[go: up one dir, main page]

JP5114818B2 - 電流検出方法、電流検出回路及び過電流保護回路 - Google Patents

電流検出方法、電流検出回路及び過電流保護回路 Download PDF

Info

Publication number
JP5114818B2
JP5114818B2 JP2001245182A JP2001245182A JP5114818B2 JP 5114818 B2 JP5114818 B2 JP 5114818B2 JP 2001245182 A JP2001245182 A JP 2001245182A JP 2001245182 A JP2001245182 A JP 2001245182A JP 5114818 B2 JP5114818 B2 JP 5114818B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
switching transistor
transistor
current detection
voltage
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001245182A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003060449A (ja
Inventor
正夫 野呂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yamaha Corp
Original Assignee
Yamaha Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yamaha Corp filed Critical Yamaha Corp
Priority to JP2001245182A priority Critical patent/JP5114818B2/ja
Priority to US10/216,350 priority patent/US6885532B2/en
Priority to TW091118010A priority patent/TW560125B/zh
Priority to KR1020020047283A priority patent/KR100555274B1/ko
Publication of JP2003060449A publication Critical patent/JP2003060449A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5114818B2 publication Critical patent/JP5114818B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/52Circuit arrangements for protecting such amplifiers
    • H03F1/523Circuit arrangements for protecting such amplifiers for amplifiers using field-effect devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • H03F3/2171Class D power amplifiers; Switching amplifiers with field-effect devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、LSI、IC等に組み込まれたPWMアンプ等の出力段におけるスイッチングトランジスタに流れる出力電流を検出する電流検出方法、電流検出回路及び過電流保護回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のLSI、IC等に組み込まれたPWMアンプ等のスイッチング回路の出力段におけるスイッチングトランジスタに流れる出力電流を検出する電流検出回路にあっては、上記スイッチングトランジスタと直列に電流検出用抵抗を挿入するか、IC内の配線抵抗を電流検出用抵抗として代用し、電流検出を行っていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の電流検出回路では、電流検出用抵抗が電力損失を生じると共に、IC内の配線抵抗を電流検出用抵抗として代用する場合には、配線抵抗の抵抗値の精度が得られず、正確な電流検出が困難であるという問題が有った。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、電流検出のために新たに電力損失を生じることなく、かつ高い電流検出精度が得られる、電流検出方法、電流検出回路及び過電流保護回路を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために請求項1に記載の発明は、出力段のスイッチングトランジスタを介して負荷に電流を供給するスイッチング回路の前記スイッチングトランジスタに流れる電流を検出する電流検出方法において、前記スイッチングトランジスタがオン状態のときにおける該スイッチングトランジスタの両端間電圧を前記スイッチングトランジスタがオフ状態のときに保持し、該トランジスタに流れる電流に対応して連続的に変化する電圧値として検出することを特徴とする。
【0005】
また、請求項2に記載の発明は、出力段のスイッチングトランジスタを介して負荷に電流を供給するスイッチング回路の前記スイッチングトランジスタに流れる電流を検出する電流検出回路において、前記スイッチングトランジスタがオン状態のときにおける該スイッチングトランジスタの両端間電圧を保持するサンプルホールド用コンデンサと、前記スイッチングトランジスタの両端間に前記サンプルホールド用コンデンサを介して接続されるスイッチ手段と、前記スイッチングトランジスタがオン状態、オフ状態となるタイミングに同期して前記スイッチ手段をそれぞれオン状態、オフ状態とするように制御する制御手段と、前記サンプルホールド用コンデンサに保持された前記スイッチングトランジスタのオン状態のときにおける両端間電圧を連続的に変化する電圧値として検出し、検出した前記両端間電圧を検出電圧として出力する出力手段と、を有することを特徴とする。
【0006】
また、請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の電流検出回路を有し、該電流検出回路により検出された前記スイッチングトランジスタのオン状態のときに該トランジスタに流れる電流に対応する検出電圧と、前記スイッチングトランジスタに流れる電流が過電流であることを判定するための基準電圧とを比較し、前記検出電圧が該基準電圧を超えたか否かを判定する判定手段と、該判定手段の判定出力に基づいて前記検出電圧が該基準電圧を超えた場合に前記スイッチングトランジスタを強制的にオフ状態にする制御手段とを有することを特徴とする。
【0007】
請求項1、2に記載の電流検出方法及び電流検出回路によれば、PWMアンプ等のスイッチング回路における出力段のスイッチングトランジスタに流れる電流検出を行うのに、電流検出抵抗を設けることなく、該スイッチングトランジスタがオン状態のときにおける該スイッチングトランジスタの両端間電圧を前記スイッチングトランジスタがオン状態のときに予め、分かっている該スイッチングトランジスタのオン抵抗に基づいて該トランジスタに流れる電流に対応する電圧値として検出するようにしたので、電流検出のために新たに電力損失を生じることなく、かつ高い電流検出精度が得られる。
【0008】
また、請求項3に記載の過電流保護回路によれば、スイッチングトランジスタに流れる電流検出精度を高くすることができるので、負荷の過電流による保護を的確に行うことができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。まず、本発明が適用されるスイッチング回路の一例としてPWMアンプを例にとり、説明する。PWMアンプの構成を図1に示す。同図において、PWMアンプ1は基準信号としての三角波信号を生成する三角波発生回路10と、三角波発生回路10から出力される三角波信号と信号源2より入力された音声信号等の入力信号を比較するコンパレータ11と、コンパレータ11の出力を波形整形するインバータ12と、PMOSトランジスタP1にコンパレータ11の正相信号を供給するインバータ13と、NMOSトランジスタN1にコンパレータ11の逆相信号を供給するインバータ14、15と、スイッチングトランジスタP1、N1のオン状態となるタイミングを遅らせるように調整する遅延回路を構成するダイオードD1、抵抗R1、ダイオードD2、抵抗R2と、出力段を構成するスイッチングトランジスタとしての、PMOSトランジスタP1及びNMOSトランジスタN1とを有している。
【0010】
出力段を構成するPMOSトランジスタP1のソース側は、正の電源電圧+Vddに、NMOSトランジスタN1のソース側は、負の電源電圧−Vddに接続され、PMOSトランジスタP1のドレインはNMOSトランジスタN1のドレインと接続され、その接続点AはインダクタンスL1、コンデンサC1からなる低域フィルタ3を介して出力端子20に接続されている。出力端子20には、図示していないが、負荷としてのスピーカが接続されている。
【0011】
上記構成において、コンパレータ11において、三角波発生回路10から出力された三角波信号と信号源2からの入力信号とが比較され、入力信号のレベルに応じたパルス幅のPWM信号がコンパレータ11より出力される。コンパレータ11より出力されたPWM信号はインバータ12により反転され、かつ波形整形される。その反転信号は、さらにインバータ13、ダイオードD1及び抵抗R1を介してPMOSトランジスタP1のゲートに出力される。
また、インバータ12の出力は、さらに、インバータ14、15及びダイオードD2及び抵抗R2を介してNMOSトランジスタN1のゲートに出力される。
【0012】
この結果、PMOSトランジスタP1、NMOSトランジスタN1は、ゲートに入力されるPWM信号によりPMOSトランジスタP1がオン状態となるタイミングとほぼ同一のタイミングでNMOSトランジスタN1はオフ状態となり、また、PMOSトランジスタP1がオフ状態となるタイミングとほぼ同一のタイミングでNMOSトランジスタN1はオン状態となる。このようにPMOSトランジスタP1とNMOSトランジスタN1は、ゲートに入力されるPWM信号に従って交互にオン、オフ状態を繰り返す。
【0013】
上記動作によりPMOSトランジスタP1のドレインとNMOSトランジスタN1のドレインとの接続点であるA点における電位は、図2に示すように、ほぼ、正、負の電源電圧+Vdd、−Vdd間で変化し、低域フィルタ3を介して出力端子20に流れる負荷電流ILは、低域フィルタ3のコンデンサC1の充放電動作により図2に示すようになる。
【0014】
次に、本発明の実施の形態に係る電流検出回路の構成を図3に示す。本実施の形態に係る電流検出回路は、図1に示したPWMアンプに適用したものであり、PWMアンプ1の出力段のスイッチングトランジスタであるPMOSトランジスタP1またはNMOSトランジスタN1を介して負荷に電流を供給する際に、PMOSトランジスタP1またはNMOSトランジスタN1に流れる電流を検出する電流検出回路である。
【0015】
本実施の形態に係る電流検出回路は、PMOSトランジスタP1またはNMOSトランジスタN1がオン状態のときにおけるPMOSトランジスタP1またはNMOSトランジスタN1の両端間電圧を保持するサンプルホールド用コンデンサC2、C3と、PMOSトランジスタP1、NMOSトランジスタN1の両端間にそれぞれ、サンプルホールド用コンデンサC2、C3を介して接続されるスイッチ手段としてのアナログスイッチ31、32と、PMOSトランジスタP1またはNMOSトランジスタN1がオン状態となるタイミングに同期してアナログスイッチ31またはアナログスイッチ32をオン状態とするように制御する制御手段としての制御回路30と、サンプルホールド用コンデンサC2、C3に保持されたPMOSトランジスタP1またはNMOSトランジスタN1のオン状態のときにおける両端間電圧を検出電圧として出力する出力手段としてのバッファアンプ33、34とを有している。
【0016】
制御回路30は、PMOSトランジスタP1またはNMOSトランジスタN1がオン状態となるタイミングに同期してそれぞれ、アナログスイッチ31またはアナログスイッチ32をオン状態とするための制御信号VCONT1、VCONT2をアナログスイッチ31、32に出力する。
この制御回路30は、PWM信号をPMOSトランジスタP1またはNMOSトランジスタN1に出力すると共に、このPWM信号を分岐させた信号を制御信号VCONT1、VCONT2として使用するようにしてもよい。
【0017】
上記構成において、PWMアンプの出力段のPMOSトランジスタP1またはNMOSトランジスタN1がオン状態となるタイミングに同期して制御回路30よりそれぞれ、アナログスイッチ31またはアナログスイッチ32に制御信号VCONT1、VCONT2が出力される。この結果、PMOSトランジスタP1またはNMOSトランジスタN1がオン状態となるタイミングに同期してアナログスイッチ31またはアナログスイッチ32が閉成され、サンプルホールド用コンデンサC2、C3には、PMOSトランジスタP1またはNMOSトランジスタN1がオン状態のときにおけるPMOSトランジスタP1またはNMOSトランジスタN1に流れる電流に対応する両端間電圧VP1、VN1に応じた電圧VS1,VS2が保持される。
【0018】
図4にPMOSトランジスタP1の端子間電圧VP1、PMOSトランジスタP1に流れる電流IP1及び制御信号VCONT1の波形を示す。NMOSトランジスタN1の両端間電圧VN1、NMOSトランジスタN1に流れる電流IN1、制御信号VCONT2は、図4(A),(B)、(C)の波形をそれぞれ、反転した波形になるが、上記動作から明らかであるので、省略する。
【0019】
次に、上記電流検出回路を使用した過電流保護回路の構成を図5に示す。図5は、PWMアンプの出力段のスイッチングトランジスタであるPMOSトランジスタP1についてのみ示している。上記電流検出回路により検出されたPMOSトランジスタP1のオン状態のときに該トランジスタに流れる電流に対応する検出電圧VS1と、PMOSトランジスタP1に流れる電流が過電流であることを判定するための基準電圧VREFとを比較し、検出電圧VS1が基準電圧VREFを超えたか否かを判定する判定手段としてのコンパレータ50と、コンパレータ50の判定出力に基づいて検出電圧VS1が基準電圧VREFを超えた場合にPMOSトランジスタP1を強制的にオフ状態にする制御手段としての制御回路60とを有する。
【0020】
ここで、基準電圧VREFは、PMOSトランジスタP1のオン時における内部抵抗(オン抵抗と記す)に基づいて例えば、PMOSトランジスタP1に流れる電流が過電流に相当する電流値付近に達したときの電圧値に設定される。図5では、PWMアンプの出力段のPMOSトランジスタP1についてのみ示したが、NMOSトランジスタN1についても同様である。
上記構成において、PMOSトランジスタP1がオン状態のときにサンプリングホールド用コンデンサC2で保持される検出電圧VS1が基準電圧VREFを超えると、コンパレータ50は、検出電圧VS1が基準電圧VREFを超えたことを示す判定信号(本実施の形態ではハイレベルの信号)を制御回路60に出力する。
【0021】
制御回路60は、PWMアンプの出力段のPMOSトランジスタP1及びNMOSトランジスタN1を強制的にオフ状態にするための制御信号をPMOSトランジスタP1及びNMOSトランジスタN1のゲートに出力する。この時、PMOSトランジスタP1及びNMOSトランジスタN1のゲートには、上記制御信号に基づいて、これらのトランジスタがオフする極性でゲートに電圧が印加されるものとする。
【0022】
これによりPMOSトランジスタP1及びNMOSトランジスタN1がオフ状態となり、負荷への電流供給は停止される。したがって、PWMアンプの出力段におけるスイッチングトランジスタ(PMOSトランジスタP1またはNMOSトランジスタN1)の過電流時における負荷の保護がなされる。
上述した過電流保護回路の動作状態を図6に示す。
【0023】
また、NMOSトランジスタN1において、過電流状態が発生した場合にも制御回路60は、PMOSトランジスタP1に過電流状態が発生した場合と同様にPMOSトランジスタP1及びNMOSトランジスタN1を強制的にオフ状態にするように制御する。
一方、図7に示すように電源(+Vddまたは−Vdd)と、PWMアンプの出力段におけるPMOSトランジスタP1のソース、またはNMOSトランジスタN1のソースとの間にそれぞれ、リレー接点RL1、RL2を設け、PMOSトランジスタP1または、NMOSトランジスタN1のいずれかに過電流が流れた際に制御回路60から出力される制御信号によりリレー接点RL1、RL2を開状態にするように制御するようにしてもよい。
【0024】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明の電流検出方法及び電流検出回路によれば、PWMアンプ等のスイッチング回路における出力段のスイッチングトランジスタに流れる電流検出を行うのに、電流検出抵抗を設けることなく、該スイッチングトランジスタがオン状態のときにおける該スイッチングトランジスタの両端間電圧を前記スイッチングトランジスタがオン状態のときに予め、分かっている該スイッチングトランジスタのオン抵抗に基づいて該トランジスタに流れる電流に対応する電圧値として検出するようにしたので、電流検出のために新たに電力損失を生じることなく、かつ高い電流検出精度が得られる。
【0025】
また、上記電流検出回路を使用した本発明の過電流保護回路によれば、スイッチングトランジスタに流れる電流検出精度を高くすることができるので、負荷の課電流による保護を的確に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明が適用されるスイッチング回路の一例としてのPWMアンプの構成を示す回路図。
【図2】 図1に示したPWMアンプの動作状態を示す波形図。
【図3】 図1に示したPWMアンプに適用した本発明の実施の形態に係る電流検出回路の構成を示す回路図。
【図4】 図3に示した本発明の実施の形態に係る電流検出回路の動作状態を示す波形図。
【図5】 本発明の実施の形態に係る過電流保護回路の一例の構成を示す回路図。
【図6】 図5に示した本発明の実施の形態に係る過電流保護回路の動作状態の一例を示す
【図7】 本発明の実施の形態に係る過電流保護回路の他の例の構成を示す回路図。
【符号の説明】
1…PWMアンプ、2…信号源、3…低域フィルタ、10…三角波発生回路、11、50…コンパレータ、P1…PMOSトランジスタ、N1…NMOSトランジスタ、C2、C3…サンプルホールド用コンデンサ、30、60…制御回路、31、32…アナログスイッチ、33、34…バッファアンプ

Claims (3)

  1. 出力段のスイッチングトランジスタを介して負荷に電流を供給するスイッチング回路の前記スイッチングトランジスタに流れる電流を検出する電流検出方法において、
    前記スイッチングトランジスタがオン状態のときにおける該スイッチングトランジスタの両端間電圧を前記スイッチングトランジスタがオフ状態のときに保持し、該トランジスタに流れる電流に対応して連続的に変化する電圧値として検出することを特徴とする電流検出方法。
  2. 出力段のスイッチングトランジスタを介して負荷に電流を供給するスイッチング回路の前記スイッチングトランジスタに流れる電流を検出する電流検出回路において、
    前記スイッチングトランジスタがオン状態のときにおける該スイッチングトランジスタの両端間電圧を保持するサンプルホールド用コンデンサと、
    前記スイッチングトランジスタの両端間に前記サンプルホールド用コンデンサを介して接続されるスイッチ手段と、
    前記スイッチングトランジスタがオン状態、オフ状態となるタイミングに同期して前記スイッチ手段をそれぞれオン状態、オフ状態とするように制御する制御手段と、
    前記サンプルホールド用コンデンサに保持された前記スイッチングトランジスタのオン状態のときにおける両端間電圧を連続的に変化する電圧値として検出し、検出した前記両端間電圧を検出電圧として出力する出力手段と、
    を有することを特徴とする電流検出回路。
  3. 請求項2に記載の電流検出回路を有し、
    該電流検出回路により検出された前記スイッチングトランジスタのオン状態のときに該トランジスタに流れる電流に対応する検出電圧と、前記スイッチングトランジスタに流れる電流が過電流であることを判定するための基準電圧とを比較し、前記検出電圧が該基準電圧を超えたか否かを判定する判定手段と、
    該判定手段の判定出力に基づいて前記検出電圧が該基準電圧を超えた場合に前記スイッチングトランジスタを強制的にオフ状態にする制御手段と、
    を有することを特徴とする過電流保護回路。
JP2001245182A 2001-08-13 2001-08-13 電流検出方法、電流検出回路及び過電流保護回路 Expired - Fee Related JP5114818B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001245182A JP5114818B2 (ja) 2001-08-13 2001-08-13 電流検出方法、電流検出回路及び過電流保護回路
US10/216,350 US6885532B2 (en) 2001-08-13 2002-08-09 Current detection and overcurrent protection for transistors in pulse-width modulation amplifier
TW091118010A TW560125B (en) 2001-08-13 2002-08-09 Current detection and overcurrent protection for transistors in pulse-width modulation amplifier
KR1020020047283A KR100555274B1 (ko) 2001-08-13 2002-08-10 펄스폭 변조 증폭기에 있어서의 트랜지스터를 위한 전류검출 및 과전류 보호

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001245182A JP5114818B2 (ja) 2001-08-13 2001-08-13 電流検出方法、電流検出回路及び過電流保護回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003060449A JP2003060449A (ja) 2003-02-28
JP5114818B2 true JP5114818B2 (ja) 2013-01-09

Family

ID=19074983

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001245182A Expired - Fee Related JP5114818B2 (ja) 2001-08-13 2001-08-13 電流検出方法、電流検出回路及び過電流保護回路

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6885532B2 (ja)
JP (1) JP5114818B2 (ja)
KR (1) KR100555274B1 (ja)
TW (1) TW560125B (ja)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ITTO20030922A1 (it) * 2003-11-20 2005-05-21 Fiat Ricerche Dispositivo di comando di elettroattuatori con protezione contro cortocircuiti verso massa o verso l'alimentazione dei terminali degli elettroattuatori.
MY138739A (en) * 2004-04-30 2009-07-31 Sony Emcs Malaysia Sdn Bhd Portable electronic device
KR100657860B1 (ko) * 2004-05-17 2006-12-14 삼성전자주식회사 증폭기 및 증폭기의 과전류 검출 방법
JP2006180049A (ja) 2004-12-21 2006-07-06 Yamaha Corp ディジタルアンプ
JP5109243B2 (ja) * 2005-09-05 2012-12-26 ソニー株式会社 ショート検出回路
JP4468316B2 (ja) 2006-02-15 2010-05-26 株式会社日立製作所 電源装置の過電流検出回路及び過電流検出方法
TW200742251A (en) * 2006-04-28 2007-11-01 Innolux Display Corp Pulse driving circuit
TWI325207B (en) 2006-06-06 2010-05-21 Realtek Semiconductor Corp Switching regulator with over current protection and method thereof
TWI330354B (en) * 2006-07-07 2010-09-11 Chimei Innolux Corp Pulse light-adjusting circuit
JP5191672B2 (ja) * 2007-02-19 2013-05-08 オンキヨー株式会社 スイッチングアンプ
TWI382623B (zh) * 2008-12-03 2013-01-11 Himax Analogic Inc 放大器之過電流保護裝置及其操作方法
CN102208802B (zh) * 2010-06-29 2013-11-13 上海山景集成电路股份有限公司 功率开关管过流检测和过流保护电路
US8493097B2 (en) * 2011-08-16 2013-07-23 Nxp B.V. Current-sensing circuit
WO2014115272A1 (ja) * 2013-01-23 2014-07-31 三菱電機株式会社 半導体素子の駆動装置、半導体装置
CN103207339B (zh) * 2013-04-28 2015-09-30 科博达技术有限公司 逆变器过电流判断方法及其装置
CN103267884A (zh) * 2013-05-11 2013-08-28 桂林理工大学 一种双极性方波脉冲电压绝缘寿命实验漏电流检测装置
JP6318780B2 (ja) * 2014-04-01 2018-05-09 オンキヨー株式会社 過電流検出回路及びスイッチングアンプ
JP6330566B2 (ja) * 2014-08-11 2018-05-30 セイコーエプソン株式会社 回路装置及び電子機器
CN105162314B (zh) * 2015-09-10 2017-06-30 电子科技大学 一种用于buck变换器的过流检测电路
CN107527602B (zh) * 2017-09-30 2019-07-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 液晶显示面板及开关机控制电路
US10085089B1 (en) * 2017-11-17 2018-09-25 Synaptics Incorporated Load current sensing circuit for class-D amplifier
JP7073706B2 (ja) * 2017-12-19 2022-05-24 富士電機株式会社 駆動装置および半導体装置
JP7331480B2 (ja) * 2019-06-17 2023-08-23 株式会社デンソー 信号検出回路
CN114583929A (zh) * 2020-12-02 2022-06-03 圣邦微电子(北京)股份有限公司 Dc电源的过流保护电路和过流保护方法
CN112865722B (zh) * 2021-01-08 2022-06-14 四川湖山电器股份有限公司 一种数字功率放大器过流保护检测电路及数字功率放大器
CN115811199A (zh) * 2021-09-16 2023-03-17 深圳英集芯科技股份有限公司 一种电流检测装置和相关升压转换系统

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57131125A (en) 1981-02-06 1982-08-13 Fuji Electric Co Ltd Short-circuit protecting circuit of semiconductor switch
US4415863A (en) * 1981-03-24 1983-11-15 Pioneer Electronic Corporation Pulse width modulation amplifier
JPS61102816A (ja) 1984-10-25 1986-05-21 Hitachi Ltd 半導体スイツチ回路
JPS6265517A (ja) 1985-09-17 1987-03-24 Fuji Electric Co Ltd 金属酸化半導体電界効果トランジスタの過負荷保護方式
JPS62201091A (ja) * 1986-02-25 1987-09-04 Toshiba Corp 直流モ−タの電流検出装置
JPS62211563A (ja) * 1986-03-13 1987-09-17 Nippon Denso Co Ltd 電流検出装置
JPH0666472B2 (ja) * 1987-06-22 1994-08-24 日産自動車株式会社 過電流保護機能を備えたmosfet
JPH01169811A (ja) * 1987-08-19 1989-07-05 Oki Electric Ind Co Ltd 電極構造
JPH02249976A (ja) * 1989-03-24 1990-10-05 Hitachi Ltd Mosトランジスタの出力電流検出回路
JPH0360214A (ja) * 1989-07-28 1991-03-15 Nissan Motor Co Ltd 半導体素子の保護回路
JPH03112319A (ja) 1989-09-22 1991-05-13 Sharp Corp 電力半導体装置の過電流保護回路
JPH05121963A (ja) * 1991-10-28 1993-05-18 Nec Corp 出力保護回路
JPH06196941A (ja) * 1992-12-25 1994-07-15 Kenwood Corp パルス幅変調増幅回路
JPH0733022A (ja) * 1993-07-23 1995-02-03 Nippon Signal Co Ltd:The 自動列車停止装置
EP0766395A3 (de) * 1995-09-27 1999-04-21 Siemens Aktiengesellschaft Leistungstransistor mit Kurzschlussschutz
US5719519A (en) * 1995-11-20 1998-02-17 Motorola, Inc. Circuit and method for reconstructing a phase current
KR0164408B1 (ko) 1995-12-23 1999-02-01 김광호 파워 앰프 모듈 보호장치
JPH09214265A (ja) * 1996-02-02 1997-08-15 Nippon Columbia Co Ltd 電力増幅回路
JPH1093356A (ja) * 1996-09-17 1998-04-10 Fujitsu Ten Ltd カレントミラー回路
JPH10337001A (ja) * 1997-05-28 1998-12-18 Canon Inc スイッチングレギュレータおよび撮像装置
JPH11127037A (ja) * 1997-10-23 1999-05-11 Seiko Instruments Inc Cmos演算増幅器
US6108182A (en) * 1998-10-30 2000-08-22 Intersil Corporation Overcurrent sensing circuit and self adjusting blanking
JP3550029B2 (ja) * 1998-11-12 2004-08-04 富士通アクセス株式会社 過電力保護回路
US6229389B1 (en) * 1998-11-18 2001-05-08 Intersil Corporation Class D modulator with peak current limit and load impedance sensing circuits
JP3102781B2 (ja) 1998-12-03 2000-10-23 株式会社ケンウッド パルス幅変調増幅回路
JP3495620B2 (ja) * 1998-12-04 2004-02-09 パイオニア株式会社 Btl増幅装置
US6246220B1 (en) * 1999-09-01 2001-06-12 Intersil Corporation Synchronous-rectified DC to DC converter with improved current sensing

Also Published As

Publication number Publication date
US20030030956A1 (en) 2003-02-13
US6885532B2 (en) 2005-04-26
KR100555274B1 (ko) 2006-03-03
TW560125B (en) 2003-11-01
JP2003060449A (ja) 2003-02-28
KR20030015135A (ko) 2003-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5114818B2 (ja) 電流検出方法、電流検出回路及び過電流保護回路
KR960012801B1 (ko) 2개의 샘플 홀드 회로를 사용한 리플 제거 위상 검출기
US6323697B1 (en) Low distortion sample and hold circuit
US8508207B2 (en) Controlling a skew time of switches of a switching regulator
KR100933651B1 (ko) 하프-브릿지 드라이버 및 그러한 드라이버를 갖는 파워 변환 시스템
JP2003324937A (ja) 駆動装置
US7911086B2 (en) Switching circuit, signal output device and test apparatus
KR920004339B1 (ko) 아날로그 스위치회로
JP3801112B2 (ja) 画像読取信号処理装置
US10720840B2 (en) DC-DC converter circuit with synchronization module and corresponding conversion method
JP2013191911A (ja) アナログスイッチ
US20090160428A1 (en) Overcurrent detection device
KR930010939B1 (ko) 인버터회로 및 이 회로를 사용한 쵸퍼형 비교기회로
TWI420496B (zh) 電壓比較器、包含該電壓比較器之液晶顯示裝置驅動電路及轉態加速方法
CN102157134B (zh) 电压比较器、包含该电压比较器的液晶显示装置驱动电路及转态加速方法
WO2006117732A3 (en) A peak or zero current comparator
JPS636908A (ja) 定電流源回路
JP2010028160A (ja) サンプルホールド回路
JP2605603Y2 (ja) 半導体集積回路
US20070229051A1 (en) Resonant inverter exhibiting depressed duty variation
WO2023281891A1 (ja) 電流センサ
JP3862002B2 (ja) サンプルホールド回路
KR20050085862A (ko) 스위칭 회로
US10715117B1 (en) Comparator hysteresis circuit
JPS62150926A (ja) アナログスイツチ回路

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080619

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110407

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110412

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110610

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120124

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120323

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120918

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121001

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151026

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees