JP5401452B2 - オプトエレクトロニクス半導体チップ - Google Patents

Description

オプトエレクトロニクス半導体チップが特定される。

特許文献１および特許文献２には、オプトエレクトロニクス半導体チップおよびその製造方法が記載されている。

国際公開第０２／１３２８１号 欧州特許出願公開第０９０５７９７号明細書

達成すべき目的は、特に効率的に動作し得るオプトエレクトロニクス半導体チップを特定することにある。

少なくとも一つの実施の形態によれば、オプトエレクトロニクス半導体チップは、放射伝播エリアを有する半導体ボディを有する。放射伝播エリアは、例えば半導体ボディの表面の一部により形成される。半導体チップにおいて生じる電磁放射が放射伝播エリア経由で半導体ボディを出ることができる。さらに、電磁放射を外部から放射伝播エリアを通じて半導体ボディに結合させることができる。

少なくとも一つの実施の形態によれば、オプトエレクトロニクス半導体チップは、接触用メタライゼーションを有する。接触用メタライゼーションは、例えばオプトエレクトロニクス半導体チップの放射伝播エリア上に配置される。すなわち、接触用メタライゼーションは、オプトエレクトロニクス半導体チップの放射伝播エリアに与えられ、部分的にまたは少なくとも部分的にそのエリアを覆う。接触用メタライゼーションは、オプトエレクトロニクス半導体チップとの電気的接触を例えばｎまたはｐサイドにて形成するに用いることができる。チップを動作させる電流は接触用メタライゼーションによりオプトエレクトロニクス半導体チップに印加される。

オプトエレクトロニクス半導体チップの少なくとも一つの実施の形態によれば、第１の反射性積層体が、放射伝播エリアから離れている接触用メタライゼーションの表面に与えられる。すなわち、接触用メタライゼーションは、少なくとも部分的に第１の反射性積層体により覆われる。

反射性積層体は、少なくとも一つの層を有する。しかしながら、反射性積層体は、複数の層を有することもできる。反射性積層体は、少なくとも特定の波長範囲の電磁放射に対して、接触用メタライゼーションよりも高い反射率を有することにより特徴付けられる。すなわち、少なくとも一つの特定の波長範囲の電磁放射は、接触用メタライゼーションに入射するときの反射よりも良好に、第１の反射性積層体により反射される。例として、第１の反射性積層体は、接触用メタライゼーションに比べて、オプトエレクトロニクス半導体チップにおいて生じる電磁放射に対して、増大した反射率を有する。

少なくとも一つの実施の形態によれば、オプトエレクトロニクス半導体チップは、放射伝播エリアと、放射伝播エリアに与えられた接触用メタライゼーションと、放射伝播エリアから離れている接触用メタライゼーションの表面に与えられた第１の反射性積層体と、を有し、反射性積層体は、電磁放射を反射して接触用メタライゼーションに戻すために設けられている。

ここに記載されたオプトエレクトロニクス半導体チップは、この場合、特に以下の考慮に基づいている。例として、発光ダイオードチップが、光が反射されて発光ダイオードチップに（つまり例えば放射伝播エリアに）戻されるような光学系において用いられる場合には、オプトエレクトロニクス半導体チップの接触用メタライゼーションが低反射率を有し、反射される放射を吸収するという、顕著な損失メカニズムが生じる。すなわち、半導体チップにおいて生じる電磁放射は、例えば半導体チップの方向において半導体チップの下流側に配置された光学要素にて反射される。この場合、この放射の一部を接触用メタライゼーションに入射させ、接触用メタライゼーションに吸収させることができる。この吸収された放射は、例えば半導体チップ内でフォトンリサイクリングに失われる。

この接触用メタライゼーション上に配置された第１の反射性積層体により、接触用メタライゼーションとこの接触用メタライゼーションに与えられた第１の反射性積層体とから成る接触部の反射率を増大させることができる。このようにすると、反射により発光ダイオードチップに戻される電磁放射が失われず、例えば第１の反射性積層体での反射後に光学系内に反射され得る。この目的のために、反射性積層体は好ましくは、半導体チップにおいて生じる電磁放射に対して少なくとも９０％の反射率を有する。

接触用メタライゼーションは、例えば、半導体チップのワイヤ接触接続のために設けられたボンディングパッドである。

オプトエレクトロニクス半導体チップの少なくとも一つの実施の形態によれば、第１の反射性積層体は、少なくとも一つの金属を有する。金属は、例えば、アルミニウムもしくは銀またはこれらの金属から成る合金とすることができる。さらに、反射性積層体は、アルミニウムおよび／または銀からそれぞれ形成された、あるいは、アルミニウムおよび／または銀を含む複数の層を有することができる。第１の反射性積層体が与えられる接触用メタライゼーションそのものは、例えば金から成るもの、または、金を含むものとすることができる。

オプトエレクトロニクス半導体チップの少なくとも一つの実施の形態によれば、第１の反射性積層体は、絶縁材料を含む少なくとも一つの層を有する。例として、この層は、放射伝播エリアから離れている第２の反射性積層体の表面に与えられることができ、反射性金属層のパッシベーションを形成することができる。

しかしながら、第１の反射性積層体は、同一のまたは異なる絶縁材料から成る複数の層を含むことができる。例として、第１の反射性積層体は、より低い屈折率を有する第１の絶縁層の積層体から成る。より高い屈折率を有する少なくとも一つの第２の絶縁層は、低屈折率を有する二つの層の間にそれぞれ配置される。異なる屈折率を有する交互絶縁層は、例えば、ブラッグミラーまたはブラッグ同様のミラーを形成することができる。

オプトエレクトロニクス半導体チップの少なくとも一つの実施の形態によれば、少なくとも一つの電流拡散路が、オプトエレクトロニクス半導体チップの放射伝播エリアに与えられる。この場合、電流拡散路は、接触用メタライゼーションに導電接続される。電流拡散路は、放射伝播エリア上で接触用メタライゼーションにより印加された電磁電流を拡散させるために設けられる。このようにして実現されることは、オプトエレクトロニクス半導体チップの活性ゾーン内にできるだけ均一に電流が印加されることである。このようにして実現されることは、オプトエレクトロニクス半導体チップの活性ゾーンにおいてできるだけ均一に電磁放射を生じさせることができることである。この場合、オプトエレクトロニクス半導体チップは、接触用メタライゼーションに導電接続され、且つ、放射伝播エリア上で電流を拡散させる複数の電流拡散路を有することができる。

オプトエレクトロニクス半導体チップの少なくとも一つの実施の形態によれば、電流拡散路は、オプトエレクトロニクス半導体チップの放射伝播エリアに与えられた電流拡散用メタライゼーションを有する。この場合、電流拡散用メタライゼーションは、接触用メタライゼーションと同一の材料から形成することができ、例えば接触用メタライゼーションと同一の製造工程において半導体チップの放射伝播エリアに与えられる。この場合、電流拡散用メタライゼーションは、例えば、金およびＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）のような透明導電酸化物（ＴＣＯ）のうち少なくとも一つを含み、またはそれから成る。電流拡散路は、放射伝播エリアから離れている電流拡散用メタライゼーションの表面に与えられた第２の反射性積層体をさらに有し、第２の反射性積層体は、電磁放射を反射して電流拡散用メタライゼーションに戻すために設けられる。

オプトエレクトロニクス半導体チップの少なくとも一つの実施の形態によれば、第２の反射性積層体は、金属を含む少なくとも一つの層を有する。金属は、例えば、アルミニウム、銀またはこれら二つの金属から成る合金である。例として、第２の反射性積層体は、アルミニウムおよび／または銀から成り、または、アルミニウムおよび／または銀を含む複数の層を有することができる。

オプトエレクトロニクス半導体チップの少なくとも一つの実施の形態によれば、第２の反射性積層体は、絶縁材料を含む少なくとも一つの層を有する。例として、この層は、放射伝播エリアから離れている第２の反射性積層体の表面に与えることができ、反射性金属層のパッシベーションを形成することができる。さらに、第２の反射性積層体は、複数の絶縁層を有することができ、例として、相互に隣接する層は、第２の反射性積層体がブラッグミラーまたはブラッグ同様のミラーを形成するように異なる屈折率を有することができる。

少なくとも一つの実施の形態によれば、第２の反射性積層体は、その組成において第１の反射性積層体と相違する。これは例えば、第２の反射性積層体が絶縁層を有すること、および、第１の反射性積層体が金属層のみを有することにより、実現可能である。これにより、特に簡単な方法で、第１および第２の反射性積層体の完成後のチップとの電気的接触が、接触部での接触用ワイヤにより可能となる。接触用ワイヤが絶縁層により覆われないからである。

しかしながら、代替手法として、第１および第２の反射性積層体が同一構成を有してもよいし、双方の積層体が少なくとも一つの絶縁層を有してもよい。例としては、その場合い、接触用ワイヤと接触用メタライゼーションとの導電接続を、エッチングまたはマスク技術により形成することができる。

さらに、オプトエレクトロニクス半導体コンポーネントが特定される。オプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの少なくとも一つの実施の形態によれば、コンポーネントは、前述の例示的な実施の形態の少なくとも一つによるオプトエレクトロニクス半導体チップを有する。さらに、オプトエレクトロニクス半導体コンポーネントは、放出方向においてオプトエレクトロニクス半導体チップの下流側に配置された光学フィルタ要素を有する。光学フィルタ要素は、第１の放射特性を有する第１の放射成分を透過し、且つ、第１の放射特性と異なる第２の放射特性を有する第２の放射成分を反射するに適している。

この場合、光学フィルタ要素は、動作中にオプトエレクトロニクス半導体チップにより放出された電磁放射の少なくとも一部（好ましくは大部分）が光学フィルタ要素まで伝播し、そこを透過しまたはそこで反射されるように、オプトエレクトロニクス半導体チップの下流側に配置される。

光学フィルタ要素により透過されず反射された放射成分は、オプトエレクトロニクス半導体チップの放射伝播エリアに入射し、そこで放射は、再びオプトエレクトロニクス半導体チップに結合されるか、あるいは放射伝播エリアにて光学フィルタ要素に向けて反射されるか、あるいは接触用メタライゼーションまたは電流拡散用メタライゼーションにそれぞれ与えられた第１または第２の反射性積層体にて光学フィルタ要素に向けて反射される。放射伝播エリアを通じてオプトエレクトロニクス半導体チップに結合される電磁放射は、チップにより反射され、あるいは吸収されて再放出される。したがって、この場合、電磁放射はフォトンリサイクルされる。

全体として、下流側に配置された光学フィルタ要素を有するオプトエレクトロニクスコンポーネントにおいて、接触部の反射率および電流拡散路の反射率が第１および第２の反射性積層体により増大されたオプトエレクトロニクス半導体チップは、接触部および電流拡散路にそれぞれ与えられた第１および第２の反射性積層体がそこに入射する放射の吸収を生じにくくし、あるいはそれを完全に防ぐため、特に有利であることが分かる。

これにより、オプトエレクトロニクスコンポーネントの効率が、反射性積層体のない半導体チップを有するオプトエレクトロニクスコンポーネントに比べて増大される。

好ましくは、第１の放射特性は第２の放射特性に対して補足的である。さらに、放射特性は、放射の方向、偏光または波長を意味するものと考えることができる。ここに記載されたオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの目的のために、電磁放射の第１の方向は、第１の立体角範囲内にあり、電磁放射の第２の方向は、第１の立体角範囲に対して補足的な立体角範囲にある。さらに、第１の偏光は平行偏光に対応し、第２の偏光は垂直偏光に対応することができる。最後に、第１の波長に対して補足的な第２の波長は、第１の波長と異なる波長とすることができる。なお、補足的（complementary）は必ずしも、色彩学上狭義に解釈されるべきでない。

オプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの少なくとも一つの実施の形態によれば、光学フィルタ要素は、第１の波長を有しまたは第１の波長範囲にある電磁放射を透過し且つ第２の波長を有しまたは第２の波長範囲にある電磁放射を反射するダイクロイックフィルタを有する。

オプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの少なくとも一つの実施の形態によれば、光学フィルタ要素は、第１の偏光を有する電磁放射を透過し且つ第２の偏光を有する電磁放射を反射する偏光フィルタを有する。

オプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの少なくとも一つの実施の形態によれば、光学フィルタ要素は、第１の方向を有する電磁放射を透過し且つ第２の方向を有する電磁放射を反射する角度フィルタを有する。

オプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの少なくとも一つの実施の形態によれば、光学フィルタ要素は、半導体チップにより放出された電磁放射の少なくとも一部から、半導体チップにより生成された放射の波長と異なる波長を有する波長変換放射を生成する輝度変換材料を有する。

以下、ここに記載されたオプトエレクトロニクス半導体チップおよびここに記載されたオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントについて、例示的な実施の形態および関連の図面に基づいて、より詳細に説明する。

第１および第２の例示的な実施の形態によるオプトエレクトロニクス半導体チップの概略平面図 第１の例示的な実施の形態によるオプトエレクトロニクス半導体チップの概略断面図 第２の例示的な実施の形態によるオプトエレクトロニクス半導体チップの概略断面図 第３および第４の例示的な実施の形態によるオプトエレクトロニクス半導体チップの概略平面図 第３の例示的な実施の形態によるオプトエレクトロニクス半導体チップの概略断面図 第４の例示的な実施の形態によるオプトエレクトロニクス半導体チップの概略断面図 第１の例示的な実施の形態によるオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの概略断面図 第２の例示的な実施の形態によるオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの概略断面図 第３の例示的な実施の形態によるオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの概略断面図 第４の例示的な実施の形態によるオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの概略断面図

同一のまたは同一の作用を有する構成部分は、例示的な実施の形態および図面においていずれの場合も同一の参照符号を付与される。図示された要素は、縮尺どおりとみなすべきでなく、むしろ、個々の要素が、より理解しやすいように誇張された寸法で図示されている場合もある。

図１Ａは、第１および第２の例示的な実施の形態によるオプトエレクトロニクス半導体チップ１の概略平面図を示す。図１Ｂは、第１の例示的な実施の形態による線ＡＡ’に沿った断面図を示す。図１Ｃは、第２の例示的な実施の形態による線ＡＡ’に沿った断面図を示す。

第１の実施の形態によれば、オプトエレクトロニクス半導体チップはキャリア８を有する。キャリア８は例えば、オプトエレクトロニクス半導体チップの半導体層がエピタキシャルに堆積される成長基板とすることができる。しかしながら、キャリア８を、原成長基板から離れている半導体チップの表面に与えられたキャリアとすることもできる。この場合、成長基板は薄層化されまたは完全除去される。この場合、半導体チップ１は、特に、いわゆる薄膜半導体チップとすることができる。薄膜設計の発光ダイオードチップは例えば、特許文献１および特許文献２に記載されており、薄膜設計に関するそれらの開示内容は、本願に援用される。

図１Ｂおよび図１Ｃに関連して記載されるオプトエレクトロニクス半導体チップ１の例示的な実施の形態は、薄膜チップを含む。この場合、キャリア８に続いて反射層または反射性積層体７が、半導体チップ１に入射しまたは半導体チップ１にて生じた放射を反射するために設けられる。キャリアから離れているミラー層７の面には、散乱層６が配置される。散乱層６は、任意的なものであり、ミラー層７の方向に伝播する電磁放射またはミラー層７により反射された電磁放射の散乱を可能にする。さらに、オプトエレクトロニクス半導体チップは、放射を生成するために設けられた活性ゾーン４を有する。この目的のために、活性ゾーン４は、複数の半導体層とすることができる。例として、活性層はｐｎ接合、ヘテロ構造、単一量子井戸構造および／または多重量子井戸構造を有する。また、量子井戸構造とは、特に、電荷キャリアが閉じ込めの結果としてそのエネルギ状態の量子化を受け得る任意の構造を包含するものである。特に、量子井戸構造とは、量子化の次元についての表示を含むものではない。したがって、これはとりわけ、量子井戸、量子ワイヤおよび量子ドットならびにこれらの構造の任意の組合せを包含するものである。

活性ゾーン４は、クラッド層５により包囲される。クラッド層５は、それぞれｎ型ドープおよびｐ型ドープされる。さらに、オプトエレクトロニクス半導体チップは、第２の散乱層６を有する。第２の散乱層６は、活性ゾーン４から離れているクラッド層５の表面に与えられ、同様に任意的なものである。この散乱層６は、オプトエレクトロニクス半導体チップに入射する放射または放射伝播エリア３を通じてオプトエレクトロニクス半導体チップから出現する放射を散乱する役割を有する。接触部２は、放射伝播エリア３に与えられる。図１Ｂに関連して記載された例示的な実施の形態において、接触部２は、接触用メタライゼーション２ａを有する。接触用メタライゼーション２ａは、放射伝播エリア３に直接与えられ、例えば金から成る。第１の反射性積層体２ｂは、接触用メタライゼーション２ａに与えられる。ここで、この反射性積層体は例えば、アルミニウム、銀またはアルミニウム銀合金から成る単一の層を含む。接触用メタライゼーション２ａに比べて、第１の反射性積層体２ｂは、オプトエレクトロニクス半導体チップ１において生じる電磁放射に対して増大した反射率を有する。さらに、第１の反射性積層体２ｂは、半導体チップ１の外部で生じた電磁放射、例えば波長変換放射に対して、増大した反射率を有することができる。

図１Ｃに関連して記載された第２の例示的な実施の形態において、第２の反射性積層体２ｂは、複数の層２２を有する。例として、これらの層は、連続した金属層とすることができ、これらの金属層は、アルミニウムおよび銀から交互に形成することができる。さらに、例えば放射伝播エリア３から離れている最外層を、下方の金属層のパッシベーションの役割を有する絶縁層とすることができる。さらに、第２の反射性積層体を、例えばブラッグミラーまたはブラッグ同様のミラーを形成する連続した絶縁層から成るものとすることができる。

図２Ａは、第３および第４の例示的な実施の形態によるオプトエレクトロニクス半導体チップの概略平面図を示す。図２Ｂおよび図２Ｃは、オプトエレクトロニクス半導体チップの第３および第４の例示的な実施の形態の線ＡＡ’に沿った断面図をそれぞれ示す。図２Ａ、図２Ｂおよび図２Ｃに関連して記載されたオプトエレクトロニクス半導体チップの例示的な実施の形態において、電流拡散路９が、放射伝播エリアに与えられる。電流拡散路９は、接触部２に導電接続され、接触部２にて印加される電流を、放射伝播エリア全体にわたって均一に拡散する役割を有する。これにより、活性ゾーン４を均一に活性化（energize）させることができる。

図２Ｂに関連して記載された実施の形態において、接触部２は、図１Ｂに関連して記載されたものと同様、接触用メタライゼーション２ａと反射性積層体２ｂとにより形成される。電流拡散路９はそれぞれ、例えば金から成る電流拡散用メタライゼーション９ａと、放射伝播エリア３から離れている電流拡散路９の表面に与えられた第２の反射性被覆部９ｂとを有する。これら第２の反射性積層体９ｂは、第１の反射性積層体２ｂと同様に構成可能である（図２Ｂ参照）。

さらに、図２Ｃに関連して示されるように、第２の反射性積層体９ｂは、第１の反射性積層体２ｂとは異なるように構成可能である。例として、第１の反射性積層体２ｂは金属により形成可能であるが、第２の反射性積層体９ｂは、絶縁材料を含むものとすることができ、例えばブラッグミラーまたはブラッグ同様のミラーを形成する。そして、第２の反射性積層体９ｂは、絶縁材料から成る個別層９９を有し、個別層９９の屈折率は、隣接する個別層と異なる。

図３は、ここに記載されたオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント１０の第１の例示的な実施の形態を示す。オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント１０は、例えば図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図２Ａ、図２Ｂおよび図２Ｃに関連して記載されたオプトエレクトロニクス半導体チップ１を有する。さらに、オプトエレクトロニクス半導体コンポーネントは、光学フィルタ要素１１を有する。光学フィルタ要素１１は例えば、偏光フィルタ、ダイクロイックフィルタ、一つの層に存在し得る輝度変換材料、または角度フィルタである。

フィルタ要素１１が例えば偏光フィルタである場合、オプトエレクトロニクス半導体チップの活性ゾーン４において生じた、第１の偏光方向を有する電磁放射は、透過される。残余の電磁放射は光学フィルタ要素により反射され、オプトエレクトロニクス半導体チップに戻される。このチップにて、放射は、ミラー層７、放射伝播エリア３、第１の反射性積層体２ｂまたは第２の反射性積層体９ｂのいずれかにより反射され得る。

偏光方向は、各反射過程において変更可能である。さらに、電磁放射は、活性ゾーン４において吸収可能であり、その後に、変更された偏光方向を有して再放出可能である。このようにして反射され再放出された電磁放射は、光学フィルタ要素１１により透過される偏光成分を有する。残余の放射は、前述の反射または吸収の過程を含むサイクルをさらに受ける。

光学フィルタ要素１１がダイクロイックフィルタである場合、特定波長を有しまたは特定波長範囲から生じた電磁放射は、透過される。前述したような残余の電磁放射は、光学フィルタ要素により反射され、結局、活性ゾーン４において再吸収され再放出される。

光学フィルタ要素１１が角度フィルタである場合、特定立体角範囲にある方向を有する電磁放射だけが、透過される。これにより、特に、放出角を狭角に制限することによりオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの輝度を容易に増大させることができる。透過されない電磁放射は反射され、再びチップに戻され、そこから光学フィルタ要素に向けて再び反射される。この場合、電磁放射が角度フィルタを通過する方向を有するまで、複数の反射を生じさせることができる。

光学フィルタ要素が輝度変換材料である場合、輝度変換材料により後方散乱しまたは放射伝播エリア３の方向に放出された変換後の電磁放射は、放射伝播エリア３、第１の反射性積層体２ｂおよび／または第２の反射性積層体９ｂにより輝度変換材料内に反射され、そこで透過され、または輝度変換材料によりもう一度波長変換され得る。

図３に関連して記載されたオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの例示的な実施の形態において、間隙部１２が、オプトエレクトロニクス半導体チップ１と光学フィルタ要素１１との間に配置される。この間隙部１２は、例えば空気で充填され得る。

図４に関連して記載されたオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの例示的な実施の形態において、光学フィルタ要素１１は、オプトエレクトロニクス半導体チップと光学フィルタ要素との間に間隙部１２が介在しないように、オプトエレクトロニクス半導体チップ１上に直接配置される。

図５の例示的な実施の形態において、光学フィルタ要素１１は光学体１１ａを有し、光学体１１ａは例えば、反射器および／または集光器（例えば、ＣＰＣ（compound parabolic concentrator：複合放物面集光器）、ＣＨＣ（compound hyperbolic concentrator：複合双曲面集光器）もしくはＣＥＣ（compound elliptic concentrator：複合楕円面集光器））のような反射性光学ユニットを有する。そして、フィルタ層１１ｂが、光学体１１ａの放射伝播エリア１１ｃに与えられる。フィルタ層１１ｂは、図３に関連して記載された光学フィルタ要素１１と同様に形成可能である。

ここに記載されたオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントのさらなる例示的な実施の形態は、図６に関連して示される。

この例示的な実施の形態において、光学フィルタ要素は、埋め込み用樹脂１３内に配置された輝度変換粒子１４により形成される。輝度変換粒子１４を有する埋め込み用樹脂１３は、輝度変換材料を形成する。さらに、フィルタ要素は例えば、オプトエレクトロニクス半導体チップ用ハウジング１７の傾斜内壁により形成された反射壁１５を有する。半導体チップ１において生じる電磁放射は、反射壁１５または輝度変換粒子１４により反射されて半導体チップに戻される。この放射は、放射伝播エリア３、第１の反射性積層体２ｂ、第２の反射性積層体９ｂまたはミラー層７にて反射される。

ここに記載されたオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの全ての例示的な実施の形態において、第１および第２の反射性積層体は、コンポーネントの効率を向上させることができる。接触部２および電流拡散路９にそれぞれ入射する電磁放射がそこで吸収されずに、さらなる利用のために反射されるからである。

ここに記載された発明は、例示的な実施の形態に基づく記載により限定されるものではない。新規な特徴またはその組合せそのものが特許請求の範囲にも例示的な実施の形態にも明確に特定されていないとしても、本発明は、任意の新規な特徴またはその組合せ、特に特許請求の範囲に記載された特徴の任意の組合せを含む。

本願は、独国特許出願第１０２００７０２９３９１．９の優先権を主張し、その開示内容は本願に援用される。

Claims (14)

1. − 放射伝播エリア（３）と、
   − 前記放射伝播エリア（３）に与えられた接触用メタライゼーション（２ａ）と、
   − 前記放射伝播エリア（３）から離れている前記接触用メタライゼーション（２ａ）の表面に与えられた第１の反射性積層体（２ｂ）と、を有するオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）であって、
   前記第１の反射性積層体（２ｂ）は、電磁放射を反射して前記接触用メタライゼーション（２ａ）に戻すために設けられ、
   少なくとも一つの電流拡散路（９）が前記放射伝播エリア（３）に与えられ、
   前記電流拡散路（９）は、前記接触用メタライゼーション（２ａ）に導電接続され、
   前記電流拡散路（９）は、電流拡散用メタライゼーション（９ａ）と、前記放射伝播エリア（３）から離れている前記電流拡散用メタライゼーション（９ａ）の表面に与えられた第２の反射性積層体（９ｂ）と、を有し、
   前記第２の反射性積層体（９ｂ）は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）で生じた電磁放射を反射して前記電流拡散用メタライゼーション（９ａ）に戻すとともに、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）の外部で生じた電磁放射を反射するために設けられる、
   オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
2. 前記接触用メタライゼーション（２ａ）は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）のワイヤ接触接続のために設けられたボンディングパッドである、
   請求項１記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
3. 前記第１の反射性積層体（２ｂ）は、金属を含む少なくとも一つの層を有する、
   請求項１または請求項２記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
4. 前記第１の反射性積層体（２ｂ）は、アルミニウムおよび銀のうち少なくとも一つを含む少なくとも一つの層（２２）を有する、
   請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
5. 前記第１の反射性積層体（２ｂ）は、絶縁材料を含む少なくとも一つの層（２２）を有する、
   請求項１から請求項４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
6. 前記第１の反射性積層体（２ｂ）は、ブラッグミラーを形成する、
   請求項１から請求項５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
7. 前記第２の反射性積層体（９ｂ）は、金属を、特にアルミニウムおよび／または銀を含む少なくとも一つの層を有する、
   請求項１記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
8. 前記第２の反射性積層体（９ｂ）は、絶縁材料を含む少なくとも一つの層（９９）を有する、
   請求項１から請求項７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
9. 前記第２の反射性積層体（９ｂ）は、ブラッグミラーを形成する、
   請求項１から請求項８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
10. − 請求項１から請求項９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）と、
    − 放出方向において前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）の下流側に配置された光学フィルタ要素（１１）と、を有し、
    前記光学フィルタ要素（１１）は、第１の放射特性を有する第１の放射成分を透過し且つ第１の放射特性と異なる第２の放射特性を有する第２の放射成分を反射するに適している、
    オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント。
11. 前記光学フィルタ要素（１１）は、ダイクロイックフィルタを有する、
    請求項１０記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント。
12. 前記光学フィルタ要素（１１）は、偏光フィルタを有する、
    請求項１０または請求項１１記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント。
13. 前記光学フィルタ要素（１１）は、角度フィルタを有する、
    請求項１０から請求項１２のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント。
14. 前記光学フィルタ要素（１１）は、輝度変換材料を有する、
    請求項１０から請求項１３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント。

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