、起歪体21に矢印E、Fの方向の伸び歪が生じると、前記梁部27における両端の固定部28も矢印E、Fと同じ方向に拡げられる。この時、前記梁部27に発生する歪は前記固定部28に発生する歪よりも大きくなる。これにより、梁部27に張力が印加されることになるため、梁部27の振動周波数または振動振幅が変化するものである。
本発明の物理量センサは、梁部27の振動周波数または振動振幅の変化を処理回路24で処理することにより、起歪体21に発生する歪や張力を求めることができるものである。
図4は本発明の実施の形態1における物理量センサの分解斜視図を示したもので、この図4を用いて物理量センサの製造方法を説明する。
最初に、SUS等の金属からなる起歪体21の所定の位置に振動子23をAu−Au接合等の金属系接合材やエポキシ樹脂等の剛性を有する物質32で接続固定する。
次に、可撓性プリント基板22にICや抵抗等からなる処理回路24を半田実装する。
次に、前記起歪体21に発生する歪が処理回路24に実質的に伝達されないように、前記可撓性プリント基板22をシリコン樹脂等の弾性を有する接着剤33を用いて起歪体21に接続固定する。この可撓性プリント基板22には振動子23と対応する位置に開口(デバイスホール)34が設けられており、そして、振動子23のランド31と可撓性プリント基板22との接続は、起歪体21に歪が生じて可撓性プリント基板22が移動しても振動子23と可撓性プリント基板22との電気的接続が確保されるように、ワイヤボンディングや開口34の周辺から突き出して設けられたインナーリード等によって行われている。
次に、セラミックや金属からなる外装材25を起歪体21と可撓性プリント基板22の上にシリコン樹脂等の弾性を有する接着剤35を用いて接続固定することにより、前記振動子23と処理回路24の全体を収納保護する。これにより、振動子23や処理回路24を水分やダスト等から保護することができるとともに、外装材25によって起歪体21に発生する歪が抑制されることがないため、起歪体21に発生する歪を振動子23によって正確に検出することができる。この時、外装材25の高さは外装材25の底面における可撓性プリント基板22と接触する部分で可撓性プリント基板22の厚み分だけ小さくしているものである。
図5は本発明の実施の形態2における物理量センサの分解斜視図を示したもので、この図5を用いて物理量センサの製造方法を説明する。
最初に、SUS等の金属からなる起歪体36の所定の位置に振動子23をAu−Au接合等の金属系接合材やエポキシ樹脂等の剛性を有する物質32で接続固定する。そして、この起歪体36の端部には、ガラス等の絶縁体ペーストを印刷した後、銀ペースト等の導体ペーストを印刷して形成した厚みが約10〜30μmの外部接続端子37が設けられている。
次に、可撓性プリント基板22にICや抵抗等からなる処理回路24を半田実装する。
次に、前記起歪体36に発生する歪が処理回路24に実質的に伝達されないように、前記可撓性プリント基板22をシリコン樹脂等の弾性を有する接着剤33を用いて接続固定する。この可撓性プリント基板22には振動子23と対応する位置に開口(デバイスホール)34が設けられており、そして、振動子23のランド31と可撓性プリント基板22との接続は、起歪体36に歪が発生して可撓性プリント基板22が移動しても振動子23と可撓性プリント基板22との電気的接続が確保されるように、ワイヤボンディングや開口34の周辺から突き出して設けられたインナーリード等によって行われている。
次に、可撓性プリント基板22と外部接続端子37とをワイヤボンディング等によって電気的に接続する。
次に、セラミックや金属からなる外装材25を起歪体36と可撓性プリント基板22の上にシリコン樹脂等の弾性を有する接着剤35を用いて接続固定することにより、前記振動子23と処理回路24の全体を収納保護する。これにより、振動子23や処理回路24を水分やダスト等から保護することができるとともに、外装材25によって起歪体36に発生する歪が抑制されることがないため、起歪体36に発生する歪を振動子23によって正確に検出することができる。この時、外部接続端子37は上記したように起歪体36の上に印刷により形成されているため、外装材25と外部接続端子37が接触する部分にできる段差はシリコン樹脂等の弾性を有する接着剤33の厚みに対して無視することができ、その結果、外装材25の底面の加工をする必要はなくなるものである。
本発明に係る物理量センサは、起歪体に発生する歪を振動子によって正確に検出することができるとともに、処理回路に前記歪が実質的に伝達されないように構成することにより、処理回路内の回路素子値の変動を抑制することができ、これにより、物体に働く歪や張力を常に安定した状態で検出することができるという効果を有するものであり、特に、物体に働く歪や張力を検出する物理量センサとして有用なものである。
(a)本発明の実施の形態1における物理量センサの上面図、(b)同物理量センサの側面図 図1(a)のA−A線断面図 (a)同物理量センサに装着される振動子の上面図、(b)図3(a)のB−B線断面図、(c)図3(a)のC−C線断面図 同物理量センサの分解斜視図 本発明の実施の形態2における物理量センサの分解斜視図 従来の物理量センサの断面図
21、36 起歪体
22 可撓性プリント基板
23 振動子
24 処理回路
25 外装材
32 剛性を有する物質
33、35 弾性を有する接着剤

Claims (4)

  1. 応力により歪が発生する起歪体と、この起歪体に配置され、かつ起歪体の歪量に応じて振動周波数または振動振幅が変化する振動子と、前記起歪体に配置され、かつ前記振動子からの出力を処理する処理回路とを備え、前記起歪体と前記振動子とを金属を有する接合材又はエポキシ樹脂を有する物質からなる剛性を有する物質で接続し、前記起歪体に振動子と処理回路を収納保護する外装材を設け、前記起歪体と前記外装材とをシリコン樹脂からなる弾性を有する接着剤で接続した物理量センサ。
  2. 起歪体と処理回路とを弾性を有する接着剤で接続した請求項1に記載の物理量センサ。
  3. 処理回路を可撓性プリント基板に実装し、かつこの可撓性プリント基板と起歪体とを弾性を有する接着剤で接続した請求項1または2に記載の物理量センサ。
  4. 応力により歪が発生する起歪体と、この起歪体に配置され、かつ起歪体の歪量に応じて振動周波数または振動振幅が変化する振動子と、前記起歪体に配置され、かつ前記振動子からの出力を処理する処理回路とを備え、前記起歪体と前記振動子とを剛性を有する物質で接続し、前記処理回路を可撓性プリント基板に実装し、かつこの可撓性プリント基板と起歪体とを弾性を有する接着剤で接続した物理量センサ。
JP2009078418A 2009-03-27 2009-03-27 物理量センサ Expired - Fee Related JP5487672B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009078418A JP5487672B2 (ja) 2009-03-27 2009-03-27 物理量センサ
EP10755591A EP2397828A1 (en) 2009-03-27 2010-03-08 Physical quantity sensor
US13/254,298 US20120000288A1 (en) 2009-03-27 2010-03-08 Physical quantity sensor
PCT/JP2010/001588 WO2010109787A1 (ja) 2009-03-27 2010-03-08 物理量センサ
CN2010800131525A CN102362162A (zh) 2009-03-27 2010-03-08 物理量传感器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009078418A JP5487672B2 (ja) 2009-03-27 2009-03-27 物理量センサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010230490A JP2010230490A (ja) 2010-10-14
JP5487672B2 true JP5487672B2 (ja) 2014-05-07

Family

ID=42780486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009078418A Expired - Fee Related JP5487672B2 (ja) 2009-03-27 2009-03-27 物理量センサ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20120000288A1 (ja)
EP (1) EP2397828A1 (ja)
JP (1) JP5487672B2 (ja)
CN (1) CN102362162A (ja)
WO (1) WO2010109787A1 (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7994877B1 (en) 2008-11-10 2011-08-09 Hrl Laboratories, Llc MEMS-based quartz hybrid filters and a method of making the same
US8766745B1 (en) 2007-07-25 2014-07-01 Hrl Laboratories, Llc Quartz-based disk resonator gyro with ultra-thin conductive outer electrodes and method of making same
US10266398B1 (en) 2007-07-25 2019-04-23 Hrl Laboratories, Llc ALD metal coatings for high Q MEMS structures
US7802356B1 (en) 2008-02-21 2010-09-28 Hrl Laboratories, Llc Method of fabricating an ultra thin quartz resonator component
US8176607B1 (en) * 2009-10-08 2012-05-15 Hrl Laboratories, Llc Method of fabricating quartz resonators
US8912711B1 (en) 2010-06-22 2014-12-16 Hrl Laboratories, Llc Thermal stress resistant resonator, and a method for fabricating same
JP6013120B2 (ja) * 2012-10-03 2016-10-25 積水化学工業株式会社 圧電センサ
JP6194624B2 (ja) * 2013-04-25 2017-09-13 ミツミ電機株式会社 物理量検出素子及び物理量検出装置
US9599470B1 (en) 2013-09-11 2017-03-21 Hrl Laboratories, Llc Dielectric high Q MEMS shell gyroscope structure
JP6357758B2 (ja) * 2013-11-25 2018-07-18 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、電子機器および移動体
US9977097B1 (en) 2014-02-21 2018-05-22 Hrl Laboratories, Llc Micro-scale piezoelectric resonating magnetometer
US9991863B1 (en) 2014-04-08 2018-06-05 Hrl Laboratories, Llc Rounded and curved integrated tethers for quartz resonators
US10308505B1 (en) 2014-08-11 2019-06-04 Hrl Laboratories, Llc Method and apparatus for the monolithic encapsulation of a micro-scale inertial navigation sensor suite
US10031191B1 (en) 2015-01-16 2018-07-24 Hrl Laboratories, Llc Piezoelectric magnetometer capable of sensing a magnetic field in multiple vectors
JP6623682B2 (ja) * 2015-10-28 2019-12-25 セイコーエプソン株式会社 物理量検出振動片、物理量検出装置、電子機器および移動体
US10175307B1 (en) 2016-01-15 2019-01-08 Hrl Laboratories, Llc FM demodulation system for quartz MEMS magnetometer
CH713460A2 (de) * 2017-02-15 2018-08-15 Digi Sens Ag Schwingsaitensensor und Schwingsaite für einen Schwingsaitensensor.

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2722587A (en) * 1953-03-20 1955-11-01 Lockheed Aircraft Corp Electric strain sensing device
US3695096A (en) * 1970-04-20 1972-10-03 Ali Umit Kutsay Strain detecting load cell
US3738162A (en) * 1971-09-10 1973-06-12 Us Army Fatigue damage indicator
US3794236A (en) * 1973-05-07 1974-02-26 Raytheon Co Monitoring and control means for evaluating the performance of vibratory-type devices
JPS5910592Y2 (ja) * 1976-03-12 1984-04-03 東芝テック株式会社 ロ−ドセル
US4055078A (en) * 1976-07-01 1977-10-25 Antonio Nicholas F D Strain transducer
GB2141231B (en) * 1983-06-07 1986-08-06 Gen Electric Co Plc Force sensors
EP0164862B1 (en) * 1984-05-17 1989-10-11 Tokyo Electric Co., Ltd. Strain-gauged load cell
JPS61230383A (ja) * 1985-04-05 1986-10-14 Yokogawa Electric Corp 半導体センサ
IT206727Z2 (it) * 1985-09-17 1987-10-01 Marelli Autronica Sensore estensimetrico a film spesso per la rilevazione di sforzi e deformazioni in organi o strutture meccaniche
FR2588657B1 (fr) * 1985-10-10 1988-08-12 Asulab Sa Capteur de force comprenant un resonateur dont la frequence varie en fonction de la force appliquee
US4751849A (en) * 1986-06-17 1988-06-21 Paroscientific, Inc. Force-sensitive resonator load cell
JPH0645860Y2 (ja) * 1986-11-06 1994-11-24 石田衡器製作所 計量装置のロードセル構造
US5440193A (en) * 1990-02-27 1995-08-08 University Of Maryland Method and apparatus for structural, actuation and sensing in a desired direction
JPH04181133A (ja) * 1990-11-14 1992-06-29 Enplas Corp 三次元力覚センサーの起歪体構造
JPH0594718U (ja) * 1992-05-28 1993-12-24 株式会社共和電業 増幅器内蔵型物理量−電気量変換器
FR2701317B1 (fr) * 1993-02-09 1995-03-31 Thomson Csf Dispositif de mesure d'efforts exercés sur une pièce mécanique et procédé de fixation.
US5519637A (en) * 1993-08-20 1996-05-21 Mcdonnell Douglas Corporation Wavenumber-adaptive control of sound radiation from structures using a `virtual` microphone array method
JP3501845B2 (ja) * 1994-06-10 2004-03-02 富士通株式会社 振動素子及び振動素子の使用方法
EP0690296A3 (en) * 1994-06-27 1998-04-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magnetostrictive sensor
JP2743314B2 (ja) * 1995-02-16 1998-04-22 北石産業株式会社 振動検知素子及び振動検知器
US5663894A (en) * 1995-09-06 1997-09-02 Ford Global Technologies, Inc. System and method for machining process characterization using mechanical signature analysis
JPH09113998A (ja) * 1995-10-18 1997-05-02 Sony Corp 液晶パネルユニットおよび液晶プロジェクタ
JPH09246904A (ja) * 1996-03-14 1997-09-19 Citizen Watch Co Ltd 表面実装型水晶振動子
JPH09304172A (ja) * 1996-05-16 1997-11-28 Tdk Corp 圧電センサ
JP3823234B2 (ja) * 1996-12-17 2006-09-20 大和製衡株式会社 ロードセル
JPH11112279A (ja) * 1997-10-03 1999-04-23 Murata Mfg Co Ltd 圧電部品
US6079277A (en) * 1997-12-12 2000-06-27 The Research Foundation Of State University Of New York Methods and sensors for detecting strain and stress
GB0302586D0 (en) * 2003-02-05 2003-03-12 Univ Brunel Silicon Resonators
JP3966237B2 (ja) * 2003-06-19 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 圧電デバイス、圧電デバイスを搭載した電子機器
JP2005156298A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Hitachi Ltd 輪重・横圧測定装置
FR2867275B1 (fr) * 2004-03-03 2006-05-19 Seb Sa Capteur de poids
US7461560B2 (en) * 2005-03-28 2008-12-09 Microstrain, Inc. Strain gauge with moisture barrier and self-testing circuit
EP1658966A1 (en) * 2004-11-17 2006-05-24 General Electric Company Damping material, damping arrangement and method for designing a damping arrangement
JP4379360B2 (ja) * 2005-03-22 2009-12-09 株式会社日立製作所 力学量測定装置
TWM290647U (en) * 2005-11-02 2006-05-11 Beston Technology Corp A structure for ribbon speaker
EP1961696B1 (en) * 2005-11-16 2013-09-04 Kyocera Corporation Electronic device using electronic part sealing board and method of fabricating same
US7735353B2 (en) * 2006-06-20 2010-06-15 Rudolph Research Analytical Method and apparatus for oscillating a test sample
JP5147491B2 (ja) * 2008-03-28 2013-02-20 ラピスセミコンダクタ株式会社 加速度センサ装置
JP5446187B2 (ja) * 2008-09-17 2014-03-19 セイコーエプソン株式会社 振動片および振動型センサ

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010230490A (ja) 2010-10-14
EP2397828A1 (en) 2011-12-21
CN102362162A (zh) 2012-02-22
WO2010109787A1 (ja) 2010-09-30
US20120000288A1 (en) 2012-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5487672B2 (ja) 物理量センサ
CN102576036A (zh) 压电式加速度传感器
JP2007035962A (ja) 半導体装置
US9618404B2 (en) Transducer and measurement apparatus
WO1999060413A1 (fr) Detecteur d'acceleration et appareil d'acceleration comprenant ce detecteur d'acceleration
JP2013050321A (ja) 物理量検出器及び電子機器
JP2007064753A (ja) 角速度センサの取付構造
US8256292B2 (en) Acceleration sensor with surface protection
JP4613958B2 (ja) 電子部品の製造方法及び電子部品
JP4822769B2 (ja) 加速度センサ
JP4583188B2 (ja) 加速度センサ
JP2007043017A (ja) 半導体センサ装置
JP5838694B2 (ja) 物理量検出器、物理量検出デバイス及び電子機器
CN112911490A (zh) 传感器封装结构及其制作方法和电子设备
JP2007010377A (ja) 加速度センサ
WO2007043140A9 (ja) 加速度センサ
JP3342748B2 (ja) 加速度センサ
JP7343048B2 (ja) 加速度検出装置
JP2007315898A (ja) 圧電型加速度センサ
WO2014002416A1 (ja) 歪センサ
JP2007316091A (ja) 慣性センサ
JP5729231B2 (ja) 角速度センサ装置およびその製造方法
JP2006234462A (ja) 慣性センサ
JP2006234462A5 (ja)
JP5270622B2 (ja) 圧電式加速度センサ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120326

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20120412

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20121214

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130205

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130329

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131105

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131227

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20140107

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140128

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140210

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees