JP5214332B2 - Wafer cutting method - Google Patents
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Description
本発明は、二つの切削手段を備えた切削装置によりウエーハを切削するウエーハの切削方法に関する。 The present invention relates to a wafer cutting method in which a wafer is cut by a cutting apparatus having two cutting means.
シリコン基板にIC、LSI等の電子回路が複数形成された半導体ウエーハや、電子部品に使用される各種セラミック基板、樹脂基板、ガラス基板等の板状物はダイシング装置(切削装置)等により個々のチップに分割され、各種電子機器に広く利用されている。 Semiconductor wafers in which a plurality of electronic circuits such as IC and LSI are formed on a silicon substrate, and various plate materials such as various ceramic substrates, resin substrates, and glass substrates used for electronic components are individually processed by a dicing device (cutting device). Divided into chips, it is widely used in various electronic devices.
ダイシング装置では、スピンドルの先端に装着された超砥粒を含む切削ブレードが高速回転しつつウエーハ等の被加工物へ切り込むことで切削加工を行う。近年、二つのスピンドルを備えたダイシング装置が提案され、2種の切削ブレードを装着して切削加工するステップカットと呼ばれる方法が、特に高精度、高品質が要求される半導体デバイス製造工程において広く採用されている。 In the dicing apparatus, cutting is performed by cutting a cutting blade including superabrasive grains mounted on the tip of a spindle into a workpiece such as a wafer while rotating at high speed. In recent years, dicing machines with two spindles have been proposed, and a method called step cutting, in which two types of cutting blades are mounted, is widely used especially in semiconductor device manufacturing processes that require high precision and high quality. Has been.
ステップカットでは、第1の切削ブレードで所定の深さの切削溝を形成した後、第2の切削ブレードで切削溝の底部中央を切削することでウエーハを個々のチップに分割する。ステップカットでは、所定の厚みを有するウエーハを二度に分けて切削することで、それぞれの切削ブレードで切削する際の切削量を一つの切削ブレードで一度に切削する方法(シングルカット)に比べて減らし、切削時の加工負荷を低減させて加工品質良く切削加工をすることができる。 In step cutting, a cutting groove having a predetermined depth is formed with a first cutting blade, and then the wafer is divided into individual chips by cutting the center of the bottom of the cutting groove with a second cutting blade. In step cutting, a wafer with a predetermined thickness is cut twice, so that the amount of cutting when cutting with each cutting blade is compared to the method of cutting with one cutting blade at a time (single cut) It is possible to reduce the processing load at the time of cutting and to perform cutting with good processing quality.
このステップカットでは、第2の切削ブレードは第1の切削ブレードで形成した切削溝から外れた位置を切削しないことが重要であるため、通常第1の切削ブレードには第2の切削ブレードよりも刃厚が厚い切削ブレードを使用する。 In this step cut, it is important that the second cutting blade does not cut the position outside the cutting groove formed by the first cutting blade. Use a cutting blade with a thick blade.
一方、ダイシング装置では、装置のカメラが有する基準線をストリートと呼ばれるウエーハの切削予定ライン中央に位置付けることで切削を行っており、切削に際して予め装置にウエーハ上のターゲットパターンと、ターゲットパターンからストリート中央までの距離と、一つのストリートから次のストリートまでの距離(インデックス値)等を登録しておく。 On the other hand, in the dicing machine, cutting is performed by positioning the reference line of the camera of the machine at the center of the planned cutting line of the wafer called street. And the distance (index value) from one street to the next.
ダイシング装置は登録されたターゲットパターンを検出し、登録されたターゲットパターンからの距離をもとに切削予定ラインを検出し、登録されたインデックス値で切削ブレードをインデックス送りすることで自動的に切削を行う。 The dicing machine detects the registered target pattern, detects the planned cutting line based on the distance from the registered target pattern, and automatically performs cutting by feeding the cutting blade with the registered index value. Do.
切削加工に際してはさらに、事前にダイシング装置に搭載されたカメラの基準線と切削ブレードの中心線を合わせる作業(ヘアライン合わせ)を実施する。このヘアライン合わせ作業は、具体的には一度切削ブレードにてウエーハの表面に溝を加工し、その加工溝を撮像して画像処理を行って加工溝の中心を検出し、この溝の中心位置とカメラの基準線位置とのずれ量を算出し、このずれ量を座標位置に加減することにより、加工溝の中心位置とカメラの基準線位置とを合致させた原点位置を装置に記憶させることで行っている。 In the cutting process, an operation (hairline alignment) of aligning the reference line of the camera mounted on the dicing apparatus and the center line of the cutting blade in advance is performed. Specifically, this hairline alignment work is performed by once processing a groove on the surface of the wafer with a cutting blade, imaging the processed groove, performing image processing, detecting the center of the processed groove, By calculating the amount of deviation from the reference line position of the camera and adding or subtracting this deviation amount to the coordinate position, the origin position that matches the center position of the machining groove and the reference line position of the camera can be stored in the device. Is going.
二つの切削ブレードはそれぞれ異なるスピンドルに装着されているが、高速回転に伴って各スピンドルには熱膨張が生じる。切削開始時点では切削ブレードと基準線との位置合わせがなされた状態であっても、この熱膨張によって切削ブレードの位置にはずれが生じる。従って、加工中に切削ブレードとカメラの基準線との位置合わせが必要となる。 The two cutting blades are mounted on different spindles, but thermal expansion occurs in each spindle as it rotates at high speed. Even when the cutting blade and the reference line are aligned at the start of cutting, this thermal expansion causes a shift in the position of the cutting blade. Therefore, it is necessary to align the cutting blade with the reference line of the camera during processing.
一方、パターン精度が悪いウエーハなどでは所定のインデックス値で切削ブレードをインデックス送りさせても、ストリートと切削ブレードとがずれてしまうため、加工中に切削位置の補正が必要となる。 On the other hand, in a wafer with poor pattern accuracy, even if the cutting blade is index-fed at a predetermined index value, the street and the cutting blade are misaligned, so the cutting position must be corrected during processing.
加工位置の補正においては、次の切削予定ラインに対応するターゲットパターンを検出し、予め登録されているターゲットパターンから切削予定ライン(ストリート)までの距離をもとに、次の切削予定ラインの加工位置を補正する方法が採用されている。
ところが、従来のステップカット方法では、第1の切削ブレードと第2の切削ブレードをターゲットパターンに基づいてそれぞれストリートの中心に位置付けることで、第2の切削ブレードを第1の切削ブレードで形成した切削溝の中央に位置付けている。 However, in the conventional step cutting method, the first cutting blade and the second cutting blade are positioned at the center of the street based on the target pattern, respectively, so that the second cutting blade is formed by the first cutting blade. Located in the center of the groove.
しかし、スピンドルの熱膨張等によって第1の切削ブレードがストリートの中心を切削していない切削ラインでは、第2の切削ブレードが第1の切削ブレードで形成した切削溝から外れた位置を切削してしまう恐れがある。 However, in a cutting line in which the first cutting blade does not cut the center of the street due to thermal expansion of the spindle or the like, the second cutting blade cuts a position off the cutting groove formed by the first cutting blade. There is a risk.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、第1の切削ブレードで切削した切削溝外に第2の切削ブレードを位置付けることを防止可能なウエーハの切削方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to cut a wafer capable of preventing the second cutting blade from being positioned outside the cutting groove cut by the first cutting blade. Is to provide a method.
本発明によると、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する第1の切削ブレードが回転可能に装着された第1の切削手段と、該第1の切削ブレードの厚みより薄い第2の切削ブレードが回転可能に装着された第2の切削手段と、該チャックテーブルを該第1及び第2の切削手段に対して相対的に加工送りする加工送り手段と、該加工送り方向と直交する方向に該第1の切削手段を割り出し送りする第1の割り出し送り手段と、該加工送り方向と直交する方向に該第2の切削手段を割り出し送りする第2の割り出し送り手段と、該第1の切削ブレードが位置づけられるウエーハの領域と、該第2の切削ブレードが位置付けられるウエーハの領域を検出する撮像手段とを備えた切削装置を用いて、格子状に形成された複数の分割予定ラインによって複数のデバイスが区画されたウエーハを該分割予定ラインに沿って切削するウエーハの切削方法であって、前記撮像手段によって前記分割予定ラインの一つを検出して前記第1の切削ブレードを前記一つの分割予定ラインに位置付けて、前記加工送り手段によってウエーハを加工送りすることによりウエーハに所定深さの第1の切削溝を形成し、前記第1の割り出し送り手段によって前記第1の切削手段をウエーハの前記分割予定ラインの間隔で割り出し送りしながら、前記分割予定ラインに第1の切削溝を順次形成し、前記第1の切削溝の一つを前記撮像手段によって検出して前記第2の切削ブレードを前記一つの第1の切削溝に位置付けて第1の切削溝に第2の切削溝を形成し、前記第2の割り出し送り手段によって前記第2の切削手段をウエーハの前記分割予定ラインの間隔で割り出し送りしながら、該第1の切削溝に第2の切削溝を順次形成する、各工程を備え、前記第1の切削溝を順次形成する工程は、前記分割予定ラインに形成された前記第1の切削溝の一つに前記撮像手段を定期的または任意に位置付けて、前記第1の切削溝の一つがウエーハの分割予定ラインの適切な位置に形成されているかを確認する溝位置確認工程と、適切な位置に該第1の切削溝が形成されていない場合は、ずれ量を検出して次に切削すべき前記分割予定ラインの間隔を修正して前記第1の割り出し送り手段を制御する制御データを作成する制御データ作成工程とを含み、前記第2の切削溝を順次形成する工程は、前記制御データ作成工程により作成された制御データに従って、前記第2の割り出し送り手段を制御して前記第2の切削ブレードを該第1の切削溝に位置づける工程を含むことを特徴とするウエーハの切削方法が提供される。 According to the present invention, a chuck table for holding a wafer, a first cutting means on which a first cutting blade for cutting the wafer held on the chuck table is rotatably mounted, and the first cutting blade A second cutting means rotatably mounted with a second cutting blade thinner than the thickness, a processing feed means for processing and feeding the chuck table relative to the first and second cutting means, a first indexing means for feeding in a direction of processing feed direction and Cartesian indexing the cutting means of the first, second to indexing feed the cutting means of the second in the direction of the processing-feed direction and Cartesian Using a cutting apparatus comprising index feed means, a wafer area where the first cutting blade is positioned, and an imaging means for detecting the wafer area where the second cutting blade is positioned A wafer cutting method for cutting a wafer in which a plurality of devices are partitioned by a plurality of division lines formed in a lattice shape along the division line, and one of the division lines by the imaging unit. The first cutting blade is positioned on the one scheduled division line, and the wafer is processed and fed by the processing feeding means to form a first cutting groove of a predetermined depth in the wafer, and the first While the first cutting means is indexed and fed by the one index feed means at the intervals of the scheduled division lines of the wafer, the first cutting grooves are sequentially formed on the planned division lines, and one of the first cutting grooves is formed. One is detected by the imaging means, and the second cutting blade is positioned in the one first cutting groove to form a second cutting groove in the first cutting groove. While the indexing-feed at intervals of the second indexing means by said second cutting means wafers the dividing lines of sequentially forming a second cutting grooves in the cutting groove of the first, comprising the steps, In the step of sequentially forming the first cutting grooves, the imaging means is periodically or arbitrarily positioned in one of the first cutting grooves formed in the division planned line, and the first cutting grooves are formed. A groove position confirmation process for confirming whether one is formed at an appropriate position on the division line of the wafer, and if the first cutting groove is not formed at an appropriate position, the deviation amount is detected and And a control data creating step for creating control data for controlling the first indexing and feeding means by correcting an interval between the divided lines to be cut, and sequentially forming the second cutting grooves, Control data preparation work A wafer cutting method is provided , comprising the step of controlling the second indexing and feeding means to position the second cutting blade in the first cutting groove in accordance with the control data created by the process. The
本発明によると、第1の切削ブレードで形成した第1の切削溝を所定のタイミングで検出してその位置を記憶するため、第2の切削ブレードで切削を行う際に第1の切削溝の中心に第2の切削ブレードを位置付けて切削を行うことが可能となる。従って、第1の切削溝外を第2の切削ブレードで切削してしまうことを防止でき、デバイスの破損を防ぐことが可能となる。 According to the present invention, the first cutting groove formed by the first cutting blade is detected at a predetermined timing and the position thereof is stored. Therefore, when cutting with the second cutting blade, the first cutting groove Cutting can be performed with the second cutting blade positioned at the center. Therefore, it is possible to prevent the outside of the first cutting groove from being cut by the second cutting blade, and it is possible to prevent damage to the device.
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明のウエーハの切削方法を実施するのに適した切削装置(ダイシング装置)2の斜視図が示されている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, a perspective view of a cutting device (dicing device) 2 suitable for carrying out the wafer cutting method of the present invention is shown.
切削装置2は2スピンドルタイプの切削装置であり、チャックテーブル4において被加工物を吸引保持し、チャックテーブル4が切削送り方向(X軸方向)に往復移動しながら、割り出し送り方向(Y軸方向)及び切り込み送り方向(Z軸方向)に移動する第1の切削手段6及び第2の切削手段8の作用により被加工物が切削される構成となっている。
The
例えば、半導体ウエーハWをダイシングする場合は、図1に示すように、ダイシングテープTを介して環状フレームFに保持された半導体ウエーハWが、チャックテーブル4に載置されて吸引保持される。 For example, when dicing the semiconductor wafer W, the semiconductor wafer W held on the annular frame F via the dicing tape T is placed on the chuck table 4 and sucked and held as shown in FIG.
チャックテーブル4は切削送り手段10によってX軸方向に移動可能となっており、第1の切削手段6と一体に形成された第1カメラ(第1撮像手段)13を有する第1のアライメント手段12及び第2の切削手段8と一体に形成された第2カメラ(第2撮像手段)15を有する第2のアライメント手段14によって、チャックテーブル4に吸引保持されたウエーハWの切削すべき領域であるストリートが検出され、そのストリートと切削ブレードとのY軸方向の位置合わせがなされた後に、切削が行われる。 The chuck table 4 is movable in the X-axis direction by the cutting feed means 10, and a first alignment means 12 having a first camera (first imaging means) 13 formed integrally with the first cutting means 6. The wafer W sucked and held by the chuck table 4 by the second alignment means 14 having the second camera (second imaging means) 15 formed integrally with the second cutting means 8 is a region to be cut. After the street is detected and the street and the cutting blade are aligned in the Y-axis direction, cutting is performed.
切削送り手段10は、X軸方向に配設された一対のX軸ガイドレール16と、X軸ガイドレール16に摺動可能に支持されたX軸移動基台18と、X軸移動基台18に形成されたナット部(図示せず)に螺合するX軸ボールねじ20と、X軸ボールねじ20を回転駆動するX軸パルスモータ22とから構成される。
The cutting feed means 10 includes a pair of
チャックテーブル4を回転可能に支持する支持基台24はX軸移動基台18に固定されており、X軸パルスモータ22に駆動されてX軸ボールねじ20が回転することによって、チャックテーブル4がX軸方向に移動される。
The
一方、第1切削手段12及び第2切削手段14は、ガイド手段26によってY軸方向に割り出し送り可能に支持されている。ガイド手段26は、チャックテーブル4の移動を妨げないようにX軸に直交するY軸方向に配設される垂直コラム28と、垂直コラム28の側面においてY軸方向に配設された一対のY軸ガイドレール30と、Y軸ガイドレール30と平行に配設された第1のボールねじ32及び第2のボールねじ34と、第1のボールねじ32に連結された第1のY軸パルスモータ36と、第2のボールねじ34に連結された第2のY軸パルスモータ38とから構成される。
On the other hand, the first cutting means 12 and the second cutting means 14 are supported by the guide means 26 so as to be indexable in the Y-axis direction. The guide means 26 includes a
Y軸ガイドレール30は、第1の支持部材40及び第2の支持部材42をY軸方向に摺動可能に支持しており、第1の支持部材40及び第2の支持部材42に備えたナット(図示せず)が第1のボールねじ32及び第2のボールねじ34にそれぞれ螺合している。
The Y-
第1のY軸パルスモータ36および第2のY軸パルスモータ38に駆動されて第1のボールねじ32及び第2のボールねじ34がそれぞれ回転することにより、第1の支持部材40及び第2の支持部材42がそれぞれ独立してY軸方向に移動される。
Driven by the first Y-
第1の支持部材40及び第2の支持部材42のY軸方向の位置はリニアスケール44によって計測され、Y軸方向の位置の精密制御に供される。なお、リニアスケールを各支持部材ごとに別個に設けることも可能ではあるが、一本のリニアスケール44で第1の支持部材40及び第2の支持部材42の双方の位置を計測するほうが、両者の間隔を精密に制御することができる。
The positions of the
第1の支持部材40には、第1の切削手段6が取り付けられた第1の移動部材46が上下方向(Z軸方向)に摺動可能に取り付けられており、第1のZ軸パルスモータ48を駆動すると、第1の移動部材46がZ軸方向に移動される。
A first moving
同様に、第2の支持部材42には、第2の切削手段8が取り付けられた第2の移動部材50が上下方向(Z軸方向)に摺動可能に取り付けられており、第2のZ軸パルスモータ52を駆動することにより、第2の移動部材50がZ軸方向に移動される。
Similarly, a second moving
次に、図2乃至図4を参照して、第1切削手段6の構成について説明する。図2を参照すると、スピンドル56と、スピンドル56に装着されるブレードマウント60との関係を示す分解斜視図が示されている。
Next, the configuration of the first cutting means 6 will be described with reference to FIGS. Referring to FIG. 2, an exploded perspective view showing the relationship between the
第1切削手段6のスピンドルハウジング54中には、図示しないサーボモータにより回転駆動されるスピンドル56が回転可能に収容されている。スピンドル56はテーパ部56a及び先端小径部56bを有しており、先端小径部56bには雄ねじ58が形成されている。
A
60はボス部(凸部)62と、ボス部62と一体的に形成された固定フランジ64とから構成されるブレードマウントであり、ボス部62には雄ねじ66が形成されている。さらに、ブレードマウント60は装着穴67を有している。
ブレードマウント60は、装着穴67をスピンドル56の先端小径部56b及びテーパ部56aに挿入して、ナット68を雄ねじ58に螺合して締め付けることにより、図3に示すようにスピンドル56の先端部に取り付けられる。
In the
図3はブレードマウント60が固定されたスピンドル56と、第1切削ブレード70との装着関係を示す分解斜視図である。第1切削ブレード70はハブブレードと呼ばれ、円形ハブ74を有する円形基台72の外周にニッケル母材中にダイヤモンド砥粒が分散された切刃76が電着されて構成されている。
FIG. 3 is an exploded perspective view showing a mounting relationship between the
第1切削ブレード70の装着穴78をブレードマウント60のボス部62に挿入し、固定ナット80をボス部62の雄ねじ66に螺合して締め付けることにより、図4に示すように第1切削ブレード70がスピンドル56に取り付けられる。
The mounting
第2切削手段8は、上述した第1切削手段6と概略同様に構成されており、重複を避けるためその説明を省略する。ここで注意すべきは、第1切削手段6の第1切削ブレード70の厚みは図7に示した第2切削手段8の第2切削ブレード84の厚みよりも厚く形成されていることである。82は第2切削手段8のスピンドルであり、第2切削ブレード84がその先端部に装着されている。
The second cutting means 8 is configured in substantially the same manner as the first cutting means 6 described above, and description thereof is omitted to avoid duplication. It should be noted that the thickness of the
新たな第1切削ブレード70をスピンドル56に固定されたブレードマウント60に装着すると、事前に第1撮像手段(第1カメラ)13の基準線と第1切削ブレード70の中心線を合わせる作業(ヘアライン合わせ)を実施する。
When a new
このヘアライン合わせ作業は、具体的には、一度、第1切削ブレードを70にて被加工物の表面に溝を加工し、その加工溝を第1撮像手段13により撮像して画像処理を行って加工溝の中心を検出し、この溝の中心位置と第1撮像手段13の基準線位置とのずれ量を算出し、このずれ量を座標位置に加減することにより、加工溝の中心位置と第1撮像手段13の基準線位置とを合致させた原点位置を切削装置2に記憶させることで行っている。第2切削手段8に装着される第2切削ブレード84のヘアライン合わせ作業も同様に実施する。
Specifically, this hairline alignment operation is performed by once processing a groove on the surface of the workpiece with the
次に、二つのスピンドルを有する上述した切削装置2により、半導体ウエーハWを切削する本発明実施形態のウエーハの切削方法について図5乃至図9を参照して詳細に説明する。本発明のウエーハの切削方法は、所謂ステップカットによる切削方法である。
Next, a wafer cutting method according to an embodiment of the present invention for cutting the semiconductor wafer W by the above-described
図5に示すように、ダイシング対象のウエーハWの表面においては、第1のストリートS1と第2のストリートS2とが直交して形成されており、第1のストリートS1と第2のストリートS2とによって区画されて多数のデバイスDがウエーハW上に形成されている。 As shown in FIG. 5, on the surface of the wafer W to be diced, the first street S1 and the second street S2 are formed orthogonally, and the first street S1 and the second street S2 A large number of devices D are formed on the wafer W.
ウエーハWは粘着テープであるダイシングテープTに貼着され、ダイシングテープTの外周縁部は環状フレームFに貼着されている。これより、ウエーハWはダイシングテープTを介してフレームFに支持された状態となっている。各デバイスDには、アライメント時にアライメントの基準とするターゲットパターン86が形成されている。
The wafer W is attached to a dicing tape T that is an adhesive tape, and the outer peripheral edge of the dicing tape T is attached to an annular frame F. Thus, the wafer W is supported by the frame F via the dicing tape T. Each device D is formed with a
半導体ウエーハW上には、半導体プロセスでよく知られたフォトリソグラフィにより、所定のパターンが焼き付けられるため、図6に示すように所定のピッチ(インデクス値)Pで多数のデバイスDがウエーハW上に整然と形成されている。 Since a predetermined pattern is baked on the semiconductor wafer W by photolithography well known in the semiconductor process, a large number of devices D are formed on the wafer W at a predetermined pitch (index value) P as shown in FIG. It is organized.
第1アライメント手段12が切削すべきストリートを検出するアライメントの際のパターンマッチングに用いる画像は、切削前に予め取得しておく必要がある。そこで、ウエーハWが第1撮像手段13の直下に位置付けられると、第1撮像手段13がウエーハWの表面を撮像し、撮像した画像を図示しない表示手段に表示させる。
The image used for pattern matching at the time of alignment in which the first alignment means 12 detects a street to be cut needs to be acquired in advance before cutting. Therefore, when the wafer W is positioned directly below the
以下、第1撮像手段13によるアライメントの概要について説明する。切削装置2のオペレータは、第1撮像手段13で切削予定領域を撮像し、表示手段上に表示された画像をゆっくりと移動させながらパターンマッチングのターゲットとなるターゲットパターン86を探索する。このターゲットパターンは、例えばデバイスD中の回路の特徴部分を利用する。
Hereinafter, an outline of alignment by the
オペレータがターゲットパターン86を決定すると、このターゲットパターン86を含む画像が切削装置2の第1アライメント手段12に備えたメモリに記憶される。また、そのターゲットパターン86とストリートS1の中心線との距離d1を座標軸等によって求めその値もメモリに記憶させておく。
When the operator determines the
ウエーハWのストリートに沿った切断の際には、記憶させたターゲットパターン86の画像と実際に第1撮像手段13により撮像されて取得した画像とのパターンマッチングを第1アライメント手段13にて行う。このパターンマッチングは、X軸方向に伸長する同一ストリートS1に沿った互いに離間した少なくとも2点で実施する。
When cutting along the street of the wafer W, the
2点でのパターンマッチングが完了すると、二つのターゲットパターン86を結んだ直線はストリートS1と平行となったことになり、ターゲットパターン86とストリートS1の中心線の距離分だけ第1切削手段6をY軸方向に移動させることにより、切削しようとするストリートS1と第1切削ブレード70との位置合わせを行う。
When the pattern matching at two points is completed, the straight line connecting the two
切削しようとするストリートと第1切削ブレード70との位置合わせが行われた状態で、チャックテーブル4をX軸方向に移動させるとともに、第1切削ブレード70を高速回転させながら第1切削手段6を所定量下降させると、位置合わせされたストリートが図7(A)に示すように切削され、ウエーハWに第1切削溝88が形成される。
In a state where the street to be cut and the
第1のY軸パルスモータ36を所定パルスで駆動することにより、第1の切削手段6をインデックス値Pで割り出し送りしながら、第1のストリートS1に第1の切削溝88を順次形成する。この第1の切削溝88は図8(B)に示すように浅く形成する。92は例えば低誘電率絶縁体被膜(low−k膜)である。
By driving the first Y-
本発明では、第2切削手段8の第2撮像手段15により第1切削ブレード70により形成された第1切削溝88の一つを撮像し、第2切削手段8の第2切削ブレード84を第1切削溝88の中心に位置付けるアライメントを実施する。
In the present invention, one of the
このアライメントにより、第2切削ブレード84を第1切削溝88の中心に位置合わせした状態で、チャックテーブル4をX軸方向に移動させるとともに、第2切削ブレード84を高速回転させながら第2切削手段8を所定量下降させると、図8に示すように第1切削溝88の中心に第2切削溝90が形成される。
With this alignment, the
第2のY軸パルスモータ38を所定パルスで駆動することにより、第2の切削手段8をインデクス値Pだけ割り出し送りしながら、第1の切削溝を88中に第2の切削溝90を順次形成する。
By driving the second Y-
スループットの向上のために、第1切削ブレード70による第1切削溝88の形成と、第2切削ブレード84による第2切削溝90の形成は、第2アライメント手段14による第2切削ブレード84のアライメント終了後同時に行うのが好ましい。
In order to improve the throughput, the formation of the
ウエーハWの切削加工を継続すると、第1スピンドル56の熱膨張等により第1切削溝88がウエーハWのストリートS1の適切な位置に形成されなくなる場合がある。よって、本実施形態では、好ましくは第1の切削溝形成工程において、第1撮像手段13により第1切削溝88を撮像し、第1切削溝88がウエーハWのストリートS1の中心位置に形成されているかを確認する溝位置確認ステップを遂行する。好ましくは、溝位置確認ステップは所定のタイミングで定期的に実施する。或いは、溝位置確認ステップを任意のタイミングで実施するようにしても良い。
If cutting of the wafer W is continued, the
第1切削溝88がストリートS1の中心位置に形成されていない場合は、中心位置からのずれ量を検出して、第1切削溝88が形成されたストリートS1と次に切削すべきストリートS1との間隔を修正して第1のY軸パルスモータ36の駆動を制御する制御データを作成する制御データ作成ステップを遂行する。
If the
次いで、第2の切削溝の形成工程において、制御データ作成ステップにおいて作成された制御データに従って、第2のY軸パルスモータ38の駆動を制御して、第2切削ブレード84を第1切削溝88の中心に位置付ける。
Next, in the second cutting groove forming step, the driving of the second Y-
ウエーハWの加工に伴い、第1撮像手段13の基準線と第1切削ブレード70の位置がずれた場合には、第1切削ブレード70を第1撮像手段13の基準線に合わせるヘアライン合わせを実施するのが好ましい。
When the reference line of the first image pickup means 13 and the position of the
同様に、第2撮像手段15の基準線と第2切削ブレード84の位置がずれた場合には、第2切削ブレード84を第2撮像手段15の基準線に合わせるヘアライン合わせを実施するのが好ましい。
Similarly, when the reference line of the second image pickup means 15 and the position of the
代替案として、基準線と切削ブレードの位置がずれた場合には、第1切削ブレード70で切削した第1切削溝88を第2切削ブレード84で切削する直前に、少なくとも第2撮像手段15の基準線に第2切削ブレード84の位置を合わせるヘアライン合わせを実施する。
As an alternative, when the position of the reference line and the cutting blade is misaligned, at least the second imaging means 15 immediately before the
図7(B)は従来の切削方法により第1切削溝88と第2切削溝90との位置ずれが発生した場合を模式的に示している。従来の切削方法では、第1切削ブレード70及び第2切削ブレード84ともターゲットパターン86からストリートの中心までの距離d1に基づいてストリート中心に位置付けして、第1切削溝88及び第2切削溝90の切削を行う。
FIG. 7B schematically shows a case where the
よって、第1切削手段6のスピンドル56の熱膨張あるいはパターンのゆがみ等が原因で図9(A)に示すように、第1切削溝88がターゲットパターン86から距離d2の位置に形成されたとする。94はストリートの中心位置を示している。
Therefore, it is assumed that the
この場合に、第2切削手段8のスピンドル82は熱膨張等の影響をあまり受けずに第2切削ブレード84による第2切削溝90の形成は図9(B)及び図9(C)に示すように、適正な位置に形成されることがある。
In this case, the
その結果、第1切削溝88は不適切な位置に形成されているので、第2切削溝90が適正な位置に形成された場合であっても、図9(B)及び図9(C)に示すように、第2切削溝90が第1切削溝88から外れた位置に形成される場合がある。これは、従来の切削方法では、第1切削溝88と第2切削溝90とはその形成方法に何ら関連付けられていないためである。
As a result, since the
本発明実施形態のウエーハの切削方法では、第1切削溝88を第2撮像手段15により検出して第2切削ブレード84を第1切削溝88の中心に位置付けるため、第1切削溝88から外れた箇所を第2切削ブレード84で切削してしまうことを防止でき、デバイスDの破損を防ぐことが可能となる。
In the wafer cutting method according to the embodiment of the present invention, the
なお、図1に示した切削装置においては、第1切削手段6及び第2切削手段8とも第1及び第2アライメント手段12,14を具備しているが、2つの切削手段6、8に対して一つのアライメント手段を共用するようにしても良い。 In the cutting apparatus shown in FIG. 1, both the first cutting means 6 and the second cutting means 8 include the first and second alignment means 12 and 14, but the two cutting means 6 and 8 are different from each other. One alignment means may be shared.
4 チャックテーブル
6 第1切削手段
8 第2切削手段
12 第1アライメント手段
13 第1撮像手段(第1カメラ)
14 第2アライメント手段
15 第2撮像手段(第2カメラ)
70 第1切削ブレード
84 第2切削ブレード
86 ターゲットパターン
88 第1切削溝
90 第2切削溝
4 chuck table 6 first cutting means 8 second cutting means 12 first alignment means 13 first imaging means (first camera)
14 Second alignment means 15 Second imaging means (second camera)
70
Claims (1)
前記撮像手段によって前記分割予定ラインの一つを検出して前記第1の切削ブレードを前記一つの分割予定ラインに位置付けて、前記加工送り手段によってウエーハを加工送りすることによりウエーハに所定深さの第1の切削溝を形成し、
前記第1の割り出し送り手段によって前記第1の切削手段をウエーハの前記分割予定ラインの間隔で割り出し送りしながら、前記分割予定ラインに第1の切削溝を順次形成し、
前記第1の切削溝の一つを前記撮像手段によって検出して前記第2の切削ブレードを前記一つの第1の切削溝に位置付けて第1の切削溝に第2の切削溝を形成し、
前記第2の割り出し送り手段によって前記第2の切削手段をウエーハの前記分割予定ラインの間隔で割り出し送りしながら、該第1の切削溝に第2の切削溝を順次形成する、
各工程を備え、
前記第1の切削溝を順次形成する工程は、
前記分割予定ラインに形成された前記第1の切削溝の一つに前記撮像手段を定期的または任意に位置付けて、前記第1の切削溝の一つがウエーハの分割予定ラインの適切な位置に形成されているかを確認する溝位置確認工程と、
適切な位置に該第1の切削溝が形成されていない場合は、ずれ量を検出して次に切削すべき前記分割予定ラインの間隔を修正して前記第1の割り出し送り手段を制御する制御データを作成する制御データ作成工程とを含み、
前記第2の切削溝を順次形成する工程は、
前記制御データ作成工程により作成された制御データに従って、前記第2の割り出し送り手段を制御して前記第2の切削ブレードを該第1の切削溝に位置づける工程を含むことを特徴とするウエーハの切削方法。 A chuck table for holding the wafer; a first cutting means on which a first cutting blade for cutting the wafer held on the chuck table is rotatably mounted; and a second thickness thinner than the thickness of the first cutting blade. A second cutting means on which the cutting blade is rotatably mounted, a processing feed means for processing and feeding the chuck table relative to the first and second cutting means, a first indexing means for feeding in the direction of exchange indexing the cutting means of the first and second indexing means for indexing feed the cutting means of the second in the direction of the processing-feed direction and Cartesian, Formed in a lattice pattern using a cutting apparatus having a wafer area where the first cutting blade is positioned and an imaging means for detecting the wafer area where the second cutting blade is positioned A plurality of wafer devices are partitioned by a plurality of dividing lines have been a method of cutting the wafer of cutting along the dividing lines,
By detecting one of the scheduled division lines by the imaging means, positioning the first cutting blade on the one scheduled division line, and processing and feeding the wafer by the processing feeding means, the wafer has a predetermined depth. Forming a first cutting groove;
While the first indexing means is indexing and feeding the first cutting means at an interval of the scheduled division lines of the wafer, the first cutting grooves are sequentially formed in the scheduled division lines,
One of the first cutting grooves is detected by the imaging means, and the second cutting blade is positioned in the first cutting groove to form a second cutting groove in the first cutting groove;
The second cutting groove is sequentially formed in the first cutting groove while the second indexing means is indexing and feeding the second cutting means at an interval of the division planned lines of the wafer.
With each process ,
The step of sequentially forming the first cutting groove includes:
The imaging means is periodically or arbitrarily positioned in one of the first cutting grooves formed on the planned dividing line, and one of the first cutting grooves is formed at an appropriate position on the planned dividing line of the wafer. A groove position confirmation process for confirming whether or not
When the first cutting groove is not formed at an appropriate position, a control for detecting the amount of deviation and correcting the interval between the divided lines to be cut next to control the first index feeding means. Including a control data creation process for creating data,
The step of sequentially forming the second cutting grooves includes:
Wafer cutting comprising the step of positioning the second cutting blade in the first cutting groove by controlling the second indexing and feeding means in accordance with the control data created in the control data creating step Method.
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