JP5208530B2 - スラリー消費を低減するための溝を有する研磨パッド - Google Patents
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Description
本発明は、一般に、ケミカルメカニカルポリッシング(CMP)の分野に関する。特に、本発明は、スラリー消費を低減する溝を有するCMPパッドを導出することに関する。
本発明の一つの態様では、キャリヤリングと併せて使用するための研磨パッドであって、研磨媒体の存在下で磁性基材、光学基材および半導体基材の少なくとも一つを研磨するため、研磨パッドおよびキャリヤリングを使用する際に研磨パッドに対する少なくとも一つのキャリヤ溝および前縁をキャリヤリングが有し、少なくとも一つのキャリヤ溝がキャリヤリングに関して方向を有し、研磨パッドが研磨パッドの中心から伸びるある長さの半径を有し、研磨パッドが、:研磨媒体の存在下で磁性基材、光学基材および半導体基材の少なくとも一つを研磨するために構成され、研磨中に環状の研磨トラックを有する円形の研磨面を含む研磨層と;研磨トラック内の連続的な溝軌跡であるキャリヤ適合溝形状を有する複数のパッド溝であって、キャリヤ適合溝形状が、少なくともその一部分が放射状または放射曲線状であり、研磨パッドの半径の長さ方向に沿った少なくとも一つの位置で当該半径に接しており、および、キャリヤ適合溝形状が少なくとも一つのキャリヤ溝の方向に基づく関数として決定されることにより、少なくとも一つのキャリや溝がキャリヤリングの前縁上にある場合に、研磨中、キャリヤ適合溝形状に沿った複数の位置において少なくとも一つのキャリヤ溝が少なくとも一つのパッド溝と整列する、複数のパッド溝とを含む研磨パッドである。
ここで図面を参照すると、図1は、本発明に従って作製される研磨パッド100の一つの実施態様を例示する。後に論じるように、研磨パッド100は、詳細には、研磨中に研磨パッドに対面する複数のキャリヤ溝112を含有するキャリヤリング108を有する、ウェーハキャリヤなどの対応する各キャリヤ104と協調して設計される。より詳細には、研磨パッド100は、研磨パッドがキャリヤ104の下方を掃くにつれ、スラリーなどの研磨媒体(図示せず)がより容易に半導体ウェーハ120などの被研磨物品に到達することができるようにキャリヤ溝112と連携して構成される複数のパッド溝116を含む。一般に、パッド溝116とキャリヤ溝112との間のこの連携は、研磨パッド100およびキャリヤ104がそれぞれ所定の方向DPad、DCarrierに回転するにつれ、前縁124の少なくとも一部分に沿ってパッド溝とキャリヤ溝とが相互に整列する形態で発生する。本明細書の趣旨において、パッド溝とキャリヤ溝との整列とは、キャリヤリング溝の全体的な長さがその幅の少なくとも部分において研磨パッド溝と重なることにより、キャリヤリングの外側の研磨パッド表面からキャリヤリングの内側の基材にかけて連続的な経路が形成され、キャリヤリングの外側から内側に進む研磨媒体のための流動路の利用可能な高さがキャリヤ溝そのものの高さより大きくなる、研磨中の瞬間的な状態を指す。パッド溝116とキャリヤ溝112との整列は、このような整列が発生しない場合に比べ、二つの溝が整列する場合には各溝の溝体積が追加されるため、事実上、キャリヤリング108にわたってより大型の流動通路を提供する。キャリヤリング108上のキャリヤ溝112のさまざまな外形に合致させるための、研磨パッド100上のパッド溝116のさまざまな例示的な外形の詳細を後に記載する。しかし、例示的な代替実施態様におけるパッド溝116および他の類似する溝の外形の派生について記載する前に、研磨パッド100の物理的な特性の一部を次に記載する。
加えて、パッド半径rは、以下の式2に例示されるように、半径方向距離R、キャリヤ半径RCおよびキャリヤ角度φCの関数として表現することができる。
式1および2を結合することにより、局所角度θCをパッド半径r、キャリヤ半径RCおよび半径方向距離Rの関数として表現し、以下の式3を実現することができる。
この代替では、半径RPadにわたるOから外周140までの局所溝角度φを積分することにより、式8によって画定される一連の点(r、φ)(図示せず)としてキャリヤ適合溝形状を規定する。
Claims (2)
- キャリヤリングと併せて使用するための研磨パッドであって、研磨媒体の存在下で磁性基材、光学基材および半導体基材の少なくとも一つを研磨するために当該研磨パッドおよび前記キャリヤリングが使用される際に前記研磨パッドに相対する少なくとも一つのキャリヤ溝および前縁を前記キャリヤリングが有し、前記少なくとも一つのキャリヤ溝が前記キャリヤリングに関して方向が変化する一定の規則性を有し、当該研磨パッドが当該研磨パッドの中心から伸びるある長さの半径を有し、当該研磨パッドが、:
a)研磨媒体の存在下で磁性基材、光学基材および半導体基材の少なくとも一つを研磨するために構成され、研磨中に環状の研磨トラックを有する円形の研磨面を含む研磨層と;
b)前記研磨層上における前記研磨トラック内の連続的な溝軌跡であるキャリヤ適合溝形状を有する複数のパッド溝であって、
前記キャリヤ適合溝形状が、少なくともその一部分が放射曲線状であり、当該研磨パッドの半径の前記長さ方向に沿った一つの位置で当該半径に接しており、
前記キャリヤ適合溝形状が少なくとも一つのキャリヤ溝の方向の前記規則性に基づく関数として決定されることにより、少なくとも一つの前記キャリヤ溝が前記キャリヤリングの前縁上にある場合に、研磨中、前記キャリヤ適合溝形状に沿った複数の位置において前記少なくとも一つのキャリヤ溝が前記少なくとも一つのパッド溝と整列する、複数のパッド溝とを含み、
更に前記キャリヤ適合溝形状が、
によって画定される曲線に対応するか、または
によって画定される曲線に対応し、
ここで、Rが研磨パッドの同心円中心からキャリヤリングの中心までの半径方向距離であり、R C がキャリヤリングの半径であり、R Pad が研磨パッドの半径であり、rが研磨パッドの同心円中心からキャリヤ適合溝形状上の点までの半径方向距離である、研磨パッド。 - 前記キャリヤ適合溝形状が、前記研磨トラックの少なくとも2/3を横断する、請求項1記載の研磨パッド。
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