JP5337572B2 - Laminated body and printed circuit board using the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体素子を実装するための配線回路基板に関するものである。 The present invention relates to a printed circuit board for mounting a semiconductor element.
シリコン半導体を用いたＩＣや、有機半導体を用いた有機ＥＬ素子など、種々の半導体材料にて構成される半導体素子は、通常、ウェハ基板面に素子をマトリクス状に多数繰り返して形成した後、ダイシングによって個々の素子である半導体チップ（ベアチップとも呼ばれる）へと分断することによって製造される。
以下の説明では、ウェハ基板上に半導体素子が形成された段階（ダイシング前の段階）のものを「半導体ウェハ」と呼ぶ。また、半導体チップを、単に「チップ」とも呼んで説明する。
Semiconductor elements composed of various semiconductor materials, such as ICs using silicon semiconductors and organic EL elements using organic semiconductors, are usually formed on a wafer substrate surface by repeating a number of elements in a matrix and then dicing. Is divided into semiconductor chips (also called bare chips) which are individual elements.
In the following description, a stage where a semiconductor element is formed on a wafer substrate (stage before dicing) is referred to as a “semiconductor wafer”. Further, the semiconductor chip is simply referred to as “chip” for explanation.
近年、半導体素子を外部の配線回路基板に接続（実装）する方法として、該素子の電極位置に配線回路基板の導体部分を対応させて両者を接続する方法（例えば、フリップチップボンディング）が用いられるようになっている。半導体素子を配線回路基板に接続するに際しては、半導体ウェハの状態のものを、それに対応したウェハ規模の配線回路基板に接続した後で、個々のチップへとダイシングを行う手順や、既にダイシングされた裸のチップを配線回路基板に接続する手順などがある。
配線回路基板としては、チップと共に封止されるパッケージ用回路基板や、他の素子が多数実装される一般的な回路基板などが挙げられる。また、チップとパッケージ用回路基板との接続には、インターポーザと称される接点付きのフレキシブル配線回路基板を間に介在させる場合もある（特許文献１、２）。
いずれの配線回路基板も、基本的には、ベース絶縁層（絶縁性のフィルム基材）上に回路層が積層された構造を持っており、該ベース絶縁層は、薄い樹脂製の基板である。
In recent years, as a method of connecting (mounting) a semiconductor element to an external printed circuit board, a method of connecting the conductor parts of the printed circuit board corresponding to the electrode positions of the element (for example, flip chip bonding) is used. It is like that. When connecting a semiconductor element to a printed circuit board, a semiconductor wafer is connected to a corresponding wafer-scale printed circuit board and then diced into individual chips or already diced. There are procedures for connecting a bare chip to a printed circuit board.
Examples of the printed circuit board include a package circuit board that is sealed together with a chip, and a general circuit board on which many other elements are mounted. In addition, a flexible printed circuit board with contacts called an interposer may be interposed between the chip and the package circuit board (
Each wired circuit board basically has a structure in which a circuit layer is laminated on a base insulating layer (insulating film base), and the base insulating layer is a thin resin substrate. .
前記のような配線回路基板のなかでも、例えば、インターポーザなどのようなフレキシブルな配線回路基板は、薄くフレキシブルな性質のために、チップ実装などの製造工程での取り扱い性は良好ではない。
よって、従来では、特許文献１、２などに示されているとおり、先ず、ステンレスなどからなる金属製支持基板上にフレキシブルな配線回路基板を形成して適当な剛性を与え、取り扱い性を改善した状態でチップ実装を行ない、そして、チップを実装して剛性が向上した後に金属製支持基板をエッチングにより除去するといった方法が用いられている。
Among the printed circuit boards as described above, for example, a flexible printed circuit board such as an interposer is thin and flexible, so that handling in a manufacturing process such as chip mounting is not good.
Therefore, conventionally, as shown in
しかしながら、本発明者等が、上記のようなフレキシブルな配線回路基板への半導体素子の実装の工程について検討したところ、次に述べる問題が存在することを見出し、これを解決すべき課題とした。
即ち、従来では、上記説明のとおり、金属製支持基板上にフレキシブルな配線回路基板を形成し、半導体素子を実装した後に金属製支持基板を除去している。ここで、金属製支持基板と配線回路基板とは、一体不可分な積層体として形成され、素子実装の後、該金属製支持基板を除去する際には、エッチングが用いられている。
本発明者等が見出した問題点は、エッチングによって金属製支持基板を除去すると、該金属製支持基板が消失するので、該金属製支持基板を再利用することができないという点である。また、従来では特に問題とはされていなかったが、エッチングによって金属製支持基板を除去する工程があるために、レジストの付与と除去など、製造工程が煩雑になっており、
製造コストが高くなっていることも問題である。またさらに、逐一エッチングによって金属製支持基板を除去していたのでは、エッチングの廃液処理の環境負荷も大きいという問題もある。
However, the present inventors have examined the process of mounting the semiconductor element on the flexible printed circuit board as described above. As a result, the present inventors have found that the problem described below exists and set this as a problem to be solved.
That is, conventionally, as described above, a flexible printed circuit board is formed on a metal support board, and the metal support board is removed after the semiconductor element is mounted. Here, the metal support substrate and the printed circuit board are formed as an integral inseparable laminate, and etching is used when the metal support substrate is removed after the elements are mounted.
The problem found by the present inventors is that when the metal support substrate is removed by etching, the metal support substrate disappears, so that the metal support substrate cannot be reused. In addition, although it was not particularly a problem in the past, because there is a step of removing the metal support substrate by etching, the manufacturing process such as application and removal of the resist has become complicated,
The high manufacturing cost is also a problem. Furthermore, if the metal support substrate is removed by etching one by one, there is also a problem that the environmental burden of waste liquid treatment for etching is large.
上記のような金属製支持基板に関する問題は、半導体素子の実装やインターポーザとして用いられるフレキシブルな配線回路基板だけに存在する問題ではなく、樹脂製基板を有しながらも該基板を薄くしなければならないために取り扱い性が問題となるような他の積層品においても同様に存在する問題である。 The problems related to the metal support substrate as described above are not problems that exist only in a flexible printed circuit board used as a semiconductor element mounting or interposer, but the substrate must be thin while having a resin substrate. Therefore, it is a problem that similarly exists in other laminated products in which handleability becomes a problem.
本発明の課題は、本発明者等が着目した上記問題を解消することであって、金属製支持基板によって支持することが必要でありかつ最終的には該金属製支持基板を剥離することが必要であるような樹脂性基板に対して、エッチングなどの煩雑な除去手段を用いることなく該金属製支持基板を再利用可能に除去できる積層体を提供することであり、かつ、それによって、配線回路基板等の生産性を改善することにある。 An object of the present invention is to eliminate the above-mentioned problems that the present inventors have paid attention to, and it is necessary to support the metal support substrate and finally peel off the metal support substrate. It is to provide a laminate capable of removably removing the metal support substrate without using complicated removal means such as etching with respect to a resinous substrate that is necessary, and thereby a wiring The purpose is to improve the productivity of circuit boards and the like.
本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意研究を行なった結果、配線回路基板のベース絶縁層として用いられ得る薄い樹脂層を金属製支持基板から剥離可能に形成することによって、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成させた。 As a result of diligent research to solve the above-mentioned problems, the present inventors have formed a thin resin layer that can be used as a base insulating layer of a printed circuit board so as to be peelable from a metal support substrate. The inventors have found that this can be solved and completed the present invention.
即ち、本発明は、次の特徴を有するものである。
（１）金属製支持基板上に、剥離層を介して樹脂層が積層された構造を有する積層体であって、
剥離層と金属製支持基板との密着力が、剥離層と樹脂層との密着力よりも大きいように、かつ、樹脂層が剥離層から剥離可能であるように、剥離層の材料が選択されており、それによって、樹脂層だけが当該積層体から剥離可能となっている、前記積層体。
（２）剥離層が、無機物または無機酸化物からなる層であるか、または、前記無機物からなる層として形成されているが該層の表層部分が無機酸化物へと変化している層である、上記（１）に記載の積層体。
（３）前記無機物が、銀、チタン、タングステン、ニッケル、モリブデンおよびケイ素から選ばれる１つの材料である、上記（２）記載の積層体。
（４）当該積層体が、樹脂層上に他の層を形成してなる積層構造を有する物品を製造するための素材として用いられるものであって、
樹脂層が、前記積層構造を有する物品の樹脂層として利用可能となるように、その材料と厚さとが選択されている、上記（１）〜（３）のいずれかに記載の積層体。
（５）前記積層構造を有する物品が、半導体素子を実装するための配線回路基板であって、該配線回路基板は、樹脂層をベース絶縁層とし、その上に導体層を回路パターンとして形成してなる積層構造を少なくとも有するものであり、
当該積層体の樹脂層が、前記配線回路基板のベース絶縁層として利用可能となるように、その材料と厚さとが選択されている、上記（４）に記載の積層体。
（６）上記（５）に記載の積層体が用いられ、
該積層体の樹脂層の上に少なくとも導体層が回路パターンとして形成され、それによって、該樹脂層をベース絶縁層とし、その上に導体層を回路パターンとして形成してなる積層構造を少なくとも有する配線回路基板が、前記積層体中の剥離層上に存在していることを特徴とする、剥離可能な金属製支持基板付きの配線回路基板。
That is, the present invention has the following characteristics.
(1) A laminate having a structure in which a resin layer is laminated via a release layer on a metal support substrate,
The material of the release layer is selected so that the adhesion between the release layer and the metal support substrate is greater than the adhesion between the release layer and the resin layer, and the resin layer can be peeled from the release layer. Thus, only the resin layer can be peeled from the laminate.
(2) The release layer is a layer made of an inorganic substance or an inorganic oxide, or is a layer formed as a layer made of the inorganic substance but whose surface layer portion is changed to an inorganic oxide. The laminate according to (1) above.
(3) The laminate according to (2) above, wherein the inorganic substance is one material selected from silver, titanium, tungsten, nickel, molybdenum, and silicon.
(4) The laminate is used as a material for manufacturing an article having a laminated structure formed by forming another layer on a resin layer,
The laminate according to any one of the above (1) to (3), wherein the material and the thickness thereof are selected so that the resin layer can be used as a resin layer of an article having the laminate structure.
(5) The article having the laminated structure is a printed circuit board for mounting a semiconductor element, and the wired circuit board has a resin layer as a base insulating layer and a conductor layer as a circuit pattern thereon. Having at least a laminated structure
The laminate according to (4), wherein the material and thickness are selected so that the resin layer of the laminate can be used as a base insulating layer of the wired circuit board.
(6) The laminate described in (5) above is used,
A wiring having at least a laminated structure in which at least a conductor layer is formed as a circuit pattern on the resin layer of the laminate, thereby forming the resin layer as a base insulating layer and a conductor layer as a circuit pattern thereon. A printed circuit board with a peelable metal support substrate, wherein the circuit board is present on a release layer in the laminate.
本発明の積層体を、例えば、チップを実装するための配線回路基板の製造に用いれば、チップを配線回路基板に実装した後、金属製支持基板をエッチングを用いずに、剥離層と共に単純に配線回路基板から剥離し、該金属製支持基板を破損させることなく分離することができる。
よって、煩雑なエッチング工程が不要になり、かつ、金属製支持基板を再利用することも可能になり、製造コストを低減することができる。
また、エッチングが不要となるために、その廃液処理の問題も根本的に無くなる。
For example, if the laminate of the present invention is used in the manufacture of a printed circuit board for mounting a chip, the metal support substrate is simply removed together with the release layer without using etching after the chip is mounted on the printed circuit board. It can be separated from the printed circuit board without damaging the metal support board.
Therefore, a complicated etching process is not required, and the metal support substrate can be reused, and the manufacturing cost can be reduced.
In addition, since etching is not necessary, the problem of waste liquid treatment is basically eliminated.
以下に、具体的な態様例に沿って、本発明による積層体とその用途を説明する。尚、本発明を規定するために用いている「上」など、上下方向を示す文言は、あくまで積層体内の各層の互いの位置関係を明確に説明するためのものであって、当該積層体を実際に使用する際の上下の姿勢などを限定するものではない。
図１は、本発明の積層体の構造とその作用を模式的に示した図である。同図（ａ）に示すように、当該積層体は、金属製支持基板１の上に、剥離層２を介して樹脂層３が積層された構造を少なくとも有する。そして、剥離層の材料が、次の（Ａ）、（Ｂ）の条件を満たすように選択されている。
（Ａ）剥離層２と金属製支持基板１との密着力が、剥離層２と樹脂層３との密着力よりも大きいこと。
（Ｂ）樹脂層３が剥離層２から剥離可能であること。
上記構成によって、図１（ｂ）に示すように、樹脂層３だけが当該積層体から剥離可能となっており、金属製支持基板１をエッチングによらず、損傷無く、容易に回収することが可能となっている。
Below, the laminated body by this invention and its use are demonstrated along the example of a specific aspect. It should be noted that the wording indicating the vertical direction such as “upper” used to define the present invention is only for clearly explaining the mutual positional relationship of each layer in the laminated body. It does not limit the vertical posture or the like when actually used.
FIG. 1 is a diagram schematically showing the structure of the laminate of the present invention and its function. As shown in FIG. 1A, the laminate has at least a structure in which a
(A) The adhesion between the
(B) The
With the above configuration, as shown in FIG. 1B, only the
剥離層と樹脂層との密着力、即ち、樹脂層を当該積層体の剥離層から剥離する時の剥離強度（剥離力ともいう）は、１００Ｎ／ｍ以下であることが好ましく、６０Ｎ／ｍ以下がより好ましい。
剥離層と樹脂層との密着力の下限は特に定める必要はないが、取り扱い可能な程度に樹脂層を剥離層に密着させる点からは、２Ｎ／ｍ程度が好ましい下限である。
一方、金属製支持基板と剥離層との密着力は、樹脂層に対する剥離層の密着力を上回っていればよいが、実使用上において、両者の密着力が接近していると、剥離させる操作によっては、剥離層が金属製支持基板から剥がれて樹脂層側に付いてくる可能性がある。よって、金属製支持基板に対する剥離層の密着力は、樹脂層の剥離操作に支障がない程度に充分に大きい方が好ましく、２００Ｎ／ｍ以上、特に５００Ｎ／ｍ以上が好ましい値である。金属製支持基板と剥離層との密着力の上限は特に定める必要はないが、２０００Ｎ／ｍ程度が一般的な密着力の限界である。
上記条件を満たすように剥離層の材料を選択し介在させることによって、図１（ｂ）に示すように、樹脂層だけを当該積層体から容易に剥がすことができ、かつ、金属製支持基板を損傷なく回収できるようになる。また、樹脂層の上に回路等を形成すれば、金属製支持基板を剥離可能に有する配線回路基板が得られる。
The adhesion between the release layer and the resin layer, that is, the peel strength (also referred to as peel force) when the resin layer is peeled from the release layer of the laminate is preferably 100 N / m or less, and 60 N / m or less. Is more preferable.
The lower limit of the adhesion between the release layer and the resin layer is not particularly required, but about 2 N / m is a preferable lower limit from the viewpoint that the resin layer is adhered to the release layer to the extent that it can be handled.
On the other hand, the adhesion force between the metal support substrate and the release layer only needs to exceed the adhesion force of the release layer to the resin layer. Depending on the case, there is a possibility that the release layer is peeled off from the metal support substrate and attached to the resin layer side. Therefore, the adhesive force of the release layer to the metal support substrate is preferably sufficiently large so as not to hinder the operation of peeling the resin layer, and is preferably 200 N / m or more, particularly preferably 500 N / m or more. The upper limit of the adhesion between the metal support substrate and the release layer is not particularly required, but about 2000 N / m is a general limit of adhesion.
By selecting and interposing the material of the release layer so as to satisfy the above conditions, only the resin layer can be easily peeled off from the laminate as shown in FIG. It can be recovered without damage. Moreover, if a circuit etc. are formed on a resin layer, the wiring circuit board which has a metal support substrate so that peeling is possible is obtained.
樹脂層と剥離層との密着力の測定方法は、当該積層体を幅５ｍｍ、長さ５０ｍｍ（長さは、これより長くてもよい）の帯状に裁断した試験片を用意し、その最下層である金属製支持基板を引張り試験機のステージに密着させた状態で固定し、該引張り試験機にて、最上層の樹脂層を金属製支持基板面に対して９０度方向に（即ち、ステージに対して垂直上方に）、速度５０ｍｍ／分で引き剥がし、その際に必要な荷重を測定し、その荷重を密着力とする。
金属製支持基板と剥離層との密着力の測定方法も、前記と同様である。
The method for measuring the adhesion between the resin layer and the release layer is to prepare a test piece obtained by cutting the laminate into a strip shape having a width of 5 mm and a length of 50 mm (the length may be longer). The metal support substrate is fixed in a state of being in close contact with the stage of the tensile tester, and the uppermost resin layer is oriented 90 degrees with respect to the metal support substrate surface (that is, the stage) with the tensile tester. The film is peeled off at a speed of 50 mm / min, and the load required at that time is measured, and the load is defined as the adhesion force.
The method for measuring the adhesion between the metal support substrate and the release layer is the same as described above.
金属製支持基板の材料は、特に限定はされないが、銅、銅を主体とする銅合金、ニッケル、ニッケルを主体とするニッケル合金、ニッケルと鉄を主な成分とする合金（例えば、ニッケル含有量を３６重量％とする３６アロイ、ニッケル含有量を４２重量％とする４２アロイなど）、鉄、ステンレスなどが好ましい材料として挙げられる。
当該積層体の用途が、半導体素子を実装するための配線回路基板である場合、半導体素子と金属製支持基板との線膨張係数の差を小さくするために、ニッケルと鉄を主な成分とする合金（例えば、４２アロイ）を用いることが好ましい。
The material of the metal support substrate is not particularly limited, but copper, a copper alloy mainly composed of copper, nickel, a nickel alloy mainly composed of nickel, an alloy mainly composed of nickel and iron (for example, nickel content) As the preferable material, 36 alloy with 36 wt%, 42 alloy with nickel content of 42 wt%, etc., iron, stainless steel and the like can be mentioned.
When the use of the laminate is a printed circuit board for mounting a semiconductor element, nickel and iron are the main components in order to reduce the difference in coefficient of linear expansion between the semiconductor element and the metal support board. It is preferable to use an alloy (for example, 42 alloy).
金属製支持基板の厚さは、材料の剛性にもよるが、５μｍ〜７０μｍ程度が好ましく、１０μｍ〜５０μｍがより好ましい厚さの範囲である。
金属製支持基板の厚さが５μｍを下回ると、取り扱い性が悪い場合があり、７０μｍより厚いと、ロール・トゥ・ロールによる生産が困難になる場合がある。
Although the thickness of the metal support substrate depends on the rigidity of the material, it is preferably about 5 μm to 70 μm, and more preferably 10 μm to 50 μm.
When the thickness of the metal support substrate is less than 5 μm, the handleability may be poor, and when it is thicker than 70 μm, the production by roll-to-roll may be difficult.
樹脂層の材料としては、限定はされないが、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの公知の合成樹脂や、それらの樹脂と、合成繊維布、ガラス布、ガラス不織布、種々の微粒子（ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、鉱物、粘土などからなる粒子）とを複合した樹脂などが挙げられる。
特に、当該積層体を用いて配線回路基板を製造する場合、即ち、樹脂層が配線回路基板のベース絶縁層となる場合、金属製支持基板を剥離した後の樹脂層が、より薄く、より大きな機械的強度を有し、より好ましい電気的特性（絶縁特性など）を有するフレキシブルなベース絶縁層となる点からは、ポリイミド、ポリアミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ガラス布複合エポキシ樹脂などが樹脂層の好ましい材料として挙げられる。
The material of the resin layer is not limited, but known synthetic resins such as polyimide resin, acrylic resin, polyether nitrile resin, polyether sulfone resin, epoxy resin, polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, and polyvinyl chloride resin. In addition, a resin in which such a resin is combined with a synthetic fiber cloth, a glass cloth, a glass nonwoven fabric, and various fine particles (particles made of TiO 2 , SiO 2 , ZrO 2 , mineral, clay, etc.) can be used.
In particular, when a printed circuit board is manufactured using the laminate, that is, when the resin layer is a base insulating layer of the printed circuit board, the resin layer after peeling the metal support substrate is thinner and larger. From the point of being a flexible base insulating layer having mechanical strength and more favorable electrical characteristics (insulating characteristics, etc.), the resin layer is made of polyimide, polyamide, epoxy resin, acrylic resin, glass cloth composite epoxy resin, etc. It is mentioned as a preferable material.
樹脂層の厚さは、特に限定はされないが、金属製支持基板による支持を必要とするような厚さは、３〜５０μｍ程度である。また、樹脂層を配線回路基板のベース絶縁層とする場合には、該樹脂層の厚さは、２〜５０μｍが好ましい。 The thickness of the resin layer is not particularly limited, but the thickness that needs to be supported by a metal support substrate is about 3 to 50 μm. When the resin layer is used as the base insulating layer of the printed circuit board, the thickness of the resin layer is preferably 2 to 50 μm.
本発明では、図１（ｂ）に示すように、樹脂層だけが単独で積層体から剥離可能となるように、即ち、上記（Ａ）、（Ｂ）の条件を満たすように、上記の樹脂層の材料、金属製支持基板の材料に対して、適切な材料を選択して剥離層を形成する。
上記した金属製支持基板と樹脂層の各材料に対する剥離層の材料としては、例えば、次に挙げる有機物や無機物が挙げられ、それによって、上記（Ａ）、（Ｂ）の条件を満たすことができる。
有機物としては、フッ素系樹脂やシリコーン系樹脂などが例示される。無機物としては、銀、チタン、タングステン、ニッケル、モリブデンなどの金属や、シリコン（ケイ素）などの非金属、またはこれら無機物が酸化した無機酸化物が挙げられる。また、剥離層が無機物で形成されている場合、該剥離層の表層部分が、例えば空気中の酸素と反応することなどによって無機酸化物となっていてもよい。例えば、ニッケルなどで剥離層を形成する場合、その表層は、空気中の酸素による自然酸化によって酸化ニッケルとなっている。
剥離層が、上記無機物またはその酸化物からなる場合は、樹脂層の形成プロセスにおいて、３００℃以上の加熱を行なっても、該剥離層と金属製支持基板との密着力が損なわれることがない。
上記の材料の中でも、チタン、酸化チタン、シリコン、シリコン酸化物は、樹脂層を剥離する際に、該樹脂層に起因する有機物残渣が、剥離層の表面に付着しにくいので、金属製支持基板を再利用する上で有利である。
In the present invention, as shown in FIG. 1B, only the resin layer can be separated from the laminate alone, that is, the above-mentioned resin is satisfied so as to satisfy the above-mentioned conditions (A) and (B). For the material of the layer and the material of the metal support substrate, an appropriate material is selected to form the release layer.
Examples of the material of the release layer for each of the metal support substrate and the resin layer described above include the following organic substances and inorganic substances, whereby the conditions (A) and (B) can be satisfied. .
Examples of the organic substance include a fluorine-based resin and a silicone-based resin. Examples of the inorganic substance include metals such as silver, titanium, tungsten, nickel, and molybdenum, nonmetals such as silicon (silicon), and inorganic oxides obtained by oxidizing these inorganic substances. Moreover, when the peeling layer is formed with the inorganic substance, the surface layer part of this peeling layer may become an inorganic oxide by reacting with oxygen in the air, for example. For example, when the peeling layer is formed of nickel or the like, the surface layer becomes nickel oxide by natural oxidation by oxygen in the air.
When the release layer is made of the above-described inorganic substance or oxide thereof, the adhesion between the release layer and the metal support substrate is not impaired even when heating at 300 ° C. or higher in the resin layer forming process. .
Among the above materials, titanium, titanium oxide, silicon, and silicon oxide have a metal support substrate because organic residues resulting from the resin layer are difficult to adhere to the surface of the release layer when the resin layer is released. It is advantageous in reusing.
剥離層の厚さは、好ましくは２〜１００ｎｍであり、より好ましくは３〜５０ｎｍである。剥離層の厚さが２ｎｍより薄いと、樹脂層との間の好ましい剥離性が得られない場合があり、１００ｎｍより厚いと、該剥離層と金属製支持基板との密着力が低下するという問題が生じる場合がある。 The thickness of the release layer is preferably 2 to 100 nm, more preferably 3 to 50 nm. When the thickness of the release layer is less than 2 nm, preferable peelability between the resin layer may not be obtained. When the thickness is more than 100 nm, the adhesion between the release layer and the metal support substrate is reduced. May occur.
金属製支持基板上に剥離層を形成する方法としては、該剥離層が上記有機物の場合には、その溶液を金属製支持基板上に塗工する方法（スピンコート、ディップコート、カーテンコートなど）、真空蒸着法などの種々の堆積法によって形成する方法、または、別途形成したフィルムを、接着剤を介してまたは加熱・加圧によって直接的に積層する方法などが挙げられる。
また、該剥離層が上記無機物または無機酸化物である場合には、該層の形成方法としては、電解めっき法、真空蒸着法、スパッタリング法などの堆積法が挙げられる。
これらの方法によって、上記材料からなる剥離層を金属製支持基板に対して好ましく密着させることができる。
As a method for forming a release layer on a metal support substrate, when the release layer is the above organic substance, a method of applying the solution onto the metal support substrate (spin coating, dip coating, curtain coating, etc.) Examples thereof include a method of forming by various deposition methods such as vacuum vapor deposition, or a method of laminating a separately formed film directly through an adhesive or by heating and pressing.
When the release layer is the above inorganic substance or inorganic oxide, examples of the method for forming the layer include deposition methods such as an electrolytic plating method, a vacuum evaporation method, and a sputtering method.
By these methods, the release layer made of the above material can be preferably adhered to the metal support substrate.
剥離層上に樹脂層を積層する方法は、特に限定はされないが、樹脂溶液を塗布し、乾燥させて層とする方法が好ましい方法として挙げられる。
樹脂層の材料がポリイミドの場合は、ポリアミック酸の溶液を塗布、乾燥して、ポリアミック酸からなる層を積層した後、３００℃以上の温度で加熱しイミド化し、目的の樹脂層とする。上記したように、このような高温の加熱を行う場合でも、剥離層が上記の無機物または無機酸化物であれば、金属製支持基板との密着力が劣化することはない。
The method of laminating the resin layer on the release layer is not particularly limited, but a preferable method is to apply a resin solution and dry it to form a layer.
When the material of the resin layer is polyimide, a polyamic acid solution is applied and dried, a layer made of polyamic acid is laminated, and then imidized by heating at a temperature of 300 ° C. or higher to obtain a target resin layer. As described above, even when such high-temperature heating is performed, if the release layer is the above-described inorganic substance or inorganic oxide, the adhesion with the metal support substrate does not deteriorate.
当該積層体は、樹脂層上に他の層を形成してなる積層構造を有する物品を製造するための素材として、好ましく用いることができる。そのような物品としては、配線回路基板、液晶ディスプレイ用カラーフィルタ、フレキシブル太陽電池などが挙げられる。また、当該積層体は、樹脂層上に他の層を形成せずに該樹脂層を剥離することによって、樹脂フィルムの製造に利用することもできる。
いずれの場合にも、当該積層体の樹脂層が製造目的とする物品の樹脂層となるように（例えば、物品が配線回路基板の場合には、樹脂層が配線回路基板のベース絶縁層として機能し得るように）、その樹脂の材料、厚さを選択すればよい。
The said laminated body can be preferably used as a raw material for manufacturing the article | item which has a laminated structure formed by forming another layer on a resin layer. Examples of such articles include printed circuit boards, liquid crystal display color filters, flexible solar cells, and the like. Moreover, the said laminated body can also be utilized for manufacture of a resin film by peeling this resin layer, without forming another layer on a resin layer.
In any case, the resin layer of the laminate is a resin layer of an article to be manufactured (for example, when the article is a printed circuit board, the resin layer functions as a base insulating layer of the printed circuit board). The material and thickness of the resin may be selected.
当該積層体を用いて配線回路基板を製造する場合の具体的な製作例を、以下に示す。
製造目的の配線回路基板は、樹脂製のベース絶縁層と、その上に回路パターンとして形成された導体層が形成された積層構造を少なくとも有するものである。
先ず、図２（ａ）に示すように、製造目的の配線回路基板のベース絶縁層を樹脂層３として有する当該積層体Ａを用意する。該積層体Ａは、図１（ａ）と同様、金属製支持基板１上に、剥離層２を介して樹脂層３が積層された構造を有するものである。
次に、図２（ｂ）に示すように、樹脂層３の上に導体層４を回路パターンの態様にて形成する。この時点で、該樹脂層３と導体層４とを有する配線回路基板Ｂが、当該積層体Ａ中の剥離層２の上に剥離可能に形成されたとみなすことができる。
導体層４の上には、図２（ｃ）に断面を示すように、導体パターンを適宜覆うカバー絶縁層５、該カバー絶縁層５上に形成された接点６（該接点は導通路を通じて導体パターン５と接続されている）などを、必要に応じてさらに形成してもよい。
配線回路基板Ｂの構造は、樹脂層３をベース絶縁層として、その上に、導体層をさらに多重に形成してもよく、目的に応じて、従来公知のあらゆる配線回路基板の構造を採用してよい。
A specific manufacturing example in the case of manufacturing a printed circuit board using the laminate will be described below.
A printed circuit board for manufacturing has at least a laminated structure in which a resin base insulating layer and a conductor layer formed as a circuit pattern thereon are formed.
First, as shown in FIG. 2A, the laminate A having a base insulating layer of a printed circuit board for manufacturing as a
Next, as shown in FIG. 2B, the
On the
The printed circuit board B may have a
導体層、接点、導通路の材料としては、例えば、銅、金、銀、白金、鉛、錫、ニッケル、コバルト、インジウム、ロジウム、クロム、タングステン、ルテニウムなどから選ばれる単独金属や、または、これらを成分とする合金（例えば、はんだ、ニッケル−錫、金−コバルトなど）が挙げられる。これらのなかでも、電解メッキまたは無電解メッキ可能な金属が好ましく用いられる。導体層の回路パターンの形成容易性、および、電気的特性が優れている点からは、銅が好ましい材料として挙げられる。
接点の表面には、接触信頼性を向上させるための貴金属被膜を形成してもよい。
Examples of the material for the conductor layer, the contact, and the conductive path include a single metal selected from copper, gold, silver, platinum, lead, tin, nickel, cobalt, indium, rhodium, chromium, tungsten, ruthenium, and the like. (Eg, solder, nickel-tin, gold-cobalt, etc.). Among these, metals that can be electroplated or electrolessly plated are preferably used. From the viewpoint of ease of forming the circuit pattern of the conductor layer and excellent electrical characteristics, copper is a preferred material.
A noble metal film for improving contact reliability may be formed on the surface of the contact.
導体層を回路パターンとして形成する方法は、従来のサブトラクティブ法、セミアディティブ法などを用いることができる。
半導体素子を実装するための配線回路基板では、導体パターンの厚さは、３〜２０μｍが好ましい。カバー絶縁層の厚さは、２〜１０μｍが好ましい。
また、カバー絶縁層は、接着剤からなる層であってもよい。
As a method of forming the conductor layer as a circuit pattern, a conventional subtractive method, semi-additive method, or the like can be used.
In a printed circuit board for mounting a semiconductor element, the thickness of the conductor pattern is preferably 3 to 20 μm. The thickness of the cover insulating layer is preferably 2 to 10 μm.
The insulating cover layer may be a layer made of an adhesive.
図２（ｂ）、（ｃ）に例示するように、当該積層体の樹脂層３の上に少なくとも導体層４を回路パターンとして形成することによって、ベース絶縁層としての樹脂層３と、その上の回路（導体層４）とを有する配線回路基板Ｂが、剥離層上に剥離可能に存在することになる。このような剥離可能な金属製支持基板付きの配線回路基板が、本発明による配線回路基板である。
当該配線回路基板の好ましい用途としては、図２（ｄ）に例示するように、導体層４に半導体素子Ｃをボンディングした後、金属製支持基板１と剥離層２とを、樹脂層３から剥離して、半導体装置を得るといった、半導体装置の製造への用途が挙げられる。図２（ｄ）は、図２（ｂ）の積層体に半導体素子Ｃをボンディングした例であるが、該積層体は、図２（ｃ）の積層体など、本願発明に含まれる積層体を用いればよい。
As illustrated in FIGS. 2B and 2C, by forming at least the
As a preferable use of the printed circuit board, as illustrated in FIG. 2D, after bonding the semiconductor element C to the
以下、実際に製作した例を挙げて、本発明の積層体をより具体的かつ詳細に説明する。
実施例１
本実施例では、図１（ａ）に示すように、金属製支持基板１としてステンレス箔（ＳＵＳ３０４、厚さ２０μｍ）を用い、その上に、剥離層２として厚さ２５ｎｍの銀薄膜を真空蒸着法によって形成し、さらにその上に、樹脂層３として厚さ１０μｍのポリイミド層を形成して、当該積層体を得た。
尚、剥離層２である銀薄膜の表層は、銀と空気中の酸素との反応によって酸化銀となっていた。
Hereinafter, the laminate of the present invention will be described more specifically and in detail with reference to an actually manufactured example.
Example 1
In this embodiment, as shown in FIG. 1A, a stainless steel foil (SUS304, thickness 20 μm) is used as the
In addition, the surface layer of the silver thin film which is the
樹脂層の形成プロセスでは、ポリアミック酸（３，４，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、パラフェニレンジアミンを反応させて得たもの）のＮＭＰ溶液を剥離層２の上に塗布し、乾燥させ、３７０℃で２時間加熱してイミド化を行い、ポリイミド層とした。
In the process of forming the resin layer, an NMP solution of polyamic acid (obtained by reacting 3,4,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 4,4′-diaminodiphenyl ether, paraphenylenediamine) Was applied onto the
上記と同様にして試験片を作製し、引張り試験機を用いた上述の試験方法によって剥離層と樹脂層との密着力を測定したところ、５３Ｎ／ｍであった。この密着力に対して、剥離層と金属製支持基板との密着力は、測定するまでもなく充分に大きく、３層構造（樹脂層／剥離層／金属製支持基板）の樹脂層と金属製支持基板とに対して引き剥がそうとする力を加えたとき、樹脂層と剥離層との界面での剥離を容易に生じさせ得るものであった。 A test piece was prepared in the same manner as described above, and the adhesion between the release layer and the resin layer was measured by the above-described test method using a tensile tester. The result was 53 N / m. With respect to this adhesion, the adhesion between the release layer and the metal support substrate is sufficiently large without being measured, and the resin layer of the three-layer structure (resin layer / release layer / metal support substrate) and the metal When a force for peeling off was applied to the support substrate, peeling at the interface between the resin layer and the peeling layer could easily occur.
〔配線回路基板の製作〕
上記で得られた積層体の樹脂層（ポリイミド層）をベース絶縁層として用い、該ベース絶縁層上にセミアディティブ法により、電解めっき銅からなる所定の導体パターン（厚さ５μｍ）を形成し、さらに、その導体パターンの上に、上記ポリアミック酸溶液を用いて、ポリイミドからなる所定形状のカバー絶縁層（厚さ３μｍ）を形成し、剥離可能な金属製支持基板付きの配線回路基板（配線回路基板部分の総厚さは１８μｍ）を得た。
[Production of printed circuit board]
Using the resin layer (polyimide layer) of the laminate obtained above as a base insulating layer, a predetermined conductive pattern (thickness 5 μm) made of electrolytically plated copper is formed on the base insulating layer by a semi-additive method, Furthermore, a cover insulating layer (
この配線回路基板は、金属製支持基板によって充分な剛性を与えられて、取り扱いが良好であり、かつ、剥離層と樹脂層との界面での剥離性は良好であり、金属製支持基板を剥離層と共に容易に剥がして配線回路基板が得られることがわかった。 This printed circuit board is given sufficient rigidity by the metal support board, is easy to handle, has good peelability at the interface between the release layer and the resin layer, and peels off the metal support board. It was found that the printed circuit board can be obtained by easily peeling together with the layers.
実施例２
本実施例では、剥離層として、チタンをターゲットとするＤＣスパッタリング法によって厚さ１８ｎｍのチタン薄膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、本発明による積層体、および、剥離可能な金属製支持基板付きの配線回路基板を形成した。
尚、剥離層であるチタン薄膜の表層は、チタンと空気中の酸素との反応によって酸化チタンとなっていた。
実施例１と同様にして、剥離層と樹脂層との密着力を測定したところ、２１Ｎ／ｍであった。この密着力に対して、剥離層と金属製支持基板との密着力は、実施例１と同様、測定するまでもなく充分に大きく、樹脂層と剥離層との界面での剥離を容易に生じさせ得るものであった。
Example 2
In this example, the laminate according to the present invention and the peelable layer were peelable in the same manner as in Example 1 except that a 18 nm thick titanium thin film was formed by a DC sputtering method using titanium as a release layer. A printed circuit board with a metal support substrate was formed.
In addition, the surface layer of the titanium thin film which is a peeling layer became titanium oxide by reaction of titanium and oxygen in the air.
When the adhesive force between the release layer and the resin layer was measured in the same manner as in Example 1, it was 21 N / m. In contrast to this adhesion, the adhesion between the release layer and the metal support substrate is sufficiently large without being measured, as in Example 1, and easily occurs at the interface between the resin layer and the release layer. It was possible to make it.
実施例３
本実施例では、剥離層として、タングステンをターゲットとするＤＣスパッタリング法によって厚さ３０ｎｍのタングステン薄膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、本発明による積層体、および、剥離可能な金属製支持基板付きの配線回路基板を形成した。
尚、剥離層であるタングステン薄膜の表層は、タングステンと空気中の酸素との反応によって酸化タングステンとなっていた。
実施例１と同様にして、剥離層と樹脂層との密着力を測定したところ、７Ｎ／ｍであった。この密着力に対して、剥離層と金属製支持基板との密着力は、実施例１と同様、測定するまでもなく充分に大きく、樹脂層と剥離層との界面での剥離を容易に生じさせ得るものであった。
Example 3
In this example, the laminate according to the present invention and the peelable layer were peelable in the same manner as in Example 1 except that a 30 nm thick tungsten thin film was formed by a DC sputtering method using tungsten as a target as the peeling layer. A printed circuit board with a metal support substrate was formed.
Note that the surface layer of the tungsten thin film as the peeling layer was changed to tungsten oxide by the reaction between tungsten and oxygen in the air.
When the adhesion between the release layer and the resin layer was measured in the same manner as in Example 1, it was 7 N / m. In contrast to this adhesion, the adhesion between the release layer and the metal support substrate is sufficiently large without being measured, as in Example 1, and easily occurs at the interface between the resin layer and the release layer. It was possible to make it.
実施例４
本実施例では、剥離層として、ニッケルをターゲットとするＲＦスパッタリング法によって厚さ９ｎｍのニッケル薄膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、本発明による積層体、および、剥離可能な金属製支持基板付きの配線回路基板を形成した。
尚、剥離層であるニッケル薄膜の表層は、ニッケルと空気中の酸素との反応によって酸化ニッケルとなっていた。
実施例１と同様にして、剥離層と樹脂層との密着力を測定したところ、１５Ｎ／ｍであった。この密着力に対して、剥離層と金属製支持基板との密着力は、実施例１と同様、測定するまでもなく充分に大きく、樹脂層と剥離層との界面での剥離を容易に生じさせ得るものであった。
Example 4
In this example, the laminate according to the present invention and the peelable layer were peelable in the same manner as in Example 1 except that a 9 nm thick nickel thin film was formed by RF sputtering using nickel as a target as the peeling layer. A printed circuit board with a metal support substrate was formed.
Note that the surface layer of the nickel thin film as the release layer was converted to nickel oxide by the reaction between nickel and oxygen in the air.
When the adhesive force between the release layer and the resin layer was measured in the same manner as in Example 1, it was 15 N / m. In contrast to this adhesion, the adhesion between the release layer and the metal support substrate is sufficiently large without being measured, as in Example 1, and easily occurs at the interface between the resin layer and the release layer. It was possible to make it.
実施例５
本実施例では、剥離層として、モリブデンをターゲットとするＤＣスパッタリング法によって厚さ３７ｎｍのモリブデン薄膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、本発明による積層体、および、剥離可能な金属製支持基板付きの配線回路基板を形成した。
尚、剥離層であるモリブデン薄膜の表層は、モリブデンと空気中の酸素との反応によって酸化モリブデンとなっていた。
実施例１と同様にして、剥離層と樹脂層との密着力を測定したところ、５Ｎ／ｍであった。この密着力に対して、剥離層と金属製支持基板との密着力は、実施例１と同様、測定するまでもなく充分に大きく、樹脂層と剥離層との界面での剥離を容易に生じさせ得るものであった。
Example 5
In this example, the laminate according to the present invention and the peelable layer were peelable in the same manner as in Example 1 except that a 37 nm-thick molybdenum thin film was formed by a DC sputtering method using molybdenum as a target as the peeling layer. A printed circuit board with a metal support substrate was formed.
Note that the surface layer of the molybdenum thin film as the release layer was converted to molybdenum oxide by the reaction between molybdenum and oxygen in the air.
When the adhesion between the release layer and the resin layer was measured in the same manner as in Example 1, it was 5 N / m. In contrast to this adhesion, the adhesion between the release layer and the metal support substrate is sufficiently large without being measured, as in Example 1, and easily occurs at the interface between the resin layer and the release layer. It was possible to make it.
実施例６
本実施例では、剥離層として、シリコン酸化物（二酸化ケイ素）をターゲットとするＲＦスパッタリング法によって厚さ７ｎｍの二酸化ケイ素薄膜を剥離層として形成したこと以外は、実施例１と同様にして、本発明による積層体、および、剥離可能な金属製支持基板付きの配線回路基板を形成した。
実施例１と同様にして、剥離層と樹脂層との密着力を測定したところ、４Ｎ／ｍであった。この密着力に対して、剥離層と金属製支持基板との密着力は、実施例１と同様、測定するまでもなく充分に大きく、樹脂層と剥離層との界面での剥離を容易に生じさせ得るものであった。
Example 6
In this example, the present example is similar to Example 1 except that a 7 nm thick silicon dioxide thin film is formed as a release layer by RF sputtering using silicon oxide (silicon dioxide) as a target. A laminate according to the invention and a printed circuit board with a peelable metal support substrate were formed.
When the adhesive force between the release layer and the resin layer was measured in the same manner as in Example 1, it was 4 N / m. In contrast to this adhesion, the adhesion between the release layer and the metal support substrate is sufficiently large without being measured, as in Example 1, and easily occurs at the interface between the resin layer and the release layer. It was possible to make it.
実施例７
本実施例では、樹脂層を形成するに際し、ポリアミック酸として、ピロメリット酸二無水物および２,２’−ジメチル−４,４’−ジアミノビフェニルを反応させて得たものを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、本発明による積層体、および、剥離可能な金属製支持基板付きの配線回路基板を形成した。
実施例１と同様にして、剥離層と樹脂層との密着力を測定したところ、１３Ｎ／ｍであった。この密着力に対して、剥離層と金属製支持基板との密着力は、実施例１と同様、測定するまでもなく充分に大きく、樹脂層と剥離層との界面での剥離を容易に生じさせ得るものであった。
Example 7
In this example, when the resin layer was formed, except that a polyamic acid obtained by reacting pyromellitic dianhydride and 2,2′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl was used. In the same manner as in Example 1, a laminate according to the present invention and a printed circuit board with a detachable metal support substrate were formed.
When the adhesion between the release layer and the resin layer was measured in the same manner as in Example 1, it was 13 N / m. In contrast to this adhesion, the adhesion between the release layer and the metal support substrate is sufficiently large without being measured, as in Example 1, and easily occurs at the interface between the resin layer and the release layer. It was possible to make it.
実施例８
本実施例では、金属製支持基板として、鉄−ニッケル合金（ニッケル含有率３６ｗ％、３６アロイ）からなる箔（厚さ５０μｍ）を用い、剥離層として、チタンをターゲットとするＤＣスパッタリング法によって厚さ３０ｎｍのチタン薄膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、本発明による積層体、および、剥離可能な金属製支持基板付きの配線回路基板を形成した。
尚、剥離層であるチタン薄膜の表層は、チタンと空気中の酸素との反応によって酸化チタンとなっていた。
実施例１と同様にして、剥離層と樹脂層との密着力を測定したところ、５Ｎ／ｍであった。この密着力に対して、剥離層と金属製支持基板との密着力は、実施例１と同様、測定するまでもなく充分に大きく、樹脂層と剥離層との界面での剥離を容易に生じさせ得るものであった。
Example 8
In this embodiment, a foil (thickness: 50 μm) made of an iron-nickel alloy (nickel content: 36 w%, 36 alloy) is used as the metal support substrate, and the release layer is thickened by a DC sputtering method using titanium as a target. A laminated body according to the present invention and a printed circuit board with a peelable metal support substrate were formed in the same manner as in Example 1 except that a 30 nm thick titanium thin film was formed.
In addition, the surface layer of the titanium thin film which is a peeling layer became titanium oxide by reaction of titanium and oxygen in the air.
When the adhesion between the release layer and the resin layer was measured in the same manner as in Example 1, it was 5 N / m. In contrast to this adhesion, the adhesion between the release layer and the metal support substrate is sufficiently large without being measured, as in Example 1, and easily occurs at the interface between the resin layer and the release layer. It was possible to make it.
以上の実施例２〜７で得られた配線回路基板は、いずれも、実施例１の製品と同様に、金属製支持基板によって充分な剛性を与えられて取り扱いが良好であり、かつ、剥離層と樹脂層との界面で剥離が生じるものであり、その剥離性は良好であった。 The wired circuit boards obtained in Examples 2 to 7 are all handled with good rigidity by the metal support board and the release layer, as in the product of Example 1. Peeling occurred at the interface between the resin layer and the resin layer, and the peelability was good.
比較例１
本比較例は、本発明で推奨する剥離層の材料が優れた剥離性を示すものであることを明らかにするための実験例であって、剥離層として、真空蒸着法によって厚さ２７ｎｍのアルミニウム薄膜を形成したこと以外は、実施例１と同様の手順にて積層体を形成した。
アルミニウム薄膜の表層は、空気中の酸素との反応によって酸化アルミニウムとなっていた。
実施例１と同様にして、剥離層と樹脂層とを剥離しようとしたところ、剥離層と樹脂層との密着力は強固であり、樹脂層の機械的強度を上回っているために、剥離することができなかった。
Comparative Example 1
This comparative example is an experimental example for clarifying that the material of the release layer recommended in the present invention exhibits an excellent release property. As the release layer, aluminum having a thickness of 27 nm is formed by vacuum deposition. A laminate was formed in the same procedure as in Example 1 except that a thin film was formed.
The surface layer of the aluminum thin film was converted to aluminum oxide by reaction with oxygen in the air.
When the release layer and the resin layer were to be peeled in the same manner as in Example 1, the adhesion between the release layer and the resin layer was strong and exceeded the mechanical strength of the resin layer. I couldn't.
比較例２
本比較例は、比較例１と同様の実験例であって、剥離層として、クロムをターゲットとするＤＣスパッタリング法によって厚さ２３ｎｍのクロム薄膜を剥離層として形成したこと以外は、実施例１と同様にして積層体を形成した。
クロム薄膜の表層は、空気中の酸素との反応によって酸化クロムとなっていた。
実施例１と同様にして、剥離層と樹脂層とを剥離しようとしたところ、剥離層と樹脂層との密着力は強固であり、樹脂層の機械的強度を上回っているために、剥離することができなかった。
Comparative Example 2
This comparative example is an experimental example similar to that of comparative example 1 except that a 23 nm-thick chromium thin film was formed as a release layer by a DC sputtering method using chromium as a target as the release layer. A laminate was formed in the same manner.
The surface layer of the chromium thin film became chromium oxide by reaction with oxygen in the air.
When the release layer and the resin layer were to be peeled in the same manner as in Example 1, the adhesion between the release layer and the resin layer was strong and exceeded the mechanical strength of the resin layer. I couldn't.
比較例３
本比較例は、比較例１、２と同様の実験例であって、剥離層として、ニッケル−クロム合金をターゲットとするＤＣスパッタリング法によって、厚さ６２ｎｍのニッケル・クロム合金薄膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、積層体を形成した。
ニッケル・クロム合金薄膜の表層は、空気中の酸素との反応によってニッケル・クロム合金の酸化物が形成されていた。
実施例１と同様にして、剥離層と樹脂層とを剥離しようとしたところ、剥離層と樹脂層との密着力は強固であり、樹脂層の機械的強度を上回っているために、剥離することができなかった。
Comparative Example 3
This comparative example is an experimental example similar to comparative examples 1 and 2, except that a 62 nm thick nickel-chromium alloy thin film was formed as a release layer by DC sputtering using a nickel-chromium alloy as a target. In the same manner as in Example 1, a laminate was formed.
On the surface layer of the nickel-chromium alloy thin film, a nickel-chromium alloy oxide was formed by reaction with oxygen in the air.
When the release layer and the resin layer were to be peeled in the same manner as in Example 1, the adhesion between the release layer and the resin layer was strong and exceeded the mechanical strength of the resin layer. I couldn't.
比較例４
本比較例は、従来技術の積層体の剥離性を確認するための実験例であって、剥離層を介在させず、金属製支持基板上に直接的に樹脂層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、積層体を形成した。
実施例１と同様にして、樹脂層と金属製支持基板とを剥離しようとしたところ、両者の間の密着力は強固であり、樹脂層の機械的強度を上回っているために、剥離することができなかった。
Comparative Example 4
This comparative example is an experimental example for confirming the peelability of the laminate of the prior art, except that the resin layer was formed directly on the metal support substrate without interposing the release layer. In the same manner as in Example 1, a laminate was formed.
In the same manner as in Example 1, when the resin layer and the metal support substrate were to be peeled off, the adhesive strength between the two was strong and exceeded the mechanical strength of the resin layer. I could not.
以上の実施例から、剥離層の材料を適切に選択することによって、樹脂層に対してのみ格別なる選択性をもって、容易に剥離し得る密着力を示すことがわかった。 From the above examples, it has been found that by appropriately selecting the material of the release layer, the adhesive force that can be easily peeled is exhibited with exceptional selectivity only for the resin layer.
本発明によって、例えば、半導体素子を実装するためのフレキシブルな配線回路基板などでは、金属製支持基板を付与して取り扱い性を高めても、その金属製支持基板は、エッチングなどの煩雑な除去手段を用いることなく再利用可能に除去できるので、生産性が改善され、また、エッチングが不要となるために、その廃液処理の問題も根本的に無くなる。 According to the present invention, for example, in the case of a flexible printed circuit board for mounting a semiconductor element, even if a metal support substrate is provided to improve the handleability, the metal support substrate is subjected to complicated removal means such as etching. Therefore, productivity can be improved, and etching is not necessary, so that the problem of the waste liquid treatment is basically eliminated.
１ 金属製支持基板
２ 剥離層
３ 樹脂層
1
Claims (5)
剥離層と金属製支持基板との密着力が、剥離層と樹脂層との密着力よりも大きいように、かつ、樹脂層が剥離層から剥離可能であるように、剥離層の材料が選択されており、該剥離層の材料は、チタン、酸化チタン、シリコン、または、シリコン酸化物であって、それによって、樹脂層だけが当該積層体から剥離可能となっている、前記積層体。 A laminate having a structure in which a resin layer is laminated via a release layer on a metal support substrate,
The material of the release layer is selected so that the adhesion between the release layer and the metal support substrate is greater than the adhesion between the release layer and the resin layer, and the resin layer can be peeled from the release layer. And the material of the release layer is titanium, titanium oxide, silicon, or silicon oxide, whereby only the resin layer can be peeled from the laminate.
樹脂層が、前記積層構造を有する物品の樹脂層として利用可能となるように、その材料と厚さとが選択されている、請求項１または２記載の積層体。 The laminate is used as a material for producing an article having a laminated structure formed by forming another layer on a resin layer,
The laminate according to claim 1 or 2 , wherein a material and a thickness thereof are selected so that the resin layer can be used as a resin layer of an article having the laminated structure.
当該積層体の樹脂層が、前記配線回路基板のベース絶縁層として利用可能となるように、その材料と厚さとが選択されている、請求項３に記載の積層体。 The article having the laminated structure is a printed circuit board for mounting a semiconductor element, and the wired circuit board is formed by forming a resin layer as a base insulating layer and a conductor layer as a circuit pattern thereon. Having at least a structure,
The laminate according to claim 3 , wherein a material and a thickness thereof are selected so that the resin layer of the laminate can be used as a base insulating layer of the wired circuit board.
該積層体の樹脂層の上に少なくとも導体層が回路パターンとして形成され、それによって、該樹脂層をベース絶縁層とし、その上に導体層を回路パターンとして形成してなる積層構造を少なくとも有する配線回路基板が、前記積層体中の剥離層上に存在していることを特徴とする、剥離可能な金属製支持基板付きの配線回路基板。 The laminate according to claim 4 is used,
A wiring having at least a laminated structure in which at least a conductor layer is formed as a circuit pattern on the resin layer of the laminate, thereby forming the resin layer as a base insulating layer and a conductor layer as a circuit pattern thereon. A printed circuit board with a peelable metal support substrate, wherein the circuit board is present on a release layer in the laminate.
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