JP5122654B2 - アクティブマトリクス基板、液晶表示パネル、液晶表示装置、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶表示パネルの製造方法、及び、液晶表示パネルの駆動方法 - Google Patents

Description

本発明は、液晶分子の配向を制御して映像を表示するためのアクティブマトリクス基板、液晶表示パネル、液晶表示装置、アクティブマトリクス基板の製造方法、及び、液晶表示パネルの製造方法に関し、特に、ＰＳＡ（Polymer Sustained Alignment）処理を含む製造方法によって製造されるアクティブマトリクス基板、液晶表示パネル、液晶表示装置、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶表示パネルの製造方法、及び、液晶表示パネルの駆動方法に関するものである。

近年、情報機器の普及に伴い、表示パネル（液晶表示装置）の高性能化に対する要求が高まっている。液晶表示装置では、液晶分子の配向方向を印加電圧に応じて変化させることによって、透過光のオンオフを制御する。この液晶表示装置の高性能化を実現するためには、液晶に電圧が印加されていない状態における液晶分子の配向状態が重要となる。したがって、液晶表示装置の高性能化の実現のためには、良好な配向状態が得られるように、液晶層と液晶分子との初期形成角（プレチルト角）を制御する必要がある。

プレチルト角の制御方法としては、例えば下掲の特許文献１に開示されている技術、いわゆるＰＳＡと称される技術が知られている。ＰＳＡは、重合可能なモノマーを液晶に混入しておき、液晶に電圧を印加した状態で光または熱などでモノマーを重合することにより、液晶の倒れる方向を記憶させる技術である。例えば、まず、配向膜が各々形成された一対の基板を配向膜同士が対向するように互いに貼り合わせてなるセル内に、モノマーを含む液晶材料を注入する。続いて、上記セルに電界を印加する等して液晶分子を所定の方向に配向させた状態で紫外線を照射して上記モノマーを重合させる。

これにより、上記の配向膜上に、チルトを有するポリマー層を形成する。この結果、ポリマー層と接触している液晶分子をプレチルト角が付与された状態で固定することができる。ＰＳＡによれば、開口率を大きくするなどの目的のために配向規制力が弱い画素構造であっても、応答速度が速く、指押し等によっても液晶配向が乱れ難くなる。

さらに、ＰＳＡによる液晶分子の配向工程（以下、ＰＳＡ工程と呼ぶ）においては、紫外線の照射時に印加する電圧の大きさが異なる場合、プレチルト角に違いが生じ、異なる透過率特性をもつ原因となってしまうため、電圧の印加方法が重要となる。このため、例えば、下掲の特許文献２では、交流印加により電気容量を利用して液晶を駆動し、配線欠陥の影響を回避する方式、すなわち、Ｃｓ−ＣＯＭ電圧印加方式のＰＳＡ工程による液晶表示装置の製造方法が提案されている。

特許文献２に記載の液晶表示装置の製造方法では、第１の基板には、基板全面に電圧を印加するための共通電極が形成されており、第２の基板には、ゲートバスラインとデータバスラインとがマトリクス状に配置され、２つバスラインの交点には薄膜トランジスタとそれにつながる画素電極が形成されていると共に、画素電極との間で電気容量を形成するＣｓバスラインが形成されている。また、第１の基板と第２の基板との間隙に感光性の材料を含む液晶組成物を充填して液晶層が形成され、共通電極と画素電極とにより、それらの間に液晶層を挟んで電気容量が形成されている。そして、特許文献２に記載の液晶表示装置の製造方法によれば、共通電極と画素電極との間に交流電圧を印加して、前記液晶層に光を照射する。

これにより、液晶に電圧を印加する際に、データバスラインからの電圧書き込みをするのではなく、２つの共通電極間に電圧を印加して書き込みを行なうため、データバスラインからの書き込みの場合におけるバスラインの断線やショートによってできた欠陥部分に起因する問題、すなわち、欠陥部分に形成されるプレチルト角によって欠陥部分だけが異なる明るさになるという障害を防止することができる。

日本国公開特許公報「特開２００３−１４９６４７号公報（公開日：２００３年５月２１日）」 日本国公開特許公報「特開２００３−１７７４０８号公報（公開日：２００３年６月２７日）」

しかしながら、特許文献２に記載の構成では、Ｃｓ−ＣＯＭ電圧印加方式のＰＳＡ工程によって画素電極スリットと補助容量線とがクロスする位置で配向乱れが発生するという問題がある。

一般的に、液晶分子の配向を制御するために、例えば画素電極にスリットが設けられるが、液晶分子の配向は、画素電極に電圧が印加されたときに形成される等電位面に依存する。つまり、液晶分子の傾斜は、電界の向きによって制御されることになる。このとき、画素電極のスリットと補助容量線とが交差する領域では、補助容量線の電位により、電界の向きが異なってくる。

図９は、スリットが形成された画素電極と対向基板との間のスリット近傍の電気力線（矢印線）および等電位面（破線）を示す図であり、（ａ）はスリットが補助容量線と交差していない領域における電気力線および等電位面を示す図であり、（ｂ）は補助容量線がＣＯＭ電位と同電位の場合において、スリットと補助容量線とが交差した領域における電気力線および等電位面を示す図であり、（ｃ）は補助容量線がＣＯＭ電位に対して高電位の場合において、スリットと補助容量線とが交差した領域における電気力線および等電位面を示す図である。

図９の（ａ）および（ｂ）に示す等電位面および電気力線の場合、間隙を置いて隣り合う２つの画素電極の各端部では、電気力線が、各端部から間隙の中心に向かうように傾斜している。この場合、後述するように液晶分子を適切な向きに配向させることができる。これに対して、図９の（ｃ）に示す等電位面および電気力線の場合、上記２つの画素電極の各端部では、電気力線が、間隙の中心付近から画素電極の各端部の上方へ向かうように、図９の（ｂ）の上記電気力線とは逆向きに傾斜している。この場合、後述するように液晶分子を適切な向きに配向させることができない。

図１０は、画素電極スリットと補助容量線とがクロスする位置の付近において、Ｃｓ−ＣＯＭ電圧印加方式のＰＳＡ工程に起因する配向乱れの様子を示す図である。図１０において、白色の領域が通常配向の領域であり、黒い縞模様は配向乱れによる暗線である。この配向乱れは、Ｃｓ−ＣＯＭ電圧印加方式のＰＳＡ工程において、補助容量線の電位（Ｖｃｓ）から共通電極の電位（Ｖｃｏｍ）を減算した電位差と、画素電極の電位（Ｖｄ）から共通電極の電位（Ｖｃｏｍ）を減算した電位差とが同極性であり、かつ、補助容量線の電位（Ｖｃｓ）と共通電極の電位（Ｖｃｏｍ）との差の絶対値が、画素電極の電位（Ｖｄ）と共通電極の電位（Ｖｃｏｍ）との差の絶対値よりも大きくなる場合（すなわち、Ｖｃｓ−ＶｃｏｍとＶｄ−Ｖｃｏｍとが同極性、かつ、｜Ｖｃｓ−Ｖｃｏｍ｜＞｜Ｖｄ−Ｖｃｏｍ｜の場合）に発生する。この場合の等電位面は、スリット下の補助容量線の電位の影響で図９の（ｃ）に示す形状となってしまうため、液晶分子に適切なプレチルト角を付与できない。そして、図９の（ｃ）に示すような等電位面は、対向基板の共通電極に液晶配向規制構造が設けられている場合、さらに問題となる。

この問題について、より詳細に説明すれば、次のとおりである。図１１は、補助容量線を備え、スリットを有する画素電極と突起を有する共通電極とを備えた液晶表示装置における液晶分子の配向の様子を示す図であり、（ａ）は、通常駆動時の液晶分子の配向を示し、（ｂ）はＣｓ−ＣＯＭ電圧印加方式のＰＳＡ工程によって形成された液晶分子の配向を示している。共通電極に設けられた突起は、画素電極に形成されたスリットと同様、液晶分子のプレチルトを制御するための配向規制構造である。なお、共通電極に設けられる配向規制構造としては、突起には限定されず、スリットであってもよい。

図１１の（ａ）に示すとおり、通常駆動の場合には、共通電極、画素電極、および、補助容量線には、「共通電極の電位（Ｖｃｏｍ）＝補助容量線の電位（Ｖｃｓ）」となる電圧が印加され、この結果、画素電極に設けられたスリット近傍における等電位線は、補助容量線に向かって凸の形状（図９の（ｂ）に対応）となる。この場合、共通電極に設けられた突起部近傍の液晶の配向と、画素電極に設けられたスリット近傍の液晶の配向とでは、液晶の倒れる向きが同じであり、配向乱れは生じない。この結果、暗線は現れない。

一方、図１１の（ｂ）に示すとおり、Ｃｓ−ＣＯＭ電圧印加方式のＰＳＡ工程においては、共通電極、画素電極、および、補助容量線には、Ｖｃｓ−ＶｃｏｍとＶｄ−Ｖｃｏｍとが同極性、かつ、｜Ｖｃｓ−Ｖｃｏｍ｜＞｜Ｖｄ−Ｖｃｏｍ｜となる電圧が印加され、この結果、画素電極に設けられたスリット近傍における等電位線は、通常駆動の場合とは逆に、共通電極に向かって凸の形状（図９の（ｃ）に対応）となる。この場合、共通電極に設けられた突起部近傍の液晶の配向と、画素電極に設けられたスリット近傍の液晶の配向とでは、液晶の倒れる向きが逆であり、配向乱れが生じる。この結果、図１０に示すような暗線が現れる。

つまり、Ｃｓ−ＣＯＭ電圧印加方式のＰＳＡ工程では、１画素内で所定方向に液晶分子を配向させたドメインを形成する場合に、その１ドメイン内のプレチルト角を一方向に形成することができない。

したがって、従来のＰＳＡ工程を経ると、プレチルト角は、図１１の（ｂ）の状態に固定されてしまい、通常駆動においても、図１０の暗線が現れるため、表示品質の低下を招いてしまうという問題がある。

また、ＰＳＡ工程が含まれない製造方法で製造された液晶表示装置の通常駆動においても、（補助容量線の電位−共通電極の電位）と（画素電極の電位−共通電極の電位）とが同極性、かつ、｜補助容量線の電位−共通電極の電位｜＞｜画素電極の電位−共通電極の電位｜となるように補助容量線に電圧が印加される場合には、補助容量線と交差する画素電極のスリット近傍の液晶において配向乱れが生じ、やはり、図１０に示すような暗線が現れることになる。

さらに、走査信号線が画素電極の下方に配置されて、画素電極に設けられたスリットと走査信号線とが交差するような構造を有する液晶表示装置において、（走査信号線の電位−共通電極の電位）と（画素電極の電位−共通電極の電位）とが同極性、かつ、｜走査信号線の電位−共通電極の電位｜＞｜画素電極の電位−共通電極の電位｜となるように走査信号線に電圧が印加される場合には、走査信号線と交差する画素電極のスリット近傍の液晶において配向乱れが生じ、やはり、図１０に示すような暗線が現れることになる。

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、液晶の配向乱れを抑制し、高品質の表示を実現することが可能なアクティブマトリクス基板、液晶表示パネル、液晶表示装置、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶表示パネルの製造方法、及び、液晶表示パネルの駆動方法を提供することにある。

本発明に係るアクティブマトリクス基板は、上記の課題を解決するために、複数の走査信号線と、該走査信号線に交差するように配置された複数の信号配線と、上記各走査信号線と各信号配線との組み合わせに対応して設けられた画素電極部によって構成される画素部であって、液晶分子の配向状態を制御する配向制御間隙部を有する画素部と、上記走査信号線から供給される走査信号に応じて、上記信号配線と上記画素電極部とを導通状態または非導通状態に切り替えるスイッチング素子と、上記スイッチング素子に接続され、上記スイッチング素子が導通状態のときに、上記信号配線からのデータ信号を上記画素電極部に供給する金属配線と、上記画素電極部との間で電気容量を形成する補助容量線とを備えたアクティブマトリクス基板であって、上記補助容量線または上記走査信号線と、上記配向制御間隙部とが交差する領域において、上記画素部の層と上記補助容量線または上記走査信号線の層との間に、少なくとも上記補助容量線または上記走査信号線を覆うように、金属層が形成されていることを特徴としている。

上記の構成によれば、アクティブマトリクス基板は、複数の走査信号線と、該走査信号線に交差するように配置された複数の信号配線と、上記各走査信号線と各信号配線との組み合わせに対応して設けられた画素電極部によって構成される画素部であって、液晶分子の配向状態を制御する配向制御間隙部を有する画素部とを備えている。

画素電極部は、１つの画素電極によって構成されてもよいし、複数の副画素電極によって構成されてもよい。また、画素部は、走査信号線と信号配線との交点に設けられた画素電極部の集合に対応している。そして、画素部は、液晶分子の配向状態を変化させる配向制御間隙部として、例えば、画素電極部を構成する各画素電極に設けられた通常のスリットや微細スリットを有している。あるいは、画素部における配向制御間隙部は、画素部を構成する画素電極部と画素電極部との間隙であってもよい。

また、上記の構成によれば、アクティブマトリクス基板は、上記走査信号線から供給される走査信号に応じて、上記信号配線と上記画素電極部とを導通状態または非導通状態に切り替えるスイッチング素子と、上記スイッチング素子に接続され、上記スイッチング素子が導通状態のときに、上記信号配線からのデータ信号を上記画素電極部に供給する金属配線と、上記画素電極部との間で電気容量を形成する補助容量線とを備えている。

スイッチング素子は、例えば、ＴＦＴによって構成され、画素電極部ごとに、画素電極部と信号配線との間に設けられている。そして、走査信号線からの信号に応じてスイッチングを行い、画素電極部と信号配線との電気的な接続、すなわち、導通状態と非導通状態とを切り替える。スイッチング素子は、金属配線によって画素電極部に接続されており、導通状態のときには、信号配線からのデータ信号に対応する電圧が画素電極部に供給される。金属配線は、例えば、ＴＦＴのドレイン電極からのドレイン線として構成される。さらに、補助容量線が設けられて、画素電極部との間で電気容量を形成する。

そして、上記の構成によれば、上記補助容量線または上記走査信号線と、上記配向制御間隙部とが交差する領域において、上記画素部の層と上記補助容量線または上記走査信号線の層との間に、少なくとも上記補助容量線または上記走査信号線を覆うように、金属層が形成されている。金属層としては、例えば、ドレイン電極からの上記金属配線であってもよいし、上記信号配線であってもよい。あるいは、中間電極であってもよいし、さらには、全く独立に形成されたシールドメタルであってもよい。なお、中間電極とは、コンタクトホールを介して画素電極と接続された、画素電極と同電位の電極である。

従来、アクティブマトリクス基板と対向基板との間に液晶層を備えた液晶表示パネルを製造する場合、液晶分子のプレチルト角を形成するためにＰＳＡ工程を行う場合があるが、補助容量配線を備えた液晶表示パネルでは、ＰＳＡ工程時、（補助容量線の電位−共通電極の電位）と（画素電極の電位−共通電極の電位）とが同極性、かつ、｜補助容量線の電位−共通電極の電位｜＞｜画素電極の電位−共通電極の電位｜の関係となるため、配向制御間隙部の周辺の液晶層に形成される等電位面の影響によって、液晶分子の配向不良が発生し、表示品質の低下を引き起こすという問題があった。

また、従来、ＰＳＡ工程を行った液晶表示装置に限らず、配向制御間隙部と補助容量線（または走査信号線）とが交差するような構成の液晶表示装置において、通常駆動時に（補助容量線（または走査信号線）の電位−共通電極の電位）と（画素電極の電位−共通電極の電位）とが同極性、かつ、｜補助容量線（または走査信号線）の電位−共通電極の電位｜＞｜画素電極の電位−共通電極の電位｜となるように補助容量線（または走査信号線）に電圧が印加される場合には、補助容量線（または走査信号線）と交差する配向制御間隙部の周辺の液晶層において配向乱れが生じ、やはり、表示品質の低下を引き起こすという問題があった。

これに対し、本発明のアクティブマトリクス基板によれば、上記の構成により、配向制御間隙部、すなわち、スリットや画素電極間の間隙の開口領域と、補助容量配線または走査信号線とが上下に重ならないように、金属層によって、少なくとも補助容量配線または走査信号線を覆っている。

このような構成により、ＰＳＡ工程時、あるいは、通常駆動時、例えば、上記金属層の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差と、上記画素電極部の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差とが逆極性の第１の電位状態、上記金属層の電位と上記共通電極の電位とが等しい第２の電位状態、および、上記金属層の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差と、上記画素電極部の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差とが同極性で、かつ、上記画素電極部の電位と上記共通電極の電位との差の絶対値が、上記金属層の電位と上記共通電極の電位との差の絶対値以上となる第３の電位状態のうち、いずれか１つの電位状態を形成するように、上記金属層の電位を設定することができる。

これにより、ＰＳＡ工程時、あるいは、通常駆動時、補助容量線（または走査信号線）と配向制御間隙部とが交差する領域において、補助容量線（または走査信号線）の層と画素電極の層との間に、上記第１の電位状態、上記第２の電位状態、または、上記第３の電位状態を形成するような電位が設定された金属層が配置されるため、補助容量配線（または走査信号線）の電位による影響をシールドすることができる。

したがって、本発明に係るアクティブマトリクス基板によれば、液晶表示パネルを製造する場合、補助容量線（または走査信号線）と交差する配向制御間隙部の周辺の液晶層において形成される等電位面は、液晶分子の配向に影響を及ぼすことがなく、液晶分子の配向を良好に保ち、適切に液晶分子を配向させることができるため、液晶表示パネルの表示品質を向上させることができるという効果を奏する。

また、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法は、複数の走査信号線と、該走査信号線に交差するように配置された複数の信号配線と、上記各走査信号線と各信号配線との組み合わせに対応して設けられた画素電極部によって構成される画素部であって、液晶分子の配向状態を制御する配向制御間隙部を有する画素部と、上記走査信号線から供給される走査信号に応じて、上記信号配線と上記画素電極部とを導通状態または非導通状態に切り替えるスイッチング素子と、上記スイッチング素子に接続され、上記スイッチング素子が導通状態のときに、上記信号配線からのデータ信号を上記画素電極部に供給する金属配線と、上記画素電極部との間で電気容量を形成する補助容量線とを備えたアクティブマトリクス基板の製造方法であって、上記補助容量線または上記走査信号線と、上記配向制御間隙部とが交差する領域において、少なくとも上記補助容量線または上記走査信号線を覆うように、金属層を形成する工程を含んでいることを特徴としている。

上記の構成によれば、本発明に係るアクティブマトリクス基板と同様の作用効果を奏する。

本発明に係るアクティブマトリクス基板は、上記の課題を解決するために、複数の走査信号線と、該走査信号線に交差するように配置された複数の信号配線と、上記各走査信号線と各信号配線との組み合わせに対応して設けられた画素電極部によって構成される画素部であって、液晶分子の配向状態を制御する配向制御間隙部を有する画素部と、上記走査信号線から供給される走査信号に応じて、上記信号配線と上記画素電極部とを導通状態または非導通状態に切り替えるスイッチング素子と、上記スイッチング素子に接続され、上記スイッチング素子が導通状態のときに、上記信号配線からのデータ信号を上記画素電極部に供給する金属配線とを備えたアクティブマトリクス基板であって、上記走査信号線と、上記配向制御間隙部とが交差する領域において、上記画素部の層と上記走査信号線の層との間に、少なくとも上記走査信号線を覆うように、金属層が形成されていることを特徴としている。

上記の構成によれば、アクティブマトリクス基板は、複数の走査信号線と、該走査信号線に交差するように配置された複数の信号配線と、上記各走査信号線と各信号配線との組み合わせに対応して設けられた画素電極部によって構成される画素部であって、液晶分子の配向状態を制御する配向制御間隙部を有する画素部とを備えている。

画素電極部は、１つの画素電極によって構成されてもよいし、複数の副画素電極によって構成されてもよい。また、画素部は、走査信号線と信号配線との交点に設けられた画素電極部の集合に対応している。そして、画素部は、液晶分子の配向状態を変化させる配向制御間隙部として、例えば、画素電極部を構成する各画素電極に設けられた通常のスリットや微細スリットを有している。あるいは、画素部における配向制御間隙部は、画素部を構成する画素電極部と画素電極部との間隙であってもよい。

また、上記の構成によれば、アクティブマトリクス基板は、上記走査信号線から供給される走査信号に応じて、上記信号配線と上記画素電極部とを導通状態または非導通状態に切り替えるスイッチング素子と、上記スイッチング素子に接続され、上記スイッチング素子が導通状態のときに、上記信号配線からのデータ信号を上記画素電極部に供給する金属配線とを備えている。

スイッチング素子は、例えば、ＴＦＴによって構成され、画素電極部ごとに、画素電極部と信号配線との間に設けられている。そして、走査信号線からの信号に応じてスイッチングを行い、画素電極部と信号配線との電気的な接続、すなわち、導通状態と非導通状態とを切り替える。スイッチング素子は、金属配線によって画素電極部に接続されており、導通状態のときには、信号配線からのデータ信号に対応する電圧が画素電極部に供給される。金属配線は、例えば、ＴＦＴのドレイン電極からのドレイン線として構成される。

そして、上記の構成によれば、上記走査信号線と、上記配向制御間隙部とが交差する領域において、上記画素部の層と上記走査信号線の層との間に、少なくとも上記走査信号線を覆うように、金属層が形成されている。金属層としては、例えば、ドレイン電極からの上記金属配線であってもよいし、上記信号配線であってもよい。あるいは、中間電極であってもよいし、さらには、全く独立に形成されたシールドメタルであってもよい。

従来、配向制御間隙部と走査信号線とが交差するような構成の液晶表示装置において、通常駆動時、あるいは、製造工程において、（走査信号線の電位−共通電極の電位）と（画素電極の電位−共通電極の電位）とが同極性、かつ、｜走査信号線の電位−共通電極の電位｜＞｜画素電極の電位−共通電極の電位｜となるように走査信号線に電圧が印加される場合には、走査信号線と交差する配向制御間隙部の周辺の液晶層において配向乱れが生じ、表示品質の低下を引き起こすという問題があった。

これに対し、本発明のアクティブマトリクス基板によれば、上記の構成により、配向制御間隙部、すなわち、スリットや画素電極間の間隙の開口領域と、走査信号線とが上下に重ならないように、金属層により少なくとも走査信号線を覆っている。この金属層は、例えば、上記金属層の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差と、上記画素電極部の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差とが逆極性の第１の電位状態、上記金属層の電位と上記共通電極の電位とが等しい第２の電位状態、または、上記金属層の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差と、上記画素電極部の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差とが同極性で、かつ、上記画素電極部の電位と上記共通電極の電位との差の絶対値が、上記金属層の電位と上記共通電極の電位との差の絶対値以上となる第３の電位状態を形成するような電位の設定が可能である。

これにより、走査信号線と配向制御間隙部とが交差する領域において、走査信号線の層と画素電極の層との間に、上記第１の状態、上記第２の状態、または、上記第３の状態を形成するような電位が設定された金属層を配置することができるため、走査信号線の電位による影響をシールドすることができる。

したがって、本発明に係るアクティブマトリクス基板によれば、液晶表示パネルを製造する場合、走査信号線と交差する配向制御間隙部の周辺の液晶層において形成される等電位面は、液晶分子の配向に影響を及ぼすことがなく、液晶分子の配向を良好に保ち、適切に液晶分子を配向させることができるため、液晶表示パネルの表示品質を向上させることができるという効果を奏する。

また、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法は、複数の走査信号線と、該走査信号線に交差するように配置された複数の信号配線と、上記各走査信号線と各信号配線との組み合わせに対応して設けられた画素電極部によって構成される画素部であって、液晶分子の配向状態を制御する配向制御間隙部を有する画素部と、上記走査信号線から供給される走査信号に応じて、上記信号配線と上記画素電極部とを導通状態または非導通状態に切り替えるスイッチング素子と、上記スイッチング素子に接続され、上記スイッチング素子が導通状態のときに、上記信号配線からのデータ信号を上記画素電極部に供給する金属配線とを備えたアクティブマトリクス基板の製造方法であって、上記上記走査信号線と、上記配向制御間隙部とが交差する領域において、少なくとも上記走査信号線を覆うように、上記金属層を形成する工程を含んでいることを特徴としている。

上記の構成によれば、本発明に係るアクティブマトリクス基板と同様の作用効果を奏する。

また、本発明に係るアクティブマトリクス基板では、上記金属層は、上記金属配線または上記信号配線の少なくともいずれかを含んで構成されることが好ましい。

上記の構成によれば、金属配線または信号配線を形成する製造工程において、一体的に金属層を形成することが可能となる。

これにより、製造工程を増加させることなく金属層を形成することができるため、製造コストを抑制することができる。

本発明に係るアクティブマトリクス基板では、上記配向制御間隙部は、上記画素電極部に個別に形成された細孔であることが好ましい。

本発明に係るアクティブマトリクス基板では、上記配向制御間隙部は、上記画素部を構成する複数の上記画素電極部の間に形成された間隙であることが好ましい。

本発明に係るアクティブマトリクス基板では、上記配向制御間隙部は、上記画素電極部に切込みを入れることによって形成された細隙であることが好ましい。

本発明に係るアクティブマトリクス基板では、上記画素電極部は、複数の副画素電極を備えたマルチ画素電極であり、画素分割方式によって駆動されることが好ましい。

上記の構成によれば、上記画素電極部は、複数の副画素電極から成るマルチ画素電極であり、画素分割方式によって駆動される。

これにより、１つの画素を高輝度の副画素と低輝度の副画素とで構成して中間調を表現することが可能となり、γ特性の視角依存性（例えば、画面の白浮き等）が改善される。しかも、上記アクティブマトリクス基板を備えていることにより、ＰＳＡ工程および実駆動において、補助容量線と配向制御間隙部とが交差する領域における配向不良を防止することができるため、表示品質を低下させることがない。

本発明に係るアクティブマトリクス基板では、上記画素電極部の隅部に形成された上記スイッチング素子から、上記画素電極部を横切るように配された上記補助容量線まで延伸させた上記金属配線としてのドレイン線に、上記配向制御間隙部と上記補助容量線とが交差する上記領域において、少なくとも上記補助容量線を覆う被覆部を形成してもよい。

本発明に係るアクティブマトリクス基板では、上記画素電極部を横切るように上記走査信号線が配されると共に、上記走査信号線と略平行に上記画素電極部を横切るように上記補助容量線が配されており、上記画素電極部に形成された上記スイッチング素子から、上記画素電極部を横切るように配された上記補助容量線と上記配向制御間隙部とが交差する上記領域と、上記走査信号線と上記配向制御間隙部とが交差する上記領域との少なくともいずれかまで、上記金属配線としてのドレイン線を延伸させ、少なくとも上記補助容量線および上記走査信号線を上記各領域において覆う被覆部を上記ドレイン線の一部として形成してもよい。

本発明に係るアクティブマトリクス基板では、上記画素電極部の端部を横切るように上記走査信号線が配されると共に、上記走査信号線と略平行に上記画素電極部の中央を横切るように上記補助容量線が配されており、上記画素電極部の隅部に形成された上記スイッチング素子から、上記画素電極部を横切るように配された上記補助容量線と上記配向制御間隙部とが交差する上記領域と、上記走査信号線と上記配向制御間隙部とが交差する上記領域との少なくともいずれかまで延伸させた上記金属配線としてのドレイン線に、少なくとも上記補助容量線および上記走査信号線を上記各領域において覆う被覆部を形成してもよい。

本発明に係るアクティブマトリクス基板では、上記画素電極部の中央を横切るように上記走査信号線が配されると共に、上記走査信号線と略平行に上記画素電極部の端部を横切るように上記補助容量線が配されており、上記画素電極部の辺縁部に形成された上記スイッチング素子から、上記画素電極部を横切るように配された上記補助容量線と上記配向制御間隙部とが交差する上記領域と、上記走査信号線と上記配向制御間隙部とが交差する上記領域との少なくともいずれかまで延伸させた上記金属配線としてのドレイン線に、少なくとも上記補助容量線および上記走査信号線を上記各領域において覆う被覆部を形成してもよい。

本発明に係るアクティブマトリクス基板では、上記画素電極部の長手方向の辺が、上記走査信号線と略平行に形成されていてもよい。

本発明に係るアクティブマトリクス基板では、１つの上記画素電極部内に隣り合って設けられた上記配向制御間隙部が鋭角的に接近した部位と重なるように上記補助容量線が形成されており、上記画素電極部の隅部に形成された上記スイッチング素子から、上記補助容量線まで延伸させた上記金属配線としてのドレイン線に、上記配向制御間隙部と上記補助容量線とが交差する上記領域において、少なくとも上記補助容量線を覆う被覆部を形成してもよい。

本発明に係るアクティブマトリクス基板では、複数の上記画素電極部の間隙として形成された上記配向制御間隙部を横切るように上記補助容量線が形成されており、上記画素電極部の隅部に形成された上記スイッチング素子から、上記補助容量線まで延伸させた上記金属配線としてのドレイン線に、上記配向制御間隙部と上記補助容量線とが交差する上記領域において、少なくとも上記補助容量線を覆う被覆部を形成してもよい。

本発明に係るアクティブマトリクス基板では、複数の上記画素電極部の間隙として形成された上記配向制御間隙部を横切るように上記補助容量線が形成されており、上記画素電極部の隅部に形成された上記スイッチング素子から、上記補助容量線に交差するように延伸させた上記信号配線としてのデータ信号線に、上記配向制御間隙部と上記補助容量線とが交差する上記領域において、少なくとも上記補助容量線を覆う被覆部を形成してもよい。

本発明に係るアクティブマトリクス基板では、上記画素電極部の隅部に形成された上記スイッチング素子から、上記画素電極部の端部を横切るように配された上記走査信号線まで延伸させた上記金属配線としてのドレイン線に、上記配向制御間隙部と上記走査信号線とが交差する上記領域において、少なくとも上記走査信号線を覆う被覆部を形成してもよい。

本発明に係る液晶表示パネルは、上記アクティブマトリクス基板と、共通電極が設けられた対向基板とを有し、これら各基板の間に液晶層を備えていることを特徴としている。

上記の構成によれば、アクティブマトリクス基板は、通常駆動や製造時のＰＳＡ工程などにおいて、走査信号線または補助容量線と配向制御間隙部とが交差する領域において、走査信号線または補助容量配線の電位による影響をシールドすることができるため、液晶分子の配向を良好に保ち、適切に液晶分子を配向させることができ、表示品質の高い液晶表示パネルを実現することが可能となる。

本発明に係る液晶表示パネルでは、上記対向基板は、液晶分子の配向状態を制御する配向制御部を備えていることが好ましい。

上記の構成によれば、液晶表示パネルでは、対向基板が配向制御部を備えている。配向制御部は、リブであってもよいし、スリットであってもよく、特に限定はされない。

これにより、液晶層内の液晶分子の配向が規制され、すなわち液晶分子に所望の配向が付与され、液晶表示パネルの視野角を向上させることができる。しかも、上記アクティブマトリクス基板を備えていることにより、通常駆動や製造時のＰＳＡ工程などにおいて、走査信号線または補助容量線と配向制御間隙部とが交差する領域における配向不良を防止することができるため、表示品質を低下させることがない。

本発明に係る液晶表示装置は、上記液晶表示パネルと、該液晶表示パネルを駆動する駆動回路とを備えていることを特徴としている。

上記の構成によれば、アクティブマトリクス基板は、通常駆動や製造時のＰＳＡ工程などにおいて、走査信号線または補助容量線と配向制御間隙部とが交差する領域において、走査信号線または補助容量配線の電位による影響をシールドすることができるため、液晶分子の配向を良好に保ち、最適なプレチルト角を付与することができ、表示品質の高い液晶表示装置を実現することが可能となる。

本発明に係る液晶表示パネルの製造方法は、上記液晶表示パネルの製造方法であって、上記金属層の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差と、上記画素電極部の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差とが逆極性の第１の電位状態、上記金属層の電位と上記共通電極の電位とが等しい第２の電位状態、および、上記金属層の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差と、上記画素電極部の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差とが同極性で、かつ、上記画素電極部の電位と上記共通電極の電位との差の絶対値が、上記金属層の電位と上記共通電極の電位との差の絶対値以上となる第３の電位状態のうち、いずれか１つの電位状態において、上記液晶層に電圧を印加して、予め上記液晶層に混入されたモノマーを重合することにより、上記液晶層の液晶分子にプレチルト角を付与するポリマー配向支持工程を含んでいることが好ましい。

上記の構成によれば、配向制御間隙部、すなわち、スリットや画素電極間の間隙の開口領域と、走査信号線または補助容量配線とが上下に重ならないように、金属層よって、補助容量配線または走査信号線を覆っている。

そして、ポリマー配向支持工程、すなわち、ＰＳＡ工程において、金属層は、上記金属層の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差と、上記画素電極部の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差とが逆極性の第１の電位状態、上記金属層の電位と上記共通電極の電位とが等しい第２の電位状態、または、上記金属層の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差と、上記画素電極部の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差とが同極性で、かつ、上記画素電極部の電位と上記共通電極の電位との差の絶対値が、上記金属層の電位と上記共通電極の電位との差の絶対値以上となる第３の電位状態を形成するような電位の設定が可能である。

これにより、走査信号線または補助容量線と配向制御間隙部とが交差する領域において、走査信号線または補助容量線の層と画素電極の層との間に、上記第１の電位状態、上記第２の電位状態、または、上記第３の電位状態を形成するような電位が設定された金属層が配置されるため、走査信号線または補助容量配線の電位による影響をシールドすることができる。

したがって、本発明に係る液晶表示パネルの製造方法によれば、走査信号線または補助容量線と交差する配向制御間隙部の周辺の液晶層において形成される等電位面は、液晶分子の配向に影響を及ぼすことがなく、液晶分子の配向を良好に保ち、適切に液晶分子を配向させることができるため、液晶表示パネルの表示品質を向上させることができるという効果を奏する。

本発明に係る液晶表示パネルの駆動方法は、上記液晶表示パネルの駆動方法であって、上記金属層の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差と、上記画素電極部の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差とが逆極性の第１の電位状態、上記金属層の電位と上記共通電極の電位とが等しい第２の電位状態、および、上記金属層の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差と、上記画素電極部の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差とが同極性で、かつ、上記画素電極部の電位と上記共通電極の電位との差の絶対値が、上記金属層の電位と上記共通電極の電位との差の絶対値以上となる第３の電位状態のうち、いずれか１つの電位状態において、上記液晶層に電圧を印加することが好ましい。

上記の構成によれば、配向制御間隙部、すなわち、スリットや画素電極間の間隙の開口領域と、走査信号線または補助容量配線とが上下に重ならないように、金属層よって、補助容量配線または走査信号線を覆っている。

そして、液晶表示パネルの実駆動において、金属層は、上記金属層の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差と、上記画素電極部の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差とが逆極性の第１の電位状態、上記金属層の電位と上記共通電極の電位とが等しい第２の電位状態、または、上記金属層の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差と、上記画素電極部の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差とが同極性で、かつ、上記画素電極部の電位と上記共通電極の電位との差の絶対値が、上記金属層の電位と上記共通電極の電位との差の絶対値以上となる第３の電位状態を形成するような電位の設定が可能である。

これにより、走査信号線または補助容量線と配向制御間隙部とが交差する領域において、走査信号線または補助容量線の層と画素電極の層との間に、上記第１の電位状態、上記第２の電位状態、または、上記第３の電位状態を形成するような電位が設定された金属層が配置されるため、走査信号線または補助容量配線の電位による影響をシールドすることができる。

したがって、本発明に係る液晶表示パネルの駆動方法によれば、走査信号線または補助容量線と交差する配向制御間隙部の周辺の液晶層において形成される等電位面は、液晶分子の配向に影響を及ぼすことがなく、液晶分子の配向を良好に保ち、適切に液晶分子を配向させることができるため、液晶表示パネルの表示品質を向上させることができるという効果を奏する。

本発明に係るアクティブマトリクス基板は、上記の課題を解決するために、複数の走査信号線と、該走査信号線に交差するように配置された複数の信号配線と、上記各走査信号線と各信号配線との組み合わせに対応して設けられた画素電極部によって構成される画素部であって、液晶分子の配向状態を制御する配向制御間隙部を有する画素部と、上記走査信号線から供給される走査信号に応じて、上記信号配線と上記画素電極部とを導通状態または非導通状態に切り替えるスイッチング素子と、上記スイッチング素子に接続され、上記スイッチング素子が導通状態のときに、上記信号配線からのデータ信号を上記画素電極部に供給する金属配線と、上記画素電極部との間で電気容量を形成する補助容量線とを備えたアクティブマトリクス基板であって、上記補助容量線または上記走査信号線と、上記配向制御間隙部とが交差する領域において、上記画素部の層と上記補助容量線または上記走査信号線の層との間に、少なくとも上記補助容量線または上記走査信号線を覆うように、金属層が形成されていることを特徴としている。

本発明に係るアクティブマトリクス基板は、上記の課題を解決するために、複数の走査信号線と、該走査信号線に交差するように配置された複数の信号配線と、上記各走査信号線と各信号配線との組み合わせに対応して設けられた画素電極部によって構成される画素部であって、液晶分子の配向状態を制御する配向制御間隙部を有する画素部と、上記走査信号線から供給される走査信号に応じて、上記信号配線と上記画素電極部とを導通状態または非導通状態に切り替えるスイッチング素子と、上記スイッチング素子に接続され、上記スイッチング素子が導通状態のときに、上記信号配線からのデータ信号を上記画素電極部に供給する金属配線とを備えたアクティブマトリクス基板であって、上記走査信号線と、上記配向制御間隙部とが交差する領域において、上記画素部の層と上記走査信号線の層との間に、少なくとも上記走査信号線を覆うように、金属層が形成されていることを特徴としている。

それゆえ、通常駆動、あるいは、製造時のＰＳＡ工程などにおいて、走査信号線または補助容量線と配向制御間隙部とが交差する領域において、走査信号線または補助容量線の層と画素電極の層との間に、上記金属層の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差と、上記画素電極部の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差とが逆極性の第１の電位状態、上記金属層の電位と上記共通電極の電位とが等しい第２の電位状態、または、上記金属層の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差と、上記画素電極部の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差とが同極性で、かつ、上記画素電極部の電位と上記共通電極の電位との差の絶対値が、上記金属層の電位と上記共通電極の電位との差の絶対値以上となる第３の電位状態を形成するような電位が設定された金属層を配置することができ、走査信号線または補助容量配線の電位による影響をシールドすることができる。

したがって、走査信号線または補助容量線と交差する配向制御間隙部の周辺の液晶層において形成される等電位面は、液晶分子の配向に影響を及ぼすことがなく、液晶分子の配向を良好に保ち、適切に液晶分子を配向させることができるため、液晶表示パネルの表示品質を向上させることができるという効果を奏する。

本実施の形態に係る液晶表示パネルの要部構成を模式的に示す断面図である。 本実施の形態にかかる液晶表示装置の概略構成を示すブロック図であり、（ａ）は補助容量を用いて駆動する液晶表示装置を示し、（ｂ）は補助容量を用いずに駆動する液晶表示装置を示している。 本実施の形態に係る、画素電極に通常のスリットが設けられた液晶表示パネルの構成例（ａ）〜（ｅ）を模式的に示す平面図である。 本実施の形態に係る、画素−画素スリットが設けられた液晶表示パネルの構成を模式的に示す平面図である。 図４ａに示す液晶表示パネルの構成を模式的に示す断面図である。 本実施の形態に係る、画素−画素スリットが設けられた液晶表示パネルの他の構成を模式的に示す平面図である。 本実施の形態に係る、画素電極に微細スリットが設けられた液晶表示パネルの構成を模式的に示す平面図である。 本実施の形態に係る、横長絵素の画素構造を有する液晶表示パネルの構成を示す平面図であり、（ａ）は画素電極の中央に走査信号線が形成されている構成を示し、（ｂ）は画素電極が、１つの長辺近傍で走査信号線とオーバーラップしている構成を示している。 本実施の形態に係る、マルチ画素構造を有する液晶表示パネルの構成を示す図である。 スリットが形成された画素電極と対向基板との間のスリット近傍の電気力線および等電位面を示す図であり、（ａ）はスリットが補助容量線と交差していない領域における電気力線および等電位面を示し、（ｂ）は補助容量線がＣＯＭ電位と同電位の場合において、スリットと補助容量線とが交差した領域における電気力線および等電位面を示し、（ｃ）は補助容量線がＣＯＭ電位に対して高電位の場合において、スリットと補助容量線とが交差した領域における電気力線および等電位面を示している。 Ｃｓ−ＣＯＭ電圧印加方式のＰＳＡ工程に起因する配向乱れの様子を示す図である。 補助容量線を備え、スリットを有する画素電極と突起を有する共通電極とを備えた液晶表示装置における液晶分子の配向の様子を示す図であり、（ａ）は、通常駆動時の液晶分子の配向を示し、（ｂ）はＣｓ−ＣＯＭ電圧印加方式のＰＳＡ工程によって形成された液晶分子の配向を示している。 本実施の形態にかかる他の液晶表示装置の概略構成を示すブロック図である。

（液晶表示装置１の概要）
本発明の一実施形態について図１〜図８に基づいて説明すれば以下の通りである。はじめに本実施の形態に係る液晶表示装置１の概要について説明する。図１は、本実施の形態に係る液晶表示パネル２の要部構成を模式的に示す断面図である。また、図２は、本実施の形態にかかる液晶表示装置の概略構成を示すブロック図であり、図２の（ａ）は補助容量を用いて駆動する液晶表示装置１を示し、図２の（ｂ）は補助容量を用いずに駆動する液晶表示装置１’を示している。

図２の（ａ）に示すように、本実施の形態にかかる液晶表示装置１は、液晶表示パネル２と、該液晶表示パネル２を駆動する駆動回路と、該駆動回路の駆動を制御する制御回路３と、必要に応じて、バックライトユニット（図示せず）等とを備えている。

上記駆動回路は、液晶表示パネル２における走査信号線（ゲートバスライン）２１を駆動するゲート駆動回路４と、データ信号線（信号配線、ソースバスライン）２２を駆動するソース駆動回路５と、補助容量線（Ｃｓバスライン）１４を駆動するＣｓ駆動回路６とを備えている。

これらゲート駆動回路４、ソース駆動回路５、およびＣｓ駆動回路６は、各々、走査信号線２１、データ信号線２２、および補助容量線１４に電気的に接続されており、これらバスラインに、外部から独立して電位を与えることができるようになっている。これら駆動回路は、上記制御回路３に各々電気的に接続されており、該制御回路３から供給される制御信号や映像信号によって制御されている。

上記走査信号線２１とデータ信号線２２とは、図２の（ａ）に示すように、互いに交差して設けられている。これら走査信号線２１とデータ信号線２２とで囲まれた各領域が１画素に対応する。上記液晶表示パネル２は、後述するアクティブマトリクス基板１０（薄膜トランジスタ基板）と対向基板２０とを含んで構成される。アクティブマトリクス基板１０は、複数の画素７がマトリクス状に配された構成を有している。また、詳細については後述するが、各画素７は、画素電極とスイッチング素子とによって構成されている。なお、請求の範囲における画素部は、マトリクス状に配された複数の画素７の集合に対応しており、請求の範囲における画素電極部は、各画素７を構成する画素電極に対応している。

なお、図２の（ｂ）に示す液晶表示装置１’は、補助容量線（Ｃｓバスライン）１４とそれを駆動するＣｓ駆動回路６とを備えていない点においてのみ図２の（ａ）に示す液晶表示装置１と異なり、他の各部の機能は同じであるため、説明は省略する。

（アクティブマトリクス基板１０）
図１を参照して、アクティブマトリクス基板１０の特徴的構成について説明する。図１に示すとおり、アクティブマトリクス基板１０は、対向基板２０および液晶層３０と共に、液晶表示パネル２を構成している。アクティブマトリクス基板１０は、透明絶縁性基板１１と画素電極１２とドレイン線（金属配線）１３と補助容量線１４とを含んで構成される。画素電極１２には、スリット（配向制御間隙部）１５が設けられている。スリット１５を設けることによって、等電位面を変形させることによって、液晶分子の配向方位を制御する。

そして、アクティブマトリクス基板１０では、図１に示すとおり、走査信号線２１または補助容量線１４と、画素電極１２におけるスリット１５とが交差する領域において、少なくとも走査信号線２１または補助容量線１４を覆うように、ドレイン線１３によって構成される金属層が形成されている点に特徴を有している。

また、アクティブマトリクス基板１０では、走査信号線２１または補助容量線１４と、画素電極１２におけるスリット１５とが交差する領域において、走査信号線２１または補助容量線１４を覆うように、データ信号線２２によって構成される金属層が形成された構成であってもよい。

また、アクティブマトリクス基板１０では、走査信号線２１または補助容量線１４と、画素電極１２におけるスリット１５とが交差する領域において、走査信号線２１または補助容量線１４を覆うように、中間電極あるいは独立したシールドメタルによって構成される金属層が形成された構成であってもよい。

なお、上記金属層を独立したシールドメタルによって形成する場合には、金属層の電位を後述する第１から第３の電位状態のうち、最も好ましいいずれかの電位状態に自由に設定するためのシールドメタル用電圧駆動回路を設けることになる。図１２は、図２の（ａ）に示す液晶表示装置１に、シールドメタル用電圧駆動回路４１を追加した液晶表示装置１Ａを示している。

図１２では、シールドメタル用電圧駆動回路４１を液晶表示パネル２に対してソース駆動回路５と反対側に配置しているが、これに限らず、回路レイアウトは任意に決めることができる。

アクティブマトリクス基板の製造工程は、補助容量線１４または走査信号線２１と、スリット１５とが交差する領域において、画素電極１２の層と補助容量線１４または走査信号線２１の層との間に、少なくとも補助容量線１４または走査信号線２１を覆うように、データ信号線２２、ドレイン線１３、中間電極あるいは独立したシールドメタルの少なくともいずれかを形成する工程を含んでいる。

（ＰＳＡ工程）
液晶表示装置の表示性能を向上させるためには、液晶表示パネルの製造段階において、液晶分子が良好な配向状態となるようにプレチルト角を制御する必要がある。プレチルト角の制御方法としては、例えば、ＰＳＡ（Polymer Sustained Alignment；ポリマー配向支持）処理がある。ＰＳＡ処理は、重合可能なモノマーを液晶に混入しておき、液晶に電圧を印加した状態において、光または熱などでモノマーを重合することにより液晶の倒れる方向を記憶させるものである。これにより、開口率を大きくするなどの目的のために配向規制力が弱い画素設計であったとしても、応答速度が速く、指押し等によっても液晶配向が乱れにくい構成を実現することができる。

また、従来、ＣＳ−ＣＯＭ電圧印加方式の液晶表示パネル、すなわち、補助容量線（ＣＳ）と共通電極（ＣＯＭ）とに電圧を印加することによって、補助容量を介して、画素電極と共通電極との間に電圧を印加して駆動する方式の液晶表示パネルは、図１１に示す構成であった。ＣＳ−ＣＯＭ電圧印加方式の液晶表示パネルでは、通常駆動の場合、図１１の（ａ）に示すように、共通電極に設けられた突起部近傍の液晶の配向と、画素電極に設けられたスリット近傍の液晶の配向とでは、液晶分子の倒れる向きが同じになる。

しかしながら、上記従来の構成では、液晶表示パネルを製造する場合、ＰＳＡ工程において、共通電極と画素電極と補助容量線とに印加される電圧に起因して、図１１の（ｂ）に示すとおり、共通電極に設けられた突起部近傍の液晶の配向と、画素電極に設けられたスリット近傍の液晶の配向とでは、液晶分子の倒れる向きが逆になる。

これに対して、本発明に係る液晶表示パネル２によれば、上述したアクティブマトリクス基板１０の構成により、液晶表示パネル２を製造する場合のＰＳＡ工程において、液晶分子に対して所望のプレチルト角を付与することが可能となる。以下では、本発明に係る液晶表示パネル２について、より具体的に説明する。

（液晶表示パネル２）
上記液晶表示パネル２は、互いに対向して配置された一対の基板、すなわち、アクティブマトリクス基板１０および対向基板２０を備え、これら一対の基板間に液晶層３０が挟持されている構成を有している。これら一対の基板の外側（両基板の対向面とは反対側の面）には、図示しない位相差板や偏光板が、必要に応じて各々設けられていてもよい。

対向基板２０は、透明絶縁性基板１６と共通電極１７とを含んで構成される。共通電極１７には、画素電極１２と対向する面において、リブ１８が設けられている。液晶層面にリブ１８を設けることによって、リブ付近の液晶分子にプレチルト角を付与し、電圧を印加すると、プレチルト角を付与された液晶分子の配向にならって、他の液晶分子が配向する。したがって、液晶層面にリブ１８を設けておくと、電圧印加によって液晶分子の配向方位をより安定に制御することができる。

上記共通電極１７は、透明絶縁性基板１６のほぼ全面に形成されており、各画素７に共通の電極（すなわち、共通電極）として使用される。そして、液晶層３０には、共通電極１７と画素電極１２とに印加された電圧によって電界が印加され、これにより、液晶層３０の光透過率が変調されるので画像が形成される。

なお、本実施の形態においては、液晶分子の配向規制のための構成として、共通電極１７にリブ１８を設けた構成としているが、リブ（配向制御部）１８に代えて、スリットを設けた構成であってもよい。また、液晶表示パネル２においては、液晶分子の配向規制の構成として、画素電極１２にスリットが設けられていればよく、必ずしも共通電極１７に配向規制のための構造が設けられている必要はない。

そして、液晶表示パネル２は、上述したとおり、補助容量線１４または走査信号線２１と、スリット１５とが交差する領域において、画素電極１２の層と補助容量線１４または走査信号線２１の層との間に、少なくとも補助容量線１４または走査信号線２１を覆うように、データ信号線２２またはドレイン線１３の少なくともいずれかが形成されているアクティブマトリクス基板１０を備えている。

この構成により、スリット１５と、補助容量線１４または走査信号線２１とが上下に重ならないように、データ信号線２２、ドレイン線１３、中間電極、あるいは独立したシールドメタル等の金属層によって、少なくとも補助容量線１４または走査信号線２１を覆っている。

そして、例えば液晶パネル２の製造時のＰＳＡ工程では、（補助容量線１４（走査信号線２１）の電位−共通電極１７の電位）と（画素電極１２の電位−共通電極１７の電位）とが同極性、かつ、｜補助容量線１４の電位（走査信号線２１の電位）−共通電極１７の電位｜＞｜画素電極１２の電位−共通電極１７の電位｜となるように補助容量線１４または走査信号線２１に電圧が印加される場合があるが、上記金属層の電位を、画素電極の電位以下に設定する。

つまり、上記金属層の電位を、上記金属層の電位から共通電極１７の電位を減算した電位差と、画素電極１２の電位から共通電極１７の電位を減算した電位差とが逆極性の第１の電位状態、上記金属層の電位と共通電極１７の電位とが等しい第２の電位状態、または、上記金属層の電位から共通電極１７の電位を減算した電位差と、画素電極１２の電位から共通電極１７の電位を減算した電位差とが同極性で、かつ、画素電極１２の電位と共通電極１７の電位との差の絶対値が、上記金属層の電位と共通電極１７の電位との差の絶対値以上となる第３の電位状態を形成するように設定して、液晶層３０に電圧を印加して、予め液晶層３０に混入されたモノマーを重合することにより、液晶層３０の液晶分子１０１、１０２にプレチルト角を付与することができる。

また、液晶表示パネルの通常の実駆動時に、（補助容量線１４（走査信号線２１）の電位−共通電極１７の電位）と（画素電極１２の電位−共通電極１７の電位）とが同極性、かつ、｜補助容量線１４の電位（走査信号線２１の電位）−共通電極１７の電位｜＞｜画素電極１２の電位−共通電極１７の電位｜となるように補助容量線１４または走査信号線２１に電圧が印加される場合があるが、上記金属層の電位を、画素電極の電位以下に設定する。つまり、上記金属層の電位を、上記金属層の電位から共通電極１７の電位を減算した電位差と、画素電極１２の電位から共通電極１７の電位を減算した電位差とが逆極性の第１の電位状態、上記金属層の電位と共通電極１７の電位とが等しい第２の電位状態、または、上記金属層の電位から共通電極１７の電位を減算した電位差と、画素電極１２の電位から共通電極１７の電位を減算した電位差とが同極性で、かつ、画素電極１２の電位と共通電極１７の電位との差の絶対値が、上記金属層の電位と共通電極１７の電位との差の絶対値以上となる第３の電位状態を形成するように設定して、液晶層３０に電圧を印加することができる。

すなわち、金属層の電位をＶとし、共通電極の電位をＶｃｏｍ、画素電極の電位をＶｄとすると、金属層の電位Ｖを、下記の（１）〜（３）のいずれかの状態となるように設定することができる。
（１）Ｖ−ＶｃｏｍとＶｄ−Ｖｃｏｍとが逆極性
（２）Ｖ＝Ｖｃｏｍ
（３）Ｖ−ＶｃｏｍとＶｄ−Ｖｃｏｍとが同極性、かつ、｜Ｖｄ−Ｖｃｏｍ｜≧｜Ｖ−Ｖｃｏｍ｜
ここで、上記第１の電位状態が（１）に対応し、上記第２の電位状態が（２）に対応し、上記第３の電位状態が（３）に対応している。

これにより、補助容量線１４または走査信号線２１とスリット１５とが交差する領域において、走査信号線２１または補助容量線１４の層と画素電極１２の層との間に、上記第１の電位状態、上記第２の電位状態、または、上記第３の電位状態を形成するような電位が設定された金属層が配置されるため、走査信号線２１または補助容量線１４の電位による影響をシールドすることができる。

つまり、従来、ＰＳＡ工程時や通常の駆動時において、（補助容量線１４（走査信号線２１）の電位−共通電極１７の電位）と（画素電極１２の電位−共通電極１７の電位）とが同極性、かつ、｜補助容量線１４の電位（走査信号線２１の電位）−共通電極１７の電位｜＞｜画素電極１２の電位−共通電極１７の電位｜となるように補助容量線１４または走査信号線２１に電圧が印加される場合に生じていた配向不良を防止することが可能となる。

したがって、液晶表示パネル２を実駆動または製造する場合、走査信号線２１または補助容量線１４と交差するスリット１５の周辺の液晶層３０において形成される等電位面は、液晶分子１０１の配向に影響を及ぼすことがなく、液晶分子１０１の配向を良好に保ち、適切に液晶分子を配向させることができるため、液晶表示パネル２の表示品質を向上させることができる。

なお、液晶表示パネル２の実駆動のときに、金属層として何を使うかによって、金属層の電位Ｖを上記第１〜第３の電位状態のいずれに設定できるかが変わる。この点をより具体的に説明しておく。

まず、金属層を独立したシールドメタルで構成した場合、前述したシールドメタル用電圧駆動回路４１によって、シールドメタルの電位Ｖを自由に設定できるから、電位Ｖとして、上記（１）〜（３）の電位状態のどれでも自由に選択することができる。

次に、金属層をドレイン線１３または中間電極で構成した場合、ドレイン線１３または中間電極は、画素電極１２と常に同電位となるから、電位Ｖは、上記（３）の電位状態に含まれたＶ−Ｖｃｏｍ＝Ｖｄ−Ｖｃｏｍに設定される。

さらに、金属層をデータ信号線２２で構成した場合、データ信号線２２の電位Ｖは、共通電極の電位Ｖｃｏｍを中心として、正極性と負極性とに振れているから、その平均値は電位Ｖｃｏｍに等しくなっている。したがって、電位Ｖは、上記（２）の電位状態（Ｖ＝Ｖｃｏｍ）に設定される。

なお、アクティブマトリクス基板１０は、例えば、ガラス等の透明絶縁性基板上に、走査信号線２１および補助容量線１４を含む金属配線層、ゲート絶縁層、データ信号線２２およびドレイン線（金属配線）１３を含む金属配線層、絶縁層、樹脂層、画素電極１２が、この順に形成された構造を有する構成であってもよい。

また、対向基板２０は、例えば、アクティブマトリクス基板１０との対向面上に、透明絶縁性基板にカラーフィルタ層、ブラックマトリクスおよび共通電極が、透明基板側からこの順に配されてなるＣＦ基板であってもよい。また、対向基板２０には、必要に応じて、アンダーコート層（下地層）やオーバーコート層（平坦化層）等の図示しない機能膜が設けられていてもよい。

また、共通電極１７および画素電極１２は、例えば、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電膜により形成された透明電極であってもよい。

ところで、画素電極のスリット１５としては、画素電極に部分的に設けた細孔である通常のスリットや画素電極を例えば櫛歯状に切込みを入れることによって設けた細隙である微細スリット、あるいは、隣り合う画素電極と画素電極との間の間隙をスリットとして利用する構成（以下では、画素−画素スリットと称する）などがある。そこで、以下では、画素電極のスリットの種類別に、具体的な構成例を説明する。

（スリット１５ａ）
図３は、本実施の形態に係る、画素電極に通常のスリットが設けられた液晶表示パネル２ａの構成例を模式的に示す平面図である。図３の（ａ）〜（ｅ）に示すとおり、走査信号線２１およびデータ信号線２２との交差部には、各々、画素電極部としての画素電極１２ａとスイッチング素子としてのＴＦＴ（Thin film Transistor；薄膜トランジスタ）２５とが設けられている。また、ＴＦＴ２５は、画素電極１２ａの隅（隅部）または辺近傍（辺縁部）に形成されている。画素電極１２ａおよびＴＦＴ２５は、図示しない共通電極１７と共に、図１における画素７を構成している。

また、図３の（ａ）〜（ｅ）に示すとおり、画素電極１２ａには、スリット１５ａとして、細孔が設けられており、図示しない共通電極１７には、リブ１８が設けられている。図３の（ａ）〜（ｅ）に示す構成では、スリット１５ａとリブ１８とは、略平行に設けられている。また、スリット１５ａとリブ１８との配置関係を平面視した状態では、スリット１５ａとリブ１８とが交互配置されている。そして、図３の（ａ）〜（ｅ）に示す構成では、画素電極１２ａの中央を横切るように走査信号線２１に平行な境界線を引いて１画素を２つの領域に分けた場合、一方の領域に配されたスリット１５ａおよびリブ１８と、他方の領域に配されたスリット１５ａおよびリブ１８とは、さらに、上記境界線において、鋭角的に接近するように、かつ対称的に配されている。

このように、複数のスリット１５ａおよびリブ１８が鋭角的に接近する部位では、液晶分子の配向が、本来の得たい配向とは異なるため、暗線が生じる。したがって、その部位は非表示領域となるため、図３の（ａ）〜（ｃ）に示すように、補助容量線１４を通すのに都合のよい部位である。この点は、後述する図６〜８に示す構成においても同様である。

なお、複数のスリット１５ａおよびリブ１８が鋭角的に接近する上記部位において、図３の（ｄ）に示すように、走査信号線２１を通す構成であってもよいし、さらに、図３の（ｅ）に示すように、補助容量線１４を備えていない構成であってもよく、本発明はこれらの構成のいずれかに特に限定されない。

図３の（ａ）〜（ｅ）に示すとおり、ＴＦＴ２５は、図示しないゲート電極、ゲート絶縁膜、および半導体層と、ソース電極２６と、ドレイン電極２７とを含んで構成される。ＴＦＴ２５のゲート電極には、走査信号線２１が電気的に接続されており、その一部は、ゲート電極として機能する。また、ソース電極２６には、データ信号線２２が電気的に接続されている。

ＴＦＴ２５は、走査信号線２１から供給される走査信号に応じてスイッチング動作を行い、画素電極１２ａとデータ信号線２２との導通状態と非導通状態とを切り替える。そして、導通状態において、データ信号線２２から供給される画像を表すデータ信号に対応する電圧が、ドレイン線１３を介して、画素電極１２ａに供給される。

また、上記補助容量線１４は、走査信号線２１と同一層に形成されている。さらに、補助容量線１４の上層には、画素電極１２ａごとに、図示しないゲート絶縁膜を介して、ドレイン電極２７から補助容量線１４あるいは走査信号線２１の直上に向けてドレイン線１３が延設されている。そして、補助容量線１４あるいは走査信号線２１の直上に配置されたドレイン線１３は、補助容量線１４との重なり部分において、補助容量線１４とドレイン線１３との重なり面積を大きくする補助容量電極部１３０（図３の（ａ）参照）を有している。さらに、この補助容量電極部１３０に対して設けられたコンタクトホール２４を介して、ドレイン線１３は画素電極１２ａと電気的に接続されている。これにより、補助容量線１４を備えた構成においては、補助容量線１４と画素電極１２ａとは、画素ごとの補助容量を形成する。したがって、画素電位を安定させることが可能となる。

図３の（ａ）に示す液晶表示パネル２ａの構成例では、走査信号線２１が画素電極１２ａの上端および下端に沿って延設されており、補助容量線１４が走査信号線２１に略平行に画素電極１２ａの中央を横切って延設されている。そして、画素電極１２ａに設けられたスリット１５ａの開口領域と、画素電極１２ａの中央を横切る補助容量線１４とが交差する領域（破線で囲まれた領域）において、画素電極１２ａの層と補助容量線１４の層との間の層に、少なくとも補助容量線１４を覆うようにドレイン線１３からなる被覆金属部１９（金属層）が、上記補助容量電極部１３０の一部として設けられている。

図３の（ｂ）に示す液晶表示パネル２ａの構成例では、走査信号線２１が画素電極１２ａの上端および下端に沿って延設されており、補助容量線１４が走査信号線２１に略平行に画素電極１２ａの中央を横切って延設されている。そして、画素電極１２ａに設けられたスリット１５ａの開口領域と、画素電極１２ａの上端および下端を横切る走査信号線２１とが交差する領域（破線で囲まれた領域）において、画素電極１２ａの層と走査信号線２１の層との間の層に、少なくとも走査信号線２１を覆うようにドレイン線１３からなる被覆金属部１９（金属層）が設けられている。

図３の（ｃ）に示す液晶表示パネル２ａの構成例では、走査信号線２１が画素電極１２ａの上端および下端に沿って延設されており、補助容量線１４が走査信号線２１に略平行に画素電極１２ａの中央を横切って延設されている。そして、画素電極１２ａに設けられたスリット１５ａの開口領域と、画素電極１２ａの中央を横切る補助容量線１４とが交差する領域（破線で囲まれた領域）、および、画素電極１２ａに設けられたスリット１５ａの開口領域と、画素電極１２ａの上端および下端を横切る走査信号線２１とが交差する領域（破線で囲まれた領域）の両方において、画素電極１２ａの層と走査信号線２１および補助容量線１４の層との間の層に、少なくとも走査信号線２１および補助容量線１４のそれぞれを覆うようにドレイン線１３からなる被覆金属部１９（金属層）が設けられている。

また、図３の（ｄ）に示す液晶表示パネル２ａの構成例では、走査信号線２１が画素電極１２ａの中央を横切って延設されており、補助容量線１４が画素電極１２ａの上端および下端に沿って延設されている。そして、画素電極１２ａに設けられたスリット１５ａの開口領域と、画素電極１２ａの上端および下端を横切る補助容量線１４とが交差する領域（破線で囲まれる領域）において、画素電極１２ａの層と補助容量線１４との間の層に、少なくとも補助容量線１４を覆うようにドレイン線１３からなる被覆金属部１９（金属層）が設けられている。

なお、図３の（ｄ）に示す液晶表示パネル２ａの構成例において、画素電極１２ａに設けられたスリット１５ａの開口領域と、画素電極１２ａの中央を横切る走査信号線２１とが交差する領域において、画素電極１２ａの層と走査信号線２１の層との間の層に、少なくとも走査信号線２１を覆うようにドレイン線１３からなる被覆金属部１９（金属層）が設けられた構成としてもよい。

また、図３の（ｅ）に示す液晶表示パネル２ａの構成例では、補助容量線１４が設けられておらず、走査信号線２１が画素電極１２ａの上端および下端に沿って延設されている。つまり、図３の（ｅ）に示す液晶表示パネル２ａは、図２の（ｂ）に示す液晶表示装置１を構成する液晶表示パネルである。そして、画素電極１２ａに設けられたスリット１５ａの開口領域と、画素電極１２ａの上端および下端を横切る走査信号線２１とが交差する領域（破線で囲まれる領域）において、画素電極１２ａの層と走査信号線２１との間の層に、少なくとも走査信号線２１を覆うようにドレイン線１３からなる被覆金属部１９（金属層）が設けられている。

また、図３の（ａ）〜（ｅ）に示す例では、被覆金属部１９は、ドレイン線１３によって構成されているが、データ信号線２２によって構成されてもよいし、図示しない中間電極や独立したシールドメタルによって構成されてもよい。

なお、図３に示す例では、スリット１５の開口領域と、走査信号線２１または補助容量線１４とが交差していない領域にまで、被覆金属部１９が張り出した構成が示されている。この張り出しの程度が大きいほど、配向乱れを抑制する効果は大きくなるが、反対に開口率は不利になる。したがって、被覆金属部１９の張り出しの程度は、要求される仕様に応じた配向乱れと開口率との兼ね合いにより決定される。

（スリット１５ｂ）
図４ａおよび図４ｂは、本実施の形態に係る、画素−画素スリットが設けられた液晶表示パネル２ｂの構成を示す図であり、図４ａは液晶表示パネル２ｂの構成を模式的に示す平面図であり、図４ｂは液晶表示パネル２ｂの構成を模式的に示す断面図であり、図４ａにおいて、Ａ−Ｂで示される領域の断面図である。

図４ａに示すとおり、走査信号線２１およびデータ信号線２２との交差部には、各々、画素電極部としての画素電極１２ｂとスイッチング素子としてのＴＦＴ２５とが設けられている。図示しない共通電極１７と共に画素電極１２ｂおよびＴＦＴ２５が図１における画素７を構成している点は、図３と同様の構成である。また、ＴＦＴ２５の構成や動作については、図３に示す構成と同様であり、説明は省略する。ただし、図４ａに示す構成は、隣り合う画素電極１２ｂと画素電極１２ｂ’との間隙が、スリット１５ｂとして機能するという点において、図３に示す構成と相違する。また、図示しない共通電極１７には、リブ１８が設けられており、このリブ１８は、画素−画素スリット１５ｂと略平行に設けられている。

また、図４ａに示すとおり、補助容量線１４は、各画素電極１２ｂを横切って、走査信号線２１と略平行に延設されている。なお、走査信号線２１は、図４ｂに示す補助容量線１４が設けられている層と同一の層に設けられている。さらに、補助容量線１４は、画素電極１２ｂの直下において、画素電極１２ｂの長手方向（すなわち、走査信号線２１と略垂直の方向）にも延設されている。なお、共通電極１７には、画素電極１２ｂの長手方向に設けられた補助容量線１４に平行して、リブ１８が設けられている。

さらに、図４ａおよび図４ｂに示すとおり、ガラス基板３３上に形成された補助容量線１４の上層には、画素電極１２ごとに、ゲート絶縁膜３２を介して、ドレイン電極２７から、画素電極１２ｂの長手方向に設けられた補助容量線１４に沿って、ドレイン線１３が延設されている。

そして、画素電極１２ｂの長手方向に沿って設けられたドレイン線１３は、走査信号線２１に平行に設けられた補助容量線１４と交差する位置において、補助容量線１４とドレイン線１３との重なり面積を大きくする補助容量電極部１３１を備えている。さらに、この補助容量電極部１３１に対して、層間絶縁膜３１に設けられたコンタクトホール２４を介して、ドレイン線１３は画素電極１２ｂと電気的に接続されている。これにより、補助容量線１４と画素電極１２ｂとは、画素ごとの補助容量を形成し、画素電位を安定させることが可能となる。

なお、図４ａおよび図４ｂに示す構成では、共通電極１７（図示せず）にリブ１８が設けられた領域は透過効率が低い。そこで、この透過率の低い領域を利用して、補助容量線１４を、走査信号線２１に平行に設けるだけでなく、画素電極１２ｂの長手方向にも設けることにより、補助容量を大きくしている。

そして、液晶パネル２ｂでは、図４ａに示すとおり、スリット１５ｂの開口領域（すなわち、画素電極１２ｂと画素電極１２ｂ’との間隙）と、補助容量線１４とが交差する領域（破線で囲まれた領域）において、画素電極１２ｂの層と補助容量線１４の層との間の層に、少なくとも補助容量線１４を覆うようにドレイン線１３からなる被覆金属部１９が、上記補助容量電極部１３１の一部として設けられている。

なお、図３の構成と同様、図４ａおよび図４ｂに示す例では、スリット１５ｂの開口領域と、補助容量線１４とが交差していない領域にまで、被覆金属部１９が張り出した構成が示されているが、被覆金属部１９の張り出しの程度は、要求される仕様に応じた配向乱れと開口率との兼ね合いにより決定される。

図５は、本実施の形態に係る、画素−画素スリットが設けられた液晶表示パネル２ｂ’の他の構成を模式的に示す平面図である。液晶パネル２ｂ’では、図５に示すとおり、スリット１５ｂの開口領域（すなわち、画素電極１２ｂと隣りの画素電極１２ｂ’との間隙）と、補助容量線１４とが交差する領域（破線で囲まれた領域）において、画素電極１２ｂの層と補助容量線１４の層との間の層に、少なくとも補助容量線１４を覆うようにデータ信号線２２からなる被覆金属部１９が設けられている。なお、被覆金属部１９は、データ信号線２２の幅を局所的に広げることによって形成されている。

つまり、図４ａおよび図４ｂに示す構成は、スリット１５ｂの開口領域と交差する領域の補助容量線１４を覆うように、ドレイン線１３が形成された構成であるが、図５に示すように、スリット１５ｂの開口領域と交差する領域の補助容量線１４を覆うように、データ信号線２２が形成された構成であってもよい。なお、図５に示す構成は、スリット１５ｂの開口領域と交差する領域の補助容量線１４を覆うようにデータ信号線２２が設けられていること以外は、図４ａおよび図４ｂと同じ構成であるため説明を省略する。

（スリット１５ｃ）
図６は、本実施の形態に係る、画素電極に前記微細スリットが設けられた液晶表示パネル２ｃの構成を模式的に示す平面図である。図６に示すとおり、走査信号線２１およびデータ信号線２２との交差部には、各々、画素電極部としての画素電極１２ｃとスイッチング素子としてのＴＦＴ２５とが設けられている。なお、図６では、画素電極１２ｃにおいて、黒線が微細スリット１５ｃを表している。つまり、黒線以外の箇所が画素電極１２ｃを表している。

また、図示しない共通電極１７と共に、画素電極１２ｃおよびＴＦＴ２５が図１における画素７を構成している点は、図３と同様の構成である。また、ＴＦＴ２５の構成や動作については、図３に示す構成と同様であり、説明は省略する。ただし、図６に示す構成は、画素電極が櫛歯電極であり、画素電極に設けられているスリットが、微細スリット１５ｃであるという点において、図３に示す構成と相違する。

なお、図６に示す構成では、図示しない共通電極１７には、リブ１８が設けられていないが、配向規制力を向上させるべくリブ１８が設けられた構成であってもよく、リブ１８の有無は特に限定はされない。

また、各微細スリット１５ｃの長手方向は、ドレイン線１３に対してほぼ４５度の傾きを有し、ほぼ９０度ずつ相異した４通りの方向に振り分けられている。このような構成では、画素電極１２ｃに電圧が印加されると、液晶分子は、各微細スリット１５ｃの長手方向に沿って倒れるので、１画素に配向方位が相異した４つのドメインを形成することができる。なお、例えば縦や横に微細スリットを形成して、２ドメインの構成としてもよい。

また、走査信号線２１と同一層には、補助容量線１４が、各画素電極１２ｃを横切って、走査信号線２１にほぼ平行に延設されている。さらに、補助容量線１４の上層には、画素電極１２ｃごとに、図示しないゲート絶縁膜を介して、ドレイン電極２７から画素電極１２ｃの長手方向に沿って、ドレイン線１３が延設されている。そして、補助容量線１４と交差する位置において、ドレイン線１３は、補助容量線１４とドレイン線１３との重なり面積を大きくする補助容量電極部１３２を備えている。この補助容量電極部１３２に対して設けられたコンタクトホール２４を介して、ドレイン線１３は画素電極１２ｃと電気的に接続されている。これにより、補助容量線１４と画素電極１２とは、画素ごとの補助容量を形成し、画素電位を安定させることが可能となる。

そして、液晶表示パネル２ｃにおいて、図６に示すとおり、画素電極１２ｃに設けられたスリット１５ｃの開口領域と、補助容量線１４とが交差する領域（破線で囲まれた領域）において、画素電極１２ｃの層と補助容量線１４の層との間の層に、補助容量線１４を覆うように被覆金属部１９が、上記補助容量電極部１３２の一部として設けられている。

なお、図３の構成と同様、図６に示す例では、スリット１５ｃの開口領域と、補助容量線１４とが交差していない領域にまで、被覆金属部１９が張り出した構成が示されているが、被覆金属部１９の張り出しの程度は、要求される仕様に応じた配向乱れと開口率との兼ね合いにより決定される。

（横長絵素）
図３〜５では、縦長絵素の構成について示されているが、液晶表示パネルの設計によっては、横長絵素の画素構造、すなわち、横長のＲＧＢの各絵素が縦に並んで１つの画素を構成する構造となる場合がある。図７は、横長絵素の画素構造を有する液晶表示パネルの構成を示す図であり、（ａ）は画素電極１２の領域内を、走査信号線２１が画素電極１２の長手方向に沿って横切るように形成されている構成を示し、（ｂ）は画素電極１２の領域内を、補助容量線１４が画素電極１２の長手方向に沿って横切るように形成されるとともに、画素電極１２が、その２つの長辺のうち一方の長辺近傍で走査信号線２１とオーバーラップしている構成を示す図である。

なお、図７において、図３〜５に示す部材と同じ機能を有するものについては同一の参照番号を付しており、説明は省略する。図７に示す液晶表示パネルでは、画素電極は、補助容量線だけでなく走査信号線とも重なっている。

図７の（ａ）に示すとおり、走査信号線２１と平行な長辺を有する画素電極１２の中央寄りに走査信号線２１が形成され、画素電極１２の２つの長辺近傍で重なりを持つように補助容量線１４が、走査信号線２１に平行に設けられている。さらに、画素電極１２と重なる２本の補助容量線１４のうち一方は、画素電極１２の短辺に平行に、画素電極１２の長辺の中央付近から走査信号線２１に向かって延び出した延出部１４１を有している。複数のスリット１５は、画素電極１２の長辺を垂直に２分する中心線に対して左右対称に、かつ中心線に対して鋭角をなすように形成されている。

このような構成では、走査信号線２１と画素電極１２に設けられたスリット１５とが交差する複数の領域が存在するとともに、補助容量線１４とスリット１５とが交差する複数の領域が存在する。

そして、液晶表示パネル２’では、図７の（ａ）に示すとおり、画素電極１２に設けられたスリット１５の開口領域と、走査信号線２１とが交差する複数の領域（破線で囲まれた領域）のそれぞれにおいて、画素電極１２の層と走査信号線２１の層との間に、走査信号線２１を覆うように、ドレイン線１３の一部から画素電極１２の短辺に沿って張り出した被覆金属部１９が設けられている。

さらに、ドレイン線１３が補助容量線１４の上記延出部１４１とオーバーラップしながら、補助容量線１４に到達するまで延出し、さらに画素電極１２の長辺に沿って、補助容量線１４とスリット１５とが交差する複数の領域のそれぞれまで、ドレイン線１３が延設されている。補助容量線１４とスリット１５とが交差する複数の領域では、その領域を覆うように、ドレイン線１３から張り出した複数の被覆金属部１９が形成されている。

また、図７の（ｂ）に示すとおり、画素電極１２が、その長辺近傍で１つの走査信号線２１と重なっており、画素電極１２の中央寄りに補助容量線１４が形成されている場合にも、走査信号線２１と画素電極１２に上記と同様に設けられたスリット１５とが交差する複数の領域、および補助容量線１４とスリット１５とが交差する複数の領域が存在する。

そして、液晶表示パネル２”では、図７の（ｂ）に示すとおり、画素電極１２に設けられたスリット１５の開口領域と、走査信号線２１とが交差する複数の領域（破線で囲まれた領域）のそれぞれにおいて、画素電極１２の層と走査信号線２１の層との間に、走査信号線２１を覆うように、ドレイン線１３の一部が画素電極１２の短辺に沿って張り出した被覆金属部１９が設けられている。

さらに、スリット１５の開口領域と、補助容量線１４とが交差する複数の領域のそれぞれにおいても、画素電極１２の層と補助容量線１４の層との間に、補助容量線１４を覆うように、ドレイン線１３の一部が拡幅された被覆金属部１９が設けられている。図７では、被覆金属部１９は、ドレイン線１３によって構成されているが、データ信号線２２によって構成されてもよいし、図示しない中間電極や独立したシールドメタルによって構成されてもよい。

なお、図７に示す例では、画素電極１２は横長、すなわち、画素電極１２の長手方向が走査信号線２１と平行であるが、画素電極１２は縦長、すなわち、画素電極１２の長手方向が走査信号線２１と垂直となる構成であってもよい。

（マルチ画素構造）
液晶表示パネルのγ特性の視角依存性（液晶表示装置を正面から観測した時のγ特性と斜めから観測した時のγ特性との差異）を改善するための一手法として、画素分割方式（いわゆるマルチ画素技術）がある。画素分割方式の液晶表示パネルは、１画素を複数の副画素で構成するマルチ画素構造を有している。そして、本発明は、マルチ画素構造を有する液晶表示パネルにも適用可能である。

はじめに、画素分割方式について説明する。図８は、マルチ画素構造を有する液晶表示パネル２００の構成を示す図である。図８に示されるように、液晶表示パネル２００は、直交するデータ信号線２２０および走査信号線２１０と、補助容量線１４０ａ、１４０ｂと、マトリクス配置された画素とを備えている。

各画素は、データ信号線２２０と走査信号線２１０との交点に各々対応して設けられており、副画素電極（画素電極部）１２０ａおよび１２０ｂとＴＦＴ２５０ａおよびＴＦＴ２５０ｂとを含んで構成される。補助容量線１４０ａおよび１４０ｂは、それぞれ、副画素電極１２０ａの上端および副画素電極１２０ｂの下端を横切るように配されている。そして、走査信号線２１０は、上下に配置された副画素電極１２０ａと１２０ｂとの間隙と重なるように、補助容量線１４０ａおよび１４０ｂと平行に設けられている。

ＴＦＴ２５０ａは、データ信号線２２０と走査信号線２１０との交点に近い副画素電極１２０ａの隅部に形成され、ドレイン線１３０ａがデータ信号線２２０に沿って、補助容量線１４０ａに到達するまで延び出し、さらに、補助容量線１４０ａと重なる補助容量電極部３３０ａを備えている。

また、補助容量電極部３３０ａにおいて、ドレイン線１３０ａは、コンタクトホール２４０ａを介して副画素電極１２０ａと電気的に接続されている。

同様に、ＴＦＴ２５０ｂは、データ信号線２２０と走査信号線２１０との交点に近い副画素電極１２０ｂの隅部に形成され、ドレイン線１３０ｂがデータ信号線２２０に沿って、補助容量線１４０ｂに到達するまで延び出し、さらに、補助容量線１４０ｂと重なる補助容量電極部３３０ｂを備えている。

また、補助容量電極部３３０ｂにおいて、ドレイン線１３０ｂは、コンタクトホール２４０ｂを介して副画素電極１２０ｂと電気的に接続されている。

これにより、副画素電極１２０ａおよび１２０ｂは、各々、補助容量線１４０ａおよび１４０ｂとの間で容量を形成すると共に、共通電極との間でも容量を形成している。また、ＴＦＴ２５０ａおよび２５０ｂのゲート電極には、走査信号線２１０が電気的に接続されており、ソース電極２６０ａおよび２６０ｂには、データ信号線２２０が電気的に接続されている。

ＴＦＴ２５０ａおよび２５０ｂは、走査信号線２１０から供給される走査信号に応じてスイッチング動作を行い、副画素電極１２０ａおよび１２０ｂとデータ信号線２２０との導通状態と非導通状態とを切り替える。そして、導通状態において、データ信号線２２０から供給される画像を表すデータ信号に対応する電圧が、ドレイン線１３０ａおよび１３０ｂを介して、それぞれ、副画素電極１２０ａおよび１２０ｂに供給される。

液晶表示パネル２００においては、データ信号線２２０から副画素電極１２０ａおよび１２０ｂに同じデータ信号に対応する電圧が供給されるが、補助容量線１４０ａおよび１４０ｂの電圧を個別に制御することによって、副画素電極と補助容量線との間の補助容量を介して副画素電極１２０ａおよび１２０ｂを異なる実効電圧とすることができる。

例えば、補助容量線１４０ａの電圧がプラス方向にレベルシフトするとともに、補助容量線１４０ｂの電圧がマイナス方向にレベルシフトし、１水平走査期間後に補助容量線１４０ａの電圧がマイナス方向にレベルシフトするとともに、補助容量線１４０ｂの電圧がプラス方向にレベルシフトするというように、補助容量線１４０ａおよび１４０ｂの電圧を１水平走査期間ごとに反転させることによって、補助容量線１４０ａおよび１４０ｂの電圧を個別に制御する。すなわち、補助容量線１４０ａおよび１４０ｂに１８０度位相をずらした矩形波の電圧を供給し、副画素電極１２０ａと補助容量線１４０ａ、副画素電極１２０ｂと補助容量線１４０ｂのそれぞれの容量によって、副画素電極１２０ａと副画素電極１２０ｂとの間において電位に差が生じることになる。

このように、マルチ画素構造の液晶表示パネルにおいては、１つの画素を高輝度の副画素（明副画素）と低輝度の副画素（暗副画素）とで構成して中間調を表現することが可能となり、γ特性の視角依存性（例えば、画面の白浮き等）が改善される。

しかしながら、副画素電極にスリットが設けられたマルチ画素構造の液晶表示パネルでは、液晶表示パネルを製造する場合のＰＳＡ工程時のみならず、画素分割方式の実駆動においても、共通電極と副画素電極と補助容量線との電圧の関係によって、図９（ｃ）に示すような等電位線を示すことになる。したがって、実駆動においても、液晶分子の配向不良を引き起こし、表示品質を低下させてしまう可能性がある。

そこで、マルチ画素構造を有する液晶表示パネル２００では、図８に示すとおり、副画素電極１２０ａに設けられたスリット１５０ａの開口領域と、補助容量線１４０ａとが交差する領域（破線で囲まれた領域）において、画素電極１２０ａの層と補助容量線１４０ａの層との間の層に、補助容量線１４０ａを覆うようにドレイン線１３０ａに被覆部１９０ａが設けられている。言い換えると、スリット１５０ａの開口領域と補助容量線１４０ａとが交差する領域を覆うように、補助容量電極部３３０ａから張り出した被覆部１９０ａが設けられている。

また、同様に、副画素電極１２０ｂに設けられたスリット１５０ｂの開口領域と、補助容量線１４０ｂとが交差する領域（破線で囲まれた領域）において、画素電極１２０ｂの層と補助容量線１４０ｂの層との間の層に、補助容量線１４０ｂを覆うようにドレイン線１３０ｂに被覆部１９０ｂが設けられている。

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

本発明は、画素電極のスリットと走査信号線または補助容量線とが交差する構造の基板を備えた液晶表示パネルに適用可能であり、特に、Ｃｓ−ＣＯＭ電圧印加方式のＰＳＡ工程により液晶分子のプレチルト角が形成される液晶表示装置に好適である。

１ 液晶表示装置
２ 液晶表示パネル
３ 制御回路
４ ゲート駆動回路
５ ソース駆動回路
６ ＣＳ駆動回路
７ 画素
１０ アクティブマトリクス基板
１１ 透明絶縁性基板
１２ 画素電極（画素電極部）
１３ ドレイン線（金属配線）
１４ 補助容量線
１５ スリット（配向制御間隙部）
１６ 透明絶縁性基板
１７ 共通電極
１８ リブ（配向制御部）
１９ 被覆金属部（金属層、被覆部）
２０ 対向基板
２１ 走査信号線
２２ データ信号線（信号配線）
２４ コンタクトホール
２５ ＴＦＴ（スイッチング素子）
２６ ソース電極
２７ ドレイン電極
３０ 液晶層
３１ 層間絶縁膜
３２ ゲート絶縁膜
３３ ガラス基板

Claims (23)

1. 複数の走査信号線と、
   該走査信号線に交差するように配置された複数の信号配線と、
   上記各走査信号線と各信号配線との組み合わせに対応して設けられた画素電極部によって構成される画素部であって、液晶分子の配向状態を制御する配向制御間隙部を有する画素部と、
   上記走査信号線から供給される走査信号に応じて、上記信号配線と上記画素電極部とを導通状態または非導通状態に切り替えるスイッチング素子と、
   上記スイッチング素子に接続され、上記スイッチング素子が導通状態のときに、上記信号配線からのデータ信号を上記画素電極部に供給する金属配線と、
   上記画素電極部との間で電気容量を形成する補助容量線とを備えたアクティブマトリクス基板であって、
   上記補助容量線または上記走査信号線と、上記配向制御間隙部とが交差する領域において、上記画素部の層と上記補助容量線または上記走査信号線の層との間に、少なくとも上記補助容量線または上記走査信号線を覆うように、金属層が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
2. 複数の走査信号線と、
   該走査信号線に交差するように配置された複数の信号配線と、
   上記各走査信号線と各信号配線との組み合わせに対応して設けられた画素電極部によって構成される画素部であって、液晶分子の配向状態を制御する配向制御間隙部を有する画素部と、
   上記走査信号線から供給される走査信号に応じて、上記信号配線と上記画素電極部とを導通状態または非導通状態に切り替えるスイッチング素子と、
   上記スイッチング素子に接続され、上記スイッチング素子が導通状態のときに、上記信号配線からのデータ信号を上記画素電極部に供給する金属配線とを備えたアクティブマトリクス基板であって、
   上記走査信号線と、上記配向制御間隙部とが交差する領域において、上記画素部の層と上記走査信号線の層との間に、少なくとも上記走査信号線を覆うように、金属層が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
3. 上記金属層は、上記金属配線または上記信号配線の少なくともいずれかを含んで構成されることを特徴とする請求項１または２に記載のアクティブマトリクス基板。
4. 上記配向制御間隙部は、上記画素電極部に個別に形成された細孔であることを特徴とする請求項１から３までのいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
5. 上記配向制御間隙部は、上記画素部を構成する複数の上記画素電極部の間に形成された間隙であることを特徴とする請求項１から３までのいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
6. 上記配向制御間隙部は、上記画素電極部に切込みを入れることによって形成された細隙であることを特徴とする請求項１から３までのいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
7. 上記画素電極部は、複数の副画素電極を備えたマルチ画素電極であり、画素分割方式によって駆動されることを特徴とする請求項１から６までのいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
8. 上記画素電極部の隅部に形成された上記スイッチング素子から、上記画素電極部を横切るように配された上記補助容量線まで延伸させた上記金属配線としてのドレイン線に、上記配向制御間隙部と上記補助容量線とが交差する上記領域において、少なくとも上記補助容量線を覆う被覆部を形成したことを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
9. 上記画素電極部を横切るように上記走査信号線が配されると共に、上記走査信号線と略平行に上記画素電極部を横切るように上記補助容量線が配されており、上記画素電極部に形成された上記スイッチング素子から、上記画素電極部を横切るように配された上記補助容量線と上記配向制御間隙部とが交差する上記領域と、上記走査信号線と上記配向制御間隙部とが交差する上記領域との少なくともいずれかまで、上記金属配線としてのドレイン線を延伸させ、少なくとも上記補助容量線および上記走査信号線を上記各領域において覆う被覆部を上記ドレイン線の一部として形成したことを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
10. 上記画素電極部の端部を横切るように上記走査信号線が配されると共に、上記走査信号線と略平行に上記画素電極部の中央を横切るように上記補助容量線が配されており、
    上記画素電極部の隅部に形成された上記スイッチング素子から、上記画素電極部を横切るように配された上記補助容量線と上記配向制御間隙部とが交差する上記領域と、上記走査信号線と上記配向制御間隙部とが交差する上記領域との少なくともいずれかまで延伸させた上記金属配線としてのドレイン線に、少なくとも上記補助容量線および上記走査信号線を上記各領域において覆う被覆部を形成したことを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
11. 上記画素電極部の中央を横切るように上記走査信号線が配されると共に、上記走査信号線と略平行に上記画素電極部の端部を横切るように上記補助容量線が配されており、
    上記画素電極部の辺縁部に形成された上記スイッチング素子から、上記画素電極部を横切るように配された上記補助容量線と上記配向制御間隙部とが交差する上記領域と、上記走査信号線と上記配向制御間隙部とが交差する上記領域との少なくともいずれかまで延伸させた上記金属配線としてのドレイン線に、少なくとも上記補助容量線および上記走査信号線を上記各領域において覆う被覆部を形成したことを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
12. 上記画素電極部の長手方向の辺が、上記走査信号線と略平行に形成されていることを特徴とする請求項１０または１１に記載のアクティブマトリクス基板。
13. １つの上記画素電極部内に隣り合って設けられた上記配向制御間隙部が鋭角的に接近した部位と重なるように上記補助容量線が形成されており、
    上記画素電極部の隅部に形成された上記スイッチング素子から、上記補助容量線まで延伸させた上記金属配線としてのドレイン線に、上記配向制御間隙部と上記補助容量線とが交差する上記領域において、少なくとも上記補助容量線を覆う被覆部を形成したことを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
14. 複数の上記画素電極部の間隙として形成された上記配向制御間隙部を横切るように上記補助容量線が形成されており、
    上記画素電極部の隅部に形成された上記スイッチング素子から、上記補助容量線まで延伸させた上記金属配線としてのドレイン線に、上記配向制御間隙部と上記補助容量線とが交差する上記領域において、少なくとも上記補助容量線を覆う被覆部を形成したことを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
15. 複数の上記画素電極部の間隙として形成された上記配向制御間隙部を横切るように上記補助容量線が形成されており、
    上記画素電極部の隅部に形成された上記スイッチング素子から、上記補助容量線に交差するように延伸させた上記信号配線としてのデータ信号線に、上記配向制御間隙部と上記補助容量線とが交差する上記領域において、少なくとも上記補助容量線を覆う被覆部を形成したことを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
16. 上記画素電極部に形成された上記スイッチング素子から、上記画素電極部を横切るように配された上記走査信号線まで延伸させた上記金属配線としてのドレイン線に、上記配向制御間隙部と上記走査信号線とが交差する上記領域において、少なくとも上記走査信号線を覆う被覆部を形成したことを特徴とする請求項２に記載のアクティブマトリクス基板。
17. 請求項１から１６までのいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板と、共通電極が設けられた対向基板とを有し、これら各基板の間に液晶層を備えていることを特徴とする液晶表示パネル。
18. 上記対向基板は、液晶分子の配向状態を制御する配向制御部を備えていることを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示パネル。
19. 請求項１７または１８に記載の液晶表示パネルと、該液晶表示パネルを駆動する駆動回路とを備えていることを特徴とする液晶表示装置。
20. 複数の走査信号線と、該走査信号線に交差するように配置された複数の信号配線と、上記各走査信号線と各信号配線との組み合わせに対応して設けられた画素電極部によって構成される画素部であって、液晶分子の配向状態を制御する配向制御間隙部を有する画素部と、上記走査信号線から供給される走査信号に応じて、上記信号配線と上記画素電極部とを導通状態または非導通状態に切り替えるスイッチング素子と、上記スイッチング素子に接続され、上記スイッチング素子が導通状態のときに、上記信号配線からのデータ信号を上記画素電極部に供給する金属配線と、上記画素電極部との間で電気容量を形成する補助容量線とを備えたアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
    上記補助容量線または上記走査信号線と、上記配向制御間隙部とが交差する領域において、少なくとも上記補助容量線または上記走査信号線を覆うように、金属層を形成する工程を含んでいることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
21. 複数の走査信号線と、該走査信号線に交差するように配置された複数の信号配線と、上記各走査信号線と各信号配線との組み合わせに対応して設けられた画素電極部によって構成される画素部であって、液晶分子の配向状態を制御する配向制御間隙部を有する画素部と、上記走査信号線から供給される走査信号に応じて、上記信号配線と上記画素電極部とを導通状態または非導通状態に切り替えるスイッチング素子と、上記スイッチング素子に接続され、上記スイッチング素子が導通状態のときに、上記信号配線からのデータ信号を上記画素電極部に供給する金属配線とを備えたアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
    上記走査信号線と、上記配向制御間隙部とが交差する領域において、上記画素部の層と上記走査信号線の層との間に、少なくとも上記走査信号線を覆うように、金属層を形成する工程を含んでいることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
22. 請求項１７または１８に記載の液晶表示パネルの製造方法であって、
    上記金属層の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差と、上記画素電極部の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差とが逆極性の第１の電位状態、上記金属層の電位と上記共通電極の電位とが等しい第２の電位状態、および、上記金属層の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差と、上記画素電極部の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差とが同極性で、かつ、上記画素電極部の電位と上記共通電極の電位との差の絶対値が、上記金属層の電位と上記共通電極の電位との差の絶対値以上となる第３の電位状態のうち、いずれか１つの電位状態において、上記液晶層に電圧を印加して、予め上記液晶層に混入されたモノマーを重合することにより、上記液晶層の液晶分子にプレチルト角を付与するポリマー配向支持工程を含んでいることを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
23. 請求項１７または１８に記載の液晶表示パネルの駆動方法であって、
    上記金属層の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差と、上記画素電極部の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差とが逆極性の第１の電位状態、上記金属層の電位と上記共通電極の電位とが等しい第２の電位状態、および、上記金属層の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差と、上記画素電極部の電位から上記共通電極の電位を減算した電位差とが同極性で、かつ、上記画素電極部の電位と上記共通電極の電位との差の絶対値が、上記金属層の電位と上記共通電極の電位との差の絶対値以上となる第３の電位状態のうち、いずれか１つの電位状態において、上記液晶層に電圧を印加することを特徴とする液晶表示パネルの駆動方法。

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