JP5429471B2

JP5429471B2 - プロジェクター

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Publication number: JP5429471B2
Application number: JP2009217192A
Authority: JP
Inventors: 人司中山
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2009-09-18
Filing date: 2009-09-18
Publication date: 2014-02-26
Anticipated expiration: 2029-09-18
Also published as: JP2011065050A

Description

本発明は、プロジェクターに関する。

光通信等で用いられる半導体発光デバイスにおいては、一般的に、装置の外部に半透過ミラーや回折素子を配置して出射した光の一部を取り出し、その光を受光素子によって検出することで、光量の調整等を行っている。

例えば、特許文献１では、レーザーダイオードからの光を分光プリズム等で分岐させ、その分岐させた光を検出するモニター用フォトダイオードを有する光ピックアップ装置が提案されている。

特開平１０−３６９１号公報

しかしながら、上記特許文献１に開示された方法では、発光素子と受光素子が個々に設けられているため、別途分光プリズム等の光学素子が必要となり、部品点数が多くなる、小型化が難しいといった問題がある。また、プロジェクターなどの表示装置に用いるためには、複数のレーザーダイオードの光量を個々に検出する必要があるが、個別に受光素子を設けるのは困難であるといった問題がある。

本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、発光素子および受光素子がモノリシックに集積された受発光素子を備え、電流経路となる利得領域ごとに光量検出を行うことが可能なプロジェクターを提供することにある。

本発明に係るプロジェクターは、
受発光素子を有する受発光装置と、
前記受発光装置から出射された光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含み、
前記受発光素子は、
第１クラッド層と第２クラッド層とに挟まれた活性層と、
前記第１クラッド層の前記活性層側の面とは反対の面側に形成された光吸収層と、を備える積層構造体を有し、
前記活性層のうちの少なくとも一部は、前記活性層の電流経路となる利得領域を構成し、
前記積層構造体において、前記活性層の露出する面のうちの第１面と第２面とは、互いに対向する位置関係であり、
前記利得領域は、前記第１面側の端面から、前記第２面側の端面まで、直線状に設けられ、
前記第１面側の端面および前記第２面側の端面の少なくとも一方は、前記利得領域に生じる光を出射する出射面であり、
前記利得領域に生じる光の一部は、前記第１クラッド層内を通過して、前記光吸収層に至り、受光される。

このようなプロジェクターによれば、発光素子および受光素子がモノリシックに集積された前記受発光素子を備え、電流経路となる前記利得領域ごとに光量検出を行うことができる。

本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記光吸収層に至る光は、前記利得領域に生じる光のうち、前記第１面側の端面および前記第２面側の端面における、前記活性層と大気との屈折率差によって、前記利得領域の伝播モードとは異なるモードを有する光であることができる。

本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記第１クラッド層の屈折率は、前記第２クラッド層の屈折率より大きいことができる。

このようなプロジェクターによれば、前記利得領域に生じる光の一部は、前記第１クラッド層内を通過し易くなり、受光される光の光量を制御することができる。

本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記第１クラッド層および前記第２クラッド層は、Ａｌを含む層であり、
前記第１クラッド層のＡｌ組成比は、前記第２クラッド層のＡｌ組成比より小さいことができる。

このようなプロジェクターによれば、前記第１クラッド層のＡｌ組成比によって前記第１クラッド層の屈折率を調整し、受光される光の光量を制御することができる。

本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記受発光素子は、前記光吸収層の前記第１クラッド層側とは反対の面側に形成された第３クラッド層を有することができる。

このようなプロジェクターによれば、前記第１クラッド層および前記第３クラッド層は、前記光吸収層を挟んで、光を閉じ込めることができる。

本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記利得領域は、複数配列され、
隣り合う前記利得領域の間には、分離溝が形成され、
前記分離溝は、前記第２クラッド層、前記活性層、前記第１クラッド層および前記光吸収層を貫通していることができる。

このようなプロジェクターによれば、発光の高出力化を図ることができ、また、複数の前記利得領域の各々に対して、個別に光量検出を行うことができる。

本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記利得領域に生じる光の波長帯において、前記第１面の反射率は、前記第２面の反射率よりも高く、
前記利得領域は、複数設けられ、
複数の前記利得領域のうちの第１利得領域は、前記活性層の積層方向から平面視して、前記第１面の垂線に対して時計回り方向に傾いており、
複数の前記利得領域のうちの第２利得領域は、前記活性層の積層方向から平面視して、前記第１面の垂線に対して反時計回り方向に傾いており、
前記第１利得領域および前記第２利得領域は、前記第１利得領域の前記第１面側の端面と、前記第２利得領域の前記第１面側の端面と、が前記第１面で重なるＶ型利得領域を構成していることができる。

このようなプロジェクターによれば、前記第１利得領域に生じる光の一部は、重なり面（前記第１利得領域の前記第１面側の端面と、前記第２利得領域の前記第１面側の端面と、の重なり面）において反射して、前記第２利得領域内においても、利得を受けながら進行することができる。また、前記第２利得領域に生じる光の一部に関しても同様である。したがって、例えば、重なり面において積極的に反射させないような場合に比べ、光強度の増幅距離が長くなるため、高い光出力を得ることができる。

本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記Ｖ型利得領域は、複数配列され、
隣り合う前記Ｖ型利得領域の間には、分離溝が形成され、
前記分離溝は、前記第２クラッド層、前記活性層、前記第１クラッド層および前記光吸収層を貫通していることができる。

本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記受発光装置は、
前記利得領域の前記第１面側の端面から出射される光を、反射させる第１ミラーと、
前記利得領域の前記第２面側の端面から出射される光を、反射させる第２ミラーと、
を有し、
前記第１ミラーで反射された光の進む方向と、前記第２ミラーで反射された光の進む方向とは、同じ方向であることができる。

このようなプロジェクターによれば、発光の高密度化を図ることができる。

本実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。本実施形態に係るプロジェクターに用いる受発光素子を模式的に示す平面図。本実施形態に係るプロジェクターに用いる受発光素子を模式的に示す断面図。本実施形態に係るプロジェクターに用いる受発光素子を模式的に示す断面図。本実施形態に係るプロジェクターに用いる受発光素子の製造工程を模式的に示す断面図。本実施形態に係るプロジェクターに用いる受発光素子の製造工程を模式的に示す断面図。本実施形態に係るプロジェクターに用いる受発光素子の製造工程を模式的に示す断面図。本実施形態に係るプロジェクターに用いる受発光素子の製造工程を模式的に示す断面図。本実施形態に係るプロジェクターに用いる受発光素子の製造工程を模式的に示す断面図。本実施形態に係るプロジェクターに用いる受発光素子の製造工程を模式的に示す断面図。本実施形態に係るプロジェクターに用いる受発光素子の製造工程を模式的に示す断面図。本実施形態に係るプロジェクターに用いる受発光素子の製造工程を模式的に示す断面図。本実施形態に係るプロジェクターに用いる受発光素子の製造工程を模式的に示す断面図。本実施形態に係るプロジェクターに用いる第１変形例の受発光素子を模式的に示す断面図。本実施形態に係るプロジェクターに用いる第２変形例の受発光素子を模式的に示す平面図。本実施形態に係るプロジェクターに用いる第２変形例の受発光素子を模式的に示す断面図。本実施形態に係るプロジェクターに用いる第３変形例の受発光素子を模式的に示す平面図。本実施形態に係るプロジェクターに用いる第３変形例の受発光素子を模式的に示す断面図。本実施形態に係るプロジェクターに用いる第４変形例の受発光素子を模式的に示す平面図。本実施形態に係るプロジェクターに用いる第４変形例の受発光素子を模式的に示す断面図。本実施形態に係るプロジェクターに用いる受発光装置を模式的に示す平面図。本実施形態に係るプロジェクターに用いる受発光装置を模式的に示す断面図。

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。

１．プロジェクター
まず、本実施形態に係るプロジェクター１０００について、図面を参照しながら説明する。図１は、プロジェクター１０００を模式的に示す図である。なお、図１では、便宜上、プロジェクター１０００を構成する筐体は省略している。プロジェクター１０００は、本発明に係る受発光素子を有する受発光装置を含む。以下では、本発明に係る受発光装置として、受発光装置６００を用いた例について説明する。

プロジェクター１０００において、赤色光、緑色光、青色光を出射する赤色光源（受発光装置）６００Ｒ，緑色光源（受発光装置）６００Ｇ、青色光源（受発光装置）６００Ｂは、上述した受発光装置６００である。

プロジェクター１０００は、光源６００Ｒ，６００Ｇ，６００Ｂから出射された光をそれぞれ画像情報に応じて変調する透過型の液晶ライトバルブ（光変調装置）１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂと、液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂによって形成された像を拡大してスクリーン（表示面）１０１０に投射する投射レンズ（投射装置）１００８と、を備えている。また、プロジェクター１０００は、液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂから出射された光を合成して投写レンズ１００８に導くクロスダイクロイックプリズム（色光合成手段）１００６を備えていることができる。

さらに、プロジェクター１０００は、光源６００Ｒ，６００Ｇ，６００Ｂから出射された光の照度分布を均一化させるため、各光源６００Ｒ，６００Ｇ，６００Ｂよりも光路下流側に、均一化光学系１００２Ｒ，１００２Ｇ，１００２Ｂを設けており、これらによって照度分布が均一化された光によって、液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂを照明している。均一化光学系１００２Ｒ，１００２Ｇ、１００２Ｂは、例えば、ホログラム１００２ａおよびフィールドレンズ１００２ｂによって構成される。

各液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム１００６に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は投写光学系である投射レンズ１００６によりスクリーン１０１０上に投写され、拡大された画像が表示される。

なお、上述の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Digital Micromirror Device）が挙げられる。また、投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。

また、受発光装置６００を、受発光装置６００からの光をスクリーン上で走査させることにより、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置である走査手段を有するような走査型の画像表示装置（プロジェクター）の受発光装置（光源装置）にも適用することが可能である。

プロジェクター１０００によれば、光源として、本発明に係る受発光装置（受発光素子）を用いることができるため、電流経路となる利得領域ごとに光量検出を行うことができる。プロジェクター１０００に用いる受発光素子および受発光装置の構成等については、以下に説明する。

２．受発光素子
次に、本実施形態に係るプロジェクター１０００に用いる受発光素子１００について、図面を参照しながら説明する。図２は、受発光素子１００を模式的に示す平面図である。図３は、受発光素子１００を模式的に示す図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。図４は、受発光素子１００を模式的に示す図２のＩＶ−ＩＶ線断面図である。なお、図２では、便宜上、第２電極１１４の図示を省略している。

以下では、受発光素子１００の構成、発光の動作原理、受光の動作原理の順に説明する。

（１）構成
受発光素子１００は、図２〜図４に示すように、積層構造体１２０と、第１電極１１２と、第２電極１１４と、第３電極１１５と、絶縁部１１６と、を含むことができる。積層構造体１２０は、基板１０１と、第３クラッド層１０２と、光吸収層１０３と、第１クラッド層１０４と、活性層１０６と、第２クラッド層１０８と、コンタクト層１１０と、を含むことができる。

基板１０１としては、例えば、第１導電型（例えばｐ型）のＧａＡｓ基板などを用いることができる。

第３クラッド層１０２は、基板１０１上に形成されている。第３クラッド層１０２としては、例えば、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰ層などを用いることができる。

光吸収層１０３は、第３クラッド層１０２上に形成されている。光吸収層１０３としては、例えば、ＩｎＧａＰ吸収層などを用いることができる。光吸収層１０３は、後述するように、利得領域１６０に生じる光の一部を、吸収することができる。

第１クラッド層１０４は、第３クラッド層１０３上に形成されている。第１クラッド層１０４としては、例えば、第２導電型（例えばｎ型）のＡｌＧａＩｎＰ層などを用いることができる。第１クラッド層１０４は、図４に示すように、窪み部１０４ａを有することができ、窪み部１０４ａの底面には、第１電極１１２が形成されることができる。

活性層１０６は、第１クラッド層１０４上に形成されている。活性層１０６は、例えば、ＩｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。活性層１０６の形状は、例えば直方体（立方体である場合を含む）などである。活性層１０６は、図２に示すように、第１面１０５および第２面１０７を有する。第１面１０５および第２面１０７は、活性層１０６の面のうち第１クラッド層１０４または第２クラッド層１０８に接していない面であり、層構造体１２０において、露出している面である。第１面１０５および第２面１０７は、活性層１０６の側面ともいえる。第１面１０５および第２面１０７は、互いに対向しており、図示の例では平行である。

活性層１０６の一部は、活性層１０６の電流経路となる利得領域１６０を構成している。利得領域１６０は、図２および図３に示すように、第１面１０５に設けられた第１端面１７０と、第２面１０７に設けられた第２端面１７２と、を有する。利得領域１６０の平面形状は、例えば図２に示すような平行四辺形などである。図示の例では、利得領域１６０は、第１端面１７０から第２端面１７２まで、直線状に、第１面１０５の垂線Ｐに対して傾いた方向に向かって設けられている。これにより、利得領域１６０に生じる光のレーザー発振を抑制または防止することができる。すなわち、発光素子１００は、スーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ：Super Luminescent Diode、以下「ＳＬＤ」ともいう）であることができる。ＳＬＤは、半導体レーザーと異なり、端面反射による共振器の形成を抑えることにより、レーザー発振を防止することができる。そのため、スペックルノイズを低減することができる。

なお、図示はしないが、利得領域１６０は、第１端面１７０から第２端面１７２まで、直線状に、第１面１０５の垂線Ｐと平行となる方向に向かって設けられていてもよい。すなわち、活性層１０６を第１面１０５側から平面的にみたときに、第１端面１７０と第２端面１７２とは、完全に重なっていてもよい。この場合には、共振器が構成され、受発光素子１００は、レーザー光を発することができる。

第２クラッド層１０８は、図３および図４に示すように、活性層１０６上に形成されている。第２クラッド層１０８としては、例えば、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰ層などを用いることができる。第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８としてＡｌＧａＩｎＰ層を用いた場合、第１クラッド層１０８のＡｌ（アルミニウム）組成比は、第２クラッド層のＡｌ組成比より小さいことができる。これにより、第１クラッド層１０４の屈折率を、第２クラッド１０８の屈折率より大きくすることができる。すなわち、第１クラッド層１０４と活性層１０６との屈折率の差を、第２クラッド層１０８と活性層１０６との屈折率の差に比べて小さくすることができる。

なお、活性層１０６は、第１クラッド層１０４と第２クラッド層１０８とに挟まれているともいえる。光吸収層１０３は、第１クラッド層１０４の活性層１０６側の面とは反対の面側に形成されているともいえる。第３クラッド層１０２は、光吸収層１０３の第１クラッド層１０４側とは反対の面側に形成されているともいえる。光吸収層１０３は、第１クラッド層１０４と第３クラッド層１０２とに挟まれているともいえる。

コンタクト層１１０は、図３および図４に示すように、第２クラッド層１０８上に形成されている。コンタクト層１１０としては、第２電極１１４とオーミックコンタクトする層を用いることができる。コンタクト層１１０としては、例えば、ｐ型のＧａＡｓ層などを用いることができる。コンタクト層１１０と、第２クラッド層１０８の一部とは、図４に示すように、柱状部１１１を構成することができる。柱状部１１１の平面形状は、例えば図２に示すように、利得領域１６０と同じである。すなわち、例えば、柱状部１１１の平面形状によって、電極１１２，１１４間の電流経路が決定され、その結果、利得領域１６０の平面形状が決定される。なお、図示はしないが、柱状部１１１は、例えば、コンタクト層１１０、第２クラッド層１０８、および活性層１０６から構成されていてもよいし、さらに、第１クラッド層１０４をも含んで構成されていてもよい。また、柱状部１１１の側面を傾斜させることもできる。

絶縁部１１６は、図４に示すように、第２クラッド層１０８上であって、柱状部１１１の側方に形成されている。絶縁部１１６は、柱状部１１１の側面に接していることができる。絶縁部１１６の上面は、例えば、コンタクト層１１０の上面と連続している。絶縁部１１６としては、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ_２層、ポリイミド層などを用いることができる。絶縁部１１６としてこれらの材料を用いた場合、電極１１２，１１４間の電流は、絶縁部１１６を避けて、該絶縁部１１６に挟まれた柱状部１１１を流れることができる。絶縁部１１６は、活性層１０６の屈折率よりも小さい屈折率を有することができる。この場合、絶縁部１１６を形成した部分の垂直断面の有効屈折率は、絶縁部１１６を形成しない部分、すなわち、柱状部１１６が形成された部分の垂直断面の有効屈折率よりも小さくなる。これにより、平面方向において、利得領域１６０内に効率良く光を閉じ込めることができる。なお、図示はしないが、絶縁部１１６を設けず、絶縁部１１６が空気であると解釈してもよい。

第１電極１１２は、第１クラッド層１０４上に形成されている。より具体的には、第１電極１１２は、第１クラッド層１０４の窪み部１０４ａの底面上に形成されている。第１電極１１２は、第１クラッド層１０４と電気的に接続されている。第１電極１１２は、利得領域１６０に光を生じさせるための一方の電極であり、かつ、利得領域１６０に生じる光の一部を受光するための一方の電極でもある。すなわち、第１電極１１２は、発光用電極としての機能と、受光用電極としての機能と、を有することができる。第１電極１１２としては、例えば、第１クラッド層１０４側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。

第２電極１１４は、コンタクト層１１０（柱状部１１１）上および絶縁部１１６上に形成されている。第２電極１１４とコンタクト層１１０との接触面は、利得領域１６０と同じの平面形状を有している。図示はしないが、第２電極１１４は、コンタクト層１１０上にのみ形成されていてもよい。第２電極１１４は、コンタクト層１１０を介して、第２クラッド層１０８と電気的に接続されている。第２電極１１４は、利得領域１６０に光を生じさせるための他方の電極（発光用電極）である。第２電極１１４としては、例えば、コンタクト層１１０側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。

第３電極１１５は、基板１０１の下の全面に形成されている。第３電極１１５は、該第３電極１１５とオーミックコンタクトする層（図示の例では基板１０１）と接していることができる。第３電極１１５は、基板１０１を介して、第３クラッド層１０２と電気的に接続されている。第３電極１１５は、利得領域１６０に生じる光の一部を受光するための他方の電極（受光用電極）である。第３電極１１５としては、例えば、基板１０１側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。

（２）発光の動作原理
ｐ型の第２クラッド層１０８、不純物がドーピングされていない活性層１０６、およびｎ型の第１クラッド層１０４により、ｐｉｎダイオードが構成されることができる。第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８の各々は、活性層１０６よりも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さい層である。活性層１０６は、光を増幅する機能を有する。第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８は、活性層１０６を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光を閉じ込める機能を有する。

受発光素子１００では、第１電極１１２と第２電極１１４との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると、活性層１０６の利得領域１６０において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、利得領域１６０内で光の強度が増幅される。例えば、図２および図３に示すように、利得領域１６０に生じる光のうち、第１端面１７０に向かう光１０は、利得領域１６０内で増幅された後、第１端面１７０から光２０として出射されることができる。同様に、利得領域１６０に生じる光のうち、第２端面１７２に向かう光１２は、利得領域１６０内で増幅された後、第２端面１７２から光２２として出射されることができる。すなわち、第１端面１７０および第２端面１７２は、出射面となることができる。

以上のとおり、受発光素子１００は、発光のためのｐｉｎダイオードを構成することができる。すなわち、受発光素子１００は、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、第１電極１１２および第２電極１１４によって、発光素子を構成することができる。

（３）受光の動作原理
ｐ型の第３クラッド層１０２、不純物がドーピングされていない光吸収層１０３、およびｎ型の第１クラッド層１０４により、ｐｉｎダイオードが構成されることができる。第１クラッド層１０４および第３クラッド層１０２の各々は、光吸収層１０３よりも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さい層である。光吸収層１０３は、光を吸収する機能を有する。第１クラッド層１０４および第３クラッド層１０２は、光吸収層１０３を挟んで、光を閉じ込める機能を有する。

ここで、活性層１０６と、受発光装置１００の外部（例えば、大気、空気）と、の境界となる第１端面１７０および第２端面１７２においては、屈折率の差（活性層１０６と大気（空気）との屈折率の差）が生じる。このような屈折率の不連続な部分においては、一般的に、導波路（利得領域）の伝播モードから自由空間の伝播モードへのモード変換が起こる。その際に、導波路の伝播モード以外の成分が生じ、それらの成分は、例えば上下方向に漏れ出す。そのため、例えば、第１端面１７０に向かう光１０は、上記屈折率差によって、利得領域１６０の伝播モードとは異なるモードを有し、第１端面１７０に近づくにつれて、発散する。そして、例えば、図３に示すように、活性層１０６の厚み方向に発散した光の一部は、第１クラッド層１０４内を通過して（第１クラッド層１０４内に漏れて）、光吸収層１０３に至る。すなわち、光１０は、第１端面１７０から光２０として出射されるが、光１０の一部は、第１面１０５近傍において、光３０として第１クラッド層１０４内を通過して光吸収層１０３に至る。同様に、例えば、第２端面１７２に向かう光１２は、第２端面１７２から光２２として出射されるが、光１２の一部は、第２面１０７近傍において、光３２として第１クラッド層１０４内を通過して光吸収層１０３に至る。光３０，３２の光量は、第１クラッド層１０４の屈折率によって、制御することができる。例えば、第１クラッド層１０４の屈折率を大きくすることによって、第１クラッド層１０４と活性層１０６との屈折率の差を小さくし、光３０，３２の光量を大きくすることができる。より具体的には、上述のとおり、第１クラッド層１０４してＡｌＧａＩｎＰ層を用いた場合は、Ａｌ組成比を小さくすることにより、第１クラッド層１０４の屈折率を大きくすることができる。

受発光素子１００では、第１電極１１２と第３電極１１５との間に、ｐｉｎダイオードの逆バイアス電圧を印加すると、光３０，３２によって光吸収層１０３に生成された電子−正孔対が加速され電流として取り出すことができる。さらに、第１クラッド層１０４および第３クラッド層１０２によって、光吸収層１０３から光が漏れることを抑制または防止することができる。

以上のとおり、受発光素子１００は、受光のためのｐｉｎフォトダイオードを構成することができる。すなわち、受発光素子１００は、第１クラッド層１０４、第３クラッド層１０２、光吸収層１０３、第１電極１１２および第３電極１１５によって、受光素子を構成することができる。

受発光素子１００の一例として、ＩｎＧａＡｌＰ系の場合について説明したが、受発光素子１００は、発光利得領域が形成可能なあらゆる材料系を用いることができる。半導体材料であれば、例えば、ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＮ系、ＩｎＧａＮ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＧａＩｎＮＡｓ系、ＺｎＣｄＳｅ系などの半導体材料を用いることができる。

受発光素子１００は、例えば、以下の特徴を有する。

受発光素子１００では、受光素子を構成する光吸収層１０３の上方に、発光素子を構成する活性層１０６を形成することができる。そして、活性層１０６の利得領域１６０に生じる光の一部は、第１クラッド層１０４内を通過して、光吸収層１０３に至り、受光されることができる。すなわち、受発光素子１００では、発光素子および受光素子をモノリシックに集積することができる。これにより、例えば、別途、受光素子を設置する場合と比較して、部品点数の削減および製造コストの削減が可能となる。

受発光素子１００では、利得領域１６０に生じる光の一部を受光することによって、利得領域１６０ごとの光出力をモニターすることができる。したがって、モニターされた光出力に基づいて、第１電極１１２および第２電極１１４に印加する電圧値を調整することができる。これにより、受発光素子１００では、輝度むらを低減し、また、明るさを自動調整することができる。なお、利得領域１６０の光出力を、印加する電圧値にフィードバックする制御は、例えば、外部電子回路（図示しない）を用いて行うことができる。

受発光素子１００では、第１クラッド層１０４の屈折率は、第２クラッド層１０８の屈折率より大きいことができる。より具体的には、例えば、第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８としてＡｌＧａＩｎＰ層を用いる場合、第１クラッド層１０４のＡｌ組成比は、第２クラッド層１０８のＡｌ組成比より小さいことができる。これにより、第１クラッド層１０４と活性層１０６との屈折率差は、第２クラッド層１０８と活性層１０６との屈折率差よりも小さくなり、利得領域１６０に生じる光の一部は、第１クラッド層１０４内を通過し易くなる。すなわち、第１クラッド層１０４のＡｌ組成比によって第１クラッド層１０４の屈折率を調整し、受光される光の光量を制御することができる。

３．受発光素子の製造方法
次に、本実施形態に係るプロジェクターに用いる受発光素子１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図５〜図１３は、受発光素子１００の製造工程を模式的に示す断面図である。

図５に示すように、基板１０１上に、第３クラッド層１０２、光吸収層１０３、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、およびコンタクト層１１０を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法などを用いることができる。

図６に示すように、コンタクト層１１０および第２クラッド層１０８をパターニングする。パターニングは、活性層１０６の上面を露出しないように行う。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術などを用いて行われる。本工程により、柱状部１１１を形成することができる。

図７に示すように、柱状部１１１の側面を覆うように絶縁部１１６を形成する。具体的には、まず、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、塗布法などにより、第２クラッド層１０８の上方（コンタクト層１１０上を含む）に絶縁層（図示せず）を成膜する。次に、例えば、エッチング技術などを用いて、コンタクト層１１０の上面を露出させる。以上の工程により、絶縁部１１６を形成することができる。

図８に示すように、絶縁部１１６をパターニングする。より具体的には、絶縁部１１６の一部をエッチングして、第２クラッド層１０８の上面を露出させる。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術などを用いて行われる。

図９に示すように、全面に導電層１１４ａを形成する。コンタクト層１１０および絶縁部１１６上の導電層１１４ａは、第２電極１１４となる。導電層１１４ａは、例えば、真空蒸着法により形成される。

図１０に示すように、第２電極１１４上にレジストＲを形成する。レジストＲは、公知の方法により形成される。

図１１に示すように、レジストＲをマスクとして、第２クラッド層１０８上の導電層１１４ａ、第２クラッド層１０８、活性層１０６、および第１クラッド層１０４の一部をエッチングする。エッチングは、光吸収層１０３の上面が露出しないように行う。これにより、第１クラッド層１０４に窪み部１０４ａを形成することができる。

図１２に示すように、全面に導電層１１２ａを形成する。第１クラッド層１０４（窪み部１０４ａの底面）上の導電層１１２ａは、第１電極１１２となる。導電層１１２ａは、例えば、真空蒸着法により形成される。

図１３に示すように、レジストＲを除去することにより、レジストＲ上の導電層１１２ａをリフトオフする。リフトオフは、公知の方法により行われる。

図４に示すように、基板１０１の下面下に第３電極１１５を形成する。第３電極１１５は、例えば、真空蒸着法により形成される。

以上の工程により、受発光素子１００を製造することができる。

受発光素子１００の製造方法によれば、発光素子および受光素子をモノリシックに集積することができる受発光素子１００を形成することができる。

４．受発光素子の変形例
次に、本実施形態に係るプロジェクターに用いる受発光素子の変形例について説明する。以下、変形例に係る受発光素子２００，３００，４００，５００において、受発光素子１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

（１）第１変形例に係る受発光素子
まず、第１変形例に係る受発光素子２００について、図面を参照しながら説明する。図１４は、発光素子２００を模式的に示す断面図である。

受発光素子１００の例では、図４に示すように、絶縁部１１６と、絶縁部１１６とが形成されていない領域、すなわち柱状部１１１を形成している領域に屈折率差を設けて、光を閉じ込める屈折率導波型について説明した。これに対し、受発光素子２００は、柱状部１１１を形成することによって屈折率差を設けず、利得領域１６０がそのまま導波領域となる、利得導波型であることができる。

すなわち、受発光素子２００では、図１４に示すように、コンタクト層１１０および第２クラッド層１０８は、柱状部を構成せず、その側方に絶縁部１１６は形成されない。絶縁部１１６は、利得領域１６０の上方以外のコンタクト層１１０上に形成されている。つまり、絶縁部１１６は利得領域１６０の上方に開口を有し、該開口ではコンタクト層１１０の上面が露出している。第２電極１１４は、その露出しているコンタクト層１１０上および絶縁部１１６上に形成されている。第２電極１１４とコンタクト層１１０の接触面は、利得領域１６０と同じ平面形状を有している。図示の例では、第２電極１１４とコンタクト層１１０との接触面の平面形状によって、電極１１２，１１４間の電流経路が決定され、その結果、利得領域１６０の平面形状が決定されることができる。図示の例では、第２電極１１４の上面も、利得領域１６０と同じ平面形状を有している。なお図示はしないが、第２電極１１４は、利得領域１６０の上方のコンタクト層１１０上にのみ形成されていてもよい。

受発光素子２００によれば、受発光素子１００と同様に、発光素子および受光素子をモノリシックに集積することができる。

（２）第２変形例に係る受発光素子
次に、第２変形例に係る受発光素子３００について、図面を参照しながら説明する。図１５は、受発光素子３００を模式的に示す平面図である。図１６は、受発光素子３００を模式的に示す図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線断面図である。なお、図１５では、便宜上、第２電極１１４の図示を省略している。

受発光素子３００では、図１５および図１６に示すように、複数の利得領域１６０が配列されている。各利得領域１６０に対応して、第１電極１１２が設けられている。隣り合う利得領域１６０の間には、分離溝３８０が形成されている。分離溝３８０は、隣り合う第１電極１１２の間に形成されているともいえる。図１６に示すように、分離溝３８０の底面は、光吸収層１０３の下面より下方に位置している。図示の例では、分離溝３８０の底面は、第３クラッド層１０２の上面と下面との間に位置している。すなわち、分離溝３８０は、第２クラッド層１０８、活性層１０６、第１クラッド層１０４および光吸収層１０３を貫通し、第３クラッド層１０２まで到達している。なお、溝部３８０は、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術などにより形成される。

受発光素子３００によれば、受発光素子１００の場合に比べて、発光の高出力化を図ることができる。

また、受発光素子３００によれば、複数の利得領域１６０、および光吸収層１０３は、分離溝３８０によって電気的に分離されている。そのため、複数の利得領域１６０の各々の光出力をモニターすることができる。すなわち、複数の利得領域１６０の各々に対して、個別に光量検出を行うことができる。

（３）第３変形例に係る受発光素子
次に、第３変形例に係る受発光素子４００について、図面を参照しながら説明する。図１７は、受発光素子４００を模式的に示す平面図である。図１８は、受発光素子４００を模式的に示す図１７のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線断面図である。なお、図１７では、便宜上、第２電極１１４の図示を省略している。

受発光素子４００では、図１７に示すように、複数の利得領域１６０（第１利得領域１６０ａおよび第２利得領域１６０ｂ）を有し、これらがＶ型利得領域４６２を構成している。第１利得領域１６０ａは、第１面１０５に設けられた第１端面１７０ａと、第２面１０７に設けられた第２端面１７２ａと、を有する。第２利得領域１６０ｂは、第１面１０５に設けられた第１端面１７０ｂと、第２面１０７に設けられた第２端面１７２ｂと、を有する。第１利得領域１６０ａと第２利得領域１６０ｂとは、異なる方向に向かって設けられている。図示の例では、第１利得領域１６０ａは、第１面１０５の垂線Ｐに対して一方の側に傾いており、角度θの傾きを有する一の方向に向かって設けられている。また、第２利得領域１６０ｂは、垂線Ｐに対して他方の側（上記一方の側の反対側）に傾いており、角度θの傾きを有する他の方向に向かって設けられている。言い換えると、第１利得領域１６０ａは、活性層１０６の積層方向から平面視して（活性層１０６の厚み方向から平面視して）、第１面１０５の垂線Ｐに対して時計回り方向に傾いて設けられている。また、第２利得領域１６０ｂは、活性層１０６の積層方向から平面視して（活性層１０６の厚み方向から平面視して）、第１面１０５の垂線Ｐに対して反時計回り方向に傾いて設けられている。図示の例では、第１利得領域１６０ａの第１端面１７０ａと、第２利得領域１６０ｂの第１端面１７０ｂとは、第１面１０５に設けられた重なり面４７４において完全に重なっている。第１利得領域１６０ａと第２利得領域１６０ｂとは、例えば図１７に示すように平面視において、重なり面４７４の中心を通る垂線Ｐに対して、線対称の関係にある。

利得領域１６０ａ，１６０ｂに生じる光の波長帯において、第１面１０５の反射率は、第２面１０７の反射率よりも高い。例えば、図１７および図１８に示すように、第１面１０５を反射部４３０によって覆うことにより、高い反射率を得ることができる。反射部４３０は、例えば誘電体多層膜ミラーなどである。具体的には、反射部４３０としては、例えば、第１面１０５側からＳｉＯ_２層、Ｔａ_２Ｏ_５層の順序で１０ペア積層したミラーなどを用いることができる。第１面１０５の反射率は、１００％、あるいはそれに近いことが望ましい。これに対し、第２面１０７の反射率は、０％、あるいはそれに近いことが望ましい。すなわち、受発光素子４００では、第１端面１７０ａ，１７０ｂは反射面となり、第２端面１７２ａ，１７２ｂは出射面となる。なお、反射部４３０としては、上述した例に限定されるわけではなく、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３層、ＴｉＯ_２層、ＳｉＮ層や、これらの多層膜などを用いることができる。反射部４３０は、例えば、ＣＶＤ法、スパッタ法、イオンアシスト蒸着(Ion Assisted Deposition)法などにより形成されることができる。

図１７に示すように、例えば、第１利得領域１６０ａに生じる光の一部１０は、第１利得領域１６０ａ内で増幅された後、重なり面４７４において反射して、第２利得領域１６０ｂの第２端面１７２ｂから出射光２２として出射されるが、反射後の第２利得領域１６０ｂ内においても光強度が増幅される。同様に、第２利得領域１６０ｂに生じる光の一部は、第２利得領域１６０ｂ内で増幅された後、重なり面４７４において反射して、第１利得領域１６０ａの第２端面１７２ａから出射光２２として出射されるが、反射後の第１利得領域１６０ａ内においても光強度が増幅される。なお、第１利得領域１６０ａに生じる光には、直接、第１利得領域１６０ａの第２端面１７２ａから出射光２２として出射されるものもある。同様に、第２利得領域１６０ｂに生じる光には、直接、第２利得領域１６０ｂの第２端面１７２ｂから出射光２２として出射されるものもある。これらの光も同様に各利得領域１６０ａ，１６０ｂ内において増幅される。

図１８に示すように、第１利得領域１６０ａに生じた第１端面１７０ａに向かう光１０は、活性層１０６と反射部４３０との屈折率の差によって、第１利得領域１６０ａの伝播モードとは異なるモードを有し、第１端面１７０ａに近づくにつれて、発散する。特に、第１利得領域１６０ａに生じた光１０は、第１利得領域１６０ａと第２利得領域１６０ｂとの間の距離が小さくなる折り返し部分において、第２利得領域１６０ｂ内を進行する光の影響を受け、伝播モードが変化しやすい。そして、例えば、活性層１０６の厚み方向に発散した光の一部（光３０）は、第１クラッド層１０４内を通過して（第１クラッド層１０４内に漏れて）、光吸収層１０３に至る。すなわち、光１０は、重なり面４７４において反射して第２利得領域１６０ｂ内を進行するが、光１０の一部は、第１面１０５近傍において、光３０として第１クラッド層１０４内を通過して光吸収層１０３に至る。このことは、第２利得領域１６０ｂに生じた第１端面１７０ｂに向かう光についても同様である。

受発光装置４００によれば、上述のとおり、第１利得領域１６０ａに生じる光の一部１０は、重なり面４７４において反射して、第２利得領域１６０ｂ内においても、利得を受けながら進行することができる。また、第２利得領域１６０ｂに生じる光の一部に関しても同様である。したがって、受発光装置４００では、例えば、重なり面４７４において積極的に反射させないような場合に比べ、光強度の増幅距離が長くなるため、高い光出力を得ることができる。

（４）第４変形例に係る受発光素子
次に、第４変形例に係る受発光素子５００について、図面を参照しながら説明する。図１９は、受発光素子５００を模式的に示す平面図である。図２０は、受発光素子５００を模式的に示す図１９のＸＸ−ＸＸ線断面図である。なお、図１９では、便宜上、第２電極１１４の図示を省略している。

受発光素子５００では、図１９に示すように、複数のＶ型利得領域４６２が配列されている。各Ｖ型利得領域４６２に対応して、第１電極１１２が設けられている。隣り合うＶ型利得領域４６２の間には、分離溝５８０が形成されている。分離溝５８０は、隣り合う第１電極１１２の間に形成されているともいえる。図２０に示すように、分離溝５８０の底面は、光吸収層１０３の下面より下方に位置している。図示の例では、分離溝５８０の底面は、第３クラッド層１０２の上面と下面との間に位置している。すなわち、分離溝５８０は、第２クラッド層１０８、活性層１０６、第１クラッド層１０４および光吸収層１０３を貫通し、第３クラッド層１０２まで到達している。なお、溝部５８０は、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術などにより形成される。

受発光素子５００によれば、受発光素子４００の場合に比べて、発光の高出力化を図ることができる。

また、受発光素子５００によれば、複数のＶ型利得領域４６２、および光吸収層１０３は、分離溝５８０によって電気的に分離されている。そのため、複数のＶ型利得領域４６２の各々の光出力をモニターすることができる。すなわち、複数のＶ型利得領域４６２の各々に対して、個別に光量検出を行うことができる。

５．受発光装置
次に、本実施形態に係るプロジェクター１０００に用いる受発光装置６００について、図面を参照しながら説明する。図２１は、受発光装置６００を模式的に示す平面図である。図２２は、受発光装置６００を模式的に示す図２１のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線断面図である。なお、図２１では、便宜上、第２電極１１４の図示を省略している。

受発光装置６００は、図２１および図２２に示すように、本発明に係る受発光素子（例えば、受発光素子１００）と、ベース６１０と、サブマウント６２０と、第１光軸変換素子６３０と、第２光軸変換素子６４０と、を有することができる。

ベース６１０は、例えば、サブマウント６２０を介して、間接的に受発光素子１００を支持することができる。ベース６１０としては、例えば、板状（直方体形状）の部材を用いることができる。ベース６１０の材質としては、例えば、Ｃｕ、Ａｌなどを列挙することができる。受発光素子１００は、図示はしないが、例えば、ワイヤーボンディングにより、サブマウント６２０上の電極と電気的に接続されていてもよい。

サブマウント６２０は、例えば、直接的に受発光素子１００を支持することができる。サブマウント６２０は、ベース６１０上に形成されている。サブマウント６２０上には、受発光素子１００が形成されている。サブマウント６２０としては、例えば、板状の部材を用いることができる。なお、例えば、サブマウント６２０を設けずに、ベース６１０が直接的に受発光素子１００を支持することもできる。サブマウント６２０としては、例えば、ＢｅＯ，ＡｌＮ等を用いることができる。

ベース６１０およびサブマウント６２０の熱伝導率は、例えば、受発光素子１００の熱伝導率よりも高い。これにより、ベース６１０およびサブマウント６２０は、ヒートシンクとして機能することができる。

第１光軸変換素子６３０および第２光軸変換素子６４０は、例えば、ベース６１０上に形成される。第１光軸変換素子６３０は、第１ミラー６３２を有している。第２光軸変換素子６４０は、第２ミラー６４２を有している。ミラー６３２，６４２は、図２２に示すように、活性層１０６の上面に対して、例えば４５度傾斜している。第１ミラー６３２は、図２１に示すように平面的にみて、第１端面１７０から出射される光２０の進行方向と直交するように配置されている。また、第２ミラー６４２は、第２端面１７２から出射される光２２の進行方向と直交するように配置されている。光軸変換素子６３０，６４０の材質としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕなどを列挙することができる。例えば、光軸変換素子６３０，６４０のミラー６３２，６４２の部分のみを、上記列挙した材料としてもよい。

第１ミラー６３２は、第１端面１７０から出射される光２０を反射させることができる。具体的には、図２２に示すように、例えば水平方向（活性層１０６の厚み方向と直交する方向）に進んできた光２０を、例えば垂直方向（活性層１０６の厚み方向）に反射させることができる。同様に、第２ミラー６４２は、第２端面１７２から出射される光２２を反射させることができる。具体的には、図２２に示すように、例えば水平方向（活性層１０６の厚み方向と直交する方向）に進んできた光２２を、例えば垂直方向（活性層１０６の厚み方向）に反射させることができる。これにより、光２０，２２を同一の方向に反射させることができる。

発光装置６００によれば、出射光２０，２２を同一の方向に進行させることができるので、発光の高密度化を図ることができる。

なお、上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。

上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。

１０光、１２光、２０光、２２光、３０光、３２光、１００受発光素子、
１０１基板、１０２第３クラッド層、１０３光吸収層、１０４第１クラッド層、
１０５第１面、１０６活性層、１０７第２面、１０８第２クラッド層、
１１０コンタクト層、１１１柱状部、１１２第１電極、１１４第２電極、
１１５第３電極、１１６絶縁部、１６０利得領域、１７０第１端面、
１７２第２端面、２００受発光素子、３００受発光素子、３８０分離溝、
４００受発光素子、４３０反射部、４６２Ｖ型利得領域、４７４重なり面、
５００受発光素子、５８０分離溝、６００受発光装置、６１０ベース、
６２０サブマウント、６３０第１光軸変換素子、６３２第１ミラー、
６４０第２光軸変換素子、６４２第２ミラー、１０００プロジェクター、
１００２均一化光学系、１００２ａホログラム、１００２ｂフィールドレンズ、
１００４液晶ライトバルブ、１００６クロスダイクロイックプリズム、
１００８投写レンズ、１０１０スクリーン

Claims

受発光素子を有する受発光装置と、
前記受発光装置から出射された光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含み、
前記受発光素子は、
第１クラッド層と第２クラッド層とに挟まれた活性層と、
前記第１クラッド層の前記活性層側の面とは反対の面側に形成された光吸収層と、を備える積層構造体を有し、
前記活性層のうちの少なくとも一部は、前記活性層の電流経路となる利得領域を構成し、
前記積層構造体において、前記活性層の露出する面のうちの第１面と第２面とは、互いに対向する位置関係であり、
前記利得領域は、前記第１面側の端面から、前記第２面側の端面まで、直線状に設けられ、
前記第１面側の端面および前記第２面側の端面の少なくとも一方は、前記利得領域に生じる光を出射する出射面であり、
前記利得領域に生じる光の一部は、前記第１クラッド層内を通過して、前記光吸収層に至り、受光され、
前記利得領域は、複数配列され、
隣り合う前記利得領域の間には、分離溝が形成され、
前記分離溝は、前記第２クラッド層、前記活性層、前記第１クラッド層および前記光吸収層を貫通している、プロジェクター。
受発光素子を有する受発光装置と、
前記受発光装置から出射された光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含み、
前記受発光素子は、
第１クラッド層と第２クラッド層とに挟まれた活性層と、
前記第１クラッド層の前記活性層側の面とは反対の面側に形成された光吸収層と、を備える積層構造体を有し、
前記活性層のうちの少なくとも一部は、前記活性層の電流経路となる利得領域を構成し、
前記積層構造体において、前記活性層の露出する面のうちの第１面と第２面とは、互いに対向する位置関係であり、
前記利得領域は、前記第１面側の端面から、前記第２面側の端面まで、直線状に設けられ、
前記第１面側の端面および前記第２面側の端面の少なくとも一方は、前記利得領域に生じる光を出射する出射面であり、
前記利得領域に生じる光の一部は、前記第１クラッド層内を通過して、前記光吸収層に至り、受光され、
前記利得領域に生じる光の波長帯において、前記第１面の反射率は、前記第２面の反射率よりも高く、
前記利得領域は、複数設けられ、
複数の前記利得領域のうちの第１利得領域は、前記活性層の積層方向から平面視して、前記第１面の垂線に対して時計回り方向に傾いており、
複数の前記利得領域のうちの第２利得領域は、前記活性層の積層方向から平面視して、前記第１面の垂線に対して反時計回り方向に傾いており、
前記第１利得領域および前記第２利得領域は、前記第１利得領域の前記第１面側の端面と、前記第２利得領域の前記第１面側の端面と、が前記第１面で重なるＶ型利得領域を構成している、プロジェクター。
請求項２において、
前記Ｖ型利得領域は、複数配列され、
隣り合う前記Ｖ型利得領域の間には、分離溝が形成され、
前記分離溝は、前記第２クラッド層、前記活性層、前記第１クラッド層および前記光吸収層を貫通している、プロジェクター。
請求項１ないし３のいずれか１項において、
前記光吸収層に至る光は、前記利得領域に生じる光のうち、前記第１面側の端面および前記第２面側の端面における、前記活性層と大気との屈折率差によって、前記利得領域の伝播モードとは異なるモードを有する光である、プロジェクター。
請求項１ないし４のいずれか１項において、
前記第１クラッド層の屈折率は、前記第２クラッド層の屈折率より大きい、プロジェクター。
請求項１ないし５のいずれか１項において、
前記第１クラッド層および前記第２クラッド層は、Ａｌを含む層であり、
前記第１クラッド層のＡｌ組成比は、前記第２クラッド層のＡｌ組成比より小さい、プロジェクター。
請求項１ないし６のいずれか１項において、
前記受発光素子は、前記光吸収層の前記第１クラッド層側とは反対の面側に形成された第３クラッド層を有する、プロジェクター。
請求項１ないし７のいずれか１項において、
前記受発光装置は、
前記利得領域の前記第１面側の端面から出射される光を、反射させる第１ミラーと、
前記利得領域の前記第２面側の端面から出射される光を、反射させる第２ミラーと、
を有し、
前記第１ミラーで反射された光の進む方向と、前記第２ミラーで反射された光の進む方向とは、同じ方向である、プロジェクター。