JP5134233B2 - アダマンタン誘導体、その製造方法及びアダマンタン誘導体を含む樹脂組成物 - Google Patents
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Description
近年、電子・光学材料分野においては、液晶や有機ELなどを用いたフラットパネルディスプレイの高精細化、高視野角化、高画質化、発光ダイオード(LED)などの光半導体を用いた光源の高輝度、短波長化、白色化、さらには電子回路の高周波数化や光を用いた回路・通信など、光学・電子部品の高性能化・改良検討が進められている。また、半導体の技術分野における進歩は著しく、電子機器は小型軽量化、高性能化、多機能化が急速に進んでいる。それに対応して、配線基板には高密度化、高配線化が求められている。
一方、エポキシアクリレート樹脂は、各種コーティング剤、構造材料、配線基板のソルダーレジスト、液晶ディスプレイやイメージセンサーのカラーフィルター用保護膜、カラーレジストなどに用いられている。ソルダーレジストについては、ビスフェノールA型エポキシアクリレート樹脂が開示されている(例えば、特許文献4参照)。また、カラーフィルター用感光性組成物としてクレゾールノボラック型エポキシアクリレート樹脂が開示されている(例えば、特許文献5参照)。しかし、これらのエポキシアクリレート樹脂は、透明性、(長期)耐熱性、(長期)耐光性に限界があり、それらの要求特性を満たす材料が求められている。
エポキシ樹脂においても、従来のビスフェノールA型エポキシ樹脂等の熱硬化タイプの樹脂では、上記と同様の問題があり、それらの要求特性を満たす封止材が求められている(例えば、非特許文献1参照)。
また、半導体などを集積した電子回路についても、情報化社会の進展に伴い、情報量や通信速度の増大と装置の小型化が進んでおり、回路の小型化、集積化、高周波数化が必要となっている。さらに、より高速処理が可能となる光導波路などを用いた光回路も検討されている。これらの用途において、封止樹脂、接着用樹脂やフィルム、あるいはレンズ用の樹脂として、従来、ビスフェノールA型のエポキシ樹脂やエポキシアクリレート樹脂ななどが使用されている。しかしながら、これらの樹脂などを用いると、電子回路では誘電率が高かったり、耐熱性が不足するなどの問題があり、光導波路やLED封止では、透明性が低下したり、劣化により樹脂が黄変するなどの問題がある。
すなわち、本発明は、以下のアダマンタン誘導体、その製造方法及びそれを含む樹脂組成物を提供するものである。
1. 一般式(I)で表されるアダマンタン誘導体。
2. アダマンタンアルコール類又はアダマンタンハロゲン化物と、フェノール類とを反応させることを特徴とする一般式(I)で表されるアダマンタン誘導体の製造方法。
3. 一般式(II)で表されるアダマンタン誘導体。
4.前記アダマンタン誘導体が、4,6−ビス(1−アダマンチル)−1,3−ジグリシ5.一般式(I)で表されるアダマンタン誘導体とエピクロロヒドリンとを反応させることを特徴とする一般式(II)で表されるアダマンタン誘導体の製造方法。
ジルオキシベンゼンである、前記4に記載のアダマンタン誘導体。
6.一般式(II)で表されるアダマンタン誘導体とエポキシ樹脂硬化剤とを含む樹脂組成物。
7.上記6に記載の樹脂組成物を加熱又は光照射により硬化させてなる硬化物。
8.一般式(III)で表されるアダマンタン誘導体。
9.前記アダマンタン誘導体が、下記式(IV)で表される化合物である、前記8に記載のアダマンタン誘導体。
11.一般式(III)で表されるアダマンタン誘導体と、熱重合開始剤又は光重合開始剤を含む樹脂組成物。
12. 上記11に記載の樹脂組成物を加熱又は光照射により硬化させてなる硬化物。
13. 上記3、4、8及び9のいずれかに記載のアダマンタン誘導体を用いた配線基板用のソルダーレジスト、カラーフィルター用保護膜、光半導体用封止材又は光学電子部材。
14. 上記6又は11に記載の樹脂組成物を用いた配線基板用のソルダーレジスト、カラーフィルター用保護膜、光半導体用封止材又は光学電子部材。
15. 上記7又は12に記載の硬化物からなる配線基板用のソルダーレジスト、カラーフィルター用保護膜、光半導体用封止材又は光学電子部材。
16. 上記3、4、8及び9のいずれかに記載のアダマンタン誘導体を用いた電子回路用封止材用の接着剤又は光学電子部材用の接着剤。
17. 上記6又は11に記載の樹脂組成物を用いた電子回路用封止材用の接着剤又は光学電子部材用の接着剤。
18. 上記7又は12に記載の硬化物からなる電子回路用封止材用の接着剤又は光学電子部材用の接着剤。
上記一般式(I)〜(III)において、R1としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、各種ペンチル基、各種ヘキシル基及び各種オクチル基などが挙げられる。R1が複数ある場合、これらは同一でも異なっていてもよい。上記一般式(III)において、R2を含む基としては、(2−アクリロイルオキシ−2−ヒドロキシ)エトキシ基、(2−メタクリロイルオキシ−2−ヒドロキシ)エトキシ基、(2−α−フルオロアクリロイルオキシ−2−ヒドロキシ)エトキシ基及び(2−α−トリフルオロメチルアクリロイルオキシ−2−ヒドロキシ)エトキシ基が挙げられる。上記一般式(III)において、jが2〜4のとき、これらは同一でも異なっていてもよい。
原料であるアダマンタンアルコール類又はアダマンタンハロゲン化物としては、1−アダマンタノール、1−ブロモアダマンタン、1,3−アダマンタンジオール、1,3−ジブロモアダマンタン、1,3,5−アダマンタントリオール、1,3,5−トリブロモアダマンタン、1,3,5,7−アダマンタンテトラオール、1,3,5,7−テトラブロモアダマンタン、2−アダマンタノン、4−ヒドロキシ−2−アダマンタノン、5−ヒドロキシ−2−アダマンタノンなどが挙げられる。
これらのアダマンタンアルコール類又はアダマンタンハロゲン化物の使用量はフェノール類対して、通常2〜20倍モル程度、好ましくは2〜10倍モルである。使用量が2倍モル以上であると、反応時間が長くなりすぎず適度のものとなる。
反応の際には、必要に応じて溶媒を用いることができる。溶媒として具体的には、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、トルエン、DMF(ジメチルホルムアミド)、DMAc(N,N−ジメチルアセトアミド)、DMSO(ジメチルスルホキシド)、酢酸エチル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸及びプロピオン酸などが挙げられる。これらは一種を単独で又は二種以上を組み合わせて使用することができる。
上記フェノール性水酸基含有アダマンタン誘導体とエピクロロヒドリンとの反応は、通常、塩基性触媒の存在下で行う。塩基性溶媒としては、ナトリウムアミド,トリエチルアミン,トリブチルアミン,トリオクチルアミン,ピリジン,N,N−ジメチルアニリン,1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]ノネン−5(DBN),1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデセン−7(DBU),水酸化ナトリウム,水酸化カリウム,水素化ナトリウム,燐酸ナトリウム,燐酸カリウム,炭酸ナトリウム,炭酸カリウム,酸化銀,ナトリウムメトキシド及びカリウムt−ブトキシドなどが挙げられる。
反応原料である一般式(I)で表されるフェノール性水酸基含有アダマンタン誘導体に対する塩基性触媒の使用割合は、塩基性触媒/原料モノマーの活性水素(モル比)が、0.8〜10程度となる量であり、好ましくは1〜5となる量である。
上記反応において、グリシジルオキシ基含有アダマンタン誘導体におけるグリシジルオキシ基の生成が不十分な場合、塩基触媒を用いた閉環反応により、グリシジルオキシ基含有量を改善することができる。
この閉環反応は、通常20〜200℃程度、望ましくは30〜150℃の温度において行う。反応の際の圧力は、絶対圧力で0.01〜10MPa程度、望ましくは常圧〜1MPaである。圧力が10MPa以下であると、安全性が確保されるので特別な装置が不要となり、産業上有用である。反応時間は、通常1分〜24時間程度、望ましくは30分〜10時間である。
塩基触媒の使用量は、上記一般式(II)で表されるグリシジルオキシ基含有アダマンタン誘導体基準で0.1〜20質量%程度、好ましくは1〜10質量%である。塩基触媒の使用量が0.1質量%以上であると、反応速度が低下せず適度のものとなるため、反応時間が短縮される。また、塩基触媒の使用量が20質量%以下であると、得られる効果と経済性のバランスが良好となる。
反応生成物は、蒸留、晶析、カラム分離などにより精製することができ、精製方法は、反応生成物の性状と不純物の種類により選択することができる。
3,4−ビス(1−アダマンチル)−2−イソプロピル−グリシジルオキシベンゼン、
アクリル酸類としては、アクリル酸、メタクリル酸、α−フルオロアクリル酸及びα−トリフルオロメチルアクリル酸を挙げることができる。これらは一種を単独で使用してもよく二種以上を混合して用いてもよい。
上記グリシジルオキシ基含有アダマンタン誘導体とアクリル酸類との反応は、通常、触媒の存在下で行う。触媒としては、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、ジメチルアミノピリジンなどの有機アミン、テトラメチルアンモニウムクロリド、テトラメチルアンモニウムブロミド、テトラエチルアンモニウムクロリド、テトラエチルアンモニウムブロミドなどの4級アンモニウム塩及びトリフェニルホスフィンなどが挙げられる。触媒の使用量は、アクリル酸類に対して、通常0.01〜20質量%程度、好ましくは0.05〜15質量%である。
反応に際しては、必要により、ヒドロキノン、メトキノン、フェノチアジン及びメトキシフェノチアジンなどの重合禁止剤を添加してもよい。重合禁止剤の使用割合は、アクリル酸類に対して、通常10〜10000質量ppm程度、好ましくは50〜5000質量ppmである。
反応生成物は、蒸留、晶析、カラム分離などにより精製することができ、精製方法は、反応生成物の性状と不純物の種類により選択することができる。
公知のエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールG型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂のような含フッ素エポキシ樹脂及びビスフェノールC型エポキシ樹脂などのグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、ヒダントインエポキシ樹脂等の含窒素環エポキシ樹脂、脂肪族系エポキシ樹脂、低吸水率硬化体タイプの主流であるビフェニル型エポキシ樹脂及びジシクロ環型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル等の多官能エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは単独で又は二種以上を組み合わせて使用することができる。
上記グリシジルオキシ基含有アダマンタン誘導体と上記公知のエポキシ樹脂との混合樹脂中、上記グリシジルオキシ基含有アダマンタン誘導体の含有量は5質量%以上が好ましく、より好ましくは10質量%以上である。グリシジルオキシ基含有アダマンタン誘導体体の含有量が5質量%以上であると、本発明の樹脂組成物の光学特性、長期耐熱性及び電気特性が充分なものとなる。
カチオン重合開始剤としては、熱又は紫外線によりエポキシ環と反応するものであればよく、例えば、p−メトキシベンゼンジアゾニウムヘキサフルオロホスフェート等の芳香族ジアゾニウム塩、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等の芳香族スルホニウム塩、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート等の芳香族ヨードニウム塩、芳香族ヨードシル塩、芳香族スルホキソニウム塩及びメタロセン化合物などが挙げられる。中でもトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等の芳香族スルホニウム塩及びジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート等の芳香族ヨードニウム塩が最適である。これらは単独で又は二種以上を組み合わせて使用することができる。
カチオン重合開始剤の使用量は、上記グリシジルオキシ基含有アダマンタン誘導体又は上記混合樹脂100質量部(以下、「樹脂成分」と称することがある。)に対して、0.01〜5.0質量部であることが好ましく、より好ましくは0.1〜3.0質量部である。カチオン開始剤の含有率を上記範囲とすることにより、良好な重合及び光学特性など物性を発現できる。
酸無水物系硬化剤を用いる場合、その硬化を促進する目的で硬化促進剤を配合してもよい。この硬化促進剤の例としては、3級アミン類、イミダゾール類、有機ホスフィン化合物類又はこれらの塩、オクチル酸亜鉛及びオクチル酸スズ等の金属石鹸類が挙げられる。これらは単独で又は二種以上を組み合わせて使用することができる。
これらの硬化剤の中では、硬化樹脂の透明性などの物性の点から、酸無水物系硬化剤が好適であり、中でも、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルテトラヒドロ無水フタル酸が最適である。
本発明においては、耐熱性、透明性に優れる本発明のアダマンタン誘導体を、上記硬化剤と反応させることで、耐熱性、透明性の他に耐光性、さらに誘電率などが向上し、また、実用上必要となる溶解性が付与される。
上記硬化促進剤としては、特に限定されるものではなく、例えば、1,8−ジアザ−ビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7、トリエチレンジアミン、トリス(2,4,6−ジメチルアミノメチル)フェノール等の3級アミン類、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムブロマイド、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−n−ブチルホスホニウム−o,o−ジエチルホスホロジチオエート等のリン化合物、4級アンモニウム塩、有機金属塩類、及びこれらの誘導体等が挙げられる。これらは単独で使用してもよく、あるいは、併用してもよい。これら硬化促進剤の中では、3級アミン類、イミダゾール類及びリン化合物を用いることが好ましい。
硬化促進剤の含有率は、上記樹脂成分100質量部に対して、0.01〜8.0質量部であることが好ましく、より好ましくは0.1〜3.0質量部である。硬化促進剤の含有率を上記範囲とすることにより、充分な硬化促進効果を得られ、また、得られる硬化物に変色が見られない。
フェノール系化合物としては、イルガノクス1010(Irganox1010、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、商標)、イルガノクス1076(Irganox1076、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、商標)、イルガノクス1330(Irganox1330、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、商標)、イルガノクス3114(Irganox3114、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、商標)、イルガノクス3125(Irganox3125、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、商標)、イルガノクス3790(Irganox3790、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、商標)、BHT、シアノクス1790(Cyanox1790、サイアナミド社製、商標)及びスミライザーGA−80(SumilizerGA−80、住友化学社製、商標)などの市販品を挙げることができる。
有機硫黄系化合物としては、DSTP(ヨシトミ)(吉富社製、商標)、DLTP(ヨシトミ)(吉富社製、商標)、DLTOIB(吉富社製、商標)、DMTP(ヨシトミ)(吉富社製、商標)、Seenox 412S(シプロ化成社製、商標)及びCyanox 1212(サイアナミド社、商標)などの市販品を挙げることができる。
紫外線の照射強度は、通常500〜5000mJ/cm2程度、好ましくは1000〜4000mJ/cm2である。紫外線照射後に後加熱を行ってもよく、70〜200℃で0.5〜12時間行うことが好ましい。
成形方法としては射出成形、ブロー成形、プレス成形等、特に限定されるものではないが、好ましくはペレット状の組成物を射出成形機に用いて、射出成形することにより製造される。
このように本発明の樹脂組成物(1)は、優れた特性を有するので、光半導体(LEDなど)、フラットパネルディスプレイ(有機EL素子など)、電子回路、光回路(光導波路)用の樹脂(封止材、接着剤)、光通信用レンズ及び光学用フィルムなどの光学電子部材に好適に用いることができる。
有機EL用に適用する際の構成は、一般的なガラスや透明樹脂などの透光性基板上に、陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極が順次設けられた構成の有機EL素子に適用可能である。有機EL素子の封止材として、金属缶や金属シートあるいはSiNなどのコーティングされた樹脂フィルムをEL素子にカバーする際の接着剤、あるいは本発明のグリシジルオキシ基含有アダマンタン誘導体にガスバリアー性を付与するために無機フィラーなどを分散することで、直接、EL素子を封止することも可能である。表示方式として、現在、主流のボトムエミッション型にも適用可能であるが、今後、光の取出し効率などの点で期待されるトップエミッション型に適用することで、本発明のグリシジルオキシ基含有アダマンタン誘導体の透明性や耐熱性の効果を活かせる。
電子回路用に適用する際の構成は、層間絶縁膜、フレキシブルプリント基板用のポリイミドと銅箔との接着剤、あるいは基板用樹脂として適用可能である。
光回路に使用する際の構成は、シングルモードやマルチモード用の熱光学スイッチやアレイ導波路型格子、合分波器、波長可変フィルター、あるいは光ファイバーのコア材料やクラッド材料にも適用できる。また、導波路に光を集光するマイクロレンズアレイやMEMS型光スイッチのミラーにも適用できる。また、光電変換素子の色素バインダーなどにも適用可能である。
光学用フィルムとして用いる際の構成は、液晶用のフィルム基板、有機EL用フィルム基板などのディスプレイ用として、あるいは光拡散フィルム、反射防止フィルム、蛍光色素などを分散することによる色変換フィルムなどに適用可能である。
上記一般式(III)で表されるアダマンチル基含有エポキシ変性アクリレート類と、上記他の重合性モノマー及び/又はエポキシ樹脂変性(メタ)アクリレートとの混合樹脂中、上記アダマンチル基含有エポキシ変性アクリレート類の含有量は5質量%以上が好ましく、より好ましくは10質量%以上である。このアダマンチル基含有エポキシ変性アクリレート類の含有量が5質量%以上であると、本発明の樹脂組成物(2)の光学特性、長期耐熱性及び電気特性が充分なものとなる。
光重合開始剤として、光により、不飽和結合を有する基、アクリロイル基あるいはメタクリロイル基が反応するものであればよく、例えば、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ベンジル類、ベンゾインエーテル類、ベンジルジケタール類、チオキサントン類、アシルホスフィンオキサイド類、アシルホスフィン酸エステル類、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族スルホニウム塩、芳香族ヨードニウム塩、芳香族ヨードシル塩、芳香族スルホキソニウム塩及びメタロセン化合物などが挙げられる。。これらは単独で又は二種以上を組み合わせて使用することができる。
重合開始剤又は光重合開始剤の使用量は、上記アダマンチル基含有エポキシ変性アクリレート類又は上記混合樹脂(以下、「樹脂成分」と称することがある。)100質量部に対して、0.01〜10質量部であることが好ましく、より好ましくは0.05〜5質量部である。重合開始剤の含有率を上記範囲とすることにより、良好な重合及び光学特性などの物性が発現される。
紫外線の照射により光硬化する場合、紫外線の照射強度は、樹脂成分や重合開始剤の種類、硬化物の膜厚などから決められるので任意であるが、通常100〜5000mJ/cm2程度、好ましくは500〜4000mJ/cm2である。紫外線照射後に後加熱を行ってもよく、70〜200℃で0.5〜12時間行うことが好ましい。
成形方法としては射出成形、ブロー成形、プレス成形等、特に限定されるものではないが、好ましくはペレット状の樹脂組成物を射出成形機に用いて、射出成形することにより製造される。
また、本発明の樹脂組成物(2)は、半導体素子/集積回路(IC他),個別半導体(ダイオード、トランジスタ、サーミスタなど)として、LED(LEDランプ、チップLED、受光素子、光半導体用レンズ),センサー(温度センサー、光センサー、磁気センサー)、受動部品(高周波デバイス、抵抗器、コンデンサなど)、機構部品(コネクター、スイッチ、リレーなど)、自動車部品(回路系、制御系、センサー類、ランプシールなど)、接着剤(光学部品、光学ディスク、ピックアップレンズ)などにも用いられ、表面コーティング用として光学用フィルムなどにも用いることができる。
(1)ガラス転移温度
示差走査型熱量計(パーキン・エルマー社製,DSC−7)を用い、試料10mgを窒素雰囲気下50℃で5分間保持した後、10℃/分で昇温させることにより得られた熱流束曲線に観測される不連続点をガラス転移温度Tgとした。
(2)光線透過率
試料として肉厚3mmの試験片を用いてJIS K7105に準拠し、測定波長400nmて測定した(単位:%)。測定装置は株式会社島津製作所製分光光度計UV−3100Sを用いた。
(3)耐光性試験
株式会社東洋精機製作所製のサンテストCPS+を用いて、試料を60℃で500時間光照射し、サンシャインテスターを用いて照射前後の400nmの光線透過率の変化を測定し、光線透過率の低下率が20%未満の場合を「○」、20%以上の場合を「×」とした。
(4)長期耐熱性試験
140℃の恒温槽に試料を100時間置き、サンシャインテスターを用い、試験前後の400nmの光線透過率の変化を測定し、20%以上低下した場合「×」とした。
還流冷却管、攪拌機、温度計及び窒素導入管を備え付けた500mLの4つ口フラスコに1−アダマンタノール28.1g(0.18mol)、p−トルエンスルホン酸一水和物15.84g(0.09mol)及びヘプタン300mlを仕込み、窒素置換した。そこにレゾルシノール9.9g(0.09mol)を加えた。これを100℃のオイルバスに入れ、1時間加熱攪拌した。反応液を冷却後、固形分をろ過して集めた。これを減圧乾燥させた後、メタノール水溶液で再結晶させ、4,6−ビス(1−アダマンチル)−1,3−ジヒドロキシベンゼンを得た(収率86%、LC(液体クロマトグラフィ)純度99.7%、融点146℃)。なお、LC純度は、λ=280nmの光線により測定した。
この4,6−ビス(1−アダマンチル)−1,3−ジヒドロキシベンゼンを、核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR、13C−NMR)により同定した。スペクトルデータを以下に示す。核磁気共鳴スペクトルは、溶媒としてクロロホルム−dを用いて、日本電子株式会社製のJNM−ECA500により測定した。
13C-NMR(125MHz):29.2,36.0,36.9,40.7,43.6,109.9,115.4,136.0,141.4
還流冷却管、攪拌機、温度計及び窒素導入管を備え付けた500mLの4つ口フラスコに、MIBK57ml、DMSO157ml及びエピクロロヒドリン98g(1.057mol)を仕込み、30分間窒素置換した。これに参考例1で合成した4,6−ビス(1−アダマンチル)−1,3−ジヒドロキシベンゼン52.01g(0.137mol)を加え、30分窒素置換した後、攪拌しながら45℃に加熱した。この溶液に0.5時間かけて水酸化ナトリウム11.6g(0.290mol)を加え、1.5時間攪拌した。さらに水酸化ナトリウム2.9g(0.0725mol)を加え、さらに1時間攪拌した。
反応液を室温まで冷却し、クロロホルム300mlを加え、500mlの水で水洗した後、の0.1mol/LのHCl水溶液500mlを加えて分液した。さらに水相が中性になるまで水洗した後、有機層を濃縮し、恒量になるまで100℃の減圧乾燥機で乾燥させ、淡黄色固体の4,6−ビス(1−アダマンチル)−1,3−ジグリシジルオキシベンゼンを得た。(収率92%、LC純度99.20%、エポキシ当量267、融点193℃)
この4,6−ビス(1−アダマンチル)−1,3−ジグリシジルオキシベンゼンを、核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR、13C−NMR)により同定した。スペクトルデータを以下に示す。核磁気共鳴スペクトルは、溶媒としてクロロホルム−dを用いて、日本電子株式会社製のJNM−ECA500により測定した。
13C-NMR(125MHz):29.2,36.7,37.2,41.1,44.7,50.5,69.0,99.6,125.0,130.5,155.9
実施例2で得られた4,6−ビス(1−アダマンチル)−1,3−ジグリシジルオキシベンゼン5g及び酸無水物としてメチルヘキサヒドロ無水フタル酸(新日本理化(株)製、MH700)3.06g、硬化促進剤として1,8−ジアザビシクルロ[5.4.0]ウンデセン−7のオクチル酸塩(サンアプロ社製、SA102)0.1gを室温で混合し、脱泡後、110℃で2時間、その後170℃で4時間加熱し、硬化樹脂(膜厚3mmシート)を製造した。得られた樹脂硬化物のガラス転移温度、光線透過率を測定し、さらに耐光性試験及び長期耐熱性試験を行った。評価結果を表1に示す。
実施例2で得られた4,6−ビス(1−アダマンチル)−1,3−ジグリシジルオキシベンゼン2.5g、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製、エピコート828)2.5g及び酸無水物としてメチルヘキサヒドロ無水フタル酸(新日本理化(株)製、MH700)3.73g、硬化促進剤として1,8−ジアザビシクルロ[5.4.0]ウンデセン−7のオクチル酸塩(サンアプロ社製、SA102)0.1gを室温で混合し、脱泡後、110℃で2時間、その後170℃で4時間加熱し、硬化樹脂(膜厚3mmシート)を製造した。得られた樹脂硬化物を実施例3と同様に評価した。評価結果を表1に示す。
実施例3において、4,6−ビス(1−アダマンチル)−1,3−ジグリシジルオキシベンゼンの代わりにビスフェノールA型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製、エピコート828)を用い、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸の使用量を4.40gとした以外は、実施例3と同様の方法で硬化樹脂を製造し、同様の評価を行った。評価結果を表1に示す。
還流冷却管、攪拌機、温度計、エアー導入管をを備え付けた300mLのセパラブルフラスコに実施例2で得られた4,6−ビス(1−アダマンチル)−1,3−ジグリシジルオキシベンゼン18.8g、アクリル酸6.1g、トルエン50ml、テトラエチルアンモニウムブロミド0.61g及びp−メトキシフェノール6.1mgを加え、少量のエアーを流しながら120℃に加熱し、20時間攪拌した。その後トルエン80mlを加え、反応液を室温まで冷却した。このトルエン溶液を5質量%塩化ナトリウム水溶液で2回、純水で1回洗浄した後、有機層を濃縮し、下記式で表されるアダマンチル基含有エポキシ変性アクリレート23.2gを得た(LC純度91%)。
13C-NMR(125MHz):29.1,36.7,37.1,41.3,65.9,66.0,68.9,98.9,125.3,127.8,130.4,131.7,155.7,166.4
実施例5で得られたエポキシ変性アクリレート10gと、光重合開始剤としてベンゾインイソブチルエーテル0.1gを混合して樹脂組成物を調製した。この樹脂組成物をガラス基板に厚さ0.1mmとなるように塗布し、高圧水銀灯を照射して硬化させた。得られた硬化物のガラス転移温度は184℃と高いものであった。
Claims (16)
- 前記アダマンタン誘導体が、4,6−ビス(1−アダマンチル)−1,3−ジグリシジルオキシベンゼンである、請求項1に記載のアダマンタン誘導体。
- 請求項4に記載の樹脂組成物を加熱又は光照射により硬化させてなる硬化物。
- 請求項9に記載の樹脂組成物を加熱又は光照射により硬化させてなる硬化物。
- 請求項1、2、6及び7のいずれかに記載のアダマンタン誘導体を用いた配線基板用のソルダーレジスト、カラーフィルター用保護膜、光半導体用封止材又は光学電子部材。
- 請求項4又は9記載の樹脂組成物を用いた配線基板用のソルダーレジスト、カラーフィルター用保護膜、光半導体用封止材又は光学電子部材。
- 請求項5又は10に記載の硬化物からなる配線基板用のソルダーレジスト、カラーフィルター用保護膜、光半導体用封止材又は光学電子部材。
- 請求項1、2、6及び7のいずれかに記載のアダマンタン誘導体を用いた電子回路用封止材用の接着剤又は光学電子部材用の接着剤。
- 請求項4又は9に記載の樹脂組成物を用いた電子回路用封止材用の接着剤又は光学電子部材用の接着剤。
- 請求項5又は10に記載の硬化物からなる電子回路用封止材用の接着剤又は光学電子部材用の接着剤。
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