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JP5201174B2 - Suspension substrate and manufacturing method thereof - Google Patents

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JP5201174B2
JP5201174B2 JP2010147528A JP2010147528A JP5201174B2 JP 5201174 B2 JP5201174 B2 JP 5201174B2 JP 2010147528 A JP2010147528 A JP 2010147528A JP 2010147528 A JP2010147528 A JP 2010147528A JP 5201174 B2 JP5201174 B2 JP 5201174B2
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Description

本発明は、金属支持基板が存在する領域と存在しない領域との境界領域で、絶縁層に生じたクラックの影響を小さくしたサスペンション用基板に関する。   The present invention relates to a suspension substrate in which an influence of a crack generated in an insulating layer is reduced in a boundary region between a region where a metal supporting substrate is present and a region where a metal supporting substrate is not present.

近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ(HDD)も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。そのため、HDDに用いられるサスペンション用基板(フレキシャー)にも高機能化が求められている。   In recent years, due to the spread of the Internet and the like, there has been a demand for an increase in the amount of information processing of personal computers and an increase in information processing speed. Increasing information transmission speed is required. For this reason, higher functions are also required for suspension substrates (flexures) used in HDDs.

このようなサスペンション用基板として、例えば特許文献1には、スライダ接着パッド部(タング部)と、アウトリガーと、クロスバーとを有するフレキシャーが開示されている。さらに、特許文献1では、アウトリガー上に配線が形成されている。また、特許文献2には、タング部およびアウトリガー部の間に、配線層を配置したディスク装置用サスペンションが開示されている。また、特許文献3においては、トレース部材(配線層)が、アウトリガー部の外側を迂回して通るアウトトレース型のフレキシャーが開示されている。また、特許文献4においては、導電トレース(配線層)を支持するトレースサポートタブを有するジンバル構造が開示されている。   As such a suspension substrate, for example, Patent Document 1 discloses a flexure having a slider bonding pad portion (tang portion), an outrigger, and a cross bar. Furthermore, in patent document 1, the wiring is formed on the outrigger. Patent Document 2 discloses a suspension for a disk device in which a wiring layer is disposed between a tongue portion and an outrigger portion. Patent Document 3 discloses an out-trace type flexure through which a trace member (wiring layer) bypasses the outside of the outrigger portion. Patent Document 4 discloses a gimbal structure having a trace support tab that supports a conductive trace (wiring layer).

特開2007−213793号公報JP 2007-213793 A 特開平11−39626号公報JP 11-39626 A 特開2007−287296号公報JP 2007-287296 A 特開2008−41241号公報JP 2008-41241 A

従来のサスペンション用基板では、金属支持基板上に絶縁層を介して配線層が形成されていた。近年、サスペンション用基板の高機能化(例えば低剛性化)に伴って、金属支持基板の一部を積極的に除去することが行われている。金属支持基板の一部を除去すると、金属支持基板が存在する領域と存在しない領域との境界領域において、その上に存在する絶縁層に応力が集中しやすくなり、絶縁層にクラックが生じやすいという問題がある。   In a conventional suspension substrate, a wiring layer is formed on a metal support substrate via an insulating layer. In recent years, part of the metal support substrate has been actively removed along with the enhancement of the function of the suspension substrate (for example, the reduction in rigidity). If a part of the metal support substrate is removed, stress is likely to concentrate on the insulating layer present on the boundary region between the region where the metal support substrate is present and the region where the metal support substrate is not present, and cracks are likely to occur in the insulating layer. There's a problem.

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、金属支持基板が存在する領域と存在しない領域との境界領域で、絶縁層に生じたクラックの影響を小さくしたサスペンション用基板を提供することを主目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and provides a suspension substrate in which the influence of cracks generated in an insulating layer is reduced in a boundary region between a region where a metal support substrate is present and a region where a metal support substrate is not present. The main purpose.

上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、上記金属支持基板、上記絶縁層、上記配線層および上記カバー層を有する第一構造部と、上記第一構造部から連続的に形成され、上記金属支持基板が存在しない第二構造部とを有し、上記第一構造部および上記第二構造部の境界領域において、平面視上、上記配線層の端部から上記絶縁層の端部までの幅、および、上記配線層の端部から上記カバー層の端部までの幅の少なくとも一方が局所的に大きいことを特徴とするサスペンション用基板を提供する。   In order to solve the above problems, in the present invention, a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, and the wiring layer are covered. A suspension substrate having a formed cover layer, wherein the metal support substrate, the insulating layer, the wiring layer, and the first structure portion having the cover layer are formed continuously from the first structure portion. And the second structure part where the metal support substrate does not exist, and in the boundary region between the first structure part and the second structure part, from the end part of the wiring layer in plan view, the end part of the insulating layer And the width from the end of the wiring layer to the end of the cover layer is locally large.

本発明によれば、上記境界領域において、平面視上、配線層の端部から絶縁層の端部までの幅、および、配線層の端部からカバー層の端部までの幅の少なくとも一方を、局所的に大きくすることにより、絶縁層に生じたクラックの影響を小さくできる。そのため、応力集中による配線層の断線等を防止することができる。   According to the present invention, in the boundary region, at least one of the width from the end of the wiring layer to the end of the insulating layer and the width from the end of the wiring layer to the end of the cover layer is shown in plan view. By increasing the size locally, the influence of cracks generated in the insulating layer can be reduced. Therefore, disconnection of the wiring layer due to stress concentration can be prevented.

上記発明においては、上記境界領域において、上記絶縁層の端部の位置と、上記カバー層の端部の位置とが、一致していることが好ましい。クラックの発生自体を抑制できるからである。   In the above invention, it is preferable that the position of the end portion of the insulating layer and the position of the end portion of the cover layer coincide with each other in the boundary region. This is because the occurrence of cracks themselves can be suppressed.

上記発明においては、上記絶縁層および上記カバー層の少なくとも一方に、平面視上、上記境界領域を含むように、曲線構造部が形成されていることが好ましい。曲線構造部の存在により、応力分散を図ることができ、境界領域の絶縁層にクラックが生じることをさらに抑制できるからである。   In the said invention, it is preferable that the curve structure part is formed in at least one of the said insulating layer and the said cover layer so that the said boundary area may be included in planar view. This is because, due to the presence of the curved structure portion, it is possible to achieve stress distribution and further suppress the occurrence of cracks in the insulating layer in the boundary region.

また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、上記金属支持基板、上記絶縁層、上記配線層および上記カバー層を有する第一構造部と、上記第一構造部から連続的に形成され、上記金属支持基板が存在しない第二構造部とを有し、上記第一構造部および上記第二構造部の境界領域において、平面視上、上記配線層の端部から上記絶縁層の端部までの間に、補助配線層が形成されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。   In the present invention, a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, and a cover layer formed so as to cover the wiring layer; A suspension substrate having a first structure portion having the metal support substrate, the insulating layer, the wiring layer, and the cover layer, and the first structure portion. A second structure part that does not exist, and in the boundary region between the first structure part and the second structure part, in the plan view, between the end of the wiring layer and the end of the insulating layer Provided is a suspension substrate in which a wiring layer is formed.

本発明によれば、境界領域において、平面視上、配線層の端部から絶縁層の端部まで間に、補助配線層を設けることにより、絶縁層に生じたクラックの影響を小さくできる。そのため、応力集中による配線層の断線等を防止することができる。   According to the present invention, the influence of cracks generated in the insulating layer can be reduced by providing the auxiliary wiring layer in the boundary region between the end of the wiring layer and the end of the insulating layer in plan view. Therefore, disconnection of the wiring layer due to stress concentration can be prevented.

上記発明においては、上記補助配線層の表面が、上記カバー層で覆われていることが好ましい。   In the above invention, the surface of the auxiliary wiring layer is preferably covered with the cover layer.

上記発明においては、上記補助配線層の表面に、配線めっき部が形成されていることが好ましい。   In the said invention, it is preferable that the wiring plating part is formed in the surface of the said auxiliary wiring layer.

上記発明においては、上記境界領域において、平面視上、上記配線層の端部から上記絶縁層の端部までの幅、および、上記配線層の端部から上記カバー層の端部までの幅の少なくとも一方が局所的に大きいことが好ましい。絶縁層に生じたクラックの影響をさらに小さくできるからである。   In the above invention, in the boundary region, the width from the end of the wiring layer to the end of the insulating layer and the width from the end of the wiring layer to the end of the cover layer in plan view. At least one is preferably locally large. This is because the influence of cracks generated in the insulating layer can be further reduced.

上記発明においては、上記金属支持基板が、素子を実装するタング部と、上記タング部の外側に位置するアウトリガー部とを有し、上記配線層は、平面視上、上記タング部および上記アウトリガー部の間に形成されていることが好ましい。このような配線層が形成された境界領域では、絶縁層にクラックが生じやすいが、その影響を効果的に小さくできるからである。   In the above invention, the metal support board includes a tongue portion for mounting an element and an outrigger portion positioned outside the tongue portion, and the wiring layer includes the tongue portion and the outrigger portion in plan view. It is preferable that it is formed between. This is because cracks are likely to occur in the insulating layer in the boundary region where such a wiring layer is formed, but the influence can be effectively reduced.

上記発明においては、上記金属支持基板が、上記タング部および上記アウトリガー部を連結するクロスバーを有し、上記第一構造部の上記金属支持基板が、上記クロスバーであることが好ましい。   In the said invention, it is preferable that the said metal support substrate has a cross bar which connects the said tongue part and the said outrigger part, and the said metal support substrate of a said 1st structure part is the said cross bar.

上記発明においては、上記金属支持基板が、アウトリガー部の上記タング部側の端面にトレースサポートタブを有し、上記第一構造部の上記金属支持基板が、上記トレースサポートタブであることが好ましい。   In the said invention, it is preferable that the said metal support substrate has a trace support tab in the end surface at the side of the said tongue part of an outrigger part, and the said metal support substrate of a said 1st structure part is the said trace support tab.

上記発明においては、上記金属支持基板が、上記アウトリガー部の根元を支持するベース部を有し、上記第一構造部の上記金属支持基板が、上記ベース部であることが好ましい。   In the said invention, it is preferable that the said metal support substrate has a base part which supports the base of the said outrigger part, and the said metal support substrate of a said 1st structure part is the said base part.

上記発明においては、上記第一構造部の上記金属支持基板が、上記タング部であることが好ましい。   In the said invention, it is preferable that the said metal support substrate of a said 1st structure part is the said tongue part.

また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層を覆うように形成されたカバー層と、上記金属支持基板、上記絶縁層、上記配線層および上記カバー層を有する第一構造部と、上記第一構造部から連続的に形成され、上記金属支持基板が存在しない第二構造部とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記第一構造部および上記第二構造部の境界領域において、平面視上、上記配線層の端部から上記絶縁層の端部までの幅、および、上記配線層の端部から上記カバー層の端部までの幅の少なくとも一方が局所的に大きくなるように、上記絶縁層および上記カバー層の少なくとも一方を形成する工程を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。   In the present invention, a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, and a cover layer formed so as to cover the wiring layer; A first structure portion having the metal support substrate, the insulating layer, the wiring layer, and the cover layer, and a second structure portion formed continuously from the first structure portion and having no metal support substrate. A method for manufacturing a suspension substrate having a width from an end portion of the wiring layer to an end portion of the insulating layer in plan view in a boundary region between the first structure portion and the second structure portion, and A suspension comprising a step of forming at least one of the insulating layer and the cover layer so that at least one of a width from an end of the wiring layer to an end of the cover layer is locally increased. To provide a method of manufacturing a substrate.

本発明によれば、境界領域において、平面視上、配線層の端部から絶縁層の端部までの幅、および、配線層の端部からカバー層の端部までの幅の少なくとも一方が局所的に大きくなるように絶縁層およびカバー層の少なくとも一方を形成することにより、絶縁層に生じたクラックの影響を小さくしたサスペンション用基板を得ることができる。   According to the present invention, in the boundary region, at least one of the width from the end of the wiring layer to the end of the insulating layer and the width from the end of the wiring layer to the end of the cover layer is local in plan view. By forming at least one of the insulating layer and the cover layer so as to be larger, it is possible to obtain a suspension substrate in which the influence of cracks generated in the insulating layer is reduced.

上記発明においては、上記境界領域において、上記絶縁層の端部の位置と、上記カバー層の端部の位置とが一致するように、上記絶縁層および上記カバー層を形成することが好ましい。クラックの発生自体を抑制できるからである。   In the above invention, it is preferable that the insulating layer and the cover layer are formed so that the position of the end portion of the insulating layer and the position of the end portion of the cover layer coincide with each other in the boundary region. This is because the occurrence of cracks themselves can be suppressed.

また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層を覆うように形成されたカバー層と、上記金属支持基板、上記絶縁層、上記配線層および上記カバー層を有する第一構造部と、上記第一構造部から連続的に形成され、上記金属支持基板が存在しない第二構造部とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記第一構造部および上記第二構造部の境界領域において、平面視上、上記配線層の端部から上記絶縁層の端部までの間に、補助配線層を形成する配線層形成工程を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。   In the present invention, a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, and a cover layer formed so as to cover the wiring layer; A first structure portion having the metal support substrate, the insulating layer, the wiring layer, and the cover layer, and a second structure portion formed continuously from the first structure portion and having no metal support substrate. A method for manufacturing a suspension substrate, comprising: an auxiliary portion between the end of the wiring layer and the end of the insulating layer in plan view in a boundary region between the first structure and the second structure; There is provided a method for manufacturing a suspension substrate, comprising a wiring layer forming step of forming a wiring layer.

本発明によれば、第二実施態様によれば、境界領域において、配線層の端部から絶縁層の端部までの間に、補助配線層を形成することにより、絶縁層に生じたクラックの影響を小さくしたサスペンション用基板を得ることができる。   According to the present invention, according to the second embodiment, in the boundary region, by forming the auxiliary wiring layer between the end of the wiring layer and the end of the insulating layer, cracks generated in the insulating layer are reduced. A suspension substrate with reduced influence can be obtained.

上記発明においては、上記配線層形成工程において、上記配線層および上記補助配線層を同時に形成することが好ましい。製造工程の簡略化を図ることができるからである。   In the above invention, it is preferable that the wiring layer and the auxiliary wiring layer are simultaneously formed in the wiring layer forming step. This is because the manufacturing process can be simplified.

上記発明においては、素子を実装するタング部と、上記タング部の外側に位置するアウトリガー部とを有する上記金属支持基板を形成し、平面視上、上記タング部および上記アウトリガー部の間に、上記配線層を形成することが好ましい。このような配線層が形成された境界領域では、絶縁層にクラックが生じやすいが、その影響を効果的に小さくできるからである。   In the above invention, the metal support substrate having a tongue portion for mounting an element and an outrigger portion located outside the tongue portion is formed, and the planar view, between the tongue portion and the outrigger portion, It is preferable to form a wiring layer. This is because cracks are likely to occur in the insulating layer in the boundary region where such a wiring layer is formed, but the influence can be effectively reduced.

本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板が存在する領域と存在しない領域との境界領域で、絶縁層に生じたクラックの影響を小さくできるという効果を奏する。   The suspension substrate of the present invention has an effect that the influence of cracks generated in the insulating layer can be reduced in the boundary region between the region where the metal support substrate is present and the region where the metal support substrate is not present.

一般的なサスペンション用基板の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram showing an example of a general suspension substrate. 第一実施態様のサスペンション用基板の素子実装領域の近傍を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the vicinity of the element mounting area | region of the board | substrate for suspensions of a 1st embodiment. クロスバーの近傍を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the vicinity of a cross bar. 第一実施態様のサスペンション用基板を説明する概略平面図である。It is a schematic plan view explaining the suspension substrate of the first embodiment. 第一実施態様のサスペンション用基板を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the board | substrate for suspensions of a 1st embodiment. 第一実施態様のサスペンション用基板を説明する概略平面図である。It is a schematic plan view explaining the suspension substrate of the first embodiment. 第一実施態様のサスペンション用基板を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the board | substrate for suspensions of a 1st embodiment. 第一実施態様における金属支持基板を説明する概略平面図である。It is a schematic plan view explaining the metal support substrate in a first embodiment. 第一実施態様のサスペンション用基板を説明する概略平面図である。It is a schematic plan view explaining the suspension substrate of the first embodiment. 第一実施態様のサスペンション用基板を説明する概略平面図である。It is a schematic plan view explaining the suspension substrate of the first embodiment. 第二実施態様のサスペンション用基板を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the board | substrate for suspensions of a 2nd embodiment. 第二実施態様のサスペンション用基板を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the board | substrate for suspensions of a 2nd embodiment. 第二実施態様のサスペンション用基板を説明する概略平面図である。It is a schematic plan view explaining the board | substrate for suspensions of a 2nd embodiment. 第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the board | substrate for suspensions of a 1st embodiment. 第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the other example of the manufacturing method of the board | substrate for suspensions of a 1st embodiment. 第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the board | substrate for suspensions of a 2nd embodiment.

以下、本発明のサスペンション用基板、および、サスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。   Hereinafter, the suspension substrate and the method for manufacturing the suspension substrate of the present invention will be described in detail.

A.サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、第一構造部および第二構造部の境界領域に、絶縁層に生じたクラックの影響を小さくできる補強部を設けたものである。その補強部の態様により、二つの実施態様に大別することができる。
A. Suspension Substrate The suspension substrate of the present invention is provided with a reinforcing portion that can reduce the influence of cracks generated in the insulating layer in the boundary region between the first structure portion and the second structure portion. It can be divided roughly into two embodiments according to the form of the reinforcing portion.

1.第一実施態様
まず、本発明のサスペンション用基板の第一実施態様について説明する。第一実施態様のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、上記金属支持基板、上記絶縁層、上記配線層および上記カバー層を有する第一構造部と、上記第一構造部から連続的に形成され、上記金属支持基板が存在しない第二構造部とを有し、上記第一構造部および上記第二構造部の境界領域において、平面視上、上記配線層の端部から上記絶縁層の端部までの幅、および、上記配線層の端部から上記カバー層の端部までの幅の少なくとも一方が局所的に大きいことを特徴とするものである。
1. First Embodiment First, a first embodiment of the suspension substrate of the present invention will be described. The suspension substrate according to the first embodiment is formed so as to cover the metal supporting substrate, the insulating layer formed on the metal supporting substrate, the wiring layer formed on the insulating layer, and the wiring layer. A suspension substrate having a cover layer, wherein the metal support substrate, the insulating layer, the wiring layer, and the first structure portion having the cover layer are formed continuously from the first structure portion, and the metal And a width from an end portion of the wiring layer to an end portion of the insulating layer in a plan view in a boundary region between the first structure portion and the second structure portion. In addition, at least one of the widths from the end of the wiring layer to the end of the cover layer is locally large.

図1は、一般的なサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図1(a)はサスペンション用基板の概略平面図であり、図1(b)は図1(a)のX−X断面図である。なお、図1(a)では、便宜上、カバー層の記載は省略している。図1(a)に示されるサスペンション用基板100は、一方の先端部分に形成された素子実装領域101と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域102と、素子実装領域101および外部回路基板接続領域102を電気的に接続する複数の配線層103a〜103dとを有するものである。配線層103aおよび配線層103bは一対の配線層であり、同様に、配線層103cおよび配線層103dも一対の配線層である。これらの2つの配線層は、一方がライト用の配線層であり、他方がリード用の配線層である。一方、図1(b)に示されるように、サスペンション用基板は、金属支持基板1と、金属支持基板1上に形成された絶縁層2と、絶縁層2上に形成された配線層3と、配線層3を覆うカバー層4とを有するものである。   FIG. 1 is a schematic view showing an example of a general suspension substrate. FIG. 1A is a schematic plan view of a suspension substrate, and FIG. 1B is a sectional view taken along line XX of FIG. In FIG. 1A, the cover layer is not shown for convenience. A suspension substrate 100 shown in FIG. 1A includes an element mounting region 101 formed at one tip portion, an external circuit board connection region 102 formed at the other tip portion, an element mounting region 101 and an external portion. And a plurality of wiring layers 103a to 103d for electrically connecting the circuit board connection region 102. The wiring layer 103a and the wiring layer 103b are a pair of wiring layers. Similarly, the wiring layer 103c and the wiring layer 103d are also a pair of wiring layers. One of these two wiring layers is a writing wiring layer, and the other is a reading wiring layer. On the other hand, as shown in FIG. 1B, the suspension substrate includes a metal support substrate 1, an insulating layer 2 formed on the metal support substrate 1, and a wiring layer 3 formed on the insulating layer 2. And a cover layer 4 covering the wiring layer 3.

図2は、第一実施態様のサスペンション用基板の素子実装領域の近傍を示す概略平面図である。なお、図2では、便宜上、カバー層の記載は省略しており、図面の上半分における絶縁層および配線層は点線で示している。図2における金属支持基板1は、磁気ヘッドスライダ等の素子を実装するタング部11と、タング部11の外側に位置するアウトリガー部12と、タング部11およびアウトリガー部12を連結するクロスバー13と、アウトリガー部12の根元を支持するベース部15とを有している。さらに、図2における領域A〜Dでは、それぞれ、金属支持基板1、絶縁層2、配線層3およびカバー層(図示せず)を有する第一構造部と、その第一構造部から連続的に形成され、金属支持基板1が存在しない第二構造部とが形成されている。   FIG. 2 is a schematic plan view showing the vicinity of the element mounting region of the suspension substrate of the first embodiment. In FIG. 2, for the sake of convenience, the description of the cover layer is omitted, and the insulating layer and the wiring layer in the upper half of the drawing are indicated by dotted lines. 2 includes a tongue portion 11 on which an element such as a magnetic head slider is mounted, an outrigger portion 12 positioned outside the tongue portion 11, and a crossbar 13 that couples the tongue portion 11 and the outrigger portion 12. And a base portion 15 that supports the base of the outrigger portion 12. Further, in regions A to D in FIG. 2, a first structure portion having a metal support substrate 1, an insulating layer 2, a wiring layer 3, and a cover layer (not shown), and continuously from the first structure portion, respectively. A second structure portion that is formed and does not have the metal support substrate 1 is formed.

また、第一実施態様においては、図2に示すように、配線層3が、平面視上、タング部11およびアウトリガー部12の間に形成されていることが好ましい。このような配線層が形成された境界領域では、配線層下面の絶縁層にクラックが生じやすいが、その影響を効果的に小さくできるからである。また、上述した特許文献1では、アウトリガー部の上に配線層を設けることが記載されている。一方で、ジンバルのピッチ・ロール角を調整するために、アウトリガー部にレーザーを照射する技術がある。このような技術を特許文献1に適用すると、レーザー照射による熱の影響により、配線層の劣化が生じやすくなる。また、配線層の剛性が、ジンバルのピッチ・ロール角の調整に障害となる。そのため、配線層をアウトリガー部の外側または内側に配置することが好ましい。ここで、配線層をアウトリガー部の外側に配置すると、特許文献3に記載されているように、アウトトレース型のサスペンション用基板になるが、アウトトレース型のサスペンション用基板は、配線層が、ディスク回転時の風圧の影響を大きく受けるため、フライトハイトコントロールが難しくなる可能性がある。また、配線層の外側にアウトリガー部が無いので、配線層が損傷を受けやすい。このように、レーザー照射による配線層の劣化を防止するという観点、ディスク回転時の風圧の影響を緩和するという観点、および、配線層の損傷を防止するという観点から、配線層が、平面視上、タング部およびアウトリガー部の間に形成されていることが好ましい。   In the first embodiment, as shown in FIG. 2, the wiring layer 3 is preferably formed between the tongue portion 11 and the outrigger portion 12 in plan view. This is because, in the boundary region where such a wiring layer is formed, cracks are likely to occur in the insulating layer on the lower surface of the wiring layer, but the influence can be effectively reduced. Moreover, in patent document 1 mentioned above, providing a wiring layer on an outrigger part is described. On the other hand, in order to adjust the pitch and roll angle of the gimbal, there is a technique of irradiating a laser to the outrigger portion. When such a technique is applied to Patent Document 1, the wiring layer is likely to deteriorate due to the influence of heat by laser irradiation. In addition, the rigidity of the wiring layer becomes an obstacle to the adjustment of the pitch and roll angle of the gimbal. Therefore, it is preferable to arrange the wiring layer outside or inside the outrigger portion. Here, when the wiring layer is disposed outside the outrigger portion, as described in Patent Document 3, an out-trace type suspension substrate is formed. However, in the out-trace type suspension substrate, the wiring layer is a disk. Flight height control may be difficult because it is greatly affected by wind pressure during rotation. In addition, since there is no outrigger portion outside the wiring layer, the wiring layer is easily damaged. Thus, from the viewpoint of preventing the deterioration of the wiring layer due to the laser irradiation, the viewpoint of reducing the influence of the wind pressure during the disk rotation, and the viewpoint of preventing the wiring layer from being damaged, the wiring layer is viewed in plan view. It is preferably formed between the tongue part and the outrigger part.

一方、図3は、クロスバーの近傍を示す概略平面図である。図3では、クロスバー13と交差するように、配線層3が配置されている。ここで、クロスバー13、絶縁層2、配線層3およびカバー層(図示せず)がこの順に積層された第一構造部Sと、クロスバー13が存在せず、絶縁層2、配線層3およびカバー層(図示せず)がこの順に積層された第二構造部Sとの境界領域では、その上に存在する絶縁層2にクラック51が生じやすいという問題がある。クラック51が生じる理由としては、サスペンション用基板の使用時の応力集中(例えば、磁気ヘッドスライダ等の素子の振動による応力集中)、および、サスペンション用基板の製造時の応力集中(例えば、クロスバー13を形成した後の液処理による応力集中、製造段階のサスペンション用基板の搬送時における応力集中)等が挙げられる。クラックが発生し、そのクラックが進展すると、応力が直接配線層に影響することが想定され、最悪の場合は、配線層の腐食や断線が生じ得る。 On the other hand, FIG. 3 is a schematic plan view showing the vicinity of the crossbar. In FIG. 3, the wiring layer 3 is arranged so as to intersect with the crossbar 13. Here, the crossbar 13, the insulating layer 2, the wiring layer 3 and the cover layer (not shown) are laminated in this order, the first structure portion S 1 , the crossbar 13 does not exist, the insulating layer 2, the wiring layer 3 and a cover layer (not shown) in the boundary area between the second structural portion S 2 which are laminated in this order, there is a problem that cracks 51 in the insulating layer 2 present thereon is likely. The crack 51 is caused by stress concentration during use of the suspension substrate (for example, stress concentration due to vibration of an element such as a magnetic head slider) and stress concentration during manufacture of the suspension substrate (for example, the crossbar 13). Stress concentration due to liquid treatment after the formation of the stress, stress concentration during the transportation of the suspension substrate in the manufacturing stage), and the like. When a crack is generated and the crack progresses, it is assumed that the stress directly affects the wiring layer. In the worst case, the wiring layer may be corroded or disconnected.

第一実施態様のサスペンション用基板は、境界領域において、平面視上、配線層3の端部31から絶縁層2の端部21までの幅が局所的に大きいことが好ましい(図4(a))。また、第一実施態様のサスペンション用基板は、境界領域において、平面視上、配線層3の端部31からカバー層4の端部41までの幅が局所的に大きいことが好ましい(図4(b))。また、図示しないが、第一実施態様においては、平面視上、配線層3の端部31から絶縁層2の端部21までの幅、および、配線層3の端部31からカバー層4の端部41までの幅の両者が局所的に大きくても良い。   The suspension substrate of the first embodiment preferably has a locally large width from the end 31 of the wiring layer 3 to the end 21 of the insulating layer 2 in plan view in the boundary region (FIG. 4A). ). In the suspension substrate of the first embodiment, it is preferable that the width from the end portion 31 of the wiring layer 3 to the end portion 41 of the cover layer 4 is locally large in the boundary region in plan view (FIG. 4 ( b)). Although not shown, in the first embodiment, the width from the end 31 of the wiring layer 3 to the end 21 of the insulating layer 2 in the plan view, and the width of the cover layer 4 from the end 31 of the wiring layer 3 are shown. Both of the widths up to the end 41 may be locally large.

また、第一実施態様において、「幅が局所的に大きいこと」は、次のように定義することができる。絶縁層は、配線層の絶縁を目的としたものであることから、基本的には、配線層の配線パターンに応じて形成される。そのため、例えば図4(a)に示すように、絶縁層2のベースラインを特定することが可能である。このベースラインは、直線であっても、曲線であっても容易に特定することができる。そのため、このベースラインにおける端部31と端部21との幅よりも、境界領域における端部31と端部21との幅が大きければ、「幅が局所的に大きい」ことを特定することができる。このことは、図4(b)のカバー層においても同様である。   In the first embodiment, “the width is locally large” can be defined as follows. Since the insulating layer is intended to insulate the wiring layer, it is basically formed according to the wiring pattern of the wiring layer. Therefore, for example, as shown in FIG. 4A, the base line of the insulating layer 2 can be specified. This baseline can be easily specified whether it is a straight line or a curved line. Therefore, if the width between the end portion 31 and the end portion 21 in the boundary region is larger than the width between the end portion 31 and the end portion 21 in the baseline, it is specified that “the width is locally large”. it can. The same applies to the cover layer in FIG.

また、図5(a)は、図4(a)のX−X断面図である。図4(a)では、境界領域において、配線層3の端部31から絶縁層2の端部21までの幅が、局所的に大きい。一方、図5(b)、(c)は、それぞれ図4(b)のX−X断面図に相当するものである。図5(b)では、境界領域において、配線層3の端部31から絶縁層2の端部21までの幅、および、配線層3の端部31からカバー層4の端部41までの幅が、局所的に大きい。図5(c)では、境界領域において、配線層3の端部31からカバー層4の端部41までの幅が、局所的に大きい。なお、第一実施態様における絶縁層が、例えばウェットエッチングにより形成された場合、絶縁層の断面形状は、通常、台形になる。   FIG. 5A is a cross-sectional view taken along line XX in FIG. In FIG. 4A, the width from the end 31 of the wiring layer 3 to the end 21 of the insulating layer 2 is locally large in the boundary region. On the other hand, FIGS. 5B and 5C correspond to the XX cross-sectional view of FIG. 4B, respectively. 5B, the width from the end 31 of the wiring layer 3 to the end 21 of the insulating layer 2 and the width from the end 31 of the wiring layer 3 to the end 41 of the cover layer 4 in the boundary region. Is locally large. In FIG. 5C, the width from the end 31 of the wiring layer 3 to the end 41 of the cover layer 4 is locally large in the boundary region. When the insulating layer in the first embodiment is formed by wet etching, for example, the cross-sectional shape of the insulating layer is usually a trapezoid.

このように、第一実施態様によれば、上記境界領域において、平面視上、配線層の端部から絶縁層の端部までの幅、および、配線層の端部からカバー層の端部までの幅の少なくとも一方を、局所的に大きくすることにより、絶縁層に生じたクラックの影響を小さくできる。そのため、応力集中による配線層の断線等を防止することができる。特に、近年は絶縁層の薄膜化が求められており、絶縁層にクラックが生じやすくなる傾向にあるが、第一実施態様によれば、そのクラックの影響を効果的に小さくすることができる。
以下、第一実施態様のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
Thus, according to the first embodiment, in the boundary region, in a plan view, the width from the end of the wiring layer to the end of the insulating layer, and the end of the wiring layer to the end of the cover layer By increasing at least one of the widths locally, the influence of cracks generated in the insulating layer can be reduced. Therefore, disconnection of the wiring layer due to stress concentration can be prevented. In particular, in recent years, thinning of the insulating layer has been demanded, and cracks tend to be easily generated in the insulating layer. However, according to the first embodiment, the influence of the cracks can be effectively reduced.
Hereinafter, the suspension substrate according to the first embodiment will be described separately for the suspension substrate member and the suspension substrate configuration.

(1)サスペンション用基板の部材
まず、第一実施態様のサスペンション用基板の部材について説明する。第一実施態様のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層、配線層およびカバー層を有するものである。
(1) Suspension Board Member First, the suspension board member of the first embodiment will be described. The suspension substrate of the first embodiment has a metal support substrate, an insulating layer, a wiring layer, and a cover layer.

第一実施態様における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはSUS等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば10μm〜20μmの範囲内である。   The metal support substrate in the first embodiment functions as a support for the suspension substrate. The material of the metal support substrate is preferably a metal having spring properties, and specific examples include SUS. Moreover, although the thickness of a metal support substrate changes with kinds of the material, it exists in the range of 10 micrometers-20 micrometers, for example.

第一実施態様における絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば5μm〜30μmの範囲内であることが好ましく、5μm〜18μmの範囲内であることがより好ましく、5μm〜12μmの範囲内であることがさらに好ましい。   The insulating layer in the first embodiment is formed on the metal support substrate. The material of the insulating layer is not particularly limited as long as it has insulating properties, and examples thereof include a resin. Examples of the resin include polyimide resin, polybenzoxazole resin, polybenzimidazole resin, acrylic resin, polyether nitrile resin, polyether sulfone resin, polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, and polyvinyl chloride resin. Of these, polyimide resin is preferred. It is because it is excellent in insulation, heat resistance and chemical resistance. In addition, the material of the insulating layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the insulating layer is, for example, preferably in the range of 5 μm to 30 μm, more preferably in the range of 5 μm to 18 μm, and still more preferably in the range of 5 μm to 12 μm.

第一実施態様における配線層は、絶縁層上に形成されるものである。配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅(Cu)が好ましい。また、配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。配線層の厚さは、例えば5μm〜18μmの範囲内であることが好ましく、9μm〜12μmの範囲内であることがより好ましい。また、配線層の一部の表面には、配線めっき部が形成されていても良い。配線めっき部を設けることにより、配線層の劣化(腐食等)を防止できるからである。中でも、第一実施態様においては、素子または外部回路基板との接続を行う端子部に配線めっき部が形成されていることが好ましい。配線めっき部の種類は特に限定されるものではないが、例えばNiめっき、Auめっき等を挙げることができる。配線めっき部の厚さは、例えば0.1μm〜4.0μmの範囲内である。   The wiring layer in the first embodiment is formed on the insulating layer. The material of the wiring layer is not particularly limited as long as it has conductivity, but for example, a metal can be cited, and copper (Cu) is particularly preferable. Moreover, the material of the wiring layer may be rolled copper or electrolytic copper. The thickness of the wiring layer is preferably in the range of 5 μm to 18 μm, for example, and more preferably in the range of 9 μm to 12 μm. A wiring plating portion may be formed on a part of the surface of the wiring layer. This is because the wiring layer can be prevented from being deteriorated (corrosion or the like) by providing the wiring plating portion. Among these, in the first embodiment, it is preferable that a wiring plating part is formed in a terminal part for connection to an element or an external circuit board. Although the kind of wiring plating part is not specifically limited, For example, Ni plating, Au plating, etc. can be mentioned. The thickness of the wiring plating portion is, for example, in the range of 0.1 μm to 4.0 μm.

第一実施態様におけるカバー層は、配線層3を覆うように形成されるものである。カバー層を設けることにより、配線層の劣化(腐食等)を防止できる。カバー層の材料としては、例えば、上述した絶縁層の材料として記載した樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。カバー層の厚さは、例えば2μm〜30μmの範囲内であることが好ましく、2μm〜10μmの範囲内であることがより好ましい。   The cover layer in the first embodiment is formed so as to cover the wiring layer 3. By providing the cover layer, deterioration (corrosion etc.) of the wiring layer can be prevented. Examples of the material for the cover layer include the resins described as the material for the insulating layer described above, and among them, a polyimide resin is preferable. The material of the cover layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the cover layer is preferably in the range of 2 μm to 30 μm, for example, and more preferably in the range of 2 μm to 10 μm.

(2)サスペンション用基板の構成
次に、第一実施態様のサスペンション用基板の構成について説明する。第一実施態様のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層、配線層およびカバー層がこの順に積層された第一構造部を有する。第一構造部における配線層には、種々の機能を有する複数の配線層を用いることができる。配線層としては、例えば、ライト用配線層、リード用配線層、ノイズシールド用配線層、クロストーク防止用配線層、電源用配線層、グランド用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、センサー用配線層、アクチュエータ用配線層、熱アシスト用配線層等を挙げることができる。また、第一実施態様のサスペンション用基板は、第一構造部から連続的に形成され、金属支持基板が存在しない第二構造部を有する。第二構造部は、例えば、第一構造部から金属支持基板のみを除去した構造部に該当する。
(2) Configuration of Suspension Substrate Next, the configuration of the suspension substrate of the first embodiment will be described. The suspension substrate of the first embodiment has a first structure portion in which a metal support substrate, an insulating layer, a wiring layer, and a cover layer are laminated in this order. As the wiring layer in the first structure portion, a plurality of wiring layers having various functions can be used. Examples of wiring layers include a write wiring layer, a read wiring layer, a noise shield wiring layer, a crosstalk prevention wiring layer, a power supply wiring layer, a ground wiring layer, a flight height control wiring layer, and a sensor wiring. Layer, actuator wiring layer, heat assist wiring layer, and the like. In addition, the suspension substrate of the first embodiment has a second structure portion that is continuously formed from the first structure portion and does not have a metal support substrate. The second structure portion corresponds to, for example, a structure portion obtained by removing only the metal support substrate from the first structure portion.

また、第一実施態様においては、境界領域において、平面視上、配線層の端部から絶縁層の端部までの幅、および、配線層の端部からカバー層の端部までの幅の少なくとも一方が局所的に大きいことを大きな特徴とする。ここで、図6(a)に示すように、絶縁層2のベースラインから絶縁層2の端部21までの幅をWとした場合、Wの値は、例えば30μm以上であることが好ましく、50μm以上であることがより好ましく、70μm以上であることがさらに好ましい。一方、Wの値の上限は、特に限定されるものではない。なお、図6(a)では、配線層3の端部31から絶縁層2の端部21までの幅が局所的に大きい場合について説明したが、配線層の端部からカバー層の端部までの幅が局所的に大きい場合についても同様である。 In the first embodiment, in the boundary region, in a plan view, at least the width from the end of the wiring layer to the end of the insulating layer, and the width from the end of the wiring layer to the end of the cover layer are at least One of the features is that one is locally large. Here, as shown in FIG. 6 (a), if the width from the base line of the insulating layer 2 to the end portion 21 of the insulating layer 2 was set to W 1, the value of W 1 is not less eg 30μm or more Preferably, it is 50 μm or more, more preferably 70 μm or more. The upper limit of the value of W 1 is not particularly limited. 6A illustrates the case where the width from the end 31 of the wiring layer 3 to the end 21 of the insulating layer 2 is locally large, from the end of the wiring layer to the end of the cover layer. The same applies to the case where the width of is locally large.

また、図6(b)に示すように、配線層3の端部31から絶縁層2の端部21までの幅を全体的に大きくすることによっても、絶縁層に生じたクラックの影響を小さくすることはできる。また、図示しないが、同様に、配線層の端部からカバー層の端部までの幅を全体的に大きくすることによっても、絶縁層に生じたクラックの影響を小さくすることはできる。しかしながら、このような構造を採用するためには、空間的な余裕がある必要があり、デザイン上の制約が多くなる。   Further, as shown in FIG. 6B, the influence of cracks generated in the insulating layer can be reduced by increasing the width from the end 31 of the wiring layer 3 to the end 21 of the insulating layer 2 as a whole. Can do. Although not shown, similarly, the influence of cracks generated in the insulating layer can be reduced by increasing the overall width from the end of the wiring layer to the end of the cover layer. However, in order to adopt such a structure, it is necessary to have a space, and design restrictions are increased.

また、図5(b)に示したように、第一実施態様のサスペンション用基板は、境界領域において、配線層3の端部31から絶縁層2の端部21までの幅、および、配線層3の端部31からカバー層4の端部41までの幅が局所的に大きいことが好ましい。絶縁層およびカバー層によって突起部を形成することにより、両者の積層部分において、クラックの進展を効果的に抑制することができるからである。この場合、絶縁層の端部の位置と、カバー層の端部の位置とは、一致していても良く、異なっていても良いが、一致していることが好ましい。クラックの発生自体を抑制できるからである。上記「一致」とは、絶縁層の上端部の位置と、カバー層の下端部の位置とが一致することをいう。また、上記「一致」は、厳密な一致のみではなく、実質的な一致をも意味する。「実質的な一致」とは、図7に示すように、カバー層4の下端部4aの位置と、絶縁層2の上端部2aの位置との幅Wが、10μm以下(好ましくは5μm以下)であることをいう。なお、カバー層の下端部の位置は、絶縁層の上端部の位置の内側にあっても良く、外側にあっても良い。 Further, as shown in FIG. 5B, the suspension substrate according to the first embodiment includes the width from the end portion 31 of the wiring layer 3 to the end portion 21 of the insulating layer 2 in the boundary region, and the wiring layer. It is preferable that the width from the end portion 31 of 3 to the end portion 41 of the cover layer 4 is locally large. This is because, by forming the protrusions with the insulating layer and the cover layer, the progress of cracks can be effectively suppressed in the laminated portion of both. In this case, the position of the end portion of the insulating layer and the position of the end portion of the cover layer may coincide with each other or may differ from each other, but preferably coincide with each other. This is because the occurrence of cracks themselves can be suppressed. The “matching” means that the position of the upper end portion of the insulating layer matches the position of the lower end portion of the cover layer. Further, the above “match” means not only exact match but also substantial match. “Substantial coincidence” means that, as shown in FIG. 7, the width W 2 between the position of the lower end portion 4a of the cover layer 4 and the position of the upper end portion 2a of the insulating layer 2 is 10 μm or less (preferably 5 μm or less). ). In addition, the position of the lower end part of the cover layer may be inside the position of the upper end part of the insulating layer, or may be outside.

また、ウェットエッチングにより絶縁層を形成し、境界領域において、絶縁層の端部の位置と、カバー層の端部の位置とを一致させる場合、絶縁層の下端部断面の角度θを大きくすることができ、クラックの発生を抑制することができる。絶縁層とカバー層とは、製品としての耐久性を担保する観点から、通常、密着性が高い。そのため、両層の間にエッチング液が染み込むことを防止でき、絶縁層の下端部断面の角度θを大きくすることができる。角度を大きくすることで、クラックの発生を抑制することができる。第一実施態様において、絶縁層の下端部断面の角度θは、例えば、30°以上であることが好ましく、40°以上であることがより好ましく、50°以上であることがさらに好ましい。   In addition, when an insulating layer is formed by wet etching and the position of the end of the insulating layer is matched with the position of the end of the cover layer in the boundary region, the angle θ of the lower end section of the insulating layer is increased. And the occurrence of cracks can be suppressed. The insulating layer and the cover layer usually have high adhesion from the viewpoint of ensuring durability as a product. Therefore, the etchant can be prevented from permeating between the two layers, and the angle θ of the lower end section of the insulating layer can be increased. By increasing the angle, the occurrence of cracks can be suppressed. In the first embodiment, the angle θ of the lower end section of the insulating layer is, for example, preferably 30 ° or more, more preferably 40 ° or more, and further preferably 50 ° or more.

また、第一実施態様においては、絶縁層の材料およびカバー層の材料が、同種の材料であることが好ましい。両層の間の密着性がより高くなるからである。密着性が高いと、両層の間にエッチング液が染み込むことを防止でき、絶縁層の下端部断面の角度θを大きくすることができる。その結果、絶縁層にクラックが生じることを抑制できる。第一実施態様における同種の材料とは、基本骨格が共通した材料をいう。特に、第一実施態様においては、絶縁層の材料およびカバー層の材料が、ともにポリイミド樹脂であることが好ましい。さらに、カバー材の材料は、絶縁層の材料よりも、エッチング液に対するエッチングレートが低い材料であることが好ましい。   In the first embodiment, the material of the insulating layer and the material of the cover layer are preferably the same type of material. This is because the adhesion between the two layers becomes higher. When the adhesiveness is high, the etchant can be prevented from permeating between both layers, and the angle θ of the lower end section of the insulating layer can be increased. As a result, generation of cracks in the insulating layer can be suppressed. The same kind of material in the first embodiment refers to a material having a common basic skeleton. In particular, in the first embodiment, it is preferable that the material of the insulating layer and the material of the cover layer are both polyimide resins. Furthermore, the cover material is preferably a material having a lower etching rate with respect to the etchant than the material of the insulating layer.

次に、第一実施態様における境界領域について説明する。第一実施態様における境界領域は、上述した第一構造部および第二構造部の境界の領域であれば特に限定されるものではない。境界領域を例示すると、上述した図2の領域A〜Dを挙げることができる。図2の領域Aは、第一構造部の金属支持基板が、クロスバー13である態様である。クロスバー13の両端が、金属支持基板が存在する領域と存在しない領域との境界になる。特に、領域Aは、サスペンション用基板の使用時に、素子の振動の影響を大きく受けるため、この境界領域において、平面視上、配線層の端部から絶縁層の端部までの幅、および、配線層の端部からカバー層の端部までの幅の少なくとも一方が局所的に大きいことが好ましい。さらに、領域Aの中でも、タング部11に近い側の境界領域では、捻じれ等の影響を受けやすいことから、タング部11に近い側の境界領域において、配線層の端部から絶縁層の端部までの幅、および、配線層の端部からカバー層の端部までの幅の少なくとも一方が局所的に大きいことが好ましい。   Next, the boundary area in the first embodiment will be described. The boundary region in the first embodiment is not particularly limited as long as it is a boundary region between the first structure portion and the second structure portion described above. Examples of the boundary area include the above-described areas A to D in FIG. Region A in FIG. 2 is an embodiment in which the metal support substrate of the first structure portion is the crossbar 13. Both ends of the cross bar 13 are boundaries between a region where the metal support substrate is present and a region where the metal support substrate is not present. In particular, since the region A is greatly affected by the vibration of the element when the suspension substrate is used, in this boundary region, the width from the end of the wiring layer to the end of the insulating layer in the plan view, and the wiring It is preferable that at least one of the widths from the end of the layer to the end of the cover layer is locally large. Furthermore, in the region A, the boundary region near the tongue portion 11 is easily affected by twisting or the like. Therefore, in the boundary region near the tongue portion 11, the end of the insulating layer extends from the end of the wiring layer. It is preferable that at least one of the width to the portion and the width from the end of the wiring layer to the end of the cover layer is locally large.

また、第一実施態様におけるクロスバーの位置は、タング部およびアウトリガー部を連結できる位置であれば特に限定されるものではないが、サスペンション用基板の短手方向におけるタング部の端面に形成されていることが好ましい。特に、第一実施態様においては、図8に示されるように、素子の振動中心16におけるサスペンション用基板の短手方向と重複するように、クロスバー13が形成されていることが好ましい。例えばHDI(Head Disk Interface)の発生時において素子の振動を最小化することができるからである。   In addition, the position of the cross bar in the first embodiment is not particularly limited as long as it is a position where the tongue portion and the outrigger portion can be connected, but is formed on the end surface of the tongue portion in the short direction of the suspension substrate. Preferably it is. In particular, in the first embodiment, as shown in FIG. 8, it is preferable that the crossbar 13 is formed so as to overlap with the transverse direction of the suspension substrate at the vibration center 16 of the element. This is because, for example, the vibration of the element can be minimized when HDI (Head Disk Interface) occurs.

また、図2の領域Bは、第一構造部の金属支持基板が、トレースサポートタブ14であるである態様である。トレースサポートタブ14の両端が、金属支持基板が存在する領域と存在しない領域との境界領域になる。同様に、図2の領域Cは、第一構造部の金属支持基板が、ベース部15である態様であり、図2の領域Dは、第一構造部の金属支持基板が、タング部である態様である。   Moreover, the area | region B of FIG. 2 is an aspect whose metal support board | substrate of a 1st structure part is the trace support tab 14. FIG. Both ends of the trace support tab 14 become a boundary region between a region where the metal support substrate exists and a region where the metal support substrate does not exist. Similarly, a region C in FIG. 2 is an aspect in which the metal support substrate of the first structure portion is the base portion 15, and a region D in FIG. 2 is a tongue portion in which the metal support substrate of the first structure portion is the tongue portion. It is an aspect.

また、第一実施態様においては、図9(a)に示すように、クロスバー13上に形成された絶縁層2の端部21が、タング部11に達するように形成されていることが好ましい。同様に、クロスバー13上に形成された絶縁層2の端部21が、アウトリガー部12に達するように形成されていることが好ましい。また、図9(b)に示すように、サポートトレースタブ14上に形成された絶縁層2の端部21が、アウトリガー部12に達するように形成されていることが好ましい。このような構造にすることで、クラックの発生を効果的に抑制できるからである。なお、図9(a)、(b)では、配線層3の端部31から絶縁層2の端部21までの幅が局所的に大きい場合について説明したが、配線層の端部からカバー層の端部までの幅が局所的に大きい場合についても同様である。   In the first embodiment, as shown in FIG. 9A, it is preferable that the end 21 of the insulating layer 2 formed on the crossbar 13 is formed so as to reach the tongue 11. . Similarly, the end portion 21 of the insulating layer 2 formed on the cross bar 13 is preferably formed so as to reach the outrigger portion 12. Further, as shown in FIG. 9B, the end 21 of the insulating layer 2 formed on the support trace tab 14 is preferably formed so as to reach the outrigger portion 12. It is because generation | occurrence | production of a crack can be suppressed effectively by setting it as such a structure. In FIGS. 9A and 9B, the case where the width from the end 31 of the wiring layer 3 to the end 21 of the insulating layer 2 is locally large has been described. However, the cover layer extends from the end of the wiring layer. The same applies to the case where the width to the end of the is locally large.

また、第一実施態様においては、絶縁層およびカバー層の少なくとも一方に、平面視上、境界領域を含むように、曲線構造部が形成されていることが好ましい。曲線構造部の存在により、応力分散を図ることができ、境界領域の絶縁層にクラックが生じることをさらに抑制できるからである。このような曲線構造部としては、例えば、図10(a)に示すように絶縁層2の突起部の先端に形成された曲線構造部、および、図10(b)に示すように絶縁層2のベースラインから連続的に形成された曲線構造部等を挙げることができる。なお、図10には示していないが、カバー層4に、同様の曲線構造部が形成されていても良い。   In the first embodiment, it is preferable that a curved structure portion is formed in at least one of the insulating layer and the cover layer so as to include a boundary region in plan view. This is because, due to the presence of the curved structure portion, it is possible to achieve stress distribution and further suppress the occurrence of cracks in the insulating layer in the boundary region. As such a curved structure part, for example, as shown in FIG. 10 (a), the curved structure part formed at the tip of the protrusion of the insulating layer 2, and the insulating layer 2 as shown in FIG. 10 (b). And a curved structure formed continuously from the base line. Although not shown in FIG. 10, a similar curved structure portion may be formed on the cover layer 4.

また、第一実施態様において、素子実装領域に実装される素子としては、例えば、磁気ヘッドスライダ、アクチュエータ、半導体等を挙げることができる。また、上記アクチュエータは、磁気ヘッドを有するものであっても良く、磁気ヘッドを有しないものであっても良い。   In the first embodiment, examples of the element mounted in the element mounting region include a magnetic head slider, an actuator, and a semiconductor. The actuator may have a magnetic head or may not have a magnetic head.

2.第二実施態様
次に、本発明のサスペンション用基板の第二実施態様について説明する。第二実施態様のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、上記金属支持基板、上記絶縁層、上記配線層および上記カバー層を有する第一構造部と、上記第一構造部から連続的に形成され、上記金属支持基板が存在しない第二構造部とを有し、上記第一構造部および上記第二構造部の境界領域において、平面視上、上記配線層の端部から上記絶縁層の端部までの間に、補助配線層が形成されていることを特徴とするものである。
2. Second Embodiment Next, a second embodiment of the suspension substrate of the present invention will be described. The suspension substrate according to the second embodiment is formed so as to cover the metal support substrate, the insulating layer formed on the metal support substrate, the wiring layer formed on the insulating layer, and the wiring layer. A suspension substrate having a cover layer, wherein the metal support substrate, the insulating layer, the wiring layer, and the first structure portion having the cover layer are formed continuously from the first structure portion, and the metal And a second structural part having no support substrate, and in a boundary region between the first structural part and the second structural part, between the end of the wiring layer and the end of the insulating layer in plan view In addition, an auxiliary wiring layer is formed.

図11は、第二実施態様のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図11(a)は、図4(a)と同様にクロスバーの近傍を示す概略平面図であり、図11(b)は図11(a)のX−X断面図である。第二実施態様のサスペンション用基板は、境界領域において、平面視上、配線層3の端部31から絶縁層2の端部21までの間に、補助配線層7が形成されていることを大きな特徴とする。   FIG. 11 is a schematic view showing an example of the suspension substrate of the second embodiment. FIG. 11A is a schematic plan view showing the vicinity of the crossbar as in FIG. 4A, and FIG. 11B is a cross-sectional view taken along the line XX in FIG. In the suspension substrate of the second embodiment, it is significant that the auxiliary wiring layer 7 is formed between the end portion 31 of the wiring layer 3 and the end portion 21 of the insulating layer 2 in plan view in the boundary region. Features.

このように、第二実施態様によれば、境界領域において、平面視上、配線層の端部から絶縁層の端部まで間に、補助配線層を設けることにより、絶縁層に生じたクラックの影響を小さくできる。そのため、応力集中による配線層の断線等を防止することができる。特に、近年は絶縁層の薄膜化が求められており、絶縁層にクラックが生じやすくなる傾向にあるが、第二実施態様によれば、そのクラックの影響を効果的に小さくすることができる。
以下、第二実施態様のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
As described above, according to the second embodiment, in the boundary region, by providing the auxiliary wiring layer between the end of the wiring layer and the end of the insulating layer in plan view, cracks generated in the insulating layer are reduced. The impact can be reduced. Therefore, disconnection of the wiring layer due to stress concentration can be prevented. In particular, in recent years, thinning of the insulating layer has been demanded, and cracks tend to be generated in the insulating layer. However, according to the second embodiment, the influence of the cracks can be effectively reduced.
Hereinafter, the suspension substrate according to the second embodiment will be described separately for the suspension substrate member and the suspension substrate configuration.

(1)サスペンション用基板の部材
まず、第二実施態様のサスペンション用基板の部材について説明する。第二実施態様のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層、配線層およびカバー層を有するものである。これらの部材については、上記「1.第一実施態様」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
(1) Suspension Substrate Member First, the suspension substrate member of the second embodiment will be described. The suspension substrate according to the second embodiment has a metal support substrate, an insulating layer, a wiring layer, and a cover layer. Since these members are the same as the contents described in “1. First embodiment” above, description thereof is omitted here.

また、第二実施態様のサスペンション用基板は、補助配線層を有する。補助配線層は、上記配線層と同じ材料から構成されるものであっても良く、異なる材料から構成されるものであっても良いが、前者が好ましい。配線層の形成と同時に、補助配線層を形成することができるからである。   The suspension substrate of the second embodiment has an auxiliary wiring layer. The auxiliary wiring layer may be made of the same material as the wiring layer or may be made of a different material, but the former is preferable. This is because the auxiliary wiring layer can be formed simultaneously with the formation of the wiring layer.

(2)サスペンション用基板の構成
次に、第二実施態様のサスペンション用基板の構成について説明する。第二実施態様のサスペンション用基板は、境界領域において、平面視上、配線層の端部から絶縁層の端部までの間に、補助配線層が形成されていることを大きな特徴とする。
(2) Configuration of Suspension Substrate Next, the configuration of the suspension substrate of the second embodiment will be described. The suspension substrate of the second embodiment is characterized in that an auxiliary wiring layer is formed in the boundary region between the end of the wiring layer and the end of the insulating layer in plan view.

図11(a)に示すように、補助配線層の幅をWとした場合、Wの値は、例えば10μm〜50μmの範囲内であることが好ましく、15μm〜30μmの範囲内であることがより好ましく、15μm〜20μmの範囲内であることがさらに好ましい。Wの値が小さすぎると、クラックの進展を十分に抑制できない可能性があり、Wの値が大きすぎると、デザイン上の制約が多くなるからである。 As shown in FIG. 11 (a) that, if the width of the auxiliary wiring layer was W 3, the value of W 3 being that for example in the range of 10μm~50μm preferably, in the range of 15μm~30μm Is more preferable, and it is further preferable to be within the range of 15 μm to 20 μm. This is because if the value of W 3 is too small, the progress of cracks may not be sufficiently suppressed, and if the value of W 3 is too large, design restrictions increase.

また、第二実施態様においては、図11(b)に示すように、絶縁層の端部の位置と、カバー層の端部の位置とが、一致していることが好ましい。クラックの発生自体を抑制できるからである。なお、「一致」の定義については、上記「1.第一実施態様」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。   In the second embodiment, as shown in FIG. 11B, it is preferable that the position of the end portion of the insulating layer and the position of the end portion of the cover layer coincide with each other. This is because the occurrence of cracks themselves can be suppressed. The definition of “match” is the same as the contents described in “1. First embodiment”, and therefore the description thereof is omitted here.

また、補助配線層が形成される位置は、配線層(最も外の配線層)の端部と、絶縁層の端部との間であれば特に限定されるものではない。中でも、第二実施態様においては、図11(b)に示すように、補助配線層7の表面が、カバー層4で覆われていることが好ましい。補助配線層7の劣化(腐食等)を防止できるからである。   The position where the auxiliary wiring layer is formed is not particularly limited as long as it is between the end of the wiring layer (outermost wiring layer) and the end of the insulating layer. Among them, in the second embodiment, it is preferable that the surface of the auxiliary wiring layer 7 is covered with the cover layer 4 as shown in FIG. This is because deterioration (corrosion or the like) of the auxiliary wiring layer 7 can be prevented.

また、図12(a)に示すように、補助配線層7の端部71の位置と、絶縁層2の端部21の位置とは、一致していても良い。これらの位置が一致していれば、クラックの発生自体を抑制できる。上記「一致」とは、絶縁層の上端部の位置と、補助配線層の下端部の位置とが一致することをいう。また、上記「一致」は、厳密な一致のみではなく、実質的な一致をも意味する。「実質的な一致」とは、補助配線層の下端部の位置と、絶縁層の上端部の位置との幅が、10μm以下(好ましくは5μm以下)であるこという。なお、補助配線層の下端部の位置は、絶縁層の上端部の位置の内側にあっても良く、外側にあっても良い。   12A, the position of the end 71 of the auxiliary wiring layer 7 and the position of the end 21 of the insulating layer 2 may coincide with each other. If these positions match, the occurrence of cracks can be suppressed. The “match” means that the position of the upper end portion of the insulating layer matches the position of the lower end portion of the auxiliary wiring layer. Further, the above “match” means not only exact match but also substantial match. “Substantially coincidence” means that the width between the position of the lower end portion of the auxiliary wiring layer and the position of the upper end portion of the insulating layer is 10 μm or less (preferably 5 μm or less). The position of the lower end portion of the auxiliary wiring layer may be inside the position of the upper end portion of the insulating layer, or may be outside.

また、ウェットエッチングにより絶縁層を形成し、境界領域において、絶縁層の端部の位置と、補助配線層の端部の位置とを一致させる場合、絶縁層の下端部断面の角度θを大きくすることができ、クラックの発生を抑制することができる。絶縁層と補助配線層とは、通常、密着性が高い。そのため、両層の間にエッチング液が染み込むことを防止でき、絶縁層断面の角度θを大きくすることができる。角度を大きくすることで、クラックの発生を抑制することができる。補助配線層の下に形成された絶縁層の下端部断面の角度θは、例えば、30°以上であることが好ましく、40°以上であることがより好ましく、50°以上であることがさらに好ましい。   Further, when the insulating layer is formed by wet etching and the position of the end portion of the insulating layer is matched with the position of the end portion of the auxiliary wiring layer in the boundary region, the angle θ of the lower end section of the insulating layer is increased. And the occurrence of cracks can be suppressed. The insulating layer and the auxiliary wiring layer usually have high adhesion. Therefore, the etchant can be prevented from permeating between the two layers, and the angle θ of the insulating layer cross section can be increased. By increasing the angle, the occurrence of cracks can be suppressed. The angle θ of the lower end section of the insulating layer formed under the auxiliary wiring layer is, for example, preferably 30 ° or more, more preferably 40 ° or more, and further preferably 50 ° or more. .

また、図12(a)に示すように、補助配線層7の端部71の位置と、絶縁層2の端部21の位置とが一致している場合、図12(b)に示すように、補助配線層7の表面に、配線めっき部6が形成されていることが好ましい。補助配線層の劣化(腐食等)を防止できるからである。なお、補助配線層の材料が、耐食性の高い材料であれば、特に配線めっき部を設ける必要はない。また、配線めっき部の形成方法としては、特に図示していないが、例えば、絶縁層を貫通し、補助配線層を金属支持基板に電気的に接続するビア部を形成し、金属支持基板およびビア部から補助配線層の給電を行い、電解めっき法で配線めっき部を形成する方法を挙げることができる。また、無電解めっき法によって配線めっき部を形成しても良い。   As shown in FIG. 12A, when the position of the end 71 of the auxiliary wiring layer 7 and the position of the end 21 of the insulating layer 2 coincide with each other, as shown in FIG. The wiring plating part 6 is preferably formed on the surface of the auxiliary wiring layer 7. This is because deterioration (corrosion etc.) of the auxiliary wiring layer can be prevented. In addition, if the material of the auxiliary wiring layer is a material having high corrosion resistance, it is not necessary to provide a wiring plating part. In addition, although not particularly illustrated as a method of forming the wiring plating portion, for example, a via portion that penetrates the insulating layer and electrically connects the auxiliary wiring layer to the metal supporting substrate is formed, and the metal supporting substrate and the via are formed. A method of feeding the auxiliary wiring layer from the portion and forming the wiring plated portion by an electrolytic plating method can be mentioned. Moreover, you may form a wiring plating part by the electroless-plating method.

また、第二実施態様のサスペンション用基板は、第一実施態様のサスペンション用基板の特徴を備えるものであっても良い。すなわち、境界領域において、平面視上、配線層の端部から絶縁層の端部までの間に、補助配線層が形成され、さらに、配線層の端部から絶縁層の端部までの幅、および、配線層の端部からカバー層の端部までの幅の少なくとも一方が局所的に大きくても良い。この一例としては、図13に示すように、平面視上、配線層3の端部31から絶縁層2の端部21までの間に、補助配線層7が形成され、さらに、配線層3の端部31から絶縁層2の端部21までの幅が局所的に大きいサスペンション用基板を挙げることができる。   Further, the suspension substrate of the second embodiment may have the characteristics of the suspension substrate of the first embodiment. That is, in the boundary region, the auxiliary wiring layer is formed between the end of the wiring layer and the end of the insulating layer in plan view, and further, the width from the end of the wiring layer to the end of the insulating layer, In addition, at least one of the widths from the end of the wiring layer to the end of the cover layer may be locally large. As an example of this, as shown in FIG. 13, the auxiliary wiring layer 7 is formed between the end 31 of the wiring layer 3 and the end 21 of the insulating layer 2 in plan view. A suspension substrate in which the width from the end 31 to the end 21 of the insulating layer 2 is locally large can be mentioned.

B.サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、二つの実施態様に大別することができる。
B. Next, a method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention will be described. The method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention can be roughly divided into two embodiments.

1.第一実施態様
まず、本発明のサスペンション用基板の製造方法の第一実施態様について説明する。第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層を覆うように形成されたカバー層と、上記金属支持基板、上記絶縁層、上記配線層および上記カバー層を有する第一構造部と、上記第一構造部から連続的に形成され、上記金属支持基板が存在しない第二構造部とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記第一構造部および上記第二構造部の境界領域において、平面視上、上記配線層の端部から上記絶縁層の端部までの幅、および、上記配線層の端部から上記カバー層の端部までの幅の少なくとも一方が局所的に大きくなるように、上記絶縁層および上記カバー層の少なくとも一方を形成する工程を有することを特徴とするものである。
1. First Embodiment First, a first embodiment of the method for manufacturing a suspension substrate of the present invention will be described. The manufacturing method of the suspension substrate according to the first embodiment includes a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, and the wiring layer. The formed cover layer, the metal support substrate, the insulating layer, the first structure portion having the wiring layer and the cover layer, and the first structure portion are continuously formed, and the metal support substrate does not exist. A method of manufacturing a suspension substrate having a second structure portion, wherein the end portion of the insulating layer is extended from the end portion of the wiring layer in plan view in the boundary region between the first structure portion and the second structure portion. Forming at least one of the insulating layer and the cover layer so that at least one of the width from the end of the wiring layer to the end of the cover layer is locally increased. That It is an butterfly.

図14は、第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図14は図5(a)と同様に、図4(a)のX−X断面図に相当するものである。図14においては、まず、金属支持部材1Xと、金属支持部材1上に形成された絶縁部材2Xと、絶縁部材2X上に形成された導体部材3Xとを有する積層部材を準備する(図14(a))。次に、導体部材3Xの表面に、ドライフィルムレジスト(DFR)を用いて、所定のレジストパターン(パターン状のレジスト層)を形成し、そのレジストパターンから露出する導体部材3Xをウェットエッチングすることにより、配線層3を形成する(図14(b))。この際、金属支持部材1Xの表面に、同様のレジストパターンを形成し、上記のウェットエッチングと同時に、治具孔等を形成しても良い。   FIG. 14 is a schematic cross-sectional view showing an example of a manufacturing method of the suspension substrate of the first embodiment. FIG. 14 corresponds to the XX cross-sectional view of FIG. 4A, similarly to FIG. In FIG. 14, first, a laminated member having a metal supporting member 1X, an insulating member 2X formed on the metal supporting member 1, and a conductor member 3X formed on the insulating member 2X is prepared (FIG. 14 ( a)). Next, a predetermined resist pattern (patterned resist layer) is formed on the surface of the conductor member 3X using a dry film resist (DFR), and the conductor member 3X exposed from the resist pattern is wet etched. Then, the wiring layer 3 is formed (FIG. 14B). At this time, a similar resist pattern may be formed on the surface of the metal support member 1X, and jig holes and the like may be formed simultaneously with the wet etching.

その後、配線層3を覆うようにカバー層4を形成する(図14(c))。次に、DFRを用いてカバー層4を覆うように、レジストパターン5を形成する(図14(d))。次に、レジストパターン5から露出する絶縁部材2Xをウェットエッチングすることにより、絶縁層2を形成する(図14(e))。第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、このウェットエッチングの際に、配線層3の端部31から絶縁層2の端部21までの幅が局所的に大きくなるように、絶縁層2を形成することを一つの特徴とする。なお、図14(e)では、ウェットエッチングにより、金属支持部材1Xの外形加工を行い、金属支持基板1を形成している。   Thereafter, the cover layer 4 is formed so as to cover the wiring layer 3 (FIG. 14C). Next, a resist pattern 5 is formed so as to cover the cover layer 4 using DFR (FIG. 14D). Next, the insulating member 2X exposed from the resist pattern 5 is wet-etched to form the insulating layer 2 (FIG. 14E). In the method for manufacturing the suspension substrate according to the first embodiment, the insulating layer 2 is so formed that the width from the end 31 of the wiring layer 3 to the end 21 of the insulating layer 2 is locally increased during the wet etching. It is one of the characteristics to form. In FIG. 14 (e), the metal support member 1 </ b> X is processed by wet etching to form the metal support substrate 1.

また、図15は、第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。図15は図5(b)と同様に、図4(b)のX−X断面図に相当するものである。図15における製造方法は、基本的には、図14における製造方法と同様であるが、図15(c)において、DFR等を用いてレジストパターンを形成せず、カバー層4をレジスト層として用いて、絶縁部材2Xのウェットエッチングを行う。これにより、絶縁層2の端部21の位置と、カバー層4の端部41の位置とが一致したサスペンション用基板を容易に得ることができる。   FIG. 15 is a schematic sectional view showing another example of the method for manufacturing the suspension substrate of the first embodiment. FIG. 15 corresponds to the XX cross-sectional view of FIG. 4B, similarly to FIG. 5B. The manufacturing method in FIG. 15 is basically the same as the manufacturing method in FIG. 14, but in FIG. 15C, a resist pattern is not formed using DFR or the like, and the cover layer 4 is used as a resist layer. Then, the insulating member 2X is wet etched. Thereby, it is possible to easily obtain a suspension substrate in which the position of the end portion 21 of the insulating layer 2 and the position of the end portion 41 of the cover layer 4 coincide.

なお、図5(c)に示すサスペンション用基板の製造方法の一例としては、例えばアディティブ法を挙げることができる。アディティブ法では、まず、金属支持基板1の表面に、パターン状の絶縁層2を形成する。その後、絶縁層2上にレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁層上に、めっき法により配線層3を形成し、その後、配線層3の端部31からカバー層4の端部41までの幅が局所的に大きくなるように、カバー層4を形成すれば良い。   An example of the method for manufacturing the suspension substrate shown in FIG. 5C is an additive method. In the additive method, first, a patterned insulating layer 2 is formed on the surface of the metal support substrate 1. Thereafter, a resist pattern is formed on the insulating layer 2, the wiring layer 3 is formed on the insulating layer exposed from the resist pattern by plating, and then the end 31 of the wiring layer 3 to the end of the cover layer 4 The cover layer 4 may be formed so that the width up to 41 is locally increased.

このように、第一実施態様によれば、境界領域において、平面視上、配線層の端部から絶縁層の端部までの幅、および、配線層の端部からカバー層の端部までの幅の少なくとも一方が局所的に大きくなるように絶縁層およびカバー層の少なくとも一方を形成することにより、絶縁層に生じたクラックの影響を小さくしたサスペンション用基板を得ることができる。   Thus, according to the first embodiment, in the boundary region, in the plan view, the width from the end of the wiring layer to the end of the insulating layer, and the end of the wiring layer to the end of the cover layer By forming at least one of the insulating layer and the cover layer so that at least one of the widths is locally increased, a suspension substrate can be obtained in which the influence of cracks generated in the insulating layer is reduced.

また、第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、上記所定の形状に、絶縁層およびカバー層の少なくとも一方を形成する工程を有するものであれば特に限定されるものではない。第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法の例示として、上述した図14および図15に示した各工程について説明する。   Moreover, the manufacturing method of the suspension substrate of the first embodiment is not particularly limited as long as it has a step of forming at least one of an insulating layer and a cover layer in the predetermined shape. As an example of the method for manufacturing the suspension substrate of the first embodiment, the steps shown in FIGS. 14 and 15 described above will be described.

(1)積層部材準備工程
第一実施態様における積層部材準備工程は、金属支持部材と、上記金属支持部材上に形成された絶縁部材と、上記絶縁部材上に形成された導体部材とを有する積層部材を準備する工程である。第一実施態様における積層部材は、市販の積層部材を用いても良く、金属支持部材上に、絶縁部材および導体部材を形成することによって形成しても良い。
(1) Laminate member preparation process The laminate member preparation process in the first embodiment includes a metal support member, an insulating member formed on the metal support member, and a conductor member formed on the insulating member. It is a step of preparing a member. The laminated member in the first embodiment may be a commercially available laminated member, or may be formed by forming an insulating member and a conductor member on a metal support member.

(2)配線層形成工程
第一実施態様における配線層形成工程は、上記積層部材の上記導体部材上に、レジストパターンを形成し、上記レジストパターンから露出する上記導体部材をウェットエッチングし、配線層を形成する工程である。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば導体部材の材料が銅である場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。また、その他の層が、上記エッチング液によりエッチングされる場合は、必要に応じてエッチング液から保護するレジストを形成することが好ましい。
(2) Wiring layer forming step In the wiring layer forming step in the first embodiment, a resist pattern is formed on the conductor member of the laminated member, and the conductor member exposed from the resist pattern is wet-etched to form a wiring layer. Is a step of forming. The type of etchant used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the type of conductor member. For example, when the material of the conductor member is copper, an iron chloride-based etchant or the like can be used. In addition, when other layers are etched with the above-described etching solution, it is preferable to form a resist that protects from the etching solution as necessary.

(3)カバー層形成工程
第一実施態様におけるカバー層形成工程は、上記配線層を覆うカバー層を形成する工程である。カバー層の形成方法は、特に限定されるものではなく、カバー層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、カバー層の材料が感光性材料である場合には、全面形成したカバー層に露光現像を行うことによりパターン状のカバー層を得ることができる。また、カバー層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成したカバー層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状のカバー層を得ることができる。
(3) Cover layer forming step The cover layer forming step in the first embodiment is a step of forming a cover layer covering the wiring layer. The method for forming the cover layer is not particularly limited, and is preferably selected as appropriate according to the material of the cover layer. For example, when the material of the cover layer is a photosensitive material, a patterned cover layer can be obtained by exposing and developing the cover layer formed on the entire surface. In addition, when the cover layer material is a non-photosensitive material, a predetermined resist pattern is formed on the entire surface of the cover layer, and a portion exposed from the resist pattern is removed by wet etching. The cover layer can be obtained.

(4)絶縁層形成工程
第一実施態様における絶縁層形成工程は、上記絶縁部材をウェットエッチングして、絶縁層を形成する工程である。
(4) Insulating layer forming step The insulating layer forming step in the first embodiment is a step of wet-etching the insulating member to form an insulating layer.

ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、絶縁層の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば絶縁層の材料がポリイミド樹脂である場合は、アルカリ系エッチング液等を用いることができる。   The type of etching solution used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the type of insulating layer. For example, when the material of the insulating layer is a polyimide resin, an alkaline etching solution or the like can be used.

第一実施態様においては、絶縁層形成工程において、カバー層をレジスト層として用いることが好ましい。別途にレジスト層を設ける必要がないからである。さらに、絶縁層とカバー層とは、製品としての耐久性を担保する観点から、通常、密着性が高い。そのため、両層の間にエッチング液が染み込むことを防止でき、絶縁層の下端部断面の角度θを大きくすることができる。カバー層をレジスト層として用いる場合、カバー層の材料が、配線層の材料よりも、エッチング液に対するエッチングレートが低い材料であることが好ましい。レジスト層として有用だからである。なお、カバー層の材料のエッチングレートが、配線層の材料のエッチングレートと同じ場合、または、配線層の材料のエッチングレートよりも高い場合であっても、例えば、カバー層の厚さを十分に確保すれば、カバー層をレジスト層として用いることは可能である。   In the first embodiment, it is preferable to use the cover layer as a resist layer in the insulating layer forming step. This is because it is not necessary to provide a resist layer separately. Furthermore, the insulating layer and the cover layer usually have high adhesion from the viewpoint of ensuring durability as a product. Therefore, the etchant can be prevented from permeating between the two layers, and the angle θ of the lower end section of the insulating layer can be increased. When the cover layer is used as a resist layer, the cover layer material is preferably a material having a lower etching rate with respect to the etchant than the wiring layer material. This is because it is useful as a resist layer. Even if the etching rate of the material of the cover layer is the same as the etching rate of the material of the wiring layer or higher than the etching rate of the material of the wiring layer, for example, the thickness of the cover layer is sufficiently If secured, the cover layer can be used as a resist layer.

また、第一実施態様においては、カバー層をレジスト層として用いなくても良い。この場合は、カバー層を覆うように別途レジスト層を設ける必要があるが、カバー層の材料のエッチングレート等を考慮しなくて良いため、材料選択の幅が広くなるという利点がある。また、絶縁層の形成時に、溶剤型フォトレジストまたはアルカリ現像剥離型フォトレジストをレジスト層として使用すると、特にポリイミド樹脂のエッチング液として一般的に用いられるアルカリ系エッチング液が、レジスト層を溶解させ、絶縁層とレジスト層との密着性が低下する場合がある。そのため、絶縁層とレジスト層との間にエッチング液が浸透し、浸透した部分の絶縁層がエッチングされることにより、絶縁層のテーパー形状が顕著になる。   In the first embodiment, the cover layer may not be used as the resist layer. In this case, it is necessary to provide a separate resist layer so as to cover the cover layer, but there is an advantage that the range of material selection is widened because it is not necessary to consider the etching rate of the material of the cover layer. In addition, when a solvent-type photoresist or an alkali development-peelable photoresist is used as a resist layer during the formation of the insulating layer, an alkaline etching solution generally used as an etching solution for a polyimide resin in particular dissolves the resist layer, The adhesion between the insulating layer and the resist layer may be reduced. Therefore, the etchant penetrates between the insulating layer and the resist layer, and the insulating layer in the penetrated portion is etched, so that the tapered shape of the insulating layer becomes remarkable.

特に、第一実施態様においては、上記境界領域において、絶縁層の端部の位置と、カバー層の端部の位置とが一致するように、絶縁層およびカバー層を形成することが好ましい。クラックの発生自体を抑制できるからである。   In particular, in the first embodiment, it is preferable to form the insulating layer and the cover layer so that the position of the end portion of the insulating layer matches the position of the end portion of the cover layer in the boundary region. This is because the occurrence of cracks themselves can be suppressed.

(5)金属支持基板形成工程
第一実施態様における金属支持基板形成工程は、上記金属支持部材をウェットエッチングし、金属支持基板を形成する工程である。通常、本工程において、金属支持部材の外形加工を行う。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、金属支持部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば金属支持部材の材料がSUSである場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。また、その他の層が、上記エッチング液によりエッチングされる場合は、必要に応じてエッチング液から保護するレジストを形成することが好ましい。
(5) Metal support board | substrate formation process The metal support board | substrate formation process in a 1st embodiment is a process of wet-etching the said metal support member, and forming a metal support board | substrate. Usually, in this step, the outer shape of the metal support member is processed. The type of etchant used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the type of metal support member. For example, when the material of the metal support member is SUS, an iron chloride-based etchant or the like can be used. . In addition, when other layers are etched with the above-described etching solution, it is preferable to form a resist that protects from the etching solution as necessary.

(6)その他の工程
第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、上述した工程の他に、配線層の一部に配線めっき部を形成する配線めっき部形成工程を有していても良い。配線めっき部の形成方法は、電解めっき法であっても良く、無電解めっき法であっても良いが、電解めっき法であることが好ましい。また、第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、絶縁層を貫通し、配線層および金属支持基板を電気的に接続するビア部を形成するビア部形成工程を有していても良い。ビア部の形成方法としては、例えばめっき法(電解めっき法、無電解めっき法)を挙げることができる。特に、補助配線層に配線めっき部を形成する場合には、補助配線層を金属支持基板に電気的に接続するビアを形成する工程が必要になる。
(6) Other process The manufacturing method of the suspension substrate according to the first embodiment may include a wiring plating part forming step of forming a wiring plating part on a part of the wiring layer in addition to the above-described processes. . The method for forming the wiring plating portion may be an electrolytic plating method or an electroless plating method, but is preferably an electrolytic plating method. Moreover, the manufacturing method of the suspension substrate according to the first embodiment may include a via portion forming step of forming a via portion that penetrates the insulating layer and electrically connects the wiring layer and the metal support substrate. Examples of the method for forming the via portion include a plating method (electrolytic plating method, electroless plating method). In particular, when the wiring plating portion is formed in the auxiliary wiring layer, a step of forming a via for electrically connecting the auxiliary wiring layer to the metal supporting substrate is required.

2.第二実施態様
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法の第二実施態様について説明する。第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層を覆うように形成されたカバー層と、上記金属支持基板、上記絶縁層、上記配線層および上記カバー層を有する第一構造部と、上記第一構造部から連続的に形成され、上記金属支持基板が存在しない第二構造部とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記第一構造部および上記第二構造部の境界領域において、平面視上、上記配線層の端部から上記絶縁層の端部までの間に、補助配線層を形成する配線層形成工程を有することを特徴とするものである。
2. Second Embodiment Next, a second embodiment of the method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention will be described. The suspension substrate manufacturing method according to the second embodiment includes a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, and the wiring layer so as to cover the wiring layer. The formed cover layer, the metal support substrate, the insulating layer, the first structure portion having the wiring layer and the cover layer, and the first structure portion are continuously formed, and the metal support substrate does not exist. A method of manufacturing a suspension substrate having a second structure portion, wherein the end portion of the insulating layer is extended from the end portion of the wiring layer in plan view in the boundary region between the first structure portion and the second structure portion. In the meantime, a wiring layer forming step of forming an auxiliary wiring layer is provided.

図16は、第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図16は図11(b)と同様に、図11(a)のX−X断面図に相当するものである。図16における製造方法は、基本的には、図14における製造方法と同様であるが、図16(b)において、配線層3の形成と同時に、補助配線層7を形成する。なお、図16(c)では、カバー層4をレジスト層として用いているが、DFR等を用いて別途のレジストパターンを形成しても良い。また、図12(a)に示すようなサスペンション用基板を得る場合は、補助配線層7をレジスト層として用いても良い。   FIG. 16 is a schematic cross-sectional view showing an example of a manufacturing method of the suspension substrate of the second embodiment. FIG. 16 corresponds to the XX cross-sectional view of FIG. 11A, similarly to FIG. The manufacturing method in FIG. 16 is basically the same as the manufacturing method in FIG. 14, but in FIG. 16B, the auxiliary wiring layer 7 is formed simultaneously with the formation of the wiring layer 3. In FIG. 16C, the cover layer 4 is used as a resist layer, but a separate resist pattern may be formed using DFR or the like. Further, when obtaining a suspension substrate as shown in FIG. 12A, the auxiliary wiring layer 7 may be used as a resist layer.

このように、第二実施態様によれば、境界領域において、配線層の端部から絶縁層の端部までの間に、補助配線層を形成することにより、絶縁層に生じたクラックの影響を小さくしたサスペンション用基板を得ることができる。   Thus, according to the second embodiment, in the boundary region, by forming the auxiliary wiring layer between the end of the wiring layer and the end of the insulating layer, the influence of cracks generated in the insulating layer is reduced. A reduced suspension substrate can be obtained.

また、第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、補助配線層を形成する配線層形成工程を有するものであれば特に限定されるものではない。補助配線層とその他の配線層との形成は、同時に行っても良く、互いに別工程として行っても良いが、前者が好ましい。製造工程の簡略化を図ることができるからである。また、第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法の各工程については、上記「B.サスペンション用基板の製造方法 1.第一実施態様」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。   Moreover, the manufacturing method of the board | substrate for suspensions of a 2nd embodiment will not be specifically limited if it has a wiring layer formation process which forms an auxiliary wiring layer. The auxiliary wiring layer and the other wiring layers may be formed at the same time or as separate steps, but the former is preferable. This is because the manufacturing process can be simplified. Further, each step of the method for manufacturing the suspension substrate according to the second embodiment is the same as that described in “B. Method for manufacturing the suspension substrate 1. First embodiment”. Is omitted.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the technical idea described in the claims of the present invention has substantially the same configuration and exhibits the same function and effect regardless of the case. It is included in the technical scope of the invention.

以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.

[実施例1]
まず、厚さ18μmのSUS304(金属支持部材)、厚さ10μmのポリイミド樹脂層(絶縁部材)、厚さ9μmの電解銅層(導体部材)を有する積層部材を準備した(図14(a))。次に、SUS側で位置精度が重要な治具孔と、電解銅側で配線層とを形成できるように、ドライフィルムレジストを用いて同時にパターニングし、レジストパターンを形成した。その後、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った(図14(b))。
[Example 1]
First, a laminated member having SUS304 (metal support member) having a thickness of 18 μm, a polyimide resin layer (insulating member) having a thickness of 10 μm, and an electrolytic copper layer (conductor member) having a thickness of 9 μm was prepared (FIG. 14A). . Next, a resist pattern was formed by simultaneously patterning using a dry film resist so that a jig hole whose positional accuracy is important on the SUS side and a wiring layer on the electrolytic copper side can be formed. Then, it etched using the ferric chloride liquid, and resist stripping was performed after the etching (FIG.14 (b)).

次に、パターニングされた配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、乾燥後、レジスト製版し現像と同時にポリイミド前駆体膜をエッチングし、その後、窒素雰囲気下、加熱することにより硬化(イミド化)させ、カバー層を形成した(図14(c))。カバー層は配線層を覆うように形成され、配線層上に形成されたカバー層の厚さは5μmであった。   Next, a polyimide precursor solution is coated on the patterned wiring layer with a die coater, dried, resist plate-making, etched at the same time as the polyimide precursor film, and then cured by heating in a nitrogen atmosphere. (Imidization) to form a cover layer (FIG. 14C). The cover layer was formed so as to cover the wiring layer, and the thickness of the cover layer formed on the wiring layer was 5 μm.

次に、絶縁部材をパターニングするために、レジスト製版し、露出する部位のポリイミド樹脂をウェットエッチングで除去した(図14(d))。最後に、金属支持部材の外形加工を行うために、レジスト製版し、露出する部位のSUSをウェットエッチングで除去し、サスペンション用基板を得た(図14(e))。絶縁層2のベースラインから絶縁層2の端部21までの幅W(図6(a)参照)は、80μmであった。 Next, in order to pattern the insulating member, resist plate-making was performed, and the exposed polyimide resin was removed by wet etching (FIG. 14D). Finally, in order to perform the external shape processing of the metal support member, resist plate-making was performed, and SUS in the exposed portion was removed by wet etching, thereby obtaining a suspension substrate (FIG. 14E). The width W 1 (see FIG. 6A) from the base line of the insulating layer 2 to the end 21 of the insulating layer 2 was 80 μm.

[実施例2]
カバー層の材料として、絶縁部材のポリイミド樹脂よりもエッチングレートの低いポリイミド樹脂を用い、カバー層をレジストとして用いたこと以外は、実施例1と同様にしてサスペンション用基板を得た(図15参照)。
[Example 2]
A suspension substrate was obtained in the same manner as in Example 1 except that a polyimide resin having an etching rate lower than that of the polyimide resin of the insulating member was used as the material of the cover layer, and the cover layer was used as a resist (see FIG. 15). ).

[実施例3]
まず、厚さ18μmのSUS304(金属支持部材)、厚さ10μmのポリイミド樹脂層(絶縁部材)、厚さ9μmの電解銅層(導体部材)を有する積層部材を準備した(図16(a))。次に、SUS側で位置精度が重要な治具孔と、電解銅側で配線層および補助配線層とを形成できるように、ドライフィルムレジストを用いて同時にパターニングし、レジストパターンを形成した。その後、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った(図16(b))。補助配線層7の幅W(図11(a)参照)は、20μmとした。
[Example 3]
First, a laminated member having SUS304 (metal support member) having a thickness of 18 μm, a polyimide resin layer (insulating member) having a thickness of 10 μm, and an electrolytic copper layer (conductor member) having a thickness of 9 μm was prepared (FIG. 16A). . Next, a resist pattern was formed by simultaneously patterning using a dry film resist so that a jig hole whose positional accuracy is important on the SUS side and a wiring layer and an auxiliary wiring layer on the electrolytic copper side can be formed. Then, it etched using the ferric chloride liquid, and resist stripping was performed after the etching (FIG.16 (b)). The width W 3 (see FIG. 11A) of the auxiliary wiring layer 7 was 20 μm.

次に、パターニングされた配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、乾燥後、レジスト製版し現像と同時にポリイミド前駆体膜をエッチングし、その後、窒素雰囲気下、加熱することにより硬化(イミド化)させ、カバー層を形成した(図16(c))。カバー層は配線層を覆うように形成され、配線層上に形成されたカバー層の厚さは10μmであった。なお、カバー層の材料として、絶縁部材のポリイミド樹脂よりもエッチングレートの低いポリイミド樹脂を用いた。   Next, a polyimide precursor solution is coated on the patterned wiring layer with a die coater, dried, resist plate-making, etched at the same time as the polyimide precursor film, and then cured by heating in a nitrogen atmosphere. (Imidization) to form a cover layer (FIG. 16C). The cover layer was formed so as to cover the wiring layer, and the thickness of the cover layer formed on the wiring layer was 10 μm. Note that a polyimide resin having an etching rate lower than that of the polyimide resin of the insulating member was used as a material for the cover layer.

次に、カバー層をレジスト層として、露出する部位のポリイミド樹脂をウェットエッチングで除去し、最後に、金属支持部材の外形加工を行うために、レジスト製版し、露出する部位のSUSをウェットエッチングで除去し、サスペンション用基板を得た(図16(d))。   Next, using the cover layer as a resist layer, the exposed portion of the polyimide resin is removed by wet etching. Finally, in order to perform the outer shape processing of the metal support member, resist plate-making is performed, and the exposed portion of SUS is performed by wet etching. This was removed to obtain a suspension substrate (FIG. 16D).

1…金属支持基板、 2…絶縁層、 2a…絶縁層の上端部、 3…配線層、 4…カバー層、 4a…カバー層の下端部、 5…レジスト層(レジストパターン)、 6…配線めっき部、7…補助配線層、 11…タング部、 12…アウトリガー部、 13…クロスバー、 14…トレースサポートタブ、 15…ベース部、 16…振動中心、 51…クラック   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Metal support substrate, 2 ... Insulating layer, 2a ... Upper end part of insulating layer, 3 ... Wiring layer, 4 ... Cover layer, 4a ... Lower end part of cover layer, 5 ... Resist layer (resist pattern), 6 ... Wiring plating Part: 7 ... auxiliary wiring layer, 11 ... tongue part, 12 ... outrigger part, 13 ... crossbar, 14 ... trace support tab, 15 ... base part, 16 ... vibration center, 51 ... crack

Claims (5)

金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、
前記金属支持基板、前記絶縁層、前記配線層および前記カバー層を有する第一構造部と、前記第一構造部から連続的に形成され、前記金属支持基板が存在しない第二構造部とを有し、
前記第一構造部および前記第二構造部の境界領域において、平面視上、前記配線層の端部から前記絶縁層の端部までの幅、および、前記配線層の端部から前記カバー層の端部までの幅の少なくとも一方が局所的に大きく、
前記金属支持基板が、素子を実装するタング部と、前記タング部の外側に位置するアウトリガー部とを有し、
前記配線層は、平面視上、前記タング部および前記アウトリガー部の間に形成され、
前記金属支持基板が、前記タング部および前記アウトリガー部を連結するクロスバーを有し、
前記第一構造部の前記金属支持基板が、前記クロスバーであり、
前記境界領域が、平面視上、前記クロスバーと前記絶縁層とが交差する4ヶ所全ての領域であり、
前記クロスバーの位置が、前記素子の振動中心におけるサスペンション用基板の短手方向と重複し、
前記境界領域を跨ぐように前記カバー層が形成されていることを特徴とするサスペンション用基板。
A suspension substrate having a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, and a cover layer formed to cover the wiring layer. And
A first structure portion having the metal support substrate, the insulating layer, the wiring layer, and the cover layer; and a second structure portion formed continuously from the first structure portion and having no metal support substrate. And
In the boundary region between the first structure portion and the second structure portion, in plan view, the width from the end of the wiring layer to the end of the insulating layer, and the end of the cover layer from the end of the wiring layer At least one of the widths to the end is locally large,
The metal support substrate has a tongue portion for mounting an element, and an outrigger portion located outside the tongue portion;
The wiring layer is formed between the tongue portion and the outrigger portion in plan view,
The metal support board has a cross bar that connects the tongue part and the outrigger part,
The metal support substrate of the first structure portion is the crossbar;
The boundary regions are all four regions where the crossbar and the insulating layer intersect in plan view,
The position of the crossbar overlaps the short direction of the suspension substrate at the vibration center of the element,
The suspension substrate, wherein the cover layer is formed so as to straddle the boundary region.
前記境界領域において、前記絶縁層の端部の位置と、前記カバー層の端部の位置とが、一致していることを特徴とする請求項1に記載のサスペンション用基板。   2. The suspension substrate according to claim 1, wherein, in the boundary region, the position of the end portion of the insulating layer and the position of the end portion of the cover layer coincide with each other. 前記絶縁層および前記カバー層の少なくとも一方に、平面視上、前記境界領域を含むように、曲線構造部が形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のサスペンション用基板。   The suspension substrate according to claim 1, wherein a curved structure portion is formed in at least one of the insulating layer and the cover layer so as to include the boundary region in a plan view. . 金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記配線層を覆うように形成されたカバー層と、前記金属支持基板、前記絶縁層、前記配線層および前記カバー層を有する第一構造部と、前記第一構造部から連続的に形成され、前記金属支持基板が存在しない第二構造部とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、
前記第一構造部および前記第二構造部の境界領域において、平面視上、前記配線層の端部から前記絶縁層の端部までの幅、および、前記配線層の端部から前記カバー層の端部までの幅の少なくとも一方が局所的に大きくなるように、前記絶縁層および前記カバー層の少なくとも一方を形成する工程を有し、
前記金属支持基板が、素子を実装するタング部と、前記タング部の外側に位置するアウトリガー部とを有し、
前記配線層は、平面視上、前記タング部および前記アウトリガー部の間に形成され、
前記金属支持基板が、前記タング部および前記アウトリガー部を連結するクロスバーを有し、
前記第一構造部の前記金属支持基板が、前記クロスバーであり、
前記境界領域が、平面視上、前記クロスバーと前記絶縁層とが交差する4ヶ所全ての領域であり、
前記クロスバーの位置が、前記素子の振動中心におけるサスペンション用基板の短手方向と重複し、
前記境界領域を跨ぐように前記カバー層が形成されていることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
A metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, a cover layer formed to cover the wiring layer, the metal support substrate, A suspension substrate manufacturing method comprising: a first structure portion having an insulating layer, the wiring layer, and the cover layer; and a second structure portion formed continuously from the first structure portion and having no metal support substrate. Because
In the boundary region between the first structure portion and the second structure portion, in plan view, the width from the end of the wiring layer to the end of the insulating layer, and the end of the cover layer from the end of the wiring layer Forming at least one of the insulating layer and the cover layer so that at least one of the widths to the end portion is locally increased,
The metal support substrate has a tongue portion for mounting an element, and an outrigger portion located outside the tongue portion;
The wiring layer is formed between the tongue portion and the outrigger portion in plan view,
The metal support board has a cross bar that connects the tongue part and the outrigger part,
The metal support substrate of the first structure portion is the crossbar;
The boundary regions are all four regions where the crossbar and the insulating layer intersect in plan view,
The position of the crossbar overlaps the short direction of the suspension substrate at the vibration center of the element,
The method for manufacturing a suspension substrate, wherein the cover layer is formed so as to straddle the boundary region.
前記境界領域において、前記絶縁層の端部の位置と、前記カバー層の端部の位置とが一致するように、前記絶縁層および前記カバー層を形成することを特徴とする請求項4に記載のサスペンション用基板の製造方法。   The said insulating layer and the said cover layer are formed so that the position of the edge part of the said insulating layer and the position of the edge part of the said cover layer may correspond in the said boundary region. Of manufacturing a suspension substrate.
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