JP5201511B2 - Wafer holding table - Google Patents
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Description
本発明は、ウエハの保持テーブルに関する。さらに詳しくは、裏面の外周部をリブ状に残して内周部が研削されたウエハを保持するウエハの保持テーブルに関する。 The present invention relates to a wafer holding table. More particularly, the present invention relates to a wafer holding table for holding a wafer whose inner peripheral portion is ground while leaving the outer peripheral portion of the back surface in a rib shape.
従来より、半導体の製造工程においては、ウエハの回路パターンに保護テープを貼り付けた後、前記ウエハの裏面を研削して薄厚化し、その後、保護テープに貼り付けられた状態のウエハをダイシングテープを介してダイシングフレームにマウントし、前記保護テープを剥離テープ等で剥離した後、ダイシングしてチップ化することが行われている。 Conventionally, in a semiconductor manufacturing process, after a protective tape is applied to a circuit pattern of a wafer, the back surface of the wafer is ground and thinned, and then the wafer attached to the protective tape is diced with a dicing tape. It is mounted on a dicing frame, and the protective tape is peeled off with a peeling tape or the like and then diced into chips.
上記ウエハの裏面研削は、携帯機器の小型化の要請からウエハを薄厚化するために、ウエハの表面に形成された回路パターンに保護テープを貼り付けた後、ウエハ裏面を研削するか、エッチング処理等を行うことにより行なわれており、最近では、ウエハの厚みが50μm以下のものも取り扱われるようになってきている。 In order to reduce the thickness of the wafer due to the demand for miniaturization of portable devices, the wafer backside grinding is performed by applying a protective tape to a circuit pattern formed on the surface of the wafer and then grinding or etching the backside of the wafer. In recent years, wafers having a thickness of 50 μm or less have been handled.
上記のような従来のウエハの製造工程においては、通常、ウエハは保護テープが貼り付けられた状態で取り扱われ、薄厚化されたウエハを単体で取り扱うことはなかった。 In the conventional wafer manufacturing process as described above, the wafer is usually handled with a protective tape attached thereto, and the thinned wafer is not handled alone.
ところで、最近ではダイオード、トランジスタ等の単機能半導体(ディスクリート)用のウエハの製造工程において、ウエハ裏面に電極を形成するため、ウエハ裏面に金属蒸着等で金属薄膜を形成する工程が行われている。このようにウエハ裏面に金属薄膜を形成するには、スパッタリングや蒸着等の高温での処理が必要であり、表面側に貼り付けられた保護テープは処理温度に耐えることができないため剥離する必要がある。また、低温で処理を行う場合であっても、保護テープに使用されている粘着剤等の不純物の混入の面から保護テープが蒸着等の処理の前に剥離されている。このような単機能半導体用のウエハはその後、ダイシングテープを介してダイシングフレームにマウントされ、ダイシング工程を経てチップ化されている。 Recently, in the process of manufacturing a wafer for a single-function semiconductor (discrete) such as a diode or a transistor, a process for forming a metal thin film on the back surface of the wafer by metal vapor deposition or the like is performed in order to form an electrode on the back surface of the wafer. . In order to form a metal thin film on the back surface of the wafer in this way, it is necessary to process at a high temperature such as sputtering or vapor deposition, and the protective tape attached to the front surface side cannot withstand the processing temperature, so it must be peeled off. is there. Further, even when the treatment is performed at a low temperature, the protective tape is peeled off before the treatment such as vapor deposition from the side where impurities such as an adhesive used for the protective tape are mixed. Such a wafer for a single function semiconductor is then mounted on a dicing frame via a dicing tape, and formed into a chip through a dicing process.
しかしながら、上記のようなウエハの製造工程においては、薄厚化されたウエハから保護テープが剥離された状態でウエハを取り扱う必要があり、ウエハが反ったり破損したりする問題があった。 However, in the wafer manufacturing process as described above, it is necessary to handle the wafer in a state where the protective tape is peeled off from the thinned wafer, and there is a problem that the wafer is warped or damaged.
そこで、ウエハの反りや破損を防止し、取扱いを容易にすべく、ウエハ裏面にリブ状の外周部を残し、内周部分が研削された凹状のウエハも出てきている(例えば特許文献1)。 Therefore, in order to prevent the wafer from warping and breakage and to facilitate handling, a concave wafer having a rib-shaped outer peripheral portion on the back surface of the wafer and whose inner peripheral portion is ground has also come out (for example, Patent Document 1). .
本方法によればウエハのリブ状の外周部の厚み(例えば725μm)は内周部の厚み(例えば50μm)に比べ厚く構成されており、ウエハの反りや破損を防止できるとともに取扱いが容易となる。 According to this method, the thickness of the rib-shaped outer peripheral portion (for example, 725 μm) of the wafer is configured to be thicker than the thickness of the inner peripheral portion (for example, 50 μm), thereby preventing warpage and breakage of the wafer and facilitating handling. .
上記のウエハの処理工程の一例について図9に基づいて説明すると、まず、図9(a)のように表面に回路パターンが形成されたウエハWが準備され、続いて図9(b)のようにウエハWの回路パターンに保護テープTが貼り付けられる。 An example of the wafer processing steps will be described with reference to FIG. 9. First, a wafer W having a circuit pattern formed on the surface as shown in FIG. 9A is prepared, and then as shown in FIG. 9B. A protective tape T is attached to the circuit pattern of the wafer W.
続いて図9(c)のように表面に保護テープTが貼り付けられたウエハWの裏面外周にリブ状外周部70(例えば厚み725μm)を残して内周部分を所定の厚み(例えば50μm)に研削し、リブ状外周部70が形成された凹状のウエハWが形成される。
Subsequently, as shown in FIG. 9C, a rib-like outer peripheral portion 70 (for example, thickness of 725 μm) is left on the outer periphery of the back surface of the wafer W on which the protective tape T is attached to the front surface, and the inner peripheral portion has a predetermined thickness (for example, 50 μm). The concave wafer W in which the rib-shaped outer
続いて図9(d)のように保護テープTが剥離テープ等で剥離され、図9(e)のようにウエハW裏面の内周研削面73に蒸着又はスパッタリング等で金属膜71が形成され、続いて図9(f)のように金属膜71が形成されたウエハWは再度、回路パターンに保護テープTが貼り付けられ、図9(g)のようにウエハWは、リブ状外周部70を研削して裏面を平坦化するか、または、リブ状外周部70部分を保護テープTとともに切断して平坦なウエハWが形成される。
Subsequently, the protective tape T is peeled off with a peeling tape or the like as shown in FIG. 9D, and a
次にリブ状外周部70が除去されたウエハWは、図9(h)のようにダイシングテープDTを介してダイシングフレームDFにマウントされ、表面の保護テープTが剥離されてダイシング工程に供される。なお、上記のリブ状外周部70を除去せずに凹状面にダイシングテープDTを貼り付けてダイシングフレームDFにマウントする場合もある。
Next, the wafer W from which the rib-shaped outer
なお、上記のようにウエハの裏面にリブ状外周部を残し、内周部が研削された凹状ウエハの保持テーブルとして、その表面に保護テープが貼り付けられた凹状ウエハのリブ状外周部を係止部材で当接支持するとともに、そのウエハ内周部の凹状部分の空間の内圧を高めてウエハを保持することが開示されている(例えば特許文献2)。 As described above, the rib-shaped outer peripheral portion of the concave wafer having a protective tape attached to the surface thereof is used as a holding table for the concave wafer with the rib-shaped outer peripheral portion remaining on the back surface of the wafer and the inner peripheral portion ground. It is disclosed that the wafer is held by abutting and supporting with a stop member and increasing the internal pressure of the concave portion of the inner peripheral portion of the wafer (for example, Patent Document 2).
ところで、特許文献1のようにウエハの裏面にリブ状の外周部を設け、その内周部が研削されたウエハは、ウエハ裏面に金属膜を形成する際に保護テープが一度剥離され、この後の処理工程で回路形成面を傷つけないために再度、ウエハ表面の回路パターンに保護テープが貼り付けられる。
By the way, as in
しかし、上記特許文献1のようにウエハの裏面にリブ状の外周部を残してその内周部が研削されたウエハへの保護テープの貼り付けに特許文献2のような保持テーブルを用いてウエハに保護テープを貼り付けた場合、ウエハの内周研削部が薄厚化されているために、内周研削部の空間の内圧を高めすぎるとウエハの内周研削部分が盛り上がるようになって均一に保護テープを貼り付けることができない問題やウエハが破損する場合があった。
However, as in the above-mentioned
また、逆にウエハ内周研削部の空間の内圧が低いと、ウエハの内周研削部が撓んで保護テープを貼り付ける際に気泡が入ったり、しわが入ったりする問題があるため、内圧の微細な調整が必要となり、内圧の制御が困難になる問題があった。 In addition, when the low internal pressure of the space in the wafer circumference grinding part to reverse, or contains air bubbles when you paste the inner peripheral grinding portion is bent in the protective tape of the wafer, wrinkles or entered problem there because, the internal pressure requires fine adjustment and Do Ri, there is a problem that the control of the internal pressure becomes difficult.
また、上記空間を適正な内圧に保ち、ウエハに保護テープを貼り付けても、ウエハ内周部は薄厚化されており、貼り付けローラによる局所的な押圧力で、ウエハ表面が部分的に撓んで、気泡やしわが発生する問題があった。このように、貼り付けローラによる局所的な押圧力に対し、上記内圧を局所的に高めるにはウエハ内周研削部の空間を複数の空間に区画化して各区画部を段階的に圧力制御しなければならず、制御が複雑化する問題がある。 Even if the space is maintained at an appropriate internal pressure and a protective tape is applied to the wafer, the inner periphery of the wafer is thinned, and the wafer surface is partially bent by the local pressing force of the application roller. However, there was a problem that bubbles and wrinkles were generated. As described above, in order to locally increase the internal pressure against the local pressing force by the sticking roller, the space of the wafer inner peripheral grinding portion is divided into a plurality of spaces, and pressure control is performed on each of the divided portions stepwise. There is a problem that the control is complicated.
本発明は、上記のように裏面にリブ状外周部を残し、その内周を研削した凹状ウエハを保持するウエハの保持テーブルを提供するとともに、前記凹状ウエハに保護テープを気泡やしわ無く貼り付けることができる保持テーブルを提供することを目的とする。 The present invention provides a wafer holding table for holding a concave wafer having a rib-like outer peripheral portion on the back surface as described above, and grinding the inner periphery thereof, and affixing a protective tape to the concave wafer without bubbles or wrinkles An object of the present invention is to provide a holding table that can be used.
そこで、請求項1の発明は、裏面の外周部をリブ状に残して内周部が研削されたリブ状外周部と内周研削面とを有するウエハの表面側を上にしてテーブル本体上に載置保持するウエハの保持テーブルであって、前記保持テーブルを、前記テーブル本体上面の内側に設けられ、前記ウエハのリブ状外周部を保持する保持手段と、前記保持手段の内側に前記ウエハの内周研削面と対向するように形成された円形状の凹状部と、前記テーブル本体に設けられ、前記凹状部の底面下方で該凹状部と連通するように複数の通気孔が穿設された穿孔部と、気体の導入口及び排気口を有し、前記穿孔部の下方に前記通気孔と連通するように設けられた中空室と、前記凹状部内に嵌入されるとともに、この嵌入状態で前記凹状部内を浮上可能に設けられた支持板とで形成し、前記ウエハを載置保持する際に、前記保持手段でウエハのリブ状外周部を保持するとともに、前記導入口から中空室内への気体の導入によって前記通気孔から支持板面に向けて空気を噴出せしめるとともにその一部を排気口から排出することにより、該支持板を凹状部内で浮上させてウエハの内周研削面に接触するようにした構成を採用したウエハの保持テーブルである。
Therefore, according to the invention of
また、請求項2の発明は、請求項1記載のウエハの保持テーブルにおいて、前記保持テーブルに保持されたウエハ上に該ウエハよりも広幅の接着テープを引き出す接着テープ供給手段と、前記接着テープをウエハに押圧して貼り付ける貼り付けローラと、前記接着テープをウエハの外周に沿って切断する切断手段とを設け、前記ウエハに貼り付けローラで接着テープを押圧して貼り付けるとともにウエハの外周に沿って前記接着テープを切断するようにした構成を採用したウエハの保持テーブルである。 According to a second aspect of the present invention, in the wafer holding table according to the first aspect, an adhesive tape supply means for pulling out an adhesive tape having a width wider than that of the wafer onto the wafer held by the holding table, and the adhesive tape. An affixing roller for pressing and adhering to the wafer and a cutting means for cutting the adhesive tape along the outer periphery of the wafer are provided. It is the holding table of the wafer which employ | adopted the structure which cut | disconnected the said adhesive tape along.
本発明のウエハの保持テーブルによれば、外周部をリブ状に残し、その内周部が研削された凹状ウエハのリブ状外周部を保持するとともに気体の噴出により浮上する支持板が凹状ウエハの内周研削面に接触してウエハの内周研削面を支持することができるので、ウエハの内周研削部を撓ませることなく平坦に保持することができる。 According to the wafer holding table of the present invention, the outer peripheral portion is left in the shape of a rib, and the supporting plate that holds the rib-shaped outer peripheral portion of the concave wafer whose inner peripheral portion is ground and floats by gas ejection is provided on the concave wafer. Since the inner peripheral grinding surface of the wafer can be supported by contacting the inner peripheral grinding surface, the inner peripheral grinding portion of the wafer can be held flat without being bent.
また、気体の噴出により支持板を浮上させてウエハの内周研削面に接触するようにしたので、ウエハの内周研削部分の研削厚みが変化しても、厚み変化に追従することができ、ウエハの内周研削量の変化に柔軟に対応できる。 In addition, since the support plate was lifted by gas jetting and brought into contact with the inner peripheral grinding surface of the wafer, even if the grinding thickness of the inner peripheral grinding portion of the wafer changes, it can follow the thickness change, It is possible to flexibly cope with changes in the amount of grinding of the inner circumference of the wafer.
また、本発明のウエハの保持テーブルを保護テープ等の接着テープの貼り付け装置に適用すれば、上記凹状ウエハの内周研削部分を撓ませずにウエハを平坦に保持できるので、しわや気泡を発生させること無く接着テープをウエハ表面に貼り付けることができる。 In addition, if the wafer holding table of the present invention is applied to an adhesive tape attaching device such as a protective tape, the wafer can be held flat without bending the inner peripheral grinding portion of the concave wafer, so that wrinkles and bubbles are eliminated. The adhesive tape can be attached to the wafer surface without generating it.
また、本発明の保持テーブルに用いる支持板の表面にフッ素ゴム等のゴムシートを設ければ、上記凹状ウエハの内周研削面に上記支持板が接触してもウエハを傷付けることなく、また、ウエハ裏面に形成された金属膜等に悪影響を及ぼすこともない。 Further, if a rubber sheet such as fluoro rubber is provided on the surface of the support plate used in the holding table of the present invention, the wafer is not damaged even if the support plate contacts the inner peripheral grinding surface of the concave wafer. The metal film formed on the back surface of the wafer is not adversely affected.
また、本発明の保持テーブルの穿孔部下方に中空室が設けられるとともに、前記中空室に気体導入口と気体排出口が設けられているので、中空室内に導入された気体が複数の通気孔から均一に噴出して支持板が平坦に浮上することでウエハ内周研削面と該支持板が接触し、ウエハを平坦に保持できる。 In addition, since the hollow chamber is provided below the perforated portion of the holding table of the present invention, and the gas introduction port and the gas discharge port are provided in the hollow chamber, the gas introduced into the hollow chamber is supplied from a plurality of vent holes. uniformly jetted to supporting lifting plate is in contact with the wafer in the circumferential grinding surface and the support plate by flat floated, the wafer can be held flat.
また、気体導入口から中空室に導入した気体の一部を気体排出口から排出するようにしているので、通気孔から噴出する気体の圧力が高まり過ぎてウエハの内周研削部を破損することがない。 In addition, since a part of the gas introduced into the hollow chamber from the gas inlet is discharged from the gas outlet, the pressure of the gas ejected from the vent hole is excessively increased and the inner peripheral grinding portion of the wafer is damaged. There is no.
以下、この発明のウエハの保持テーブルの実施形態を図1乃至図3に基づいて説明する。 Hereinafter, an embodiment of a wafer holding table according to the present invention will be described with reference to FIGS.
図1は、ウエハの保持テーブルの平面図、図2は図1のA−A方向の縦断正面図、図3は、ウエハの保持テーブルに用いる支持板の表面側から見た斜視図である。なお、理解が容易なように図1乃至図12におけるウエハWの厚み(内周研削部の厚みも含む)、リブ状外周部70の幅、支持板12の厚みは誇張して描いてある。
FIG. 1 is a plan view of a wafer holding table, FIG. 2 is a longitudinal front view in the AA direction of FIG. 1, and FIG. 3 is a perspective view seen from the surface side of a support plate used for the wafer holding table. For easy understanding, the thickness of the wafer W (including the thickness of the inner peripheral grinding portion), the width of the rib-shaped outer
図1及び図2のようにウエハWの保持テーブル1は、矩形状のテーブル本体2と、テーブル本体2の内側に設けられたカッター溝3と、ウエハWのリブ状外周部70を吸着保持する保持手段としての吸着溝4と、前記吸着溝4の内側にウエハWの内周研削面73と対向するように形成された凹状部6と、前記凹状部6の底面下方でその凹状部6と連通するように複数の通気孔8が設けられた穿孔部7と、その穿孔部7の下方に前記通気孔8と連通するように設けられた中空室9と、前記凹状部6に嵌入されるとともに、この嵌入状態で凹状部6内で浮上可能に設けられた支持板12とから構成されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the holding table 1 for the wafer W sucks and holds the rectangular table
前記カッター溝3は、矩形状のテーブル本体2表面の内側で円周方向にウエハWの外径よりもやや大径に設けられ、後述する保護テープ貼り付け装置30でウエハWにウエハWの外径よりも広幅の保護テープTを貼り付けた後、そのウエハWの外形に沿って保護テープTを切り抜く際のカッター63の逃げ溝として作用する。
The
前記保持手段としての吸着溝4は、カッター溝3の内側にウエハW裏面のリブ状外周部70と対向するように円周方向にウエハWの厚み分下げられた位置に設けられ、前記吸着溝4の底面の1箇所に吸引孔5が穿設されている。また、その吸引孔5は、バルブ15を介して図示しない適宜の真空ポンプに接続されており、前記真空ポンプを作用させることで吸着溝4に負圧を働かせてウエハWのリブ状外周部70を吸着保持するようになっている。
The
前記保持テーブル1の凹状部6は、テーブル本体2の表面から掘り下げるように前記吸着溝4の内側にウエハWの内周研削面73と対向して形成されている。また、前記凹状部6は、ウエハWの内周研削面73とほぼ同径かやや小径に形成されており、前記支持板12が嵌入可能になっている。
The
前記穿孔部7は、テーブル本体2の内側で前記凹状部6の底面下方に形成され、その凹状部6と連通するように複数の通気孔8が内周から外周に向けて全体に均等に穿設されている。このように、全体に均等となるように通気孔8を設けておけば、通気孔8から気体を均等に噴出させることができ、支持板を平坦に浮上させることができる。
The
前記中空室9は、穿孔部7の下方に通気孔8と連通するようにテーブル本体2内部に空間として形成されている。前記中空室9は、その空間の下方が蓋18により、密閉され、前記蓋18の中央に気体導入口10が設けられることでバルブ16を介して図示しない加圧ポンプによりその内部に気体を導入することが可能となっている。
The
なお、導入する気体は、通常、埃等異物が混入しないようにフィルタを介した空気を導入すれば良く、金属膜71への酸化、腐食等の防止として窒素、アルゴン等の不活性なガスを用いることもできる。
In general, it is sufficient to introduce air through a filter so that foreign matter such as dust does not enter the gas to be introduced, and inert gas such as nitrogen and argon is used to prevent oxidation and corrosion on the
また、前記支持板18の気体導入口10の側方には2つの気体排出口11、11が設けられ、バルブ17を介して気体導入口10から導入された気体の一部を排出することが可能になっている。
Further, two
前記支持板12は、図2及び図3のように前記凹状部6の内側に嵌入するように凹状部6の内径よりやや小径の円形に形成されており、アルミや樹脂等の比較的軽量で平坦な部材が基板13として用いられる。
The
また、この基板13の上面には、ウエハWの内周研削面73と接触する際にウエハWを傷付けないようにゴムシート14が接着等により設けられている。このゴムシート14は、ウエハWの内周研削面73と接しても影響を及ぼさないようフッ素ゴムや表面がフッ素処理されたものを好ましく用いることができる。
Further, a
また、前記ゴムシート14がウエハWの内周研削面73に押し付けられて離れ難くなる場合は、ゴムシート14の内周研削面73と接する表面にサンドブラスト加工等を施して細かい凹凸を設けるようにすれば良い。
Further, when the
なお、本実施形態においては、基板13上にゴムシート14を設けたが、基板13単体で使用しても良く、また、この場合、基板13の内周研削面73と接する面に加工を直接施すようにしても良い。
In the present embodiment, the
また、前記支持板12は、図2の二点鎖線のように凹状部6の内側に嵌入され、凹状部6内を内壁に沿って水平状態で浮上するようになっている。この時、保持テーブル1の凹状部6内に嵌入載置された支持板12の上面とウエハWの内周研削面73との隙間は0.1〜0.2mm程度あれば良いが、これに限定されず、導入する気体の圧力や支持板12の重量等に応じて適宜調整すれば良い。
The
以上が本発明のウエハWの保持テーブル1の構成であり、次に前記保持テーブル1の動作について図4(a)及び(b)に基づいて説明する。 The above is the configuration of the holding table 1 for the wafer W of the present invention. Next, the operation of the holding table 1 will be described with reference to FIGS. 4 (a) and 4 (b).
図4(a)のように適宜手段で位置決めされたウエハWが回路パターンPの形成面を上にして搬送手段19によって保持テーブル1上に吸着搬送され、保持テーブル1の吸着溝4上にウエハWのリブ状外周部70が位置するようにしてウエハWが載置される。この搬送は、ウエハWの表面側外周の回路パターンPが形成されていない部分を吸着パッド20で吸着して搬送するようになっている。
As shown in FIG. 4A, the wafer W positioned by appropriate means is sucked and transferred onto the holding table 1 by the transfer means 19 with the formation surface of the circuit pattern P facing upward, and the wafer is placed on the
なお、上記の搬送手段19に代えて、非接触ハンドを用いることもでき、また、ウエハWの回路パターンPとウエハWの外周との距離が少ない場合は、ウエハWの表面側からの保持ではなく、ウエハW裏面のリブ状外周部70を吸着等保持して搬送するようにすれば良く、この場合は、保持テーブル1側の吸着溝4付近に受け渡し用の突没可能な吸着ピン等を設けておけば良い。
Note that a non-contact hand can be used in place of the transfer means 19 described above, and when the distance between the circuit pattern P of the wafer W and the outer periphery of the wafer W is small, the holding of the wafer W from the surface side is not possible. However, the rib-shaped outer
次に図4(b)のように吸引孔5と接続された図示しない真空ポンプを作用させるとともにバルブ15を開いて吸着溝4に負圧を発生させることにより、吸着溝4上に載置されたウエハWのリブ状外周部70を吸着して保持テーブル1にウエハWを保持する。
Next, as shown in FIG. 4B, a vacuum pump (not shown) connected to the
次にバルブ16を開けて気体導入口10から中空室9内に空気を導入するとともに、バルブ17を開いて気体排出口11から空気の一部を排気する。この排気量は例えば導入した空気の3割程度を排気すれば良いが、導入される空気の圧力によって適宜調整すれば良く、ウエハWのリブ状外周部70の吸着力が負けないように前記吸着力よりも空気の導入圧が小さくなるように設定しておく。
Next, the
上記、空気の導入に伴い、中空室9内で導入された空気が均一化され、穿孔部7に穿設された通気孔8を通じて空気が凹状部6内に均一に噴出し、支持板12が凹状部6内を凹状部6の内壁に沿って浮上し、ウエハWの内周研削面73と接する状態となる。
As the air is introduced, the air introduced into the
なお、上記のように導入された空気の一部が排気されることにより、ウエハWの保持力が負けてウエハWが外れたり、内圧が高まり過ぎてウエハWの内周研削部が破損したりすることがない。また、上記のように空気の一部が排気されることにより通気孔8から空気が噴出するとともに、凹状部6内から通気孔8を通じて一部の空気が中空室9に戻り、支持板12が適正な圧力で浮上する。
When a part of the air introduced as described above is exhausted, the holding force of the wafer W is lost and the wafer W is detached, or the internal pressure is excessively increased and the inner peripheral grinding portion of the wafer W is damaged. There is nothing to do. Further, as a part of the air is exhausted as described above, air is ejected from the
以上が、本発明のウエハの保持テーブルの構成と作用であり、次に本発明のウエハの保持テーブルを適用した接着テープ貼り付け装置について図5乃至図8に基づいて以下に説明する。 The above is the configuration and operation of the wafer holding table of the present invention. Next, an adhesive tape attaching apparatus to which the wafer holding table of the present invention is applied will be described with reference to FIGS.
図5は本発明のウエハの保持テーブルを適用した保護テープ貼り付け装置30の縦断正面図である。なお、本実施形態では接着テープとしてウエハWの回路パターンPを保護する保護テープTを用いた例を説明する。
FIG. 5 is a longitudinal front view of the protective
図5のように、機台31上中央付近に保持テーブル1が設けられ、前記機台31にベース板32が立設され、そのベース板32の右上方にテープ供給リール33と保護テープTの粘着面を保護するセパレータ39を巻き取るセパレータ巻き取りリール44が設けられている。なお、保護テープTは、図8のようにウエハWの外形よりも広幅でロール状のものが用いられる。
As shown in FIG. 5, the holding table 1 is provided near the center on the
また、保持テーブル1の右上方には、供給される保護テープTを引き出すテープチャック47とチャック兼剥離ローラ48が一対となって設けられ、その保護テープTの供給側には、保護テープTをウエハWに貼り付ける貼り付けローラ45が設けられており、保持テーブル1の上方には保護テープTをウエハWの外形に沿って切り抜く切断手段としてのカッター機構58が設けられている。
A pair of a
また保持テーブル1の左上方には不用部分の保護テープTを巻き取るテープ巻き取りリール52が設けられている。
A tape take-
前記テープ供給リール33から供給された保護テープTは、ガイドローラ34を経由し、ダンサローラ35に掛け渡された後、軸ローラ37を経由してセパレータ39を剥離させる剥離ローラ38に導かれる。
The protective tape T supplied from the
前記剥離ローラ38で粘着面を保護するセパレータ39が剥離された保護テープTは、貼り付けローラ45、テープチャック47を経由した後、保持テーブル1上に保持されたウエハW上に導かれ、その後、複数のガイドローラ49、50、51を経由してテープ巻き取りリール52に巻き取られるようになっている。
The protective tape T from which the
上記剥離ローラ38で剥離されたセパレータ39はガイドローラ40を経由した後、軸ローラ41、ダンサローラ43を経由して巻き取りリール44に巻き取られるようになっている。
The
前記貼り付けローラ45は、シリンダ46により上下動可能に設けられるとともに、保持テーブル1上を図示しない適宜な駆動手段により水平動可能になっている。
The affixing
また、前記テープチャック47は、チャック兼剥離ローラ48と一対に設けられ、保護テープTを上下方向から挟持するとともに、保持テーブル1上を図示しない適宜な駆動手段で水平動して保護テープTをウエハW上に引き出すようになっており、この時、テンションアーム36と連動して保護テープTの張力を適正に保つようになっている。また、同様に剥離されたセパレータ39もテンションアーム42を制御しながら揺動させて張力を適正に保ちながら巻き取るようになっている。
The
また、チャック兼剥離ローラ48は、保護テープTをウエハW上に貼り付けてウエハWの外形に沿って切断した後、保持テーブル1上を転動しながら水平動することで不用部分の保護テープTを保持テーブル1から剥離させるようになっている。
The chucking / peeling
前記カッター機構58は、アームに設けられたカッター63と、モータ固定板60上に設けられたモータ61と、このモータ固定板60を上下動させるシリンダ62で構成されており、前記カッター機構58は、モータ固定板60の上下動により、機台1に立設されたベース板32上のレール59に沿って上下動可能になっている。
The
このカッター機構58は、シリンダ62によって下降することにより保護テープTが貼り付けられたウエハWの外周に作用し、ウエハWの外形に沿って保護テープTを切り抜くようになっている。この時、カッター63は保持テーブル1に設けられたカッター溝3に沿ってモータ61により旋回するようになっており、保持テーブル1とカッター63を損傷しないようになっている。
The
なお、ウエハWのノッチ72は、前記カッター63とは別途に適宜のカッターを設けたり、前記カッター63を回転させて切り抜いたりすれば良い。
The
前記保持テーブル1は、機台1上に設けられたシリンダ53の上方に接続されて上下動可能に設けられ、前記保持テーブル1の両端下方には支持枠56、56が設けられており、両支持枠56、56の下端外側にはスライダ57、57が設けられている。前記スライダ57、57は機台1上に立設して設けられたレール55、55に摺動可能に嵌合しており、前記レール55、55沿って上下動が可能になっている。
The holding table 1 is connected to an upper side of a
以上が本発明のウエハの保持テーブルを保護テープ貼り付け装置30に適用した実施形態の構成であり、次に図6乃至図8に基づいて前記保護テープ貼り付け装置30の保護テープTの貼り付け動作を以下に説明する。
The above is the configuration of the embodiment in which the wafer holding table of the present invention is applied to the protective
図6(a)のように保持テーブル1上に適宜手段で位置決めされたウエハWを載置するとともにウエハW裏面のリブ状外周部70を吸着溝4で吸着保持させておき、テープチャック47とチャック兼剥しローラ48で保護テープTを挟持して前記ウエハW上に引き出すと同時に貼り付けローラ45をテープチャック47の後方まで水平移動させる。
As shown in FIG. 6A, the wafer W positioned by appropriate means is placed on the holding table 1 and the rib-shaped outer
続いて図6(b)のように保持テーブル1の気体導入口10から空気を中空室9に導入するとともにその空気の一部を気体排出口11から排出することで、適宜な圧力の空気を複数の通気孔8から均等に噴出させて凹状部6内の支持板12をその凹状部6内で浮上させ、ウエハWの内周研削面73と接触させる。
Subsequently, as shown in FIG. 6B, air is introduced into the
この状態で保持テーブル1を保護テープTの下端部まで上昇させて保護テープTを貼り付けローラ45でテーブル本体2上に押圧させて接着させる。この時、保護テープTは、テンションアーム36で適正な張力に制御されているのでウエハWには貼り付かない。
In this state, the holding table 1 is raised to the lower end portion of the protective tape T, and the protective tape T is pressed onto the
次に図7(c)及び図8のように通気孔8から空気を噴出させ、支持板12をウエハWの内周研削面73に接触させた状態を維持しながら、貼り付けローラ45にシリンダ46で適宜の押圧力を加えて保持テーブル1上を転動させ、ウエハWに保護テープTを貼り付ける。
Next, as shown in FIGS. 7C and 8, air is blown out from the
このようにウエハWのリブ状外周部70の吸着保持と内周研削面73の支持板12の接触による支持により、貼り付けローラ45による局所的な押圧力がウエハWに作用してもウエハWが平坦に支持され、気泡やしわの発生なくウエハWに保護テープTの貼り付けを行うことができる。
Thus, even if the local pressing force by the attaching
続いて図7(d)のようにカッター63をシリンダ62により下降させ、モータ61を作用させてカッター63を旋回させることでウエハWの外形に沿って保護テープTを切断し、図12のようにウエハWの回路パターンPが形成された表面側に保護テープTが貼り付けられる。
Subsequently, as shown in FIG. 7D, the
この後、図示しないが適宜の搬送手段でウエハWを保持テーブル1上から次の工程へ搬送するか、または収納カセット等に収納するとともに、保護テープ貼り付け装置30は初期状態に復帰する。以後、この動作を繰返し行なうことになる。
Thereafter, although not shown, the wafer W is transferred from the holding table 1 to the next process by an appropriate transfer means or stored in a storage cassette or the like, and the protective
以上が本発明のウエハの保持テーブルを適用した保護テープの貼り付け装置30の実施形態であるが、本発明は上記の実施形態に限定されず、ドライフィルムレジスト等、各種の接着テープをウエハWに貼り付けることが可能である。
The above is the embodiment of the protective
また、本実施形態においては、広幅でロール状の保護テープTを用いたが、予めウエハWの形状に形成されたプリカット状の接着テープを用いることもでき、この場合は、保持テーブル1のカッター溝3を廃すれば良い。
In this embodiment, the wide and roll-shaped protective tape T is used. However, a pre-cut adhesive tape previously formed in the shape of the wafer W can also be used. In this case, the cutter of the holding table 1 is used. The
また、本実施形態においてはウエハWのリブ状外周部70の保持を吸着保持するようにしたが、吸着に代えてウエハWの外周を半月状のクランプで固定するようにしても良い。この場合は、ウエハWの外周部を破損しないようクランプのウエハWとの接触部にゴム等適宜な弾性部材を使用することができる。
Further, in the present embodiment, the holding of the rib-shaped outer
また、本実施形態においては保持テーブルの凹状部6の底面に直接支持板12を嵌入載置させるようにし、通気孔8から噴出する気体を直接支持板12に作用させるようにしたが、凹状部6内の通気孔8の上面部分に噴出した気体を均一に広げる通気空間を支持板12よりもやや小径に設け、支持板12に均一な状態の気体を作用させるようにすれば、支持板12をさらに安定させた状態で浮上させることができる。
In the present embodiment, the
W ウエハ
P 回路パターン
T 保護テープ
DF ダイシングフレーム
DT ダイシングテープ
1 保持テーブル
2 テーブル本体
3 カッター溝
4 吸着溝
5 吸引孔
6 凹状部
7 穿孔部
8 通気孔
9 中空室
10 気体導入口
11 気体排出口
12 支持板
13 基板
14 ゴムシート
15 バルブ
16 バルブ
17 バルブ
18 蓋
19 吸着搬送体
20 吸着パッド
30 保護テープ貼り付け装置
31 機台
32 支持板
33 テープ供給リール
34 ガイドローラ
35 ダンサローラ
36 テンションアーム
37 軸ローラ
38 剥離ローラ
39 セパレータ
40 ガイドローラ
41 軸ローラ
42 テンションアーム
43 ダンサローラ
44 セパレータ巻き取りリール
45 貼り付けローラ
46 シリンダ
47 テープチャック
48 チャック兼剥離ローラ
49 ガイドローラ
50 ガイドローラ
51 ガイドローラ
52 テープ巻き取りリール
53 シリンダ
54 支柱
55 レール
56 支持枠
57 スライダ
58 カッター機構
59 レール
60 モータ固定板
61 モータ
62 シリンダ
63 カッター
70 リブ状外周部
71 金属膜
72 ノッチ
73 内周研削面
W Wafer P Circuit pattern T Protection tape DF Dicing frame
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160114128A (en) * | 2014-03-07 | 2016-10-04 | 제이디씨 가부시키가이샤 | Negative pressure sheet structure |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5691364B2 (en) * | 2010-10-06 | 2015-04-01 | 富士電機株式会社 | Tape sticking device and tape sticking method |
JP5663297B2 (en) | 2010-12-27 | 2015-02-04 | 東京応化工業株式会社 | Coating device |
CN102962762A (en) * | 2012-12-07 | 2013-03-13 | 日月光半导体制造股份有限公司 | Carrier Plate Assembly for Wafer Grinding |
JP6944625B2 (en) * | 2016-09-08 | 2021-10-06 | 株式会社タカトリ | Adhesive sheet sticking device and sticking method to the board |
CN114454023B (en) * | 2021-03-01 | 2022-12-16 | 华中科技大学 | Wafer Grinding Adsorption Platform Based on Standard Cylinder |
CN115083988B (en) * | 2022-07-12 | 2023-01-31 | 法特迪精密科技(苏州)有限公司 | Wafer adsorption platform facing probe platform and reducing ring groove and rotating ring groove thereof |
CN115692187A (en) * | 2022-11-10 | 2023-02-03 | 华海清科股份有限公司 | Substrate thinning method |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3971120B2 (en) * | 2001-04-12 | 2007-09-05 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate holding device and substrate processing apparatus |
JP2004179513A (en) * | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Tokyo Electron Ltd | Substrate holding apparatus and substrate treatment apparatus |
JP4221271B2 (en) * | 2003-10-28 | 2009-02-12 | Necエンジニアリング株式会社 | Tape applicator |
JP4307972B2 (en) * | 2003-12-10 | 2009-08-05 | 三洋電機株式会社 | Method of bonding protective tape and table for bonding protective tape |
JP5390740B2 (en) * | 2005-04-27 | 2014-01-15 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
JP4711904B2 (en) * | 2006-07-31 | 2011-06-29 | 日東電工株式会社 | Adhesive tape affixing method to semiconductor wafer and protective tape peeling method from semiconductor wafer |
-
2009
- 2009-01-19 JP JP2009008468A patent/JP5201511B2/en active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160114128A (en) * | 2014-03-07 | 2016-10-04 | 제이디씨 가부시키가이샤 | Negative pressure sheet structure |
KR101894445B1 (en) * | 2014-03-07 | 2018-09-03 | 제이디씨 가부시키가이샤 | Negative pressure sheet structure |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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