JP5279463B2 - 枚葉式基板処理装置及び方法 - Google Patents
枚葉式基板処理装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5279463B2 JP5279463B2 JP2008296275A JP2008296275A JP5279463B2 JP 5279463 B2 JP5279463 B2 JP 5279463B2 JP 2008296275 A JP2008296275 A JP 2008296275A JP 2008296275 A JP2008296275 A JP 2008296275A JP 5279463 B2 JP5279463 B2 JP 5279463B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- polishing pad
- polishing
- processing apparatus
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 120
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 152
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 39
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 26
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 26
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 23
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 21
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 6
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 claims description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 4
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 235000008331 Pinus X rigitaeda Nutrition 0.000 claims 2
- 235000011613 Pinus brutia Nutrition 0.000 claims 2
- 241000018646 Pinus brutia Species 0.000 claims 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 8
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
図1は、本発明による枚葉式基板処理装置の斜視図である。
図1を参照すると、本発明による枚葉式基板処理装置1は、処理容器100、基板支持ユニット200、洗浄ユニット310、320、研磨ユニット400、そしてパッドコンディショニングユニット500を含む。本発明による枚葉式基板処理装置1は、基板に対する洗浄工程と研磨工程を一つの処理室10内で行うことができる。従って、洗浄ユニット310、320、研磨ユニット400及びパッドコンディショニングユニット500は、処理室10内の処理容器100及び基板支持ユニット200の周りに適切な配置構造で備えられることができる。
10 処理室100 処理容器
110,120,130 回収筒
141,143,145 回収ライン
200 基板支持ユニット
310、320 洗浄ユニット
400 研磨ユニット
420 研磨ヘッド
421 ハウジング
422 パッドホルダー
423 研磨パッド
424 金属プレート
425 ベローズ
426 空圧部材
427 ベアリング
440 第1駆動部材
443−1 第1駆動プーリー
443−2 第1従動プーリー
443−3 第1駆動ベルト
460 第2駆動部材
461 スイングアーム
462 垂直アーム
480 第3駆動部材
482 支持ブロック
486 直線駆動ユニット
500 パッドコンディショニングユニット
510 処理槽
520 ダイヤモンドコンディショナ
540 脱イオン水供給部材
Claims (18)
- 枚葉式基板処理装置であって、
基板処理工程が行なわれる処理室と、
前記処理室内に設けられ、基板を載置し回転可能な基板支持ユニットと、
前記処理室内の前記基板支持ユニットの一側に設けられ、前記基板を化学的機械的方法で研磨する研磨ユニットと、
前記処理室内の前記基板支持ユニットの他の一側に設けられ、前記基板を洗浄する洗浄ユニットと、
前記処理室内の前記基板支持ユニットの他の一側に設けられ、前記研磨ユニットの前記研磨パッドを研磨して、前記研磨パッドの表面粗度を調整するパッドコンディションユニットと、
を含み、
前記研磨ユニットは、
前記基板を研磨する研磨パッドが装着された研磨ヘッドと、
前記研磨パッドをその中心軸を基準に回転させる第1駆動部材と、
前記研磨ヘッドを水平面上で移動させる第2駆動部材と、
前記研磨ヘッドを上下方向に移動させる第3駆動部材と、を含み、また、
前記パッドコンディショニングユニットは、
前記研磨パッドが装着された前記研磨ヘッドの端部が収容されるように上部が開放された処理槽と、
前記処理槽の底面に設けられ、前記研磨パッドが接触して研磨されるダイヤモンドコンディショナと、を含み
前記ダイヤモンドコンディショナは環状であり、前記処理槽の底面に複数が設けられ、
前記研磨ヘッドは、
下部が開放された円筒形状のハウジングと、
前記ハウジングの開放された下部に設けられ、前記研磨パッドが結合される研磨パッドホルダーと、
前記研磨パッドホルダーの上部面に上下方向に伸縮可能に設けられたベローズと、
前記ベローズの内部に空気圧力を流入させ、前記研磨パッドホルダーの前記上部面に前記空気圧力を作用させて、前記研磨パッドを複数の前記ダイヤモンドコンディショナに接触させることを特徴とする枚葉式基板処理装置。 - 前記研磨パッドは、金属プレートの一面に付着し、
前記研磨パッドホルダーには、前記金属プレートの他の一面が前記研磨パッドホルダーに着脱可能に結合されるよう、前記金属プレートに磁力を作用させる磁石部材が内蔵されること、を特徴とする請求項1に記載の枚葉式基板処理装置。 - 前記第1駆動部材は、
第1駆動モーターと、
前記第1駆動モーターの回転軸が挿入設置される第1駆動プーリーと、
前記空圧部材が挿入設置される第1従動プーリーと、
前記第1駆動プーリーと前記第1従動プーリーに巻かれ、前記第1駆動モーターの回転力を前記第1駆動プーリーから前記第1従動プーリーに伝達する第1ベルトと、を含むことを特徴とする請求項1に記載の枚葉式基板処理装置。 - 前記第2駆動部材は、
前記ハウジングに水平方向に結合されるスイングアームと、
前記スイングアームの他端に垂直方向に結合される垂直アームと、
前記垂直アームに回転力を提供する第2駆動モーターと、を含むことを特徴とする請求項1に記載の枚葉式基板処理装置。 - 前記第2駆動モーターの回転軸が挿入設置される第2駆動プーリーと、
前記垂直アームが挿入設置される第2従動プーリーと、
前記第2駆動プーリーと前記第2従動プーリーに巻かれ、前記第2駆動モーターの回転力を前記第2駆動プーリーから前記第2従動プーリーに伝達する第2ベルトと、をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の枚葉式基板処理装置。 - 前記第1駆動部材の前記第1駆動モーターと前記第1駆動プーリーは、前記スイングアームの内部に設けられ、
前記第1ベルトは、前記スイングアームの内部を介して前記第1駆動プーリーと前記第1従動プーリーに巻かれること、を特徴とする請求項4に記載の枚葉式基板処理装置。 - 前記第3駆動部材は、
前記垂直アームを回転可能に支持する支持ブロックと、
前記支持ブロックを上下方向に直線移動させる直線駆動ユニットと、を含むことを特徴とする請求項4に記載の枚葉式基板処理装置。 - 前記支持ブロックの上下方向直線移動を案内するガイド部材をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の枚葉式基板処理装置。
- 前記第1駆動部材は、前記基板支持ユニットに載置された前記基板の回転方向の逆方向に前記研磨パッドを回転させること、を特徴とする請求項1に記載の枚葉式基板処理装置。
- 前記パッドコンディショニングユニットは、
前記研磨パッドが装着された前記研磨ヘッドの端部が収容されるように上部が開放された処理槽と、
前記処理槽の底面に設けられ、前記研磨パッドが接触して研磨されるダイヤモンドコンディショナと、を含むことを特徴とする請求項9に記載の枚葉式基板処理装置。 - 前記ダイヤモンドコンディショナは環状であり、前記処理槽の底面に複数が設けられること、を特徴とする請求項10に記載の枚葉式基板処理装置。
- 前記処理槽の底面は、第1底面と、前記第1底面より低い高さの段差を有する第2底面とを含み、
前記ダイヤモンドコンディショナは前記第1底面に設けられること、を特徴とする請求項10に記載の枚葉式基板処理装置。 - 前記第1底面を介して前記処理槽内に脱イオン水を供給するように、前記第1底面に連結される第1脱イオン水供給部材と、
前記処理槽内に供給された脱イオン水が前記第2底面を介して排出されるように、前記第2底面に連結される排水部材と、をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の枚葉式基板処理装置。 - 前記第1底面に向かって脱イオン水を供給するように前記処理槽に設けられる第2脱イオン水供給部材をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の枚葉式基板処理装置。
- 前記第3駆動部材は、前記処理槽に収容された前記研磨ヘッドを上下方向に移動させて前記研磨パッドを前記ダイヤモンドコンディショナに接触させ、
前記第2駆動部材は、前記研磨ヘッドを水平面上で移動させて、前記ダイヤモンドコンディショナ上で前記研磨パッドをスキャンし、
前記第1駆動部材は、前記研磨パッドを回転させること、を特徴とする請求項10に記載の枚葉式基板処理装置。 - 前記洗浄ユニットは、
前記基板に向かって洗浄液を供給する洗浄液供給部材と、
前記基板に供給された洗浄液に超音波を印加する超音波洗浄部材と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の枚葉式基板処理装置。 - 請求項1に記載の松葉式基板処理装置を用いて、松葉式で基板を処理する方法であって、基板の上面に研磨パッドを接触させて前記基板の上面を研磨し、前記研磨パッドの上部に提供されるベローズを伸長させて前記研磨パッドを前記基板に密着させることを特徴とする基板処理方法。
- 前記研磨パッドを前記基板の回転方向の逆方向に回転させながら、前記基板を研磨パッドにより研磨すること、を特徴とする請求項17に記載の基板処理方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2008-0054082 | 2008-06-10 | ||
KR1020080054082A KR101004432B1 (ko) | 2008-06-10 | 2008-06-10 | 매엽식 기판 처리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009302503A JP2009302503A (ja) | 2009-12-24 |
JP5279463B2 true JP5279463B2 (ja) | 2013-09-04 |
Family
ID=41400753
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008296275A Active JP5279463B2 (ja) | 2008-06-10 | 2008-11-20 | 枚葉式基板処理装置及び方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8287333B2 (ja) |
JP (1) | JP5279463B2 (ja) |
KR (1) | KR101004432B1 (ja) |
CN (1) | CN101604616A (ja) |
TW (1) | TWI380358B (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101170760B1 (ko) * | 2009-07-24 | 2012-08-03 | 세메스 주식회사 | 기판 연마 장치 |
US9844800B2 (en) * | 2014-04-23 | 2017-12-19 | Applied Materials, Inc. | Systems, methods and apparatus for post-chemical mechanical planarization substrate cleaning |
CN104167351B (zh) * | 2014-07-23 | 2018-06-01 | 东莞市天域半导体科技有限公司 | 一种SiC外延片的化学机械清洗方法 |
SG10201508329UA (en) | 2014-10-10 | 2016-05-30 | Ebara Corp | Buffing apparatus and substrate processing apparatus |
CN104384127B (zh) * | 2014-10-11 | 2017-03-29 | 清华大学 | 用于清洗修整器的清洗装置 |
US10593554B2 (en) | 2015-04-14 | 2020-03-17 | Jun Yang | Method and apparatus for within-wafer profile localized tuning |
CN104816236B (zh) * | 2015-04-29 | 2017-03-08 | 苏州华徕光电仪器有限公司 | 一种光纤端头集中研磨清理装置 |
CN104959902A (zh) * | 2015-06-19 | 2015-10-07 | 法格霭德兰汽车配件(昆山)有限公司 | 一种抛光机 |
CN106269603A (zh) * | 2016-09-29 | 2017-01-04 | 无锡宏纳科技有限公司 | 晶圆片的揉搓清洗装置 |
US11059145B2 (en) * | 2017-08-10 | 2021-07-13 | Tokyo Electron Limited | Dressing apparatus and dressing method for substrate rear surface polishing member |
JP7169769B2 (ja) * | 2017-08-10 | 2022-11-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板裏面研磨部材のドレッシング装置及びドレッシング方法 |
CN107520686A (zh) * | 2017-08-25 | 2017-12-29 | 浙江羿阳太阳能科技有限公司 | 一种硅片用新型抛光装置 |
KR102522272B1 (ko) * | 2018-04-27 | 2023-04-18 | 에이씨엠 리서치 (상하이), 인코포레이티드 | 반도체 웨이퍼 세정 방법 및 장치 |
KR102021741B1 (ko) * | 2018-11-21 | 2019-11-04 | 주식회사 다임스틸 | 신용카드 전사용 스틸판 제조장치 및 방법 |
TWI821679B (zh) * | 2020-08-25 | 2023-11-11 | 南韓商杰宜斯科技有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
KR102616130B1 (ko) * | 2020-12-29 | 2023-12-22 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR20220144989A (ko) * | 2021-04-21 | 2022-10-28 | 주식회사 제우스 | 기판세정장치 |
CN114012605B (zh) * | 2022-01-05 | 2022-05-17 | 杭州众硅电子科技有限公司 | 一种抛光垫修整装置 |
USD1022364S1 (en) | 2022-06-03 | 2024-04-09 | Entegris, Inc. | Polyvinyl alcohol pad |
USD1027345S1 (en) | 2022-06-03 | 2024-05-14 | Entegris, Inc. | Polyvinyl alcohol pad |
TW202412092A (zh) * | 2022-06-03 | 2024-03-16 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 用於清潔基板之裝置及相關方法 |
US20240363371A1 (en) * | 2023-04-28 | 2024-10-31 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning improvement |
Family Cites Families (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4393628A (en) * | 1981-05-04 | 1983-07-19 | International Business Machines Corporation | Fixed abrasive polishing method and apparatus |
JPS60108262A (ja) | 1983-11-15 | 1985-06-13 | Aida Eng Ltd | 研磨用ロボット |
JP3595011B2 (ja) | 1994-03-02 | 2004-12-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 研磨制御を改善した化学的機械的研磨装置 |
KR0132274B1 (ko) * | 1994-05-16 | 1998-04-11 | 김광호 | 웨이퍼 연마 설비 |
US6024630A (en) * | 1995-06-09 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Fluid-pressure regulated wafer polishing head |
GB9512262D0 (en) | 1995-06-16 | 1995-08-16 | Bingham Richard G | Tool for computer-controlled machine for optical polishing and figuring |
US5653624A (en) * | 1995-09-13 | 1997-08-05 | Ebara Corporation | Polishing apparatus with swinging structures |
JP3664188B2 (ja) * | 1995-12-08 | 2005-06-22 | 株式会社東京精密 | 表面加工方法及びその装置 |
JPH09155733A (ja) | 1995-12-11 | 1997-06-17 | Hitachi Ltd | 研磨装置およびそれを用いたウエハ処理装置 |
US6371838B1 (en) * | 1996-07-15 | 2002-04-16 | Speedfam-Ipec Corporation | Polishing pad conditioning device with cutting elements |
JPH10156705A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-16 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 研磨装置および研磨方法 |
US6139428A (en) * | 1996-12-17 | 2000-10-31 | Vsli Technology, Inc. | Conditioning ring for use in a chemical mechanical polishing machine |
JP3348429B2 (ja) * | 1996-12-26 | 2002-11-20 | 信越半導体株式会社 | 薄板ワーク平面研削方法 |
JPH10329012A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-12-15 | Canon Inc | 研磨装置および研磨方法 |
JPH10329011A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-12-15 | Canon Inc | 精密研磨装置及び方法 |
JPH10335288A (ja) | 1997-06-05 | 1998-12-18 | Sony Corp | 基板研磨装置及び研磨終点検出方法 |
US5888124A (en) * | 1997-09-26 | 1999-03-30 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Apparatus for polishing and cleaning a wafer |
JP3604546B2 (ja) | 1997-10-31 | 2004-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JPH11138426A (ja) * | 1997-11-11 | 1999-05-25 | Tokyo Electron Ltd | 研磨装置 |
JPH11219930A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Ebara Corp | 洗浄装置 |
JP3333733B2 (ja) | 1998-02-20 | 2002-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置 |
KR19990081117A (ko) * | 1998-04-25 | 1999-11-15 | 윤종용 | 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크 및 컨디셔너, 그 디스크의 제조방법, 재생방법 및 세정방법 |
JP3183259B2 (ja) * | 1998-06-03 | 2001-07-09 | 日本電気株式会社 | 半導体ウェハ研磨状態モニタリング装置及び研磨終了点検出方法 |
JP3701126B2 (ja) * | 1998-09-01 | 2005-09-28 | 株式会社荏原製作所 | 基板の洗浄方法及び研磨装置 |
JP3845215B2 (ja) * | 1998-11-26 | 2006-11-15 | 信越半導体株式会社 | 平面研削されたウェーハに対する鏡面研磨方法 |
US6234868B1 (en) * | 1999-04-30 | 2001-05-22 | Lucent Technologies Inc. | Apparatus and method for conditioning a polishing pad |
JP4030247B2 (ja) | 1999-05-17 | 2008-01-09 | 株式会社荏原製作所 | ドレッシング装置及びポリッシング装置 |
JP2001148361A (ja) | 1999-09-07 | 2001-05-29 | Nikon Corp | 研磨装置、研磨パッド部材交換装置および方法 |
US6520895B2 (en) | 1999-09-07 | 2003-02-18 | Nikon Corporation | Polishing device and polishing pad component exchange device and method |
US6547651B1 (en) * | 1999-11-10 | 2003-04-15 | Strasbaugh | Subaperture chemical mechanical planarization with polishing pad conditioning |
JP2001138233A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-22 | Sony Corp | 研磨装置、研磨方法および研磨工具の洗浄方法 |
US20020013122A1 (en) | 1999-12-22 | 2002-01-31 | Nikon Corporation | Process and apparatus for chemimechanically polishing a substrate |
JP2001291690A (ja) | 2000-01-31 | 2001-10-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 研磨装置及び方法 |
DE60136759D1 (de) | 2000-01-31 | 2009-01-08 | Shinetsu Handotai Kk | Polierverfahren |
US6616512B2 (en) * | 2000-07-28 | 2003-09-09 | Ebara Corporation | Substrate cleaning apparatus and substrate polishing apparatus with substrate cleaning apparatus |
JP2002190461A (ja) | 2000-12-22 | 2002-07-05 | Nikon Corp | Cmp研磨方法、cmp研磨装置及び半導体デバイスの製造方法 |
US6439981B1 (en) * | 2000-12-28 | 2002-08-27 | Lsi Logic Corporation | Arrangement and method for polishing a surface of a semiconductor wafer |
KR100462868B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2004-12-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 폴리싱 장치의 패드 컨디셔너 |
JP2003045833A (ja) | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2004066376A (ja) | 2002-08-05 | 2004-03-04 | Nippei Toyama Corp | 半導体ウエーハ研削盤のクーラント噴射装置およびその方法 |
JP4146709B2 (ja) | 2002-10-31 | 2008-09-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US7584760B2 (en) | 2002-09-13 | 2009-09-08 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
CN100400236C (zh) * | 2002-09-27 | 2008-07-09 | 小松电子金属股份有限公司 | 一种研磨装置和晶片制造方法 |
US6769972B1 (en) * | 2003-06-13 | 2004-08-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | CMP polishing unit with gear-driven conditioning disk drive transmission |
US7288165B2 (en) | 2003-10-24 | 2007-10-30 | Applied Materials, Inc. | Pad conditioning head for CMP process |
US7134947B2 (en) | 2003-10-29 | 2006-11-14 | Texas Instruments Incorporated | Chemical mechanical polishing system |
JP2005175329A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Canon Inc | 研磨方法及び装置 |
US7077722B2 (en) | 2004-08-02 | 2006-07-18 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for actuating end effectors to condition polishing pads used for polishing microfeature workpieces |
JP4488506B2 (ja) | 2004-08-30 | 2010-06-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN1727112A (zh) | 2004-11-10 | 2006-02-01 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种浮法抛光用自适应弹性夹具 |
US7789963B2 (en) | 2005-02-25 | 2010-09-07 | Tokyo Electron Limited | Chuck pedestal shield |
US20060281393A1 (en) * | 2005-06-10 | 2006-12-14 | In Kwon Jeong | Chemical mechanical polishing tool, apparatus and method |
JP4255459B2 (ja) | 2005-06-15 | 2009-04-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
KR100724957B1 (ko) | 2005-08-24 | 2007-06-04 | 전북대학교산학협력단 | 프린즈필드스위칭 액정표시소자 |
JP2007152498A (ja) | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Nikon Corp | 研磨装置、研磨方法、この研磨方法を用いた半導体デバイスの製造方法及びこの半導体デバイスの製造方法により製造された半導体デバイス |
KR100687011B1 (ko) | 2006-01-13 | 2007-02-26 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
JP2007255957A (ja) | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Nikon Corp | ウェハチャックの検査方法 |
JP5147417B2 (ja) * | 2008-01-08 | 2013-02-20 | 株式会社ディスコ | ウェーハの研磨方法および研磨装置 |
-
2008
- 2008-06-10 KR KR1020080054082A patent/KR101004432B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-11-18 US US12/273,064 patent/US8287333B2/en active Active
- 2008-11-19 CN CNA2008101765541A patent/CN101604616A/zh active Pending
- 2008-11-20 JP JP2008296275A patent/JP5279463B2/ja active Active
- 2008-11-20 TW TW097144984A patent/TWI380358B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090128077A (ko) | 2009-12-15 |
US8287333B2 (en) | 2012-10-16 |
KR101004432B1 (ko) | 2010-12-28 |
TWI380358B (en) | 2012-12-21 |
JP2009302503A (ja) | 2009-12-24 |
CN101604616A (zh) | 2009-12-16 |
US20090305613A1 (en) | 2009-12-10 |
TW200952057A (en) | 2009-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5279463B2 (ja) | 枚葉式基板処理装置及び方法 | |
JP5004059B2 (ja) | 枚葉式基板研磨装置 | |
JP5174791B2 (ja) | 基板支持ユニットと、それを使用する基板研磨装置及び方法 | |
KR100315722B1 (ko) | 기판표면을평탄화하기위한연마기 | |
JP2004517479A (ja) | 表面積を減じた研磨パッドと可変式部分的パッド−ウェーハ・オーバラップ技法を用いて半導体ウェーハを研磨し平坦化するためのシステム及び方法 | |
US6695684B2 (en) | Chemical mechanical polishing apparatus having a cleaner for cleaning a conditioning disc and method of conditioning a polishing pad of the apparatus | |
US7025663B2 (en) | Chemical mechanical polishing apparatus having conditioning cleaning device | |
KR100964871B1 (ko) | 패드 컨디셔닝 유닛 및 이를 구비한 매엽식 기판 연마 장치 | |
KR100957227B1 (ko) | 매엽식 기판 처리 장치 | |
KR101226951B1 (ko) | 기판 지지 유닛 | |
KR20100019545A (ko) | 매엽식 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR20100002511A (ko) | 기판 연마 방법 | |
KR101042323B1 (ko) | 연마 유닛 및 이를 갖는 기판 연마 장치 | |
US20240051081A1 (en) | Multiple disk pad conditioner | |
KR101191036B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR20070024145A (ko) | 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치 | |
JP2000254856A (ja) | 研磨装置及び研磨方法 | |
KR20110013892A (ko) | 기판 연마 장치 | |
KR20060019002A (ko) | 화학 기계적 연마 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110824 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111121 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111128 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120619 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120919 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120928 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121010 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130423 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130521 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5279463 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |