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JP5076042B2 - Display panel drive circuit - Google Patents

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Publication number
JP5076042B2
JP5076042B2 JP2001251432A JP2001251432A JP5076042B2 JP 5076042 B2 JP5076042 B2 JP 5076042B2 JP 2001251432 A JP2001251432 A JP 2001251432A JP 2001251432 A JP2001251432 A JP 2001251432A JP 5076042 B2 JP5076042 B2 JP 5076042B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current
display panel
circuit
switching
current source
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP2001251432A
Other languages
Japanese (ja)
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JP2003066904A (en
Inventor
義郎 山羽
聡 竹原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei Microdevices Corp
Original Assignee
Asahi Kasei EMD Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Kasei EMD Corp filed Critical Asahi Kasei EMD Corp
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Priority to CNB028029771A priority patent/CN100403375C/en
Priority to KR10-2003-7005553A priority patent/KR100505773B1/en
Priority to US10/399,627 priority patent/US7233322B2/en
Priority to DE10295686T priority patent/DE10295686B4/en
Priority to PCT/JP2002/008471 priority patent/WO2003019516A1/en
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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はディスプレイパネル駆動回路に関し、特に有機エレクトロルミネセンス素子等の自発光素子からなるディスプレイパネルを用いたディスプレイ装置の駆動回路に関する
【0002】
【従来の技術】
薄型で低消費電力なディスプレイ装置を実現するための自発光素子として、有機エレクトロルミネッセンス(以下、ELと称する)素子が知られている。図4は、かかるEL素子の概略構成を示す図である。同図に示されているように、EL素子は、透明電極101が形成されたガラス板等からなる透明基板100上に、電子輸送層、発光層、正孔輸送層等からなる少なくとも1層の有機機能層102、及び金属電極103が積層されたものである。
【0003】
図5は、かかるEL素子の特性を電気的に示す等価回路である。同図に示されるように、EL素子は、容量成分Cと、該容量成分に並列に結合するダイオード特性の成分Eとによって置き換えることができる。
ここで、透明電極101の陽極にプラス、金属電極103の陰極にマイナスの電圧を加えて透明電極及び金属電極間に直流を印加すると、容量成分Cに電荷が蓄積される。この際、EL素子固有の障壁電圧または発光閥値電圧を越えると、電極(ダイオード成分Eの陽極側)から発光層を担う有機機能層に電流が流れ始め、この電流に比例した強度で有機機能層102が発光する。
【0004】
図6は、複数の上記EL素子をマトリクス状に配列してなるELディスプレイパネルを用いて画像表示を行うELディスプレイ装置の概略構成を示す図である。同図において、ELディスプレイパネルとしてのELDP10には、第1表示ライン〜第n表示ライン各々を担う陰極線(金属電極)B1〜Bnと、これら陰極線B1〜Bn各々に交叉して配列されたm個の陽極線(透明電極)A1〜Amが形成されている。これら陰極線B1〜Bn及び陽極線A1〜Amの交差部分の各々に、上述した如き構造を有するEL素子E11〜Enmが形成されている。
【0005】
尚、これらEL素子E11〜Enm各々は、ELDP10としての1画素を担うものである。
発光制御回路1は、入力された1画面分(n行、m列)の画像データを、ELDP10の各画素、すなわち上記EL素子E11〜Enmの各々に対応した画素データ群D11〜Dnmに変換し、これらを図7に示されているように、1行分毎に順次、陽極線ドライブ回路2に供給して行く。例えば、画素データD11〜Dnmとは、ELDP10の第1表示ラインに属するEL素子E11〜Enm各々に対して発光を実施させるか否かを指定するm個のデータビットであり、夫々、論理レベル“1”である場合には“発光”、論理レベル“0”である場合に“非発光”を示す。
【0006】
また、発光制御回路1は、図7に示されているように1行分毎の画素データの供給タイミングに同期して、ELDP10の第1表示ライン〜第n表示ライン各々を順次走査すべき走査線選択制御信号を陰極線走査回路3に供給する。陽極線ドライブ回路2は、先ず、上記画素データ群におけるm個のデータビットの内から、“発光”を指定する論理レベル“1”のデータビットを全て抽出する。次に、この抽出したデータビット各々に対応した“列”に属する陽極線を陽極線A1〜Amの内から全て選択し、この選択した陽極線のみに定電流源を接続し、所定の画素駆動電流iを供給する。
【0007】
陰極線走査回路3は、上記陰極線B1〜Bnの内から、上記走査線選択制御信号で示される表示ラインに対応した陰極線を択一的に選択してこの陰極線をアース電位に設定すると共に、その他の陰極線の各々に所定の高電位Vccを夫々印加する。尚、かかる高電位Vccは、EL素子が所望の輝度で発光しているときの両端電圧(寄生容量Cへの充電量に基づいて決定する電圧)とほほ同一値に設定される。
【0008】
この際、上記陽極線ドライブ回路2によって上記定電流源が接続された“列”と、上記陰極線走査回路3にてアース電位に設定された表示ラインとの間には発光駆動電流が流れ、かかる表示ライン及び“列”に交叉して形成されているEL素子は、この発光駆動電流に応じて発光する。一方、上記陰極線走査回路3によって高電位Vccに設定された表示ラインと、上記定電流源が接続された“列”との間には電流が流れ込まないので、かかる表示ライン及び“列”に交叉して形成されているEL素子は非発光のままである。
【0009】
以上のような動作が、画素データ群D11〜D1m、D21〜D2m、… 、Dn1〜Dnm各々に基づいて実施されると、ELDP10の画面上には、入力された画像データに応じた1フィールド分の発光パターン、つまり画像が表示されるのである。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように陽極線ドライブ回路の出力は電流出力であり、その電流出力にはカレントミラーが用いられる。その出力電流がばらついた場合、有機ELパネルの輝度がばらついてしまう。このため、電流ばらつきを抑えることは非常に重要である。しかし、カレントミラーを用いた場合、カレントミラーで発生する電流ばらつきにより、出力電流がばらついてしまう。
【0011】
ここで、従来の回路構成が図8に示されている。同図には、N+1個のMOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタを用いて構成されたカレントミラーが示されている。
同図に示されているように、カレントミラー回路は、電流源Iorgと、N+1個のMOSトランジスタPOUT0、POUT1、…、POUTNとを含んで構成されている。N+1個のMOSトランジスタのうち、1つのMOSトランジスタPOUT0が電流源Iorgと共に、カレントミラーの基準電流源をなす。そして、他のN個のMOSトランジスタからの出力電流が、ディスプレイパネルの駆動出力として導出される。本例では、他のN個のMOSトランジスタPOUT1〜POUTNからの出力が1つにまとめられ、このまとめられた出力電流Ioutが駆動出力として導出される。
【0012】
ここで、N+1個のMOSトランジスタPOUT0〜POUTNのサイズがすべて同じであると仮定する。すると、MOSトランジスタPOUT0によって導出される電流と他のN個のMOSトランジスタPOUT1〜POUTNによって導出される電流との比、すなわち電流比は1:Nとなる。よって、このときの出力電流Iout
out=N×Iorg
になる。
【0013】
一般に、電流のばらつきΔIはMOSトランジスタのサイズに依存し、MOSトランジスタのサイズが小さい場合に電流のばらつきΔIは大きい。逆に、MOSトランジスタのサイズが大きい場合に電流のばらつきΔIは小さい。
ディスプレイパネルの駆動等の用途では、上記電流比1:Nの“N”側のMOSトランジスタのサイズは、“1”側のMOSトランジスタのサイズより遙かに大きい。例えば、N>10である。このことから、電流のばらつきΔIは上記電流比“1”側のMOSトランジスタPoutから発生する電流ばらつきが支配的になる。
【0014】
また、カレントミラーの電流比を小さくすることも考えられる。例えば、2:N/2や、3:N/3にすることが考えられる。こうすれば、電流のばらつきΔIは減少する。しかしながら、チャンネル数は陽極線の数だけ存在するので、その場合には電流源Iorgの電流量を増やさなければならない。すると、ICチップの消費電力が増加するという欠点がある。
【0015】
本発明は上述した従来技術の欠点を解決するためになされたものであり、その目的はICチップの消費電力が増加することなく、電流のばらつきを減少させることのできるディスプレイパネル駆動回路を提供することである。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1によるディスプレイパネル駆動回路は、電流源と接続され、基準電流源をなす1つのトランジスタと、該トランジスタと共に電流ミラー回路を構成するN個(Nは自然数)のトランジスタとからなるディスプレイパネル駆動回路であって、前記N+1個のトランジスタのうち、基準電流源をなすトランジスタを、周期的に切り替えるスイッチング手段を含み、他のN個のトランジスタからの出力を1つにまとめてディスプレイパネルを構成する自発光素子の駆動出力として導出するようにしたことを特徴とする。
【0017】
発明の請求項2によるディスプレイパネル駆動回路は、請求項1において、前記自発光素子は、前記駆動出力によってそれぞれ駆動されるエレクトロルミネッセンス素子によって構成されていることを特徴とする。
【0018】
要するに、基準電流源をなすトランジスタを、周期的に切り替えることにより、カレントミラーで発生する電流ばらつきを小さくすることができ、また複数のICチップ間での基準電流のばらつきをなくすことができるので、ディスプレイパネル上において均一な発光輝度が得られる。
【0019】
【発明の実施の形態】
次に、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の説明において参照する各図においては、他の図と同等部分に同一符号が付されている。
図1は本発明によるディスプレイパネル駆動回路の実施の一形態における主要部分の構成を示す図である。同図には、N+1個のMOSトランジスタによって構成されたカレントミラー回路が示されている。
【0020】
同図に示されているように、カレントミラー回路は、電流源Iorgと、N+1個のMOSトランジスタPOUT0、POUT1、…、POUTNと、スイッチング回路SW0、SW1、…、SWNとを含んで構成されている。スイッチング回路SW0、SW1、…、SWNは、N+1個のMOSトランジスタPOUT0、POUT1、…、POUTNのうちのいずれか1つのみを電流源Iorgと電気的に接続する。この電流源Iorgと接続された1つのMOSトランジスタが電流源Iorgと共に、カレントミラーの基準電流源をなすことになる。そして、他のN個のMOSトランジスタからの出力電流が、ディスプレイパネルの駆動出力として導出される。本例では、他のN個のMOSトランジスタPOUT1〜POUTNからの出力が1つにまとめられ、このまとめられた出力電流Ioutが駆動出力として導出される。
【0021】
同図中のスイッチング回路SW0、SW1、…、SWNにおいては、電流源Iorgに接続されている端子が○、出力電流Ioutを導出する信号線に接続されている端子が●で示されている。スイッチング回路SW0が○側端子に接続されているとき、他のスイッチング回路SW1〜SWNは●側端子に接続される。スイッチング回路SW1が○側端子に接続されているとき、スイッチング回路SW1及びSW2〜SWNは●側端子に接続される。同様に、○側端子に接続されるスイッチング回路を、順次切り替える。この切り替えは、クロックに同期させて行う。
【0022】
このようにスイッチング回路SW0〜SWNを制御することにより、N+1個のMOSトランジスタPOUT0、POUT1、…、POUTNのうち、基準電流源をなすトランジスタを、周期的に切り替える。つまり、スイッチング回路を切り替えることにより、N+1個のMOSトランジスタ全てが、電流のばらつきに支配的な電流比1:Nの“1”側に順次割り当たるようにしている。このように切り替え制御し、N+1個全てのMOSトランジスタの電流ばらつきに対して時分割制御(時間で平均する)を行うので、電流ばらつきを抑えることができる。
【0023】
ここで、トランジスタの数N=3とし、トランジスタのばらつきを1%とした場合、従来では電流のばらつきは1.4%程度になるのに対し、本発明の回路によれば、電流のばらつきは0.01%程度であり、電流のばらつきはかなり小さくなる。
図2はスイッチング回路SW0〜SWNの切り替えタイミングを示すタイミングチャートである。同図には、スイッチング回路を切り替えるタイミングをなすクロックと、各スイッチング回路のオンオフ状態と、出力電流Ioutとが示されている。なお、同図においては、ハイレベルとなっているスイッチング回路がオン状態であることを示している。
【0024】
同図において、スイッチング回路SW0がオン状態のとき、出力電流IoutはN×Iref+ΔI0となる。同様に、スイッチング回路SW1がオン状態のとき出力電流IoutはN×Iref+ΔI1、スイッチング回路SW2がオン状態のとき出力電流IoutはN×Iref+ΔI2となり、スイッチング回路SWNがオン状態のとき出力電流IoutはN×Iref+ΔINとなる。以下同様に、基準電流源をなすトランジスタをスイッチング回路で周期的に切り替える。
【0025】
以上のように、基準電流源をなすトランジスタを、周期的に切り替えることにより、電流ばらつきの量を小さくすることができる。
ここで、スイッチング回路の構成例が図3に示されている。同図に示されているスイッチング回路SW0〜SWNは、それぞれ対応するMOSトランジスタPOUT0〜POUTNから出力される電流が入力される2つのアナログスイッチを含んで構成されている。スイッチング回路SW0は、アナログスイッチSW01及びSW02によって構成されている。これらアナログスイッチSW01及びSW02は、共に、ソース及びドレインを共通とするN型MOSトランジスタ及びP型MOSトランジスタによって構成されている。そして、これらN型MOSトランジスタ及びP型MOSトランジスタの共通するゲートがスイッチング制御端子となる。また、同図においては、上述したクロックを入力とするカウンタ200と、スイッチング回路SW0〜SWNに対応して設けられカウンタ200の出力200−0〜200−Nを反転するインバータINV0〜INVNとが設けられている。なお、インバータINV0〜INVNは、例えば周知のCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)インバータ回路で構成する。
【0026】
アナログスイッチSW01のN型MOSトランジスタ及びアナログスイッチSW02のP型MOSトランジスタにはカウンタ200の出力がそのまま入力されるのに対し、アナログスイッチSW01のP型MOSトランジスタ及びアナログスイッチSW02のN型MOSトランジスタにはカウンタ200の出力がインバータINV0によって論理反転されて入力される。このため、カウンタ200の出力200−0がハイレベルのときにのみアナログスイッチSW01がオン状態、ローレベルのときにはアナログスイッチSW02がオン状態となる。
【0027】
アナログスイッチSW11及びアナログスイッチSW12からなるスイッチング回路SW1についても同様に、カウンタ200の出力200−1がハイレベルのときにのみアナログスイッチSW11がオン状態、ローレベルのときにはアナログスイッチSW12がオン状態となる。他のスイッチング回路についても同様であり、スイッチング回路SWNは、カウンタ200の出力200−NがハイレベルのときにのみアナログスイッチSWN1がオン状態、ローレベルのときにはアナログスイッチSWN2がオン状態となる。
【0028】
なお、同図に示されているように、アナログスイッチSW01,SW11,…,SWN1の出力側は上述した電流源Iorgに接続され、アナログスイッチSW02,SW12,…,SWN2の出力側は1つにまとめられて出力電流Ioutとして導出される。
このような構成において、カウンタ200は、図2中のクロックを入力とし、出力200−1〜200−Nの1つのみをハイレベルのパルスとする。そして、このハイレベルとする出力を順にずらしていく。このように順次ずらしながらハイレベルのパルスを与えることにより、上述した図2に示されているように、N+1個のMOSトランジスタのうち、基準電流源をなすトランジスタを、周期的に切り替える。これにより、N+1個のMOSトランジスタ全てが、電流のばらつきに支配的な電流比1:Nの“1”側に順次割り当たるようにしている。このように切り替え制御し、N+1個全てのMOSトランジスタの電流ばらつきに対して時分割制御を行うので電流ばらつきを抑えることができる。なお、以上のように構成するため、電流源Iorgの電流量を増やさずに、電流ばらつきを抑えることができる。
【0029】
したがって、本回路によれば、ICチップの消費電力を増やすことなく、カレントミラーで発生する電流ばらつきを小さくすることができる。よって、例えば、繰返し周波数が1000Hzのクロックでスイッチング回路を切り替え制御することにより、有機EL素子で構成したディスプレイパネルへの供給電流を時間的に平均化することができる。このため、ディスプレイパネル上において均一な発光輝度が得られる。
【0030】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、基準電流源をなすトランジスタを、周期的に切り替えることにより、カレントミラーで発生する電流ばらつきを小さくすることができ、また複数のICチップ間での基準電流のばらつきをなくすことができるので、ディスプレイパネル上において均一な発光輝度が得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるディスプレイパネル駆動回路の主要部分の構成を示す図である。
【図2】図1のディスプレイパネル駆動回路におけるスイッチング回路の切り替えタイミングを示すタイミングチャートである。
【図3】スイッチング回路の構成例を示す図である。
【図4】EL素子の概略構成を示す図である。
【図5】EL素子の特性を電気的に示す等価回路を示す図である。
【図6】複数のEL素子をマトリクス状に配列してなるELディスプレイパネルを用いて画像表示を行うELディスプレイ装置の概略構成を示す図である。
【図7】画素データ及び走査線選択信号の供給タイミングを示す図である。
【図8】従来回路を示す図である。
【符号の説明】
1 発光制御回路
2 陽極線ドライブ回路
3 陰極線走査回路
100 透明基板
101 透明電極
102 有機機能層
103 金属電極
200 カウンタ
INV0〜INVN インバータ
org 電流源
out 出力電流
OUT0〜POUTN トランジスタ
SW0〜SWN スイッチング回路
SW01,SW02
SW11,SW12
SW11,SW12 アナログスイッチ
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a display panel drive circuit, and more particularly to a drive circuit for a display device using a display panel composed of self-luminous elements such as organic electroluminescence elements.
[Prior art]
An organic electroluminescence (hereinafter referred to as EL) element is known as a self-luminous element for realizing a thin display device with low power consumption. FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of such an EL element. As shown in the figure, the EL element has at least one layer composed of an electron transport layer, a light emitting layer, a hole transport layer, etc. on a transparent substrate 100 composed of a glass plate or the like on which a transparent electrode 101 is formed. The organic functional layer 102 and the metal electrode 103 are laminated.
[0003]
FIG. 5 is an equivalent circuit that electrically shows the characteristics of the EL element. As shown in the figure, the EL element can be replaced by a capacitive component C and a diode characteristic component E coupled in parallel to the capacitive component.
Here, when a positive voltage is applied to the anode of the transparent electrode 101 and a negative voltage is applied to the cathode of the metal electrode 103 to apply a direct current between the transparent electrode and the metal electrode, charges are accumulated in the capacitive component C. At this time, when the barrier voltage or emission threshold voltage specific to the EL element is exceeded, current starts to flow from the electrode (the anode side of the diode component E) to the organic functional layer serving as the light emitting layer, and the organic function has an intensity proportional to this current. Layer 102 emits light.
[0004]
FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration of an EL display device that displays an image using an EL display panel in which a plurality of EL elements are arranged in a matrix. In the figure, an ELDP 10 as an EL display panel includes cathode lines (metal electrodes) B 1 to B n that carry the first display line to the nth display line, and an array that intersects each of the cathode lines B 1 to B n. is the m anode lines (transparent electrodes) a 1 to a m are formed. EL elements E 11 to E nm having the above-described structure are formed at the intersections of the cathode lines B 1 to B n and the anode lines A 1 to Am.
[0005]
Each of these EL elements E 11 to E nm serves as one pixel as the ELDP 10.
The light emission control circuit 1 converts the input image data for one screen (n rows, m columns) into pixel data groups D 11 to D D corresponding to the respective pixels of the ELDP 10, that is, the EL elements E 11 to E nm. These are converted to nm , and these are sequentially supplied to the anode line drive circuit 2 for each row as shown in FIG. For example, the pixel data D 11 to D nm are m data bits that specify whether or not light emission is performed for each of the EL elements E 11 to E nm belonging to the first display line of the ELDP 10. When the logic level is “1”, “light emission” is indicated, and when the logic level is “0”, “non-light emission” is indicated.
[0006]
Further, as shown in FIG. 7, the light emission control circuit 1 scans each of the first display line to the nth display line of the ELDP 10 in order in synchronization with the supply timing of the pixel data for each row. A line selection control signal is supplied to the cathode line scanning circuit 3. First, the anode line drive circuit 2 extracts all the data bits of the logic level “1” designating “light emission” from the m data bits in the pixel data group. Next, the anode line belonging to "columns" corresponding to the data bits each and the extracted selected all from among the anode lines A 1 to A m, connects the constant current source only to the selected anode line, predetermined A pixel driving current i is supplied.
[0007]
The cathode line scanning circuit 3 selectively selects a cathode line corresponding to the display line indicated by the scanning line selection control signal from the cathode lines B 1 to B n and sets the cathode line to the ground potential. A predetermined high potential Vcc is applied to each of the other cathode lines. Note that the high potential Vcc is set to be approximately the same value as the voltage across the EL element when the EL element emits light with a desired luminance (voltage determined based on the amount of charge to the parasitic capacitance C).
[0008]
At this time, a light emission driving current flows between the “column” to which the constant current source is connected by the anode line drive circuit 2 and the display line set to the ground potential by the cathode line scanning circuit 3. The EL element formed so as to cross the display line and the “column” emits light according to the light emission drive current. On the other hand, since no current flows between the display line set to the high potential Vcc by the cathode line scanning circuit 3 and the “column” to which the constant current source is connected, the display line and the “column” are crossed. The EL element thus formed remains non-light emitting.
[0009]
When the above operation is performed based on each of the pixel data groups D 11 to D 1m , D 21 to D 2m ,..., D n1 to D nm , the input image data is displayed on the ELDP 10 screen. A light emission pattern corresponding to one field, that is, an image is displayed.
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, the output of the anode line drive circuit is a current output, and a current mirror is used for the current output. When the output current varies, the luminance of the organic EL panel varies. For this reason, it is very important to suppress current variation. However, when a current mirror is used, the output current varies due to current variations generated in the current mirror.
[0011]
Here, a conventional circuit configuration is shown in FIG. In the figure, a current mirror configured using N + 1 MOS (Metal Oxide Semiconductor) transistors is shown.
As shown in the figure, the current mirror circuit includes a current source I org and N + 1 MOS transistors P OUT0 , P OUT1 ,..., P OUTN . Of the N + 1 MOS transistors, one MOS transistor P OUT0 and the current source I org form a reference current source for the current mirror. Then, output currents from the other N MOS transistors are derived as display panel drive outputs. In this example, outputs from the other N MOS transistors P OUT1 to P OUTN are combined into one, and the combined output current I out is derived as a drive output.
[0012]
Here, it is assumed that the sizes of the N + 1 MOS transistors P OUT0 to P OUTN are all the same. Then, the ratio between the current derived by the MOS transistor P OUT0 and the current derived by the other N MOS transistors P OUT1 to P OUTN , that is, the current ratio is 1: N. Therefore, the output current I out at this time is I out = N × I org
become.
[0013]
In general, the current variation ΔI depends on the size of the MOS transistor, and the current variation ΔI is large when the size of the MOS transistor is small. Conversely, when the size of the MOS transistor is large, the current variation ΔI is small.
In applications such as driving a display panel, the size of the “N” side MOS transistor having the current ratio of 1: N is much larger than the size of the “1” side MOS transistor. For example, N> 10. Therefore, the current variation ΔI is dominated by the current variation generated from the MOS transistor Pout on the current ratio “1” side.
[0014]
It is also conceivable to reduce the current ratio of the current mirror. For example, 2: N / 2 or 3: N / 3 may be considered. In this way, the current variation ΔI is reduced. However, since there are as many channels as the number of anode lines, in that case, the amount of current of the current source I org must be increased. As a result, the power consumption of the IC chip increases.
[0015]
The present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks of the prior art, and an object of the present invention is to provide a display panel driving circuit capable of reducing current variations without increasing the power consumption of an IC chip. That is.
[0016]
[Means for Solving the Problems]
A display panel driving circuit according to claim 1 of the present invention includes one transistor that is connected to a current source and forms a reference current source, and N transistors (N is a natural number) that form a current mirror circuit together with the transistor. A display panel driving circuit comprising switching means for periodically switching a transistor forming a reference current source among the N + 1 transistors, wherein outputs from the other N transistors are combined into one display panel It is derived as a drive output of the self-luminous element that constitutes .
[0017]
A display panel driving circuit according to a second aspect of the present invention is the display panel driving circuit according to the first aspect , wherein the self-luminous elements are constituted by electroluminescent elements respectively driven by the driving output.
[0018]
In short, by periodically switching the transistors forming the reference current source, it is possible to reduce the current variation generated in the current mirror, and to eliminate the variation in the reference current among a plurality of IC chips. Uniform light emission luminance can be obtained on the display panel.
[0019]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each drawing referred to in the following description, the same reference numerals are given to the same parts as in the other drawings.
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a main part in an embodiment of a display panel driving circuit according to the present invention. The figure shows a current mirror circuit composed of N + 1 MOS transistors.
[0020]
As shown in the drawing, the current mirror circuit includes a current source Iorg , N + 1 MOS transistors POUT0 , POUT1 ,..., POUTN , and switching circuits SW0, SW1,. It consists of The switching circuits SW0, SW1,..., SWN electrically connect only one of the N + 1 MOS transistors P OUT0 , P OUT1 ,..., P OUTN to the current source I org . One MOS transistor connected between the current source I org together with the current source I org, thereby forming the reference current source of the current mirror. Then, output currents from the other N MOS transistors are derived as display panel drive outputs. In this example, outputs from the other N MOS transistors P OUT1 to P OUTN are combined into one, and the combined output current I out is derived as a drive output.
[0021]
In the switching circuits SW0, SW1,..., SWN in the figure, terminals connected to the current source I org are indicated by ◯, and terminals connected to a signal line for deriving the output current I out are indicated by ●. Yes. When the switching circuit SW0 is connected to the ◯ side terminal, the other switching circuits SW1 to SWN are connected to the ● side terminal. When the switching circuit SW1 is connected to the ◯ side terminal, the switching circuits SW1 and SW2 to SWN are connected to the ● side terminal. Similarly, the switching circuit connected to the ○ side terminal is sequentially switched. This switching is performed in synchronization with the clock.
[0022]
By controlling the switching circuits SW0 to SWN in this way, the transistors forming the reference current source among the N + 1 MOS transistors P OUT0 , P OUT1 ,..., P OUTN are periodically switched. That is, by switching the switching circuit, all of the N + 1 MOS transistors are sequentially assigned to the “1” side of the current ratio 1: N that is dominant in current variation. Since switching control is performed in this way and time-sharing control (averaged over time) is performed on current variations of all N + 1 MOS transistors, current variations can be suppressed.
[0023]
Here, when the number N of transistors is 3 and the transistor variation is 1%, the current variation is about 1.4% in the related art, but according to the circuit of the present invention, the current variation is It is about 0.01%, and the variation in current is considerably reduced.
FIG. 2 is a timing chart showing the switching timing of the switching circuits SW0 to SWN. In the figure, a clock for switching the switching circuit, an on / off state of each switching circuit, and an output current Iout are shown. In the figure, it is shown that the high-level switching circuit is in the on state.
[0024]
In the figure, when the switching circuit SW0 is in the ON state, the output current Iout is N × I ref + ΔI 0 . Similarly, when the switching circuit SW1 is on, the output current I out is N × I ref + ΔI 1 , and when the switching circuit SW2 is on, the output current I out is N × I ref + ΔI 2 , and the switching circuit SWN is on. In this case, the output current I out becomes N × I ref + ΔI N. Similarly, the transistors forming the reference current source are periodically switched by the switching circuit.
[0025]
As described above, the amount of current variation can be reduced by periodically switching the transistors forming the reference current source.
Here, a configuration example of the switching circuit is shown in FIG. The switching circuits SW0 to SWN shown in the figure include two analog switches to which currents output from the corresponding MOS transistors P OUT0 to P OUTN are input, respectively. The switching circuit SW0 is configured by analog switches SW01 and SW02. These analog switches SW01 and SW02 are both constituted by an N-type MOS transistor and a P-type MOS transistor having a common source and drain. A common gate of these N-type MOS transistor and P-type MOS transistor serves as a switching control terminal. Further, in the figure, there are provided a counter 200 that receives the above-mentioned clock and inverters INV0 to INVN that are provided corresponding to the switching circuits SW0 to SWN and invert the outputs 200-0 to 200-N of the counter 200. It has been. Note that the inverters INV0 to INVN are configured by, for example, a well-known CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) inverter circuit.
[0026]
While the output of the counter 200 is input as it is to the N-type MOS transistor of the analog switch SW01 and the P-type MOS transistor of the analog switch SW02, the P-type MOS transistor of the analog switch SW01 and the N-type MOS transistor of the analog switch SW02 The output of the counter 200 is logically inverted by the inverter INV0. Therefore, the analog switch SW01 is turned on only when the output 200-0 of the counter 200 is at a high level, and the analog switch SW02 is turned on when it is at a low level.
[0027]
Similarly, for the switching circuit SW1 including the analog switch SW11 and the analog switch SW12, the analog switch SW11 is turned on only when the output 200-1 of the counter 200 is at a high level, and the analog switch SW12 is turned on when the output 200-1 is at a low level. . The same applies to other switching circuits. In the switching circuit SWN, the analog switch SWN1 is turned on only when the output 200-N of the counter 200 is at a high level, and the analog switch SWN2 is turned on when the output is low.
[0028]
As shown in the figure, the output side of the analog switches SW01, SW11,..., SWN1 is connected to the current source I org described above, and the output side of the analog switches SW02, SW12,. Are derived as an output current I out .
In such a configuration, the counter 200 receives the clock in FIG. 2 as an input, and sets only one of the outputs 200-1 to 200-N as a high-level pulse. And the output which makes this high level is shifted in order. By applying a high level pulse while sequentially shifting in this way, the transistor forming the reference current source among N + 1 MOS transistors is periodically switched as shown in FIG. As a result, all the N + 1 MOS transistors are sequentially assigned to the “1” side of the current ratio 1: N that is dominant in the current variation. Since the switching control is performed in this way and the time-sharing control is performed on the current variation of all N + 1 MOS transistors, the current variation can be suppressed. Since the configuration is as described above, current variations can be suppressed without increasing the current amount of the current source Iorg .
[0029]
Therefore, according to this circuit, the current variation generated in the current mirror can be reduced without increasing the power consumption of the IC chip. Therefore, for example, by switching and controlling the switching circuit with a clock having a repetition frequency of 1000 Hz, it is possible to average the current supplied to the display panel composed of organic EL elements over time. For this reason, uniform light emission luminance is obtained on the display panel.
[0030]
【Effect of the invention】
As described above, according to the present invention, the current variation generated in the current mirror can be reduced by periodically switching the transistors forming the reference current source, and the variation in the reference current among a plurality of IC chips is achieved. Therefore, there is an effect that uniform light emission luminance can be obtained on the display panel.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a main part of a display panel driving circuit according to the present invention.
2 is a timing chart showing switching timing of a switching circuit in the display panel drive circuit of FIG. 1. FIG.
FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example of a switching circuit.
FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of an EL element.
FIG. 5 is a diagram showing an equivalent circuit that electrically indicates the characteristics of an EL element.
FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration of an EL display device that displays an image using an EL display panel in which a plurality of EL elements are arranged in a matrix.
FIG. 7 is a diagram illustrating the supply timing of pixel data and a scanning line selection signal.
FIG. 8 is a diagram showing a conventional circuit.
[Explanation of symbols]
Light emission control circuit 2 anode line drive circuit 3 cathode line scan circuit 100 transparent substrate 101 transparent electrode 102 organic functional layer 103 metal electrodes 200 counter INV0~INVN inverter I org current source I out output current P OUT0 to P OUTN transistor SW0~SWN switching Circuits SW01 and SW02
SW11, SW12
SW11, SW12 Analog switch

Claims (2)

電流源と接続され、基準電流源をなす1つのトランジスタと、該トランジスタと共に電流ミラー回路を構成するN個(Nは自然数)のトランジスタとからなるディスプレイパネル駆動回路であって、前記N+1個のトランジスタのうち、基準電流源をなすトランジスタを、周期的に切り替えるスイッチング手段を含み、他のN個のトランジスタからの出力を1つにまとめてディスプレイパネルを構成する自発光素子の駆動出力として導出するようにしたことを特徴とするディスプレイパネル駆動回路。 A display panel driving circuit comprising one transistor connected to a current source and forming a reference current source, and N (N is a natural number) transistors forming a current mirror circuit together with the transistor, wherein the N + 1 transistors Among them, the transistor that forms the reference current source includes switching means for periodically switching, and the outputs from the other N transistors are combined into one to derive the drive output of the self-luminous elements constituting the display panel. A display panel drive circuit characterized by that. 前記自発光素子は、前記駆動出力によってそれぞれ駆動されるエレクトロルミネッセンス素子によって構成されていることを特徴とする請求項1記載のディスプレイパネル駆動回路。The self-emission device, a display panel driving circuit according to claim 1, characterized in that it is constituted by electroluminescent elements driven respectively by the drive output.
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