JP5277082B2 - 蛍光分析方法 - Google Patents
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Description
を、複数の方向に対して行い、データ解析を行うことで、隣接するビーズとの距離よりも
大きい分散距離であっても蛍光色素の同定と波長分散対象物の位置を算定できるとの結論
に達し、本発明を完成するに至った。本発明の蛍光分析方法において、分散プリズム、回折格子のいずれかの光学素子を用いることができる。以下、本発明を実施の形態例により説明するが、本発明は本例に限定されるものではない。
以下、本発明を実施の形態例により説明するが、本発明は本例に限定されるものではな
い。
基板表面に分析すべき試料DNA断片を1分子ずつ均等間隔で捕捉し、ほぼ1塩基ずつ伸長させて、取り込まれた蛍光標識を1分子ごと検出して塩基配列を決定する装置、方法について説明する。具体的には、DNAポリメラーゼの基質として鋳型DNAに取り込まれてDNA鎖伸長反応を保護基の存在により停止することができかつ検出され得る標識を持つ4種のdNTPの誘導体を用いてDNAポリメラーゼ反応を行わせる工程、次いで取り込まれたdNTP誘導体を蛍光等で検出する工程、及びdNTP誘導体を伸長可能な状態に戻す工程を1サイクルとし、それを繰り返すことにより試料DNAの塩基配列を決定する。なお、本操作は単分子蛍光検出法に基づくため、測定はHEPAフィルタを介したクリーンルーム様の環境にて行うことが望ましい。
図1は、本発明の蛍光分析方法を使ったDNA検査装置の構成図である。装置は顕微鏡に類似する装置の構成であり、基板8に捕捉するDNA分子の伸長状態を蛍光検出にて測定する。
、空きの状態となる。なお、領域8ij同士の間隔dxは1ミクロン、間隔dyは3ミク
ロンとした。領域8ijはこのように、格子構造(2次元の長方格子構造)を形成し、そ
の格子点の位置に領域8ijが配置される。格子構造は三角格子構造でもよい。このような、均等間隔の基板の作成法は、例えば、特開2002−214142号公報に記載の手法などで、作成する。なお、dx,dyは領域8ijの個々の大きさより大きく、4000nm程度以下が好ましい。基板の反応領域8aは76.2mm×25.4mmのスライドガラスの大きさとした。反応領域8aの大きさは、それより大きくても可であるし、例えば0.5mm×0.5mmの大きさのものを一定間隔で、1次元または2次元に複数個並べたようなものでもよい。なお、領域8ijには金属構造体を配置してもよい。金属構造体は半導体プロセスにて作成することもできる。電子線描画,ドライエッチング,ウェットエッチングなどが使用できる。金属構造体は、金,銅,アルミ,クロム等で、励起光の波長以下の大きさを有する形状であり、直方体,円錐,円柱,一部が突起状のものを有する構造などを使用する。
段階的伸長反応の工程を以下に示す。反応工程は非特許文献2および非特許文献4を参考に行った。ストレプトアビジンを加えたバッファを導入口12よりチャンバに導入し、ストレプトアビジンを金属構造体に固定されているビオチンに結合させ、ビオチン−アビジン複合体を形成させる。ビオチン修飾したターゲットである一本鎖鋳型DNAにプライマをハイブリさせ、前記鋳型DNA−プライマ複合体と大過剰のビオチンを加えたバッファをチャンバへ導入し、ビオチン−アビジン結合を介して、単分子の前記鋳型DNA−プライマ複合体を格子点に配置された金属構造体に固定する。固定反応後に、余剰な鋳型DNA−プライマ複合体およびビオチンを洗浄用バッファにてチャンバより洗い流した。次に、それぞれ異なる4種の蛍光体で標識された3′末端がアリル基で修飾された4種のdNTP(3′−O−allyl−dGTP−PC−Bodipy−FL−510,3′−O−allyl−dTTP−PC−R6G,3′−O−allyl−dATP−PC−ROX,3′−O−allyl−dCTP−PC−Bodipy−650)およびThermo Sequenaseポリメラーゼを加えたThermo Sequenase Reactionバッファを導入口12よりチャンバへ導入し、伸長反応を行った。鋳型DNA−プライマ複合体に取込まれたdNTPは、3′末端はアリル基で修飾されているため、前記鋳型DNA−プライマ複合体に1塩基以上取込まれることはない。伸長反応後、未反応の各種dNTPおよびポリメラーゼを洗浄用バッファで洗い流し、Arレーザ光源101a,He−Neレーザ光源101bのそれぞれの光源から発振するレーザ光を同時にチップに照射する。レーザ照射により鋳型DNA−プライマ複合体に取込まれたdNTPに標識された蛍光体を励起し、そこから発する蛍光を検出する。鋳型DNA−プライマ複合体に取込まれたdNTPに標識された蛍光体の蛍光波長を特定することにより、前記dNTPの塩基種を特定できる。なお、エバネッセント照射であり、反応領域表面近傍のみが励起光照射領域となるため、前記表面以外の領域に存在する蛍光体を励起することはなく、背景光の少ない測定ができる。そのため、上記では、伸長反応後洗浄しているが、蛍光標識dNTP濃度が小さい場合、洗浄不要で測定が可能になる場合もある。
図3は、基板の蛍光を波長分散して検出する方式の説明図である。図3Aは、基板8の表面の一部の概略図であり、DNAが固定されるべき複数の領域8ij(格子点)が形成されている。CCDカメラへの結像倍率を37倍とし、dx=1μmの距離を5分割してCCD画素で検出する。格子点の最も近接する間隔は1μmであり、その方向に分光させると、1画素あたり40nmの分散になる。
図4は、本発明の蛍光分析方法を使ったDNA検査装置の構成図である。図1はプリズム全反射方式の顕微鏡であったが、図4はレーザ入射方向と蛍光検出方向が同じ方向である顕微鏡である。このような装置としては、対物レンズの辺縁部よりレーザを全反射となる角度で照射することで、1分子検出可能な対物レンズ全反射方顕微鏡もあり、以下の実施例でも使用されうる。装置は顕微鏡に類似する装置の構成であり、基板8に捕捉するDNA分子の伸長状態を蛍光検出にて測定する。基板8は、図2に示すような構造をしている。基板8は少なくともその一部が透明材質でできており、材質としては合成石英などが使用できる。基板8には反応領域8aがあり、この部分は透明材質であり、この部分に試薬などが接触する。反応領域8a内にDNAが固定される領域8ijが複数形成されている。
図5A〜図5Fは、基板8の表面の一部の概略図であり、DNAが固定されるべき複数の領域8ij(格子点)が形成されている。CCDカメラへの結像倍率を14.4倍とし、dx=1μmの距離を2分割してCCD画素で検出する。格子点の最も近接する間隔は、X、Y方向共に1μmであり、X方向に4画素(/蛍光体)で分光させると、1画素あたり50nmの分散となる。
図6は基板とエバネッセント照明のためのプリズムとの接合部の別の構造を示す。図1と同じく、石英製プリズム7に基板8をカップリングする。カップリング材として透明な弾性体、たとえば、PDMS樹脂201(屈折率=1.42,内部透過率=0.966/厚み2mm材)を介して接合する。PDMS樹脂の屈折率はガラスに近く、また透明であるため、基板とプリズムで挟み押し付けることで光学的に接着する。測定中、基板内の測定視野の移動は、プリズム込みでXYステージにて行うことができる。
反応基板の別の実施例を示す。本実施例での基板60の構造を図9に示す。基板60は、反応領域60aを有し、その内部にDNAが固定される領域60ijが複数形成されており、さらに複数の60ijの周りを光学的に不透明なマスク60bで覆う構造とする。マスク材料としては、アルミニウム,クロムなどの金属,炭化シリコンなどが適用でき、蒸着などで、薄膜化する。領域60ijの個々の大きさは直径100nm以下である。この開口をマスク60bのなかに作成する方法としては、プロジェクション法での蒸着(蒸着源と基板との間に適当なマスクを配置して蒸着する)、電子ビームリソグラフィー,フォトリソグラフィーによる直接描画によって作成できる。ドライエッチング、ウェットエッチングを用いても良い。本例によっても、上記実施例1と同様の効果が得られる。また、反応領域60ij以外はマスクされているため、不要な迷光、蛍光が低減でき、より高感度に測定することができるようになる。微小開口を有する金属薄膜の基板の場合は、生体分子は開口中に固定する。この場合、生体分子周囲の試料液のラマン散乱光と生体分子近傍の金属構造物の光ルミネセンス・光散乱を検出することで、構造物の空間位置を検出することができ、位置の基準マーカとして活用できる。開口中に金属構造体を作成してもよい。
本発明の蛍光分析方法を使ったDNA検査装置について説明する。本発明は、配列情報を1つまたは複数の鋳型から、並行して、実質的に同時に収集するために使用され得るさまざまな自動配列決定システムを提供する。好ましくは、鋳型は、実質的に平面状の基材上でアレイ状である。本発明のシステムの一例は、図1,図4で説明したように、CCDカメラ,蛍光顕微鏡,可動ステージ,フローセル,温度制御装置,液体操作装置,プリズム,分散プリズム,分光フィルタ,集光レンズおよびコンピュータ等を備えている。これらの構成要素の置き換えや、システムにより構成要素の数の増減がなされること、フィルタの光学特性を変更すること、構成要素の置換えに伴う光学素子の追加や変更がされることは言うまでもない。例えば、CCDカメラの代わりにTDIなどのイメージセンサを用いたり、励起光源としてレーザの替わりにLED(Laser Emitted Diode)を用いたり、2台のCCDカメラの替わりに1台または4台のCCDカメラを用いたりできる。LEDを用いた励起方法については、例えばWO2007/054301,WO2008/043500などに記述されている。
となり、上下左右の隣接視野にそれぞれ約14%の照光が発生する。励起光の直径がCCDセンサの対角線長さより大きいほどこの割合は増加する。一般的に励起光の励起密度分布は中心が最も強く、周辺ほど弱くなるため、ビーム直径はCCDの対角線長さより大きくする必要がある。この結果、例えば左上から右下にスキャンする方式の場合、検出前に既に多重照光されている割合は、少なくとも視野全体の28%(14×2)となる。蛍光強度が弱い場合、検出前に蛍光強度が0になる蛍光消光現象が発生する可能性があるため、回避する必要がある。そこでこれを回避するための光学素子の配置例を図12に示す。図12は図4の装置構成を模したものであるが、あくまでも一例であり、これに限定されるものではない。レーザ101をCCDセンサ19の形状に対応するスリット33を通して、ダイクロイックミラー34で反射させ、対物レンズ14を通過し、基板8へ照射させる。基板8へは全反射が発生する角度(ガラスと水の場合約68°)でレーザ101が入射するため、スリット33通過後の励起光の形状は、励起光101を全反射角度で輪切りにした時にその形状がCCDセンサ19の形状と一致するようにする。励起された蛍光は再び対物レンズ14とダイクロイックミラー34を透過して、CCDセンサ19で検出される。CCDセンサの形状に合わせた励起光を照射することができるため、前述の多重照光を回避することができる。スリット33の位置は基板8に近い方が良いが、これに制約されるものではない。
の取得および処理のための代表的な方法を記載する。正確な素性の同定およびアライメン
トは、各取得画像の信頼できる解析に重要である。サブピクセルレベルでの格子点位置の
特定方法としては、例えばUS/20080003571があるが、これに限定されるも
のではない。一般的にクラスタ方式の塩基配列決定方式では、解読塩基数が増えるほど、
伸長反応に位相差を生じるディフェージングが生じる。これは鋳型に蛍光色素がビーズ上
の鋳型に取り込まれる確率が100%ではないため、サイクル数を重ねるごとに伸長反応
にずれを生じるためである。これを回避する方法として、予めディフェージングをソフト
解析により予想しておく方法がある。図14に原理を示す。例としてAGCTの配列を読
む場合を示す。伸長効率が90%の場合、66%が4塩基連続で伸長するが、29%は3
塩基しか伸長しない。この29%については次に伸びる塩基がTと予想でき、かつ反応効率からその90%(0.29×0.9)が伸長するため、この効果をソフトで除外して配列解析を行うことにより、読取塩基長を長くすることができる。本発明の配列決定本明細書に記載の方法は、さまざまな異なる配列決定システム、画像捕捉および処理方法などを用いて実施され得ることに注意されたい。
図3E〜図3Lでは、3×3画素に1つの格子点が存在する場合について、その塩基配列を決定できることを示した。また図5A〜図5Fでは、2×2画素に1つの格子点が存在する場合について、その塩基配列を決定できることを示した。本実施形態では1×1画素に1つの格子点が存在する場合について、その塩基配列を決定できることを以下に示す。これが可能であれば、そこから任意の格子点を除いた場合についてもその塩基配列を決定できることは自明であるため、2×2や3×3画素の1つの格子点が存在する場合や、ランダムに格子点が存在する場合についても同様の方法が適用できることになる。また分散距離が4画素より大きくても小さくても同様の方法が適用できることになる。1×1画素に1つの格子点が存在する場合には、2×2画素や3×3画素に1つの格子点が存在する場合に用いた方法だけでは、その塩基配列を特定することは難しい。
6,32,104a,103 ダイクロイックミラー
7 プリズム
8,60 基板
8a 反応領域
8ij DNAが固定される領域
9 フローチャンバ
10 廃液チューブ
11 廃液容器
12 試薬導入口
13 蛍光
14 集光レンズ(対物レンズ)
15 フィルタユニット
16 透過光観察用鏡筒
17a,17b 波長分散プリズム
18a,18b 結像レンズ
19a,19b 2次元センサカメラ
20a,20b 2次元センサカメラコントローラ
21 制御PC
22,24 モニタ
23 TVカメラ
25 分注ユニット
26 分注ノズル
27 試薬保管ユニット
27a 試料液容器
27b,27c,27d,27e dNTP誘導体溶液容器
27f 洗浄液容器
28 チップボックス
29 自動ピントあわせ装置
30,31,61,62,63 位置きめマーカ
32 ステージ
33 スリット
34 ダイクロイックミラー
60a 反応領域
60b マスク
60ij DNAが固定される領域
100,101a,101b,101c,101d レーザ装置
102a,102b,102c,102d λ/4波長板
200 測定基板
201 PDMS樹脂
202 窪み
203 ホルダ
204 フローチャンバ
205 基板保持具
206 貫通孔
207 開口部
208 流路
209 XYステージ
210 プリズムホルダ
dx,dy 領域8ijの間隔の寸法
Claims (37)
- オリゴヌクレオチドを含む生体関連分子が固定される基板に蛍光測定用の光を照射し、生じる蛍光を集光し、集光された光を分光し、2次元センサに光を結像させ、2次元センサにて蛍光検出する方法であって、実質的に透明な基板と、該基板に分子が固定されうる領域は複数設けられ、それらが基板上に配置され、該分子から生じる蛍光の波長分散を行い、該波長分散とは異なる波長分散条件で波長分散を行い、分光された波長ごとの強度と分光対象物の位置を算定することを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項1記載の蛍光分析方法において、集光された光を分光するための光学素子を1つ以上用いることを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項2記載の蛍光分析方法において、分散プリズム、回折格子のいずれかの光学素子を用いることを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項3に記載の蛍光分析方法において、2方向以上に波長分散させる分散プリズムを用いることを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項3に記載の蛍光分析方法において、前記分散プリズムは2方向以上に波長分散させる分散プリズムであって、該分散プリズムに入る前の光の進行方向からの分散角度が異なることを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項3から5に記載の蛍光分析方法において、分光しない部分を含む分散プリズムを用いることを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項6に記載の蛍光分析方法において、分光しない部分のデータから、分光対象物の位置を算定することを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項3から7に記載の蛍光分析方法において、光が該分散プリズムに入る前の光の進行方向を中心に360°の方向に波長分散させる分散プリズムを用いることを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項8記載の蛍光分析方法において、すり鉢形状または円錐形状の分散プリズムを用いることを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項1〜9記載の蛍光分析方法において、該波長分散とは異なる位置に波長分散を行う方法として、波長分散方向と分散プリズムから2次元センサの間の距離である波長分散距離を変えることにより波長分散条件を変えることを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項1記載の蛍光分析方法において、波長分散条件ごとに蛍光強度を調整することを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項11記載の蛍光分析方法において、分散角交点を蛍光の平行光束中心からずれた位置に配置することを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項11記載の蛍光分析方法において、光学フィルタを設置することを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項11記載の蛍光分析方法において、スリットを設置することを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項1記載の蛍光分析方法において、該基板に分子が固定されうる領域が格子状に配置されている蛍光分析方法。
- 請求項15記載の蛍光分析方法において、該格子構造が、2次元の長方格子構造である蛍光分析方法。
- 請求項15記載の蛍光分析方法において、該格子構造が、三角格子構造である蛍光分析方法。
- 請求項15から17のいずれか記載の蛍光分析方法において、該格子構造の格子点位置に金属の微小な構造物を設けたことを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項18記載の蛍光分析方法において、金属の微小な構造物は、金,クロム,銀,アルミを含む金属の微粒子、一部に微細な突起を有する構造体を含む、励起光の波長以下の大きさをなす金属構造体であることを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項15から19のいずれか記載の蛍光分析方法において、該格子構造の格子点位置に微小開口を有し、光学的に不透明な材質の薄膜で構成された基板を使用することを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項1から20のいずれか記載の蛍光分析方法において、オリゴヌクレオチドを含む生体関連分子を金属構造体表面、または開口部底部に固定することを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項15から20のいずれか記載の蛍光分析方法において、格子点の間隔が、100nmから10000nmであることを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項1から22のいずれか記載の蛍光分析方法において、オリゴヌクレオチドを含む生体関連分子が固定される領域の大きさは100nm径以下であることを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項1から23のいずれか記載の蛍光分析方法において、蛍光を450nmから750nmの範囲で分光することを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項15から20のいずれか記載の蛍光分析方法において、格子点間隔よりも分散距離の方が長いことを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項15から20のいずれか記載の蛍光分析方法において、2次元センサの3×3画素に1個の割合で格子点を配置して、波長分散により、分光された波長毎の強度と分光対象物の位置を特定することを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項15から20のいずれか記載の蛍光分析方法において、2次元センサの2×2画素に1個の割合で格子点を配置して、波長分散により、分光された波長毎の強度と分光対象物の位置を特定することを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項15から20のいずれか記載の蛍光分析方法において、2次元センサの1×1画素に1個の割合で格子点を配置して、波長分散により、分光された波長毎の強度と分光対象物の位置を特定することを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項1記載の蛍光分析方法において、波長分散を行い、該波長分散とは異なる波長分散条件で波長分散を行う工程を、同時に行うことを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項1記載の蛍光分析方法において、ステージの移動もしくは分散プリズムの回転を含む方法によって、波長分散された光が前記2次元センサに当たる位置を変えながら、2次元センサを露光し続けて蛍光検出することを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項1記載の蛍光分析方法において、蛍光測定用の光の形状をスリットで調整することで、2次元センサで検出される領域のみに該蛍光測定用の光を照射することを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項1記載の蛍光分析方法において、伸長反応の位相差を2回目以降の伸長反応において当該回数より前に取得した情報を用いて補正することを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項1記載の蛍光分析方法において、1方向の波長分散における分光された波長ごとの強度を用いて、それとは異なる波長分散条件における波長ごとの強度を規格化することを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項1記載の蛍光分析方法において、異なる波長分散における信号強度を用いて、分光対象物の塩基に対応する波長の強度を測定することで塩基配列を同定することを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項1記載の蛍光分析方法において、異なる波長分散条件の蛍光を1台の2次元センサで検出することを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項1記載の蛍光分析方法において、異なる波長分散条件の蛍光を2台以上の2次元センサで検出することを特徴とする蛍光分析方法。
- 請求項35または36記載の蛍光分析方法において、シャッター切替えにより異なる波長分散条件のデータを収集することを特徴とする蛍光分析方法。
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