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JP5417314B2 - 電力変換装置 - Google Patents

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JP5417314B2
JP5417314B2 JP2010289948A JP2010289948A JP5417314B2 JP 5417314 B2 JP5417314 B2 JP 5417314B2 JP 2010289948 A JP2010289948 A JP 2010289948A JP 2010289948 A JP2010289948 A JP 2010289948A JP 5417314 B2 JP5417314 B2 JP 5417314B2
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Description

本発明は直流電力を交流電力に変換しあるいは交流電力を直流電力に変換するために使用する電力変換装置に関する。
一般に電力変換装置は、直流電源から直流電力を受ける平滑用のコンデンサモジュールとコンデンサモジュールから直流電力を受けて交流電力を発生するインバータ回路と、当該インバータ回路を制御するための制御回路を備えている。前記交流電力は例えばモータに供給され、供給された交流電力に応じてモータは回転トルクを発生する。前記モータは一般的には発電機としての機能を有しており、外部からモータに対して機械エネルギが供給されると、前記モータは供給される機械エネルギに基づいて交流電力を発生する。
上記電力変換装置は交流電力を直流電力に変換する機能も備えている場合が多く、モータが発生する交流電力は直流電力に変換される。直流電力から交流電力への変換、あるいは交流電力から直流電力への変換は上記制御装置によって制御される。例えば、上記モータが同期電動機の場合には、同期電動機の回転子の磁極位置に対する固定子が発生する回転磁界の位相を制御することにより、上記電力変換に係る制御を行うことができる。
電力変換装置の一例は、特開2009−2192170号公報に開示されている。電力変換装置は、例えば自動車に搭載され、同じく自動車に搭載された二次電池から直流電力を受け、走行用の回転トルクを発生する電動機に供給するための交流電力を発生する。
特開2009−2192170号公報
環境対策などの観点から、モータを駆動するために直流電力を交流電力に変換する電力変換装置の重要性が益々増大している。走行用の回転トルクを発生させるほどの大きな交流電力を生成する場合には、交流電力を生成するためのインバータ回路は大きなノイズ源となってしまう。このノイズ源による制御性の悪化若しくはラジオ等の車載補機への影響は極力低減することが望ましい。
本発明の目的を解決するための電流変換装置の構成の1つは次の通りである。
本発明に係る電力変換装置は、直流電流を交流電流に変換するパワー半導体素子を有するパワーモジュールと、パワー半導体素子を制御する制御信号を出力する制御回路基板と、制御信号に基づきパワー半導体素子を駆動する駆動信号を出力するドライバ回路基板と、ドライバ回路基板と制御回路基板との間の空間に配置され、細長い配線開口部が形成された導電性のベース板と、配線開口部を通ってドライバ回路基板と制御回路基板とを接続し、制御信号をドライバ回路基板に伝達する制御配線と、ドライバ回路基板を挟んでベース板とは反対側に配置され、パワーモジュールから出力される交流電流を駆動用モータに伝達する交流バスバーと、を備え、交流バスバーの少なくとも配線開口部と対向する部分は、細長い配線開口部の長手方向と直交する方向に延在することを特徴とする。
本発明によれば、電力変換装置の耐ノイズ性を向上させることができる。
ハイブリッド自動車のシステムを示すシステム図である。 図1に示す電気回路の構成を示す回路図である。 電力変換装置200の外観斜視図である。 電力変換装置200の分解斜視図である。 ケース10及び流路形成体12を説明するための図である。 本実施形態のパワー半導体モジュール300aの斜視図である。 パワー半導体モジュール300aのE−E断面図である。 図6に示す状態からネジ309および第二封止樹脂351を取り除いたパワー半導体モジュール300aを示す斜視図である。 図8に示すパワー半導体モジュール300aのE−E断面図である。 湾曲部304Aが変形される前のE−E断面図である。 図8に示す状態からさらにモジュールケース304を取り除いたパワー半導体モジュール300aを示す斜視図である。 図11のE−E断面図である。 図11に示す状態からさらに第一封止樹脂348および配線絶縁部608を取り除いたパワー半導体モジュール300aの斜視図である。 モジュール一次封止体302の組立工程を説明するための図である。 コンデンサモジュール500の斜視図である 。 ケース10にパワー半導体モジュール300a〜300cとコンデンサモジュール500とバスバーアッセンブリ800を組み付けた外観斜視図である。 図16の符号Aで示す部分の拡大図である。 パワー半導体モジュール300a〜300cとコンデンサモジュール500を組み付けたケース10と、バスバーアッセンブリ800とを示す分解斜視図である。 保持部材803を取り除いたバスバーアッセンブリ800の外観斜視図である。 金属ベース板11を分離した状態の電力変換装置200の斜視図である。 図20の断面Bの矢印方向からみた電力変換装置200の断面図である。 ケース10に交流端子822a〜822c及び直流端子900a、900bを組み付けた状態を示す分解斜視図である。 交流端子822a〜822cの周辺部品の拡大図である。 負極側の直流端子900aと正極側の直流端子900bの周辺部品の拡大図である。 交流端子822a〜822c及び直流端子900aが配置された側からみたケース10の側面図である。 金属ベース板11と、金属ベース板11に収納される制御回路基板20と、金属ベース板11の上部に固定される蓋8を示す斜視図である。 コネクタ21の部分を拡大して示した断面図である。 ケース10内に設けられた交流バスバー802a〜802cと直流バスバー902a,902bの配置を示す図である。 導体板31による磁気シールド効果を説明する図である。 開口部113を迂回する誘導電流33を示す図である。 U相バスバー802a、V相バスバー802b、W相バスバー802cを示す図である。 電流センサ180の検出部の構成を模式的に示す図である。 蓋8の変形例を示す図である。 2本の交流バスバー802a,802bが開口部113と対向する場合の図である。
以下に説明する本発明が適用された実施の形態に記載の電力変換装置およびこの装置を使用したシステムは、製品化のために解決することが望ましい色々な課題を解決している。これら実施の形態が解決している色々な課題の一つに、上述の発明が解決しようとする課題の欄に記載した耐振動性の向上に係る課題があり、また上述の発明の効果の欄に記載した耐振動性の向上の効果に止まらず、上記課題や効果以外に色々な課題を解決し、色々な効果を達成することができる。
さらに、上述の発明が解決しようとする課題の欄に記載した耐振動性の向上の課題、また上述の発明の効果の欄に記載した耐振動性の向上の効果を達成する構成についても、上述の課題を解決するための手段の欄に記載した構成だけで無く、他の構成によっても上記課題が解決でき、上記効果を得ることができる。
すなわち耐振動性の向上の課題や効果に関して上述した構成以外の構成によって、大きくは耐振動性の向上に関する課題解決や効果達成につながるが、より具体的に見れば異なっている観点において課題が解決され、効果が得られている。以下その代表的なものを幾つか列挙する。さらにそれ以外については実施の形態の説明の中で述べる。
直流電流を交流電流に変換するパワー半導体モジュールを収納するケースに直流側コネクタ及び交流側コネクタが機械的に結合されたコネクタを固定する電力変換装置であって、正極側直流端子と負極側直流端子は、前記ケースの一側面の短手方向の一方の辺に沿って並べて配置され、U相側端子とV相側端子とW相側端子は、前記ケースの一側面の長手方向の一方の辺に沿って並べて配置される。この構成により、コネクタの挿入応力の偏りを抑制して、正極側直流端子と負極側直流端子と交流端子の耐振動性が向上することができる。
より耐振動性の向上が望ましいとの課題を解決するための他の構成である構成2を次に記載する。構成2は、交流端子を支持する支持部材と、開口部を形成するケースと、を備え、さらに前記ケースは前記開口部の縁から当該ケースの外側に向かって突出する壁を有し、支持部材は前記ケースの内壁側から前記第1開口部を塞ぎ、モータ側に接続される交流配線が、前記壁によって囲まれた空間を通って、前記支持部材に支持された前記交流端子と接続される。この構成により、支持部材はケースの開口部を塞ぐ程度まで接触しており、また交流配線がケースから突出した壁によって支持されることになるので、交流端子と交流配線の共振周波数をエンジン等から伝達されてくる振動の周波数より高くすることができる。
一方、小型化の課題を解決するための構成3を次に記載する。構成3は、直流電流を平滑化するコンデンサ回路部と、冷却冷媒を流す流路を形成する流路形成体と、前記コンデンサ回路部から出力される直流電流が供給されかつ3相の交流電流をモータに供給するパワー半導体モジュールと、前記コンデンサ回路部と前記流路形成体と前記パワー半導体モジュールを収納するケースと、前記コンデンサ回路部及び前記直流端子に対して電気的に直列または並列に接続される電気回路素子と、を備え、前記流路形成体は第1流路と第2流路を形成し、前記第1流路及び前記第2流路は前記コンデンサ回路部を挟んで互いに平行に配置され、前記パワー半導体モジュールは、第1相の交流電流を出力する第1パワー半導体モジュールと第2相の交流電流を出力する第2パワー半導体モジュールと第3相の交流電流を出力する第3パワー半導体モジュールを含んで構成され、前記第1パワー半導体モジュール及び前記第2パワー半導体モジュールは前記第1流路を流れる冷却冷媒の流れ方向に沿って当該第1流路に並べて固定され、前記第3パワー半導体モジュールは前記コンデンサ回路部を介して前記第1パワー半導体モジュールと向かい合うように前記第2流路に固定され、前記電気回路素子は、前記コンデンサ回路部を介して前記第2パワー半導体モジュールと向かい合う位置に配置される。この構成により、相毎に設けられたパワー半導体モジュールをコンデンサ回路部の一方の側面に2つ、他方の側面に1つ設けるように配置しても、パワー半導体モジュールとコンデンサ回路部とが整然と構成されかつ冷媒流路の冷却性能を十分に引き出すことできる。
以下、図を参照して本発明を実施するための形態について説明する。図1は、ハイブリッド自動車(以下「HEV」と記述する)の制御ブロックを示す図である。エンジンEGNおよびモータジェネレータMG1は車両の走行用トルクを発生する。また、モータジェネレータMG1は回転トルクを発生するだけでなく、モータジェネレータMG1に外部から加えられる機械エネルギーを電力に変換する機能を有する。
モータジェネレータMG1は、例えば同期機あるいは誘導機であり、上述のごとく、運転方法によりモータとしても発電機としても動作する。モータジェネレータMG1を自動車に搭載する場合には、小型で高出力を得ることが望ましく、ネオジウムなどの磁石を使用した永久磁石型の同期電動機が適している。また、永久磁石型の同期電動機は誘導電動機に比べて回転子の発熱が少なく、この観点でも自動車用として優れている。
エンジンEGNの出力側の出力トルクは動力分配機構TSMを介してモータジェネレータMG1に伝達され、動力分配機構TSMからの回転トルクあるいはモータジェネレータMG1が発生する回転トルクは、トランスミッションTMおよびデファレンシャルギアDEFを介して車輪に伝達される。一方、回生制動の運転時には、車輪から回転トルクがモータジェネレータMG1に伝達され、供給されてきた回転トルクに基づいて交流電力を発生する。発生した交流電力は後述するように電力変換装置200により直流電力に変換され、高電圧用のバッテリ136を充電し、充電された電力は再び走行エネルギーとして使用される。
次に電力変換装置200について説明する。インバータ回路140は、バッテリ136と直流コネクタ138を介して電気的に接続されており、バッテリ136とインバータ回路140との相互において電力の授受が行われる。モータジェネレータMG1をモータとして動作させる場合には、インバータ回路140は直流コネクタ138を介してバッテリ136から供給された直流電力に基づき交流電力を発生し、交流コネクタ188を介してモータジェネレータMG1に供給する。モータジェネレータMG1とインバータ回路140からなる構成は第1電動発電ユニットとして動作する。
なお、本実施形態では、バッテリ136の電力によって第1電動発電ユニットを電動ユニットとして作動させることにより、モータジェネレータMG1の動力のみによって車両の駆動ができる。さらに、本実施形態では、第1電動発電ユニットを発電ユニットとしてエンジンEGNの動力或いは車輪からの動力によって作動させて発電させることにより、バッテリ136の充電ができる。
なお、電力変換装置200は、インバータ回路140に供給される直流電力を平滑化するためのコンデンサモジュール500を備えている。
電力変換装置200は、上位の制御装置から指令を受けたりあるいは上位の制御装置に状態を表すデータを送信したりするための通信用のコネクタ21を備えている。電力変換装置200は、コネクタ21から入力される指令に基づいて制御回路172でモータジェネレータMG1の制御量を演算し、さらにモータとして運転するか発電機として運転するかを演算し、演算結果に基づいて制御パルスを発生し、その制御パルスをドライバ回路174へ供給する。ドライバ回路174は、供給された制御パルスに基づいて、インバータ回路140を制御するための駆動パルスを発生する。
次に、図2を用いてインバータ回路140の電気回路の構成を説明する。なお、以下で半導体素子として絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを使用しており、以下略してIGBTと記す。上アームとして動作するIGBT328及びダイオード156と、下アームとして動作するIGBT330及びダイオード166とで、上下アームの直列回路150が構成される。インバータ回路140は、この直列回路150を、出力しようとする交流電力のU相、V相、W相の3相に対応して備えている。
これらの3相は、この実施の形態ではモータジェネレータMG1の電機子巻線の3相の各相巻線に対応している。3相のそれぞれの上下アームの直列回路150は、直列回路の中点部分である中間電極169から交流電流を出力する。この中間電極169は、交流端子159及び交流端子188を通して、モータジェネレータMG1への交流電力線である以下に説明の交流バスバー802や804と接続される。
上アームのIGBT328のコレクタ電極153は、正極端子157を介してコンデンサモジュール500の正極側のコンデンサ端子506に電気的に接続されている。また、下アームのIGBT330のエミッタ電極は、負極端子158を介してコンデンサモジュール500の負極側のコンデンサ端子504に電気的に接続されている。
上述のように、制御回路172は上位の制御装置からコネクタ21を介して制御指令を受け、これに基づいてインバータ回路140を構成する各相の直列回路150の上アームあるいは下アームを構成するIGBT328やIGBT330を制御するための制御信号である制御パルスを発生し、ドライバ回路174に供給する。
ドライバ回路174は、上記制御パルスに基づき、各相の直列回路150の上アームあるいは下アームを構成するIGBT328やIGBT330を制御するための駆動パルスを各相のIGBT328やIGBT330に供給する。IGBT328やIGBT330は、ドライバ回路174からの駆動パルスに基づき、導通あるいは遮断動作を行い、バッテリ136から供給された直流電力を三相交流電力に変換し、この変換された電力はモータジェネレータMG1に供給される。
IGBT328は、コレクタ電極153と、信号用エミッタ電極155と、ゲート電極154を備えている。また、IGBT330は、コレクタ電極163と、信号用のエミッタ電極165と、ゲート電極164を備えている。ダイオード156が、コレクタ電極153とエミッタ電極155との間に電気的に接続されている。また、ダイオード166が、コレクタ電極163とエミッタ電極165との間に電気的に接続されている。
スイッチング用パワー半導体素子としては金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ(以下略してMOSFETと記す)を用いてもよい、この場合はダイオード156やダイオード166は不要となる。スイッチング用パワー半導体素子としては、IGBTは直流電圧が比較的高い場合に適していて、MOSFETは直流電圧が比較的低い場合に適している。
コンデンサモジュール500は、正極側のコンデンサ端子506と負極側のコンデンサ端子504と正極側の電源端子509と負極側の電源端子508とを備えている。バッテリ136からの高電圧の直流電力は、直流コネクタ138を介して、正極側の電源端子509や負極側の電源端子508に供給され、コンデンサモジュール500の正極側のコンデンサ端子506および負極側のコンデンサ端子504から、インバータ回路140へ供給される。
一方、交流電力からインバータ回路140によって変換された直流電力は、正極側のコンデンサ端子506や負極側のコンデンサ端子504からコンデンサモジュール500に供給され、正極側の電源端子509や負極側の電源端子508から直流コネクタ138を介してバッテリ136に供給され、バッテリ136に蓄積される。
制御回路172は、IGBT328及びIGBT330のスイッチングタイミングを演算処理するためのマイクロコンピュータ(以下、「マイコン」と記述する)を備えている。マイコンへの入力情報としては、モータジェネレータMG1に対して要求される目標トルク値、直列回路150からモータジェネレータMG1に供給される電流値、及びモータジェネレータMG1の回転子の磁極位置がある。
目標トルク値は、不図示の上位の制御装置から出力された指令信号に基づくものである。電流値は、電流センサ180による検出信号に基づいて検出されたものである。磁極位置は、モータジェネレータMG1に設けられたレゾルバなどの回転磁極センサ(不図示)から出力された検出信号に基づいて検出されたものである。本実施形態では、電流センサ180は3相の電流値を検出する場合を例に挙げているが、2相分の電流値を検出するようにし、演算により3相分の電流を求めても良い。
制御回路172内のマイコンは、目標トルク値に基づいてモータジェネレータMG1のd軸,q軸の電流指令値を演算し、この演算されたd軸,q軸の電流指令値と、検出されたd軸,q軸の電流値との差分に基づいてd軸,q軸の電圧指令値を演算し、この演算されたd軸,q軸の電圧指令値を、検出された磁極位置に基づいてU相、V相、W相の電圧指令値に変換する。そして、マイコンは、U相、V相、W相の電圧指令値に基づく基本波(正弦波)と搬送波(三角波)との比較に基づいてパルス状の変調波を生成し、この生成された変調波をPWM(パルス幅変調)信号としてドライバ回路174に出力する。
ドライバ回路174は、下アームを駆動する場合、PWM信号を増幅したドライブ信号を、対応する下アームのIGBT330のゲート電極に出力する。また、ドライバ回路174は、上アームを駆動する場合、PWM信号の基準電位のレベルを上アームの基準電位のレベルにシフトしてからPWM信号を増幅し、これをドライブ信号として、対応する上アームのIGBT328のゲート電極にそれぞれ出力する。
また、制御回路172内のマイコンは、異常検知(過電流、過電圧、過温度など)を行い、直列回路150を保護している。このため、制御回路172にはセンシング情報が入力されている。例えば、各アームの信号用のエミッタ電極155及び信号用のエミッタ電極165からは各IGBT328とIGBT330のエミッタ電極に流れる電流の情報が、対応する駆動部(IC)に入力されている。これにより、各駆動部(IC)は過電流検知を行い、過電流が検知された場合には対応するIGBT328,IGBT330のスイッチング動作を停止させ、対応するIGBT328,IGBT330を過電流から保護する。
直列回路150に設けられた温度センサ(不図示)からは直列回路150の温度の情報がマイコンに入力されている。また、マイコンには直列回路150の直流正極側の電圧の情報が入力されている。マイコンは、それらの情報に基づいて過温度検知及び過電圧検知を行い、過温度或いは過電圧が検知された場合には全てのIGBT328,IGBT330のスイッチング動作を停止させる。
図3は、電力変換装置200の外観斜視図である。図4は、電力変換装置200のケース10の内部構成を説明するための図であり、電力変換装置200の分解斜視図である。電力変換装置200は、パワー半導体モジュール300a〜300cやコンデンサモジュール500が収納されるケース10、コンデンサモジュール500の上方に配置されるバスバーアッセンブリ800、バスバーアッセンブリ800の上方に配置されるドライバ回路基板22、ケース10の上方に固定される金属ベース板11、金属ベース板11に収納される制御回路基板20、金属ベース板11の上部に固定される蓋8を備えている。
ケース10には冷却媒体を流すための流路形成体12が形成されており、ケース10の下面には、流路形成体12の下側の開口を塞ぐ下カバー420が取り付けられている。このように、電力変換装置200の底部に流路形成体12を配置し、次にコンデンサモジュール500,バスバーアッセンブリ800,基板等の必要な部 品を固定する作業を上から順次行えるように構成されており、生産性と信頼性が向上する。
図5はケース10及び流路形成体12を説明するための図であり、図4に示すケース10を下から見た図である。流路形成体12は、ケース10の三方の内周面に沿ったU字形状の冷媒流路19を形成している。冷媒流路19は、ケース10の長手方向の辺に沿って形成された第1流路部19a、ケース10の短手方向 の辺に沿って形成された第2流路部19b、流路形成体12の長手方向の辺に沿 って形成された第3流路部19cから成る。第2流路部19bは、U字形状を成す冷媒流路19の折り返し流路を形成している。
ケース10の側面であって、第2流路部19bが形成されている側と反対側の側面には、冷媒を流入するための入口配管13と、冷媒を流出するための出口配管14とが設けられている。冷媒は、矢印で示す流れ方向417の方向に、入口配管13を通って第1流路部19a内を流れ方向418のように流れる。さらに、冷媒は、流れ方向421のように第2流路部19bを流れた後、流れ方向422のように第3流路部19cを流れ、さらに、流れ方向423のように、出口配管14を通って流出する。第1流路部19a,第2流路部19b,第3流路部19cは、いずれも幅方向より深さ方向が大きく形成されている。
流路形成体12の下面側の開口404は、ケース10の下面に取り付けられた下カバー420によって塞がれる。下カバー420とケース10の間には、シール部材409が設けられ気密性が保たれている。下カバー420には、冷媒流路19が配置された側と反対側の方向に向かって突出する凸部406が形成されている。凸部406は、後述する冷媒流路19内に配置されるパワー半導体モジュール300a〜300cに対応して設けられている。なお、凸部407は、パワー半導体モジュールとは対応していないが、冷媒流路19の断面積を調整するために設けられる。
また、図4に示すように、流路形成体12のケース内周側にも開口部4 00a〜400cが形成されており、ケース裏面側に形成された開口部404とケース内周側の開口部400a〜400cとが対向するように形成されているので、アルミ鋳造により製造し易い構成になっている。冷媒流路19の主構造を流路形成体12と一体にアルミ材の鋳造で作ることにより、冷媒流路19は冷却効果に加え機械的強度を強くする効果がある。またアルミ鋳造で作ることで流路形成体12と冷媒流路19とが一体構造となり、熱伝導が良くなり冷却効率が向上する。さらに流路形成体12とケース10を一体にアルミ材の鋳造で作ることにより、冷媒流路19は冷却効果に加え更に機械的強度を強くする効果がある。また、流路形成体12とケース10を一体に鋳造で作ることで、電力変換装置200全体の熱伝導が良くなり冷却効率が向上する。
図4に戻って、ケース10の長手方向に沿った流路形成体12の一方の側(図5の冷媒流路19aが形成されている側)の上面には、開口部400a及び開口部400bがケース10の側面に沿って形成され、図示していないが、他方の側(図5の冷媒流路19bが形成されている側)の上面には開口部400cが形成されている。各開口部400a〜400cは、挿入されたパワー半導体モジュール300a〜300cによって塞がれる。これら両サイドの流路形成体12の間には、コンデンサモジュール500が収納される収納空間405が形成されている。このような収納空間405にコンデンサモジュール500を収納することにより、冷媒流路19内に流れる冷媒によってコンデンサモジュール500は冷やされる。コンデンサモジュール500は、図5に示した冷媒流路19a〜19cに囲まれるように配置されるため、効率良く冷却される。
このように、コンデンサモジュール500の外側面に沿って冷媒流路19が形成されているので、冷媒流路19、コンデンサモジュール500およびパワー半導体モジュール300の配置が整然と整い、全体がより小型となる。また、冷媒流路19a、19cがコンデンサモジュール500の長辺に沿って配置されており、冷媒流路19に挿入固定される各パワー半導体モジュール300とコンデンサモジュール500との距離が略一定となる。そのため、平滑コンデンサとパワー半導体モジュール回路との回路定数が3相の各層においてバランスし易くなり、スパイク電圧を低減し易い回路構成となる。本実施の形態では、冷却媒体としては水が最も適している。しかし、水以外であっても利用できるので、以下冷媒と記す。
コンデンサモジュール500の上方には、後述するバスバーアッセンブリ800が配置される。バスバーアッセンブリ800は、交流バスバーや保持部材を備えており、電流センサ180を保持している。詳細は後述する。ドライバ回路基板22は、バスバーアッセンブリ800の 上方に配置される。またドライバ回路基板22と制御回路基板20の間には金属ベース板11が配置される。
金属ベース板11は、ケース10に固定される。当該金属ベース板11は、ドライバ回路基板22及び制御回路基板20に搭載される回路群の電磁シールドの機能を奏すると共にドライバ回路基板22と制御回路基板20とが発生する熱を逃がし、冷却する作用を有している。当該金属ベース板11が、高いノイズ抑制機能を有する点は後述する。
さらに、金属ベース板11は、制御回路基板20の機械的な共振周波数を高める作用を奏する。すなわち、金属ベース板11に制御回路基板20を固定するためのねじ止め部を短い間隔で配置することが可能となり、機械的な振動が発生した場合の支持点間の距離を短くでき、共振周波数を高くできる。エンジン等から伝わる振動周波数に対して制御回路基板20の共振周波数を高くできるので、振動の影響を受け難く、信頼性が向上する。
なお、蓋18は、DCDCコンバータから延ばされる端子を接続するための作業用の窓17を塞ぐための部材である。金属ベース板11に固定される蓋8は、制御回路基板20を外部からの電磁ノイズから保護する機能を有している。
本実施形態に係るケース10は、流路形成体12が収納された部分は略直方体の形状を為しているが、ケース10の一側面側から突出収納部10aが形成されている。当該突出収納部10aには、DCDCコンバータから延ばされる端子や、後述する直流バスバー902a,902bや、抵抗器450が収納される。ここで抵抗器450は、コンデンサモジュール500のコンデンサ素子に蓄えられた電荷を放電するための抵抗素子である。このようにバッテリ136とコンデンサモジュール500との間の電気回路部品を突出収納部10aに集約しているため、配線の複雑化を抑制することができ、装置全体の小型化に寄与することができる。
図6乃至図14を用いて、インバータ回路140に使用されるパワー半導体モジュール300a〜300cの詳細構成を説明する。なお、上記パワー半導体モジュール300a〜300cはいずれも同じ構造であり、代表してパワー半導体モジュール300aの構造を説明する。また、図6乃至図14において信号端子325Uは、図2に開示したゲート電極154および信号用エミッタ電極155に対応し、信号端子325Lは、図2に開示したゲート電極164およびエミッタ電極165に対応する。直流正極端子315Bは、図2に開示した正極端子157と同一のものであり、直流負極端子319Bは、図2に開示した負極端子158と同一のものである。また、交流端子320Bは、図2に開示した交流端子159と同じものである。
図6は、本実施形態のパワー半導体モジュール300aの斜視図である。図7は、本実施形態のパワー半導体モジュール300aを、図6に示すDの部分で切断して方向Eから見たときのE−E断面図である。図8は、図6に示す状態からネジ309および第二封止樹脂351を取り除いたパワー半導体モジュール300aを示す斜視図である。図9は、図8のE−E断面図である。図10は図9と同様の断面図であり、フィン305が加圧されて湾曲部304Aが変形される前の断面図を示している。
図11は、図8に示す状態からさらにモジュールケース304を取り除いたパワー半導体モジュール300aを示す斜視図である。図12は、図11のE−E断面図である。図13は、図11に示す状態からさらに第一封止樹脂348および配線絶縁部608を取り除いたパワー半導体モジュール300aの斜視図である。図14は、モジュール一次封止体302の組立工程を説明するための図である。
上下アームの直列回路150を構成するパワー半導体素子(IGBT328、IGBT330、ダイオード156、ダイオード166)が、図11〜13に示す如く、導体板315や導体板318によって、あるいは導体板320や導体板319によって、両面から挟んで固着される。導体板315等は、その放熱面が露出した状態で第一封止樹脂348によって封止され、当該放熱面に絶縁シート333が熱圧着される。第一封止樹脂348は図11に示すように、多面体形状(ここでは略直方体形状)を有している。
第一封止樹脂348により封止されたモジュール一次封止体302は、モジュールケース304の中に挿入して絶縁シート333を挟んで、CAN型冷却器であるモジュールケース304の内面に熱圧着される。ここで、CAN型冷却器とは、一面に挿入口306と他面に底を有する筒形状をした冷却器である。モジュールケース304の内部に残存する空隙には、第二封止樹脂351が充填される。
モジュールケース304は、電気伝導性を有する部材、例えばアルミ合金材料(Al,AlSi,AlSiC,Al−C等)で構成され、かつ、つなぎ目の無い状態で一体に成形される。モジュールケース304は、挿入口306以外に開口を設けない構造であり、挿入口306は、フランジ304Bよって、その外周を囲まれている。また、図6に示されるように、他の面より広い面を有する第1放熱面307A及び第2放熱面307Bがそれぞれ対向した状態で配置され、これらの放熱面に対向するようにして、各パワー半導体素子(IGBT328、IGBT330、ダイオード156、ダイオード166)が配置されている。当該対向する第1放熱面307Aと第2放熱面307Bと繋ぐ3つの面は、当該第1放熱面307A及び第2放熱面307Bより狭い幅で密閉された面を構成し、残りの一辺の面に挿入口306が形成される。モジュールケース304の形状は、正確な直方体である必要が無く、角が図6に示す如く曲面を成していても良い。
このような形状の金属製のケースを用いることで、モジュールケース304を水や油などの冷媒が流れる冷媒流路19内に挿入しても、冷媒に対するシールをフランジ304Bにて確保できるため、冷却媒体がモジュールケース304の内部に侵入するのを簡易な構成で防ぐことができる。また、対向した第1放熱面307Aと第2放熱面307Bに、フィン305がそれぞれ均一に形成される。さらに、第1放熱面307A及び第2放熱面307Bの外周には、厚みが極端に薄くなっている湾曲部304Aが形成されている。湾曲部304Aは、フィン305を加圧することで簡単に変形する程度まで厚みを極端に薄くしてあるため、モジュール一次封止体302が挿入された後の生産性が向上する。
上述のように導体板315等を絶縁シート333を介してモジュールケース304の内壁に熱圧着することにより、導体板315等とモジュールケース304の内壁の間の空隙を少なくすることができ、パワー半導体素子の発生熱を効率良くフィン305へ伝達できる。さらに絶縁シート333にある程度の厚みと柔軟性を持たせることにより、熱応力の発生を絶縁シート333で吸収することができ、温度変化の激しい車両用の電力変換装置に使用するのに良好となる。
モジュールケース304の外には、コンデンサモジュール500と電気的に接続するための金属製の直流正極配線315Aおよび直流負極配線319Aが設けられており、その先端部に直流正極端子315B(157)と直流負極端子319B(158)がそれぞれ形成されている。また、モータジェネレータMG1あるいはMG2に交流電力を供給するための金属製の交流配線320Aが設けられており、その先端に交流端子320B(159)が形成されている。本実施形態では、図13に示す如く、直流正極配線315Aは導体板315と接続され、直流負極配線319Aは導体板319と接続され、交流配線320Aは導体板320と接続される。
モジュールケース304の外にはさらに、ドライバ回路174と電気的に接続するための金属製の信号配線324Uおよび324Lが設けられており、その先端部に信号端子325U(154,155)と信号端子325L(164,165)がそれぞれ形成されている。本実施形態では、図13に示す如く、信号配線324UはIGBT328と接続され、信号配線324LはIGBT328と接続される。
直流正極配線315A、直流負極配線319A、交流配線320A、信号配線324Uおよび信号配線324Lは、樹脂材料で成形された配線絶縁部608によって相互に絶縁された状態で、補助モールド体600として一体に成型される。配線絶縁部608は、各配線を支持するための支持部材としても作用し、これに用いる樹脂材料は、絶縁性を有する熱硬化性樹脂かあるいは熱可塑性樹脂が適している。これにより、直流正極配線315A、直流負極配線319A、交流配線320A、信号配線324Uおよび信号配線324Lの間の絶縁性を確保でき、高密度配線が可能となる。
補助モールド体600は、モジュール一次封止体302と接続部370において金属接合された後に、配線絶縁部608に設けられたネジ穴を貫通するネジ309によってモジュールケース304に固定される。接続部370におけるモジュール一次封止体302と補助モールド体600との金属接合には、たとえばTIG溶接などを用いることができる。
直流正極配線315Aと直流負極配線319Aは、配線絶縁部608を間に挟んで対向した状態で互いに積層され、略平行に延びる形状を成している。こうした配置および形状とすることで、パワー半導体素子のスイッチング動作時に瞬間的に流れる電流が、対向してかつ逆方向に流れる。これにより、電流が作る磁界が互いに相殺する作用をなし、この作用により低インダクタンス化が可能となる。なお、交流配線320Aや信号端子325U,325Lも、直流正極配線315A及び直流負極配線319Aと同様の方向に向かって延びている。
モジュール一次封止体302と補助モールド体600が金属接合により接続されている接続部370は、第二封止樹脂351によりモジュールケース304内で封止される。これにより、接続部370とモジュールケース304との間で必要な絶縁距離を安定的に確保することができるため、封止しない場合と比較してパワー半導体モジュール300aの小型化が実現できる。
図13に示されるように、接続部370の補助モジュール600側には、補助モジュール側直流正極接続端子315C、補助モジュール側直流負極接続端子319C、補助モジュール側交流接続端子320C、補助モジュール側信号接続端子326Uおよび補助モジュール側信号接続端子326Lが一列に並べて配置される。一方、接続部370のモジュール一次封止体302側には、多面体形状を有する第一封止樹脂348の一つの面に沿って、素子側直流正極接続端子315D、素子側直流負極接続端子319D、素子側交流接続端子320D、素子側信号接続端子327Uおよび素子側信号接続端子327Lが一列に並べて配置される。こうして接続部370において各端子が一列に並ぶような構造とすることで、トランスファーモールドによるモジュール一次封止体302の製造が容易となる。
ここで、モジュール一次封止体302の第一封止樹脂348から外側に延出している部分をその種類ごとに一つの端子として見た時の各端子の位置関係について述べる。以下の説明では、直流正極配線315A(直流正極端子315Bと補助モジュール側直流正極接続端子315Cを含む)および素子側直流正極接続端子315Dにより構成される端子を正極側端子と称し、直流負極配線319A(直流負極端子319Bと補助モジュール側直流負極接続端子319Cを含む)および素子側直流負極接続端子315Dにより構成される端子を負極側端子と称し、交流配線320A(交流端子320Bと補助モジュール側交流接続端子320Cを含む)および素子側交流接続端子320Dにより構成される端子を出力端子と称し、信号配線324U(信号端子325Uと補助モジュール側信号接続端子326Uを含む)および素子側信号接続端子327Uにより構成される端子を上アーム用信号端子と称し、信号配線324L(信号端子325Lと補助モジュール側信号接続端子326Lを含む)および素子側信号接続端子327Lにより構成される端子を下アーム用信号端子と称する。
上記の各端子は、いずれも第一封止樹脂348および第二封止樹脂351から接続部370を通して突出しており、その第一封止樹脂348からの各突出部分(素子側直流正極接続端子315D、素子側直流負極接続端子319D、素子側交流接続端子320D、素子側信号接続端子327Uおよび素子側信号接続端子327L)は、上記のように多面体形状を有する第一封止樹脂348の一つの面に沿って一列に並べられている。また、正極側端子と負極側端子は、第二封止樹脂351から積層状態で突出しており、モジュールケース304の外に延出している。このような構成としたことで、第一封止樹脂348でパワー半導体素子を封止してモジュール一次封止体302を製造する時の型締めの際に、パワー半導体素子と当該端子との接続部分への過大な応力や金型の隙間が生じるのを防ぐことができる。また、積層された正極側端子と負極側端子の各々を流れる反対方向の電流により、互いに打ち消しあう方向の磁束が発生されるため、低インダクタンス化を図ることができる。
補助モジュール600側において、補助モジュール側直流正極接続端子315C、補助モジュール側直流負極接続端子319Cは、直流正極端子315B、直流負極端子319Bとは反対側の直流正極配線315A、直流負極配線319Aの先端部にそれぞれ形成されている。また、補助モジュール側交流接続端子320Cは、交流配線320Aにおいて交流端子320Bとは反対側の先端部に形成されている。補助モジュール側信号接続端子326U、326Lは、信号配線324U、324Lにおいて信号端子325U、325Lとは反対側の先端部にそれぞれ形成されている。
一方、モジュール一次封止体302側において、素子側直流正極接続端子315D、素子側直流負極接続端子319D、素子側交流接続端子320Dは、導体板315、319、320にそれぞれ形成されている。また、素子側信号接続端子327U、327Lは、ボンディングワイヤ371によりIGBT328、330とそれぞれ接続されている。
図14に示すように、直流正極側の導体板315および交流出力側の導体板320と、素子側信号接続端子327Uおよび327Lとは、共通のタイバー372に繋がれた状態で、これらが略同一平面状の配置となるように一体的に加工される。導体板315には、上アーム側のIGBT328のコレクタ電極と上アーム側のダイオード156のカソード電極が固着される。導体板320には、下アーム側のIGBT330のコレクタ電極と下アーム側のダイオード166のカソード電極が固着される。IGBT328,330およびダイオード155,166の上には、導体板318と導体板319が略同一平面状に配置される。導体板318には、上アーム側のIGBT328のエミッタ電極と上アーム側のダイオード156のアノード電極が固着される。導体板319には、下アーム側のIGBT330のエミッタ電極と下アーム側のダイオード166のアノード電極が固着される。各パワー半導体素子は、各導体板に設けられた素子固着部322に、金属接合材160を介してそれぞれ固着される。金属接合材160は、例えばはんだ材や銀シート及び微細金属粒子を含んだ低温焼結接合材、等である。
各パワー半導体素子は板状の扁平構造であり、当該パワー半導体素子の各電極は表裏面に形成されている。図14に示されるように、パワー半導体素子の各電極は、導体板315と導体板318、または導体板320と導体板319によって挟まれる。つまり、導体板315と導体板318は、IGBT328及びダイオード156を介して略平行に対向した積層配置となる。同様に、導体板320と導体板319は、IGBT330及びダイオード166を介して略平行に対向した積層配置となる。また、導体板320と導体板318は中間電極329を介して接続されている。この接続により上アーム回路と下アーム回路が電気的に接続され、上下アーム直列回路が形成される。上述したように、導体板315と導体板318の間にIGBT328及びダイオード156を挟み込むと共に、導体板320と導体板319の間にIGBT330及びダイオード166を挟み込み、導体板320と導体板318を中間電極329を介して接続する。その後、IGBT328の制御電極328Aと素子側信号接続端子327Uとをボンディングワイヤ371により接続すると共に、IGBT330の制御電極330Aと素子側信号接続端子327Lとをボンディングワイヤ371により接続する。
図15は、コンデンサモジュール500の斜視図である 。図15には示されていないが、コンデンサケース502の内部には、フィルムコンデンサが複数設けられ、当該フィルムコンデンサは負極導体板及び正極導体板に電気的に接続される。負極導体板と正極導体板との間には低インダクタンス化のために絶縁性部材が配置され、負極導体板と正極導体板は積層状態で構成される。つまり負極導体板と正極導体板は積層導体板を構成する。
樹脂封止材550は、コンデンサケース502にフィルムコンデンサ及び積層導体板を固定するために当該コンデンサケース502内に充填される。負極側の電源端子508及び正極側の電源端子509は、積層導体板にそれぞれ電気的に接続され、樹脂封止材550の露出面から突出し、さらにコンデンサケース502の側面の方に折り曲げられる。正極側の電源端子509及び負極側の電源端子508には、図2で説明した如く、直流コネクタ138を介して直流電力が供給される。
コンデンサ端子503a〜503cは、積層導体板にそれぞれ電気的に接続され、パワー半導体モジュール300の正極端子157(315B)及び負極端子158(319B)に対応して設けられる。コンデンサ端子503a〜503cは、パワー半導体モジュール300a〜300cとそれぞれ接続される。コンデンサ端子503aを構成する負極側コンデンサ端子504aと正極側コンデンサ端子506aとの間には、絶縁シート517aが設けられ、絶縁が確保されている。他のコンデンサ端子503b〜503cも同様である。コンデンサケース502には、コンデンサモジュール500を流路形成体12に固定するための固定手段、例えば、螺子を貫通させるための孔520a〜520dが設けられる。
また、コンデンサケース502の長辺側の一側面には、突出収納部502aが形成される。この突出収納部502a内には、フィルムコンデンサ及び電源端子508,509に対して電気的に直列または並列に接続される電気回路素子が収納される。本実施形態においては、電気回路素子としてノイズ除去用のコンデンサが収納されており、そのコンデンサは、バッテリ136からのノイズを除去するとともにグラウンドに電気的に接続されている。
このコンデンサはフィルムコンデンサに比べて小型のため、突出収納部502aの高さはコンデンサケース502の高さよりも小さく形成されている。つまり、突出収納部502aの下方には空間が形成される。図3に示された流路形成体12は、この空間に冷媒流路19の一部を形成している。これにより、ノイズ除去用のコンデンサを冷却することが出来るとともに、冷媒流路19の断面積を局所的に大きくすることを抑制して圧力損失の増大を防止している。
また、図3に示したように、パワー半導体モジュール300cは、コンデンサモジュール500を介してパワー半導体モジュール300aと向かい合うように流路形成体12に固定され、さらにノイズ除去用コンデンサは、コンデンサモジュール500を介してパワー半導体モジュール300bと向かい合う位置に配置されている。これにより、相毎に設けられたパワー半導体モジュール300a〜300cをコンデンサモジュール500の一方の側面に2つ、他方の側面に1つ設けるような配置であっても、パワー半導体モジュール300a〜300cとコンデンサモジュール500とが整然と構成され、かつ、冷媒流路19の冷却性能を十分に引き出すことができる。
さらに前述した通り、電源端子508及び509は突出収納部502aから突出している。そのため、電源端子508及び509はパワー半導体モジュール300a〜300cのいずれよりもノイズ除去用コンデンサに近い配置となり、パワー半導体モジュール300a〜300に対するノイズの影響を低減している。
図16は、ケース10にパワー半導体モジュール300a〜300cとコンデンサモジュール500とバスバーアッセンブリ800を組み付けた外観斜視図である。図17は、図16の符号Aで示す部分の拡大図である。直流正極端子315B(157),直流負極端子319 B(158),交流端子321(159)及び第2封止部601Bは、ケース10の縦方向に蓋8側に向けて延びている。直流正極端子315B(157)及び直流負極端子319B(158)の電流経路の面積は、コンデンサモジュール500内の積層導体板の電流経路の面積より非常に小さい。そのため、電流が積層導体板から直流正極端子315B(157)及び直流負極端子319B(158)に流れる際には、電流経路の面積が大きく変化することになる。つまり、電流が直流正極端子315B(157)及び直流負極端子319B(158 )に集中することになる。
そこで、本実施形態では、負極側コンデンサ端子504aは、積層導体板から立ち上がっている立ち上がり部540を有し、その先端部に接続部542を有している。また、正極側コンデンサ端子506aは、積層導体板から立ち上がっている立ち上がり部543を有し、その先端部に接続部545を有している。接続部542と接続部545との間にパワー半導体モジュール300aの直流負極端子319B(158)や直流正極端子315B(157)が挟まれるようにして接続されている。
これにより、負極側コンデンサ端子504aや正極側コンデンサ端子506aが接続部542、545の直前まで絶縁シートを介した積層構造を成すため、電流が集中する当該コンデンサ端子の配線部分のイ ンダクタンスを低減することができる。さらに、直流負極端子319B(158)の先端と接続部542の側辺とは溶接により接続され、同様に直流正極端子315B(157)の先端と接続部545の側辺とは溶接により接続される。このため、低インダクタンス化による特性改善に加え、生産性を向上させることができる。
パワー半導体モジュール300aの交流端子321(159)の先端と交流バスバー802aの先端とは、溶接により接続される。溶接をするための生産設備において、溶接機械を溶接対象に対して複数方向に可動できるように作ることは、生産設備を複雑化さ せることにつながり生産性及びコスト的な観点から好ましくない。そこで、本実施形態で は、交流端子321(159)の溶接箇所と直流負極端子319B(158)の溶接箇所は、ケース10の長手方向の辺に沿って一直線状に配置される。これにより、溶接機械を一方向に可動する間に、複数の溶接を行うことができ、生産性が向上する。
さらに、図4および図16,17に示されるように、複数のパワー半導体モジュール300a、300bは、ケース10の長手方向の辺に沿って一直線状に配置される。これにより、複数のパワー半導体モジュール300a〜300bを溶接する際に、更に生産性を向上させることができる。
図18は、パワー半導体モジュール300a〜300cとコンデンサモジュール500を組み付けたケース10と、バスバーアッセンブリ800とを示す分解斜視図である。図19は、保持部材803を取り除いたバスバーアッセンブリ800の外観斜視図である。
図18及び図19に示すように、バスバーアッセンブリ800は、交流バスバー802a〜802c、当該交流バスバー802a〜802cを保持し固定するための保持部材803および交流端子822a〜822cを支持するための支持部を備える。また、バスバー アッセンブリ800には、交流バスバー802a〜802cを流れる交流電流を検出するための電流センサ180が設けられている。
交流バスバー802a〜802cは、電流センサ180の貫通孔の手前でコンデンサモジュール500から遠ざかる方向に折り曲げられ、電流センサ180の孔の手前で交流バスバー805a〜805cと接続される。交流バスバー805a〜805cは、電流センサ180の孔を貫通後に交流端子822a〜822cとそれぞれ接続される。図18に示されるように、交流バスバー802a〜802c,交流バスバー805a〜805c、電流センサ180は、樹脂で構成された保持部材803によって、保持及び絶縁されている。
バスバーアッセンブリ800は、保持部材803によってケース10に固定される。そのため、ケース10に外部から熱が伝達された場合でも、流路形成体12によって熱が吸収されバスバーアッセンブリ800の温度上昇が抑えられる。さらに、バスバーアッセンブリ800の温度上昇の抑制に加えて、バスバーアッセンブリ800に保持された電流センサ180の 温度上昇を抑えることができる。電流センサ180は熱に弱い特性を有しており、上記構造により、電流センサ180の信頼性を向上させることができる。
図18に示されるように、保持部材803は、図4に示されたドライバ回路基板22を支持するための支持部材807a〜807dを備えている。支持部材807a〜807dの先端部には、ドライバ回路基板22を固定するための螺子穴が形成されている。さらに、保持部材803は、電流センサ180が配置された箇所から上方に向かって延びる突起部806a及び突起部806bを有している。突起部806a及び突起部806bは、それぞれ電流センサ180に形成された孔180a,180bを貫通する。
図19に示されるように、電流センサ180は、ドライバ回路基板22の配置方向に向かって延びる信号線182を有する。信号線182は、ドライバ回路基板22の配線パターンと半田によって接合されている。本実施形態では、保持部材803,支持部材807a〜807d及び突起部806a〜806bは、樹脂で一体に形成される。
上述のように、突起部806a,806bが孔180a,180bを貫通することにより、保持部材803が電流センサ180とドライバ回路基板22との位置決め機能を備えることになり、信号線182とドライバ回路基板22との間の組み付け及び半田接続作業が容易になる。また、電流センサ180とドライバ回路基板22を保持する機構を保持部材803に設けることで、電力変換装置全体としての部品点数を削減できる。
本実施の形態では、電力変換装置200はエンジン等の振動源の近傍に配置されるので、保持部材803は、ドライバ回路基板22の中央部の近傍を支持するための支持部材807a及び807bを設けて、ドライバ回路基板22に加わる振動の影響を低減している。例えば 支持部材808によってドライバ回路基板22の中央部を支持することで、ドライバ回路基板22の共振周波数をエンジン等から伝達されてくる振動の周波数より高くすることができ、ドライバ回路基板22に加わるエンジン等の振動の影響 を低減できる。なお、バスバーアッセンブリ800の保持部材803はケース10に螺子824により固定される。
図20は、金属ベース板11を分離した状態の電力変換装置200の斜視図である。また、図21は、図20の断面Bの矢印方向からみた電力変換装置200の断面図である。図18に示されたように、電流センサ180は、コンデンサモジュール500の上方に配置される。ドライバ回路基板22は、図18に示されたバスバーアッセンブリ800に設けられる支持部材807a〜807dによって支持され、電流センサ180の上方に配置される。さらに、図20に示すように、ドライバ回路基板22は、その四隅が支持部材15a〜15d(15dは不図示)を介してケース10に接続される。金属ベース板11は、ドライバ回路基板22の上方に配置される。本実施の形態では、ケース10の開口部の周縁が金属ベース板11によって塞がれる。制御回路基板20は、金属ベース板11と蓋8によって形成される空間に収納される。
電流センサ180とドライバ回路基板22と制御回路基板20とが高さ方向に階層的に配置され、また制御回路基板20が強電系のパワー半導体モジュール300a〜300cから 最も遠い場所に配置されるので、スイッチングノイズ等の混入を抑制することができる。さらに、金属ベース板11は、グランドに電気的に接続された流路形成体12に電気的に接続されている。この金属ベース板11によって、ドライバ回路基板22から制御回路基板20に混入するノイズを低減している。
電流センサ180とドライバ回路基板22を電気的に繋ぐ構造としては、配線コネクタによる接続工程の煩雑さや、接続ミスを防止できる構造が望ましい。本実施の形態では、図20に示すように、ドライバ回路基板22を貫通する孔24が形成され、それらの孔24にパワー半導体モジュール300a〜300cの信号端子325U及び信号端子325Lを挿入し、信号端子325U及び信号端子325Lをドライバ回路基板22の配線パターンと半田により接合するようにしている。なお、半田接合は、流路形成体12との対向面とは反対側の、ドライバ回路基板22の面側から行われる。
これにより、配線コネクタを用いることなく信号線が接続できるので、生産性を向上させることができる。また、パワー半導体モジュール300の信号端子325U,325Lと電流センサ180の信号線182を、同一方向から半田により接合する構造としたことにより、生産性を更に向上させることができる。
また、本実施形態のドライバ回路基板22は、流路形成体12と対向する面側に、ドライバICチップ等の駆動回路(不図示)を実装している。これにより、半田接合の熱がドライバICチップ等に伝わることを抑制して、半田接合によるドライバICチップ等の損傷を防止している。さらにまた、ドライバ回路基板22に搭載されているトランスのような高背部品が、コンデンサモジュール500とドライバ回路基板22との間の空間に配置されるので、電力変換装置200全体を低背化することが可能となる。
図22は、図18に示したケース10に交流端子822a〜822c及び直流端子900a、900bを組み付けた状態を示す分解斜視図である。交流端子822a〜822c及び直流端子900a、900bには、図22に示すような車両側のコネクタ193が接続される。
ケース10は、開口部10bの縁から当該ケース10の外側に向かって突出する第1壁10dを有する。第1壁10dはケース10と一体に形成されていてもよい。交流側コネクタ188は、第1壁10dによって囲まれた空間を通って、第1支持部材820に支持された交流端子822a〜822cと接続される。これにより、交流端子822a〜822cが第1壁10dで覆われることになり、交流端子822a〜822cを外部からの衝撃から保護することができる。
また、第1支持部材820の突出部832と第1壁10dとが広い面積で接触することにより、交流端子822a〜822cの位置精度を高めることができるとともに、交流端子822a〜822cの共振周波数をエンジン等から伝達されてくる振動の周波数より高くすることができる。さらに、交流側コネクタ188も第1壁10dの内周で接触するように構成されるため、交流側コネクタ188の位置精度を高めることができるとともに、交流側コネクタ188の交流配線の共振周波数をエンジン等から伝達されてくる振動の周波数より高くすることができる。
同様に、ケース10は、開口部10cの縁から当該ケース10の外側に向かって突出する第2壁10eを有する。第2壁10eはケース10と一体に形成されていてもよい。直流側コネクタ138は、第2壁10eによって囲まれた空間を通って、第2支持部材904に支持された直流端子900a及び900bと接続される。これにより、直流端子900a及び900bが第2壁10eで覆われることになり、直流端子900a及び900bを外部からの衝撃から保護することができる。また、第2支持部材904の突出部912と第2壁10eとが広い面積で接触することにより、直流端子900a及び900bの位置精度を高めることができるとともに、直流端子900a及び900bの共振周波数をエンジン等から伝達されてくる振動の周波数より高くすることができる。さらに、直流側コネクタ138も第2壁10eの内周で接触するように構成されるため、直流側コネクタ138の位置精度を高めることができるとともに、直流側コネクタ138の直流配線の共振周波数をエンジン等から伝達されてくる振動の周波数より高くすることができる。
図23は、交流端子822a〜822cの周辺部品の拡大図である。交流バスバー805a〜805cは、電流センサ180を貫通するためのバスバーであり、第1支持部材820によって支持されるとともに、その先端は交流端子822a〜822cと接続される。交流端子822a〜822cは、円筒形状の雌型コネクタである。第1支持部材820は、固定部826によってケース10に固定される。また、第1支持部材820は、ケース10の外側に向かって突出しておりかつ交流端子822a〜822cの先端部を覆って構成される端子カバー部828a〜828cを有する。
交流端子822a〜822cは、図22に示した車両側のコネクタ193と接続される。電力変換装置200の輸送時や車両への組付け時や試験時や部品交換時にはコネクタ193が取外された状態であるので、交流端子が露出する可能性がある。その際、作業者が露出した交流端子822a〜822cに触れることによる感電を防止する必要があるが、上記の構成により交流端子822a〜822cの先端部を絶縁物で覆うことで感電を防止することができる。
また、第1支持部材820は、接続検知回路830を保持している。接続検知回路830は、図22に示した交流コネクタ188が第1支持部材820から離脱したこと、つまり交流コネクタ188と交流端子822a〜822cとが電気的に非接続状態となったことを検知するものである。この接続検知回路830は、交流コネクタ188側に設けられた同様の接続検知回路と嵌め合うことによって接続状態であることを検知している。そして、接続検知回路830は、交流コネクタ188と交流端子822a〜822cとが電気的に非接続状態となったことを検知した場合、制御回路基板20に当該検知情報を伝達する。制御回路基板20は、当該検知情報に基づいてパワー半導体モジュール300a〜300cの駆動を抑制または停止するように制御する。
なお、接続検知回路830は、制御回路基板20と交流端子とのループにより回路を構成しており、いずれかの箇所が切断され、電気的に非接続状態となった時に、制御回路基板200がパワー半導体モジュールの駆動を抑制または停止する信号を発する。
上記の構成により、電力変換装置200の車両への組付け時や試験時や部品交換時のような、作業者が車両側のコネクタ193を取外して、交流端子822a〜822cが露出される時に、電力変換装置200の駆動が停止することで作業者の安全を確保することができる。また、振動により接続検知回路830が誤って脱落して予期しないタイミングで電力変換装置200の駆動が停止することを防止するために、接続検知回路830はケース10に強固に固定された第1支持部材820に支持されている。
さらに、第1支持部材820は、ケース10の外側に向かって突出する突出部832を有する。突出部832は、交流端子822a〜822cを囲むように形成され、かつ当該の突出部832の外縁が図5に示される開口部10bの内縁と嵌め合うように形成される。これにより、交流端子822a〜822cと開口部10bの内縁部との位置精度を向上させることができる。また、防水効果も向上させることができる。さらに、交流端子822a〜822cを保持する第1支持部材820とケース10との接触面積を大幅に増大させることができるため、交流端子822a〜822cの共振周波数をエンジン等から伝達されてくる振動の周波数より高くすることができる。したがって、交流端子822a〜822c周辺の耐振動性を向上させることができる。
さらに、第1支持部材820は、ケース10の開口部10bを塞ぐ為の遮蔽部834を有する。遮蔽部834は、端子カバー部828a〜828cと突出部832との間を埋めるように形成される。電力変換装置200のみを輸送する時や車両への組付け時や試験時や部品交換時には、ネジや工具等の異物が外部からケース10内部へ混入する可能性がある。ケース10内部へ混入した異物は電気的接続箇所の短絡や構成部品の破損に繋がり、電力変換装置200を破壊に至らせる可能性がある。そこで上記の構成のように遮蔽部834によってケース10内部と外部を遮断することにより、外部からの異物の混入を防止することができる。
図24は、負極側の直流端子900aと正極側の直流端子900bの周辺部品の拡大図である。負極側の直流バスバー902aは、一方の先端がコンデンサモジュール500の負極側の電源端子508と接続され、一方の先端が直流端子900aと接続される。同様に、正極側の直流バスバー902bは、一方の先端がコンデンサモジュール500の正極側の電源端子509と接続され、一方の先端が直流端子900bと接続される。直流端子900a及び900bは、円筒形状の雌型コネクタである。
第2支持部材904は、固定部906によってケース10に固定される。また、第2支持部材904は、ケース10の外側に向かって突出しており、かつ直流端子900a及び900bの先端部を覆って構成される端子カバー部908a及び908bを有する。直流端子900a及び900bは、図22に示された車両側のコネクタ193と接続される。電力変換装置200の輸送時や車両への組付け時や試験時や部品交換時にはコネクタ193が取外された状態であるので、直流端子が露出する可能性がある。その際、作業者が露出した直流端子900a及び900bに触れることによる感電を防止する必要があるが、上記の構成により直流端子900a及び900bの先端部を絶縁物で覆うことで感電を防止することができる。
また、第2支持部材904は、接続検知回路910を保持している。接続検知回路910は、図22に示した直流コネクタ138が第2支持部材904から離脱したこと、つまり直流コネクタ138と直流端子900a及び900bとが電気的に非接続状態となったことを検知するものである。この接続検知回路910は、直流コネクタ138側に設けられた同様の接続検知回路と嵌め合うことによって接続状態であることを検知している。
接続検知回路910は、直流コネクタ138と直流端子900a及び900bとが電気的に非接続状態となったことを検知した場合、制御回路基板20に当該検知情報を伝達する。制御回路基板20は、当該検知情報に基づいて電力変換装置200の駆動を抑制または停止するように制御する。 なお、接続検知回路830は、制御回路基板20と直流端子とのループにより回路を構成しており、いずれかの箇所が切断され、電気的に非接続状態となった時に、制御回路基板200がパワー半導体モジュールの駆動を抑制または停止する信号を発する。
また、本実施形態においては、上述したように、交流端子822a〜822側にも接続検知回路830を設けており、制御回路基板20と直流端子と交流端子とのループにより回路を構成しており、いずれかの箇所が切断され、電気的に非接続状態となった時に、制御回路基板200がパワー半導体モジュールの駆動を抑制または停止する信号を発するように構成されている。なお、図22に示すように、コネクタ193が直流コネクタ138と交流コネクタ188と一体となって構成されている場合には、接続検知回路830と接続検知回路910のいずれか一方のみを設ければ、電力変換装置200の駆動を抑制または停止するような制御を実行することができる。
上記の構成により、電力変換装置200の車両への組付け時や試験時や部品交換時のような、作業者が車両側のコネクタ193を取外して、直流端子900a及び900bが露出される時に、電力変換装置200の駆動が停止することで作業者の安全を確保することができる。また、振動により接続検知回路910が誤って脱落して予期しないタイミングで電力変換装置200の駆動が停止することを防止するために、接続検知回路910はケース10に強固に固定された第2支持部材904に支持されている。
さらに、第2支持部材904は、ケース10の外側に向かって突出する突出部912を有する。突出部912は、直流端子900a及び900bを囲むように形成され、かつ当該の突出部832の外縁が図5に示される開口部10cの内縁と嵌め合うように形成される。これにより、直流端子900a及び900bと開口部10cの内縁部との位置精度を向上させることができる。また、防水効果も向上させることができる。さらに、直流端子900a及び900bを保持する第2支持部材904とケース10との接触面積を大幅に増大させることができるため、直流端子900a及び900bの共振周波数をエンジン等から伝達されてくる振動の周波数より高くすることができる。したがって、直流端子900a及び900b周辺の耐振動性を向上させることができる。
さらに、第2支持部材904は、ケース10の開口部10cを塞ぐ為の遮蔽部914を有する。遮蔽部914は、端子カバー部908a及び908bと突出部912との間を埋めるように形成される。電力変換装置200のみを輸送する時や車両への組付け時や試験時や部品交換時には、ネジや工具等の異物が外部からケース10内部へ混入する可能性がある。ケース10内部へ混入した異物は電気的接続箇所の短絡や構成部品の破損に繋がり、電力変換装置200を破壊に至らせる可能性がある。そこで、上記の構成のように遮蔽部914によってケース10内部と外部を遮断することにより、外部からの異物の混入を防止することができる。
図22に戻って、金属製プレート836は、第1支持部材820をケース10との間に挟んで、当該第1支持部材820を当該ケース10に固定するための部材である。この金属製プレート836は、図4に示された制御回路基板20が配置された側の交流バスバー822a〜822cの面の少なくとも一部を覆って形成される。制御回路基板20及び制御系信号を伝達するための配線は、微弱電流であるため交流端子822a〜822cや交流バスバー805a〜805cからのノイズの影響を受けやすい。そこで、交流端子822a〜822cや交流バスバー805a〜805cが導電性の部材である金属製プレート836により囲まれることにより、ノイズを遮断することができる。
本実施形態においては、コネクタ193は、直流コネクタ138と交流コネクタ188とが一体に構成されている。これにより、部品点数を低減させることができるともに、接続作業を簡略化させることができ、生産性が向上する。しかしながら、一方で直流コネクタ138と交流コネクタ188を一括して取り付けるため、コネクタ193が大きくなって歪み易くなり、コネクタ193の挿入応力に偏りが生じるおそれがある。その結果、コネクタ193や電力変換装置200の部品が破損してしまったり、コネクタ193とケース10とのシール部材に偏りが生じて防水性の低下を引き起こしてしまったりするおそれがある。また、コネクタ193の挿入応力に偏りが生じたまま、コネクタ193と電力変換装置200が車両に搭載されると、要求される耐振動性能を発揮できないおそれがある。
そこで、本実施形態の交流端子822a〜822c及び直流端子900aと900bは、直流コネクタ138と交流コネクタ188とが一体に構成されたコネクタ193の歪みが低減されるように配置されている。具体的には、図25に示すように、交流端子822a〜822c及び直流端子900a、900bがケース10の一側面に配置され、当該ケース10の一側面は短手方向の辺と長手方向の辺により構成される長方形状をなしている。そして、直流端子900aと900bは、ケース10の一側面の短手方向の一方の辺に沿って並べて配置され、かつ交流端子822a〜822cは、ケース10の一側面の長手方向の一方の辺に沿って並べて配置される。
これにより、直流端子900a及び900bを通る線分と交流端子822a及び822cを通る線分によって、90度傾いた略T字又は略L字が形成される。よって、コネクタ193の高さ方向(ケース10の一側面の短手方向)と幅方向(ケース10の一側面の長手方向)の位置決めが同時に為され、コネクタ193の挿入応力の偏りが生じないようにコネクタ193を各端子及びケース10に固定することができる。
また、コネクタ193の高さ方向や幅方向は極端に長くなることを抑えているので、コネクタ193の歪みを低減することができ、コネクタ193の挿入応力の偏りを低減している。また、コネクタ193の高さ方向又は幅方向は極端に長くなることを抑えているので、コネクタ固定部10f〜10mのそれぞれの間の距離を短くすることができる。これにより、コネクタ193とケース10との共振周波数をエンジン等から伝達されてくる振動の周波数より高くすることができ、車両の耐振動性を向上させることができる。
また、本実施形態においては、交流端子822bは、交流端子822a及び822cよりもケース10の一側面の長手方向の他方の辺に近づけて配置される。このような配置に合わせて、第1支持部材820及び第1壁10dはなだらかな角を有する逆三角形状をなしている。これにより交流コネクタ188及びコネクタ193の高さ方向又は幅方向が極端に長くなることを抑えているので、上記のような接続信頼性及び耐振動性を向上させるような作用効果を奏する。
(ノイズ対策に関する説明)
次いで、本実施の形態におけるEMC(ElectroMagnetic Compatibility:電磁両立性)対策について説明する。EMC(電磁両立性)とは、機器から出す電気的なノイズが小さく周囲に電気的な悪影響を与えないことと、外部からある程度の電気的なノイズが加わっても誤動作せずに機器が耐えることの、両方の性質を持つことを意味する。一般的には、電磁波ノイズ対策とも呼ばれる。
図2に示したように、電力変換装置200においては、パワー半導体モジュール300a〜300cに設けられたスイッチング用パワー半導体素子(IGBT328,330)をスイッチング動作させることにより、バッテリ136からの直流電力を交流電力に変換して、モータジェネレータMG1に供給するようにしている。上述のようなスイッチングを行うと、スイッチング時の電圧・電流の立ち上がりに伴ってスイッチング周波数の高調波電流成分が発生する。そのため、本実施の形態の電力変換装置200では、ノイズ発生源であるパワー半導体モジュール300やバスバー(交流バスバー、直流バスバー)を含む強電系の構成部品と、電磁ノイズの影響を抑えたい弱電系の制御回路基板20とを、電磁シールドを介して別々の収納空間に配置するようにした。
具体的には、図16、18,20,21に示すように、パワー半導体モジュール300a〜300cは、ケース10の下部に設けられた流路形成体12に配置されている。コンデンサモジュール500は、流路形成体12に囲まれるようにケース10の下部中央に配置されている。コンデンサモジュール500の上方にはバスバーアッセンブリ800が配置され、さらに、バスバーアッセンブリ800の上部にドライバ回路基板22が配置されている。このように、金属製(例えば、アルミ材)のケース10内に、強電系の構成部品が階層的に配置されている。そして、制御回路基板20は、電磁シールドとしての金属ベース板11の上部に配置されている。
このように階層的配置とし、制御回路基板20を強電系のパワー半導体モジュール300a〜300cから 最も遠い場所に配置することで、スイッチングノイズ等の混入を抑制するようにしている。また、金属ベース板11によって、ドライバ回路基板22から制御回路基板20に混入するノイズを低減するようにしている。
ケース10には、バスバーアッセンブリ800やパワー半導体モジュール300a〜300c等が収納される略直方体の収納空間とは別に、その収納空間の側方に突出するように、直流バスバー902a,902bや抵抗器450が収納される突出収納部10a(図4参照)が形成されている。この突出収納部10aと上記略直方体の収納空間とを有するケース10の開口部は、ケース10に固定される金属ベース板11によって塞がれることになる。金属ベース板11は金属や導電性の樹脂(例えば、カーボン含有のポリカーボネート・金属繊維含有樹脂)によって形成されているので、突出収納部10aおよび略直方体の収納空間に対して電磁シールドとして機能し、強電系構成部品からの電磁ノイズが外部に漏れたり、外部からの電磁ノイズがそれらの収納空間に侵入するのを防止している。
図26は金属ベース板11と、金属ベース板11に収納される制御回路基板20と、金属ベース板11の上部に固定される蓋8を示す斜視図である。金属ベース板11は、略長方形の制御回路基板20が固定されるベース部111aと、ベース部111aの周囲を囲むように設けられた壁部112と、突出収納部10aの上部(開口部分)を覆う第2のベース部111bとを備えている。ベース部111a,111bと壁部112とは一体に形成されており、壁部112の上部には電磁シールドとして機能する蓋8が固定されている。蓋8は、金属等の導電性部材で形成されている。ベース部111aの上面には凸部51a,51bが形成されており、図21に示すように制御回路基板20の下面に直接・もしくは部材(たとえば放熱シート)を介して間接的に接触することにより、基板上に実装されている電子部品の熱を凸部へ放熱することができる。
このように、制御回路基板20を壁部112および蓋8で覆うことにより、外部からのノイズ進入を防止するようにしている。金属ベース板11はグランドに電気的に接続されたケース10に電気的に接続されており、ベース部111aから壁部112を一体に立ち上げ、その壁部112に蓋8を固定しているので、電磁ノイズを壁部112からケース10へと落としやすい構造となっている。なお、ケース10の側面下部に設けられたアース接続部101(図20参照)が、車両側のアースに接続される。
ベース部111aには、ドライバ回路基板22と制御回路基板20との配線115を通すための開口部113が形成されている。配線115としては、パワーモジュール制御信号用の配線、電流センサ信号用の配線、放電回路制御信号用の配線などがある。これらの配線にはフラットケーブル等の配線材が用いられ、制御回路基板20の開口部113に対向する面側に接続用のコネクタが設けられている。それらのコネクタは略長方形を成す制御回路基板20の一辺に沿うように配されており、ベース部111aに形成される開口部113も、制御回路基板20の四方を囲む壁部112の一辺に沿って細長く形成されている。開口部113は電磁ノイズの侵入経路となるので、可能な限り小さい方が望ましいので、一方の幅がそれと直交する他方の幅よりも小さい細長い長方形状に形成されている。
制御回路基板20の他方の辺には、すなわち開口部113と対向する辺と反対側の辺には、制御回路基板20と外部の装置との間で信号の授受をするためのコネクタ21が設けられている。このように、開口部113と反対側にコネクタ21を設けることにより、コネクタ21を電磁ノイズ侵入部位である開口部113から遠ざけることができ、コネクタ21へのノイズ侵入を低減することができる。
また、コネクタ21は、金属ベース板11の壁部112に形成されたU字形状の切り欠き部112aに嵌め合わされるように固定される。コネクタ21の上面の近傍には、金属ベース板11に固定された蓋8の縁部が位置している。このように、コネクタ21の付け根部分の周囲は、壁部112の切り欠き部112aおよび蓋8の縁によって囲まれている。コネクタ21にプラグを着脱する際に、コネクタ21の上下左右方向に不要な力が加わった場合でも、切り欠き部112aおよび蓋8の縁によって動きが抑えられるので、コネクタ21の強度向上を図ることができる。
図27は、コネクタ21の部分を拡大して示した断面図である。コネクタ21にはL形状のリード配線211が複数組みつけられており、リード配線211を制御回路基板20の穴に挿入してハンダ付けすることで、コネクタ21が制御回路基板20に取り付けられる。一般的に、リード配線211は金属部分がむき出しになっている場合が多く、周囲からのノイズの影響を受けやすい。そのため、コネクタ21の取り付け位置が、上述した開口部113と反対側になるようにコネクタ21が設けられている。
また、一般的に電力変換装置200のケース10は、ケース10のより底面側においてアース接続されている。本実施の形態では、ケース10の側面下部に設けられたアース接続部101が車両側のアースに接続されるような構成となっている。アースは基準電位なので一番安定しており、基準電位から離れるほど、高周波に対して電位的に不安定になる。そのため、本実施の形態の電力変換装置200では、蓋8が電位的に一番不安定となっている。蓋8は金属等の導電性部材で形成されている。装置外部から電磁ノイズが到来した場合、蓋8の電位が変動し、1〜10%程度は制御回路基板20が収納された空間へ電磁ノイズを再放射されることになる。
そのため、本実施形態では、制御回路基板20の下側に取り付けるようにし、リード配線211が制御回路基板20と金属ベース板11との間の空間に配置されるようにした。制御回路基板20には多層基板が用いられていてグランドパターンなども形成されているため、蓋8側からの電磁ノイズに対して裏面側は電位的に安定している。また、このリード配線211が配置される裏面側空間は金属ベース板11によって強電系からの電磁ノイズもシールドされているの。その結果、リード配線211へのノイズの影響を低減することができる。
例えば、リード配線211が制御回路基板20の上面側となるようにコネクタ21を取り付けた場合、剥き出し状態のリード配線211にノイズが乗りやすくなり、そのノイズは制御回路基板20側に侵入したり、コネクタ21に接続された配線を通して外部装置へと流れるおそれがある。リード配線等に流れる電気信号は微弱なため、ノイズの影響を受けやすい。本実施の形態の場合には、このような影響を低減することができる。
図28は、ケース10内に設けられた交流バスバー802a〜802cと直流バスバー902a,902bの配置を示す図である。図19に示したように、交流バスバー802a〜802cは、電流センサ180を貫通する交流バスバー805a〜805cと接続されている。直流バスバー902a,902bは、上下方向に平行に配置されている。図22に示したように、交流端子822a〜822c及び直流端子900a、900bはケース10の一側面に配置されており、交流バスバー802a〜802cおよび直流バスバー902a,902bの各バスバーは、互いに平行な状態で交流端子822a〜822c及び直流端子900a、900bに接続されている。
上述したコネクタ21は、交流端子822a〜822c及び直流端子900a、900bが設けられている側面と反対側となるように配置されている。そのため、交流バスバーの電流センサ180が設けられている部分は、上述した金属ベース板11の開口部113と対向する位置に配置されている。略長方形を成す開口部113は、その長手方向が交流バスバー802a〜802cの延在方向と直交している。各バスバーの部分に示す実線の矢印は電流の流れを示し、破線の矢印は磁束の向きを示している。なお、交流バスバー802a〜802cの電流の流れる方向はスイッチングのタイミングによって異なり、また、瞬間で見た場合には、全ての交流バスバー802a〜802cに同時に電流が流れることはなく、一つまたは二つのバスバーに電流が流れることになる。
上述したように、パワー半導体モジュール300a〜300cにおいてスイッチング動作が行われると、スイッチング時の電圧・電流の立ち上がりに伴ってスイッチング周波数の高調波電流成分が発生し、高調波電流成分を含んだ電流が交流バスバー802a〜802cに流れることになる。この高調波電流成分がノイズ電流となる。また、交流バスバー802a〜802cを流れる電流は直流バスバー902a,902bを介して供給されるので、交流バスバーに電流が流れるタイミングでは、同時の直流バスバー902a,902bにも電流が流れることになる。
交流バスバー802a〜802cを流れるノイズ電流は、電流の流れる向きを軸とした同心円状の磁界を発生する。交流バスバー802a〜802cの近傍に、例えば、図29に示すように導体板31があった場合、ノイズ電流35の変化に伴う変化する磁界32が導体板31と鎖交すると、磁界32の変化を打ち消すような誘導電流33が導体板31に発生する。
金属ベース板11も導電性部材で形成されているので、図29の場合と同様の誘導電流が金属ベース板11に誘起される。しかしながら、金属ベース板11の開口部113においては、図30に示すように誘導電流33は開口部113を迂回するように流れるため、交流バスバー802a〜802cを流れるノイズ電流35の磁界32に対して、開口部113を迂回する誘導電流33が磁界を打ち消さない。その結果、この打ち消さない磁界(ノイズ電流による磁界32と、誘導電流33による磁界34)が制御回路基板20に鎖交するとノイズとなり、また、装置外部へ漏れるノイズの原因となる。また、これとは別に、誘導電流が金属ベース板11を流れると電圧降下が生じ、迂回経路分だけ電圧降下による電圧変化が大きくなり、この電圧変化がノイズの原因となる。そのためには、迂回路の長さをできるだけ短くする必要がある。
この開口部113から漏れる磁界を抑制するためには、交流バスバー802a〜802cを開口部113の下方を通過させる際に、誘導電流迂回路のノイズ電流との平行経路長が短くなるように交流バスバー802a〜802cを配置する必要がある。そのためには、本実施の形態では、細長い開口部113の長手方向と直交するように交流バスバー802a〜802cを配置している。その結果、開口部113から漏れる磁界を極力低減することができるとともに、迂回経路が短くなる分だけ電圧降下によるノイズを抑制でき、制御回路基板20へのノイズ影響を低減することができる。
上述した図29の説明では、交流バスバー802a〜802cの近傍に導体板があると、その導体板に誘導電流が流れて電磁ノイズが低減されることを説明した。そこで、この導体板の役目を他の交流バスバーに担わせることによって、開口部113から制御回路基板20が設けられている空間への電磁ノイズの侵入を抑制することができる。以下では、図28に示した交流バスバー802a〜802cが順にU相バスバー、V相バスバー、W相バスバーであるとして説明する。
図31は、開口部113部分のU相バスバー802a、V相バスバー802b、W相バスバー802cを示したものであり、本実施の形態では互いに平行となっている。矢印41aで示すようにU相バスバー802aにノイズ電流が流れると、破線42aで示すような磁界が発生する。この磁界42aが隣接するV相バスバー802b、W相バスバー802cと鎖交し、V相バスバー802b、W相バスバー802cには矢印41bで示すように逆向きの誘導電流が発生することになる。全体としての電磁ノイズは小さくなり、開口部113を通しての制御回路基板20が配置された空間への電磁ノイズの侵入を低減することができる。
このような誘導電流によるノイズ低減効果は、3本のバスバー802a〜802cが互いに平行となっている場合が最も高い。すなわち、前述した開口部113と交流バスバーとの配置関係を考慮すると、3本のバスバー802a〜802cを、開口部113の長手方向に直行する方向に、互いに平行に配置するのが最も好ましいことになる。なお、図31に示す例では、U相バスバー802aのみに電流が流れる場合を示したが、いずれか一つまたは二つのバスバーに電流が流れる場合も同様にノイズ低減を図ることができる。
また、図28に示すように、突出収納部10aには、直流バスバー902a,902bが上下方向に平行に配置されている。上述したように、交流バスバー802a〜802cにノイズ電流が流れると、同時に直流バスバー902a,902bにもノイズ電流が流れることになる。この場合、電流の方向は直流バスバー902aと直流バスバー902bとでは逆方向なので、互いの磁界が打ち消しあい、ノイズ電流による電磁ノイズの発生を抑制することができる。さらに、平行関係にある交流バスバー802a〜802cと直流バスバー902a,902bとの間においても、電流の向きが逆になるバスバー同士では磁界が互いに打ち消しあうことになり、電磁ノイズの低減を図ることができる。
なお、図20に示すように、直流バスバー902a,902bが設けられた突出収納部10aは、交流バスバー802a〜802cおよびドライバ回路基板22が収容されている空間から側方にずれて形成されている。制御回路基板20が配置されるベース部111aは、図21に示すようにドライバ回路基板22の上方に位置しており、直流バスバー902a,902bが収納されている突出収納部10aの開口は金属ベース板11のベース部111bにより塞がれている。このように、直流バスバー902a,902bは開口部113の直下ではなく、直下から側方にずれた位置にあるため、直流バスバー902a,902bに流れるノイズ電流に起因する電磁ノイズは、開口部113を介して制御回路基板20が設けられた領域に侵入することはほとんどない。また、直流バスバー902a,902bから上方への電磁ノイズはベース部111bによりシールドされ、電磁ノイズが外部への漏れが防止している。
ところで、図28の説明でも記載したが、本実施の形態では、電流センサ180が開口部113の直下に来るように配置している。この構成も、開口部113における電磁ノイズ侵入の低減効果に寄与している。電流センサ180はホールセンサを用いて磁界の強さを検出することにより、交流バスバー805a〜805c(802a〜802c)を流れる電流を検出している。
図32は、電流センサ180の検出部の構成を模式的に示したものである。交流バスバー805aは電流センサ180を貫通するように設けられたバスバーであり、図19で示したように交流バスバー802aが接続される。電流センサ180には磁性材で形成されたセンサコア51が設けられ、交流バスバー805aはセンサコア51の中央を貫通するように設けられている。交流バスバー805aを囲むよう設けられたセンサコア51のギャップ52には、ホールセンサ53が配置されている。ホールセンサ53は、ギャップ52の部分の磁界の強さを検出する。
磁性材で形成されたセンサコア51は比透磁率が空気中(比透磁率=1)よりも大きいため、交流バスバー805aの周囲の磁束線はセンサコア51内に閉じ込められるように集中する。その結果、ギャップ52における磁束密度が大きくなり、センサ感度の向上が図れる。ホールセンサ53から出力された信号は、検出回路54で増幅され検出される。検出回路54は制御回路基板20に設けられている。
このように、電流センサ180内には、各バスバー805a〜805cに対してそれぞれセンサコア51が設けられているため、図32に示すように電流センサ180の部分から漏れ出る磁束は非常に少なくなっている。そのため、上述した交流バスバー802a〜802cを開口部113に配置する場合に、電流センサ180を設けた部分が開口部113の直下に来るようにすれば、交流バスバー802a〜802cを流れるノイズ電流に起因する電磁ノイズの影響を低く抑えることができる。
以上説明した実施形態によれば、以下のような作用効果を奏する。
(1)直流電流を交流電流に変換するパワー半導体素子を有するパワー半導体モジュール300と、パワー半導体素子を制御する制御信号を出力する制御回路基板20と、制御信号に基づきパワー半導体素子を駆動する駆動信号を出力するドライバ回路基板22と、ドライバ回路基板22と制御回路基板20との間の空間に配置され、細長い開口部113が形成された導電性の金属ベース板11と、開口部113を通ってドライバ回路基板22と制御回路基板20とを接続し、制御信号をドライバ回路基板22に伝達する配線115と、ドライバ回路基板22を挟んで金属ベース板11とは反対側に配置され、パワー半導体モジュール300から出力される交流電流を駆動用モータに伝達する交流バスバー802と、を備え、交流バスバー802の少なくとも開口部113と対向する部分は、細長い開口部113の長手方向と直行する方向に延在することを特徴とする。
交流バスバー802の少なくとも開口部113と対向する部分が、細長い開口部113の長手方向と直行する方向に延在しているので、金属ベース板11を流れる誘導電流が開口部113を迂回する際の誘導電流迂回路のノイズ電流との平行経路長が短くなる。その結果、開口部113から制御回路基板20へと漏れる磁界を低減することができ、制御回路基板20に生じるノイズを低減することができる。なお、上述した実施の形態では金属ベース板11としてが、ベース板は導電性を有していれば金属でなくても構わない。
(2)また、交流バスバー802は、3相電流を流すためのU相交流バスバー802a、V相交流バスバー802bおよびW相交流バスバー802cにより構成され、U相交流バスバー802a、V相交流バスバー802bおよびW相交流バスバー802cのそれぞれは、少なくとも開口部113と対向する部分が互いに平行となるように形成されているようにしても良い。そのような構成とすることにより、交流バスバーにノイズ電流が流れたときの磁界が、平行な他の交流バスバーと鎖交するので誘導電流が効果的に誘起され、開口部113における電磁ノイズの低減を図ることができる。
なお、上述した例では、開口部113が長いため、開口部113の下側を3本の交流バスバーが配置されていたが、開口部113の長さが比較的短い場合には、図34に示すように、2本の交流バスバー802a,802bが開口部113と対向するようにしても良い。
(3)さらに、交流バスバー805aが貫通する磁性材のセンサコア51および該センサコア51の磁束密度を検出するホールセンサ53を有するセンサ部が、U相、V相およびW相交流バスバーの各々に対して設けられた電流センサ180を備え、電流センサ180を、開口部113と対向する位置に設けるようにしても良い。ノイズ電流が流れる交流バスバー805aの周囲に同心円状に形成される磁束線はセンサコア51内に集中し、開口部113への漏れが小さくなり、ノイズの影響を抑制することができる。
(4)ケース開口部が金属ベース板11の一方の面で塞がれて、ドライバ回路基板22が配置される収納空間を形成する有底筒状の導電性のケース10と、金属ベース板11の他方の面に固定されて、制御回路基板20が配置される収納空間を該金属ベース板11との間に形成する導電性の蓋8と、を備え、一方の面がケース開口部の周縁と接触するように金属ベース板11をケース10に固定するようにしても良い。このような構成とすることにより、ドライバ回路基板22側から制御回路基板20の電磁ノイズ、外部から制御回路基板20およびドライバ回路基板22へと侵入する電磁ノイズを低減することができる。なお、上述した実施形態では、金属ベース板111に壁部112を形成してその壁部112の上に蓋8を固定したが、図33に示すように、蓋8側に壁部8aを形成するようにしても良い。
(5)また、制御回路基板20に接続するためのリード配線211を有するコネクタ21を備え、リード配線211が制御回路基板20と金属ベース板11との間の空間を通って該制御回路基板20と接続されるように、コネクタ21を配置するのが好ましい。その結果、リード配線211へのノイズの影響を低減することができる。
(6)開口部113は制御回路基板20の一方の縁と対向する位置に配置され、コネクタ21は制御回路基板20の一方の縁に対して反対側の縁に設けられている、そのような構成とすることにより、開口部113から漏れる電磁ノイズのコネクタ21への影響を低減することができる。
(7)金属ベース板11には、制御回路基板20の周囲を囲む壁部112が一体に形成され、壁部112の上端に蓋8を固定することにより、制御回路基板20が配置される収納空間が形成される。壁部112を金属ベース板11と一体に形成することで、壁部112から侵入するノイズを金属ベース板11を介してケースへと逃がしやすくする。
(8)また、壁部112にコネクタ21が嵌め合わされる切り欠き部112aを形成することで、コネクタ21に外力が作用したときの強度を向上させることができる。
(9)また、制御回路基板20と電気的に接続されるコネクタ21と、交流バスバー802a〜802cが接続される交流端子822a〜822cと、パワー半導体モジュール300に直流電流を供給するための直流端子900a、900bと、を備え、直流端子900a、900b及び交流端子822a〜822cは、ケース10の一方側の側面に配置され、コネクタ21は、ケース10の前記側面とは反対側の側面に配置される。このような構成とすることで、交流端子822a〜822c、直流端子900a、900bで発生するノイズの、コネクタ21への影響を軽減することができる。
(10)さらに、ケース10の内部において直流端子に接続される直流バスバー902a,902bを備え、直流端子から延在する直流バスバー902a,902bの延在方向が、交流端子から延在する交流バスバー802a〜802cの延在方向と平行とすることで、交流バスバー802a〜802cによる磁界と直流バスバー902a,902bによる磁界とが打ち消し合うことにより、ノイズの影響を抑制することができる。
(11)また、パワー半導体モジュール300に直流電流を供給する直流バスバー902a,902bを備え、ケース開口部を塞ぐ金属ベース板11は、ケース開口部の一部を塞ぐベース部11a(第1ベース板領域)と他の一部を塞ぐベース部111b(第2ベース板領域)とを有し、制御回路基板20はベース部11aの蓋8側の面に対向するように配置され、ドライバ回路基板22はベース部11aのケース側の面に対向するように配置され、直流バスバー902a,902bはベース部111bのケース側の面に対向するように配置されるのが好ましい。これにより、直流バスバー902a,902bからのノイズが開口部113へ直接に達するのを低減し、制御回路基板20に対する直流バスバー902a,902bのノイズの影響を低減することができる。また、直流バスバー902a,902bは導電性の金属ベース板11および導電性のケース10によって囲まれているので、直流バスバー902a,902bから外部に漏れるノイズも低減することができる。
上述した各実施形態はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施形態での効果を単独あるいは相乗して奏することができるからである。また、本発明の特徴を損なわない限り、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではない。
8:蓋、10:ケース、10a:突出収納部、10b:開口部、10c:開口部、10d:第1壁、10e:第2壁、10f〜10m:コネクタ固定部、11:金属ベース板、12:流路形成体、13:入口配管、14:出口配管、17:窓、18:蓋、19:冷媒流路、19a:第1流路部、19b:第2流路部、19c:第3流路部、20:制御回路基板、21:コネクタ、22:ドライバ回路基板、51:センサコア、53:ホールセンサ、101:アース接続部、111a,111b:ベース部、112:壁部、112a:切り欠き部、113:開口部、115:配線、136:バッテリ、138: 直流コネクタ、140:インバータ回路、150:上下アームの直列回路、153:コレクタ電極、154:ゲート電極端子、155:信号用エミッタ電極、156:ダイオード、157:正極端子、158:負極端子、159:交流端子、160: 金属接合材、163:コレクタ電極、164: ゲート電極、165: エミッタ電極、166: ダイオード、169: 中間電極、172: 制御回路、174: ドライバ回路、180: 電流センサ、188:交流コネクタ、193:コネクタ、200: 電力変換装置、211:リード配線、300,300a〜300c:パワー半導体モジュール、302: モジュール1次封止体、304:モジュールケース、304A:湾曲部、304B:フランジ、305:フィン、306:挿入口、307A:第1放熱面、307B:第2放熱面、309:ネジ、315:導体板、315A:直流正極配線、315B:直流正極端子、315C:補助モジュール側直流正極接続端子、315D:素子側直流正極接続端子、318:導体板、319:導体板、319A:直流負極配線、319B:直流負極端子、319C:補助モジュール側直流負極接続端子、319D:素子側直流負極接続端子、320:導体板、320A:交流配線、320B:交流端子、320C:補助モジュール側交流接続端子、320D:素子側交流接続端子、322:素子固着部、324U:信号配線、324L:信号配線、325U:信号端子、325L:信号端子、326U:補助モジュール側信号接続端子、326L:補助モジュール側信号接続端子、327U:素子側信号接続端子、327L:素子側信号接続端子、328:IGBT、329:中間電極、330:IGBT、333:絶縁シート、348:第1封止樹脂、351:第2封止樹脂、370:接続部、371:ボンディングワイヤ、372:タイバー、400a〜400c:開口部、404:開口部、406:凸部、407:凸部、409:シール部材、417:流れ方向、418:流れ方向、420:下カバー、421:流れ方向、422:流れ方向、423:流れ方向、500:コンデンサモジュール、502:コンデンサケース、504:コンデンサ端子、506:コンデンサ端子、508:電源端子、509:電源端子、540:立上り部、542:接続部、550:樹脂封止材、600:補助モールド体、608:配線絶縁部、800:バスバーアッセンブリ、802:交流バスバー、804:交流バスバー、805a〜805c:交流バスバー、820:第1支持部材、822a〜822c:交流端子、824:ネジ、826:固定部、828a〜828c:端子カバー部、830:接続検知回路、832:突出部、834:遮蔽部、836:金属製プレート、900a:直流端子、900b:直流端子、902a:直流バスバー、902b:直流バスバー、904:第2支持部材、906:固定部、908:端子カバー部、910:接続検知回路、912:突出部、914:遮蔽部

Claims (11)

  1. 直流電流を交流電流に変換するパワー半導体素子を有するパワーモジュールと、
    前記パワー半導体素子を制御する制御信号を出力する制御回路基板と、
    前記制御信号に基づき前記パワー半導体素子を駆動する駆動信号を出力するドライバ回路基板と、
    前記ドライバ回路基板と前記制御回路基板との間の空間に配置され、細長い配線開口部が形成された導電性のベース板と、
    前記配線開口部を通って前記ドライバ回路基板と前記制御回路基板とを接続し、前記制御信号を前記ドライバ回路基板に伝達する制御配線と、
    前記ドライバ回路基板を挟んで前記ベース板とは反対側に配置され、前記パワーモジュールから出力される交流電流を駆動用モータに伝達する交流バスバーと、を備え、
    前記交流バスバーの少なくとも前記配線開口部と対向する部分は、前記細長い配線開口部の長手方向と直交する方向に延在することを特徴とする電力変換装置。
  2. 請求項1に記載の電力変換装置において、
    前記交流バスバーは、3相電流を流すためのU相交流バスバー、V相交流バスバーおよびW相交流バスバーにより構成され、
    前記U相交流バスバー、V相交流バスバーおよびW相交流バスバーのそれぞれは、少なくとも前記配線開口部と対向する部分が互いに平行となるように形成されていることを特徴とする電力変換装置。
  3. 請求項2に記載の電力変換装置において、
    前記交流バスバーが貫通する磁性材コアおよび該磁性材コアの磁束密度を検出する検出素子を有するセンサ部が、前記U相、V相およびW相交流バスバーの各々に対して設けられた電流センサを備え、
    前記電流センサを、前記配線開口部と対向する位置に設けたことを特徴とする電力変換装置。
  4. 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電力変換装置において、
    ケース開口部が前記ベース板の一方の面で塞がれて、前記ドライバ回路基板が配置される収納空間を形成する有底筒状の導電性のケースと、
    前記ベース板の他方の面に固定されて、前記制御回路基板が配置される収納空間を該ベース板との間に形成する導電性の蓋体と、を備え、
    前記一方の面が前記ケース開口部の周縁と接触するように前記ベース板を前記ケースに固定したことを特徴とする電力変換装置。
  5. 請求項4に記載の電力変換装置において、
    前記制御回路基板に接続するためのリード配線を有する外部コネクタを備え、
    前記リード配線が前記制御回路基板と前記ベース板との間の空間を通って該制御回路基板と接続されるように、前記外部コネクタを配置したことを特徴とする電力変換装置。
  6. 請求項5に記載の電力変換装置において、
    前記配線開口部は前記制御回路基板の一方の縁と対向する位置に配置され、前記外部コネクタは前記制御回路基板の前記一方の縁に対して反対側の縁に設けられていることを特徴とする電力変換装置。
  7. 請求項5または6に記載の電力変換装置において、
    前記ベース板には、前記制御回路基板の周囲を囲む壁部が一体に形成され、
    前記壁部の上端に前記蓋体を固定することにより前記制御回路基板が配置される収納空間が形成されることを特徴とする電力変換装置。
  8. 請求項7に記載の電力変換装置において、
    前記壁部には、前記外部コネクタが嵌め合わされる切り欠き部が形成されていることを特徴とする電力変換装置。
  9. 請求項4に記載の電力変換装置において、
    前記制御回路基板と電気的に接続される外部コネクタと、
    前記交流バスバーが接続される交流端子と、
    前記パワーモジュールに前記直流電流を供給するための直流端子と、を備え、
    前記直流端子及び前記交流端子は、前記ケースの一方側の側面に配置され、
    前記外部コネクタは、前記ケースの前記側面とは反対側の側面に配置されることを特徴とする電力変換装置。
  10. 請求項9に記載の電力変換装置において、
    前記ケースの内部において前記直流端子に接続される直流バスバーを備え、
    前記直流端子から延在する前記直流バスバーの延在方向が、前記交流端子から延在する前記交流バスバーの延在方向と平行であることを特徴とする電力変換装置。
  11. 請求項4に記載の電力変換装置において、
    前記パワーモジュールに前記直流電流を供給する直流バスバーを備え、
    前記ケース開口部を塞ぐ前記ベース板は、前記ケース開口部の一部を塞ぐ第1ベース板領域と他の一部を塞ぐ第2ベース板領域とを有し、
    前記制御回路基板は前記第1ベース板領域の蓋体側の面に対向するように配置され、
    前記ドライバ回路基板は前記第1ベース板領域のケース側の面に対向するように配置され、
    前記直流バスバーは前記第2ベース板領域のケース側の面に対向するように配置されていることを特徴とする電力変換装置。
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