JP5188714B2 - Surface acoustic wave device - Google Patents
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Description
本発明は、表面弾性波デバイスに係り、特に、圧電性の基板の表面上に櫛歯電極および反射電極を有するSAW(Surface Acoustic Wave:表面弾性波)フィルタに好適に利用できる表面弾性波デバイスに関する。 The present invention relates to a surface acoustic wave device, and more particularly to a surface acoustic wave device that can be suitably used for a SAW (Surface Acoustic Wave) filter having a comb-tooth electrode and a reflective electrode on the surface of a piezoelectric substrate. .
図4は従来の表面弾性波デバイス101の一例を示している。従来の表面弾性波デバイス101においては、図4に示すように、圧電性基板102の圧電性の表面102a上に1対以上の櫛歯電極(図4においては上下方向に1列に配列された2対の櫛歯電極)103を有するとともに、その櫛歯電極103を挟む位置に反射電極104を有している。圧電性基板102は圧電性を有するため、当該圧電性基板102に電気を印加すると圧電性基板102が伸縮し、また当該圧電性基板102に応力を印加すると圧電性基板102に電気が発生する。また、櫛歯電極103は圧電性基板102に対する電気の出入口となる。この圧電特性を利用することにより、表面弾性波デバイス101はSAWフィルタや変圧器として利用されている(特許文献1を参照)。
FIG. 4 shows an example of a conventional surface
ここで、従来の櫛歯電極103および反射電極104に用いられる材料としては、Al、Cu、Ag、Au等またはそれらの1元素を主成分とする金属が選択される。特に、櫛歯電極103および反射電極104の耐マイグレーション性および形成容易性を考慮する場合においてはAlが選択されていた。また、櫛歯電極103および反射電極104の耐電力性を向上させたい場合においてはCuが選択されていた。
Here, as a material used for the
しかしながら、高い耐マイグレーション性を有するAlを櫛歯電極103および反射電極104に用いた場合、Alの耐電力性が乏しいことから電圧を上昇させたときにAl原子が激しく振動してAlが飛び散ってしまい、櫛歯電極103または反射電極104が断線してしまうおそれがあった。
However, when Al having high migration resistance is used for the comb-
一方、高い耐電力性を有するCuを櫛歯電極103および反射電極104に用いた場合、図5および図6に示すように、櫛歯電極103および反射電極104の電極指105、106において他の櫛歯電極103または反射電極104の電極指105、106に隣接している隣接電極指105A、106Aと他の隣接電極指105A、106Aとの間に電圧が印加されると、Cuの耐マイグレーション性が乏しいことからそれぞれの隣接電極指105A、106A間にマイグレーション109が発生してしまうおそれがあった。
On the other hand, when Cu having high power durability is used for the comb-
また、表面弾性波デバイス101の製造工程の際には隣接電極指105A、106A間に電圧が印加されてしまうため、表面弾性波デバイス101を製造した段階においてすでに表面弾性波デバイス101が破壊されており、その表面弾性波デバイス101を組み込んだ製品が初期不良を生じてしまうおそれがあった。
In addition, since a voltage is applied between the
そこで、本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、各電極におけるマイグレーションの発生を防止しつつ、各電極の耐電力性を高めることができる表面弾性波デバイスを提供することを本発明の目的としている。 Accordingly, the present invention has been made in view of these points, and it is an object of the present invention to provide a surface acoustic wave device capable of improving the power durability of each electrode while preventing the occurrence of migration in each electrode. The purpose is.
前述した目的を達成するため、本発明の表面弾性波デバイスは、その第1の態様として、圧電性の表面を有する圧電性基板と、圧電性基板の表面において櫛歯状に配置された電極指をそれぞれ有しているとともに、電極指を交互に配置して形成されている1対または1列に配列された2対以上の櫛歯電極と、圧電性基板の表面において柵状に配置された電極指をそれぞれ有しており、1対または1列に配列された2対以上の櫛歯電極を挟む位置にそれぞれ形成されている1組の反射電極とを備えており、1対の櫛歯電極および反射電極の電極指において他の櫛歯電極または反射電極の電極指に隣接している隣接電極指は、当該隣接電極指以外の電極指より耐マイグレーション性に優れた第1金属を用いて形成されており、1対の櫛歯電極の電極指において隣接電極指以外の電極指は、第1金属よりも耐電力性に優れた第2金属を用いて形成されていることを特徴としている。なお、反射電極の電極指において隣接電極指以外の電極指は耐マイグレーション性も耐電力性も必要とされないので、第1金属または第2金属のいずれを用いても良いし、他の金属を用いても良い。 In order to achieve the above-described object, a surface acoustic wave device according to the present invention includes, as a first aspect, a piezoelectric substrate having a piezoelectric surface, and electrode fingers arranged in a comb shape on the surface of the piezoelectric substrate. And two or more pairs of comb electrodes arranged in a row or in a row formed by alternately arranging electrode fingers, and arranged in a fence shape on the surface of the piezoelectric substrate A pair of reflective electrodes each having an electrode finger and formed at positions sandwiching two or more pairs of comb-shaped electrodes arranged in a pair or in a row, In the electrode finger of the electrode and the reflective electrode, the adjacent electrode finger adjacent to the electrode finger of the other comb-teeth electrode or the reflective electrode is made of the first metal that has better migration resistance than the electrode fingers other than the adjacent electrode finger. Formed, and a pair of comb electrode electrodes The electrode fingers other than the adjacent electrode fingers in the finger is characterized by being formed with a second metal having excellent power durability than the first metal. In addition, since the electrode fingers other than the adjacent electrode fingers are not required to have migration resistance or power resistance in the electrode fingers of the reflective electrode, either the first metal or the second metal may be used, or another metal is used. May be.
本発明の第1の態様の表面弾性波デバイスによれば、マイグレーションの発生箇所となる隣接電極指について耐マイグレーションを向上させることができるとともに、マイグレーションの発生箇所とならない隣接電極指以外の電極指について耐電力性を向上させることができる。 According to the surface acoustic wave device of the first aspect of the present invention, it is possible to improve the migration resistance of the adjacent electrode fingers that are the places where the migration occurs, and the electrode fingers other than the adjacent electrode fingers that do not become the places where the migration occurs. Power durability can be improved.
本発明の第2の態様の表面弾性波デバイスは、第1の態様の表面弾性波デバイスにおいて、隣接電極指は、他の櫛歯電極または反射電極の電極指に対向している最外側の電極指であることを特徴としている。 The surface acoustic wave device according to the second aspect of the present invention is the surface acoustic wave device according to the first aspect, wherein the adjacent electrode finger is the outermost electrode facing the electrode finger of the other comb-tooth electrode or the reflective electrode. It is characterized by being a finger.
本発明の第2の態様の表面弾性波デバイスによれば、マイグレーションの発生箇所となる電極指が最外側の電極指であることを利用して隣接電極指を設定することにより、櫛歯電極および反射電極の耐マイグレーション性および耐電力性を効率よく向上させることができる。 According to the surface acoustic wave device of the second aspect of the present invention, by setting the adjacent electrode finger using the fact that the electrode finger that is the location of occurrence of migration is the outermost electrode finger, It is possible to efficiently improve the migration resistance and power resistance of the reflective electrode.
本発明の第3の態様の表面弾性波デバイスは、第1または第2の態様の表面弾性波デバイスにおいて、第1金属は、Alを主成分とする金属であることを特徴としている。 The surface acoustic wave device according to the third aspect of the present invention is characterized in that, in the surface acoustic wave device according to the first or second aspect, the first metal is a metal containing Al as a main component.
本発明の第3の態様の表面弾性波デバイスによれば、耐マイグレーション性だけでなく、電極指の形成容易性を向上させることができる。また、添加元素を微量添加することにより耐マイグレーション性を飛躍的に向上させることができる。 According to the surface acoustic wave device of the third aspect of the present invention, not only the migration resistance but also the ease of forming the electrode fingers can be improved. Further, migration resistance can be drastically improved by adding a small amount of an additive element.
本発明の第4の態様の表面弾性波デバイスは、第1から第3のいずれか1の態様の表面弾性波デバイスにおいて、第2金属は、Cuを主成分とする金属であることを特徴としている。 A surface acoustic wave device according to a fourth aspect of the present invention is the surface acoustic wave device according to any one of the first to third aspects, wherein the second metal is a metal containing Cu as a main component. Yes.
本発明の第4の態様の表面弾性波デバイスによれば、電極指にCuを用いると、例えば電極指にAlを用いた場合と比較して耐電力性を飛躍的に向上させることができる。 According to the surface acoustic wave device of the fourth aspect of the present invention, when Cu is used for the electrode fingers, for example, power durability can be drastically improved as compared with the case where Al is used for the electrode fingers.
本発明の表面弾性波デバイスによれば、マイグレーションの発生箇所となる電極指か否かに応じて電極指に用いる材料を選択しているので、各電極におけるマイグレーションの発生を防止しつつ、各電極の耐電力性を高めることができるという効果を奏する。 According to the surface acoustic wave device of the present invention, since the material used for the electrode finger is selected depending on whether or not the electrode finger is a migration occurrence location, There is an effect that it is possible to improve the power resistance of the.
以下、図1から図3を用いて、本発明の表面弾性波デバイスをその一実施形態により説明する。 Hereinafter, the surface acoustic wave device of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3 according to an embodiment thereof.
図1は、本実施形態の表面弾性波デバイス1の平面図を示している。本実施形態の表面弾性波デバイス1は、図1に示すように、圧電性基板2、櫛歯電極3および反射電極4を備えている。
FIG. 1 shows a plan view of a surface acoustic wave device 1 of the present embodiment. As shown in FIG. 1, the surface acoustic wave device 1 of the present embodiment includes a
圧電性基板2はその表面2aに圧電性を有するように平板状に形成されている。具体的には、本実施形態の圧電性基板2は、PbTiO3、BaTio3、LiNbO3、LiTiO3、KNbO3、LiTaO3、LiB4O7などの圧電性金属酸化物を用いて平板状に形成されていても良いし、平板状のサファイヤ基板やダイヤモンド基板の表面に圧電性金属酸化物を被覆して形成されていても良い。
The
櫛歯電極3は、図1に示すように、圧電性基板2の表面2aにおいて櫛歯状に配置された電極指5をそれぞれに有している。櫛歯電極3の電極指5の寸法および本数は櫛歯電極3から入出力する電気信号に応じて適宜変更される。また、櫛歯電極3の形成個数も同様に櫛歯電極3から入出力する電気信号に応じて適宜変更される。本実施形態の櫛歯電極3においては圧電性基板2の表面2aに4個形成されており、それらの電極指5が交互に配置されている。電極指5が交互に配置された2個の櫛歯電極3を1対の櫛歯電極3とすると、本実施形態の圧電性基板2の表面2aには1列(図1においては上下方向の列)に配列された2対の櫛歯電極3が形成されており、1対の櫛歯電極3ごとに電極パッド7が第1金属または第2金属を用いて形成されている。なお、第1金属および第2金属については後述する。
As shown in FIG. 1, the comb-
また、本実施形態の櫛歯電極3は、電極指5ごとに材料を異ならせて形成されている。1対の櫛歯電極3の電極指5のうち、他の櫛歯電極3または反射電極4の電極指5、6に隣接している隣接電極指5Aは、耐マイグレーション性に優れた第1金属を用いて形成されている。隣接電極指5Aの表面のみが第1金属を用いて形成されていてもよい。隣接電極指5Aは外側から2〜3本の電極指5であってもよいが、本実施形態の櫛歯電極3の隣接電極指5Aは他の櫛歯電極3または反射電極4の電極指5、6に対向している最外側の電極指5Cとなっている。また、第1金属としては、Al、Pt、Pd、Feなどの高い耐マイグレーション性を有する純金属またはAlCu、AlScCu、AlSiなどの合金化によって耐マイグレーション性が向上した金属を選択することができる。本実施形態の第1金属においては、Al純金属やAlに少量(例えば4wt%程度)のCuを添加した合金などのAlを主成分とする金属が用いられている。
Further, the
それに対して、隣接電極指5A(本実施形態においては最外側の電極指5C)以外の残りの電極指5Bは、第1金属よりも耐電力性に優れた第2金属を用いて形成されている。第2金属としては、Cu、CuAg、CuAl、CuSiなどの高い耐電力性を有する金属を選択することができる。本実施形態の第2金属においては、Cuが用いられている。
On the other hand, the
反射電極4は圧電性基板2の表面2aにおいて対になった櫛歯電極3の両端に1個ずつ計2個形成されている。図1に示すように、本実施形態においては2対の櫛歯電極3が1列に配列されているため、1列に配列された2対の櫛歯電極3を挟む位置に反射電極4がそれぞれ形成されている。また、反射電極4は、柵状に配置された電極指6をそれぞれ有している。反射電極4の電極指6の寸法および本数は櫛歯電極3から入出力する電気信号に応じて適宜変更される。
Two reflecting
また、反射電極4の全ての電極指6のうち、櫛歯電極3の電極指5に隣接している隣接電極指6Aは、耐マイグレーション性に優れた第1金属を用いて形成されている。前述した櫛歯電極3の隣接電極指5Aと同様、隣接電極指6Aは外側から2〜3本の電極指6であってもよいが、本実施形態の反射電極4の隣接電極指6Aは櫛歯電極3の電極指5に対向している最外側の電極指6Cとなっている。また、反射電極4における隣接電極指6A(本実施形態においては最外側の電極指6C)以外の残りの電極指6Bは、耐マイグレーション性も耐電力性も必要とされないので、第1金属または第2金属のいずれを用いても良いし、他の金属を用いても良い。
Of all the
ここで、図2および図3を用いて、櫛歯電極3の隣接電極指5A(本実施形態においては最外側の電極指5C)および反射電極4の隣接電極指6A(本実施形態においては最外側の電極指6C)の形成方法に係る例を2つ説明する。図2は第1金属のみを用いて櫛歯電極3の隣接電極指5Aおよび反射電極4の隣接電極指6Aを形成する第1の例の形成方法をA〜Cの順に示しており、図3は第2金属の表面に第1金属を被覆して櫛歯電極3の隣接電極指5Aおよび反射電極4の隣接電極指6Aを形成する第2の例の形成方法をA〜Cの順に示している。
2 and 3, the
はじめに、第1の例の形成方法を説明する。第1の例の形成方法は主に3つの工程からなる。第1工程においては、図2Aに示すように、圧電性基板2の表面2aに第2金属の膜(図示せず)を蒸着またはスパッタにより形成する。その後、第2金属の膜にパターンニング(「パターンニング」とは、レジストコート、露光、現像による一連の工程をいう。)を行ない、圧電性基板2の表面2aに櫛歯電極3および反射電極4に係る隣接電極指5A、6A以外の残りの電極指5B、6Bを形成する。
First, the formation method of the first example will be described. The forming method of the first example mainly includes three steps. In the first step, as shown in FIG. 2A, a second metal film (not shown) is formed on the
第2工程においては、図2Bに示すように、圧電性基板2の表面2aならびに櫛歯電極3および反射電極4に係る残りの電極指5B、6Bにレジスト膜10を形成する。その後、レジスト膜10に矩形長穴10hのパターンニングを行なうことにより、櫛歯電極3および反射電極4に係る隣接電極指5A、6Aを形成する部分をレジスト膜10から露出させる。
In the second step, as shown in FIG. 2B, a resist
最後の第3工程においては、図2Bに示すようなレジスト膜10の矩形長穴10hから露出した圧電性基板2の表面2aに第1金属を蒸着またはスパッタすることにより、図2Cに示すように、圧電性基板2の表面2aに櫛歯電極3および反射電極4に係る隣接電極指5A、6Aを形成する。その後、レジスト膜10をレジスト除去剤により除去する。
In the final third step, the first metal is deposited or sputtered on the
次に、第2の例の形成方法を説明する。第2の例の形成方法は主に3つの工程からなる。第1工程においては、図3Aに示すように、圧電性基板2の表面2aに第2金属の膜を蒸着またはスパッタしてからパターンニングすることにより、圧電性基板2の表面2aに櫛歯電極3および反射電極4の電極指5、6を形成する。第1の例の形成方法とは異なり(図2A参照)、この第1工程において櫛歯電極3および反射電極4に係る隣接電極指5A、6Aの本体5Aa、6Aaが第2金属を用いて形成されている。
Next, a forming method of the second example will be described. The forming method of the second example mainly includes three steps. In the first step, as shown in FIG. 3A, a second metal film is deposited or sputtered on the
第2工程においては、図3Bに示すように、圧電性基板2の表面2aならびに櫛歯電極3および反射電極4の電極指5、6にレジスト膜10を形成する。その後、レジスト膜10に矩形長穴10hのパターンニングを行なうことにより、櫛歯電極3および反射電極4に係る隣接電極指5A、6Aの本体5Aa、6Aaの表面および側面をレジスト膜10から露出させる。
In the second step, as shown in FIG. 3B, a resist
最後の第3工程においては、図3Bに示すようなレジスト膜10の矩形長穴10hから露出した隣接電極指5A、6Aの本体5Aa、6Aaの表面および側面に第1金属を蒸着またはスパッタすることにより、図3Cに示すように、隣接電極指5A、6Aの本体5Aa、6Aaを覆うように本体5Aa、6Aaの表面および側面に第1金属の膜を形成する。その後、レジスト膜10をレジスト除去剤により除去する。
In the final third step, the first metal is deposited or sputtered on the surfaces and side surfaces of the main bodies 5Aa and 6Aa of the
次に、図1を用いて、本実施形態の表面弾性波デバイス1の作用を説明する。 Next, the operation of the surface acoustic wave device 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
マイグレーションは電極間の電位差が原因となって生じる。つまり、表面弾性波デバイス1においては、同一の櫛歯電極3内の電極指5の間および同一の反射電極4内の電極指6の間には電位差が生じないのでマイグレーションが発生するおそれはない。それに対し、櫛歯電極3と反射電極4との間および2対の櫛歯電極3の間において相互に隣接している外側の2〜3本の電極指5、6、すなわち、それぞれの隣接電極指5A、6Aの間には電位差が生じているため、マイグレーションが発生するおそれがある。そのため、隣接電極指5A、6Aはマイグレーションの発生箇所となる(図5および図6を参照)。
Migration occurs due to the potential difference between the electrodes. That is, in the surface acoustic wave device 1, no potential difference is generated between the
そこで、本実施形態の表面弾性波デバイス1においては、図1に示すように、櫛歯電極3および反射電極4の隣接電極指5A、6Aを耐マイグレーション性に優れた第1金属を用いて形成し、隣接電極指5A、6A以外の電極指5、6を耐電力性に優れた第2金属を用いて形成している。そのため、図1に示すように、第1金属により隣接電極指5A、6Aについて耐マイグレーション性を向上させることができるとともに、マイグレーションの発生箇所とならない隣接電極指5A、6A以外の残りの電極指5B、6Bについては第2金属により耐電力性を向上させることができる。これにより、櫛歯電極3および反射電極4の耐マイグレーション性を低下させずにその耐電力性を高めることができる。
Therefore, in the surface acoustic wave device 1 of the present embodiment, as shown in FIG. 1, the
前述した通り、隣接電極指5A、6Aはマイグレーションの発生箇所となるため、櫛歯電極3および反射電極4の外側の何本かの電極指5、6からマイグレーションが発生することが考えられる。しかし、実際にマイグレーションの発生箇所となるのは、すべての電極指5、6のうちでも最外側の電極指5C、6Cのみであることが多い(図5および図6を参照)。そこで、本実施形態の櫛歯電極3および反射電極4においては、隣接電極指5A、6Aを最外側の電極指5C、6Cのみに限定し、耐マイグレーション性に優れた第1金属を最外側の電極指5C、6Cのみに用いるとともに、耐電力性に優れた第2金属を残りの電極指5B、6Bに用いている。これにより、櫛歯電極3および反射電極4におけるマイグレーション発生を抑制しつつ、耐電力性を効率よく向上させることができる。
As described above, since the
ここで、本実施形態の第1金属においては、Alを主成分とする金属が用いられている。Alを主成分とする金属は耐マイグレーション性だけでなく、従来より使用されてきたので電極指5、6を容易に形成することができる。また、AlにCuを微量添加したときのように、Alに添加元素を微量添加することにより耐マイグレーション性を飛躍的に向上させることができる。
Here, in the first metal of the present embodiment, a metal containing Al as a main component is used. Since the metal containing Al as a main component has been used not only for migration resistance but also conventionally, the
また、本実施形態の第2金属においては、Cuを主成分とする金属が用いられている。電極指5、6にCuを用いると、電極指5、6にAlを用いた場合と比較して耐電力性を飛躍的に向上させることができる。また、Cuは単価が安く、耐電力性に優れた櫛歯電極3および反射電極4を安価に形成することができる。
In the second metal of this embodiment, a metal containing Cu as a main component is used. When Cu is used for the
すなわち、本実施形態の表面弾性波デバイス1によれば、マイグレーションの発生箇所となる電極指5、6か否かに応じて電極指5、6に用いる材料を選択しているので、各電極におけるマイグレーションの発生を防止しつつ、各電極の耐電力性を高めることができるという作用を奏する。
That is, according to the surface acoustic wave device 1 of the present embodiment, since the material used for the
なお、本発明は、前述した実施形態などに限定されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能である。 In addition, this invention is not limited to embodiment mentioned above etc., A various change is possible as needed.
1 表面弾性波デバイス
2 圧電性基板
3 櫛歯電極
4 反射電極
5 (櫛歯電極の)電極指
5A (櫛歯電極の)隣接電極指
5B (櫛歯電極の)隣接電極指以外の電極指
5C (櫛歯電極の)最外側の電極指
6 (反射電極の)電極指
6A (反射電極の)隣接電極指
6B (反射電極の)隣接電極指以外の電極指
6C (反射電極の)最外側の電極指
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Surface
Claims (4)
前記圧電性基板の表面において櫛歯状に配置された電極指をそれぞれ有しているとともに、前記電極指を交互に配置して形成されている1対または1列に配列された2対以上の櫛歯電極と、
前記圧電性基板の表面において柵状に配置された電極指をそれぞれ有しており、前記1対または1列に配列された2対以上の櫛歯電極を挟む位置にそれぞれ形成されている1組の反射電極と
を備えており、
1対の前記櫛歯電極および前記反射電極の電極指において他の前記櫛歯電極または前記反射電極の電極指に隣接している隣接電極指は、当該隣接電極指以外の電極指より耐マイグレーション性に優れた第1金属を用いて形成されており、
1対の前記櫛歯電極の電極指において前記隣接電極指以外の電極指は、前記第1金属よりも耐電力性に優れた第2金属を用いて形成されている
ことを特徴とする表面弾性波デバイス。 A piezoelectric substrate having a piezoelectric surface;
Each of the piezoelectric substrates has electrode fingers arranged in a comb-like shape on the surface, and two or more pairs arranged in one row or in a row formed by alternately arranging the electrode fingers. A comb electrode;
Each set has electrode fingers arranged like a fence on the surface of the piezoelectric substrate, and each pair is formed at a position sandwiching two or more pairs of comb-shaped electrodes arranged in one or a row. And a reflective electrode,
In a pair of comb-shaped electrodes and electrode fingers of the reflective electrode, adjacent electrode fingers adjacent to the electrode fingers of the other comb-shaped electrode or the reflective electrode are more resistant to migration than electrode fingers other than the adjacent electrode fingers . It is formed using the first metal excellent in
A surface elasticity characterized in that in the electrode fingers of the pair of comb-teeth electrodes, the electrode fingers other than the adjacent electrode fingers are formed by using a second metal having a higher power durability than the first metal. Wave device.
ことを特徴とする請求項1に記載の表面弾性波デバイス。 The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the adjacent electrode finger is an outermost electrode finger facing an electrode finger of the other comb-tooth electrode or the reflective electrode.
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の表面弾性波デバイス。 The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the first metal is a metal containing Al as a main component.
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の表面弾性波デバイス。 The surface acoustic wave device according to any one of claims 1 to 3, wherein the second metal is a metal containing Cu as a main component.
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