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JP5194329B2 - Electro-optical device drive circuit, electro-optical device, and electronic apparatus - Google Patents

Electro-optical device drive circuit, electro-optical device, and electronic apparatus Download PDF

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JP5194329B2
JP5194329B2 JP2001233540A JP2001233540A JP5194329B2 JP 5194329 B2 JP5194329 B2 JP 5194329B2 JP 2001233540 A JP2001233540 A JP 2001233540A JP 2001233540 A JP2001233540 A JP 2001233540A JP 5194329 B2 JP5194329 B2 JP 5194329B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種情報の表示に用いて好適な電気光学装置の駆動方法、電気光学装置の駆動回路、電気光学装置および電子機器に関する。
【0002】
【背景技術】
電気光学装置、例えば、電気光学材料として液晶を用いた液晶表示装置は、陰極線管(CRT)に代わるディスプレイデバイスとして、各種情報処理機器の表示部や液晶テレビなどに広く用いられている。ここで、従来の電気光学装置は、例えば、次のように構成されている。すなわち、従来の電気光学装置は、マトリクス状に配列した画素電極と、この画素電極に接続されたTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)のようなスイッチング素子などが設けられた素子基板と、画素電極に対向する対向電極が形成された対向基板と、これら両基板との問に充填された電気光学材料たる液晶とから構成される。
【0003】
そして、このような構成において、走査線を介してスイッチング素子に走査信号を印加すると、当該スイッチング素子が導通状態となる。この導通状態の際に、データ線を介して画素電極に、階調に応じた電圧の画像信号を印加すると、当該画素電極および対向電極の間の液晶層に画像信号の電圧に応じた電荷が蓄積される。電荷蓄積後、当該スイッチング素子をオフ状態としても、当該液晶層における電荷の蓄積は、画素電極および対向電極の容量性や蓄積容量などによって維持される。このように、各スイッチング素子を駆動させ、蓄積させる電荷量を階調に応じて制御すると、画素毎に光が変調され表示される濃度が変化することになる。このため、階調を表示することが可能となるのである。
【0004】
この際、各画素の電極に電荷を蓄積させるのは1画面を表示するための期間に対して、その一部の期間で良いため、第1に、走査線駆動回路によって、各走査線を順次選択するとともに、その走査線の選択期間において、第2に、データ線駆動回路によってデータ線を順次選択し、第3に、選択されたデータ線に、階調に応じた電圧の画像信号をサンプリングする構成により、走査線およびデータ線を複数の画素について共通化した時分割マルチプレックス駆動が可能となる。
【0005】
しかしながら、データ線に印加される画像信号は、階調に対応する電圧、すなわちアナログ信号である。このため、電気光学装置の周辺回路には、D/A変換回路やオペアンプなどが必要となるので、装置全体のコスト高を招致してしまう。くわえて、これらのD/A変換回路、オペアンプなどの特性や、各種の配線抵抗などの不均一性に起因して、表示ムラが発生するので、高品質な表示が極めて困難である、という問題があり、特に、高精細な表示を行う場合に顕著となる。さらに、液晶等の電気光学物質において、印加電圧と透過率との関係は、電気光学物質の種類に応じて相違する。このため、電気光学装置を駆動する駆動回路としては、各種の電気光学装置に対応できる汎用のものが望まれる。
【0006】
上述した事情により、本出願人は、1フレームを複数のサブフィールドに分割し、サブフィールド毎に各画素をオン/オフする技術を開発している。この技術によれば、各サブフィールド内で画素がオン/オフされる際の印加電圧は階調に拘らず一定であり、1フレーム内で画素がオン状態になるデューティ比(または電圧実効値)によって画素の階調が決定される。
【0007】
ここで、デューティ比を0〜100%の間で変化させながら電気光学装置の階調特性を観察すると、デューティ比0%付近において、デューティ比が変化しているにもかかわらず階調が変化しない領域が存在する。ここで、階調特性が立ち上がるポイントにおける電圧実効値を閾値電圧Vthと呼ぶ。閾値電圧Vthの値は液晶の組成に応じて異なるが、階調データの値に拘らずこの閾値電圧Vthを与えるために、常にオン状態に設定されるサブフィールドを設ける必要がある。
【0008】
ここで、必要とされる画像の階調数を2Nとした時、1フレーム内に2N+1個のサブフィールドを設ける方式と、N+1個のサブフィールドを設ける方式とが考えられる。前者の方式においては、各サブフィールド期間はほぼ等しい長さを有するが、電気光学装置の非線形特性を補償するために、必要に応じてサブフィールド期間は若干づつ増減される。これにより、前者の方式は電気光学装置の非線形特性を精密に補償できる点で有利である。
【0009】
一方、後者の方式においては、N+1個のサブフィールド期間のうちN個は、階調データの各ビットに対応付けられる。ここで20桁に対応付けられるサブフィールド期間は最短になり、他のサブフィールドは、対応するビットの桁数Mに応じて、最短サブフィールド長のほぼ2M倍の長さを有する。後者の方式は前者の方式と比較して、1フレーム内における画素のオン/オフ回数を少なくすることができ、消費電力を低く抑えられる点で有利である。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、後者の方式において階調データの1画素を構成するNビットのデータは一旦メモリに書き込まれ、対応するサブフィールドのオン/オフ制御に用いられる。このメモリは、上位装置による書込みと、電気光学装置の駆動回路による読出しとが非同期に、かつ独立して実行可能になっている。このため、動画像において、本来存在しない筈の疑似輪郭線が表示されてしまう問題が生じた。
【0011】
その一例を図11(a)〜(c)を参照し説明する。これらの図は、電気光学装置に表示される画像の例であり、階調データは「0」〜「15」の16階調であり、階調値「0」で最も暗くなるノーマリーブラックモードの電気光学装置を用いた例を想定している。まず、同図(a)は、あるフレーム(第nフレーム)において階調値「8」(2進数表記で“1000”)の背景画像501の内側に、階調値「7」(2進数表記で“0111”)の長方形画像502が表示されている状態を示している。
【0012】
この長方形画像502が徐々に下方向に向かって移動する画像であるとすると、次のフレーム(第n+1フレーム)では、同図(c)に示すように、単に長方形画像502が数ラインだけ下方向に移動した画像になる筈である。しかし、この第n+1フレームの途中でメモリ内の階調データが書き換えられると、例えば同図(b)に示すように、長方形画像502の下側には黒色輪郭部503が、長方形画像502の上側には白色輪郭部504が、各々表示される場合が生ずるのである。
【0013】
この理由を以下説明する。まず、白色輪郭部504に対応する領域は、第nフレームでは長方形画像502の一部であるから、階調データ「7」(“0111”)を実現するために、下位3ビットの“111”に基づいて、対応するサブフィールドがオン状態に設定される。この下位3ビットによる制御が完了した時点で次の第n+1フレームの階調データがメモリに書込まれたとする。第n+1フレームでは、白色輪郭部504に対応する領域は背景画像501の一部であるから、階調データ「8」(“1000”)を実現するために、最上位ビットの“1”に基づいて、対応するサブフィールドがオン状態に設定される。
【0014】
結局、この領域については、最も高い階調データ「15」(“1111”)に基づいて全サブフィールドがオン状態に設定された場合と等価な表示が行われ、図示のように白色になるのである。逆に、黒色輪郭部503においては、第nフレームにおいては背景画像501の一部であり、第n+1フレームでは長方形画像502の一部であるから、階調データ「8」の下位3ビット“000”と、階調データ「7」の最上位ビット“0”とに基づいて、全サブフィールドがオフ状態になるのである。
【0015】
輪郭部503,504の階調値は、実際には背景画像501および長方形画像502の階調値と、メモリが書き換えられるタイミングとによってその時々に応じて異なるため、実際の動画像では長方形画像502の上下部分にチカチカ点滅する疑似輪郭線が生じることになる。
この発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、疑似輪郭線による画像劣化を排除し、または軽減することができる電気光学装置の駆動方法、電気光学装置の駆動回路、電気光学装置および電子機器を提供することを目的としている。
【0016】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため本発明にあっては、下記構成を具備することを特徴とする。なお、括弧内は例示である。
本発明の一の見地における電気光学装置の駆動方法は、1フレームを複数のサブフィールドに分割し、マトリクス状に配設された複数の画素を該サブフィールド毎にオンまたはオフ状態に設定することによって階調表示を行う電気光学装置の駆動方法であって、前記各画素の階調データをメモリ(320〜323)に記憶する過程と、前記メモリに記憶された階調データに基づいて前記各サブフィールド毎に前記各画素をオンまたはオフ状態に設定する過程と、前記各サブフィールドのうち最後のサブフィールド(SF4)内で前記各画素のオンまたはオフ状態が設定された後(書込み期間Trの後)、該最後のサブフィールド(SF4)が終了するまでの期間内に前記メモリ(320〜323)の内容の書き換えを許容するように、書込みイネーブル信号(DW)を設定する(Hレベルにする)過程と、他のサブフィールドの少なくとも一部の期間において前記メモリ(320〜323)の内容の書き換えを禁止するように、前記書込みイネーブル信号(DW)を設定する(Lレベルにする)過程とを有することを特徴とする。
また、上記電気光学装置の駆動方法においては、前記最後のサブフィールドは、前記1フレーム内のサブフィールドのうち最も長いサブフィールドにしてもよい。
【0017】
また、本発明の他の見地における電気光学装置の駆動方法(図8(b)の変形例)は、1フレームを複数のサブフィールドに分割し、マトリクス状に配設された複数の画素を該サブフィールド毎にオンまたはオフ状態に設定することによって階調表示を行う電気光学装置の駆動方法であって、前記各画素の階調データをメモリ(320〜323)に記憶する過程と、前記メモリに記憶された階調データに基づいて前記各サブフィールド毎に前記各画素をオンまたはオフ状態に設定する過程と、第1のフレーム(第nフレーム)の最後に最も長い第1のサブフィールド(SF4)を開始し、前記各画素のオンまたはオフ状態を設定する過程(書込み期間Tr)と、前記各画素のオンまたはオフ状態が設定された後、前記メモリ(320〜323)の内容の書き換えを許容するように、書込みイネーブル信号(DW)を設定する(Hレベルにする)過程と、前記第1のフレーム(第nフレーム)が終了した後、引き続いて生ずる第2のフレーム(第n+1フレーム)の最初に、前記階調データに拘らずオンまたはオフ状態が決定する第2のサブフィールド(SF0,または変形例にある常時オフサブフィールド)を開始する過程と、該第2のサブフィールドの期間中に前記メモリ(320〜323)の内容の書き換えを許容するように、前記書込みイネーブル信号(DW)を設定する(Hレベルにする)過程と、前記第1および第2のサブフィールド以外のサブフィールドの少なくとも一部の期間において前記メモリ(320〜323)の内容の書き換えを禁止するように、前記書込みイネーブル信号(DW)を設定する(Lレベルにする)過程とを有することを特徴とする。
【0018】
また、本発明の他の見地における電気光学装置の駆動方法(図9(a)の変形例)は、1フレームを複数のサブフィールドに分割し、マトリクス状に配設された複数の画素を該サブフィールド毎にオンまたはオフ状態に設定することによって階調表示を行う電気光学装置の駆動方法であって、前記各画素の階調データをメモリ(320〜323)に記憶する過程と、前記メモリに記憶された階調データに基づいて前記各サブフィールド毎に前記各画素をオンまたはオフ状態に設定する画素状態設定過程と、前記各サブフィールドのうち、フレームの最後に設けられる第1のサブフィールド(SF4)とこれ以外の第2のサブフィールド(SF1)とを含む第1グループのサブフィールド(SF4,SF0,SF1)において、前記第1のサブフィールド内で前記各画素のオンまたはオフ状態が設定される期間(書込み期間Tr)を除いて、前記メモリ(320〜323)の内容の書き換えを許容する(書込みイネーブル信号DWをHレベルにする)過程と、前記第1グループのサブフィールド以外の第2グループのサブフィールド(SF2,SF3)の少なくとも一部の期間において前記メモリ(320〜323)の内容の書き換えを禁止する(書込みイネーブル信号DWをLレベルにする)過程とを有し、前記第2グループのサブフィールド(SF2,SF3)のうち少なくとも一つのサブフィールドは、前記第2のサブフィールド(SF1)よりも長いことを特徴とする。
また、上記電気光学装置の駆動方法においては、前記第1グループのサブフィールドは、階調データに拘らずオンまたはオフ状態が決定する第3のサブフィールド(SF0)を含むようにしてもよい。
【0019】
また、本発明の他の見地における電気光学装置の駆動方法(図9(b)の変形例)は、1フレームを複数のサブフィールドに分割し、マトリクス状に配設された複数の画素を該サブフィールド毎にオンまたはオフ状態に設定することによって階調表示を行う電気光学装置の駆動方法であって、前記各画素の階調データ記憶するメモリ(320〜322,402,404)に、前記各画素の階調データを記憶する過程であって、フレームの最後に設けられる第1のサブフィールド(SF4)を少なくとも含む第1グループのサブフィールド(SF4)のデータに対しては1フレーム毎に交互に書込みが行われる2ブロック(メモリブロック402,404)から構成されているメモリに、前記各画素の階調データを記憶する過程と、前記第1グループのサブフィールド(SF4)において、書込みが行われない側のブロックから対応するデータを読み出す過程と、前記第1グループのサブフィールド以外の第2グループのサブフィールド(サブフィールドSF1〜SF3)において、前記メモリから対応するデータを読み出す過程と、前記第1および第2グループの各サブフィールドにおいて、読み出されたデータに基づいて前記各画素をオンまたはオフ状態に設定する画素状態設定過程と、前記第2グループに属するサブフィールドであって前記第1グループのサブフィールドが開始される直前に設けられる第1のサブフィールド(SF3)内で前記各画素のオンまたはオフ状態が設定される期間(書込み期間Tr)を除く期間と、前記第1グループに属するサブフィールド(SF4)とにおいて、前記メモリ(320〜322,402,404)の内容の書き換えを許容する(書込みイネーブル信号DWをHレベルにする)過程と、前記第2グループに属する他のサブフィールドのうち少なくとも一部の期間(SF2,SF3)において前記メモリ(320〜322,402,404)の内容の書き換えを禁止する(書込みイネーブル信号DWをLレベルにする)過程とを有することを特徴とする。
【0020】
また、本発明の電気光学装置の駆動回路は、1フレームを複数のサブフィールドに分割し、マトリクス状に配設された複数の画素を該サブフィールド毎にオンまたはオフ状態に設定することによって階調表示を行う電気光学装置の駆動回路であって、前記各画素の階調データを記憶するとともに、少なくとも一部のサブフィールドに対しては2ブロックから構成されているメモリ(320〜323)と、前記メモリに記憶された階調データに基づいて前記各サブフィールド毎に前記各画素をオンまたはオフ状態に設定するデータ設定回路(データ線駆動回路140)と、前記2ブロックから構成されているメモリに対して、前記階調データが書込まれる側のブロックと、書込まれた階調データが読み出される側のブロックとを相補的に切り換える切換回路(406〜416)とを具備することを特徴とする。
また、本発明の他の電気光学装置の駆動回路は、1フレームを複数のサブフィールドに分割し、マトリクス状に設けられた複数の画素を前記サブフィールド毎にオンまたはオフ状態に設定することによって階調表示を行う電気光学装置の駆動回路であって、前記各画素の階調データを記憶するメモリと、前記メモリに記憶された階調データに基づいて前記各サブフィールド毎に前記各画素をオンまたはオフ状態に設定するデータ線駆動回路と、前記各サブフィールドのうち最後のサブフィールド内で前記各画素のオンまたはオフ状態が設定された後、前記最後のサブフィールドが終了するまでの期間内に前記メモリの内容の書き換えを許容するとともに、他のサブフィールドの少なくとも一部の期間において前記メモリの内容の書き換えを禁止する書込みイネーブル信号を生成するタイミング信号生成回路と、を具備することを特徴とする。
また、本発明の他の電気光学装置の駆動回路は、1フレームを複数のサブフィールドに分割し、マトリクス状に設けられた複数の画素を前記サブフィールド毎にオンまたはオフ状態に設定することによって階調表示を行う電気光学装置の駆動回路であって、前記各画素の階調データを記憶するメモリと、前記メモリに記憶された階調データに基づいて前記各サブフィールド毎に前記各画素をオンまたはオフ状態に設定するデータ線駆動回路と、第1フレームの最後に設けられ前記第1フレームの前記各サブフィールドのうち最も長い第1サブフィールド内で前記各画素のオンまたはオフ状態を設定し、前記第1フレームに続く第2フレームの最初に設けた第2サブフィールド内で前記階調データに拘らずオンまたはオフ状態を設定するデータ線駆動回路と、前記第1サブフィールド内で前記各画素のオンまたはオフ状態が設定された後と、前記第2サブフィールドの期間中に前記メモリの内容の書き換えを許容するとともに、前記第1および第2フレームの前記第1および第2のサブフィールド以外のサブフィールドの少なくとも一部の期間において前記メモリの内容の書き換えを禁止する書込みイネーブル信号を生成するタイミング信号生成回路と、を有することを特徴とする。
また、本発明の他の電気光学装置の駆動回路は、1フレームを複数のサブフィールドに分割し、マトリクス状に設けられた複数の画素を前記サブフィールド毎にオンまたはオフ状態に設定することによって階調表示を行う電気光学装置の駆動回路であって、前記各画素の階調データを記憶するメモリと、前記メモリに記憶された階調データに基づいて前記各サブフィールド毎に前記各画素をオンまたはオフ状態に設定するデータ線駆動回路と、前記各サブフィールドのうち、第1フレームの最後に設けられる第1サブフィールドと前記第1フレームに続く第2フレームの最も短い期間を有する第2サブフィールドとを含む連続するサブフィールドで構成する第1グループのサブフィールドにおいて、前記第1のサブフィールド内で前記各画素のオンまたはオフ状態が設定される期間を除いて、前記メモリの内容の書き換えを許容するとともに、前記第1および第2フレームにおける前記第1グループのサブフィールド以外の第2グループのサブフィールドの少なくとも一部の期間において前記メモリの内容の書き換えを禁止する書込みイネーブル信号を生成するタイミング信号生成回路と、を有することを特徴とする。
また、本発明の他の電気光学装置の駆動回路は、1フレームを複数のサブフィールドに分割し、マトリクス状に設けられた複数の画素を前記サブフィールド毎にオンまたはオフ状態に設定することによって階調表示を行う電気光学装置の駆動回路であって、フレームの最後に設けられる第1サブフィールドに前記各画素に書込まれる階調データを記憶し、1フレーム毎に交互に書込みが行われる2ブロックで構成される第1メモリと、前記フレームにおける前記第1サブフィールド以外のサブフィールドに前記各画素に書込まれる階調データを記憶する第2メモリと、前記第1サブフィールドの直前の第2サブフィールドにおいて前記第2メモリから読み出した前記第2サブフィールドの階調データに基いて前記各画素をオンまたはオフ状態に設定し、前記第1サブフィールドにおいて前記第1メモリの2ブロックのうち書込みが行われない側のブロックから読み出した前記第1サブフィールドの階調データに基いて前記各画素をオンまたはオフ状態に設定するデータ線駆動回路と、前記第2サブフィールド内で前記各画素のオンまたはオフ状態が設定される期間を除く期間において、前記第2メモリの内容の書き換えを許容するとともに、前記フレームの前記第1及び第2サブフィールド以外のサブフィールドのうち少なくとも一部の期間において前記第2メモリの内容の書き換えを禁止する書込みイネーブル信号を生成するタイミング信号生成回路と、を有することを特徴とする。
また、本発明の他の見地における電気光学装置は、上記何れかの電気光学装置の駆動回路を有することを特徴とする。
また、本発明の他の見地における電子機器は、該電気光学装置を備えることを特徴とする。
【0021】
【発明の実施の形態】
1.実施形態の構成
1.1.全体構成
次に、本発明の一実施形態の電気光学装置の構成を図1を参照し説明する。
図において、タイミング信号生成回路200には、図示せぬ上位装置から垂直同期信号Vs、水平同期信号Hsおよび入力階調データD0〜D3のドットクロック信号DCLKが供給される。また、発振回路150は、読み出しタイミングの基本クロックRCLKをタイミング信号生成回路200に供給する。タイミング信号生成回路200は、これらの信号にしたがって、次に説明する各種のタイミング信号やクロック信号などを生成するものである。まず、交流化信号FRは、1フレーム毎に極性反転する信号である。
【0022】
駆動信号LCOMは、対向基板の対向電極に印加される信号であり、本実施形態においては一定電位(零電位)になる。また、本実施形態においては、1フレームが複数のサブフィールドSF0〜SF4に分割され、画素がサブフィールド毎にオンオフされることによって階調表示が行われる。スタートパルスDYは、各サブフィールドにおいて最初に出力されるパルス信号である。クロック信号CLYは、走査側(Y側)の水平走査期間を規定する信号である。ラッチパルスLPは、水平走査期間の最初に出力されるパルス信号であって、クロック信号CLYのレベル遷移(すなわち、立ち上がりおよび立ち下がり)時に出力されるものである。クロック信号CLXは、表示用のドットクロック信号である。
【0023】
ここで、サブフィールド駆動の概要を、図7のスタートパルスDYの波形を参照しつつ説明しておく。まず、フレームの最初にサブフィールドSF0が設けられる。このサブフィールドの長さは、液晶の透過率が0%付近の最低値(ノーマリーブラックの場合)から立ち上がる境界となる長さ、すなわち閾値電圧Vthを与える長さに設定される。
【0024】
また、サブフィールドSF1〜SF4は、入力階調データD0〜D3の各ビットに対応した重み付けを有する長さに設定されている。すなわち、サブフィールドSF1は、最下位ビットである階調データD0に対応し、そのオンオフによって、階調データD0のオンオフに対応する透過率の変化を起こす長さに設定されている。サブフィールドSF2,SF3,SF4も、それぞれのオンオフによって階調データD1,D2,D3のオンオフに対応する透過率の変化を起こす長さに設定されている。すなわち、サブフィールドSF2,SF3,SF4は、各々サブフィールドSF1の2倍,4倍,8倍程度の長さを有している。
【0025】
図1に戻り、タイミング信号生成回路200は、図示せぬ上位装置に対して、書込みイネーブル信号DWを出力する。この書込みイネーブル信号DWは、上位装置に対して、入力階調データD0〜D3の供給、すなわちメモリブロック320〜323の更新を許可する信号である。そのタイミングチャートを図8(a)に示しておく。書込みイネーブル信号DWは、各フレームのサブフィールドSF4の後半にHレベルに設定され、このHレベルである期間内に限り、メモリブロック320〜323の更新を可能ならしめるものである。
【0026】
再び図1に戻り、素子基板101上における表示領域101aには、図においてX(行)方向に延在して複数本の走査線112が形成されている。また、複数本のデータ線114が、Y(列)方向に沿って延在して形成されている。そして、画素110は、走査線112とデータ線114との各交差に対応して設けられて、マトリクス状に配列されている。ここで、走査線112の総本数をm本とし、データ線114の総本数をn本とする(m、nはそれぞれ2以上の整数)。
【0027】
1.2.画素の構成
画素110の具体的な構成としては、例えば、図2(a)に示されるものが挙げられる。この構成では、薄膜トランジスタ(TFT)116のゲートが走査線112に、ソースがデータ線114に、ドレインが画素電極118に、それぞれ接続されるとともに、画素電極118と対向電極108との間に電気光学材料たる液晶105が挟持されて液晶層が形成されている。ここで、対向電極108は、画素電極118と対向するように対向基板に一面に形成される透明電極である。また、画素電極118と対向電極108とに並列して蓄積容量119が形成され、画素電極118から電荷がリークすることによる表示への影響を小さくしている。なお、この実施形態では、蓄積容量119の一方の電位を対向電極108と同電位としたが、接地電位GNDやゲート線の電位と同電位としても良い。
【0028】
ここで、図2(a)に示される構成では、トランジスタ116として一方のチャネル型のみが用いられているために、オフセット電圧が必要となるが、図2(b)に示されるように、Pチャネル型トランジスタとNチャネル型トランジスタとを相補的に組み合わせた構成とすれば、オフセット電圧の影響をキャンセルすることができる。ただし、この相補型構成では、走査信号として互いに排他的レベルを供給する必要が生じるため、1行の画素110に対して走査線112a,112bの2本の走査線が必要となる。
【0029】
1.3.走査線駆動回路130
説明を再び図1に戻す。走査線駆動回路130は、サブフィールドの最初に供給されるスタートパルスDYをクロック信号CLYにしたがって転送し、走査線112の各々に走査信号G1, G2, G3, … ,Gmとして順次排他的に供給するものである。
【0030】
1.4.データ変換回路300
データ変換回路300は、ドットクロック信号DCLKに同期して入力される入力階調データD0〜D2を、クロック信号CLXに同期するデータ信号Dsに変換し出力するものである。ここで、データ変換回路300の詳細構成を図3を参照し説明する。図において320〜323はメモリブロックであり、各々階調データD0〜D3を記憶するために設けられ、素子基板101の表示領域(m行×n列)に対応して各々m×nビットのメモリ空間を有する。
【0031】
メモリブロック320〜323は、書込みおよび読出し動作を非同期に、かつ独立して実行できるように構成されている。310は書込みアドレス制御部であり、垂直同期信号Vs、水平同期信号Hsおよびドットクロック信号DCLKに同期して、ライトイネーブル信号WEおよび書込みアドレスWADをメモリブロック320〜323に供給する。
【0032】
すなわち、書込みアドレス制御部310はドットクロック信号DCLKをカウントアップし、このカウント結果を書込みアドレスWADとして出力するとともに、書込みアドレスWADの値が確定する毎にライトイネーブル信号WEを出力する。また、書込みアドレス制御部310におけるカウント結果は、垂直同期信号Vsが入力される毎にリセットされる。これにより、各メモリブロック320〜323には、そのm×nビットのメモリ空間を順次アクセスする書込みアドレスWADが供給され、階調データD0〜D3は対応するメモリブロックの表示位置に応じたアドレスに順次格納されてゆくことになる。
【0033】
表示アドレス制御部330は、上記各サブフィールド期間が開始されると、対応する表示行のビットデータをアクセスするアドレス信号RADを出力する。アドレス信号RADは、クロック信号CLXに同期し表示列数に応じて「n−1」回インクリメントされる。これにより、対応する表示行に対して第1列〜第n列のビットを順次アクセスするようなアドレス信号RADが出力される。また、読出し信号RD0は、サブフィールドSF1の間、常にイネーブル状態になる。但し、読出し信号RD1,RD2,RD3はサブフィールドSF1においては常にオフ状態にされる。これにより、メモリブロック320のみが読出し可能な状態になり、他のメモリブロックは読出し禁止状態になる。そして、メモリブロック320から、対応する表示行の第1列〜第n列における階調データの最下位ビットの階調データD0が読み出される。
【0034】
また、読出し信号RD1は、サブフィールドSF2の間、常にイネーブル状態になる。但し、読出し信号RD0,RD2,RD3はサブフィールドSF2においては常にオフ状態にされる。これにより、メモリブロック321のみがアクセスされ、階調データの下位より第2ビットの階調データD1が読み出される。同様に、読出し信号RD2,RD3は、サブフィールドSF3,SF4の間、各々イネーブル状態になり、他の読出し信号オフ状態にされる。これにより、メモリブロック322,323が順次アクセスされ、階調データD2,D3が順次読み出される。また、サブフィールドSF0が開始されると、クロック信号CLXのn周期の期間、オン信号S_onがHレベルに固定される。そして、オア回路332は、これら階調データD0〜D3およびオン信号S_onの論理和をデータ信号Dsとして出力する。
【0035】
1.5.データ線駆動回路140
次に、データ線駆動回路140は、ある水平走査期間においてデータ信号Dsをデータ線114の本数に相当するn個順次ラッチした後、ラッチしたn個のデータ信号Dsを、次の水平走査期間において、電位選択回路1440を介して、それぞれ対応するデータ線114にデータ信号d1, d2, d3, …dnとして一斉に供給するものである。ここで、データ線駆動回路140の具体的な構成は、図4に示される通りである。すなわち、データ線駆動回路140は、Xシフトレジスタ1410と、第1のラッチ回路1420と、第2のラッチ回路1430と、電位選択回路1440とから構成されている。
【0036】
このうちXシフトレジスタ1410は、水平走査期間の最初に供給されるラッチパルスLPをクロック信号CLXにしたがって転送し、ラッチ信号S1, S2, S3, …, Snとして順次排他的に供給するものである。次に、第1のラッチ回路1420は、データ信号Dsをラッチ信号S1, S2, S3, …, Snの立ち下がりにおいて順次ラッチするものである。そして、第2のラッチ回路1430は、第1のラッチ回路1420によりラッチされたデータ信号Dsの各々をラッチパルスLPの立ち下がりにおいて一斉にラッチし、電位選択回路1440に転送する。
【0037】
電位選択回路1440は、交流化信号FRに基づいてこれらのラッチした二値信号を電位に変換し、データ信号d1, d2, d3, …,dnとしてデータ線114に印加するものである。すなわち、交流化信号FRがLレベルであれば、データ信号d1, d2, d3, …dnのHレベルは電位V1に、Lレベルは零電位に変換される。一方、交流化信号FRがHレベルであれば、データ信号d1, d2, d3, …dnのHレベルは電位−V1に、Lレベルは零電位に変換される。
【0038】
1.6.液晶装置の構成
上述した電気光学装置の構造について、図6(a),(b)を参照して説明する。ここで、同図(a)は、電気光学装置100の構成を示す平面図であり、同図(b)は、同図(a)におけるA−A´線の断面図である。これらの図に示されるように、電気光学装置100は、画素電極118などが形成された素子基板101と、対向電極108などが形成された対向基板102とが、互いにシール材104によって一定の間隙を保って貼り合わせられるとともに、この間隙に電気光学材料としての液晶105が挟持された構造となっている。なお、実際には、シール材104には切欠部分があって、ここを介して液晶105が封入された後、封止材により封止されるが、これらの図においては省略されている。ここで、素子基板101および対向基板102はガラスや石英などの非晶質基板である。そして、画素電極118等は、素子基板101に半導体簿膜を堆積して成るTFTによって形成されている。すなわち、電気光学装置100は、透過型として用いられることになる。
【0039】
さて、素子基板101において、シール材104の内側かつ表示領域101aの外側領域には、遮光膜106が設けられている。この遮光膜106が形成される領域内のうち、領域130aには走査線駆動回路130が形成され、また領域140aにはデータ線駆動回路140が形成されている。すなわち、遮光膜106は、この領域に形成される駆動回路に光が入射するのを防止している。この遮光膜106には、対向電極108とともに、駆動信号LCOMが印加される構成となっている。このため、遮光膜106が形成された領域では、液晶層への印加電圧がほほゼロとなるので、画素電極118の電圧無印加状態と同じ表示状態となる。
【0040】
また、素子基板101において、データ線駆動回路140が形成される領域140a外側であって、シール材104を隔てた領域107には、複数の接続端子が形成されて、外側からの制御信号や電源などを入力する構成となっている。一方、対向基板102の対向電極108は、基板貼合部分における4隅のうち、少なくとも1箇所において設けられた導通材(図示省略)によって、素子基板101における遮光膜106および接続端子と電気的な導通が図られている。すなわち、駆動信号LCOMは、素子基板101に設けられた接続端子を介して、遮光膜106に、さらに、導通材を介して対向電極108に、それぞれ印加される構成となっている。
【0041】
ほかに、対向基板102には、電気光学装置100の用途に応じて、例えば、直視型であれば、第1に、ストライプ状や、モザイク状、トライアングル状等に配列したカラーフィルタが設けられ、第2に、例えば、金属材料や樹脂などからなる遮光膜(ブラックマトリクス)が設けられる。なお、色光変調の用途の場合には、例えば、後述するプロジェクタのライトバルブとして用いる場合には、カラーフィルタは形成されない。また、直視型の場合、電気光学装置100に光を対向基板102側から照射するフロントライト、もしくは素子基板101側から光を照射するバックライトが必要に応じて設けられる。くわえて、素子基板101および対向基板102の電極形成面には、それぞれ所定の方向にラビング処理された配向膜(図示省略)など設けられて、電圧無印加状態における液晶分子の配向方向を規定する一方、素子基板101と対向基板102には、配向方向に応じた偏光板(図示省略)が設けられる。ただし、液晶105として、高分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用いれば、前述の配向膜や偏光子などが不要となる結果、光利用効率が高まるので、高輝度化や低消費電力化などの点において有効である。
【0042】
2.実施形態の動作
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置の動作について説明する。図7は、この電気光学装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。まず、交流化信号FRは、1フレーム(1F)ごとに極性反転する信号である。一方、スタートパルスDYは、各サブフィールドの開始時に供給される。
【0043】
ここで、交流化信号FRがLレベルとなる1フレーム(1F)において、スタートパルスDYが供給されると、走査線駆動回路130(図1参照)におけるクロック信号CLYにしたがった転送によって、走査信号G1, G2, G3, … ,Gmが書込み期間Trに順次排他的に出力される。なお、書込み期間Trは、最も短いサブフィールドSF1と同等、もしくはさらに短い期間に設定されている。
【0044】
さて走査信号G1, G2, G3, … ,Gmは、それぞれクロック信号CLYの半周期に相当するパルス幅を有し、また、上から数えて1本目の走査線112に対応する走査信号G1は、スタートパルスDYが供給された後、クロック信号CLYが最初に立ち上がってから、少なくともクロック信号CLYの半周期だけ遅延して出力される構成となっている。したがって、スタートパルスDYが供給されてから、走査信号G1が出力されるまでに、ラッチパルスLPの1ショット(G0)がデータ線駆動回路140に供給されることになる。
【0045】
そこで、このラッチパルスLPの1ショット(G0)が供給された場合について検討してみる。まず、このラッチパルスLPの1ショット(G0)がデータ線駆動回路140に供給されると、データ線駆動回路140(図4参照)におけるクロック信号CLXにしたがった転送によって、ラッチ信号S1, S2, S3, …,Snが水平走査期間(1H)に順次排他的に出力される。なお、ラッチ信号S1,S2, S3, …, Snは、それぞれクロック信号CLXの半周期に相当するパルス幅を有している。
【0046】
この際、図4における第1のラッチ回路1420は、ラッチ信号S1の立ち下がりにおいて、上から数えて1本目の走査線112と、左から数えて1本目のデータ線114との交差に対応する画素110へのデータ信号Dsをラッチし、次に、ラッチ信号S2の立ち下がりにおいて、上から数えて1本目の走査線112と、左から数えて2本目のデータ線114との交差に対応する画素110へのデータ信号Dsをラッチし、以下、同様に、上から数えて1本目の走査線112と、左から数えてn本目のデータ線114との交差に対応する画素110へのデータ信号Dsをラッチする。
【0047】
これにより、まず、図1において上から1本目の走査線112との交差に対応する画素1行分のデータ信号Dsが、第1のラッチ回路1420により点順次的にラッチされることになる。なお、データ変換回路300は、第1のラッチ回路1420によるラッチのタイミングに合わせて、各画素の階調データD0〜D3をデータ信号Dsに変換して出力することはいうまでもない。
【0048】
次に、クロック信号CLYが立ち下がって、走査信号G1が出力されると、図1において上から数えて1本目の走査線112が選択される結果、当該走査線112との交差に対応する画素110のトランジスタ116がすべてオンとなる。一方、当該クロック信号CLYの立ち下がりによってラッチパルスLPが出力される。そして、このラッチパルスLPの立ち下がりタイミングにおいて、第2のラッチ回路1430は、第1のラッチ回路1420によって点順次的にラッチされたデータ信号Dsを、電位選択回路1440を介して、対応するデータ線114の各々にデータ信号d1, d2, d3, …,dnとして一斉に供給する。このため、上から数えて1行目の画素110においては、データ信号d1, d2, d3, …,dnの書込が同時に行われることとなる。
【0049】
この書込と並行して、図1において上から2本目の走査線112との交差に対応する画素1行分のデータ信号Dsが、第1のラッチ回路1420により点順次的にラッチされる。そして、以降同様な動作が、m本目の走査線112に対応する走査信号Gmが出力されるまで繰り返される。すなわち、ある走査信号Gi(iは、1≦i≦mを満たす整数)が出力される1水平走査期間(1H)においては、i本目の走査線112に対応する画素110の1行分に対するデータ信号d1, d2, d3, …,dnの書込と、(i+1)本目の走査線112に対応する画素110の1行分に対するデータ信号Dsの点順次的なラッチとが並行して行われることになる。なお、画素110に書き込まれたデータ信号は、次のサブフィールドにおける書込まで保持される。
【0050】
以下同様な動作が、サブフィールドの開始を規定するスタートパルスDYが供給される毎に繰り返される。但し、サブフィールドSF0においては、データ信号Dsのレベルは常にHレベルである。さらに、1フレーム経過後、交流化信号FRがHレベルに反転した場合においても、各サブフィールドにおいて同様な動作が繰り返される。
【0051】
ここで、図8(a)に示すように、サブフィールドSF4においては、書込み期間Trが終了した後、サブフィールドSF4が終了するまでのメモリ更新期間Tdw1において、書込みイネーブル信号DWがHレベルに立ち上げられる。なお、それ以外の期間においては、書込みイネーブル信号DWはLレベルに設定される。従って、このメモリ更新期間Tdw1において、上位装置によって、メモリブロック320〜323内の階調データが適宜更新されることになる。
【0052】
このメモリ更新期間Tdw1内にメモリブロック320〜323の内容が更新されたとしても、画素110に対する書込みは既に終了しているため、当該フレームにおける表示にはなんら影響は及ばない。そして、次のフレームより、更新された階調データに基づいて、正常な表示が行われる。この最も長いサブフィールドSF4の書込み期間Trの終了後にメモリ更新期間Tdw1を設けたことが本実施形態の特徴の一つであり、各サブフィールドの書込み期間Trを避けながら、比較的長い連続した期間をメモリ更新期間Tdw1に割り当てることができる。
【0053】
3.電子機器の具体例
3.1.プロジェクタ
次に、上述した電気光学装置を具体的な電子機器に用いた例のいくつかについて説明する。
まず、上記実施形態に係る電気光学装置をライトバルブとして用いた投射型表示装置であるプロジェクタ5400について説明する。
図10(a)は、投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。図中、5431は光源、5442,5444はダイクロイックミラー、5443,5448,5449は反射ミラー、5445は入射レンズ、5446はリレーレンズ、5447は出射レンズ、100R,100G,100Bは上記電気光学装置による液晶光変調装置、5451はクロスダイクロイックプリズム、5437は投射レンズを示す。光源5431はメタルハライド等のランプ5440とランプの光を反射するリフレクタ5441とからなる。青色光・緑色光反射のダイクロイックミラー5442は、光源5431からの光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー5443で反射されて、赤色光用液晶光変調装置100Rに入射される。一方、ダイクロイックミラー5442で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー5444によって反射され、緑色光用液晶光変調装置100Gに入射される。
【0054】
一方、青色光は第2のダイクロイックミラー5444も透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ5445、リレーレンズ5446、出射レンズ5447を含むリレーレンズ系からなる導光手段が設けられ、これを介して青色光が青色光用液晶光変調装置100Bに入射される。各光変調装置により変調された3つの色光はクロスダイクロイックプリズム5451に入射する。このプリズムは4つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ5437によってスクリーン5452上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【0055】
3.2.モバイル型コンピュータ
次に、上記電気光学装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図10(b)は、このパーソナルコンピュータの構成を示す正面図である。図において、モバイル型コンピュータ5200は、キーボード5202を備えた本体部5204と、表示ユニット5206とから構成されている。この表示ユニット5206は、先に述べた電気光学装置100の後方にバックライトを付加することにより構成されている。
【0056】
3.3.携帯電話器
さらに、上記電気光学装置を、携帯電話器に適用した例について説明する。図10(c)は、この携帯電話器の構成を示す正面図である。図において、携帯電話器5300は、複数の操作ボタン5302のほか、受話口5304、送話口5306とともに、電気光学装置100を備えるものである。この電気光学装置100にも、必要に応じてその後方にバックライトが設けられる。
【0057】
3.4.その他
電子機器としては、以上説明した他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に対して、上述した電気光学装置が適用可能なのは言うまでもない。
【0058】
4.変形例
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のように種々の変形が可能である。
(1)上述した実施形態にあっては、最も長いサブフィールドSF4の書込み期間Trを除く期間をメモリ更新期間Tdw1としたが、図8(b)に示すように、サブフィールドSF4のうち書込み期間Trが終了した後、次のフレームの最初のサブフィールドSF0が終了するまでの期間Tdw2をメモリ更新期間とし、書込みイネーブル信号DWをHレベルに設定してもよい。これによって、より長いメモリ更新期間を確保することができる。図3において説明したように、サブフィールドSF0においてはメモリブロック320〜323は読み出されず、オン信号S_onによってデータ信号Dsが一意に決定されるから、この期間内にメモリブロック320〜323を更新したとしてもなんら支障が生じない。
【0059】
(2)また、さらに長いメモリ更新期間が必要な場合は、図9(a)に示すように、サブフィールドSF4の書込み期間Trが終了した後、次のフレームのサブフィールドSF1が終了するまでの期間Tdw3をメモリ更新期間とし、書込みイネーブル信号DWをHレベルに設定してもよい。この変形例においては、次のフレームのサブフィールドSF1に対するデータ信号Dsは保証されないことになるが、サブフィールドSF1は最も短いサブフィールドであるため、疑似輪郭線をほとんど目立たなくすることができる。
【0060】
(3)また、さらに長いメモリ更新期間が必要な場合は、図9(b)に示すように、サブフィールドSF3の書込み期間Trが終了した後、次のフレームのサブフィールドSF0が終了するまでの期間Tdw4をメモリ更新期間とし、書込みイネーブル信号DWをHレベルに設定してもよい。この変形例においては、サブフィールドSF4におけるデータ信号Dsを保証するため、図3におけるメモリブロック323に代えて、図5に示すようにメモリを二重化した回路を用いる必要がある。
【0061】
図5において402,404はメモリブロックであり、メモリブロック320〜323と同様に構成されている。406はアンド回路であり、ライトイネーブル信号WEと交流化信号FRとの論理積をメモリブロック402のライトイネーブル端子に供給する。これにより、メモリブロック402は、交流化信号FRがHレベルになるフレームにおいてのみ、階調データD3が書き込まれることになる。また、408はインバータ、410はアンド回路であり、交流化信号FRの反転信号/FRと、ライトイネーブル信号WEとの論理積をメモリブロック404のライトイネーブル端子に供給する。これにより、メモリブロック404は、交流化信号FRがLレベルになるフレームにおいてのみ、階調データD3が書き込まれることになる。
【0062】
また、412はアンド回路であり、上記反転信号/FRと読出し信号RD3との論理積をメモリブロック402のリードイネーブル端子に供給する。これにより、メモリブロック402には、交流化信号FRがLレベルであるフレーム、すなわち書き込みが行われないフレームにおいてのみ、記憶されたデータが読み出される。同様に、414はアンド回路であり、上記交流化信号FRと読出し信号RD3との論理積をメモリブロック402のリードイネーブル端子に供給する。これにより、メモリブロック402は、交流化信号FRがHレベルであるフレーム、すなわち書き込みが行われないフレームにおいてのみ、記憶されたデータが読み出されることになる。
【0063】
メモリブロック402,404の読み出し結果は、オア回路416を介して、階調データD3としてオア回路332(図3参照)に供給される。このように、本変形例においては、メモリブロック402,404の書き込みおよび読み出しが許可されるフレームは相補的に切り替わる。従って、サブフィールドSF4の書込み期間Tr内またはそれ以前にメモリブロック402,404の一方に対して階調データD3が書き込まれたとしても、他方から読み出されるデータにはなんら影響が及ばないことが解る。
【0064】
(4)また、図5に係る変形例においては、最上位ビットである階調データD3のみについてメモリを二重化したが、他の階調データD0〜D2についてもメモリブロック320〜322に代えて同様の回路を用いてもよい。全階調データに対してメモリを二重化すると、交流化信号FRを切り換える僅かな期間を除いて、ほとんど全期間において書込みイネーブル信号DWをHレベルに設定することができる。
【0065】
(5) 上記実施形態においては、画素が常時オンになるオン区間をサブフィールドSF0として1フレーム期間内に1回設けているが、オン区間だけでなく、画素が常にオフになるオフ区間を併せて設けても良い。このようにオン区間とオフ区間を両方設けることにより、1フレーム期間の長さを固定したままでオン区間の長さを調整することができるようになる。さらに、このオフ区間がサブフィールドSF4またはサブフィールドSF0に隣接するように設けると、メモリ更新期間にこのオフ区間も含めることができる。
【0066】
(6) 上記実施形態において対向電極108に印加する駆動信号LCOMは零電位であったが、各画素に印加される電圧はトランジスタ116の特性、蓄積容量119や液晶の容量等によって、電圧がシフトする場合がある。この様な場合には、対向電極108に印加する駆動信号LCOMのレベルを電圧のシフト量に応じてずらしてもよい。
【0067】
(7) また、上記実施形態においては、電気光学装置を構成する素子基板101をガラスや石英などの非晶質基板とし、ここに半導体簿膜を堆積してTFTを形成して透過型としたが、本発明は、これに限られない。例えば、素子基板101あるいは対向基板102に反射層を設けて反射型としたり、素子基板101を不透明な半導体基板によって構成し、ドット電極118をアルミニウムなどの反射性金属から形成し、対向基板102をガラスなどから構成すると、電気光学装置100を反射型として用いることができる。
【0068】
(8) さらに、上記実施形態は本発明を液晶を用いた電気光学装置に適用した例を説明したが、他の電気光学装置、特に、オンまたはオフの2値的な表示を行う画素を用いて、階調表示を行う電気光学装置のすべてに適用可能である。このような電気光学装置としてはエレクトロルミネッセンス装置やプラズマディスプレイなどが考えられる。特に有機エレクトロルミネッセンス装置の場合は、液晶のような交流駆動をする必要が無く、極性反転をしなくて良い。
【0069】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、最後のサブフィールド内で各画素のオンまたはオフ状態が設定された後、該最後のサブフィールドが終了するまでの期間内にメモリの内容の書き換えを許容する等の対策を講じたため、疑似輪郭線による画像劣化を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態の電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図2】 上記実施形態における画素の構成例を示す図である。
【図3】 上記実施形態におけるデータ変換回路300のブロック図である。
【図4】 上記実施形態におけるデータ線駆動回路140のブロック図である。
【図5】 図9(b)の変形例におけるデータ変換回路300の要部の回路図である。
【図6】 上記実施形態における電気光学装置の構造図である。
【図7】 上記実施形態の電気光学装置のタイミングチャートである。
【図8】 上記実施形態および変形例における書込みイネーブル信号DWのタイミングチャートである。
【図9】 他の変形例における書込みイネーブル信号DWのタイミングチャートである。
【図10】 同電気光学装置を適用した各種電子機器の例を示す図である。
【図11】 従来技術の問題点を説明する図である。
【符号の説明】
100…電気光学装置
101…素子基板
101a…表示領域
102…対向基板
104…シール材
105…液晶
106…遮光膜
107…領域
108…対向電極
110…画素
112…走査線
114…データ線
116…薄膜トランジスタ
118…画素電極
119…蓄積容量
130…走査線駆動回路
140…データ線駆動回路(データ設定回路)
150…発振回路
200…タイミング信号生成回路
300…データ変換回路
310…書込みアドレス制御部
320〜323…メモリブロック
330…表示アドレス制御部
332…オア回路
402,404…メモリブロック
406…アンド回路(切換回路)
408…インバータ(切換回路)
410…アンド回路(切換回路)
412…アンド回路(切換回路)
414…アンド回路(切換回路)
416…オア回路(切換回路)
501…背景画像
502…長方形画像
503…黒色輪郭部
504…白色輪郭部
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a driving method for an electro-optical device, a driving circuit for the electro-optical device, an electro-optical device, and an electronic apparatus suitable for use in displaying various types of information.
[0002]
[Background]
An electro-optical device, for example, a liquid crystal display device using liquid crystal as an electro-optical material, is widely used as a display device in place of a cathode ray tube (CRT) in a display unit of various information processing devices, a liquid crystal television, and the like. Here, the conventional electro-optical device is configured as follows, for example. In other words, a conventional electro-optical device includes a pixel electrode arranged in a matrix, an element substrate provided with a switching element such as a TFT (Thin Film Transistor) connected to the pixel electrode, and a pixel electrode. It is composed of a counter substrate on which counter electrodes facing each other are formed, and a liquid crystal as an electro-optical material filled between the two substrates.
[0003]
In such a configuration, when a scanning signal is applied to the switching element via the scanning line, the switching element becomes conductive. In this conductive state, when an image signal having a voltage corresponding to the gradation is applied to the pixel electrode through the data line, a charge corresponding to the voltage of the image signal is applied to the liquid crystal layer between the pixel electrode and the counter electrode. Accumulated. After the charge accumulation, even if the switching element is turned off, the charge accumulation in the liquid crystal layer is maintained by the capacity of the pixel electrode and the counter electrode, the storage capacity, and the like. As described above, when each switching element is driven and the amount of charge to be stored is controlled according to the gradation, the density at which light is modulated and displayed for each pixel changes. Therefore, it is possible to display gradation.
[0004]
At this time, since charges may be accumulated in the electrodes of each pixel during a part of the period for displaying one screen, first, each scanning line is sequentially arranged by the scanning line driving circuit. In the selection period of the scanning line, secondly, the data line is sequentially selected by the data line driving circuit, and thirdly, an image signal having a voltage corresponding to the gradation is sampled on the selected data line. With this configuration, it is possible to perform time-division multiplex driving in which the scanning line and the data line are shared by a plurality of pixels.
[0005]
However, the image signal applied to the data line is a voltage corresponding to the gradation, that is, an analog signal. For this reason, a D / A conversion circuit, an operational amplifier, and the like are required for the peripheral circuit of the electro-optical device, which increases the cost of the entire device. In addition, display unevenness occurs due to the non-uniformity of these D / A conversion circuits, operational amplifiers, and various wiring resistances, so that high-quality display is extremely difficult. This is particularly noticeable when high-definition display is performed. Furthermore, in an electro-optical material such as liquid crystal, the relationship between the applied voltage and the transmittance varies depending on the type of electro-optical material. For this reason, as a drive circuit for driving the electro-optical device, a general-purpose circuit that can handle various electro-optical devices is desired.
[0006]
Due to the circumstances described above, the present applicant has developed a technique for dividing one frame into a plurality of subfields and turning on / off each pixel for each subfield. According to this technique, the applied voltage when a pixel is turned on / off within each subfield is constant regardless of the gradation, and the duty ratio (or voltage effective value) at which the pixel is turned on within one frame. Determines the gradation of the pixel.
[0007]
Here, when the gradation characteristics of the electro-optical device are observed while changing the duty ratio between 0% and 100%, the gradation does not change in the vicinity of the duty ratio of 0% even though the duty ratio is changed. An area exists. Here, the effective voltage value at the point where the gradation characteristic rises is called a threshold voltage Vth. Although the value of the threshold voltage Vth differs depending on the composition of the liquid crystal, it is necessary to provide a subfield that is always set to the ON state in order to give this threshold voltage Vth regardless of the value of the gradation data.
[0008]
Here, when the number of gradations of the required image is 2N, a method of providing 2N + 1 subfields in one frame and a method of providing N + 1 subfields can be considered. In the former method, each subfield period has substantially the same length, but the subfield period is slightly increased or decreased as necessary in order to compensate for the nonlinear characteristic of the electro-optical device. As a result, the former method is advantageous in that it can accurately compensate for the nonlinear characteristics of the electro-optical device.
[0009]
On the other hand, in the latter method, N out of N + 1 subfield periods are associated with each bit of the gradation data. Here, the subfield period associated with 20 digits is the shortest, and the other subfields have a length of about 2M times the shortest subfield length according to the number of digits M of the corresponding bits. Compared with the former method, the latter method is advantageous in that the number of on / off times of pixels in one frame can be reduced and the power consumption can be suppressed low.
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in the latter method, N-bit data constituting one pixel of gradation data is once written in a memory and used for on / off control of a corresponding subfield. In this memory, writing by the host device and reading by the drive circuit of the electro-optical device can be executed asynchronously and independently. For this reason, in the moving image, a problem arises that a pseudo contour line of a bag that does not exist originally is displayed.
[0011]
One example will be described with reference to FIGS. These figures are examples of images displayed on the electro-optical device. The gradation data is 16 gradations from “0” to “15”, and the normally black mode where the gradation value is “0” is the darkest. An example using the electro-optical device is assumed. First, FIG. 6A shows a gradation value “7” (binary notation) inside a background image 501 having a gradation value “8” (binary notation “1000”) in a certain frame (n-th frame). Is a state in which a rectangular image 502 of “0111” is displayed.
[0012]
If this rectangular image 502 is an image that gradually moves downward, in the next frame (the (n + 1) th frame), the rectangular image 502 is simply moved downward by several lines as shown in FIG. It should be an image that has been moved to. However, when the gradation data in the memory is rewritten in the middle of the (n + 1) th frame, for example, as shown in FIG. In this case, the white contour portion 504 is displayed.
[0013]
The reason for this will be described below. First, since the area corresponding to the white outline 504 is a part of the rectangular image 502 in the nth frame, “111” of the lower 3 bits is used to realize the gradation data “7” (“0111”). Based on, the corresponding subfield is set to the on state. It is assumed that the gradation data of the next (n + 1) th frame is written in the memory when the control by the lower 3 bits is completed. In the (n + 1) th frame, since the region corresponding to the white outline 504 is a part of the background image 501, in order to realize the gradation data “8” (“1000”), it is based on the most significant bit “1”. Thus, the corresponding subfield is set to the on state.
[0014]
Eventually, in this area, a display equivalent to the case where all the subfields are set to the on state is performed based on the highest gradation data “15” (“1111”), and becomes white as illustrated. is there. On the other hand, in the black contour portion 503, since it is a part of the background image 501 in the nth frame and is a part of the rectangular image 502 in the n + 1th frame, the lower 3 bits “000” of the gradation data “8”. ”And the most significant bit“ 0 ”of the gradation data“ 7 ”, all the subfields are turned off.
[0015]
Since the gradation values of the contour portions 503 and 504 are actually different depending on the gradation values of the background image 501 and the rectangular image 502 and the timing at which the memory is rewritten, the rectangular image 502 in the actual moving image. A pseudo contour line blinking in the upper and lower parts of the screen is generated.
The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and a driving method of an electro-optical device, a driving circuit of the electro-optical device, an electro-optical device, and an electronic device that can eliminate or reduce image deterioration due to a pseudo contour line. The purpose is to provide equipment.
[0016]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the present invention is characterized by having the following configuration. The parentheses are examples.
According to one aspect of the present invention, a method of driving an electro-optical device divides one frame into a plurality of subfields, and sets a plurality of pixels arranged in a matrix in an on or off state for each subfield. A method of driving an electro-optical device that performs gradation display by the step of storing gradation data of each pixel in a memory (320 to 323), and each of the pixels based on the gradation data stored in the memory The process of setting each pixel to an on or off state for each subfield, and after the on or off state of each pixel is set in the last subfield (SF4) of each subfield (writing period Tr) After), writing is performed so as to allow rewriting of the contents of the memory (320 to 323) within a period until the last subfield (SF4) is completed. The write enable signal (DW) is set (set to H level) and the write enable signal (in order to prohibit rewriting of the contents of the memory (320 to 323) during at least a part of the other subfields. DW) is set (set to L level).
In the electro-optical device driving method, the last subfield may be the longest subfield among the subfields in the one frame.
[0017]
Further, in another aspect of the present invention, the driving method of the electro-optical device (modified example of FIG. 8B) divides one frame into a plurality of subfields, and a plurality of pixels arranged in a matrix form A method of driving an electro-optical device that performs gradation display by setting an on or off state for each subfield, the step of storing gradation data of each pixel in a memory (320 to 323), and the memory And setting each pixel to an on or off state for each subfield based on the gradation data stored in the first frame (nth frame) and the longest first subfield (nth frame). SF4) is started, the process of setting the on or off state of each pixel (writing period Tr), and after the on or off state of each pixel is set, the memory (320 to 323) The process of setting (setting to H level) the write enable signal (DW) so as to allow the rewriting of the contents, and the second frame ( Starting the second subfield (SF0, or the normally off subfield in the modified example) in which the ON or OFF state is determined regardless of the gradation data, at the beginning of the (n + 1th frame), Setting the write enable signal (DW) so as to allow rewriting of the contents of the memories (320 to 323) during the sub-field period, and setting the first and second sub In order to prohibit the rewriting of the contents of the memory (320 to 323) during at least a part of the subfield other than the field, And having a set of enable signal (DW) (to L level) process.
[0018]
In another aspect of the present invention, the driving method of the electro-optical device (modified example of FIG. 9A) divides one frame into a plurality of subfields, and a plurality of pixels arranged in a matrix form. A method of driving an electro-optical device that performs gradation display by setting an on or off state for each subfield, the step of storing gradation data of each pixel in a memory (320 to 323), and the memory A pixel state setting process for setting each pixel to an on or off state for each subfield based on the gradation data stored in the first subfield, and a first sub provided at the end of the frame among the subfields In the first group of subfields (SF4, SF0, SF1) including the field (SF4) and the other second subfield (SF1), the first subfield The contents of the memories (320 to 323) are allowed to be rewritten (the write enable signal DW is set to the H level) except for a period (write period Tr) in which the on or off state of each pixel is set in the memory. The rewriting of the contents of the memories (320 to 323) is prohibited during the process and at least a part of the second group subfields (SF2, SF3) other than the first group subfield (the write enable signal DW is set). And at least one subfield of the second group of subfields (SF2, SF3) is longer than the second subfield (SF1).
In the electro-optical device driving method, the first group of subfields may include a third subfield (SF0) in which an on or off state is determined regardless of gradation data.
[0019]
In another aspect of the present invention, the driving method of the electro-optical device (modified example of FIG. 9B) divides one frame into a plurality of subfields, and a plurality of pixels arranged in a matrix form. A driving method of an electro-optical device that performs gradation display by setting an on or off state for each subfield, wherein the memories (320 to 322, 402, 404) storing gradation data of each pixel In the process of storing the gradation data of each pixel, for the data of the first group subfield (SF4) including at least the first subfield (SF4) provided at the end of the frame, every frame The process of storing the gradation data of each pixel in a memory composed of two blocks (memory blocks 402 and 404) that are alternately written, and the first group In the subfield (SF4) of FIG. 5, in the process of reading the corresponding data from the non-written side block, and in the second group subfield (subfield SF1 to SF3) other than the first group subfield, A process of reading corresponding data from the memory, a pixel state setting process of setting each pixel to an on or off state based on the read data in each subfield of the first and second groups, A period (writing period) in which the ON or OFF state of each pixel is set in a first subfield (SF3) which is a subfield belonging to two groups and is provided immediately before the subfield of the first group is started. A period excluding (Tr) and a subfield (SF4) belonging to the first group. , The process of allowing rewriting of the contents of the memories (320 to 322, 402, 404) (setting the write enable signal DW to H level) and at least a part of the other subfields belonging to the second group And rewriting the contents of the memories (320 to 322, 402, 404) in the period (SF2, SF3) (setting the write enable signal DW to L level).
[0020]
  In addition, the drive circuit of the electro-optical device according to the present invention divides one frame into a plurality of subfields, and sets a plurality of pixels arranged in a matrix in an on or off state for each subfield. A drive circuit for an electro-optical device that performs gray scale display, which stores gradation data of each pixel and a memory (320 to 323) configured of two blocks for at least some subfields. And a data setting circuit (data line driving circuit 140) for setting each pixel to an on or off state for each subfield based on gradation data stored in the memory, and the two blocks. Complementary switching between the block where the gradation data is written and the block where the written gradation data is read out for the memory Characterized by comprising a that switching circuit (406-416).
According to another electro-optical device driving circuit of the present invention, one frame is divided into a plurality of subfields, and a plurality of pixels provided in a matrix are set to an on or off state for each subfield. A drive circuit for an electro-optical device that performs gradation display, the memory storing gradation data of each pixel, and the pixels for each subfield based on the gradation data stored in the memory A data line driving circuit to be set to an on or off state, and a period from when the on or off state of each pixel is set in the last subfield of each of the subfields until the end of the last subfield The memory contents can be rewritten in the memory, and the memory contents cannot be rewritten in at least a part of the other subfields. Characterized by comprising a timing signal generating circuit for generating a write enable signal for the.
According to another electro-optical device driving circuit of the present invention, one frame is divided into a plurality of subfields, and a plurality of pixels provided in a matrix are set to an on or off state for each subfield. A drive circuit for an electro-optical device that performs gradation display, the memory storing gradation data of each pixel, and the pixels for each subfield based on the gradation data stored in the memory A data line driving circuit that is set to an on or off state, and an on or off state of each pixel is set in the longest first subfield of the subframes provided at the end of the first frame. Data for setting the on or off state regardless of the gradation data in the second subfield provided at the beginning of the second frame following the first frame A drive circuit, allowing rewriting of the contents of the memory after the ON or OFF state of each pixel is set in the first subfield and during the second subfield, and A timing signal generation circuit that generates a write enable signal that prohibits rewriting of the contents of the memory during at least a part of a subfield other than the first and second subfields of a second frame. And
According to another electro-optical device driving circuit of the present invention, one frame is divided into a plurality of subfields, and a plurality of pixels provided in a matrix are set to an on or off state for each subfield. A drive circuit for an electro-optical device that performs gradation display, the memory storing gradation data of each pixel, and the pixels for each subfield based on the gradation data stored in the memory A data line driving circuit that is set to an on or off state, and a second sub-field having a first sub-field provided at the end of the first frame and a shortest period of the second frame following the first frame among the sub-fields. In the first group of subfields composed of successive subfields including the subfield, each pixel in the first subfield Except for the period in which the on or off state is set, rewriting of the contents of the memory is allowed, and at least one of the second group subfields other than the first group subfield in the first and second frames. And a timing signal generation circuit for generating a write enable signal for prohibiting rewriting of the contents of the memory during the period of the section.
According to another electro-optical device driving circuit of the present invention, one frame is divided into a plurality of subfields, and a plurality of pixels provided in a matrix are set to an on or off state for each subfield. A driving circuit of an electro-optical device that performs gradation display, and stores gradation data to be written in each pixel in a first subfield provided at the end of a frame, and writing is performed alternately every frame. A first memory composed of two blocks; a second memory for storing gradation data to be written in each pixel in a subfield other than the first subfield in the frame; and a memory immediately before the first subfield. Each pixel is turned on or off based on the gradation data of the second subfield read from the second memory in the second subfield. In the first subfield, each pixel is turned on or off based on the grayscale data of the first subfield read from the block on which data is not written out of the two blocks of the first memory in the first subfield. In a period excluding a data line driving circuit to be set and a period in which the on / off state of each pixel is set in the second subfield, the contents of the second memory are allowed to be rewritten, and the frame of the frame And a timing signal generation circuit that generates a write enable signal that prohibits rewriting of the contents of the second memory in at least a part of the subfield other than the first and second subfields.
  According to another aspect of the present invention, an electro-optical device includes any one of the electro-optical device driving circuits.
  According to another aspect of the present invention, an electronic apparatus includes the electro-optical device.
[0021]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
1. Configuration of the embodiment
1.1. overall structure
Next, the configuration of the electro-optical device according to the embodiment of the invention will be described with reference to FIG.
In the figure, the timing signal generation circuit 200 is supplied with a vertical synchronizing signal Vs, a horizontal synchronizing signal Hs and a dot clock signal DCLK of input gradation data D0 to D3 from a host device (not shown). Further, the oscillation circuit 150 supplies the basic clock RCLK of the read timing to the timing signal generation circuit 200. The timing signal generation circuit 200 generates various timing signals and clock signals described below according to these signals. First, the AC signal FR is a signal whose polarity is inverted every frame.
[0022]
The drive signal LCOM is a signal applied to the counter electrode of the counter substrate, and has a constant potential (zero potential) in the present embodiment. In the present embodiment, one frame is divided into a plurality of subfields SF0 to SF4, and gradation display is performed by turning on / off pixels for each subfield. The start pulse DY is a pulse signal that is output first in each subfield. The clock signal CLY is a signal that defines a horizontal scanning period on the scanning side (Y side). The latch pulse LP is a pulse signal output at the beginning of the horizontal scanning period, and is output when the level of the clock signal CLY is changed (that is, rising and falling). The clock signal CLX is a dot clock signal for display.
[0023]
Here, an outline of the subfield driving will be described with reference to the waveform of the start pulse DY in FIG. First, a subfield SF0 is provided at the beginning of the frame. The length of this subfield is set to a length that provides a boundary at which the liquid crystal transmittance rises from the lowest value (in the case of normally black) near 0%, that is, a length that gives a threshold voltage Vth.
[0024]
The subfields SF1 to SF4 are set to lengths having weights corresponding to the respective bits of the input gradation data D0 to D3. That is, the subfield SF1 corresponds to the gradation data D0 that is the least significant bit, and is set to a length that causes a change in transmittance corresponding to the on / off of the gradation data D0 by the on / off thereof. The subfields SF2, SF3, and SF4 are also set to lengths that cause a change in transmittance corresponding to the on / off of the gradation data D1, D2, and D3 depending on the on / off state. That is, the subfields SF2, SF3, and SF4 have lengths that are about twice, four times, and eight times that of the subfield SF1, respectively.
[0025]
Returning to FIG. 1, the timing signal generation circuit 200 outputs a write enable signal DW to a host device (not shown). The write enable signal DW is a signal that permits the host device to supply the input gradation data D0 to D3, that is, to update the memory blocks 320 to 323. The timing chart is shown in FIG. The write enable signal DW is set to the H level in the second half of the subfield SF4 of each frame, and allows the memory blocks 320 to 323 to be updated only within the period of the H level.
[0026]
Returning to FIG. 1, a plurality of scanning lines 112 are formed in the display region 101 a on the element substrate 101 so as to extend in the X (row) direction in the drawing. A plurality of data lines 114 are formed extending along the Y (column) direction. The pixels 110 are provided corresponding to the intersections of the scanning lines 112 and the data lines 114, and are arranged in a matrix. Here, the total number of scanning lines 112 is m, and the total number of data lines 114 is n (m and n are integers of 2 or more, respectively).
[0027]
1.2. Pixel configuration
As a specific configuration of the pixel 110, for example, the one shown in FIG. In this configuration, the gate of the thin film transistor (TFT) 116 is connected to the scanning line 112, the source is connected to the data line 114, and the drain is connected to the pixel electrode 118, and the electro-optic is provided between the pixel electrode 118 and the counter electrode 108. A liquid crystal layer is formed by sandwiching a liquid crystal 105 as a material. Here, the counter electrode 108 is a transparent electrode formed on one surface of the counter substrate so as to face the pixel electrode 118. In addition, a storage capacitor 119 is formed in parallel with the pixel electrode 118 and the counter electrode 108 to reduce the influence on display due to leakage of charge from the pixel electrode 118. In this embodiment, one potential of the storage capacitor 119 is set to the same potential as the counter electrode 108, but may be set to the same potential as the ground potential GND or the potential of the gate line.
[0028]
Here, in the configuration shown in FIG. 2A, since only one channel type is used as the transistor 116, an offset voltage is required. However, as shown in FIG. If the channel transistor and the N channel transistor are combined in a complementary manner, the influence of the offset voltage can be canceled. However, in this complementary configuration, it is necessary to supply mutually exclusive levels as scanning signals, so two scanning lines 112a and 112b are required for one row of pixels 110.
[0029]
1.3. Scan line driving circuit 130
The description returns to FIG. 1 again. The scanning line driving circuit 130 transfers the start pulse DY supplied at the beginning of the subfield according to the clock signal CLY, and sequentially supplies each of the scanning lines 112 exclusively as the scanning signals G1, G2, G3,. To do.
[0030]
1.4. Data conversion circuit 300
The data conversion circuit 300 converts the input gradation data D0 to D2 input in synchronization with the dot clock signal DCLK into a data signal Ds that is synchronized with the clock signal CLX and outputs the data signal Ds. Here, the detailed configuration of the data conversion circuit 300 will be described with reference to FIG. In the figure, reference numerals 320 to 323 denote memory blocks, which are provided for storing the gradation data D0 to D3, respectively, and are each an m × n bit memory corresponding to the display area (m rows × n columns) of the element substrate 101. Have a space.
[0031]
The memory blocks 320 to 323 are configured so that write and read operations can be executed asynchronously and independently. A write address control unit 310 supplies the write enable signal WE and the write address WAD to the memory blocks 320 to 323 in synchronization with the vertical synchronization signal Vs, the horizontal synchronization signal Hs, and the dot clock signal DCLK.
[0032]
That is, the write address control unit 310 counts up the dot clock signal DCLK, outputs the count result as the write address WAD, and outputs the write enable signal WE every time the value of the write address WAD is determined. The count result in the write address control unit 310 is reset every time the vertical synchronization signal Vs is input. As a result, the memory block 320 to 323 is supplied with the write address WAD for sequentially accessing the m × n-bit memory space, and the gradation data D0 to D3 is set to an address corresponding to the display position of the corresponding memory block. It will be stored sequentially.
[0033]
The display address controller 330 outputs an address signal RAD for accessing the bit data of the corresponding display row when each of the subfield periods is started. The address signal RAD is incremented “n−1” times in accordance with the number of display columns in synchronization with the clock signal CLX. As a result, an address signal RAD for sequentially accessing the bits in the first column to the n-th column for the corresponding display row is output. Further, the read signal RD0 is always enabled during the subfield SF1. However, read signals RD1, RD2, and RD3 are always turned off in subfield SF1. As a result, only the memory block 320 can be read, and the other memory blocks are in a read-inhibited state. Then, the gradation data D0 of the least significant bit of the gradation data in the first column to the n-th column of the corresponding display row is read from the memory block 320.
[0034]
Further, the read signal RD1 is always enabled during the subfield SF2. However, read signals RD0, RD2, and RD3 are always turned off in subfield SF2. As a result, only the memory block 321 is accessed, and the second bit gradation data D1 is read from the lower order of the gradation data. Similarly, read signals RD2 and RD3 are enabled during subfields SF3 and SF4, respectively, and other read signals are turned off. As a result, the memory blocks 322 and 323 are sequentially accessed, and the gradation data D2 and D3 are sequentially read out. Further, when the subfield SF0 is started, the ON signal S_on is fixed to the H level for the period of n cycles of the clock signal CLX. The OR circuit 332 outputs the logical sum of the gradation data D0 to D3 and the ON signal S_on as the data signal Ds.
[0035]
1.5. Data line driving circuit 140
Next, the data line driving circuit 140 sequentially latches n data signals Ds corresponding to the number of data lines 114 in a certain horizontal scanning period, and then latches the n data signals Ds in the next horizontal scanning period. The data signals d1, d2, d3,... Dn are simultaneously supplied to the corresponding data lines 114 via the potential selection circuit 1440. Here, the specific configuration of the data line driving circuit 140 is as shown in FIG. That is, the data line driving circuit 140 includes an X shift register 1410, a first latch circuit 1420, a second latch circuit 1430, and a potential selection circuit 1440.
[0036]
Among them, the X shift register 1410 transfers the latch pulse LP supplied at the beginning of the horizontal scanning period in accordance with the clock signal CLX, and sequentially supplies the latch signals S1, S2, S3,. . Next, the first latch circuit 1420 sequentially latches the data signal Ds at the falling edge of the latch signals S1, S2, S3,..., Sn. Then, the second latch circuit 1430 latches each of the data signals Ds latched by the first latch circuit 1420 at the falling edge of the latch pulse LP, and transfers the data signals Ds to the potential selection circuit 1440.
[0037]
The potential selection circuit 1440 converts these latched binary signals into potentials based on the alternating signal FR and applies them to the data lines 114 as data signals d1, d2, d3,. That is, if the AC signal FR is at the L level, the H level of the data signals d1, d2, d3,... Dn is converted to the potential V1, and the L level is converted to the zero potential. On the other hand, if the alternating signal FR is at the H level, the H level of the data signals d1, d2, d3,... Dn is converted to the potential -V1, and the L level is converted to the zero potential.
[0038]
1.6. Configuration of liquid crystal device
The structure of the above-described electro-optical device will be described with reference to FIGS. 6 (a) and 6 (b). 1A is a plan view showing the configuration of the electro-optical device 100, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG. As shown in these drawings, the electro-optical device 100 includes a device substrate 101 on which a pixel electrode 118 and the like are formed and a counter substrate 102 on which a counter electrode 108 and the like are formed with a certain gap between each other by a sealant 104. And a liquid crystal 105 as an electro-optic material is sandwiched between the gaps. Actually, the sealing material 104 has a cut-out portion, and after the liquid crystal 105 is sealed through this, the sealing material 104 is sealed with a sealing material, but is omitted in these drawings. Here, the element substrate 101 and the counter substrate 102 are amorphous substrates such as glass and quartz. The pixel electrode 118 and the like are formed by TFTs formed by depositing a semiconductor film on the element substrate 101. That is, the electro-optical device 100 is used as a transmission type.
[0039]
Now, in the element substrate 101, a light shielding film 106 is provided inside the sealing material 104 and outside the display area 101a. In the region where the light shielding film 106 is formed, the scanning line driving circuit 130 is formed in the region 130a, and the data line driving circuit 140 is formed in the region 140a. That is, the light shielding film 106 prevents light from entering the drive circuit formed in this region. A drive signal LCOM is applied to the light shielding film 106 together with the counter electrode 108. For this reason, in the region where the light-shielding film 106 is formed, the voltage applied to the liquid crystal layer is almost zero, so that the display state is the same as the voltage non-application state of the pixel electrode 118.
[0040]
In the element substrate 101, a plurality of connection terminals are formed outside the region 140a where the data line driving circuit 140 is formed, and the sealant 104 is separated, and control signals and power from the outside are formed. And so on. On the other hand, the counter electrode 108 of the counter substrate 102 is electrically connected to the light-shielding film 106 and the connection terminal in the element substrate 101 by a conductive material (not shown) provided in at least one of the four corners of the substrate bonding portion. Conduction is achieved. That is, the drive signal LCOM is applied to the light shielding film 106 via a connection terminal provided on the element substrate 101 and further to the counter electrode 108 via a conductive material.
[0041]
In addition, the counter substrate 102 is first provided with a color filter arranged in a stripe shape, a mosaic shape, a triangle shape, or the like according to the use of the electro-optical device 100, for example, if it is a direct view type. Second, a light shielding film (black matrix) made of, for example, a metal material or resin is provided. In the case of use of color light modulation, for example, when used as a light valve of a projector described later, no color filter is formed. In the case of the direct-view type, the electro-optical device 100 is provided with a front light that emits light from the counter substrate 102 side or a backlight that emits light from the element substrate 101 side as necessary. In addition, the electrode formation surfaces of the element substrate 101 and the counter substrate 102 are each provided with an alignment film (not shown) that is rubbed in a predetermined direction to define the alignment direction of the liquid crystal molecules when no voltage is applied. On the other hand, the element substrate 101 and the counter substrate 102 are provided with polarizing plates (not shown) corresponding to the alignment direction. However, if a polymer dispersion type liquid crystal dispersed as fine particles in a polymer is used as the liquid crystal 105, the above-described alignment film, polarizer and the like are not required, so that the light utilization efficiency is increased. This is effective in terms of reducing power consumption.
[0042]
2. Operation of the embodiment
Next, the operation of the electro-optical device according to the above-described embodiment will be described. FIG. 7 is a timing chart for explaining the operation of the electro-optical device. First, the alternating signal FR is a signal whose polarity is inverted every frame (1F). On the other hand, the start pulse DY is supplied at the start of each subfield.
[0043]
Here, when the start pulse DY is supplied in one frame (1F) in which the AC signal FR is at the L level, the scanning signal is transferred by the scanning line driving circuit 130 (see FIG. 1) according to the clock signal CLY. G1, G2, G3,..., Gm are sequentially output exclusively in the writing period Tr. Note that the writing period Tr is set to a period equivalent to or shorter than the shortest subfield SF1.
[0044]
The scanning signals G1, G2, G3,..., Gm each have a pulse width corresponding to a half cycle of the clock signal CLY, and the scanning signal G1 corresponding to the first scanning line 112 counted from above is After the start pulse DY is supplied, the clock signal CLY rises for the first time and is output after being delayed by at least a half cycle of the clock signal CLY. Therefore, one shot (G0) of the latch pulse LP is supplied to the data line driving circuit 140 after the start pulse DY is supplied and before the scanning signal G1 is output.
[0045]
Consider a case where one shot (G0) of the latch pulse LP is supplied. First, when one shot (G0) of the latch pulse LP is supplied to the data line driving circuit 140, the latch signals S1, S2, and S2 are transferred by the transfer according to the clock signal CLX in the data line driving circuit 140 (see FIG. 4). S3,..., Sn are sequentially output exclusively in the horizontal scanning period (1H). The latch signals S1, S2, S3,..., Sn each have a pulse width corresponding to a half cycle of the clock signal CLX.
[0046]
At this time, the first latch circuit 1420 in FIG. 4 corresponds to the intersection of the first scanning line 112 counted from the top and the first data line 114 counted from the left at the falling edge of the latch signal S1. The data signal Ds to the pixel 110 is latched, and then corresponds to the intersection of the first scanning line 112 counted from the top and the second data line 114 counted from the left at the falling edge of the latch signal S2. The data signal Ds to the pixel 110 is latched. Similarly, the data signal to the pixel 110 corresponding to the intersection of the first scanning line 112 counted from the top and the nth data line 114 counted from the left is similarly described below. Latch Ds.
[0047]
Thereby, first, the data signal Ds for one row corresponding to the intersection with the first scanning line 112 from the top in FIG. 1 is latched dot-sequentially by the first latch circuit 1420. Needless to say, the data conversion circuit 300 converts the grayscale data D0 to D3 of each pixel into the data signal Ds and outputs it in accordance with the latch timing of the first latch circuit 1420.
[0048]
Next, when the clock signal CLY falls and the scanning signal G1 is output, the first scanning line 112 counted from the top in FIG. 1 is selected, and as a result, the pixel corresponding to the intersection with the scanning line 112 is selected. All 110 transistors 116 are turned on. On the other hand, the latch pulse LP is output at the falling edge of the clock signal CLY. Then, at the falling timing of the latch pulse LP, the second latch circuit 1430 receives the data signal Ds latched dot-sequentially by the first latch circuit 1420 via the potential selection circuit 1440. The data signals d1, d2, d3,..., Dn are simultaneously supplied to each of the lines 114. Therefore, the data signals d1, d2, d3,..., Dn are simultaneously written in the pixels 110 in the first row counting from the top.
[0049]
In parallel with this writing, the first latch circuit 1420 latches the data signal Ds for one row corresponding to the intersection with the second scanning line 112 from the top in FIG. Thereafter, the same operation is repeated until the scanning signal Gm corresponding to the mth scanning line 112 is output. That is, in one horizontal scanning period (1H) in which a certain scanning signal Gi (i is an integer satisfying 1 ≦ i ≦ m) is output, data for one row of the pixels 110 corresponding to the i-th scanning line 112. The writing of the signals d1, d2, d3,... Dn and the dot sequential latching of the data signal Ds for one row of the pixels 110 corresponding to the (i + 1) th scanning line 112 are performed in parallel. become. Note that the data signal written to the pixel 110 is held until writing in the next subfield.
[0050]
Thereafter, the same operation is repeated every time the start pulse DY that defines the start of the subfield is supplied. However, in the subfield SF0, the level of the data signal Ds is always H level. Furthermore, even when the AC signal FR is inverted to H level after one frame has elapsed, the same operation is repeated in each subfield.
[0051]
Here, as shown in FIG. 8A, in the subfield SF4, the write enable signal DW rises to the H level in the memory update period Tdw1 from the end of the write period Tr to the end of the subfield SF4. Raised. In other periods, the write enable signal DW is set to L level. Therefore, in this memory update period Tdw1, the gradation data in the memory blocks 320 to 323 is updated as appropriate by the host device.
[0052]
Even if the contents of the memory blocks 320 to 323 are updated within the memory update period Tdw1, since the writing to the pixel 110 has already been completed, there is no influence on the display in the frame. From the next frame, normal display is performed based on the updated gradation data. One feature of this embodiment is that a memory update period Tdw1 is provided after the end of the write period Tr of the longest subfield SF4. A relatively long continuous period is avoided while avoiding the write period Tr of each subfield. Can be assigned to the memory update period Tdw1.
[0053]
3. Specific examples of electronic devices
3.1. projector
Next, some examples in which the above-described electro-optical device is used in a specific electronic apparatus will be described.
First, a projector 5400 that is a projection display device using the electro-optical device according to the above-described embodiment as a light valve will be described.
FIG. 10A is a schematic configuration diagram showing a main part of the projection display device. In the drawing, 5431 is a light source, 5442 and 5444 are dichroic mirrors, 5443, 5448 and 5449 are reflection mirrors, 5445 is an entrance lens, 5446 is a relay lens, 5447 is an exit lens, and 100R, 100G and 100B are liquid crystals by the electro-optical device. An optical modulator, 5451 is a cross dichroic prism, and 5437 is a projection lens. The light source 5431 includes a lamp 5440 such as a metal halide and a reflector 5441 that reflects the light of the lamp. The blue light / green light reflecting dichroic mirror 5442 transmits red light out of the light flux from the light source 5431 and reflects blue light and green light. The transmitted red light is reflected by the reflection mirror 5443 and is incident on the liquid crystal light modulator for red light 100R. On the other hand, of the color light reflected by the dichroic mirror 5442, green light is reflected by the dichroic mirror 5444 that reflects green light and is incident on the liquid crystal light modulator for green light 100G.
[0054]
On the other hand, the blue light also passes through the second dichroic mirror 5444. For blue light, in order to prevent light loss due to a long optical path, a light guide means including a relay lens system including an incident lens 5445, a relay lens 5446, and an output lens 5447 is provided, through which blue light is converted into blue light. Incident on the liquid crystal light modulation device 100B. The three color lights modulated by the respective light modulation devices are incident on the cross dichroic prism 5451. In this prism, four right-angle prisms are bonded together, and a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are formed in a cross shape on the inner surface. These dielectric multilayer films combine the three color lights to form light representing a color image. The combined light is projected onto the screen 5452 by the projection lens 5437 which is a projection optical system, and the image is enlarged and displayed.
[0055]
3.2. Mobile computer
Next, an example in which the electro-optical device is applied to a mobile personal computer will be described. FIG. 10B is a front view showing the configuration of this personal computer. In the figure, a mobile computer 5200 includes a main body 5204 having a keyboard 5202 and a display unit 5206. The display unit 5206 is configured by adding a backlight behind the electro-optical device 100 described above.
[0056]
3.3. Mobile phone
Further, an example in which the electro-optical device is applied to a mobile phone will be described. FIG.10 (c) is a front view which shows the structure of this mobile telephone. In the figure, a cellular phone 5300 includes the electro-optical device 100 in addition to a plurality of operation buttons 5302 as well as an earpiece 5304 and a mouthpiece 5306. The electro-optical device 100 is also provided with a backlight behind it as necessary.
[0057]
3.4. Other
In addition to the above-described electronic devices, liquid crystal televisions, viewfinder type, monitor direct-view type video tape recorders, car navigation devices, pagers, electronic notebooks, calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, Examples include a device equipped with a touch panel. Needless to say, the above-described electro-optical device can be applied to these various electronic devices.
[0058]
Four. Modified example
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made as follows, for example.
(1) In the embodiment described above, the period excluding the write period Tr of the longest subfield SF4 is the memory update period Tdw1, but as shown in FIG. 8B, the write period of the subfield SF4 The period Tdw2 from the end of Tr to the end of the first subfield SF0 of the next frame may be set as the memory update period, and the write enable signal DW may be set to the H level. Thereby, a longer memory update period can be secured. As described in FIG. 3, in the subfield SF0, the memory blocks 320 to 323 are not read, and the data signal Ds is uniquely determined by the ON signal S_on. Therefore, it is assumed that the memory blocks 320 to 323 are updated within this period. There will be no trouble.
[0059]
(2) If a longer memory update period is necessary, as shown in FIG. 9A, after the writing period Tr of the subfield SF4 ends, the subfield SF1 of the next frame ends. The period Tdw3 may be a memory update period, and the write enable signal DW may be set to H level. In this modification, the data signal Ds for the subfield SF1 of the next frame is not guaranteed, but since the subfield SF1 is the shortest subfield, the pseudo contour can be made almost inconspicuous.
[0060]
(3) If a longer memory update period is required, as shown in FIG. 9B, after the writing period Tr of the subfield SF3 ends, the subfield SF0 of the next frame ends. The period Tdw4 may be a memory update period, and the write enable signal DW may be set to H level. In this modification, in order to guarantee the data signal Ds in the subfield SF4, it is necessary to use a circuit in which the memory is duplicated as shown in FIG. 5 instead of the memory block 323 in FIG.
[0061]
In FIG. 5, reference numerals 402 and 404 denote memory blocks, which are configured in the same manner as the memory blocks 320 to 323. An AND circuit 406 supplies a logical product of the write enable signal WE and the alternating signal FR to the write enable terminal of the memory block 402. Thus, the gradation data D3 is written in the memory block 402 only in a frame in which the AC signal FR becomes H level. Reference numeral 408 denotes an inverter, and reference numeral 410 denotes an AND circuit. The logical product of the inverted signal / FR of the alternating signal FR and the write enable signal WE is supplied to the write enable terminal of the memory block 404. Thus, the gradation data D3 is written in the memory block 404 only in a frame in which the AC signal FR becomes L level.
[0062]
An AND circuit 412 supplies the logical product of the inverted signal / FR and the read signal RD3 to the read enable terminal of the memory block 402. As a result, stored data is read into the memory block 402 only in a frame in which the AC signal FR is at the L level, that is, a frame in which writing is not performed. Similarly, reference numeral 414 denotes an AND circuit that supplies a logical product of the alternating signal FR and the read signal RD3 to the read enable terminal of the memory block 402. As a result, the memory block 402 reads the stored data only in a frame in which the AC signal FR is at the H level, that is, a frame in which writing is not performed.
[0063]
The read results of the memory blocks 402 and 404 are supplied to the OR circuit 332 (see FIG. 3) via the OR circuit 416 as gradation data D3. As described above, in the present modification, frames in which writing and reading of the memory blocks 402 and 404 are permitted are switched in a complementary manner. Therefore, even if the gradation data D3 is written to one of the memory blocks 402 and 404 within or before the writing period Tr of the subfield SF4, it is understood that there is no influence on the data read from the other. .
[0064]
(4) Further, in the modification according to FIG. 5, the memory is duplicated only for the gradation data D3 which is the most significant bit, but the other gradation data D0 to D2 are similarly replaced with the memory blocks 320 to 322. The circuit may be used. When the memory is duplicated for all gradation data, the write enable signal DW can be set to the H level in almost all periods except for a short period during which the AC signal FR is switched.
[0065]
(5) In the above-described embodiment, the on period in which the pixels are always on is provided once in one frame period as the subfield SF0. However, not only the on period but also the off period in which the pixels are always off is included. May be provided. By providing both the on-section and the off-section in this way, the length of the on-section can be adjusted while the length of one frame period is fixed. Further, when the off period is provided adjacent to subfield SF4 or subfield SF0, the off period can be included in the memory update period.
[0066]
(6) In the above embodiment, the drive signal LCOM applied to the counter electrode 108 is zero potential, but the voltage applied to each pixel is shifted depending on the characteristics of the transistor 116, the storage capacitor 119, the capacitance of the liquid crystal, and the like. There is a case. In such a case, the level of the drive signal LCOM applied to the counter electrode 108 may be shifted according to the voltage shift amount.
[0067]
(7) In the above embodiment, the element substrate 101 constituting the electro-optical device is an amorphous substrate such as glass or quartz, and a semiconductor film is deposited on the element substrate 101 to form a TFT to be a transmission type. However, the present invention is not limited to this. For example, a reflective layer is provided on the element substrate 101 or the counter substrate 102, the element substrate 101 is formed of an opaque semiconductor substrate, the dot electrode 118 is formed of a reflective metal such as aluminum, and the counter substrate 102 is formed. When configured from glass or the like, the electro-optical device 100 can be used as a reflection type.
[0068]
(8) Further, although the above embodiment has described an example in which the present invention is applied to an electro-optical device using liquid crystal, other electro-optical devices, in particular, pixels that perform binary display of on or off are used. Thus, the present invention can be applied to all electro-optical devices that perform gradation display. As such an electro-optical device, an electroluminescence device or a plasma display can be considered. In particular, in the case of an organic electroluminescence device, there is no need to perform AC driving as in liquid crystal, and polarity inversion is not necessary.
[0069]
【Effect of the invention】
As described above, according to the present invention, after the ON or OFF state of each pixel is set in the last subfield, the memory contents can be rewritten within the period until the last subfield is completed. Since measures such as this are taken, image degradation due to pseudo contour lines can be prevented.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram illustrating an electrical configuration of an electro-optical device according to an embodiment of the invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration example of a pixel in the embodiment.
FIG. 3 is a block diagram of a data conversion circuit 300 in the embodiment.
4 is a block diagram of a data line driving circuit 140 in the embodiment. FIG.
FIG. 5 is a circuit diagram of a main part of a data conversion circuit 300 in the modification of FIG. 9B.
FIG. 6 is a structural diagram of the electro-optical device in the embodiment.
FIG. 7 is a timing chart of the electro-optical device according to the embodiment.
FIG. 8 is a timing chart of a write enable signal DW in the embodiment and the modification example.
FIG. 9 is a timing chart of a write enable signal DW in another modified example.
FIG. 10 is a diagram illustrating examples of various electronic devices to which the electro-optical device is applied.
FIG. 11 is a diagram for explaining a problem of a conventional technique.
[Explanation of symbols]
100: Electro-optical device
101: Element substrate
101a ... display area
102. Counter substrate
104 ... Sealing material
105 ... Liquid crystal
106: light shielding film
107 ... area
108 ... Counter electrode
110 ... pixel
112 ... Scanning line
114 ... data line
116: Thin film transistor
118: Pixel electrode
119 ... Storage capacity
130: Scanning line driving circuit
140: Data line driving circuit (data setting circuit)
150: Oscillator circuit
200: Timing signal generation circuit
300: Data conversion circuit
310: Write address control unit
320 to 323 ... memory block
330: Display address control unit
332: OR circuit
402, 404 ... memory block
406 ... AND circuit (switching circuit)
408 ... Inverter (switching circuit)
410: AND circuit (switching circuit)
412 ... AND circuit (switching circuit)
414 ... AND circuit (switching circuit)
416: OR circuit (switching circuit)
501 ... Background image
502 ... rectangular image
503 ... Black contour
504 ... White contour

Claims (8)

1フレームを複数のサブフィールドに分割し、マトリクス状に設けられた複数の画素を前記サブフィールド毎にオンまたはオフ状態に設定することによって階調表示を行う電気光学装置の駆動回路であって、
前記各画素の階調データを記憶するメモリと、
前記メモリに記憶された階調データに基づいて前記各サブフィールド毎に前記各画素をオンまたはオフ状態に設定するデータ線駆動回路と、
前記各サブフィールドのうち最後のサブフィールド内で前記各画素のオンまたはオフ状態が設定された後、前記最後のサブフィールドが終了するまでの期間内に前記メモリの内容の書き換えを許容するとともに、他のサブフィールドの少なくとも一部の期間において前記メモリの内容の書き換えを禁止する書込みイネーブル信号を生成するタイミング信号生成回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
A drive circuit for an electro-optical device that performs gradation display by dividing one frame into a plurality of subfields and setting a plurality of pixels provided in a matrix in an on or off state for each subfield,
A memory for storing gradation data of each pixel;
A data line driving circuit for setting each pixel to an on or off state for each subfield based on gradation data stored in the memory;
After the on / off state of each pixel is set in the last subfield among the subfields, the memory contents can be rewritten within a period until the last subfield is completed, A timing signal generation circuit for generating a write enable signal for prohibiting rewriting of the contents of the memory in at least a part of a period of another subfield;
An electro-optical device driving circuit comprising:
前記最後のサブフィールドは、前記1フレーム内のサブフィールドのうち最も長い期間を有するサブフィールドであることを特徴とする請求項1記載の電気光学装置の駆動回路。  2. The electro-optical device driving circuit according to claim 1, wherein the last subfield is a subfield having the longest period among the subfields in the one frame. 1フレームを複数のサブフィールドに分割し、マトリクス状に設けられた複数の画素を前記サブフィールド毎にオンまたはオフ状態に設定することによって
階調表示を行う電気光学装置の駆動回路であって、
前記各画素の階調データを記憶するメモリと、
前記メモリに記憶された階調データに基づいて前記各サブフィールド毎に前記各画素をオンまたはオフ状態に設定するデータ線駆動回路と、
第1フレームの最後に設けられ前記第1フレームの前記各サブフィールドのうち最も長い第1サブフィールド内で前記各画素のオンまたはオフ状態を設定し、前記第1フレームに続く第2フレームの最初に設けた第2サブフィールド内で前記階調データに拘らずオンまたはオフ状態を設定し、前記第1サブフィールド内で前記各画素のオンまたはオフ状態が設定された後と前記第2サブフィールドの期間中とにおいて前記メモリの内容の書き換えを許容し、前記第1および第2フレームの前記第1および第2のサブフィールド以外のサブフィールドの少なくとも一部の期間において前記メモリの内容の書き換えを禁止する書込みイネーブル信号を生成するタイミング信号生成回路と、
を有することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
A drive circuit for an electro-optical device that performs gradation display by dividing one frame into a plurality of subfields and setting a plurality of pixels provided in a matrix in an on or off state for each subfield,
A memory for storing gradation data of each pixel;
A data line driving circuit for setting each pixel to an on or off state for each subfield based on gradation data stored in the memory;
The on / off state of each pixel is set in the longest first subfield of the first frame provided at the end of the first frame, and the first of the second frame following the first frame is set. set the regardless oN or oFF state to the gradation data in a second subfield provided in front Symbol before Symbol after on or off state of each pixel is set within the first subfield a rewriting the contents of the previous SL memory in the duration of the second subfield is allowable, the memory at least part of the period of a subfield other than the first and second sub-fields of the first and second frame A timing signal generation circuit for generating a write enable signal for prohibiting rewriting of the contents of
A drive circuit for an electro-optical device, comprising:
1フレームを複数のサブフィールドに分割し、マトリクス状に設けられた複数の画素を前記サブフィールド毎にオンまたはオフ状態に設定することによって階調表示を行う電気光学装置の駆動回路であって、
前記各画素の階調データを記憶するメモリと、
前記メモリに記憶された階調データに基づいて前記各サブフィールド毎に前記各画素をオンまたはオフ状態に設定するデータ線駆動回路と、
前記各サブフィールドのうち、第1フレームの最後に設けられる第1サブフィールドと前記第1フレームに続く第2フレームの最も短い期間を有する第2サブフィールドとを含む連続するサブフィールドで構成する第1グループのサブフィールドにおいて、前記第1のサブフィールド内で前記各画素のオンまたはオフ状態が設定される期間を除いて、前記メモリの内容の書き換えを許容するとともに、前記第1および第2フレームにおける前記第1グループのサブフィールド以外の第2グループのサブフィールドの少なくとも一部の期間において前記メモリの内容の書き換えを禁止する書込みイネーブル信号を生成するタイミング信号生成回路と、
を有することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
A drive circuit for an electro-optical device that performs gradation display by dividing one frame into a plurality of subfields and setting a plurality of pixels provided in a matrix in an on or off state for each subfield,
A memory for storing gradation data of each pixel;
A data line driving circuit for setting each pixel to an on or off state for each subfield based on gradation data stored in the memory;
Of each of the subfields, a first subfield provided at the end of the first frame and a second subfield including a second subfield having the shortest period of the second frame following the first frame are provided. In one group of subfields, the contents of the memory are allowed to be rewritten except for a period during which the on / off state of each pixel is set in the first subfield, and the first and second frames A timing signal generation circuit for generating a write enable signal for prohibiting rewriting of the contents of the memory in a period of at least a part of a subfield of the second group other than the subfield of the first group in
A drive circuit for an electro-optical device, comprising:
前記第1グループのサブフィールドは、階調データに拘らずオンまたはオフ状態が決定する第3のサブフィールドを含むことを特徴とする請求項4記載の電気光学装置の駆動回路。  5. The drive circuit of an electro-optical device according to claim 4, wherein the first group of subfields includes a third subfield in which an on or off state is determined regardless of gradation data. 1フレームを複数のサブフィールドに分割し、マトリクス状に設けられた複数の画素を前記サブフィールド毎にオンまたはオフ状態に設定することによって階調表示を行う電気光学装置の駆動回路であって、
フレームの最後に設けられる第1サブフィールドに前記各画素に書込まれる階調データを記憶し、1フレーム毎に交互に書込みが行われる2ブロックで構成される第1メモリと、
前記フレームにおける前記第1サブフィールド以外のサブフィールドに前記各画素に書込まれる階調データを記憶する第2メモリと、
前記第1サブフィールドの直前の第2サブフィールドにおいて前記第2メモリから読み出した前記第2サブフィールドの階調データに基いて前記各画素をオンまたはオフ状態に設定し、前記第1サブフィールドにおいて前記第1メモリの2ブロックのうち書込みが行われない側のブロックから読み出した前記第1サブフィールドの階調データに基いて前記各画素をオンまたはオフ状態に設定するデータ線駆動回路と、
前記第2サブフィールド内で前記各画素のオンまたはオフ状態が設定される期間を除く期間において、前記第2メモリの内容の書き換えを許容するとともに、前記フレームの前記第1及び第2サブフィールド以外のサブフィールドのうち少なくとも一部の期間において前記第2メモリの内容の書き換えを禁止する書込みイネーブル信号を生成するタイミング信号生成回路と、
を有することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
A drive circuit for an electro-optical device that performs gradation display by dividing one frame into a plurality of subfields and setting a plurality of pixels provided in a matrix in an on or off state for each subfield,
A first memory comprising two blocks in which gradation data to be written to each pixel is stored in a first subfield provided at the end of a frame, and writing is performed alternately every frame;
A second memory for storing gradation data written to each pixel in a subfield other than the first subfield in the frame;
In the second subfield immediately before the first subfield, each pixel is set to an on or off state based on the grayscale data of the second subfield read from the second memory. In the first subfield, A data line driving circuit for setting each of the pixels to an on or off state based on the gradation data of the first subfield read from a block on which data is not written out of the two blocks of the first memory;
In the second subfield, the contents of the second memory are allowed to be rewritten in a period excluding a period in which the on / off state of each pixel is set, and other than the first and second subfields of the frame. A timing signal generation circuit for generating a write enable signal for prohibiting rewriting of the contents of the second memory in at least a part of the subfield of
A drive circuit for an electro-optical device, comprising:
請求項1乃至6のいずれかに記載の電気光学装置の駆動回路を有することを特徴とする電気光学装置。  An electro-optical device comprising the drive circuit for the electro-optical device according to claim 1. 請求項7記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。  An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 7.
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