JP5479695B2 - 回転検出装置 - Google Patents
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Description
同図3に示されるように、磁気センサ23は、センサ中心Csを中心として各々45°ずつ傾くかたちで環状に配置される8つの磁気抵抗素子M1〜M8を備えるセンサ部23aと共に、同センサ部23aから出力される電圧信号に対して所定の信号処理を施す回路等が1チップに集積化されて構成される、いわゆる磁気抵抗効果(MRE)センサである。ちなみに、磁気抵抗素子M1〜M8は、強磁性金属を主成分とする磁気抵抗膜からなり、印加される磁気ベクトルに応じてその抵抗値が変化するといった物性を有している。そして、この磁気センサ23は、例えばセンサ中心Csを通り、且つ、図中のy軸に平行な軸線をysとしたときに、センサ23に印加される磁気ベクトルBvと基準線ysとがなす角度θの大きさに応じた電圧信号を出力する。
同図4に示されるように、この磁気センサ23では、4つの磁気抵抗素子M1,M3,M5,M7により1つのブリッジ回路が、また、4つの磁気抵抗素子M2,M4,M6,M8によってもう1つのブリッジ回路が構成されている。ここで、各ブリッジ回路では、磁気抵抗素子M3,M5の間、並びに磁気抵抗素子M4,M6の間に定電圧Vccがそれぞれ印加されるとともに、磁気抵抗素子M1,M7の間、並びに磁気抵抗素子M2,M8の間が各々接地されている。そして、磁気センサ23では、上記センサ部23aの出力として、磁気抵抗素子M1,M3の間の中点電位V11、磁気抵抗素子M5,M7の間の中点電位V12、磁気抵抗素子M2,M4の間の中点電位V21、及び磁気抵抗素子M6,M8の間の中点電位V22がそれぞれ出力される。そして、磁気センサ23では、中点電位V11,V12が差動増幅器50に取り込まれて、また、中点電位V21,V22が差動増幅器51に取り込まれてそれぞれ差動増幅される。すなわち、この磁気センサ23では、差動増幅器50,51による各差動増幅出力として、磁気抵抗素子M1〜M8に印加される磁気ベクトルの変化に応じて連続的に変化する電圧信号V1,V2が出力される。ちなみに、これらの電圧信号V1,V2は、以下の(1)及び(2)式で示されるように、また図5に示すように、先の図3に示した上記磁気ベクトルBvの方向が基準線ysとなす角度θをパラメータとして、それぞれ正弦波状及び余弦波状に変化する。なお、図5では、角度θが先の図3において反時計回りの方向に変化するときを正としている。
V2=Vs×cos2θ・・・(2)
ただし、Vsは磁気センサ23の感度に基づく値である。
V2=Vs×cos2α・・・(4)
ちなみに、図8は、横軸にロータ21の回転角度αを、縦軸に磁気センサ23から出力される電圧信号V1,V2をとり、両者の関係をそれぞれ示したグラフである。なお、同図8では、シフトポジションが「1」,「2」,「D」,「N」,「R」,「P」であるときのロータ21の回転角度をα(1),α(2),α(D),α(N),α(R),α(P)にてそれぞれ示している。
すなわち、この(5)式に基づく演算を行うことで、温度依存性を有する振幅Vsをキャンセルすることができるようになる。さらに、このシフトポジションセンサ20では、演算回路60を通じて正接値tanαからその逆正接値β(=arctan(tan2α))を求める演算を行うとともに、演算された逆正接値βを電圧信号Vβとして上記シフト装置の制御部30に伝達するようにしている。
(1)ロータ21の回転に伴いその回転軸である軸線n1の周りを回転する磁石22a,22bを、軸線n1に直交する軸線n2の方向に並設した上で、これら2つの磁石22a,22bを、軸線n1及び軸線n2の両方に直交する軸線n3の方向に延伸された形状とした。そして、磁石22a,22bの中央の部分を境界として、磁気センサ23の配置されている側では磁石22bから磁石22aに向かう方向を有する磁界を、また、磁気センサ23の配置されていない側では磁石22aから磁石22bに向かう方向を有する磁界を形成するようにした。また、磁気センサ23を、検出面に沿った基準線ysと印加された磁気ベクトルとのなす角度θをパラメータとして正弦波状の電圧信号V1と余弦波状の電圧信号V2とを出力するものとして構成した上で、磁石22a,22bに挟まれる領域から軸線n1の方向にギャップgだけずれた領域内に配置するようにした。さらに、この磁気センサ23の検出面を、ロータ21の回転軸である軸線n1に対して直交する態様にて配置するようにした。そして、磁気センサ23の出力である正弦波状の電圧信号V1の値を余弦波状の電圧信号V2の値で除算して正接値tanαを演算し、さらに、この正接値tanαから逆正接値βを演算して、この逆正接値βに基づいてロータ21の回転角度αを検出するようにした。これにより、磁気抵抗素子M1〜M8の温度依存性の影響を受けることなく、ロータ21の回転角度αの検出を、より高い精度で行うことができるようになり、ひいてはシフト装置によるシフトポジションの検出を、より高い精度で行うことができるようになる。
・先の図6(a)に示されるように、例えば磁気センサ23の上記磁石22a,22bに挟まれる領域(図中の二点鎖線で示される領域)を挟んで対向する位置に、同磁気センサ23と同一構造から磁気センサ26を配置し、これら2つの磁気センサ23,26の二重系としてロータ21の回転角度αの検出を行うようにしてもよい。
(付記)
次に、上記実施形態及びその変形例から把握できる技術的思想について追記する。
Claims (2)
- 磁気検出素子からなる磁気センサと、ロータの回転に伴い同ロータの回転軸の周りを回転する磁石とを備え、前記磁石の回転に伴う同磁石から発せられる磁界の変化を前記磁気検出素子により検出して前記ロータの回転態様を検出する回転検出装置において、
前記磁石は、同ロータの回転軸に直交する方向に並設される2つの磁石からなるとともに、該2つの磁石は、前記ロータの回転軸に平行な方向及び前記並設される方向の両方に直交する方向に延伸された形状からなり、且つ、前記並設される方向に沿って異極同士が向かう合う態様にてそれぞれ着磁され、
前記磁気センサは、その検出面に平行な成分を有する磁気ベクトルが印加されたとき、同検出面に沿った基準線と印加された磁気ベクトルとのなす角をパラメータとして正弦波状の信号及び余弦波状の信号をそれぞれ出力するものであるとともに、前記2つの磁石に挟まれる領域及び同領域から前記ロータの回転軸に平行な方向にずれた領域のいずれかの領域内に配置され、且つ、前記検出面が前記ロータの回転軸に対して直交する態様にて配置され、更に前記2つの磁石のうち、前記ロータの回転軸により近い磁石よりも、前記ロータの回転軸からより離間した磁石寄りの位置に配置されるものであって、
前記磁気センサから出力される前記正弦波状の信号の値を前記余弦波状の信号の値で除算して正接値を算出した上で、同正接値から逆正接値を算出し、該算出した逆正接値に基づいて前記ロータの回転態様の検出を行う
ことを特徴とする回転検出装置。 - 前記磁気検出素子は、印加される磁気ベクトルに応じて抵抗値を変化させる磁気抵抗素子からなり、前記磁気センサは、それぞれ4つの磁気抵抗素子により構成される2つのブリッジ回路を有し、前記正弦波状の信号及び前記余弦波状の信号を、これら2つのブリッジ回路の出力信号としてそれぞれ取得する
請求項1に記載の回転検出装置。
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