JP5129535B2 - Photomask height measuring method and electron beam drawing apparatus having height measuring device - Google Patents
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Description
本発明は、フォトマスク表面の高さ測定方法及び高さ測定装置を有する電子線描画装置、特に、高さ測定位置の特定を行う高さ測定方法及び電子線描画装置に関する。 The present invention relates to a photomask surface height measurement method and an electron beam drawing apparatus having a height measurement device, and more particularly to a height measurement method and an electron beam drawing apparatus for specifying a height measurement position.
フォトマスク上で電子線を利用して所望のパターンを描画する場合、描画位置のずれ、電子ビームぼけ、などの不具合を回避するために、前処理として、フォトマスクの表面の正確な高さ測定を行う必要がある。 When drawing a desired pattern using an electron beam on a photomask, in order to avoid problems such as misalignment of the drawing position, electron beam blur, etc., accurate height measurement of the surface of the photomask is performed as pre-processing. Need to do.
例えば、図7で示す通り、電子ビームBをフォトマスクの理想形状h0上のi0点で収束させるように設定した場合、フォトマスクの実際の形状h1のように理想形状h0に対して高低差があると、電子ビームBは、X軸方向に△X、Z軸方向に△Z位置ずれしたi1点で収束する。 For example, as shown in Figure 7, when set to converge the electron beam B in i 0 point on the ideal shape h 0 of the photomask relative to the ideal shape h 0 as actual shape h 1 of the photomask If there is a height difference, the electron beam B converges at i 1 point shifted by ΔX in the X-axis direction and ΔZ position in the Z-axis direction.
また、図8で示す通り、フォトマスクの理想の表面s0での電子ビームBのビーム径をd0とすると、実際のフォトマスクの表面の位置が、表面s0から△Z’分だけ高い表面s1である場合、電子ビームBを照射したときのフォトマスク表面s1での電子ビームBのビーム径は、上記d0より広がるd1となっていわゆる電子ビームぼけ状態となる。 Further, as shown in FIG. 8, when the beam diameter of the electron beam B on the ideal surface s 0 of the photomask is d 0 , the actual position of the surface of the photomask is higher than the surface s 0 by ΔZ ′. If the surface s 1, the beam diameter of the electron beam B on the photomask surface s 1 at the time of irradiation with the electron beam B, so-called electron beam blur state becomes d 1 extending from the d 0.
一般に、フォトマスクの高さ測定は、光源から光をフォトマスク表面に照射し、反射光を受光した素子上で収束する光の移動量を測定し、この移動量を前記フォトマスクの高さの変位量に変換して測定する光測定によって行われる (例えば、特許文献1参照)。 In general, the photomask height is measured by irradiating the photomask surface with light from a light source, measuring the amount of light that converges on the element that receives the reflected light, and measuring the amount of movement of the photomask. This is performed by optical measurement in which the amount of displacement is converted and measured (for example, see Patent Document 1).
この光測定では、前記光を照射する前に、図9で示す通り、大気雰囲気Aで、顕微鏡mを用いて測定すべき位置Pに光Oの光軸の位置合わせを目視で行っていた。
前記光測定による高さ測定及び描画を行う場合は、フォトマスクを保持、移動させるステージを設けた試料室、電子光学鏡筒など、電子線描画装置本体内を真空に維持しなければならない。 When performing height measurement and drawing by the light measurement, the inside of the electron beam drawing apparatus main body, such as a sample chamber provided with a stage for holding and moving a photomask, and an electron optical column must be maintained in vacuum.
このように電子線描画装置本体内を真空引きした描画状況下では、大気圧の関係で、装置全体が内側に歪み、この影響で、前記図9で示した測定位置Pがずれるという不都合が生じていた。 Thus, under the drawing condition in which the inside of the electron beam drawing apparatus is evacuated, the entire apparatus is distorted inward due to the atmospheric pressure, and this causes a disadvantage that the measurement position P shown in FIG. 9 is shifted. It was.
即ち、図10で示す通り、電子線描画装置本体D内を真空引きし、真空雰囲気Vにすると、電子線描画装置本体Dの外壁が、内側に歪み、その影響によりフォトマスクM上で大気雰囲気Aの環境下で特定された測定位置Pは、△X’分ずれてP’の位置になるため、フォトマスクMの高さに応じた正確な描画ができなくなり、描画精度の低下を招いていた。 That is, as shown in FIG. 10, when the inside of the electron beam drawing apparatus main body D is evacuated to a vacuum atmosphere V, the outer wall of the electron beam drawing apparatus main body D is distorted inward and the air atmosphere on the photomask M due to the influence thereof. Since the measurement position P specified in the environment of A is shifted by ΔX ′ to the position of P ′, accurate drawing according to the height of the photomask M cannot be performed, resulting in a decrease in drawing accuracy. It was.
そこで、本発明は、前記問題点に鑑み、描画状況下での高さ測定位置の検出が可能なフォトマスク高さ測定方法及びこの高さ測定が可能な電子線描画装置を提供することを課題とする。 Therefore, in view of the above problems, the present invention provides a photomask height measuring method capable of detecting a height measurement position under a drawing condition and an electron beam drawing apparatus capable of measuring the height. And
上記課題を解決するため、本発明にかかるフォトマスク高さ測定方法は、ステージ上に載置されたフォトマスクに電子線を用いて所定のパターンを描画するために、フォトマスク表面に対して斜め上方に設置した光源から、所定の位置に光軸を合わせて光を照射することにより、フォトマスク表面で反射した反射光の検出位置によりフォトマスク表面の形状を測定するフォトマスクの高さ測定方法であって、前記ステージ上に設けられ、光の反射率が異なるパターンが形成されたキャリブレーションマークの表面を上記光源から照射する光によって走査する工程と、この走査によって検出された光量データと対応させて高さ測定する測定点の位置を特定する工程と、描画状況下で、前記走査及び前記高さ測定する測定点の位置の特定を行う工程と、所定の光量データに対応する測定点の位置を前記描画状況の前後で比較し、描画状況下における位置ずれを検出し、この位置ずれから、描画状況下の高さ測定する測定点の位置の補正データを生成する工程とを有することを特徴とする。 In order to solve the above problems, a photomask height measuring method according to the present invention is oblique to a photomask surface in order to draw a predetermined pattern using an electron beam on a photomask placed on a stage. A photomask height measurement method that measures the shape of the photomask surface by detecting the position of reflected light reflected from the photomask surface by irradiating light from a light source placed above with the optical axis aligned with a predetermined position. a is, the provided al is on the stage, a step of scanning by light irradiating the surface of the calibration mark reflectance of light different patterns are formed from the light source, the light quantity data detected by the scanning A step of specifying the position of the measurement point to measure the height in correspondence, and a process of specifying the position of the measurement point to measure the scanning and the height under the drawing condition The position of the measurement point corresponding to the predetermined light quantity data is compared before and after the drawing situation, the position deviation under the drawing situation is detected, and the position of the measurement point for measuring the height under the drawing situation is detected from this position deviation. Generating the correction data.
この方法によれば、キャリブレーションマーク上に作成されたパターンの形状を光を走査して得られる光量データによって検出し、この光量データと位置データとを対応させて高さ測定位置を特定するため、真空引きした描画状況下で位置データがずれても、前記光量データにより、補正データを生成することができる。 According to this method, the shape of the pattern created on the calibration mark is detected by the light amount data obtained by scanning the light, and the height measurement position is specified by associating the light amount data with the position data. Even if the position data is shifted under a vacuum drawing state, correction data can be generated from the light amount data.
前記高さ測定する測定点の位置は、前記走査によって検出された光量データに対して所定の閾値を設定し、この閾値を超えるデータのエッジ位置データを複数検出し、各エッジ位置データを重み平均して算出するようにしてもよい。 As the position of the measurement point for measuring the height, a predetermined threshold is set for the light amount data detected by the scanning, a plurality of edge position data of data exceeding the threshold is detected, and each edge position data is weighted averaged. It may be calculated as follows.
また、高さ測定する測定点の位置は、前記走査によって検出された光量データの微分値を求め、前記所定の閾値を超える微分値のエッジ位置データを複数検出し、各エッジ位置データを重み平均して算出するようにしてもよい。 In addition, the position of the measurement point for height measurement is obtained by obtaining a differential value of the light amount data detected by the scanning, detecting a plurality of edge position data having differential values exceeding the predetermined threshold value, and calculating a weighted average of each edge position data. It may be calculated as follows.
前記フォトマスク高さ測定方法の実施が可能な電子線描画装置は、ステージ上に載置されたフォトマスク表面に対して斜め上方から光を照射する光源と、この光源から照射される光をフォトマスク表面で収束させる投光レンズと、前記フォトマスク表面で反射した前記光を受ける受光レンズと、この受光レンズにより収束された光が入射して、反射光の検出位置から位置を検出する光位置検出器とを有するフォトマスク表面の高さ測定手段を備えた電子線描画装置であって、前記ステージ上に設け、光の反射率が異なるパターンが形成されたキャリブレーションマークを載置したマーク台と、光の反射率が異なるパターンが形成された前記キャリブレーションマークの表面形状を前記高さ測定手段によって走査し、高さ測定をする測定点の位置を前記走査によって検出された光量データと対応させて記憶する記憶手段とを備え、描画状況下で、前記走査及び前記高さ測定する測定点の位置を特定し、所定の光量データに対応する測定点の位置を前記描画状況の前後で比較し、描画状況下における位置ずれを検出し、この位置ずれから、描画状況下の高さ測定する測定点の位置の補正データを生成する生成手段を有するものであればよい。
An electron beam lithography apparatus capable of carrying out the photomask height measuring method includes a light source that irradiates light obliquely from above to a photomask surface placed on a stage, and light emitted from the light source. A light projecting lens that converges on the mask surface, a light receiving lens that receives the light reflected by the photomask surface, and a light position where the light converged by the light receiving lens enters and detects the position from the detection position of the reflected light An electron beam lithography apparatus comprising a photomask surface height measuring means having a detector, wherein the mark stage is provided on the stage and on which calibration marks on which patterns having different light reflectance are formed are placed When the surface shape of the calibration mark reflectance of light different pattern is formed by scanning by said height measuring means, position of the measurement points for the height measurement Is stored in correspondence with the light amount data detected by the scanning, and the position of the measurement point for the scanning and the height measurement is specified under the drawing condition, and the measurement corresponding to the predetermined light amount data is performed. The position of the point is compared before and after the drawing situation, the position deviation under the drawing situation is detected, and the generation means for generating the correction data of the position of the measurement point for measuring the height under the drawing situation is obtained from the position deviation. Anything is acceptable.
以上の説明から明らかなように、本発明にかかるフォトマスク高さ測定方法及び電子線描画装置は、高さ測定する測定点の位置が描画状況下において真空引きした場合に、位置ずれが生じても、補正することができるため、フォトマスクの正確な高さ測定を可能にし、描画精度の向上に寄与するという効果を奏する。 As is clear from the above description, the photomask height measuring method and the electron beam drawing apparatus according to the present invention cause a positional shift when the position of the measurement point for height measurement is evacuated under the drawing condition. However, since it can be corrected, it is possible to accurately measure the height of the photomask and contribute to the improvement of the drawing accuracy.
図1を参照して、1は、本発明にかかる電子線描画装置本体である。電子線描画装置本体1は、電子ビームをフォトマスクMに照射する電子銃11と、磁界レンズ、電界レンズ等の各種レンズ12a、12b、12c、12d、12eと、電子線の各種偏向を行うブランキング用偏向器13a、ビーム寸法可変用偏向器13b、ビーム走査用の主偏向器13c、ビーム走査用の副偏向器13d、及び2個のビーム成形用アパーチャ14a,14b等からなる電子線光学系と、前記フォトマスクを載置するステージ16と、フォトマスクMとは別にステージ16上に載置されたキャリブレーションマークを載置するマーク台17を収納する試料室15から構成されている。
Referring to FIG. 1,
ステージ12はステージ駆動回路13によりX、Y方向に駆動される。ステージ12の移動位置は、レーザ測長計等を用いた位置回路18により測定される。
The stage 12 is driven in the X and Y directions by the stage drive circuit 13. The moving position of the stage 12 is measured by a
電子線描画装置本体1の制御コンピュータ2には記憶媒体である磁気ディスク21に描画データが格納されている。磁気ディスク21から読み出された描画データは、描画位置及び描画図形データ等で構成されるフレーム領域データ毎にパターンメモリ22に一時的に格納される。パターンメモリ22に格納されたフレーム領域毎のパターンデータは、パターンデータデコーダ23及び描画データデコーダ24により解析される。
The
パターンデータデコーダ23の出力は、ブランキングデータとしてブランキング回路25、ビーム寸法データとしてビーム成形器ドライバ26へそれぞれ送られる。
The output of the
そして、ビーム成形器ドライバ26からビーム寸法可変用偏向器13bに所定の偏向信号が印加され、これにより電子ビームの寸法が制御される。
Then, a predetermined deflection signal is applied from the
描画データデコーダ24の出力は、主偏向器ドライバ27及び副偏向器ドライバ28へ送られる。そして、主偏向器ドライバ27から主偏向器13cに所定の偏向信号が印加され、これにより電子ビームは指定の主偏向位置に偏向走査される。さらに、副偏向器ドライバ28から副偏向器13dに所定の副偏向信号が印加され、これによりサブフィールド内部の描画が行われる。
The output of the
また本実施形態では、ステージ移動に伴うフレーム間の相対位置ずれを補正するための補正値を登録するための補正テーブル29が設けられている。そして、実際の描画時には、この補正テーブル29から主偏向器ドライバ27に補正値がセットされるようになっている。
In the present embodiment, a correction table 29 is provided for registering correction values for correcting the relative positional deviation between frames accompanying stage movement. In actual drawing, a correction value is set from the correction table 29 to the
図2を参照して、3は、図1で説明した電子線描画装置のフォトマスクの高さ測定部である。高さ測定部3は、光測定を採用している。 Referring to FIG. 2, reference numeral 3 denotes a photomask height measuring unit of the electron beam lithography apparatus described with reference to FIG. The height measuring unit 3 employs optical measurement.
高さ測定部3は、光源31と光源31から照射される光Liをステージ16上に載置されたフォトマスクM上で収束させる投光レンズ32とフォトマスクM上で反射した光Lrを受けて収束させる受光レンズ33と受光レンズ33によって収束された光Lrを受けて光の位置を検出する光位置検出器34とから構成されている。
The height measurement unit 3 receives the
光位置検出器34によって検出された光の位置から、フォトマスクMの表面の高さデータ処理部20で高さデータが生成され、制御コンピュータ2を介して、この高さデータを描画処理にフィードバックし、描画精度の向上を図っている。
From the position of the light detected by the
ところで、図1で説明したマーク台17に載置されるキャリブレーションマークは、通常、副偏向器13dの感度のずれを検出するために使用される。
Incidentally, the calibration mark placed on the mark table 17 described with reference to FIG. 1 is normally used for detecting a deviation in sensitivity of the
本発明では、このキャリブレーションマークと前記高さ測定部3とを利用して、高さ測定位置の検出を行うものである。まず、このキャリブレーションマークに光の反射率が異なるパターンを作成し、このパターンが作成されたキャリブレーションマークの表面を高さ測定部3の光源31から光を照射して走査する。このときに、高さ測定部3で実際に高さ測定する際の所定の高さ測定位置を特定する。
In the present invention, the height measurement position is detected using the calibration mark and the height measuring unit 3. First, a pattern having a different light reflectance is created on the calibration mark, and the surface of the calibration mark on which the pattern is created is scanned by irradiating light from the
このとき、図3で示す通り、前記作成されたパターンの高低差により、入射する光Liの反射率が各々異なる。キャリブレーションマーク上に形成された各低反射率エリアと高反射率エリアをX,Y方向に走査し、反射した光Lrを検出することにより、各エリアの光量データを得ることができ、図4で示す通り、光量データと高さ測定をする測定点の位置データとが対応したパターンデータが得られる。本実施の形態では、このパターンデータは、ステージ16上のX軸方向を0.5mmピッチで刻み、Y軸方向を0.5mmピッチで刻み、Z軸方向は、高さ測定部3の光位置検出器34としてPSD(Position Sensitive Detector)を利用し、このPSDからの出力(2点の電圧値V1及びV2の平均値)を光量(V)として定義した。
At this time, as shown in FIG. 3, the reflectance of the incident light Li varies depending on the height difference of the created pattern. By scanning each low reflectance area and high reflectance area formed on the calibration mark in the X and Y directions and detecting the reflected light Lr, the light quantity data of each area can be obtained. As shown, pattern data corresponding to the light amount data and the position data of the measurement point at which the height is measured is obtained. In the present embodiment, the pattern data is inscribed in the X-axis direction on the
図4からもわかる通り、上記高さ測定部3で測定した位置データは、X、Y方向の座標によって特定され、この位置データは、パターンの反射率に応じた光量データと対応している。 As can be seen from FIG. 4, the position data measured by the height measuring unit 3 is specified by coordinates in the X and Y directions, and this position data corresponds to light amount data corresponding to the reflectance of the pattern.
ところで、実際の描画状況下では、図1の電子線描画装置本体1内部は、真空引きされる。このとき、大気圧との関係で電子線描画装置本体1の外壁は、内側に歪み、この歪みの影響で、前記特定された高さ測定位置に位置ずれ(図4で示すX、Y方向の座標によって特定される位置ずれ)が生じる。
Incidentally, under an actual drawing situation, the inside of the electron beam drawing apparatus
この位置ずれは、各々の位置データに対応した光量データの変動によって検出することができる。これは、前記高さ測定部3により、真空雰囲気中で前記特定された高さ測定位置を測定すると、ずれた位置データに対応する光量データも変動するからである。そこで、高さ測定部3で前記特定された本来の位置データに対応する光量データの位置を検出することにより、ずれた差分のデータ、すなわち、位置ずれデータを取得することができる。この位置ずれデータから、真空雰囲気中の高さ測定位置を補正する補正データを生成し、前記特定された高さ測定位置を検出するようにすればよい。 This positional deviation can be detected by fluctuations in light amount data corresponding to each position data. This is because when the height measurement unit 3 measures the specified height measurement position in a vacuum atmosphere, the light amount data corresponding to the shifted position data also varies. Therefore, by detecting the position of the light amount data corresponding to the specified original position data by the height measuring unit 3, it is possible to acquire the data of the difference, that is, the position shift data. Correction data for correcting the height measurement position in the vacuum atmosphere may be generated from the positional deviation data, and the specified height measurement position may be detected.
したがって、図2で説明した電子ビーム描画装置の高さ測定部3の高さデータ処理部20は、前記キャリブレーションマークの表面形状を走査し、高さ測定をする測定点の位置を前記走査によって検出された光量データと対応させて記憶する記憶手段とを備え、描画状況下で、前記走査及び前記高さ測定する測定点の位置を特定し、所定の光量データに対応する測定点の位置を前記描画状況の前後で比較し、描画状況下における位置ずれを検出し、この位置ずれから、描画状況下の高さ測定する測定点の位置の補正データを生成する生成手段を備えたものであればよい。
Therefore, the height
以下、前記所定の高さ測定位置の決定方法について図5と図6の処理フロー図を使って2つの実施形態を説明する。 Hereinafter, two embodiments of the method for determining the predetermined height measurement position will be described with reference to the processing flowcharts of FIGS. 5 and 6.
図5で示す第1の実施形態は、測定された光量データから直接決定する方法である。 The first embodiment shown in FIG. 5 is a method for directly determining from measured light quantity data.
まず、キャリブレーションマーク上に、反射率が異なるパターンを形成する(S1)。次いで、キャリブレーションマーク上を高さ測定部3で走査(スキャン)し、光量が変動するデータを取得する(S2)。ここで、光量データの閾値を設定し(S3)、この閾値を超える光量データに対応する位置データを検出する(S4)。この閾値を超える光量データのエッジの位置を複数検出し、重み平均をして測定位置を決定する(S5)。 First, patterns having different reflectances are formed on the calibration mark (S1). Next, the height measurement unit 3 scans the calibration mark to acquire data in which the light amount varies (S2). Here, a threshold value of the light amount data is set (S3), and position data corresponding to the light amount data exceeding the threshold value is detected (S4). A plurality of edge positions of the light amount data exceeding the threshold value are detected, and a weighted average is determined to determine a measurement position (S5).
図6で示す第2の実施形態は、測定された光量データの微分値から決定する方法である。 The second embodiment shown in FIG. 6 is a method of determining from the differential value of the measured light quantity data.
第1の実施形態同様、キャリブレーションマーク上に、反射率が異なるパターンを形成し(S’1)、キャリブレーションマーク上を高さ測定部3で走査(スキャン)し、光量が変動するデータを取得し、(S’2)光量データの閾値を設定する(S’3)。 As in the first embodiment, patterns having different reflectances are formed on the calibration mark (S′1), and the calibration mark is scanned (scanned) by the height measuring unit 3, and the data in which the amount of light varies is obtained. (S′2) A threshold value of the light amount data is set (S′3).
次いで、光量の微分値を求め(S’4)、この微分値が前記閾値以上の位置データを検出する(S’5)。この検出された閾値以上の位置データのエッジの位置を複数検出し、重み平均をして測定位置を決定する(S’6)。 Next, a differential value of the light quantity is obtained (S'4), and position data whose differential value is equal to or greater than the threshold value is detected (S'5). A plurality of edge positions of the position data equal to or larger than the detected threshold value are detected, and a weighted average is determined to determine a measurement position (S'6).
以上の方法によれば、真空引きによる装置の歪みでフォトマスクを載置するステージの高さが1mm変動した場合、照射する光の入射角が70°とすると、真空引きする前に特定した測定位置は、2.74mmずれることになるが、それを実際に測定して確認することができる。従って、この位置ずれデータをもとに、前記真空引きによる測定位置の位置ずれを補正する補正データを生成することが可能になる。 According to the above method, when the height of the stage on which the photomask is placed varies by 1 mm due to distortion of the apparatus due to evacuation, if the incident angle of the irradiated light is 70 °, the measurement specified before evacuation Although the position will be displaced by 2.74 mm, it can be confirmed by actually measuring it. Therefore, it is possible to generate correction data for correcting the displacement of the measurement position due to the evacuation based on the displacement data.
以上、前記検出された高さ測定位置の位置ずれデータから、高さ測定位置の補正データを生成する方法、装置について、説明したが、前記検出された高さ測定位置の位置ずれデータから、前記光源の光軸の位置を調整する調整データを生成し、この調整データによって真空雰囲気中の光源の照射位置を自動制御し、正確な高さ測定を行うこともできる。 As described above, the method and the apparatus for generating the correction data of the height measurement position from the detected position deviation data of the height measurement position have been described. From the position deviation data of the detected height measurement position, Adjustment data for adjusting the position of the optical axis of the light source can be generated, and the irradiation position of the light source in the vacuum atmosphere can be automatically controlled based on the adjustment data to perform accurate height measurement.
1 電子線制御装置本体
2 制御コンピュータ
3 高さ測定部
16 ステージ
17 マーク台
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記ステージ上に設けられ、光の反射率が異なるパターンが形成されたキャリブレーションマークの表面を上記光源から照射する光によって走査する工程と、この走査によって検出された光量データと対応させて高さ測定する測定点の位置を特定する工程と、描画状況下で、前記走査及び前記高さ測定する測定点の位置の特定を行う工程と、所定の光量データに対応する測定点の位置を前記描画状況の前後で比較し、描画状況下における位置ずれを検出し、この位置ずれから、描画状況下の高さ測定する測定点の位置の補正データを生成する工程とを有することを特徴とするフォトマスクの高さ測定方法。 To draw a predetermined pattern using an electron beam on a photomask placed on the stage, light is emitted from a light source placed obliquely above the photomask surface with the optical axis aligned at a predetermined position. A photomask height measuring method for measuring the shape of the photomask surface by the detection position of the reflected light reflected by the photomask surface,
The provided al is on the stage, a step of scanning the surface of the calibration mark reflectance of light different patterns formed by light irradiated from the light source, high in correspondence with the light quantity data detected by the scanning Specifying the position of the measurement point to be measured, the step of specifying the position of the measurement point to be scanned and the height measurement under the drawing condition, and the position of the measurement point corresponding to predetermined light amount data A step of comparing before and after the drawing situation, detecting a position deviation under the drawing situation, and generating correction data of the position of the measurement point for measuring the height under the drawing situation from the position deviation. Photomask height measurement method.
前記ステージ上に設け、光の反射率が異なるパターンが形成されたキャリブレーションマークを載置したマーク台と、光の反射率が異なるパターンが形成された前記キャリブレーションマークの表面形状を前記高さ測定手段によって走査し、高さ測定をする測定点の位置を前記走査によって検出された光量データと対応させて記憶する記憶手段とを備え、描画状況下で、前記走査及び前記高さ測定する測定点の位置を特定し、所定の光量データに対応する測定点の位置を前記描画状況の前後で比較し、描画状況下における位置ずれを検出し、この位置ずれから、描画状況下の高さ測定する測定点の位置の補正データを生成する生成手段を有することを特徴とする電子線描画装置。A mark base provided with a calibration mark provided with a pattern with different light reflectance provided on the stage and a surface shape of the calibration mark with a pattern with different light reflectance formed on the height. A storage unit that scans by the measuring unit and stores the position of the measurement point to measure the height in correspondence with the light amount data detected by the scanning, and measures the scanning and the height under a drawing condition. The position of the point is specified, the position of the measurement point corresponding to the predetermined light quantity data is compared before and after the drawing situation, the position deviation under the drawing situation is detected, and the height under the drawing situation is measured from this position deviation. An electron beam drawing apparatus comprising generation means for generating correction data for the position of a measurement point to be measured.
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