JP5349793B2 - Optical element and manufacturing method thereof - Google Patents
Optical element and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- JP5349793B2 JP5349793B2 JP2007318050A JP2007318050A JP5349793B2 JP 5349793 B2 JP5349793 B2 JP 5349793B2 JP 2007318050 A JP2007318050 A JP 2007318050A JP 2007318050 A JP2007318050 A JP 2007318050A JP 5349793 B2 JP5349793 B2 JP 5349793B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical element
- line
- substrate
- layer
- space
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Polarising Elements (AREA)
- Projection Apparatus (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Description
本発明は、光学素子およびその製造方法に関し、例えば、基板上に可視光の波長以下のピッチの凹凸構造体の該凹部空間を含む凸部上に、薄膜を積層して形成される偏光ビームスプリッタなどの光学素子およびその製造方法に関するものである。 The present invention relates to an optical element and a manufacturing method thereof, for example, a polarizing beam splitter formed by laminating a thin film on a convex portion including a concave space of a concave-convex structure having a pitch equal to or less than the wavelength of visible light on a substrate. The present invention relates to an optical element such as the above and a manufacturing method thereof.
従来において、ラインアンドスペース等における空間と構造部とが可視光の波長以下のピッチで交互に繰り返し配列された構造体において、
これらの空間を含む構造部上に薄膜を積層して光学素子を製造する方法が知られている(特許文献1参照)。
従来のこのような光学素子の製造方法を、基板上に形成された凹凸構造体の凹部による空間を有したまま、該凸部上に薄膜を積層するようにした光学素子の製造方法を例にとり、以下に説明する。
図12に、上記従来例の凹凸構造による光学素子の製造方法を説明するための図を示す。図12(a)から図12(c)は、上記従来例の凹凸構造体による光学素子の製造方法を説明する工程図である。
Conventionally, in a structure in which spaces and structures in a line and space or the like are alternately and repeatedly arranged at a pitch below the wavelength of visible light,
A method of manufacturing an optical element by laminating a thin film on a structure including these spaces is known (see Patent Document 1).
An example of a conventional method of manufacturing an optical element is an optical element manufacturing method in which a thin film is stacked on a convex portion while having a space due to the concave portion of the concavo-convex structure formed on the substrate. This will be described below.
FIG. 12 is a diagram for explaining a method of manufacturing an optical element having the above-described conventional uneven structure. FIG. 12A to FIG. 12C are process diagrams for explaining a method of manufacturing an optical element using the above-described conventional concavo-convex structure.
図12(a)に示すように、ガラス基板(下部クラッド)151上にコア層152を所望の厚みだけ堆積する。
更に、その上に第一上部クラッド層153を堆積した後、最後にマスク層154を堆積する。
マスク層154は、通常の露光・現像工程により、所望の幅にパターニングされる。
マスク層154の厚みは、ドライエッチングに耐えられる程度であれば良い。
次に、図12(b)に示すように、コア層152及び上部クラッド層153をエッチングする。
そして、コア層152から所望の幅の光導波路(コア)155以外の部分を除去し、形成される光導波路155の中間に光導波路155を横断する凹部156を形成する。
この際、凹部156を基板151の内部に所望の深さだけ食い込ませる。光導波路155及び凹部156を形成した後、マスク層154を除去する。
次に、図12(c)に示すように、第一上部クラッド層153の上から、ガラス層157をCVD法等により所望の厚み以上堆積する。
その際、凹部156による空間が残留し、凹部156の底部に山なりにガラス層157が堆積し、さらにその凹部156による空間は上に行くほど細くなる。
As shown in FIG. 12A, a
Further, a first
The
The thickness of the
Next, as shown in FIG. 12B, the
Then, a portion other than the optical waveguide (core) 155 having a desired width is removed from the
At this time, the
Next, as shown in FIG. 12C, a
At that time, a space due to the
以上の従来例では、凹部156を基板151内へ食い込ませることで、凹部156の底面にできる山なりのガラス層157を基板151内に追いやっている。さらに、第一上部クラッド層153の光導波路155上への形成により、凹部156による空間の上の位置で細くなる箇所を第一上部クラッド層153の位置に追いやっている。これらのことにより、凹部156による空間の体積を確保している。
しかしながら、上記した凹凸構造体の凹部空間を含む凸部構造部上に薄膜を積層するようにした光学素子では、図15(c)から明らかなように、凹凸構造体上に成膜を行うと凹部底面と側面に膜が入り込み、凹凸構造体の形状を乱してしまう場合が生じる。 However, in the optical element in which the thin film is laminated on the convex structure portion including the concave space of the concave / convex structure described above, when the film is formed on the concave / convex structure, as is clear from FIG. A film may enter the bottom and side surfaces of the recess, thereby disturbing the shape of the concavo-convex structure.
以上のように、空間と構造部とが可視光の波長以下のピッチで交互に繰り返し配列された構造体において、
これら空間を含む構造部上に構造体又は薄膜を積層する場合、上記したような構造体の形状の乱れは、光学特性を劣化させ、またその上に積層された構造体又は薄膜との密着力を低下させてしまうという問題が生じる。
As described above, in a structure in which spaces and structures are alternately and repeatedly arranged at a pitch equal to or less than the wavelength of visible light,
When a structure or a thin film is laminated on a structure part including these spaces, the disturbance of the shape of the structure as described above deteriorates the optical characteristics, and the adhesion with the structure or thin film laminated on the structure. This causes a problem of lowering.
本発明は、上記課題に鑑み、空間と構造部とが可視光の波長以下のピッチで交互に繰り返し配列された構造体において、
該空間を含む構造部上に構造体又は薄膜を積層するに当たり、該構造体の形状の乱れを抑制することが可能となる光学素子およびその製造方法の提供を目的とするものである。
In view of the above problems, the present invention provides a structure in which spaces and structures are alternately and repeatedly arranged at a pitch below the wavelength of visible light.
An object of the present invention is to provide an optical element and a method of manufacturing the same that can suppress the disorder of the shape of the structure when a structure or a thin film is stacked on the structure including the space.
本発明は、つぎのように構成した光学素子およびその製造方法を提供するものである。
本発明の光学素子は、
基板上に、
前記基板表面と平行方向に延びる上面と、前記基板表面上に位置する下面と、前記上面と前記下面との間に形成された側面とを備え、前記下面と前記側面とのなす内角が80度以上90度以下とされている構造部と、空間と、が可視光の波長以下のピッチで、交互に繰り返し配列された構造体によって構成された第1の層と、
前記第1の層上に積層され、前記基板と平行方向に延びる上面を有する第2の層と、を有する光学素子であって、
前記構造部は、前記側面と上面との間に斜面が形成され、前記斜面と前記上面とのなす内角θ1は、100°≦θ1≦170°であり、前記側面と前記斜面とのなす内角θ2は、(270−θ1)°≦θ2<180°であることを特徴とする。
また、本発明の光学素子は、前記斜面が前記上面となす角度θ1は、105°≦θ1≦165°であり、前記側面と前記斜面とのなす角度θ2は、(270−θ1)°≦θ2≦(280−θ1)°であることを特徴とする。
また、本発明の光学素子は、前記斜面は、長さLが15nm≦L≦195nmであることを特徴とする。
また、本発明の光学素子は、前記構造体が、ラインアンドスペース構造を備えていることを特徴とする。
また、本発明の光学素子は、前記構造体が、ホールパターン構造を備えていることを特徴とする。
また、本発明の光学素子は、前記構造体が、ドットパターン構造を備えていることを特徴とする。
また、本発明の光学素子は、前記第2の層は、構造体が形成されていることを特徴とする。
また、本発明の光学素子の製造方法は、
基板上に、
前記基板表面と平行方向に延びる上面と、前記基板表面上に位置する下面と、前記上面と前記下面との間に形成された側面とを備え、前記下面と前記側面とのなす内角が80度以上90度以下とされている構造部と、空間と、が可視光の波長以下のピッチで、交互に繰り返し配列された構造体によって構成された第1の層と、
前記第1の層上に、前記基板と平行方向に延びる上面を有する第2の層と、を有する光学素子の製造方法であって、
基板上に膜を堆積する工程と、
前記膜に、前記構造体を形成する工程と、
前記構造部における前記上面と前記側面との間に斜面が形成され、前記斜面と前記上面とのなす内角θ1が、100°≦θ1≦170°であり、前記斜面と前記側面とのなす内角θ2が、(270−θ1)°≦θ2<180°となる斜面を形成する工程と、
前記基板を回転させながら、前記斜面に垂直な方向からスパッタ粒子を堆積させて、前記構造体の上に、第2の層を形成する工程と、
を有することを特徴とする。
また、本発明の光学素子の製造方法は、前記斜面を形成する工程は、スパッタエッチング法またはドライエッチング法により形成することを特徴とする。
また、本発明の光学素子の製造方法は、前記スパッタエッチング法は、条件を設定することを特徴とする。
また、本発明の光学素子の製造方法は、前記構造体を形成する工程は、ドライエッチング法により形成することを特徴とする。
また、本発明の光学素子の製造方法は、前記第2の層に、構造体を形成する工程をさらに含むことを特徴とする。
The present invention provides an optical element configured as follows and a method for manufacturing the same.
The optical element of the present invention is
On the board
An upper surface extending in a direction parallel to the substrate surface; a lower surface positioned on the substrate surface; and a side surface formed between the upper surface and the lower surface, wherein an inner angle formed by the lower surface and the side surface is 80 degrees. A first layer constituted by a structure in which a structure portion that is 90 degrees or less and a space are alternately and repeatedly arranged at a pitch equal to or less than a wavelength of visible light;
An optical element having a second layer stacked on the first layer and having an upper surface extending in a direction parallel to the substrate,
The structural unit, the slope between the side surface and the upper surface is formed, forming an interior angle .theta.1 between the upper surface and the inclined surface is 100 ° ≦ θ1 ≦ 170 °, forming an interior angle θ2 between the side surface and the inclined surface (270−θ1) ° ≦ θ2 <180 °.
In the optical element of the present invention, the angle θ1 formed by the inclined surface and the upper surface is 105 ° ≦ θ1 ≦ 165 °, and the angle θ2 formed by the side surface and the inclined surface is (270−θ1) ° ≦ θ2. ≦ (280−θ1) °.
The optical element of the present invention is characterized in that the slope has a length L of 15 nm ≦ L ≦ 195 nm.
In the optical element of the present invention, the structure has a line and space structure.
In the optical element of the present invention, the structure has a hole pattern structure.
The optical element of the present invention is characterized in that the structure has a dot pattern structure.
In the optical element of the present invention, the second layer is formed with a structure.
Further, the method for producing the optical element of the present invention includes
On the board
An upper surface extending in a direction parallel to the substrate surface; a lower surface positioned on the substrate surface; and a side surface formed between the upper surface and the lower surface, wherein an inner angle formed by the lower surface and the side surface is 80 degrees. A first layer constituted by a structure in which a structure portion that is 90 degrees or less and a space are alternately and repeatedly arranged at a pitch equal to or less than a wavelength of visible light;
A second layer having a top surface extending in a direction parallel to the substrate on the first layer,
Depositing a film on the substrate;
Forming the structure on the film;
Is slope formed between the upper surface and the side surface of the structure, forming an interior angle .theta.1 between the upper surface and the inclined surface is a 100 ° ≦ θ1 ≦ 170 °, forming an interior angle θ2 between the side surface and the inclined surface Forming a slope that satisfies (270−θ1) ° ≦ θ2 <180 °,
Depositing sputtered particles from a direction perpendicular to the inclined surface while rotating the substrate to form a second layer on the structure;
It is characterized by having.
In the method of manufacturing an optical element according to the present invention, the step of forming the slope is formed by a sputter etching method or a dry etching method.
The optical element manufacturing method of the present invention is characterized in that the sputter etching method sets conditions.
In the method for manufacturing an optical element of the present invention, the step of forming the structure is formed by a dry etching method.
The method for producing an optical element of the present invention further includes a step of forming a structure in the second layer.
本発明によれば、空間と構造部とが可視光の波長以下のピッチで交互に繰り返し配列された構造体において、
該空間を含む構造部上に構造体又は薄膜を積層するに当たり、該構造体の形状の乱れを抑制することが可能となる光学素子およびその製造方法が実現できる。これにより、光学特性の劣化や、その上に積層された構造体又は薄膜との密着力の低下を抑制することができる。
According to the present invention, in the structure in which the space and the structure portion are alternately and repeatedly arranged at a pitch equal to or less than the wavelength of visible light,
When a structure or a thin film is stacked on the structure including the space, an optical element that can suppress the disorder of the shape of the structure and a method for manufacturing the optical element can be realized. As a result, it is possible to suppress degradation of optical characteristics and a decrease in adhesion with a structure or thin film laminated thereon.
本発明を実施するための最良の形態を、つぎの実施例により説明する。 The best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the following examples.
以下に、本発明の実施例について説明する。
[実施例1]
実施例1においては、本発明を適用した、基板上に、少なくとも第1の層と、該第1の層上に積層された第2の層とを有する光学素子において、
前記第1の層が、空間と構造部とが可視光の波長以下のピッチで、交互に繰り返し配列された構造体によって構成され、
前記構造部の上部には、前記第2の層を積層するに当たり、前記構造体の形状の乱れを抑制するための構成例として、
前記第2の層の積層面と平行方向に延びる前記構造部の上面に対し、所定のなす角度を有する斜面が形成されている光学素子およびその製造方法について説明する。
図1に、本実施例におけるラインアンドスペースによって構成された構造体による光学素子およびその製造方法について説明する工程図を示す。
図1(a)から図1(d)は、本実施例のラインアンドスペース構造による光学素子の製造方法を説明する工程図である。
図1において、11は透明基板、12はラインアンドスペース構造、13はラインの上部斜面、14はスペース部の空間、15は膜である。
Examples of the present invention will be described below.
[Example 1]
In Example 1, an optical element having at least a first layer and a second layer stacked on the first layer on a substrate to which the present invention is applied,
The first layer is constituted by a structure in which spaces and structures are alternately and repeatedly arranged at a pitch equal to or less than the wavelength of visible light,
On the upper part of the structure part, as a configuration example for suppressing the disorder of the shape of the structure body when laminating the second layer,
An optical element in which an inclined surface having a predetermined angle with respect to the upper surface of the structure portion extending in a direction parallel to the laminated surface of the second layer will be described, and a manufacturing method thereof.
FIG. 1 is a process diagram for explaining an optical element having a structure constituted by line and space in the present embodiment and a manufacturing method thereof.
FIG. 1A to FIG. 1D are process diagrams for explaining a method of manufacturing an optical element having a line and space structure according to this embodiment.
In FIG. 1, 11 is a transparent substrate, 12 is a line-and-space structure, 13 is an upper slope of the line, 14 is a space in the space portion, and 15 is a film.
本実施例において、まず、基板上に第1の層を堆積し、該第1の層を空間と構造部とが可視光の波長以下のピッチで、交互に繰り返し配列された構造体に形成する工程を、つぎのように実施する。
図1(a)に示されるように、透明基板11上にTiO2からなるラインアンドスペース構造12を設けた基板を準備する。
このTiO2からなるラインアンドスペース構造12は、TiO2膜をスパッタ法で成膜した後、通常の露光・現像工程によりフォトレジスト層をパターニングする。
その後、ドライエッチング法にてTiO2膜のスペース部をエッチングし、残りのレジストを適切な溶剤によって除去することにより形成される。
In this embodiment, first, a first layer is deposited on a substrate, and the first layer is formed into a structure in which spaces and structures are alternately and repeatedly arranged at a pitch less than the wavelength of visible light. The process is carried out as follows.
As shown in FIG. 1A, a substrate provided with a line and
Line and
Thereafter, the space portion of the TiO 2 film is etched by a dry etching method, and the remaining resist is removed by an appropriate solvent.
次に、前記構造部の上部に斜面を形成する工程において、図1(b)に示されるように、Arイオンによるスパッタエッチングを行うことにより、TiO2からなるラインアンドスペース構造12のライン上部に斜面13を形成する。
以下、このライン上部に形成された斜面をラインの上部斜面と記す。
この際、ライン上面(構造部の上面)とラインの上部斜面13のなす角θ1が135°、ラインの上部斜面の長さLが30nmになるようにエッチング条件を設定する。
ここで、ライン側面とラインの上部斜面13のなす角度θ2は、本実施例ではラインが基板に対して垂直であるとしているため、θ2=135°である。
次に、図1(c)に示されるように、通常のスパッタ法によりTiO2の成膜をおこなう。
次に、前記構造体の空間を含む前記構造部上に、第2の層または構造体を積層する工程を、つぎのように実施する。
すなわち、図1(d)に示されるように、スペース部の空間14を有したまま、ラインアンドスペース構造上に、TiO2膜15を形成する。
Next, in the step of forming a slope on the upper portion of the structure portion, as shown in FIG. 1B, sputter etching with Ar ions is performed to form an upper portion of the line and
Hereinafter, the slope formed above the line is referred to as the upper slope of the line.
At this time, the etching conditions are set so that the angle θ1 formed by the line upper surface (the upper surface of the structure portion) and the
Here, the angle θ2 formed between the line side surface and the
Next, as shown in FIG. 1C, a TiO 2 film is formed by a normal sputtering method.
Next, the step of laminating the second layer or structure on the structure part including the space of the structure is performed as follows.
That is, as shown in FIG. 1D, the TiO 2 film 15 is formed on the line and space structure while having the
さらにTiO2膜15に構造体を形成してもよい。構造体の形成方法は、従来知られている方法を用いることができる。例えば、TiO2膜15上に通常の露光・現像工程により
フォトレジスト層をパターニングした後、ドライエッチング法にてTiO2膜15のスペース部をエッチングし、残りのレジストを適切な溶剤によって除去することにより形成される。
Further, a structure may be formed on the TiO 2 film 15. As a method for forming the structure, a conventionally known method can be used. For example, after patterning a photoresist layer on the TiO 2 film 15 by a normal exposure / development process, the space portion of the TiO 2 film 15 is etched by a dry etching method, and the remaining resist is removed with an appropriate solvent. It is formed by.
つぎに、本実施例におけるラインの上部斜面の具体的構成について説明する。図2に、ラインの上部斜面の具体的構成について説明する図を示す。
図2において、θ1はライン上面(構造部の上面)とライン(構造部)の上部斜面とのなす角度、θ2はライン側面(構造部の側面)とラインの上部斜面とのなす角度、Lは斜面の長さを示している。
また、図3に、種々の検討により得られた、角度θ1とテンティング性の関係を説明する図を示す。
ここで、テンティング性とは凸部上面の法線方向への成膜レートに対する凸部側面の法線方向への成膜レートの比率である。
このテンティング性を、図4を用いて説明すると、テンティング性はd/t×100(%)で表される。
Next, a specific configuration of the upper slope of the line in the present embodiment will be described. FIG. 2 is a diagram illustrating a specific configuration of the upper slope of the line.
In FIG. 2, θ1 is an angle formed by the upper surface of the line (upper surface of the structure) and the upper slope of the line (structure), θ2 is an angle formed by the side of the line (side of the structure) and the upper slope of the line, and L is The length of the slope is shown.
FIG. 3 is a diagram for explaining the relationship between the angle θ1 and the tenting property obtained by various studies.
Here, the tenting property is the ratio of the film forming rate in the normal direction of the side surface of the convex portion to the film forming rate in the normal direction of the upper surface of the convex portion.
This tenting property will be described with reference to FIG. 4. The tenting property is expressed by d / t × 100 (%).
図3から明らかなように、スパッタ粒子がラインの上面に対して垂直に入射する通常のスパッタ法では、ラインの上部に斜面を形成することでテンティング性が向上する。
θ1が100°≦θ1≦170°の角度範囲にあるとき60%以上のテンティング性が得られ、105°≦θ1≦165°の角度範囲にあるとき70%以上のテンティング性が得られる。
さらに、θ1=135°の時に最大値を示し、このときテンティング性は約82%で斜面が無い場合に比べおよそ2.2倍向上する。
As is apparent from FIG. 3, in a normal sputtering method in which sputtered particles are incident perpendicularly to the upper surface of the line, the tenting property is improved by forming a slope on the upper portion of the line.
When θ1 is in the angle range of 100 ° ≦ θ1 ≦ 170 °, a tenting property of 60% or more is obtained, and when it is in the angle range of 105 ° ≦ θ1 ≦ 165 °, a tenting property of 70% or more is obtained.
Further, the maximum value is shown when θ1 = 135 °. At this time, the tenting property is about 82%, which is improved by about 2.2 times compared to the case where there is no slope.
また、本実施例のラインアンドスペース構造において、ラインは基板に対して垂直であることが理想的だが、実際にはラインはあるテーパ角を有する。
そのため、θ2は(270−θ1)°≦θ2<180°の角度範囲にあることになる。
さらに、ライン全体のテーパ角は80°以上90°以下であることが望ましく、このことからθ2は(270−θ1)°≦θ2≦(280−θ1)°の角度範囲にあるほうがより好ましい。
In the line-and-space structure of this embodiment, the line is ideally perpendicular to the substrate, but actually the line has a certain taper angle.
Therefore, θ2 is in the angle range of (270−θ1) ° ≦ θ2 <180 °.
Furthermore, it is desirable that the taper angle of the entire line is 80 ° or more and 90 ° or less. From this, it is more preferable that θ2 is in an angle range of (270−θ1) ° ≦ θ2 ≦ (280−θ1) °.
つぎに、上記ラインの上部斜面の長さLに関して説明する。
種々の検討により、ラインの上部斜面の長さLが15nmより短い場合、斜面の効果が薄れてしまうことが分かった。
そのため、ラインの上部斜面の長さLは15nm以上である必要がある。
さらに、本実施例のラインアンドスペース構造は、波長以下のピッチの繰り返し構造であるため、構造上195nm以上のラインの上部斜面を形成することができない。
これらのことから、ラインの上部斜面の長さLは15nm≦L≦195nmの範囲にあることになる。
本実施例では、θ1=135°、θ2=135°、L=30nmとした。
Next, the length L of the upper slope of the line will be described.
From various studies, it was found that when the length L of the upper slope of the line is shorter than 15 nm, the effect of the slope is diminished.
Therefore, the length L of the upper slope of the line needs to be 15 nm or more.
Furthermore, since the line and space structure of the present embodiment is a repeating structure with a pitch equal to or less than the wavelength, the upper slope of the line of 195 nm or more cannot be formed due to the structure.
Therefore, the length L of the upper slope of the line is in the range of 15 nm ≦ L ≦ 195 nm.
In this example, θ1 = 135 °, θ2 = 135 °, and L = 30 nm.
図11に、従来手法(テンティング性は35%)および本実施例手法(テンティング性は60%)を用いて作成したPBSのs偏光反射率のシミュレーション結果を示す。
図11から分かるように、テンティング性を向上することで、s偏光反射率を低減させることができる。
本実施例によれば、このように、反射漏れ光を低減できるため、高性能なPBSを製造することが可能となる。
FIG. 11 shows a simulation result of the s-polarized reflectance of PBS prepared using the conventional method (tenting property is 35%) and the present embodiment method (tenting property is 60%).
As can be seen from FIG. 11, the s-polarized reflectance can be reduced by improving the tenting property.
According to the present embodiment, the reflection leakage light can be reduced as described above, so that a high-performance PBS can be manufactured.
[実施例2]
実施例2においては、上記実施例1とは異なる形態のラインアンドスペース構造による光学素子およびその製造方法について説明する。
図5に、本実施例における光学素子およびその製造方法について説明する図を示す。図5(a)から図5(d)は、本実施例のラインアンドスペース構造による光学素子の製造方法を説明する工程図である。
図5において、51は透明基板、52はラインアンドスペース構造、53はラインの上部斜面、54はスペース部の空間、55はTiO2膜である。
[Example 2]
In the second embodiment, an optical element having a line and space structure different from that of the first embodiment and a manufacturing method thereof will be described.
FIG. 5 is a diagram for explaining the optical element and the manufacturing method thereof in this embodiment. FIG. 5A to FIG. 5D are process diagrams for explaining a method of manufacturing an optical element having a line and space structure according to this embodiment.
In FIG. 5, 51 is a transparent substrate, 52 is a line-and-space structure, 53 is an upper slope of the line, 54 is a space space, and 55 is a TiO 2 film.
本実施例における図5(a)及び図5(b)に示される工程では、実施例1と同様にして、透明基板51上にTiO2からなるラインアンドスペース構造52およびラインの上部斜面53を形成する。
この際、ライン上面とラインの上部斜面53のなす角θ1が105°、ラインの上部斜面の長さLが100nmになるようにエッチング条件を設定する。
ここで、ライン側面とラインの上部斜面53のなす角度θ2は、本実施例ではラインが基板に対して垂直であるとしているため、θ2=165°である。
次に、図5(c)に示されるように、斜入射スパッタ法によりスパッタ粒子の入射方向がラインの上部斜面53に対して垂直になるようにTiO2の成膜を行う。
この際、基板を例えば20rpm程度で回転させることにより、ラインの両側のラインの上部斜面53に対して均一に成膜することができる。
このようにして、図5(d)に示されるように、スペース部の空間54を有したままラインアンドスペース構造上にTiO2膜55を形成することができる。
In the process shown in FIGS. 5A and 5B in this embodiment, the line and
At this time, the etching conditions are set so that the angle θ1 formed by the upper surface of the line and the
Here, the angle θ2 formed between the line side surface and the
Next, as shown in FIG. 5C, a TiO 2 film is formed by oblique incidence sputtering so that the incident direction of the sputtered particles is perpendicular to the
At this time, by rotating the substrate at about 20 rpm, for example, the film can be uniformly formed on the
In this way, as shown in FIG. 5D, the TiO 2 film 55 can be formed on the line and space structure while having the
図6に、種々の検討により得られた、ライン上面とラインの上部斜面とのなす角θ1とテンティング性の関係を説明する図を示す。
ここで、スパッタ粒子の入射方向は、ラインの上部斜面に対して垂直である。
図6から明らかなように、スパッタ粒子の入射方向をラインの上部斜面に対して垂直に設定した斜入射スパッタ法では、θ1が小さくなるに伴いテンティング性は向上することが分かる。
FIG. 6 is a diagram for explaining the relationship between the angle θ1 formed between the upper surface of the line and the upper slope of the line and the tenting property obtained by various studies.
Here, the incident direction of the sputtered particles is perpendicular to the upper slope of the line.
As can be seen from FIG. 6, in the oblique incidence sputtering method in which the incident direction of the sputtered particles is set perpendicular to the upper slope of the line, the tenting property is improved as θ1 decreases.
本実施例によれば、θ1=105°であるため、テンティング性は約265%となり、ラインの上部斜面が無い場合に比べ、およそ7.4倍向上する。
以上の実施例により形成された位相板の特性を評価したところ、透過率の高い特性が得られた。
According to the present embodiment, since θ1 = 105 °, the tenting property is about 265%, which is improved by about 7.4 times compared to the case where there is no upper slope of the line.
When the characteristics of the phase plate formed by the above examples were evaluated, characteristics with high transmittance were obtained.
[実施例3]
実施例3においては、上記各実施例とは異なる形態の凹凸構造体による光学素子およびその製造方法について説明する。
図7に、本実施例における光学素子およびその製造方法について説明する図を示す。図7(a)から図7(e)は、本実施例の凹凸構造体による光学素子の製造方法を説明する工程図である。
図7において、71は透明基板、72はホールパターン構造、73はフォトレジスト、74は凸部の上部斜面、75はホール部の空間、76はTiO2膜である。
[Example 3]
In Example 3, an optical element using a concavo-convex structure having a different form from the above examples and a method for manufacturing the same will be described.
FIG. 7 is a view for explaining the optical element and the manufacturing method thereof in this embodiment. FIG. 7A to FIG. 7E are process diagrams for explaining a method of manufacturing an optical element using the concavo-convex structure of this example.
In FIG. 7, 71 is a transparent substrate, 72 is a hole pattern structure, 73 is a photoresist, 74 is an upper slope of a convex part, 75 is a space of a hole part, and 76 is a TiO 2 film.
本実施例において、光学素子を製造するに際し、まず、図7(a)に示されるように、透明基板71上にTiO2からなるホールパターン構造72および凸部上面にフォトレジスト73を設けた基板を準備する。
ここで、図7(a)を上から見た様子を図7(a’)に、また斜め上前方より見た様子を図7(a’’)に示す。
図7(a)は図7(a’)のa−a断面図になっている。
このTiO2からなるホールパターン構造72および凸部上面のフォトレジスト73は、TiO2膜をスパッタ法で成膜した後、通常の露光・現像工程によりフォトレジスト層をパターニングする。
その後、ドライエッチング法にてTiO2膜のホール部をエッチングすることにより形成される。
In this embodiment, when manufacturing an optical element, first, as shown in FIG. 7A, a substrate having a
Here, FIG. 7A is a view of FIG. 7A viewed from above, and FIG. 7A is a view of the view viewed obliquely from the upper front.
FIG. 7A is a cross-sectional view taken along the line aa of FIG.
Thereafter, the hole portion of the TiO 2 film is etched by a dry etching method.
次に、図7(b)に示されるように、CDEなどの等方性ドライエッチングを用いてフォトレジスト73の幅を所望の寸法に細らせる。
次に、図7(c)に示すように、フォトレジスト73をマスクとしてドライエッチング法によるテーパエッチングを用いて、凸部の上部斜面74を形成する。この際、凸部上面と凸部の上部斜面74のなす角θ1が165°、凸部の上部斜面の長さLが50nmになるようにエッチング条件を設定する。
ここで、ライン側面と凸部の上部斜面74のなす角度θ2は、本実施例ではラインが基板に対して垂直であるとしているため、θ2=105°である。
次に、図7(d)に示すように、斜入射イオンプレーティング法により成膜粒子の入射方向が斜面74に対して垂直になるようにTiO2の成膜を行う。
この際、基板を例えば20rpm程度で回転させることにより、凸部の上部斜面74に対して均一に成膜することができる。
このようにして、図7(e)に示されるように、ホール部の空間75を有したままホールパターン構造上にTiO2膜76を形成することができる。
以上の実施例により形成された光学素子の特性を評価したところ、高い特性が得られた。
Next, as shown in FIG. 7B, the width of the
Next, as shown in FIG. 7C, a convex
Here, the angle θ2 formed between the side surface of the line and the
Next, as shown in FIG. 7D, the TiO 2 film is formed by the oblique incidence ion plating method so that the incident direction of the film formation particles is perpendicular to the
At this time, for example, by rotating the substrate at about 20 rpm, the film can be uniformly formed on the
In this way, as shown in FIG. 7E, the TiO 2 film 76 can be formed on the hole pattern structure with the
When the characteristics of the optical element formed by the above examples were evaluated, high characteristics were obtained.
[実施例4]
実施例4においては、上記各実施例とは異なる形態の凹凸構造体による光学素子およびその製造方法について説明する。
図8に、本実施例における光学素子およびその製造方法について説明する図を示す。図8(a)から図8(e)は、本実施例の凹凸構造体による光学素子の製造方法を説明する工程図である。
図8において、81は透明基板、82はドットパターン構造、83はフォトレジスト、84は凸部の上部斜面、85は凹部の空間、86はTiO2膜である。
[Example 4]
In Example 4, an optical element using a concavo-convex structure having a different form from the above Examples and a method for manufacturing the same will be described.
FIG. 8 is a view for explaining the optical element and the manufacturing method thereof in this embodiment. FIG. 8A to FIG. 8E are process diagrams for explaining a method of manufacturing an optical element using the concavo-convex structure of this example.
In FIG. 8, 81 is a transparent substrate, 82 is a dot pattern structure, 83 is a photoresist, 84 is an upper slope of a convex portion, 85 is a space of a concave portion, and 86 is a TiO 2 film.
本実施例において、光学素子を製造するに際し、まず、図8(a)に示されるように、透明基板81上にTiO2からなるドットパターン構造82を設けた基板を準備する。
ここで、図8(a)を上から見た様子を図8(a’)に、また斜め上前方より見た様子を図8(a’’)に示す。
図8(a)は図8(a’)のa−a断面図になっている。
このTiO2からなるドットパターン構造82は、TiO2膜をスパッタ法で成膜した後、通常の露光・現像工程によりフォトレジスト層をパターニングする。その後、ドライエッチング法にてTiO2膜の凹部をエッチングした後、残りのレジストを適切な溶剤によって除去することにより形成される。
次に、図8(b)に示されるように、ドットパターン構造82のドット上に所望の寸法にパターニングされたフォトレジスト層83を形成する。
次に、図8(c)に示されるように、フォトレジスト層83をマスクとしてドライエッチング法によるテーパエッチングを用いて、上部斜面84を形成する。
この際、ドット上面と上部斜面84のなす角θ1が105°、斜面の長さLが150nmになるようにエッチング条件を設定する。ここで、ライン側面と斜面84のなす角度θ2は、本実施例ではラインが基板に対して垂直であるとしているため、θ2=165°である。
次に、図8(d)に示されるように、斜入射蒸着法により成膜粒子の入射方向が上部斜面84に対して垂直になるようにTiO2の成膜を行う。
この際、基板を例えば20rpm程度で回転させることにより、ドット端部の斜面84に対して均一に成膜することができる。
このようにして、図8(e)に示されるように、凹部の空間85を有したままドットパターン構造上にTiO2膜86を形成することができる。
以上の実施例により形成された光学素子の特性を評価したところ、高い特性が得られた。
In this embodiment, when manufacturing an optical element, first, as shown in FIG. 8A, a substrate provided with a
Here, FIG. 8 (a ′) shows a state of FIG. 8 (a) viewed from above, and FIG.
FIG. 8A is a cross-sectional view taken along the line aa in FIG.
Next, as shown in FIG. 8B, a
Next, as shown in FIG. 8C, the
At this time, the etching conditions are set so that the angle θ1 formed by the upper surface of the dot and the
Next, as shown in FIG. 8D, the TiO 2 film is formed by oblique incidence vapor deposition so that the incident direction of the film forming particles is perpendicular to the
At this time, by rotating the substrate at, for example, about 20 rpm, the film can be uniformly formed on the
In this way, as shown in FIG. 8E, the TiO 2 film 86 can be formed on the dot pattern structure while having the
When the characteristics of the optical element formed by the above examples were evaluated, high characteristics were obtained.
[実施例5]
実施例5においては、上記実施例1及び実施例2とは異なる形態のラインアンドスペース構造による光学素子およびその製造方法について説明する。
図9に、本実施例における光学素子およびその製造方法について説明する図を示す。図9(a)から図9(d)は、本実施例のラインアンドスペース構造による光学素子の製造方法を説明する工程図である。
図9において、91は透明基板、92はラインアンドスペース構造、93はラインの上部斜面、94はスペース部の空間、95はTiO2膜である。
[Example 5]
In Example 5, an optical element having a line and space structure different from those in Examples 1 and 2 and a method for manufacturing the optical element will be described.
FIG. 9 is a diagram for explaining the optical element and the manufacturing method thereof in this embodiment. FIG. 9A to FIG. 9D are process diagrams for explaining a method of manufacturing an optical element having a line and space structure according to this embodiment.
In FIG. 9, 91 is a transparent substrate, 92 is a line-and-space structure, 93 is an upper slope of the line, 94 is a space space, and 95 is a TiO 2 film.
本実施例において、光学素子を製造するに際し、図9(a)に示すように実施例1と同様にして、透明基板91上にTiO2からなるラインアンドスペース構造92を形成する。
この際、ラインは順テーパ形状に形成される。本実施例ではラインは80°のテーパ角を有している。
次に、図9(b)に示されるように、実施例1と同様にスパッタエッチングを用いてラインの上部斜面93を形成する。
この際、ライン上面と斜面93のなす角θ1が170°、斜面の長さLが15nmになるようにエッチング条件を設定する。ここでテーパ角が80°で、θ1が170°であるため、θ2は110°となる。
次に、図9(c)に示されるように、斜入射スパッタ法によりスパッタ粒子の入射方向が斜面93に対して垂直になるようにTiO2の成膜を行う。
この際、基板を例えば20rpm程度で回転させることにより、ラインの両側の上部斜面93に対して均一に成膜することができる。
このようにして、図9(d)に示されるように、スペース部の空間94を有したままラインアンドスペース構造上にTiO2膜95を形成することができる。
以上の実施例により形成された光学素子の特性を評価したところ、高い特性が得られた。
In this example, when manufacturing the optical element, a line and
At this time, the line is formed in a forward tapered shape. In this embodiment, the line has a taper angle of 80 °.
Next, as shown in FIG. 9B, the
At this time, the etching conditions are set so that the angle θ1 formed by the upper surface of the line and the
Next, as shown in FIG. 9C, TiO 2 is formed by oblique incidence sputtering so that the incident direction of the sputtered particles is perpendicular to the
At this time, for example, by rotating the substrate at about 20 rpm, the film can be uniformly formed on the
In this way, as shown in FIG. 9D, the TiO 2 film 95 can be formed on the line-and-space structure while having the
When the characteristics of the optical element formed by the above examples were evaluated, high characteristics were obtained.
[実施例6]
実施例6においては、上記実施例3及び実施例4とは異なる形態の凹凸構造体による光学素子およびその製造方法について説明する。
図10に、本実施例における光学素子およびその製造方法について説明する図を示す。図10(a)から図10(d)は、本実施例の凹凸構造体による光学素子の製造方法を説明する工程図である。
図10において、101は透明基板、102はドットパターン構造、103は凸部の上部斜面、104は凹部の空間、105はTiO2膜である。
[Example 6]
In Example 6, an optical element using a concavo-convex structure having a different form from those of Example 3 and Example 4 and a manufacturing method thereof will be described.
FIG. 10 is a diagram for explaining the optical element and the manufacturing method thereof in this embodiment. FIG. 10A to FIG. 10D are process diagrams for explaining a method of manufacturing an optical element using the concavo-convex structure of this example.
In FIG. 10, 101 is a transparent substrate, 102 is a dot pattern structure, 103 is an upper slope of a convex portion, 104 is a concave space, and 105 is a TiO 2 film.
本実施例において、光学素子を製造するに際し、図10(a)に示されるように、実施例4と同様にして、透明基板101上にTiO2からなるドットパターン構造102を形成する。
本実施例でのドットパターン構造102は完全な周期構造ではなく、欠陥を有する。
次に、図10(b)に示されるように、実施例1と同様にスパッタエッチングを用いて凸部の上部斜面103を形成する。
この際、凸部上面と凸部の上部斜面103のなす角θ1が100°、凸部の上部斜面の長さLが195nmになるようにエッチング条件を設定する。
ここで、凸部側面と凸部の上部斜面103のなす角度θ2は、本実施例では凸部が基板に対して垂直であるとしているため、θ2=170°である。
次に、図10(c)に示されるように、斜入射スパッタ法によりスパッタ粒子の入射方向が斜面103に対して垂直になるようにTiO2の成膜を行う。
この際、基板を例えば20rpm程度で回転させることにより、凸部の両側の凸部の上部斜面103に対して均一に成膜することができる。
このようにして、図10(d)に示されるように、凹部の空間104を有したまま凹凸構造体上にTiO2膜105を形成することができる。
以上の実施例により形成された光学素子の特性を評価したところ、高い特性が得られた。
In this example, when manufacturing the optical element, as shown in FIG. 10A, the
The
Next, as shown in FIG. 10B, a convex
At this time, the etching conditions are set so that the angle θ1 formed by the upper surface of the convex portion and the
Here, the angle θ2 formed by the side surface of the convex portion and the
Next, as shown in FIG. 10C, a TiO 2 film is formed by oblique incidence sputtering so that the incident direction of the sputtered particles is perpendicular to the
At this time, for example, by rotating the substrate at about 20 rpm, it is possible to form a film uniformly on the
In this way, as shown in FIG. 10D, the TiO 2 film 105 can be formed on the concavo-convex structure with the
When the characteristics of the optical element formed by the above examples were evaluated, high characteristics were obtained.
11、51、71、81、91、101:透明基板
12、52、92:ラインアンドスペース構造
13、53、74、84、93、103:ラインあるいは凸部の上部斜面
14、54、94:スペース部の空間
15、55、76、86、95、105:TiO2膜
72:ホールパターン構造
73、83:フォトレジスト
75:ホール部の空間
82、102:ドットパターン構造
85、104:凹部の空間
11, 51, 71, 81, 91, 101:
Claims (12)
前記基板表面と平行方向に延びる上面と、前記基板表面上に位置する下面と、前記上面と前記下面との間に形成された側面とを備え、前記下面と前記側面とのなす内角が80度以上90度以下とされている構造部と、空間と、が可視光の波長以下のピッチで、交互に繰り返し配列された構造体によって構成された第1の層と、
前記第1の層上に積層され、前記基板と平行方向に延びる上面を有する第2の層と、を有する光学素子であって、
前記構造部は、前記側面と上面との間に斜面が形成され、前記斜面と前記上面とのなす内角θ1は、100°≦θ1≦170°であり、前記側面と前記斜面とのなす内角θ2は、(270−θ1)°≦θ2<180°であることを特徴とする光学素子。 On the board
An upper surface extending in a direction parallel to the substrate surface; a lower surface positioned on the substrate surface; and a side surface formed between the upper surface and the lower surface, wherein an inner angle formed by the lower surface and the side surface is 80 degrees. A first layer constituted by a structure in which a structure portion that is 90 degrees or less and a space are alternately and repeatedly arranged at a pitch equal to or less than a wavelength of visible light;
An optical element having a second layer stacked on the first layer and having an upper surface extending in a direction parallel to the substrate,
The structural unit, the slope between the side surface and the upper surface is formed, forming an interior angle .theta.1 between the upper surface and the inclined surface is 100 ° ≦ θ1 ≦ 170 °, forming an interior angle θ2 between the side surface and the inclined surface Is an optical element characterized by satisfying (270−θ1) ° ≦ θ2 <180 °.
前記基板表面と平行方向に延びる上面と、前記基板表面上に位置する下面と、前記上面と前記下面との間に形成された側面とを備え、前記下面と前記側面とのなす内角が80度以上90度以下とされている構造部と、空間と、が可視光の波長以下のピッチで、交互に繰り返し配列された構造体によって構成された第1の層と、
前記第1の層上に、前記基板と平行方向に延びる上面を有する第2の層と、を有する光学素子の製造方法であって、
基板上に膜を堆積する工程と、
前記膜に、前記構造体を形成する工程と、
前記構造部における前記上面と前記側面との間に斜面が形成され、前記斜面と前記上面とのなす内角θ1が、100°≦θ1≦170°であり、前記斜面と前記側面とのなす内角θ2が、(270−θ1)°≦θ2<180°となる斜面を形成する工程と、
前記基板を回転させながら、前記斜面に垂直な方向からスパッタ粒子を堆積させて、前記構造体の上に、第2の層を形成する工程と、
を有することを特徴とする光学素子の製造方法。 On the board
An upper surface extending in a direction parallel to the substrate surface; a lower surface positioned on the substrate surface; and a side surface formed between the upper surface and the lower surface, wherein an inner angle formed by the lower surface and the side surface is 80 degrees. A first layer constituted by a structure in which a structure portion that is 90 degrees or less and a space are alternately and repeatedly arranged at a pitch equal to or less than a wavelength of visible light;
A second layer having a top surface extending in a direction parallel to the substrate on the first layer,
Depositing a film on the substrate;
Forming the structure on the film;
Is slope formed between the upper surface and the side surface of the structure, forming an interior angle .theta.1 between the upper surface and the inclined surface is a 100 ° ≦ θ1 ≦ 170 °, forming an interior angle θ2 between the side surface and the inclined surface Forming a slope that satisfies (270−θ1) ° ≦ θ2 <180 °,
Depositing sputtered particles from a direction perpendicular to the inclined surface while rotating the substrate to form a second layer on the structure;
A method for producing an optical element, comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007318050A JP5349793B2 (en) | 2007-12-10 | 2007-12-10 | Optical element and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007318050A JP5349793B2 (en) | 2007-12-10 | 2007-12-10 | Optical element and manufacturing method thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009139793A JP2009139793A (en) | 2009-06-25 |
JP5349793B2 true JP5349793B2 (en) | 2013-11-20 |
Family
ID=40870431
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007318050A Expired - Fee Related JP5349793B2 (en) | 2007-12-10 | 2007-12-10 | Optical element and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5349793B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017129887A (en) * | 2017-05-01 | 2017-07-27 | デクセリアルズ株式会社 | Polarization element and manufacturing method of polarization element |
JP2019095817A (en) * | 2019-03-25 | 2019-06-20 | デクセリアルズ株式会社 | Polarization element, and manufacturing method of polarization element |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06230221A (en) * | 1993-02-05 | 1994-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ir polarizer and its production |
JPH08184711A (en) * | 1994-12-29 | 1996-07-16 | Sony Corp | Polarization optical element |
JP2002328222A (en) * | 2001-04-26 | 2002-11-15 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Polarizing element and method for manufacturing the same |
JP2006126338A (en) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Polarizer and its manufacturing method |
JP2006258914A (en) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Konica Minolta Holdings Inc | Wavelength plate |
WO2006126707A1 (en) * | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Zeon Corporation | Grid polarizing film, method for producing grid polarizing film, optical laminate, method for producing optical laminate, and liquid crystal display |
JP5100146B2 (en) * | 2006-02-28 | 2012-12-19 | キヤノン株式会社 | Optical element and optical element manufacturing method |
-
2007
- 2007-12-10 JP JP2007318050A patent/JP5349793B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009139793A (en) | 2009-06-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7929209B2 (en) | Optical element and method of manufacturing optical element with each of first and second layers having a repetition structure | |
JP6544943B2 (en) | Mask blank, method of manufacturing phase shift mask, phase shift mask, and method of manufacturing semiconductor device | |
JP4760135B2 (en) | Optical device and optical device manufacturing method | |
JP2006215520A (en) | Method for manufacturing optical interference color display | |
US20140300964A1 (en) | Wire grid polarizer with substrate channels | |
JP2006106758A (en) | Wire grid polarizer and manufacturing method therefor | |
CN110347014A (en) | It is a kind of to prepare the high vertical wide vertical etch technique than titanium dioxide | |
CN111913246A (en) | Polarizing plate, optical device, and method for manufacturing polarizing plate | |
JP5349793B2 (en) | Optical element and manufacturing method thereof | |
KR101131101B1 (en) | Method for manufacturing of reflective type polarizer | |
JP2011133912A (en) | Method for producing optical apparatus | |
CN109917503B (en) | A grating device, its manufacturing method, and a display device | |
CN110998384A (en) | Polarizer | |
CN114631041B (en) | Optical film and method for producing same | |
US20090168170A1 (en) | Wire grid polarizer and method for fabricating the same | |
JP4999401B2 (en) | Manufacturing method of optical element having fine irregularities on surface | |
JP2007011206A (en) | Element and method for manufacturing element | |
JP5404227B2 (en) | Optical element manufacturing method and optical element | |
JP4260142B2 (en) | Photonic crystal element | |
JP2006251598A (en) | Method for manufacturing thin film structure | |
CN220232008U (en) | Diffraction element and AR display structure | |
CN117687140A (en) | Manufacturing techniques for wire grid polarizers | |
JP2002169010A (en) | Diffraction optical element | |
JP2003149440A (en) | Photonic crystal and manufacturing method thereof | |
JP2019095817A (en) | Polarization element, and manufacturing method of polarization element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101203 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120106 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120321 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120521 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121211 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130208 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130723 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130821 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |