JP5375630B2 - Lead frame with resin and manufacturing method thereof, and LED element package and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにLED素子パッケージおよびその製造方法に係り、とりわけLED素子パッケージの発光効率を向上させることが可能な樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびに発光効率を向上させたLED素子パッケージおよびその製造方法に関する。 The present invention relates to a lead frame with a resin and a method for manufacturing the same, and an LED element package and a method for manufacturing the same, and in particular, a lead frame with a resin capable of improving the light emission efficiency of the LED element package, a method for manufacturing the resin, and a light emission efficiency. The present invention relates to an LED element package and a manufacturing method thereof.
従来より、LED(発光ダイオード)素子を光源として用いる照明装置が、各種家電、OA機器、車両機器の表示灯、一般照明、車載照明、およびディスプレイ等に用いられている。このような照明装置の中には、LED素子を有するLED素子パッケージを含むものがある。 2. Description of the Related Art Conventionally, lighting devices that use LED (light emitting diode) elements as light sources have been used for various home appliances, OA equipment, display lights for vehicle equipment, general lighting, in-vehicle lighting, displays, and the like. Some such lighting devices include an LED element package having LED elements.
LED素子パッケージとして、従来より例えば特許文献1−2に記載されたものが知られている。しかしながら、このようなLED素子パッケージにおいては、LED素子がリードフレーム上に設けられているため、全体の厚みが例えば2〜3mm程度と厚くなってしまうため、薄型化を図ることが難しい。 As an LED element package, what was conventionally described in patent document 1-2, for example is known. However, in such an LED element package, since the LED element is provided on the lead frame, the entire thickness is increased to, for example, about 2 to 3 mm, so that it is difficult to reduce the thickness.
一方、特許文献3−4には、コアレス型半導体パッケージが開示されている。コアレス型半導体パッケージは、半導体パッケージの薄型化および放熱特性の向上という2点の課題を解決するために開発された半導体パッケージの形態である。リードフレームやインタポーザと呼ばれる内部配線基板などのコア部材は、単体で搬送や加工可能な形状と、機械的強度とを維持するため一定の厚さを有している。上述したコアレス型半導体パッケージには、リードフレームや内部配線基板(インタポーザと呼ばれる)等のコア部材が含まれていないため(コアレス)、半導体パッケージの薄型化が可能となっている。 On the other hand, Patent Literature 3-4 discloses a coreless semiconductor package. The coreless semiconductor package is a form of a semiconductor package that has been developed to solve the two problems of thinning the semiconductor package and improving heat dissipation characteristics. A core member such as an internal wiring board called a lead frame or an interposer has a certain thickness in order to maintain the shape and mechanical strength that can be transported and processed by itself. Since the coreless semiconductor package described above does not include a core member such as a lead frame or an internal wiring board (referred to as an interposer) (coreless), the semiconductor package can be thinned.
しかしながら、このような従来のコアレス型半導体パッケージにLED素子を搭載した場合、半導体パッケージ(LED素子パッケージ)からの発光効率が低くなってしまうという問題がある。 However, when an LED element is mounted on such a conventional coreless semiconductor package, there is a problem that light emission efficiency from the semiconductor package (LED element package) is lowered.
すなわち、従来のコアレス型半導体パッケージにLED素子を搭載した場合、LED素子からの光の一部は表面(発光面)から放出するが、このほかの光は発光面から放出せず、例えば半導体パッケージ内で内部反射することにより、半導体パッケージの側面または裏面から外部に漏れてしまう。このように半導体パッケージの側面または裏面から光が漏れることにより、表面(発光面)からの光が失われる。このような光の損失は、LED素子パッケージにおける発光効率の低下を引き起こし、LED素子パッケージの輝度を向上させるうえで障害となるため、大きな問題となっている。 That is, when an LED element is mounted on a conventional coreless semiconductor package, part of the light from the LED element is emitted from the surface (light emitting surface), but other light is not emitted from the light emitting surface. Due to internal reflection, leakage from the side surface or back surface of the semiconductor package to the outside occurs. As described above, light leaks from the side surface or the back surface of the semiconductor package, so that light from the front surface (light emitting surface) is lost. Such a loss of light causes a decrease in light emission efficiency in the LED element package, which is a problem in improving the luminance of the LED element package, and is therefore a big problem.
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、LED素子パッケージを薄型にすることが可能であるとともに、LED素子パッケージの発光効率を向上させることが可能な、樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにLED素子パッケージおよびその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of the above points, and it is possible to reduce the thickness of the LED element package and improve the luminous efficiency of the LED element package. An object of the present invention is to provide a manufacturing method thereof, an LED element package and a manufacturing method thereof.
本発明は、LED素子パッケージを作製するために用いられる樹脂付リードフレームにおいて、LED素子を載置するダイパッドと、ダイパッド周囲に設けられた配線導体とを備え、少なくともダイパッドの周囲に、LED素子からの光を反射するための反射樹脂部を設け、ダイパッド、配線導体および反射樹脂部の裏面に支持基板が設けられ、ダイパッドおよび配線導体は、支持基板上にめっき形成用レジストを用いてめっきにより形成され、反射樹脂部はめっき形成用レジストからなることを特徴とする樹脂付リードフレームである。 The present invention relates to a resin-made lead frame used for manufacturing an LED element package, comprising a die pad on which the LED element is placed and a wiring conductor provided around the die pad, and at least around the die pad from the LED element. A reflective resin part for reflecting the light is provided, and a support substrate is provided on the back surface of the die pad, the wiring conductor, and the reflective resin part, and the die pad and the wiring conductor are formed on the support substrate by plating using a plating forming resist. The reflective resin portion is a lead frame with a resin characterized by comprising a plating forming resist.
本発明は、配線導体周囲に、追加の反射樹脂部を設けたことを特徴とする樹脂付リードフレームである。 The present invention is the lead frame with resin, wherein an additional reflective resin portion is provided around the wiring conductor.
本発明は、反射樹脂部は、ダイパッドと配線導体との間に充填されていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。 The present invention is the lead frame with resin, wherein the reflective resin portion is filled between the die pad and the wiring conductor.
本発明は、支持基板上に、それぞれ1つのLED素子に対応する複数個の単位リードフレームが搭載され、各単位リードフレームは、1つのLED素子に対応するダイパッドと、このダイパッドに対応する配線導体と、これらダイパッドおよび配線導体を取り囲む反射樹脂部とを含み、各単位リードフレームと、この単位リードフレームに隣接する単位リードフレームとの間に境界隙間部が設けられ、この境界隙間部に、反射樹脂部と同一材料からなる樹脂が充填されていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。 In the present invention, a plurality of unit lead frames each corresponding to one LED element are mounted on a support substrate. Each unit lead frame includes a die pad corresponding to one LED element and a wiring conductor corresponding to this die pad. And a reflective resin portion surrounding the die pad and the wiring conductor, and a boundary gap portion is provided between each unit lead frame and a unit lead frame adjacent to the unit lead frame. A lead frame with a resin, which is filled with a resin made of the same material as the resin portion.
本発明は、ダイパッドおよび配線導体のうち少なくとも一方は、側方に向けて突出する突起部を有することを特徴とする樹脂付リードフレームである。 The present invention is the lead frame with resin characterized in that at least one of the die pad and the wiring conductor has a protruding portion protruding toward the side.
本発明は、反射樹脂部は、上方へ先細となる断面台形状を有することを特徴とする樹脂付リードフレームである。 The present invention is the lead frame with resin, wherein the reflective resin portion has a trapezoidal cross section that tapers upward.
本発明は、ダイパッドおよび配線導体のうち少なくとも一方の裏面側に凹部が形成され、この凹部内に、反射樹脂部と同一の材料からなる樹脂が充填されていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。 According to the present invention, there is provided a lead frame with a resin, wherein a recess is formed on the back side of at least one of a die pad and a wiring conductor, and the recess is filled with a resin made of the same material as the reflective resin portion. It is.
本発明は、ダイパッドおよび配線導体のうち少なくとも一方の表面側に凹部が形成され、この凹部内に、反射樹脂部と同一の材料からなる樹脂が充填されていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。 According to the present invention, there is provided a lead frame with a resin, wherein a concave portion is formed on at least one surface side of a die pad and a wiring conductor, and the concave portion is filled with a resin made of the same material as the reflective resin portion. It is.
本発明は、ダイパッド表面よりダイパッド裏面の方が面積が広く、かつ配線導体裏面より配線導体表面の方が面積が広いことを特徴とする樹脂付リードフレームである。 The present invention is a lead frame with a resin characterized in that the die pad back surface has a larger area than the die pad surface, and the wiring conductor surface has a larger area than the wiring conductor back surface.
本発明は、配線導体は、ダイパッドの両側に配置された第1の配線導体と第2の配線導体とからなることを特徴とする樹脂付リードフレームである。 The present invention is the lead frame with resin, wherein the wiring conductor is composed of a first wiring conductor and a second wiring conductor arranged on both sides of the die pad.
本発明は、ダイパッドと配線導体との間に充填された反射樹脂部の表面が、ダイパッドの表面および配線導体の表面と互いに同一平面上にあるか、またはダイパッドと配線導体との間に充填された反射樹脂部の表面が、ダイパッドの表面および配線導体の表面より下方に位置することを特徴とする樹脂付リードフレームである。 In the present invention, the surface of the reflective resin portion filled between the die pad and the wiring conductor is flush with the surface of the die pad and the surface of the wiring conductor, or is filled between the die pad and the wiring conductor. The lead frame with resin is characterized in that the surface of the reflective resin portion is positioned below the surface of the die pad and the surface of the wiring conductor.
本発明は、LED素子パッケージにおいて、ダイパッドと、ダイパッド上に載置されたLED素子と、ダイパッド周囲に設けられた配線導体と、配線導体とLED素子とを電気的に接続する導電部と、少なくともダイパッドの周囲に設けられ、LED素子からの光を反射するための反射樹脂部と、ダイパッド、LED素子、配線導体、導電部および反射樹脂部を封止する封止樹脂部とを備え、ダイパッドおよび配線導体は、めっき形成用レジストを用いてめっきにより形成され、反射樹脂部はめっき形成用レジストからなることを特徴とするLED素子パッケージである。 In the LED element package, the present invention provides a die pad, an LED element placed on the die pad, a wiring conductor provided around the die pad, a conductive portion that electrically connects the wiring conductor and the LED element, and at least A reflection resin portion provided around the die pad for reflecting light from the LED element; and a sealing resin portion for sealing the die pad, the LED element, the wiring conductor, the conductive portion, and the reflection resin portion. The wiring conductor is formed by plating using a plating formation resist, and the reflective resin portion is made of a plating formation resist.
本発明は、配線導体周囲に、追加の反射樹脂部を設けたことを特徴とするLED素子パッケージである。 The present invention is an LED element package characterized in that an additional reflective resin portion is provided around a wiring conductor.
本発明は、反射樹脂部は、ダイパッドと配線導体との間に充填されていることを特徴とするLED素子パッケージである。 The present invention is the LED element package, wherein the reflective resin portion is filled between the die pad and the wiring conductor.
本発明は、ダイパッドおよび配線導体のうち少なくとも一方は、側方に向けて突出する突起部を有することを特徴とするLED素子パッケージである。 The present invention is the LED element package characterized in that at least one of the die pad and the wiring conductor has a protruding portion protruding sideways.
本発明は、反射樹脂部は、上方へ先細となる断面台形状を有することを特徴とするLED素子パッケージである。 The present invention is the LED element package characterized in that the reflective resin portion has a trapezoidal cross section that tapers upward.
本発明は、ダイパッドおよび配線導体のうち少なくとも一方の裏面側に凹部が形成され、この凹部内に、反射樹脂部と同一の材料からなる樹脂が充填されていることを特徴とするLED素子パッケージである。 The present invention provides an LED element package characterized in that a recess is formed on the back side of at least one of the die pad and the wiring conductor, and the recess is filled with a resin made of the same material as the reflective resin portion. is there.
本発明は、ダイパッドおよび配線導体のうち少なくとも一方の表面側に凹部が形成され、この凹部内に、反射樹脂部と同一の材料からなる樹脂が充填されていることを特徴とするLED素子パッケージである。 The present invention is an LED element package characterized in that a concave portion is formed on at least one surface side of a die pad and a wiring conductor, and the concave portion is filled with a resin made of the same material as the reflective resin portion. is there.
本発明は、ダイパッド表面よりダイパッド裏面の方が面積が広く、かつ配線導体裏面より配線導体表面の方が面積が広いことを特徴とするLED素子パッケージである。 The present invention is an LED element package characterized in that the die pad back surface has a larger area than the die pad surface, and the wiring conductor surface has a larger area than the wiring conductor back surface.
本発明は、配線導体は、ダイパッドの両側に配置された第1の配線導体と第2の配線導体とからなることを特徴とするLED素子パッケージである。 The present invention is the LED element package characterized in that the wiring conductor includes a first wiring conductor and a second wiring conductor arranged on both sides of the die pad.
本発明は、LED素子パッケージを作製するために用いられる樹脂付リードフレームの製造方法において、支持部材として機能する支持基板を準備する工程と、支持基板の表面に、所望パターンを有するめっき形成用レジストであって、LED素子からの光を反射するための反射樹脂部として機能するめっき形成用レジストを設ける工程と、支持基板の表面側にめっきを施し、LED素子を載置するダイパッドと、ダイパッド周囲に配線導体とを形成する工程とを備え、反射樹脂部は、少なくともダイパッドの周囲に設けられることを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。 The present invention relates to a resin lead frame manufacturing method used for manufacturing an LED element package, a step of preparing a support substrate that functions as a support member, and a plating formation resist having a desired pattern on the surface of the support substrate. A step of providing a resist for forming a plating functioning as a reflective resin portion for reflecting light from the LED element, a die pad for plating the surface side of the support substrate, and mounting the LED element, and the periphery of the die pad And a step of forming a wiring conductor, and the reflective resin portion is provided at least around the die pad.
本発明は、めっき形成用レジストは、フォトリソグラフィ法により形成されることを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。 The present invention is the method for manufacturing a resin-attached lead frame, wherein the plating formation resist is formed by a photolithography method.
本発明は、めっき形成用レジストは、樹脂成形法により形成されることを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。 The present invention is the method for manufacturing a lead frame with a resin, wherein the resist for plating formation is formed by a resin molding method.
本発明は、めっき形成用レジストは、スクリーン印刷法により形成されることを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。 The present invention is the method of manufacturing a resin-attached lead frame, wherein the plating formation resist is formed by a screen printing method.
本発明は、LED素子パッケージの製造方法において、樹脂付リードフレームの製造方法により樹脂付リードフレームを作製する工程と、樹脂付リードフレームのダイパッド上にLED素子を搭載する工程と、LED素子と配線導体とを導電部により接続する工程と、支持基板上のダイパッド、LED素子、配線導体、導電部および反射樹脂部を封止樹脂により樹脂封止して封止樹脂部を形成する工程と、支持基板を封止樹脂部から除去する工程とを備えたことを特徴とするLED素子パッケージの製造方法である。 The present invention relates to a method of manufacturing an LED element package, a step of producing a lead frame with a resin by a method of manufacturing a lead frame with a resin, a step of mounting an LED element on a die pad of a lead frame with a resin, an LED element and a wiring A step of connecting a conductor with a conductive portion, a step of forming a sealing resin portion by sealing a die pad, an LED element, a wiring conductor, a conductive portion and a reflective resin portion on a support substrate with a sealing resin; And a step of removing the substrate from the sealing resin portion.
本発明によれば、少なくともダイパッドの周囲に、LED素子からの光を反射するための反射樹脂部を設けたので、この反射樹脂部によってLED素子からの光を反射させ、この光をLED素子パッケージの表面(発光面)側に導くことができる。したがって、半導体パッケージの側面または裏面から光が漏れることを防止し、LED素子パッケージの発光効率を向上させることができる。 According to the present invention, since the reflection resin part for reflecting the light from the LED element is provided at least around the die pad, the light from the LED element is reflected by the reflection resin part, and this light is reflected to the LED element package. Can be led to the surface (light emitting surface) side. Therefore, light can be prevented from leaking from the side surface or the back surface of the semiconductor package, and the light emission efficiency of the LED element package can be improved.
また本発明によれば、LED素子パッケージはリードフレームや金属基板等のコア部材を有していないため、LED素子パッケージを薄型にすることができる。 According to the present invention, since the LED element package does not have a core member such as a lead frame or a metal substrate, the LED element package can be made thin.
第1の実施の形態
以下、本発明の第1の実施の形態について、図1乃至図6を参照して説明する。図1乃至図6は、本発明の第1の実施の形態を示す図である。
First Embodiment Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 6 are diagrams showing a first embodiment of the present invention.
樹脂付リードフレームの構成
まず、図1(a)(b)により、本実施の形態による樹脂付リードフレームの概略について説明する。図1(a)は、本実施の形態によるリードフレームを示す平面図、図1(b)は図1(a)中のAA’線に沿った断面図である。
Configuration of Lead Frame with Resin First, an outline of the lead frame with resin according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1A is a plan view showing a lead frame according to the present embodiment, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG.
図1(a)(b)に示す樹脂付リードフレーム20は、LED素子11(後述)を載置するダイパッド21と、ダイパッド21周囲であってダイパッド21から離間して設けられた配線導体30とを備えている。
A
このうちダイパッド21の周囲に、LED素子11(後述)からの光を反射するための反射樹脂部23が設けられている。すなわちダイパッド21の周囲であって、ダイパッド21と配線導体30との間に反射樹脂部23が充填されている(反射樹脂部23a)。またダイパッド21の周囲であって、ダイパッド21からみて配線導体30の反対側の位置にも、反射樹脂部23が設けられている(反射樹脂部23b)。
Among these, a
さらに配線導体30周囲であって、配線導体30からみてダイパッド21の反対側の位置には、追加の反射樹脂部23(23c)が設けられている。なお本実施の形態において、これら反射樹脂部23a、23b、23cは全体として一体に構成されているが(図1(a)参照)、これに限らず、反射樹脂部23a、23b、23cがそれぞれ別体に構成されていても良い。
Further, an additional reflective resin portion 23 (23 c) is provided around the
図1(b)に示すように、ダイパッド21周囲に設けられた反射樹脂部23(23a、23b)と、配線導体30周囲に設けられた反射樹脂部23(追加の反射樹脂部23c)とは、ともに断面矩形形状を有している。
As shown in FIG. 1B, the reflection resin portion 23 (23a, 23b) provided around the
一方図1(a)(b)に示すように、ダイパッド21、配線導体30および反射樹脂部23の裏面に、薄板状の支持基板40が設けられ、ダイパッド21、配線導体30および反射樹脂部23は、この支持基板40によって支持されている。
On the other hand, as shown in FIGS. 1A and 1B, a thin plate-
なお、図1(a)(b)に示すように、1枚の支持基板40上に、それぞれ1つのLED素子11に対応する単位リードフレーム50を複数個搭載して多面付けとしても良い(多面付け樹脂付リードフレームという)。すなわち単位リードフレーム50は、1つのLED素子11に対応するダイパッド21と、このダイパッド21に対応する配線導体30と、これらダイパッド21および配線導体30を取り囲む反射樹脂部23とを含んでいる。この場合、単位リードフレーム50と、隣接する単位リードフレーム50(2点鎖線で描いてある)とは、境界隙間部28を介して配置されている。境界隙間部28は、LED素子11毎の個片化時に切断される部分となる。この境界隙間部28は、反射樹脂部23と同一材料からなる樹脂により充填されている。具体的には、境界隙間部28は反射樹脂部23と一体で形成されて充填されていることが好ましい。
As shown in FIGS. 1A and 1B, a plurality of unit lead frames 50 each corresponding to one
以下、このような樹脂付リードフレーム20を構成する各構成部材について、順次説明する。
Hereinafter, each component which comprises such a
支持基板40としては、例えば銅、鉄−ニッケル合金、鉄−ニッケル−クロム合金、鉄−ニッケル−カーボン合金等の導電性基板、または表面にCu、Ni、Ag、Pd、Auもしくはこれらの合金からなる導電性層を備えた絶縁性基板を使用することができる。支持基板40は平面略矩形状からなり、その厚みは例えば0.08mm〜0.25mmとすることができる。なお、支持基板40は、製造工程において支持基板40を搬送する際や位置決めを行なう際に用いられる搬送用穴27(冶具穴とも言う)を有していても良い。
As the
ダイパッド21および配線導体30は、支持基板40上にめっき形成用レジストを用いてめっきによりパタン形成された金属である。この場合、反射樹脂部23はめっき形成用レジストからなっている。すなわち反射樹脂部23は、LED素子11からの光を反射するほか、ダイパッド21および配線導体30をめっき形成する際、めっき形成用レジストとしても機能するものである。
The
ダイパッド21および配線導体30は、それぞれ1つまたは2つ以上のめっき層からなっていても良い。例えばめっき層は、支持基板40上に形成される本体めっき層と、この本体めっき層上に形成されLED素子11(後述)からの光を反射するための反射面として機能する反射用めっき層とからなっていても良い。
The
この場合、本体めっき層は、例えばニッケル(Ni)等の金属を含むめっき層から構成することができる。なお、本体めっき層の厚みは、例えば10μm〜100μmとすることができる。 In this case, the main body plating layer can be composed of a plating layer containing a metal such as nickel (Ni). In addition, the thickness of a main body plating layer can be 10 micrometers-100 micrometers, for example.
一方、反射用めっき層は、可視光の反射率が高いめっき層からなり、LED素子11(後述)からの光を反射するための反射面として機能するようになっている。反射用めっき層を構成する材料としては、例えば銀(Ag)、金(Au)、パラジウム(Pd)、ニッケル(Ni)/パラジウム(Pd)/金(Au)の三層構造等を挙げることができるが、光の反射率の観点からは銀(Ag)を用いることが好ましい。なお反射用めっき層の厚みは、例えば銀の場合は1μm〜5μm、またNi/Pd/Auの三層構造の場合は、Niの厚みが0.2μm以上、Pdの厚みが0.01〜0.1μm、かつAuの厚みが0.001〜0.03μmとすることが好ましい。 On the other hand, the reflective plating layer is made of a plating layer having a high visible light reflectivity, and functions as a reflective surface for reflecting light from the LED element 11 (described later). Examples of the material constituting the reflective plating layer include a three-layer structure of silver (Ag), gold (Au), palladium (Pd), nickel (Ni) / palladium (Pd) / gold (Au), and the like. However, silver (Ag) is preferably used from the viewpoint of light reflectance. The thickness of the reflective plating layer is, for example, 1 μm to 5 μm in the case of silver, and in the case of a three-layer structure of Ni / Pd / Au, the thickness of Ni is 0.2 μm or more and the thickness of Pd is 0.01 to 0. It is preferable that the thickness of Au is 0.001 to 0.03 μm.
反射樹脂部23は、上述したように、LED素子11(後述)からの光を反射する機能と、めっき形成用レジストとしての機能とを有するものである。このような機能を有する反射樹脂部23としては、例えばエポキシ樹脂、シリコーン系樹脂またはポリフタルアミド(PPA)樹脂、液晶ポリマー(LCP)等を挙げることができる。反射樹脂部23には光の反射率を高めるため硫酸バリウム等の充填剤を混入しても良い。なお反射樹脂部23の厚みは、例えば5μm〜500μmとすることができ、図1(b)に示す実施の形態においてはダイパッド21および配線導体30の厚みより厚くなっている。
As described above, the
LED素子パッケージの構成
次に、図2により、本実施の形態によるコアレス型のLED素子パッケージの概略について説明する。
Configuration of LED Element Package Next, an outline of the coreless LED element package according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
LED素子パッケージ10は、ダイパッド21と、ダイパッド21上に載置されたLED素子11と、ダイパッド21周囲であってダイパッド21から離間して設けられた配線導体30とを備えている。
The
このうちダイパッド21の周囲には、LED素子11からの光を反射するための反射樹脂部23が設けられている。すなわち図1(a)(b)と同様に、ダイパッド21の周囲であって、ダイパッド21と配線導体30との間に反射樹脂部23(23a)が設けられ、かつダイパッド21からみて配線導体30の反対側の位置に、反射樹脂部23(23b)が設けられている。さらに配線導体30周囲であって、配線導体30からみてダイパッド21の反対側の位置には、追加の反射樹脂部23(23c)が設けられている。
Among these, a
配線導体30とLED素子11とは、ボンディングワイヤ(導電部)12によって電気的に接続されている。またLED素子11は、ダイパッド21に対して電気的に接続されている。さらにダイパッド21、LED素子11、配線導体30、ボンディングワイヤ12および反射樹脂部23は、封止樹脂部13により封止されている。
The
またダイパッド21の裏面には外部端子22が形成され、配線導体30の裏面には外部端子31が形成されている。これら外部端子22および外部端子31は、封止樹脂部13から外方に露出している。そしてLED素子パッケージ10の裏面は、その全面が外部端子22、外部端子31および反射樹脂部23により覆われている。このことにより、LED素子11からの光がLED素子パッケージ10の裏面から漏れることを防止している。
An
以下、このようなLED素子パッケージ10を構成する各構成部材について、順次説明する。
Hereinafter, each component which comprises such an
LED素子11は、従来一般に用いられているものを使用することができる。またLED素子11の発光層として、例えばGaP、GaAs、GaAlAs、GaAsP、AlInGaP、またはInGaN等の化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。
As the
またLED素子11は、はんだ、または導電性ダイボンディングペースト(図示せず)により、ダイパッド21上に固定されている。このような導電性ダイボンディングペーストとしては、銀等のフィラーを含むエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるダイボンディングペーストを選択することが可能である。
The
ボンディングワイヤ12は、例えば金等の導電性の良い材料からなり、その一端がLED素子11の端子部11aに接続されるとともに、その他端が配線導体30上に接続されている。
The
封止樹脂部13としては、光の取り出し効率を向上させるために、LED素子パッケージ10の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。したがって耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高い特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。封止樹脂部13の形状は、様々に実現することが可能であるが、例えば、封止樹脂部13の全体形状を直方体、円筒形または錐形等の形状とすることが可能である。なお封止樹脂部13の厚み(すなわちLED素子パッケージ10全体としての厚み)は、200μm〜500μmとすることが可能であり、従来知られているLED素子パッケージ(例えばPLCCタイプ、SONタイプ)より薄型に構成することができる。また封止樹脂部13の表面(すなわち図2の上面)には、LED素子11からの光を放出する発光面13aが形成されている。発光面13aの形状は平面、もしくは球面などを用いたレンズ、あるいは光を散乱するために凹凸を有する面であっても良い。
As the sealing
なお、LED素子パッケージ10のうち、ダイパッド21、配線導体30および反射樹脂部23の構成は、図1(a)(b)を用いて既に説明した構成と同様であるので、ここでは詳細な説明を省略する。
In addition, since the structure of the
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。 Next, the operation of the present embodiment having such a configuration will be described.
図3に示すように、LED素子パッケージ10を配線基板35上に配置する。このような配線基板35は、基板本体36と、基板本体36上に形成された配線端子部37、38とを有している。このうち一方の配線端子部37は、一方の接続金属部33を介してダイパッド21の外部端子22に接続されている。また他方の配線端子部38は、他方の接続金属部34を介して配線導体30の外部端子31に接続されている。なお接続金属部33、34は、例えばはんだから構成することができる。
As shown in FIG. 3, the
このようにして、LED素子パッケージ10を配線基板35上に配置するとともに、配線端子部37、38間に電流を流した場合、ダイパッド21上のLED素子11に電流が加わり、LED素子11が点灯する。
In this way, when the
この際、LED素子11からの光Lの多くは、直接発光面13aから放出され、またはダイパッド21表面で反射することにより発光面13aから放出される。他方、LED素子11からの光Lの一部は、封止樹脂部13内で内部反射する等の理由により、発光面13a側に向かわない。これに対して本実施の形態においては、ダイパッド21の周囲にLED素子11からの光Lを反射するための反射樹脂部23を設けている。これにより、発光面13a側に向かわない光Lを反射樹脂部23で反射させ、発光面13a側に向けて導くことができる。この結果、図3に示すように、LED素子11の光Lが半導体パッケージ10の側面または裏面から漏れることを防止し、この光Lのほとんどを発光面13aから取り出すことができる。このようにして、LED素子パッケージ10の発光効率を向上させることができる。
At this time, most of the light L from the
他方、比較例として、このような反射樹脂部23を設けなかった場合、LED素子11からの光Lの一部は、LED素子パッケージ10の側面または裏面(例えばダイパッド21と配線導体30との間の隙間)から外部に逃げてしまう。この場合、LED素子パッケージ10の発光効率が低下するおそれがある。
On the other hand, as a comparative example, when such a
また図3において、LED素子11から生じた熱は、ダイパッド21の外部端子22から接続金属部33を介して外方へ逃がされる(図3の符号H)。したがって、LED素子11からの熱が封止樹脂部13内に蓄積することがなく、熱によってLED素子11が破壊されることを防止することができる。
In FIG. 3, the heat generated from the
樹脂付リードフレームの製造方法
次に、本実施の形態による樹脂付リードフレームの製造方法について、図4および図5を用いて説明する。このうち図4(a)−(f)は、本実施の形態による樹脂付リードフレームの製造方法であって、めっき形成用レジストをフォトリソグラフィ法により形成する場合を示す図であり、図5(a)−(d)は、本実施の形態による樹脂付リードフレームの製造方法の変形例であって、めっき形成用レジストを樹脂成形法により形成する場合を示す図である。以下、樹脂付リードフレームの製造方法について、図4(a)−(f)、図5(a)−(d)の順で説明する。
Manufacturing Method of Lead Frame with Resin Next, a manufacturing method of the lead frame with resin according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. Among these, FIGS. 4A to 4F are views showing a method of manufacturing a resin-attached lead frame according to the present embodiment, in which a plating forming resist is formed by a photolithography method, and FIG. (a)-(d) is a modified example of the manufacturing method of the lead frame with resin according to the present embodiment, and shows a case where a resist for plating formation is formed by a resin molding method. Hereinafter, a method for manufacturing a lead frame with resin will be described in the order of FIGS. 4A to 4F and FIGS. 5A to 5D.
まず図4(a)−(f)により、本実施の形態による樹脂付リードフレームの製造方法であって、めっき形成用レジストをフォトリソグラフィ法により形成する場合について説明する。 First, with reference to FIGS. 4A to 4F, description will be given of a method of manufacturing a resin-made lead frame according to the present embodiment, in which a plating forming resist is formed by a photolithography method.
はじめに図4(a)に示すように、支持部材として機能する支持基板40を準備する。この支持基板40は上述したような各種材料から構成することが可能であるが、支持基板40として例えば銅または銅合金を用いた場合、LED素子11を組み込んだ後、選択的なエッチングにより支持基板40を除去することが可能となる。なお、後述するように、ダイパッド21、配線導体30および反射樹脂部23を支持基板40から容易に剥離できるように、予め支持基板40の一面に凹凸をつける表面処理を行い、かつ、剥離性をもたせる剥離処理を行っておく等の処置をとっても良い。ここでの表面処理としては、サンドブラストによるブラスト処理、剥離処理としては、支持基板40の表面40aに酸化膜を形成する方法等が挙げられる。
First, as shown in FIG. 4A, a
次に、支持基板40の表面40aに、フォトリソグラフィ法により、所望のパターンを有するめっき形成用レジストであって、LED素子11からの光を反射するための反射樹脂部23として機能するめっき形成用レジスト(以下、単に反射樹脂部23という)を設ける(図4(b))。この場合、反射樹脂部23は、例えば硫酸バリウム、酸化チタン等の白色の充填剤を混入したエポキシ樹脂からなっている。このような白色のフォトレジストとしては、太陽インキ製造株式会社製のPSR−4000LEWが例示できる。
Next, a plating forming resist having a desired pattern is formed on the
反射樹脂部23には、ダイパッド21および各配線導体30の形成部位に相当する箇所にそれぞれ開口部23d、23eが形成され、この開口部23d、23eからは支持基板40の表面40aが露出している。この場合、支持基板40の表面40a全体に反射樹脂部23の膜を設け、この反射樹脂部23の膜に対してフォトマスクを介して露光し、その後現像することにより、反射樹脂部23に開口部23d、23eを形成する。なお反射樹脂部23の厚みは、ダイパッド21および配線導体30の厚みより厚くしておく。
次に、支持基板40の裏面40bに所望のパターンを有するレジスト層42を設ける(図4(c))。このレジスト層42は、例えばアルカリ、酸、溶剤等により剥離可能な樹脂からなっている。またレジスト層42は、搬送用穴27の形成部位に相当する箇所に開口部42aが形成され、この開口部42aからは支持基板40の裏面40bが露出している。この場合、支持基板40の裏面40b全体にレジスト層42を設け、このレジスト層42に対してフォトマスクを介して露光し、その後現像することにより、レジスト層42に開口部42aを形成する。一方、開口部42aに対し支持基板40を介して反対側の表面部分には搬送用穴27が開口するが、この部分については、搬送用穴27を塞がないように反射樹脂部23を形成せず、さらに次の工程でめっき層(ダイパッド21および配線導体30)が形成されるのを防ぐ事を目的に剥離可能なカバー45で覆っておく。
Next, a resist
次に、支持基板40の裏面40b側をカバー43で覆って、支持基板40の表面40a側に電解めっきを施す。この場合、反射樹脂部23をめっき形成用レジストとして用いる。これにより支持基板40上の開口部23d、23e内に金属を析出させて、LED素子11を載置するためのダイパッド21を形成するとともに、ダイパッド21周囲に配線導体30を形成する(図4(d))。
Next, the
ここで、ダイパッド21および配線導体30が、例えば本体めっき層と反射用めっき層とからなる場合、以下のような方法によりダイパッド21および配線導体30を形成することができる。すなわち、まず支持基板40上に電解めっきを施すことにより、例えばニッケル(Ni)からなる本体めっき層を形成する。この際、めっき液として、例えば高ニッケル濃度のスルファミン酸ニッケルめっき浴を用いることができる。次に、本体めっき層上に例えば銀(Ag)、金(Au)、パラジウム(Pd)、またはニッケル(Ni)/パラジウム(Pd)/金(Au)の三層構造等からなる反射用めっき層を形成する。この場合、めっき液として例えばシアンめっき浴を用いることができる。
Here, when the
続いて、図4(e)に示すように、支持基板40の表面40a側をカバー44で覆うとともに、支持基板40の裏面側のカバー43を剥離する。次に支持基板40の裏面側にエッチングを施すことにより、支持基板40を所定の外形形状にするとともに、支持基板40上のレジスト層42の開口部42aに対応する位置に、所望の搬送用穴27を形成する。なお、この搬送用穴27は、後述するLED素子パッケージ10の製造工程において支持基板40を搬送する際や位置決めを行なう際に用いられる。
Subsequently, as shown in FIG. 4E, the
次いで、支持基板40の表面側のカバー44および45を剥離し、更に支持基板40の裏面40b側のレジスト層42を剥離する(図4(f))。なお反射樹脂部23はそのまま残しておく。このようにして、図1(a)(b)に示す樹脂付リードフレーム20が得られる。
Next, the
なお、単位リードフレーム50を多面付けして、支持基板40上に複数個形成する場合、単位リードフレーム50間の境界隙間部28を空間として支持基板40を露出しておくのではなく、境界隙間部28に反射樹脂部23と同一材料からなる樹脂を充填して被覆しておくことが望ましい。このように樹脂を充填し、支持基板40を覆うことで、ダイパッド21、配線導体30を電解めっきで形成するときに境界隙間部28が不必要にめっきされるのを防ぎ、製造コストを低減できる。
In the case where a plurality of unit lead frames 50 are formed on the
次に、図5(a)−(d)により、本実施の形態による樹脂付リードフレームの製造方法の変形例であって、めっき形成用レジストを樹脂成形法により形成する場合について説明する。 Next, with reference to FIGS. 5A to 5D, a case of forming a resist for plating formation by a resin molding method, which is a modification of the method for manufacturing a lead frame with resin according to the present embodiment, will be described.
まず図5(a)に示すように、支持部材として機能する支持基板40を準備する。
First, as shown in FIG. 5A, a
次に、支持基板40の表面40aに、樹脂成形法により、所望のパターンを有するめっき形成用レジスト(すなわち反射樹脂部23)を設ける(図5(b))。この場合、反射樹脂部23は、例えば硫酸バリウム等の充填剤を混入したシリコーン系樹脂またはポリフタルアミド(PPA)樹脂等からなっている。樹脂成形法としては、例えばインジェクション成形法またはトランスファ成形法を挙げることができる。とりわけ反射樹脂部23がシリコーン系樹脂からなる場合、トランスファ成形法を用いることが好ましく、他方、反射樹脂部23がポリフタルアミド(PPA)樹脂からなる場合、インジェクション成形法を用いることが好ましい。
Next, a plating forming resist having a desired pattern (that is, the reflective resin portion 23) is provided on the
この場合、反射樹脂部23のうち、ダイパッド21および各配線導体30の形成部位に相当する箇所にそれぞれ開口部23d、23eが形成され、この開口部23d、23eからは支持基板40の表面40aが露出している。なお反射樹脂部23の厚みは、ダイパッド21および配線導体30の厚みより厚くしておく。
In this case,
次に、支持基板40の表面40a側に電解めっきを施す(図5(c))。この場合、反射樹脂部23をめっき形成用レジストとして用いる。これにより支持基板40上の開口部23d、23e内に金属を析出させて、LED素子11を載置するためのダイパッド21を形成するとともに、ダイパッド21周囲に配線導体30を形成する。
Next, electrolytic plating is performed on the
ここで、ダイパッド21および配線導体30が、例えば本体めっき層と反射用めっき層とからなる場合、以下のような方法によりダイパッド21および配線導体30を形成することができる。すなわち、まず支持基板40上に電解めっきを施すことにより、例えばニッケル(Ni)からなる本体めっき層を形成する。この際、めっき液として、例えば高ニッケル濃度のスルファミン酸ニッケルめっき浴を用いることができる。次に、本体めっき層上に例えば銀(Ag)、金(Au)、パラジウム(Pd)、またはニッケル(Ni)/パラジウム(Pd)/金(Au)の三層構造等からなる反射用めっき層を形成する。この場合、めっき液として例えばシアンめっき浴を用いることができる。
Here, when the
続いて、図5(d)に示すように、プレス加工により支持基板40を所定の外形形状にするとともに、支持基板40に所望の搬送用穴27を形成する。このうち搬送用穴27については、ドリルを用いた切削加工により形成しても良い。なお、この搬送用穴27は、後述するLED素子パッケージ10の製造工程において支持基板40を搬送する際や位置決めを行なう際に用いられる。
Subsequently, as shown in FIG. 5 (d), the
このようにして、図1(a)(b)に示す樹脂付リードフレーム20が得られる。
In this way, the lead frame with
このように、めっき形成用レジストを樹脂成形法により形成する場合、フォトレジストを用いてエッチング工程を行う場合と比較して製造工程を簡略化することができ、製造コストを低減することができる。めっき形成用レジストを形成する他の方法としては、レジストをスクリーン印刷する方法でも実現でき、この方法も工程が簡略でありコストを低減することができる。 As described above, when the plating forming resist is formed by the resin molding method, the manufacturing process can be simplified as compared with the case where the etching process is performed using the photoresist, and the manufacturing cost can be reduced. As another method for forming a plating formation resist, a method of screen printing a resist can be realized. This method also has a simple process and can reduce costs.
LED素子パッケージの製造方法
次に、本実施の形態によるコアレス型のLED素子パッケージの製造方法について、図6(a)−(e)を用いて説明する。
Method for Manufacturing LED Element Package Next, a method for manufacturing a coreless LED element package according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.
まず、上述した図4(a)−(f)(フォトリソグラフィ法)または図5(a)−(d)(樹脂成形法)に示す工程により、支持基板40と、支持基板40上に形成されたダイパッド21と、ダイパッド21周囲に設けられた配線導体30と、ダイパッド21周囲に設けられた反射樹脂部23とを有する樹脂付リードフレーム20を作製する(図6(a))。多面付け樹脂リードフレームの場合、この段階で境界隙間部28は反射樹脂部23と一体で形成され、樹脂で充填されている(図6(a)−(c)に2点鎖線で示す)。
First, the
次に、ダイパッド21上にはんだ、または導電性ダイボンディングペースト(図示せず)を介してLED素子11を搭載して固定する(図6(b))。
Next, the
次に、ボンディングワイヤ12を用いて、LED素子11の端子部11aと配線導体30とを電気的に接続する(ワイヤボンディング)(図6(c))。
Next, using the
その後、支持基板40上のダイパッド21、配線導体30、反射樹脂部23、LED素子11およびボンディングワイヤ12を例えばエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂からなる封止樹脂部13により封止する(図6(d))。
Thereafter, the
次いで、例えばエッチングによりまたは物理的に剥離することにより、裏面側の支持基板40をダイパッド21、配線導体30および反射樹脂部23から除去する。このようにして、図2に示すLED素子パッケージ10を得ることができる(図6(e))。
Next, the
なお、予め支持基板40上に複数のダイパッド21および配線導体30を形成するとともに、各ダイパッド21上にそれぞれLED素子11を搭載し、電気的に接続しておき、支持基板全体を一括して封止樹脂で封止したのち、各LED素子11を含むLED素子パッケージ毎に封止樹脂部13をダイシングすることにより、図2に示すLED素子パッケージ10を得ても良い。図6(d)は封止樹脂部13を境界隙間部28上に沿って支持基板40を残してダイシングした状態を示している。
A plurality of
以上説明したように本実施の形態によれば、LED素子11を搭載するためにリードフレームや内部配線基板(インタポーザと呼ばれる)等を用いることがないので、LED素子パッケージ10の厚みを薄くすることができる。具体的には、LED素子パッケージ10の厚みを例えば200μm〜500μmとすることができる。
As described above, according to the present embodiment, a lead frame, an internal wiring board (referred to as an interposer) or the like is not used to mount the
また本実施の形態によれば、ダイパッド21の周囲に、LED素子11からの光を反射するための反射樹脂部23を設けたので、反射樹脂部23によってLED素子11からの光を反射させ、この光をLED素子パッケージ10の発光面13a側に導くことができる。これによりLED素子パッケージ10の発光効率を向上させることができ、LED素子パッケージ10を省電力で高輝度化することが可能となる。
Further, according to the present embodiment, since the
また本実施の形態によれば、反射樹脂部23はめっき形成用レジストの機能を兼ねているので、従来のコアレス型半導体パッケージの製造方法と比べて、工数を増やすことなくLED素子パッケージ10の発光効率を向上させることができる。したがって、製造コストが上昇することもない。
Further, according to the present embodiment, since the
また本実施の形態によれば、ダイパッド21が金属めっきから構成されているので、LED素子11からの熱をLED素子パッケージ10の外方に逃がしやすく、LED素子パッケージ10の放熱性を高めることができる。
Moreover, according to this Embodiment, since the
第2の実施の形態
次に、本発明の第2の実施の形態について図7および図8を参照して説明する。図7および図8は、本発明の第2の実施の形態を示す図である。図7および図8に示す第2の実施の形態は、ダイパッド21および配線導体30から側方に向けて突出する突起部29が設けられている点が異なるものであり、他の構成は上述した第1の実施の形態と略同一である。図7および図8において、図1乃至図6に示す第1の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
Second Embodiment Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 and 8 are diagrams showing a second embodiment of the present invention. The second embodiment shown in FIG. 7 and FIG. 8 is different in that a protruding
図7に示す樹脂付リードフレーム20Aおよび図8に示すLED素子パッケージ10Aにおいて、ダイパッド21は、側方に向けて突出する突起部29を有し、配線導体30は、側方に向けて突出する突起部39を有している。
In the lead frame with
本実施の形態において、図7および図8に示すように、ダイパッド21および配線導体30の厚みは、反射樹脂部23の厚みより厚くなっている。そして突起部29、39は、それぞれ反射樹脂部23上に延びている。なお突起部29、39は、それぞれダイパッド21および配線導体30の全周にわたって設けられていることが好ましい。
In the present embodiment, as shown in FIGS. 7 and 8, the
図7に示す樹脂付リードフレーム20Aを製造する場合、支持基板40の表面40a側に電解めっきを施し、ダイパッド21と配線導体30とを形成する工程において(図4(d)、図5(c))、めっきを反射樹脂部23より厚く析出させる。この場合、反射樹脂部23の開口部23d、23e内に析出した金属は、開口部23d、23eの内壁に沿って上方に堆積した後、反射樹脂部23から盛り上がりながら反射樹脂部23の表面に沿って横方向にも析出する。これにより、ダイパッド21および配線導体30に、それぞれ側方に向けて突出する突起部29、39が形成される。
In the case of manufacturing the lead frame with
このほか、樹脂付リードフレーム20Aの製造方法は、上述した第1の実施の形態における樹脂付リードフレーム20の製造方法(図4(a)−(f)および図5(a)−(d))と略同一であるので、ここでは説明を省略する。
In addition, the manufacturing method of the lead frame with
また、図8に示すLED素子パッケージ10Aの製造方法は、上述した第1の実施の形態におけるLED素子パッケージ10の製造方法(図6(a)−(e))と略同一であるので、ここでは説明を省略する。
Further, the manufacturing method of the
本実施の形態によれば、ダイパッド21および配線導体30は、それぞれ側方に向けて突出する突起部29、39を有しているので、ダイパッド21および配線導体30が封止樹脂部13から抜け落ちることを防止することができる。
According to the present embodiment, since the
なお、本実施の形態において、突起部29、39をダイパッド21および配線導体30の両方に設けた例を示したが、これに限らず、突起部29、39をダイパッド21および配線導体30のいずれか一方のみに設けてもよい。
In the present embodiment, the example in which the
第3の実施の形態
次に、本発明の第3の実施の形態について図9および図10を参照して説明する。図9および図10は、本発明の第3の実施の形態を示す図である。図9および図10に示す第3の実施の形態は、反射樹脂部23が上方へ先細となる断面台形状を有する点が異なるものであり、他の構成は上述した第1の実施の形態と略同一である。図9および図10において、図1乃至図6に示す第1の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
Third Embodiment Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 9 and FIG. 9 and 10 are diagrams showing a third embodiment of the present invention. The third embodiment shown in FIG. 9 and FIG. 10 is different in that the
図9に示す樹脂付リードフレーム20Bおよび図10に示すLED素子パッケージ10Bにおいて、反射樹脂部23は、上方(表面側)へ先細となる断面台形状を有している。
In the lead frame with
具体的には、ダイパッド21の周囲であって、ダイパッド21と配線導体30との間に充填された反射樹脂部23aと、ダイパッド21の周囲であって、ダイパッド21からみて配線導体30の反対側に設けられた反射樹脂部23bと、配線導体30からみてダイパッド21の反対側に設けられた追加の反射樹脂部23cとが、いずれも断面台形状を有している。
Specifically, it is the periphery of the
図9に示す樹脂付リードフレーム20Bの製造方法は、上述した第1の実施の形態における樹脂付リードフレーム20の製造方法と略同一であるので、ここでは説明を省略する。ただし、反射樹脂部23をこのような形状とするためには、図5(a)−(d)に示す方法(樹脂成形法)を採用することが好ましい。
The manufacturing method of the lead frame with
また、図10に示すLED素子パッケージ10Bの製造方法は、上述した第1の実施の形態におけるLED素子パッケージ10の製造方法(図6(a)−(e))と略同一であるので、ここでは説明を省略する。
Also, the manufacturing method of the
本実施の形態によれば、反射樹脂部23に、上方へ向けて拡開する傾斜面24(図10参照)が形成されているので、LED素子11からの光を反射させやすくなり、LED素子パッケージ10Bの発光効率を更に向上させることができる。
According to the present embodiment, since the inclined surface 24 (see FIG. 10) that expands upward is formed in the
また本実施の形態によれば、ダイパッド21および配線導体30は、それぞれ下方(裏面側)へ先細となる断面台形状を有しているので、ダイパッド21および配線導体30が封止樹脂部13から抜け落ちることを防止することができる。
Further, according to the present embodiment, the
第4の実施の形態
次に、本発明の第4の実施の形態について図11および図12を参照して説明する。図11および図12は、本発明の第4の実施の形態を示す図である。図11および図12に示す第4の実施の形態は、ダイパッド21および配線導体30の裏面側にそれぞれ裏面側樹脂部25、26が設けられている点が異なるものであり、他の構成は上述した第1の実施の形態と略同一である。図11および図12において、図1乃至図6に示す第1の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
Fourth Embodiment Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 11 and FIG. 11 and 12 are diagrams showing a fourth embodiment of the present invention. The fourth embodiment shown in FIG. 11 and FIG. 12 is different in that
図11に示す樹脂付リードフレーム20Cおよび図12に示すLED素子パッケージ10Cにおいて、ダイパッド21の裏面側および配線導体30の裏面側に、それぞれ凹部21a、30aが形成されている。この凹部21a、30a内には、それぞれ反射樹脂部23と同一の樹脂材料からなる裏面側樹脂部25、26が充填されている。これら裏面側樹脂部25、26は、それぞれ断面略矩形形状を有している。なお裏面側樹脂部25、26は、反射樹脂部23と一体に構成されていることが好ましい。
In the lead frame with
図12に示すように、LED素子パッケージ10Cにおいて、裏面側樹脂部25、26は、LED素子パッケージ10Cから外方に露出している。これによりダイパッド21の外部端子22は、裏面側樹脂部25を介して互いに分離した2つの端子部分22a、22bから構成されている。同様に、配線導体30の外部端子31は、裏面側樹脂部26を介して互いに分離した2つの端子部分31a、31bから構成されている。
As shown in FIG. 12, in the
図11に示す樹脂付リードフレーム20Cを製造する場合、支持基板40の表面40aにめっき形成用レジスト(反射樹脂部23)を設ける工程(図5(b))において、支持基板40の表面40a上に、反射樹脂部23とともに、反射樹脂部23と同一の樹脂材料からなる裏面側樹脂部25、26を一体形成する。
When the lead frame with
このほか、樹脂付リードフレーム20Cの製造方法は、図5(b)の段階で、めっき形成用レジストのパターンとして裏面側樹脂部25、26を有すること、以外は上述した第1の実施の形態における樹脂付リードフレーム20の製造方法(図5(a)−(d))と略同一であるので、ここでは説明を省略する。ただし、このような形状からなる裏面側樹脂部25、26を形成するためには、図5(a)−(d)に示す方法(樹脂成形法)を採用することが好ましい。
In addition, the manufacturing method of the resin-attached
また、図12に示すLED素子パッケージ10Cの製造方法は、上述した第1の実施の形態におけるLED素子パッケージ10の製造方法(図6(a)−(e))と略同一であるので、ここでは説明を省略する。
The manufacturing method of the
本実施の形態によれば、裏面側樹脂部25、26を設けたことにより、外部端子22、31を、それぞれ2つの端子部分22a、22b、31a、31bから構成することができる。この場合、例えば端子部分22a、22b、31a、31bのサイズ(形状、面積)を全て同一にしておけば、LED素子パッケージ10を配線基板35上に取り付ける際(図3参照)、端子部分22a、22b、31a、31bに載せるはんだ(接続金属部33、34)の量を均一にすることができる。これにより、LED素子パッケージ10を配線基板35に対してバランス良く固着することが可能となる。
According to the present embodiment, by providing the back surface
また本実施の形態によれば、ダイパッド21および配線導体30の裏面に、それぞれ反射樹脂部23と一体に構成された裏面側樹脂部25、26が設けられているので、ダイパッド21および配線導体30が封止樹脂部13から抜け落ちることを防止することができる。
Further, according to the present embodiment, since the back surface
なお、本実施の形態において、裏面側樹脂部25、26をダイパッド21および配線導体30の両方の裏面に設けた例を示したが、これに限らず、裏面側樹脂部25、26をダイパッド21および配線導体30のいずれか一方の裏面のみに設けてもよい。
In the present embodiment, the back
第5の実施の形態
次に、本発明の第5の実施の形態について図13および図14を参照して説明する。図13および図14は、本発明の第5の実施の形態を示す図である。図13および図14に示す第5の実施の形態は、配線導体30の表面側にアンカー樹脂部46が設けられている点が異なるものであり、他の構成は上述した第1の実施の形態と略同一である。図13および図14において、図1乃至図6に示す第1の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
Fifth Embodiment Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 13 and 14 are diagrams showing a fifth embodiment of the present invention. The fifth embodiment shown in FIGS. 13 and 14 is different in that the
図13に示す樹脂付リードフレーム20Dおよび図14に示すLED素子パッケージ10Dにおいて、配線導体30の表面側に凹部30bが形成されている。この凹部30bには、反射樹脂部23と同一の樹脂材料からなるアンカー樹脂部46が充填されている。アンカー樹脂部46は断面略矩形形状を有しており、その上部は配線導体30から突出して封止樹脂部13内に埋設されている(図14)。なおアンカー樹脂部46は、反射樹脂部23と一体に構成されていることが好ましい。
In the lead frame with
図13に示す樹脂付リードフレーム20Dを製造する場合、支持基板40の表面40aにめっき形成用レジスト(反射樹脂部23)を設ける工程(図5(b))において、支持基板40上に、反射樹脂部23とともに、反射樹脂部23と同一の樹脂材料からなるアンカー樹脂部46を一体形成する。
When the
このほか、樹脂付リードフレーム20Dの製造方法は、上述した第1の実施の形態における樹脂付リードフレーム20の製造方法(図5(a)−(d))と略同一であるので、ここでは説明を省略する。ただし、このような形状からなるアンカー樹脂部46を形成するためには、図5(a)−(d)に示す方法(樹脂成形法)を採用することが好ましい。
In addition, the manufacturing method of the lead frame with
また、図14に示すLED素子パッケージ10Dの製造方法は、上述した第1の実施の形態におけるLED素子パッケージ10の製造方法(図6(a)−(e))と略同一であるので、ここでは説明を省略する。
Further, the manufacturing method of the
本実施の形態によれば、アンカー樹脂部46を設けたことにより、配線導体30と封止樹脂部13とのアンカー効果が高められ、配線導体30と封止樹脂部13とをしっかりと固着することができる。
According to the present embodiment, by providing the
なお、本実施の形態において、アンカー樹脂部46を配線導体30の表面に設けた例を示したが、これに限らず、このようなアンカー樹脂部をダイパッド21および配線導体30の両方の表面に設けてもよく、あるいはダイパッド21の表面のみに設けてもよい。
In the present embodiment, an example in which the
第6の実施の形態
次に、本発明の第6の実施の形態について図15および図16を参照して説明する。図15および図16は、本発明の第6の実施の形態を示す図である。図15および図16に示す第6の実施の形態は、ダイパッド21、反射樹脂部23bおよび配線導体30の形状が異なるものであり、他の構成は上述した第1の実施の形態と略同一である。図15および図16において、図1乃至図6に示す第1の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
Sixth Embodiment Next, a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 15 and 16 are views showing a sixth embodiment of the present invention. The sixth embodiment shown in FIGS. 15 and 16 is different in the shapes of the
図15に示す樹脂付リードフレーム20Eおよび図16に示すLED素子パッケージ10Eにおいて、ダイパッド21は、その表面21cより裏面21d(外部端子22)の方が面積が広くなっている。他方、配線導体30に関しては、その裏面30d(外部端子31)より表面30cの方が面積が広くなっている。この場合、図15および図16に示すように、ダイパッド21と配線導体30との間に充填された反射樹脂部23aは、断面略クランク形状からなっている。
In the lead frame with
図15に示す樹脂付リードフレーム20Eの製造方法は、上述した第1の実施の形態における樹脂付リードフレーム20の製造方法(図5(a)−(d))と略同一であるので、ここでは説明を省略する。ただし、このような形状からなる反射樹脂部23を形成するためには、図5(a)−(d)に示す方法(樹脂成形法)を採用することが好ましい。
The method for manufacturing the lead frame with
また、図16に示すLED素子パッケージ10Eの製造方法は、上述した第1の実施の形態におけるLED素子パッケージ10の製造方法(図6(a)−(e))と略同一であるので、ここでは説明を省略する。
Further, the manufacturing method of the
本実施の形態によれば、ダイパッド21の表面21cよりダイパッド21の裏面21dの方が面積が広くなっているので、LED素子11直下の放熱面(裏面21d)を大きくすることができ、LED素子11からの熱を効果的に放熱することができる。これに対して、配線導体30は、その裏面30dより表面30cの方が面積が広くなっているので、ボンディング面(表面30c)のスペースを十分に確保することができ、ボンディングワイヤ12によるボンディング作業を行いやすくなっている。
According to the present embodiment, since the area of the
第7の実施の形態
次に、本発明の第7の実施の形態について図17および図18を参照して説明する。図17および図18は、本発明の第7の実施の形態を示す図である。図17および図18に示す第7の実施の形態は、配線導体30が、各々電気的に絶縁されて独立した第1の配線導体30eと第2の配線導体30fとからなる点が異なるものであり、他の構成は上述した第1の実施の形態と略同一である。図17および図18において、図1乃至図6に示す第1の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
Seventh Embodiment Next, a seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 17 and 18 are diagrams showing a seventh embodiment of the present invention. The seventh embodiment shown in FIG. 17 and FIG. 18 is different in that the
図17に示す樹脂付リードフレーム20Fおよび図18に示すLED素子パッケージ10Fにおいて、配線導体30は、それぞれダイパッド21の両側に配置された、第1の配線導体30eと第2の配線導体30fとからなっている。このうち第1の配線導体30eとダイパッド21との間には反射樹脂部23a1が充填され、第2の配線導体30fとダイパッド21との間には反射樹脂部23a2が充填されている。
In the lead frame with
図18に示すように、本実施の形態によるLED素子11は2つの端子部11a、11bを有しており、このうち一方の端子部11aは、ボンディングワイヤ12を介して第1の配線導体30eに接続され、他方の端子部11bは、ボンディングワイヤ12を介して第2の配線導体30fに接続されている。
As shown in FIG. 18, the
図17に示す樹脂付リードフレーム20Fの製造方法は、めっきレジスト(反射樹脂部23)のパターンが異なる以外は上述した第1の実施の形態における樹脂付リードフレーム20の製造方法(図4(a)−(f)および図5(a)−(d))と同一であるので、ここでは説明を省略する。
The manufacturing method of the lead frame with
また、図18に示すLED素子パッケージ10Fの製造方法は、上述した第1の実施の形態におけるLED素子パッケージ10の製造方法(図6(a)−(e))と略同一であるので、ここでは説明を省略する。
Also, the manufacturing method of the
本実施の形態によれば、2つの端子部11a、11bを有するLED素子11を搭載したLED素子パッケージ10Fの発光効率を向上させることができる。
According to the present embodiment, it is possible to improve the light emission efficiency of the
なお本実施の形態において、LED素子パッケージ10Fは1つのダイパッド21と2つの配線導体30(第1の配線導体30e、第2の配線導体30f)とを有している。しかしながらこれに限らず、LED素子パッケージ10Fが、2つ以上のダイパッド21および/または3つ以上の配線導体30を有していても良い。
In the present embodiment, the
第8の実施の形態
次に、本発明の第8の実施の形態について図19および図20を参照して説明する。図19および図20は、本発明の第8の実施の形態を示す図である。図19および図20に示す第8の実施の形態は、反射樹脂部23aの表面23fがダイパッド21の表面21cおよび配線導体30の表面30cと互いに同一平面上にある点と、LED素子11がはんだボールまたはAuバンプなどの導電部14a、14bによってダイパッド21および配線導体30に接続されている点とが異なるものであり、他の構成は上述した第1の実施の形態および第3の実施の形態と略同一である。図19および図20において、図1乃至図6に示す第1の実施の形態および図9および図10に示す第3の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
Eighth Embodiment Next, an eighth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 19 and 20 are diagrams showing an eighth embodiment of the present invention. In the eighth embodiment shown in FIGS. 19 and 20, the
図19に示す樹脂付リードフレーム20Gおよび図20に示すLED素子パッケージ10Gにおいて、ダイパッド21と配線導体30との間に充填された反射樹脂部23aの表面23fは、ダイパッド21の表面21cおよび配線導体30の表面30cと互いに同一平面上に位置している。
In the lead frame with
またダイパッド21の周囲であって、ダイパッド21と配線導体30との間に充填された反射樹脂部23aと、ダイパッド21の周囲であって、ダイパッド21からみて配線導体30の反対側に設けられた反射樹脂部23bと、配線導体30からみてダイパッド21の反対側に設けられた追加の反射樹脂部23cとが、いずれも断面台形状を有している。
Further, it is provided around the
図20に示す本実施の形態によるLED素子パッケージ10Gにおいて、LED素子11は、ダイパッド21と配線導体30とに跨って載置されている。またLED素子11は、一方のはんだボールまたはAuバンプ(導電部)14aを介してダイパッド21に接続されるとともに、他方のはんだボールまたはAuバンプ(導電部)14bを介して配線導体30に接続されている(フリップチップ方式)。
In the
図19に示す樹脂付リードフレーム20Gの製造方法は、上述した第1の実施の形態における樹脂付リードフレーム20の製造方法(図5(a)−(d))と略同一であるので、ここでは説明を省略する。ただし、このような形状からなる反射樹脂部23aを形成するためには、図5(a)−(d)に示す方法(樹脂成形法)を採用することが好ましい。
The manufacturing method of the lead frame with
また、図20に示すLED素子パッケージ10Gの製造方法は、上述した第1の実施の形態におけるLED素子パッケージ10の製造方法(図6(a)−(e))と略同一であるので、ここでは説明を省略する。
Also, the manufacturing method of the
本実施の形態によれば、フリップチップ方式を用いるので、照明にボンディングワイヤの影が生じるのを避けることができ、LED素子パッケージ10Gの発光効率を向上させることができる。
According to the present embodiment, since the flip chip method is used, it is possible to avoid the shadow of the bonding wire in the illumination and to improve the light emission efficiency of the
なお本実施の形態において、反射樹脂部23aの表面23fは、ダイパッド21の表面21cおよび配線導体30の表面30cと互いに同一平面上にある。しかしながらこれに限らず、ダイパッド21と配線導体30との間に充填された反射樹脂部23aの表面23fが、ダイパッド21の表面21cおよび配線導体30の表面30cより下方に位置するようにしても良い。
In the present embodiment, the
10、10A−10G LED素子パッケージ
11 LED素子
12 ボンディングワイヤ
13 封止樹脂部
20、20A−20G 樹脂付リードフレーム
21 ダイパッド
22 外部端子
23、23a−23c 反射樹脂部
30 配線導体
40 支持基板
10, 10A-10G
Claims (26)
LED素子を載置するダイパッドと、
ダイパッド周囲に設けられた配線導体とを備え、
少なくともダイパッドの周囲に、LED素子からの光を反射するための反射樹脂部を設け、
ダイパッド、配線導体および反射樹脂部の裏面に支持基板が設けられ、
ダイパッドおよび配線導体は、支持基板上にめっき形成用レジストを用いてめっきにより形成され、反射樹脂部はめっき形成用レジストからなることを特徴とする樹脂付リードフレーム。 In the lead frame with resin used for producing the LED element package,
A die pad for mounting the LED element;
With a wiring conductor provided around the die pad,
A reflection resin part for reflecting light from the LED element is provided at least around the die pad,
A support substrate is provided on the back surface of the die pad, the wiring conductor, and the reflective resin portion,
The die pad and the wiring conductor are formed on a support substrate by plating using a plating formation resist, and the reflective resin portion is made of a plating formation resist.
ダイパッドと、
ダイパッド上に載置されたLED素子と、
ダイパッド周囲に設けられた配線導体と、
配線導体とLED素子とを電気的に接続する導電部と、
少なくともダイパッドの周囲に設けられ、LED素子からの光を反射するための反射樹脂部と、
ダイパッド、LED素子、配線導体、導電部および反射樹脂部を封止する封止樹脂部とを備え、
ダイパッドおよび配線導体は、めっき形成用レジストを用いてめっきにより形成され、反射樹脂部はめっき形成用レジストからなることを特徴とするLED素子パッケージ。 In LED element package,
Die pad,
An LED element mounted on a die pad;
A wiring conductor provided around the die pad;
A conductive portion that electrically connects the wiring conductor and the LED element;
A reflection resin portion provided at least around the die pad for reflecting light from the LED element;
A die pad, an LED element, a wiring conductor, a conductive portion and a sealing resin portion for sealing the reflective resin portion;
A die pad and a wiring conductor are formed by plating using a plating formation resist, and the reflective resin portion is made of a plating formation resist.
支持部材として機能する支持基板を準備する工程と、
支持基板の表面に、所望パターンを有するめっき形成用レジストであって、LED素子からの光を反射するための反射樹脂部として機能するめっき形成用レジストを設ける工程と、
支持基板の表面側にめっきを施し、LED素子を載置するダイパッドと、ダイパッド周囲に配線導体とを形成する工程とを備え、
反射樹脂部は、少なくともダイパッドの周囲に設けられることを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法。 In the manufacturing method of the lead frame with resin used for producing the LED element package,
Preparing a support substrate that functions as a support member;
Providing a plating formation resist having a desired pattern on the surface of the support substrate, the plating formation resist functioning as a reflective resin portion for reflecting light from the LED element;
Plating the surface side of the support substrate, and providing a die pad on which the LED element is placed, and forming a wiring conductor around the die pad,
A method for manufacturing a lead frame with resin, wherein the reflective resin portion is provided at least around the die pad.
請求項22乃至25のいずれか一項記載の樹脂付リードフレームの製造方法により樹脂付リードフレームを作製する工程と、
樹脂付リードフレームのダイパッド上にLED素子を搭載する工程と、
LED素子と配線導体とを導電部により接続する工程と、
支持基板上のダイパッド、LED素子、配線導体、導電部および反射樹脂部を封止樹脂により樹脂封止して封止樹脂部を形成する工程と、
支持基板を封止樹脂部から除去する工程とを備えたことを特徴とするLED素子パッケージの製造方法。 In the manufacturing method of the LED element package,
A step of producing a lead frame with a resin by the method of manufacturing a lead frame with a resin according to any one of claims 22 to 25;
Mounting the LED element on the die pad of the lead frame with resin;
Connecting the LED element and the wiring conductor by a conductive portion;
Forming a sealing resin portion by sealing the die pad, LED element, wiring conductor, conductive portion and reflective resin portion on the support substrate with a sealing resin;
And a step of removing the support substrate from the sealing resin portion.
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