[go: up one dir, main page]

JP5427569B2 - Charged particle beam scanning method and charged particle beam apparatus - Google Patents

Charged particle beam scanning method and charged particle beam apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP5427569B2
JP5427569B2 JP2009270977A JP2009270977A JP5427569B2 JP 5427569 B2 JP5427569 B2 JP 5427569B2 JP 2009270977 A JP2009270977 A JP 2009270977A JP 2009270977 A JP2009270977 A JP 2009270977A JP 5427569 B2 JP5427569 B2 JP 5427569B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
scanning
frame
charged particle
particle beam
image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009270977A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2011113899A (en
Inventor
篤 小原
秀寿 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Priority to JP2009270977A priority Critical patent/JP5427569B2/en
Publication of JP2011113899A publication Critical patent/JP2011113899A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5427569B2 publication Critical patent/JP5427569B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、荷電粒子線走査方法、及び荷電粒子線装置に係り、特に帯電の影響を抑制可能な走査方法、及び荷電粒子線装置に関する。   The present invention relates to a charged particle beam scanning method and a charged particle beam apparatus, and more particularly to a scanning method and a charged particle beam apparatus capable of suppressing the influence of charging.

試料へ電子線を当てると、2次電子が発生する。走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope:SEM)では、その発生量が試料の形状に依存して変化する現象を利用して、試料表面の観察像を得ている。また、像形成においては、画面内の水平方向、すなわちラスター方向へライン(画面内水平線)毎に走査する。さらに、画像のS/Nを向上するために、1回走査するだけでなく、通常は数回から数十回同一視野での走査画像取得を繰り返して得られる複数枚の画像を足し合わせている。これらの1回の走査で得られる像を1フレームと呼び、これらを足し合わせることをフレーム積算と呼んでいる。ここで、従来の走査型電子顕微鏡では、1回目のフレーム画像と2回目以降のフレーム画像のいずれにおいても、各ラインを走査する順番は全く同じ並びとなっていた。   When an electron beam is applied to the sample, secondary electrons are generated. In a scanning electron microscope (Scanning Electron Microscope: SEM), an observation image of a sample surface is obtained using a phenomenon in which the amount of generation varies depending on the shape of the sample. In image formation, scanning is performed for each line (horizontal line in the screen) in the horizontal direction in the screen, that is, in the raster direction. Furthermore, in order to improve the S / N of the image, not only one scan but also a plurality of images obtained by repeating scanning image acquisition in the same visual field usually several times to several tens times are added together. . An image obtained by these one scans is called one frame, and adding them together is called frame integration. Here, in the conventional scanning electron microscope, the scanning order of each line is exactly the same in both the first frame image and the second and subsequent frame images.

特許文献1に開示によれば、荷電粒子ビームの走査順番を工夫することで、1フレーム分の画像を取り込んでいる最中にライン間で互いに受けている帯電の影響を低減させることが説明されている。また、特許文献2には、フレームごとに異なる方向にビーム走査を行う手法が説明されている。更に、特許文献3には、走査位置をランダムに変化させることが説明されている。   According to the disclosure in Patent Document 1, it is explained that by devising the scanning order of the charged particle beam, the influence of charging that is received between the lines while the image for one frame is being captured is reduced. ing. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-228561 describes a method of performing beam scanning in different directions for each frame. Further, Patent Document 3 describes that the scanning position is randomly changed.

特開2007−059370号公報(対応米国特許USP 7,187,345)JP 2007-059370 A (corresponding US Pat. No. 7,187,345) 特開2009−037804号公報(対応米国特許US 2009/0032723)JP 2009-037804 A (corresponding US Patent US 2009/0032723) 特開平05−151921号公報(対応米国特許USP 5,818,217)JP 05-151921 A (corresponding US Pat. No. 5,818,217)

ラスタースキャン方式では、何回にも渡って繰り返しフレーム間で同じ順番で走査されるので、その順番に特有な試料表面での電子線照射による帯電現象を発生させる。試料によっては、この帯電現象が過度に偏りを持って生じることで、電子線による走査像の像質へ影響を与えることがあることが発明者らの検討で明らかになった。   In the raster scan method, scanning is repeated in the same order between frames over and over, so that a charging phenomenon due to electron beam irradiation on the sample surface peculiar to the order is generated. The inventors have clarified that, depending on the sample, this charging phenomenon occurs with an excessive bias, which may affect the image quality of the scanned image by the electron beam.

すなわち、あるラインがスキャンされているときに、その直前にすでにスキャンされているライン上に残っている帯電がスキャン中の一次電子線および二次電子線へ影響を及ぼすことで、その軌道を変えるという現象が起きている。この現象が起きると、画像中のあるラインがスキャンされるときに、従来技術では直前にスキャンされているラインもまた同じなので、それらから受けている帯電による影響が蓄積することになっていた。   That is, when a line is being scanned, the charge remaining on the line that has already been scanned immediately before that affects the primary and secondary electron beams that are being scanned, thereby changing their trajectory. The phenomenon is happening. When this phenomenon occurs, when a certain line in the image is scanned, in the prior art, the line that was scanned immediately before is also the same, so that the influence of charging received from them is accumulated.

特許文献1に開示の技術によれば、1フレーム内の走査順序を適正化することによって、帯電の蓄積を緩和することができるが、1フレームの画像の取り込み時間を越えて、残留する帯電への影響については何ら論じられていない。また、特許文献2に開示の技術によれば、フレーム毎に、異なる方向にビームを走査することによって、電子ビーム走査によって蓄積する電荷によって生ずる像ドリフトを低減する手法が説明されているが、1フレーム前の電子ビームの最終走査線軌道と、新たに走査するフレームの最初の走査線軌道が同じ位置にあるため、1フレーム前の電子ビーム照射によって生ずる帯電の緩和時間によっては、新たな走査線が影響を受ける可能性がある。   According to the technique disclosed in Patent Document 1, accumulation of charge can be alleviated by optimizing the scanning order within one frame. However, the remaining charge exceeds the image capture time of one frame. There is no discussion about the effects of. Further, according to the technique disclosed in Patent Document 2, there is described a technique for reducing image drift caused by charges accumulated by electron beam scanning by scanning a beam in a different direction for each frame. Since the last scan line trajectory of the electron beam before the frame and the first scan line trajectory of the frame to be newly scanned are at the same position, depending on the relaxation time of charging caused by the electron beam irradiation one frame before, the new scan line May be affected.

更に、特許文献3には、電子ビームをランダムに走査することによって、帯電の部分的な蓄積を抑制する手法が説明されているが、ランダムであるが故に仮に同じ対象試料を走査したとしても、画像取得ごとに得られる画像や測定結果が変化する可能性がある。   Furthermore, Patent Document 3 describes a technique for suppressing partial accumulation of charging by randomly scanning an electron beam. However, even if the same target sample is scanned because it is random, There is a possibility that the image and measurement result obtained each time the image is acquired.

以下、前フレームの走査によって生じる帯電の影響の抑制と、同じ順番にて走査されることによって生じる走査パターン固有の帯電現象の抑制の両立を目的とする荷電粒子線走査方法、及び荷電粒子線装置を説明する。   Hereinafter, a charged particle beam scanning method and a charged particle beam apparatus aiming at coexistence of suppression of the influence of charging caused by scanning of the previous frame and suppression of charging phenomenon inherent to scanning patterns caused by scanning in the same order Will be explained.

上記目的を達成するための一態様として、所定の走査パターンにて荷電粒子ビームを走査する荷電粒子ビーム走査方法、及び装置において、フレーム更新に従って、走査線の垂直方向における走査始点を、所定の方向に、所定量ずつ変化させる方法、及び装置を提案する。   As an aspect for achieving the above object, in a charged particle beam scanning method and apparatus for scanning a charged particle beam with a predetermined scanning pattern, a scanning start point in a vertical direction of a scanning line is set in a predetermined direction according to frame update. In addition, a method and an apparatus for changing by a predetermined amount are proposed.

上記構成によれば、前フレームでのビーム走査によって、帯電が最も蓄積されていると考えられる最終走査線位置を避けつつ、フレーム毎に走査パターンを変化させることができるため、部分的な明るさの偏りがない荷電粒子ビーム画像を形成することが可能となる。   According to the above configuration, the scanning pattern can be changed for each frame while avoiding the final scanning line position where charging is considered to be most accumulated by beam scanning in the previous frame. It is possible to form a charged particle beam image without any bias.

走査型電子顕微鏡の概略図。Schematic of a scanning electron microscope. 走査型電子顕微鏡の画像メモリの一例を示す図。The figure which shows an example of the image memory of a scanning electron microscope. 偏向パターンの一例を説明する図。The figure explaining an example of a deflection pattern. 偏向パターンの一例を説明する図。The figure explaining an example of a deflection pattern. フレームごとに走査順序を変化させたときの走査始点の推移を説明する図。The figure explaining transition of the scanning start point when changing the scanning order for every frame. フレームごとに走査始点を移動させる他の実施例を説明する図。The figure explaining the other Example which moves a scanning start point for every flame | frame. フレームごとに走査始点を移動させる更に他の実施例を説明する図。The figure explaining further another Example which moves a scanning start point for every flame | frame. フレームごとに走査始点を移動させる更に他の実施例を説明する図。The figure explaining further another Example which moves a scanning start point for every flame | frame. フレームごとに走査始点を移動させる走査法と、1フレーム内にて帯電影響を緩和し得る走査法を併用する実施例を説明する図。The figure explaining the Example which uses together the scanning method which moves a scanning start point for every flame | frame, and the scanning method which can relieve the influence of charging within one frame.

以下に、第1の1フレーム画像を取り込んだ後に、第2の1フレーム画像を取り込む際に、第1のフレーム画像を取得したときに用いた走査線の順番とは異なる走査線順序を設定する例を説明する。さらに、第3の1フレーム画像を取り込む際に、第1のフレーム、及び第2のフレームを取得したときに用いた走査線の順番とは異なる走査線順序を設定する。それ以降についても同様に走査することを特徴とする荷電粒子線走査方法及び装置を、図面を用いて説明する。   In the following, when capturing the second one-frame image after capturing the first one-frame image, a scanning line order different from the order of the scanning lines used when acquiring the first frame image is set. An example will be described. Further, when the third one-frame image is captured, a scanning line order different from the scanning line order used when the first frame and the second frame are acquired is set. A charged particle beam scanning method and apparatus characterized by scanning similarly thereafter will be described with reference to the drawings.

以上のような構成によれば、第1,第2,第3のフレーム間で、同じ走査順番を原因とする帯電の偏りがフレーム積算を行う際に蓄積することが無いため、走査順番に拠らずに残留帯電の影響を抑制することができるようになる。   According to the above configuration, the charging bias caused by the same scanning order does not accumulate during the frame integration between the first, second, and third frames. Therefore, the influence of the residual charging can be suppressed.

上述のような走査順序決定法によれば、明るさの偏りが画面内にない画像を形成することが可能となる。   According to the scanning order determination method as described above, it is possible to form an image with no brightness deviation in the screen.

以下に説明する本実施例では、局所的な表面帯電の影響によって試料像中で明るさとコントラストに不自然な分布が生じることを防ぐために、第一のフレーム像と第二のフレーム像、それ以降でのフレーム像各々で、画面内垂直方向でラスタースキャンする順番を互いに異なるようにスキャンする手法を説明する。   In this embodiment described below, in order to prevent an unnatural distribution in brightness and contrast in the sample image due to the influence of local surface charging, the first frame image, the second frame image, and thereafter A method of scanning each frame image in such a manner that the raster scanning order in the vertical direction in the screen is different from each other will be described.

このようにすることによって、以下の2種類の材質からできた試料で良好な像を取ることができる。すなわち、すでにスキャンしたライン上に1フレーム分の像を取り込むのに要する程度の長時間に渡って帯電を残す材質の場合、それ以前のフレームでライン上に残っていた帯電の影響が、異なる走査順番によるフレーム間で累積せずに緩和する。   By doing in this way, a favorable image can be taken with the sample made from the following two types of materials. In other words, in the case of a material that remains charged for a long time required to capture an image for one frame on the already scanned line, the effect of the charge remaining on the line in the previous frame is different. Relax without accumulating between frames in order.

以下、図面を参照してSEMの概要を説明する。図1はSEMの概略構成図である。なお、本実施例では、電子線を走査して試料の二次元像を形成する走査電子顕微鏡の例について説明するが、これに限られることはなく、帯電の影響が無視できないのであれば、イオンビームを走査してSIM(Scanning Ion Microscope)像を形成するFIB(Focused Ion Beam)装置に適用することも可能である。   Hereinafter, an outline of the SEM will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an SEM. In this embodiment, an example of a scanning electron microscope that scans an electron beam to form a two-dimensional image of a sample will be described. However, the present invention is not limited to this. It is also possible to apply to a FIB (Focused Ion Beam) apparatus that scans a beam and forms a SIM (Scanning Ion Microscope) image.

本実施例では、図示するように、電子線源1と、当該電子線源1より放出された1次電子線2を収束する第一収束レンズ3および第二収束レンズ4と、前記1次電子線2を試料7表面上で走査するために偏向をかける偏向器5と、前記1次電子線2を試料7表面上で焦点を結ばせる対物レンズ6と、前記1次電子線2が試料7表面上に衝突した後に発生する2次電子16を検出する2次電子検出器12と、前記第一収束レンズ3および第二収束レンズ4を駆動する第一収束レンズ電源8および第二収束レンズ電源9と、前記1次電子線2を試料7表面上で所定の方法で走査させるよう偏向信号を生成する偏向信号発生器11と、その偏向信号を受けて前記偏向器5を駆動する偏向器駆動器10と、前記2次電子検出器12にて検出した2次電子信号を増幅する増幅器13と、その増幅された2次電子信号から像を生成する画像構成装置18と、前記1次電子線2を所定の位置で焦点を結ばせるよう前記対物レンズ6を駆動する対物レンズ電源14と、以上の制御を行う制御器15により構成される。   In the present embodiment, as shown in the figure, the electron beam source 1, the first convergent lens 3 and the second convergent lens 4 that converge the primary electron beam 2 emitted from the electron beam source 1, and the primary electrons. A deflector 5 that deflects the line 2 to scan on the surface of the sample 7, an objective lens 6 that focuses the primary electron beam 2 on the surface of the sample 7, and the primary electron beam 2 is the sample 7. A secondary electron detector 12 for detecting secondary electrons 16 generated after colliding with the surface, a first convergent lens power supply 8 and a second convergent lens power supply for driving the first convergent lens 3 and the second convergent lens 4 9, a deflection signal generator 11 that generates a deflection signal so that the primary electron beam 2 is scanned on the surface of the sample 7 by a predetermined method, and a deflector drive that drives the deflector 5 in response to the deflection signal. And secondary power detected by the secondary electron detector 12 An amplifier 13 that amplifies the signal, an image construction device 18 that generates an image from the amplified secondary electron signal, and the objective lens 6 are driven so as to focus the primary electron beam 2 at a predetermined position. An objective lens power supply 14 and a controller 15 that performs the above control are included.

ここで1次電子線2は、試料7上でまずフレーム取得1回目でのライン17a上をスキャンすると、次にライン17b上をスキャンする。その次にライン17c上をスキャンする。   Here, when the primary electron beam 2 first scans on the sample 17 on the line 17a in the first frame acquisition, it then scans on the line 17b. Next, the line 17c is scanned.

フレーム取得1回目終了後、同様にフレーム取得2回目でのライン17a上をスキャンすると、次にライン17b上をスキャンする。その次にライン17c上をスキャンする。ただし、このときの各々ラインa,ラインb,ラインcはフレーム取得1回目のときと異なるライン上に位置するように選ばれている。   After the first frame acquisition, when the line 17a in the second frame acquisition is similarly scanned, the line 17b is next scanned. Next, the line 17c is scanned. However, the lines a, b, and c at this time are selected so as to be located on different lines from the first frame acquisition.

フレーム取得2回目終了後、同様にフレーム取得3回目でのライン17a上をスキャンすると、次にライン17b上をスキャンする。その次にライン17c上をスキャンする。ただし、このときの各々ラインa,ラインb,ラインcはフレーム取得1回目とも、フレーム取得2回目のときとも異なるライン上に位置するように選ばれている。   After the second frame acquisition, when the line 17a is scanned in the third frame acquisition, the line 17b is scanned next. Next, the line 17c is scanned. However, each of the lines a, b, and c at this time is selected so as to be located on a different line from the first frame acquisition and the second frame acquisition.

次に図2にて、偏向信号発生器11および画像構成装置18の詳細な動作を説明する。まず偏向信号発生器11において、書込みクロック出力回路21から出力されるクロックに従って、アドレス生成回路22にて試料7上で電子線を照射する位置を示すアドレスを出力する。そのアドレスを元にD/A変換器23から1次電子線2を偏向させたい量に相当するアナログ信号を水平方向および垂直方向各々について発生させる。そのアナログ信号に従って、偏向器駆動器10が偏向器5を駆動させる。   Next, detailed operations of the deflection signal generator 11 and the image construction device 18 will be described with reference to FIG. First, in the deflection signal generator 11, in accordance with the clock output from the write clock output circuit 21, the address generation circuit 22 outputs an address indicating the position where the sample 7 is irradiated with the electron beam. Based on the address, analog signals corresponding to the amount of deflection of the primary electron beam 2 from the D / A converter 23 are generated in each of the horizontal direction and the vertical direction. The deflector driver 10 drives the deflector 5 in accordance with the analog signal.

一方の画像構成装置18は以下のように動作する。すなわち、2次電子検出器12にて検出した2次電子信号は増幅器13にて増幅された後にA/D変換器24にてデジタル信号へ変換される。このデジタル信号は入力スイッチ25にて示されている画像メモリ26内にあるメモリ群へ記憶される。ここで選択されるメモリ群はアドレス生成回路22にて生成されているアドレスによって示されるラインと一対一の関係となっている。ここで、アドレス生成回路22で生成している1次電子線の偏向位置を図3に示している偏向パターンAに従って制御する。従って、画像メモリへ送られて来る1ライン毎の画像データは必ずしも試料上の観察領域の中で垂直方向(ラインと垂直)に上から下へ順番に並んでいない。入力スイッチ25は、これらの画像データを画像メモリ内で垂直方向に上から下へ順番に並ぶように、やはり偏向パターンAに従って並べ替えを行っている。   One image construction device 18 operates as follows. That is, the secondary electron signal detected by the secondary electron detector 12 is amplified by the amplifier 13 and then converted into a digital signal by the A / D converter 24. This digital signal is stored in a memory group in the image memory 26 indicated by the input switch 25. The memory group selected here has a one-to-one relationship with the line indicated by the address generated by the address generation circuit 22. Here, the deflection position of the primary electron beam generated by the address generation circuit 22 is controlled according to the deflection pattern A shown in FIG. Therefore, the image data for each line sent to the image memory is not necessarily arranged in order from top to bottom in the vertical direction (perpendicular to the line) in the observation region on the sample. The input switch 25 also rearranges these image data according to the deflection pattern A so that these image data are arranged in order in the vertical direction from top to bottom in the image memory.

このような手順を繰り返して試料7上の所定の領域に相当する画像を取り終えると、画像メモリ26に蓄積された画像データを以下の手順に従って表示する。すなわち、読出しクロック出力回路27から出力されるクロックに従って、読出しアドレス生成回路28にて表示器33上で描画する位置を示すアドレスを出力する。そのアドレスを元にD/A変換器29から表示器33内で発生させる描画用電子線を偏向させたい量に相当するアナログ信号を水平方向および垂直方向各々について発生させる。そのアナログ信号に従って、偏向増幅器30にて表示器33内にある偏向器を駆動させる。   When such a procedure is repeated and an image corresponding to a predetermined area on the sample 7 is taken, the image data stored in the image memory 26 is displayed according to the following procedure. That is, in accordance with the clock output from the read clock output circuit 27, the read address generation circuit 28 outputs an address indicating a drawing position on the display 33. Based on the address, an analog signal corresponding to the amount of deflection of the drawing electron beam generated in the display 33 from the D / A converter 29 is generated in each of the horizontal direction and the vertical direction. In accordance with the analog signal, the deflector 30 drives the deflector in the display 33.

このとき、画像構成装置18は以下のように動作する。すなわち、画像メモリ26内にすでに画像データが蓄積されている状態で、出力スイッチ31にて示されている画像メモリ26内にあるメモリ群から1ライン分の画像データをデジタル信号として読出す。ここで選択されるメモリ群は読出しアドレス生成回路28にて生成されているアドレスによって示されるラインと一対一の関係となっている。読出されたデジタル信号をD/A変換器32にてアナログ信号へ変換して、表示器33内へ供給する。表示器33内では、そのアナログ信号に従ってカソードから発生している描画用電子線の輝度を変化させるとともに、その描画用電子線を先に説明した表示器33内にある偏向器にて偏向することによって像を表示させる。   At this time, the image construction device 18 operates as follows. That is, with the image data already stored in the image memory 26, the image data for one line is read as a digital signal from the memory group in the image memory 26 indicated by the output switch 31. The memory group selected here has a one-to-one relationship with the line indicated by the address generated by the read address generation circuit 28. The read digital signal is converted into an analog signal by the D / A converter 32 and supplied into the display 33. In the display device 33, the luminance of the drawing electron beam generated from the cathode is changed in accordance with the analog signal, and the drawing electron beam is deflected by the deflector in the display device 33 described above. To display the image.

ここで、読出しアドレス生成回路28で生成している表示器33上で描画する位置を図4に示す偏向パターンBに従って制御する。従って、画像メモリから出力されて来る1ライン毎の画像データは試料上の観察領域の中で垂直方向(ラインと垂直)に上から下へ順番に並んでいる。出力スイッチ31は、これらの画像データを同じく偏向パターンBに従って順番に表示器33へ送る。これらの過程を経て試料の走査型電子顕微鏡像を表示する。   Here, the drawing position on the display 33 generated by the read address generation circuit 28 is controlled according to the deflection pattern B shown in FIG. Therefore, the image data for each line output from the image memory is arranged in order from top to bottom in the vertical direction (perpendicular to the line) in the observation region on the sample. The output switch 31 sends these image data to the display device 33 in order according to the deflection pattern B. Through these processes, a scanning electron microscope image of the sample is displayed.

また、本図とは別に、画像メモリ26に蓄積された画像データは制御器15へ送られて、しかるべき画像処理を経て所定の目的を達成する。   Separately from this figure, the image data stored in the image memory 26 is sent to the controller 15 to achieve a predetermined purpose through appropriate image processing.

ここで図3にて偏向パターンAの説明を行う。本発明の走査型電子顕微鏡では、水平X方向でのこぎり型の波形に従って一定の周期でスキャンを行う。これはラスタースキャンと呼ばれている。それに対して、垂直Y方向では、ラスタースキャンの周期にあわせて走査位置を制御している。偏向パターンAの場合では、周期イ)で走査線位置“a”,周期ロ)で走査線位置“b”,周期ハ)で走査線位置“c”,周期ニ)で走査線位置“d”,周期ホ)で走査線位置“e”に位置するライン上をスキャンする。   Here, the deflection pattern A will be described with reference to FIG. In the scanning electron microscope of the present invention, scanning is performed at a constant cycle according to a sawtooth waveform in the horizontal X direction. This is called a raster scan. On the other hand, in the vertical Y direction, the scanning position is controlled in accordance with the raster scanning cycle. In the case of the deflection pattern A, the scanning line position “a” in the period a), the scanning line position “b” in the period b), the scanning line position “c” in the period c), the scanning line position “d” in the period d). , Cycle e), the line on the scanning line position “e” is scanned.

図4にて偏向パターンBの説明を行う。偏向パターンBに従えば、従来の走査型電子顕微鏡で1次電子線偏向に使われるものと全く同じように、周期イ)→ロ)→ハ)→ニ)→ホ)と進行するに従って、1ラインまたは2ライン分とある決まった距離でステップ状に移動したところに位置するライン上を偏向する。   The deflection pattern B will be described with reference to FIG. According to the deflection pattern B, the cycle a) → b) → c) → d) → e) proceeds in exactly the same manner as that used for the primary electron beam deflection in the conventional scanning electron microscope. Deflection is performed on the line or the line located at the position moved in steps at a certain distance of two lines.

以上の構成によって、電子線試料上走査によって発生するラスタースキャンと垂直方向での帯電現象偏りを抑えることのできる走査型電子顕微鏡を実現できる。また、本例の場合、既に走査されたフレームでの走査順序に対して、異なる順序で走査しているため、最終的に得られるフレーム像の合成である観察像で、走査領域全体の帯電による像の障害を抑制することができるようになると共に、帯電現象の偏りを効果的に防止することが可能となる。   With the above configuration, it is possible to realize a scanning electron microscope capable of suppressing the bias of the charging phenomenon in the vertical direction with the raster scan generated by scanning the electron beam sample. In the case of this example, since the scanning is performed in a different order from the scanning order in the already scanned frames, an observation image that is a combination of the finally obtained frame images is obtained by charging the entire scanning region. It becomes possible to suppress the obstruction of the image and to effectively prevent the bias of the charging phenomenon.

次に、上述した実施例とは他の図面を用いて、荷電粒子線の走査順序の設定方法、及び他の走査順序設定方法について説明する。以下に説明する荷電粒子ビームの走査法は、X方向(走査線方向)、及びY方向(走査線に対し垂直な方向)の二次元方向に荷電粒子ビームを走査し、得られた複数フレームの信号を積算して画像形成するためのものである。具体的には、複数フレームを走査するときに、Y方向の走査始点をフレームの更新に従って、変化させると共に、その変化を所定の方向に、所定量ずつ変化させる。図5は本実施例にて説明する荷電粒子ビーム走査法の概念図である。図5では説明を容易にするために、1つの視野(Field Of View:FOV)で、Y方向への走査に同期させつつ、X方向に5回走査すると共に、当該1フレームの走査を5回繰り返す手法を例示する。5フレーム分の画像信号は、画像積算によって、1枚の画像となる。なお、走査電子顕微鏡等の荷電粒子線装置では、実際には数百本単位の走査線によって画像が形成される。   Next, a charged particle beam scanning order setting method and another scanning order setting method will be described with reference to the drawings different from the above-described embodiment. The charged particle beam scanning method described below is performed by scanning a charged particle beam in a two-dimensional direction in the X direction (scan line direction) and the Y direction (direction perpendicular to the scan line). The signals are integrated to form an image. Specifically, when scanning a plurality of frames, the scanning start point in the Y direction is changed according to the update of the frame, and the change is changed by a predetermined amount in a predetermined direction. FIG. 5 is a conceptual diagram of the charged particle beam scanning method described in this embodiment. In FIG. 5, for ease of explanation, a single field of view (FOV) is scanned five times in the X direction while being synchronized with scanning in the Y direction, and the scanning of the one frame is performed five times. The method of repeating is illustrated. The image signal for five frames becomes one image by image integration. Note that, in a charged particle beam apparatus such as a scanning electron microscope, an image is actually formed by hundreds of scanning lines.

図5の例では、フレームの更新に従って、走査線のY方向の開始点を、下方に向かって、1走査線間間隔分ずつ、変化させている。更に、FOV内の全面走査が可能なように、走査始点の移動に伴って、他の順番で走査される走査線の位置も移動させる。   In the example of FIG. 5, the starting point of the scanning line in the Y direction is changed downward by an interval between scanning lines in accordance with the frame update. Furthermore, the position of the scanning line to be scanned in another order is also moved in accordance with the movement of the scanning start point so that the entire scanning in the FOV is possible.

一般的なラスタースキャンは、走査始点(FOVの最上部にて走査される走査線位置)から走査を開始し、走査終了点(FOVの最下部にて走査される走査線位置)にて、走査を終了する。一方、ラスタースキャンでは、FOVの上方から下方に向かって、ビームを走査するため、ビーム走査によって蓄積する帯電は、FOVの下方に行くに従って累積的に蓄積する。但し、ビーム走査による帯電は永続的に蓄積されているわけではなく、徐々に抜けていくため、1フレーム走査終了時点では、FOV上部に比べて、FOV下部により多くの帯電が蓄積された状態にある。このような状態において、前フレームの走査によって生じた帯電を受けることなく、ビーム走査を行い得る位置は、FOVの最上部である。即ち、ラスタースキャンの繰り返しは、複数フレームの走査を行う場合に、前フレームの帯電の影響を新たなフレームの走査に残さない手法として捉えることができる。   A general raster scan starts scanning from the scanning start point (scanning line position scanned at the top of the FOV) and scans at the scanning end point (scanning line position scanned at the bottom of the FOV). Exit. On the other hand, in the raster scan, the beam is scanned from the upper side to the lower side of the FOV. Therefore, the charge accumulated by the beam scanning is accumulated cumulatively as it goes below the FOV. However, the charging due to the beam scanning is not permanently accumulated, and gradually disappears. Therefore, at the end of one frame scanning, more charges are accumulated in the lower part of the FOV than in the upper part of the FOV. is there. In such a state, the position where beam scanning can be performed without receiving the charge generated by scanning the previous frame is the top of the FOV. In other words, the repetition of the raster scan can be regarded as a method that does not leave the influence of the charging of the previous frame in the scanning of a new frame when scanning a plurality of frames.

一方、昨今、同じ走査パターンにて走査を継続すると、その走査パターンに依存した帯電現象が現れるようになってきた。この現象は、例えば半導体デバイス等に用いられる試料の材質の種類によっても変化するものと考えられる。即ち、複数フレームの画像信号を取得する際に、複数回同じラスタースキャンを繰り返すと、その走査パターン特有の帯電現象が発生する可能性がある。   On the other hand, recently, when scanning is continued with the same scanning pattern, a charging phenomenon depending on the scanning pattern has come to appear. This phenomenon is considered to change depending on the type of material of the sample used for, for example, a semiconductor device. That is, when acquiring the image signal of a plurality of frames, if the same raster scan is repeated a plurality of times, a charging phenomenon peculiar to the scan pattern may occur.

以上のように、複数フレームを取得する際のラスタースキャンは、フレーム間の帯電の蓄積を抑制し得る反面、その走査パターン固有の帯電の偏りを生じさせる。図5に例示される走査法は、ラスタースキャンの帯電蓄積抑制効果を踏襲しつつ、走査パターンに依存した帯電の偏りを抑制するためのものである。具体的には、前フレームのスキャンによって生じる帯電が一番少ない個所であると考えられる走査開始位置に対し、次のフレームの走査開始位置をシフトさせると共に、当該シフト量に所定の制限を設けることによって、フレーム間での帯電の蓄積を抑制しつつ、同じ走査パターンによる連続走査によって生ずる帯電の偏りを解消することが可能となる。   As described above, the raster scan when acquiring a plurality of frames can suppress the accumulation of charge between frames, but causes a charge bias inherent to the scan pattern. The scanning method illustrated in FIG. 5 is for suppressing the bias of charging depending on the scanning pattern while following the effect of suppressing the charge accumulation of the raster scan. Specifically, the scan start position of the next frame is shifted with respect to the scan start position considered to be the place where the charge generated by the scan of the previous frame is the least, and a predetermined limit is provided for the shift amount. Thus, it is possible to eliminate the charge bias caused by the continuous scanning with the same scanning pattern while suppressing the accumulation of the charge between the frames.

図5に例示する手法の場合、第1フレーム(図5(a))では、上から順に(1)〜(5)の5本の軌道上で、ビーム走査を行う。白抜きの矢印は、各フレームの最初の走査位置を示している。第1フレームの走査終了時に、帯電の蓄積が一番少ないと考えられる位置は、FOV内の最上位部であるが、第2フレームにおいて、FOVの最上位部に、第1の走査線による走査を行うと、ラスタースキャンを行うことを前提とすると、第1フレームと第2フレームとの走査パターンは同じとなってしまう。よって、本例では図5(b)に例示されているように、1走査線間間隔分、走査始点をシフトして走査を開始する。そして、各フレームの走査が終わる度に、図5(c),(d),(e)に例示するように、1走査線間間隔分、走査始点をシフトして、全てのフレームの走査を行う。   In the case of the method illustrated in FIG. 5, in the first frame (FIG. 5A), beam scanning is performed on five orbits (1) to (5) in order from the top. A white arrow indicates the first scanning position of each frame. At the end of scanning of the first frame, the position where the accumulation of charge is considered to be the least is the uppermost part in the FOV, but in the second frame, the uppermost part of the FOV is scanned by the first scanning line. If it is assumed that the raster scan is performed, the first frame and the second frame have the same scanning pattern. Therefore, in this example, as illustrated in FIG. 5B, the scanning is started by shifting the scanning start point by the interval between the scanning lines. Then, every time scanning of each frame is finished, as shown in FIGS. 5C, 5D, and 5E, the scanning start point is shifted by one scanning line interval, and scanning of all the frames is performed. Do.

図5に例示する走査法では、フレーム毎に走査パターンを変化させているが、ランダムスキャンのように、不規則に走査順序が変化するわけではなく、一方向に規則性をもって走査位置をシフトさせているため、高い画像再現性を維持しつつ、帯電の偏りを防止することが可能となる。   In the scanning method illustrated in FIG. 5, the scanning pattern is changed for each frame, but the scanning order does not change irregularly as in random scanning, and the scanning position is shifted with regularity in one direction. Therefore, it is possible to prevent a bias in charge while maintaining high image reproducibility.

なお、図5は、フレーム毎に、1走査線間隔ずつ、走査始点をずらす例を説明するものであるが、これに限られることはなく、例えば複数走査線間間隔単位で、走査始点を移動するようにしても良い。   FIG. 5 illustrates an example in which the scanning start point is shifted by one scanning line interval for each frame. However, the present invention is not limited to this. For example, the scanning start point is moved in units of a plurality of scanning line intervals. You may make it do.

また、図5に例示した手法では、走査始点の移動に伴って走査終点をも移動させる例について説明したが、これに限られることはなく、例えば、図6に例示するように、走査始点の変化に因らず、走査終点位置を統一するようにしても良い。図6の場合は、FOVの最下部を各フレーム共通の走査終点位置としている。この場合、フレームが更新されるにつれて、取得される画像が小さくなる(走査線数が減少する)が、測定や検査の対象領域607(ROI:Region Of Interest)が、各フレームにおいて漏れなく取得されていれば、パターンの測定や検査を高精度に行うことができる。   In the method illustrated in FIG. 5, the example in which the scanning end point is also moved in accordance with the movement of the scanning start point has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, as illustrated in FIG. The scanning end point position may be unified regardless of the change. In the case of FIG. 6, the lowermost portion of the FOV is the scanning end point common to each frame. In this case, as the frame is updated, the acquired image becomes smaller (the number of scanning lines decreases), but the measurement or inspection target region 607 (ROI: Region Of Interest) is acquired without omission in each frame. If so, pattern measurement and inspection can be performed with high accuracy.

図6は、第1フレーム601,第2フレーム602,第3フレーム603,第4フレーム604、及び第5フレーム605の画像信号を積算して積算画像606を形成する手法を例示するものである。第1フレーム601〜第5フレーム605は、それぞれ走査線609,610,611,612、及び613を走査始点としている。また、各フレームの走査領域は大きさが異なるが、後述する制御装置にて、有効視野領域である走査線613以下の領域にて、各走査線に基づく信号が積算される。このような手法によれば、走査パターンに依存する帯電の偏りを抑制しつつ、測定や検査の対象となる領域の画像を適正に形成することが可能となる。   FIG. 6 exemplifies a method of integrating the image signals of the first frame 601, the second frame 602, the third frame 603, the fourth frame 604, and the fifth frame 605 to form an integrated image 606. The first frame 601 to the fifth frame 605 have scanning lines 609, 610, 611, 612, and 613 as scanning start points, respectively. Further, although the scanning areas of the respective frames are different in size, signals based on the respective scanning lines are integrated in an area below the scanning line 613 that is an effective visual field area by a control device described later. According to such a method, it is possible to appropriately form an image of a region to be measured or inspected while suppressing the bias of charging depending on the scanning pattern.

更に、図7は、走査始点の移動に併せて、FOVの位置を変化させる例を説明する図である。この例の場合、測定対象を、縦方向(走査線方向とは垂直な方向)に長いラインパターン701としている。また、3本の走査線間の間隔(2走査線間間隔:Δy)で走査始点を移動させている。なお、本例では(a)第1フレーム,(b)第2フレーム、及び(c)第3フレームの3つのフレームにて画像を形成する例を説明するが、これに限られることはなく、フレーム数は任意の設定が可能である。   Further, FIG. 7 is a diagram for explaining an example in which the position of the FOV is changed in accordance with the movement of the scanning start point. In this example, the measurement target is a line pattern 701 that is long in the vertical direction (direction perpendicular to the scanning line direction). In addition, the scanning start point is moved at an interval between three scanning lines (interval between two scanning lines: Δy). In this example, an example in which an image is formed with three frames of (a) the first frame, (b) the second frame, and (c) the third frame is described. However, the present invention is not limited to this. The number of frames can be set arbitrarily.

本例では、走査始点をシフトさせつつも、有効視野内では、同じ走査線軌道をトレースするように、ビーム走査を行っているため、高い鮮鋭度を維持しつつ画像積算を行うことができる。なお、本例の場合、走査始点のシフトに伴って、各走査位置における走査順序が変化するため、各走査位置にて得られる信号(二次電子(Secondary Electron:SE)や後方散乱電子(Backscattered Electron:BSE))をフレームメモリ等の記憶媒体に記憶させる場合に、フレーム単位で記憶部位の並べ替えを行う。   In this example, since the beam scanning is performed so as to trace the same scanning line trajectory within the effective field of view while shifting the scanning start point, it is possible to perform image integration while maintaining high sharpness. In the case of this example, since the scanning order at each scanning position changes with the shift of the scanning start point, signals obtained at each scanning position (Secondary Electron (SE) and backscattered electrons (Backscattered) When storing Electron: BSE)) in a storage medium such as a frame memory, the storage parts are rearranged in units of frames.

また、図8に例示するように、FOVの位置をY方向にシフトさせつつ、同じ走査を繰り返すようにしても良い。この場合も所定の走査線間間隔単位で走査始点を移動させる。図8は、複数のホールパターンが配列された試料に対し、4つのホールパターンを含む領域の画像を取得するための視野を設定する例を説明する図である。図8の例では、Y方向に寸法Rxの情報を取得するために、Y方向に寸法Rxより大きな走査範囲を設定している。この場合、“寸法Rxを走査するに必要な走査線数+(必要フレーム数fn×フレーム間の飛ばし走査線間間隔Sd)−1”分、走査線を走査し、当該1フレームの走査を、必要フレーム数分繰り返す。具体的には、必要なフレーム数が4フレームであり、フレーム間の走査始点移動量が1走査線間間隔である場合、寸法Rxを走査するのに必要な走査線数+3本の走査線で、4フレーム分の走査を行うようにすれば、寸法Rxの画像を形成するのに必要な情報を取得しつつ、フレーム毎に走査パターンを変化することができる。   Further, as illustrated in FIG. 8, the same scanning may be repeated while shifting the position of the FOV in the Y direction. Also in this case, the scanning start point is moved in units of a predetermined interval between scanning lines. FIG. 8 is a diagram illustrating an example in which a field of view for acquiring an image of a region including four hole patterns is set for a sample in which a plurality of hole patterns are arranged. In the example of FIG. 8, in order to acquire information on the dimension Rx in the Y direction, a scanning range larger than the dimension Rx is set in the Y direction. In this case, the scanning line is scanned by “the number of scanning lines necessary for scanning the dimension Rx + (the number of necessary frames fn × the interval Sd between scanning lines Sd) −1”, and the scanning of the one frame is performed. Repeat as many times as necessary. Specifically, when the required number of frames is 4 and the scanning start point movement amount between the frames is an interval between one scanning line, the number of scanning lines required to scan the dimension Rx + 3 scanning lines. By performing scanning for four frames, it is possible to change the scanning pattern for each frame while obtaining information necessary to form an image of the dimension Rx.

上述のような走査法では、第1フレームの最上位の走査線は、そのフレームにおいて4番目に走査された走査線であり、第2フレームの最上位の走査線は、そのフレームにおいて3番目に走査された走査線となる。即ちフレーム毎に走査順序を変えていることになる。このように、走査範囲を設定することによって、フレーム毎に走査パターンを変化させつつ、有効視野の画像の取得が可能となる。   In the scanning method as described above, the uppermost scanning line of the first frame is the fourth scanning line scanned in the frame, and the uppermost scanning line of the second frame is the third scanning line in the frame. A scanned scan line is obtained. That is, the scanning order is changed for each frame. Thus, by setting the scanning range, it is possible to acquire an image with an effective field of view while changing the scanning pattern for each frame.

次に、ラスタースキャン以外の走査法に、フレーム毎に走査線の走査順序を変化させる手法を適用する例を説明する。図9は、上述のフレーム単位でビームの走査順序を変化させる手法と、特許文献1にも開示されている中取り走査を併用した例を説明する図である。特許文献1には、既に走査された走査線間の中心に、次の走査線が走査されるようにビームの走査パターンを設定することによって、既に走査された走査線によって発生する帯電の影響を、抑制する走査法が説明されている。新たにビームが走査される位置は、既に走査された走査線軌道の中心に位置するため、帯電の影響がバランスした位置に新たなビームを走査することになり、既に走査された走査線によってもたらされる帯電の影響を抑制することが可能となる。例えば図9の第1領域では、最初、最上位の走査位置を走査し、その次に第1領域の最下位の走査位置を走査する。その後、第1の領域では、既に走査された走査線軌道間間隔の中心に、新たな走査線が走査されるように走査線を設定すると共に、それを繰り返す。フレームごとに走査順序を変えない場合には、第1領域から第n領域まで順に、走査位置(1)〜(17)への走査を番号順に行う。   Next, an example in which a method of changing the scanning order of scanning lines for each frame is applied to a scanning method other than raster scanning will be described. FIG. 9 is a diagram for explaining an example in which the method of changing the beam scanning order in units of frames described above and the floor plan scanning disclosed in Patent Document 1 are used together. In Patent Document 1, by setting a beam scanning pattern so that the next scanning line is scanned at the center between the already scanned scanning lines, the influence of charging generated by the already scanned scanning lines is disclosed. Suppressing scanning methods are described. Since the position where the beam is newly scanned is located at the center of the already scanned scanning line trajectory, the new beam is scanned at a position where the influence of charging is balanced, which is brought about by the already scanned scanning line. It is possible to suppress the influence of charged electric charges. For example, in the first area of FIG. 9, the highest scanning position is scanned first, and then the lowest scanning position of the first area is scanned. Thereafter, in the first region, a scanning line is set so that a new scanning line is scanned at the center of the already scanned scanning line trajectory interval, and this is repeated. When the scanning order is not changed for each frame, the scanning to the scanning positions (1) to (17) is performed in numerical order from the first area to the nth area.

図9はこのような走査法に、フレームごとに走査順序を変える手法を適用した例を説明する図である。具体的には1つのFOVを複数領域に分割(第1領域,第2領域…)すると共に、フレームごとに異なる走査順序でビームが走査されるように設定する。より具体的には、フレームの更新ごとに、走査始点を1領域分(16走査線間間隔分)シフトするように、走査始点を設定する。このような走査順序によれば、フレームごとに走査始点を変化させることによる帯電の偏りの防止と、1フレーム内での既走査線による帯電影響の緩和の両立を実現することが可能となる。   FIG. 9 is a diagram for explaining an example in which a technique for changing the scanning order for each frame is applied to such a scanning method. Specifically, one FOV is divided into a plurality of regions (first region, second region...), And the beam is set to be scanned in a different scanning order for each frame. More specifically, each time the frame is updated, the scan start point is set so that the scan start point is shifted by one region (by an interval between 16 scan lines). According to such a scanning order, it is possible to realize both prevention of charging bias by changing the scanning start point for each frame and mitigation of charging influence by the existing scanning line within one frame.

1 電子線源
2 1次電子線
3 第一収束レンズ
4 第二収束レンズ
5 偏向器
6 対物レンズ
7 試料
8 第一収束レンズ電源
9 第二収束レンズ電源
10 偏向器駆動器
11 偏向信号発生器
12 2次電子検出器
13 増幅器
14 対物レンズ電源
15 制御器
16 2次電子
17a,17b,17c ライン
18 画像構成装置
21 書込みクロック出力回路
22 アドレス生成回路
23,29,32 D/A変換器
24 A/D変換器
25 入力スイッチ
26 画像メモリ
27 読出しクロック出力回路
28 読出しアドレス生成回路
30 偏向増幅器
31 出力スイッチ
33 表示器
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electron beam source 2 Primary electron beam 3 First convergent lens 4 Second convergent lens 5 Deflector 6 Objective lens 7 Sample 8 First convergent lens power supply 9 Second convergent lens power supply 10 Deflector driver 11 Deflection signal generator 12 Secondary electron detector 13 Amplifier 14 Objective lens power supply 15 Controller 16 Secondary electrons 17a, 17b, 17c Line 18 Image construction device 21 Write clock output circuit 22 Address generation circuits 23, 29, 32 D / A converter 24 A / D converter 25 Input switch 26 Image memory 27 Read clock output circuit 28 Read address generation circuit 30 Deflection amplifier 31 Output switch 33 Display

Claims (5)

試料上の二次元領域に対し、荷電粒子線を走査することによって、複数フレーム分の画像信号を取得し、当該複数フレームの画像信号を積算する荷電粒子線走査方法において、
前記積算されるフレームの更新に応じて、所定走査線間間隔単位で走査始点を移動させることを特徴とする荷電粒子線走査方法。
In a charged particle beam scanning method of acquiring image signals for a plurality of frames by scanning a charged particle beam with respect to a two-dimensional region on a sample and integrating the image signals of the plurality of frames,
In response to said update accumulated the frame, the charged particle beam scanning method, wherein the benzalkonium moving the scanning start point interval basis between predetermined scan lines.
請求項1において、
前記走査始点の移動に伴って、前記フレームの各走査位置走査順序が変化することを特徴とする荷電粒子線走査方法。
In claim 1,
With the movement of the scanning start point, the charged particle beam scanning method, characterized in that the scanning order is changed for each scanning position before notated in frame.
試料上で荷電粒子線走査する偏向器と、当該偏向器を制御する制御装置と、前記試料に対する荷電粒子線の走査によって得られる画像信号をフレーム単位で記憶する記憶媒体を備えた荷電粒子線装置において、
前記制御装置は、前記積算されるフレームの更新に応じて、所定走査線間間隔単位で走査始点を移動させるように、前記偏向器を制御し、前記フレームごとに記憶媒体に記憶された画像信号を、積算して合成画像を形成することを特徴とする荷電粒子線装置。
A charged particle beam comprising: a deflector that scans a charged particle beam on a sample; a control device that controls the deflector; and a storage medium that stores an image signal obtained by scanning the charged particle beam with respect to the sample in units of frames. In the device
The control device controls the deflector so as to move the scanning start point in units of a predetermined interval between scanning lines in accordance with the update of the accumulated frame, and the image signal stored in the storage medium for each frame Are charged to form a composite image.
請求項3において、
前記走査始点の移動に伴って、前記フレームの各走査位置走査順序が変化することを特徴とする荷電粒子線装置。
In claim 3,
With the movement of the scanning start point, before the charged particle beam apparatus characterized by scanning order is changed for each scanning position of notated in frame.
請求項3において、
前記制御装置は、前記走査線方向とは垂直な方向に、走査始点が移動するように、前記偏向器を制御することを特徴とする荷電粒子線装置。
In claim 3,
The charged particle beam apparatus, wherein the control device controls the deflector so that a scanning start point moves in a direction perpendicular to the scanning line direction.
JP2009270977A 2009-11-30 2009-11-30 Charged particle beam scanning method and charged particle beam apparatus Expired - Fee Related JP5427569B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009270977A JP5427569B2 (en) 2009-11-30 2009-11-30 Charged particle beam scanning method and charged particle beam apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009270977A JP5427569B2 (en) 2009-11-30 2009-11-30 Charged particle beam scanning method and charged particle beam apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011113899A JP2011113899A (en) 2011-06-09
JP5427569B2 true JP5427569B2 (en) 2014-02-26

Family

ID=44236073

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009270977A Expired - Fee Related JP5427569B2 (en) 2009-11-30 2009-11-30 Charged particle beam scanning method and charged particle beam apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5427569B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6953324B2 (en) * 2018-02-07 2021-10-27 Tasmit株式会社 Scanning electron microscope autofocus method

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0574402A (en) * 1991-09-18 1993-03-26 Hitachi Ltd Scanning type electron microscope
JPH06124681A (en) * 1992-10-09 1994-05-06 Nec Corp Drawing device by charged particle
JP3318807B2 (en) * 1994-08-31 2002-08-26 ソニー株式会社 Image display control device
JP2006073286A (en) * 2004-09-01 2006-03-16 Hitachi High-Technologies Corp Pattern inspection device
JP4901196B2 (en) * 2005-07-29 2012-03-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ Image forming method and charged particle beam apparatus
JP5147327B2 (en) * 2007-07-31 2013-02-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ Charged particle beam irradiation equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011113899A (en) 2011-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7817105B2 (en) Image forming method and charged particle beam apparatus
US10546715B2 (en) Charged particle beam device
JP4426871B2 (en) Image noise removal of FIB / SEM combined device
US10984981B2 (en) Charged particle beam device having inspection scan direction based on scan with smaller dose
JP6907257B2 (en) Electron beam device
WO2012039206A1 (en) Charged particle beam microscope
US20090206257A1 (en) Pattern inspection method and inspection apparatus
US8086022B2 (en) Electron beam inspection system and an image generation method for an electron beam inspection system
US20060108525A1 (en) Scanning electron microscope and system for inspecting semiconductor device
JP5222994B2 (en) Sample observation method and scanning electron microscope
JP4767270B2 (en) Visual inspection apparatus equipped with scanning electron microscope and image data processing method using scanning electron microscope
JP5055015B2 (en) Charged particle beam equipment
JPH09330679A (en) Scanning microscope
JP5427569B2 (en) Charged particle beam scanning method and charged particle beam apparatus
JP2011003480A (en) Scanning electron microscope type visual inspection device and its image signal processing method
JP5022719B2 (en) Charged particle beam equipment
JP5135115B2 (en) Inspection method and inspection apparatus using charged particle beam
JP2010272398A (en) Charged particle beam application equipment
JPH1050245A (en) Focusing method in charged particle beam device
JP2008186682A (en) Charged particle beam equipment
JP2007285966A (en) Defect inspection apparatus and defect inspection method
JP4317765B2 (en) Inspection method and inspection apparatus using charged particle beam
JP7576592B2 (en) Charged particle beam device and image acquisition method
JP5135116B2 (en) Inspection method and inspection apparatus using charged particle beam
JPH11283545A (en) Electron image monitoring device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120227

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120227

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130705

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130717

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130913

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131105

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131202

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees