JP5067030B2

JP5067030B2 - 半導体装置及びその製造方法

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Publication number: JP5067030B2
Application number: JP2007158234A
Authority: JP
Inventors: 純司藤野; 晋一高木
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2007-06-15
Filing date: 2007-06-15
Publication date: 2012-11-07
Anticipated expiration: 2027-06-15
Also published as: CN101325184A; JP2008311456A; US20090020866A1; US7679181B2; CN101325184B

Description

本発明は、半導体装置及びその製造方法に係り、半導体素子を搭載したパッケージとその蓋であるキャップとを線材を用いて接合する事により半導体素子を気密封止した半導体装置及びその製造方法に関するものである。

半導体素子は素子外部の湿気、汚染、熱、電磁界などの影響を受け損傷したり特性劣化したりする事がある。前述のような影響から高周波、光モジュールなどをはじめとする半導体素子を防御するためには、半導体素子が前述のような影響を与える源から気密封止されている事が必要である。気密封止は半導体素子を搭載したパッケージにキャップを接合する事により行われるのが一般的である。そして、前述の気密封止を行うためにはキャップはパッケージと隙間無く接合されていなければならない。

特許文献１に開示される半導体装置も、前述の気密封止を行うためにキャップとパッケージの接合を行う。そして、特許文献１に開示の半導体装置はパッケージとキャップの接合を行うために以下の構成を備える。すなわち、キャップのパッケージと接触すべき部分に突起部を備える。またパッケージのキャップと接触すべき部分には、前述の突起部と接触する溝構造を備える。前述の突起部と溝構造を接触させ、両者を押し付けた状態で、パッケージを固定しキャップに超音波振動を与える事により、パッケージとキャップが低温で接合される。

特開平08-227946号公報特開2006-121109号公報特開2003-152131号公報特開2002-208650号公報特開2002-118193号公報特開平6-188672号公報

特許文献１に開示される半導体装置におけるパッケージとキャップの接合を行う場合、接合を行う前に前述した突起部や溝構造の加工が必要となる。特許文献２においてこのような加工方法の一例として、ウェーハ製造プロセスで製膜した後に選択的に突起部以外の部分を除去する事により突起部を製造する方法が開示されている。このような加工は良好なパッケージ−キャップ間の接合を得るための付加的な製造工程である。前述した付加的な製造工程により半導体装置の製造コスト低減が出来ないという問題があった。

本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、半導体素子を気密封止するためのパッケージ−キャップ間の接合が簡素で低廉なプロセスにより行われる半導体装置及びその製造方法を提供する事を目的とする。

本発明に係る半導体装置は、半導体素子を搭載するパッケージと、前述のパッケージと接合され前述のパッケージと共に前述の半導体素子を気密封止するキャップと、前述のパッケージにおける前述のキャップと接合される部分と前述のキャップにおける前述のパッケージと接合される部分との間で両者に接触し、前述の半導体素子を気密封止するように閉じた面を形成して配置される線材である接合用ワイヤとを備え、該接合用ワイヤは、一本又は複数本の線材で構成され、該接合用ワイヤの少なくとも一端は他の端と折り重なるように配置される。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子を搭載するパッケージにおける前述のパッケージと接合するキャップが接合される部分であるパッケージ接合部分又は、前述のキャップにおける前述のパッケージと接合される部分であるキャップ接合部分のいずれか一方の接合部分に線材である接合用ワイヤを閉ループを形成するように配置する接合用ワイヤ配置工程と、前述のパッケージ接合部分と前述のキャップ接合部分とを前述の接合用ワイヤを介して接合し前述の半導体素子を気密封止する気密封止工程とを備える。さらに、前述の接合用ワイヤ配置工程は、前述の一方の接合部分に前述の接合用ワイヤの端を搭載させる部分搭載工程と、前述の部分搭載工程で搭載された前述の端の所定部分に、陥没部分を形成する加工を行う陥没加工工程と、前述の陥没部分に、前述の接合用ワイヤの端を折り重ねるように配置するワイヤ交差工程とを備える。

本発明により簡素で低廉なプロセスによって半導体装置の気密封止を行う事ができる。

実施の形態1
図１は本実施形態の半導体装置の構成を説明するための斜視図である。本実施形態の半導体装置はパッケージ１４を備える。パッケージ１４は少なくとも一つの開放面を備える箱型の収納装置である。そして前述の開放面を塞ぐようにキャップ１０が配置されている。キャップ１０はパッケージ１４と接合されパッケージ１４内部を気密封止している。

図２は本発明の特徴である、パッケージ１４とキャップ１０との接合について詳細に説明するための斜視図である。図２はパッケージ１４とキャップ１０との接合が行われる前の状態を表す図である。図２に示す通り、パッケージ１４は一つの開放面を有する。この開放面からパッケージ１４が搭載すべき半導体素子が導入されパッケージ１４の内壁の所定位置に搭載される（図示せず）。なお、本実施形態でパッケージ１４に搭載される半導体素子は、素子外部の湿気、汚染、熱、電磁界などの影響から隔離されている事を要するものである。従って本実施形態の半導体素子は図１に示すように気密封止されている。このような半導体素子の一例として、高周波デバイスや光モジュールなどが挙げられる。さらに、パッケージ１４はパッケージ１４の外部に突出するように外部電極１６を備える。外部電極１６はパッケージ１４内壁に搭載された半導体素子の入力出力信号を伝送するために形成、配置されるものである。

さらに、図２に示されるように、本実施形態の半導体装置は接合用ワイヤ１２を備える。接合用ワイヤ１２は、パッケージ１４とキャップ１０とが接合される前は、パッケージ１４の開放面と沿うように配置されている。接合用ワイヤ１２はボンディングツールによって接続されながら、前述の開放面でパッケージ１４が備える面に周状に配置される。そして、本実施形態の接合用ワイヤ１２は一本のワイヤである。接合用ワイヤ１２の一端と他端とは、前述の一端と他端とが折り重なるように配置されている。なお、図２に示すように、上述の折り重なる部分はパッケージ１４の開放面でパッケージ１４が備える面の角部に配置される。接合用ワイヤ１２は上述の折り重なった部分を有するため、閉ループを形成するように配置されることになる。このように配置された接合用ワイヤ１２は、パッケージ１４とキャップ１０との間に挟まれるように配置され両者を接合するものである。この接合は、位置決めされたキャップ１０が接合用ワイヤ１２の上からパッケージ１４に搭載された上で、キャップ１０をパッケージ１４に向かって加圧する方法、加熱する方法、超音波を印加する方法などにより行われる（以後、前述の接合方法によりパッケージ−キャップ間を接合する処理を「気密封止処理」と称する）。前述した接合の方法は接合用ワイヤの特性に応じて適宜定められる。前述の接合の結果、半導体素子はパッケージ外部から気密封止される。なお、接合用ワイヤ１２は図１に示す完成品の段階では外部から視認できない。

ところで、本実施形態ではパッケージ１４のキャップ１０と接合するべき部分は四角形を形成している。そのため、接合用ワイヤ１２も前述の四角形に対応した形状の閉ループを作るように配置される。すなわち、接合用ワイヤ１２はパッケージ１４の開放面の形状と一致するように、かつ閉ループを形成するように配置される。そして、接合用ワイヤ１２の素材の選択は、生産性、半導体装置の価格などの観点から決められる。すなわち加圧により接合を行う場合、接合後のパッケージ−キャップ間の間隔が接合用ワイヤ１２の直径より狭くなる事を要するため、変形しやすい材料が選択される。また、加熱により接合を行う場合には融点の低い材料が選択される。また、超音波振動の印加により接合を行う場合には、適切な金属材料が選択される。このように接合用ワイヤ１２の原材料としてはいろいろなものが利用され得るが、例えば、Ａｕ、Ａｕより融点の低い金属又は合金、ＡｕＳｎはんだ、ＳｎＡｇＣｕはんだ、表面にＡｕコーティングを施したＩｎなどで製造される。

以後、上記接合用ワイヤ１２の折り重なる部分について説明する。図３は図２の破線で囲まれた部分の接合用ワイヤ１２に関する拡大図である。図３に示す通り、ワイヤの両端のうち、先にパッケージ１４に搭載される方の端（以後、第一ワイヤ端５１と称する）に、他方の端（以後、第二ワイヤ端５２と称する）が折り重なるように交差して配置される。図４は第二ワイヤ端５２が第一ワイヤ端５１に折り重なるように配置される前の、第一ワイヤ端５１の斜視図である。図４に示す通り、第一ワイヤ端５１は陥没部５４を備える。陥没部５４は第二ワイヤ端５２が折り重なるように搭載される部分である。そして陥没部５４の左右には非陥没部５３が配置される。陥没部５４は、第一ワイヤ端５１をパッケージ１４に搭載した後に、陥没部５４となるべき部分を押しつぶす。具体的には、ボンディングツールを用いて加圧、加熱、超音波振動印加などのいずれか又はいずれか複数を行う事で形成される。前述の処理を行う事で陥没部５４が形成され、陥没部５４はパッケージ１４と接合される。この後、第ニワイヤ端５２を、第一ワイヤ端５１の陥没部５４に交差して配置する。これにより、陥没部５４と第二ワイヤ端５２とは線接触となるため、接合面積が拡大して接合強度が向上する。このような第一ワイヤ端５１の正面図は図５に示されている。図５において高さｈで示される陥没部５４の高さはパッケージ１４からの高さを表している。そして本実施形態の陥没部５４の高さｈは、非陥没部５３の高さの１０〜９０％の高さとなるように制御されている。これは以下の理由による。すなわち、陥没部５４の高さｈを非陥没部分の高さの１０％以下とすると、陥没部５４と非陥没部分５３とが切断してしまう事がある。また、陥没部５４の高さｈを非陥没部分の高さの９０％以上とすると、接合面積が不十分で接合強度を十分とれないため剥離する事があり、半導体素子を気密封止出来ない事があるからである。

上述してきたように、図２に示される接合用ワイヤ１２は、図３、４、５で説明した構成の折り重なる部分を備える。接合用ワイヤ１２が図２のように配置された後、前述の気密封止処理により接合用ワイヤ１２に加圧、加熱、超音波振動のいずれか又は複数が印加される事になる。この効果により、接合用ワイヤ１２はパッケージ１４とキャップ１０とを接合し、パッケージ内部の半導体素子を気密封止する。

続いて、本実施形態の半導体装置とその製造方法の特徴を理解するために比較例について説明する。図６は比較例１の構成を説明するための図である。以下、比較例１の本実施形態の構成との相違点についてのみ説明する。比較例１のパッケージ２４とキャップ２０との接合は、閉ループを形成しパッケージ２４の開放面に沿うように配置されるはんだであるはんだリング２２により行われる。はんだリング２２は、パッケージ２４のキャップ２０と接合される部分の形状と一致するように最適な形状にプリフォームされたものである。故にはんだリング２２は、パッケージ２４とキャップ２０との接合が行われる前に製造されるものである。そして、比較例１の場合、気密封止は、パッケージ２４とキャップ２０との間に配置されたはんだリング２２を加熱しパッケージ２４とキャップ２０とを接合する事で行われる。

さらに、比較例１とは異なる構成である比較例２について説明する。比較例２においても、本実施形態の構成と相違する点についてのみ説明し、他の構成は説明を省略する。比較例２は特許文献１として記載した、特開平08-227946号公報に記載の半導体装置である。比較例２においては、キャップに突起部を備え、パッケージには前述の突起部と接触する溝構造を備える。前述の突起部と溝構造とを接触させ、両者を押し付けた状態で、パッケージを固定しキャップに超音波振動を与える事により、パッケージとキャップが低温で接合される。比較例２の突起部の製造方法としては、ウェーハ製造プロセスでキャップにめっきなどにより製膜を行った後、選択的に突起部以外の部分を除去する方法がある。

比較例１、比較例２ともにパッケージに搭載された半導体素子を気密封止する事はできる。しかしながら、比較例１においてははんだリングをパッケージとキャップとを接合する工程とは別個独立の工程で製造しなくてはならない。このため製造工程が複雑化し半導体装置の低コスト化ができない。また、比較例２においても、パッケージ側に溝構造を製造する工程、キャップ側に突起部を製造するためにウェーハ製造プロセスで処理する工程があるため処理が複雑であり半導体装置の低コスト化ができない。また、比較例２においては、前述の突起部を作成するために、所定の面全面にめっきで成膜した後に、フォトリソグラフィー法を用いる事が考えられる。そしてこのような突起部はキャップとの密着性を確保する事と、フォトリソグラフィーの最小寸法の制約とから最低でも０．１ｍｍの幅を要する。このため突起部を狭小化できないから、製造コスト低減ができないという問題があった。

また、特にパッケージ面積が大きい場合にはパッケージ、キャップともに一定量の反りがあるものである。パッケージのキャップが接合される部分及びキャップのパッケージが接合される部分に前述の反りがある場合、比較例１のはんだリング２２の厚さを厚くしたり、比較例２の突起部の長さを長くする事により対応しなければならない。そして、前述のはんだリングや前述の突起部を大型化する事により、生産効率悪化やプロセスが高価になるなどの問題があった。

本実施形態の構成によれば上述のような問題を解決できる。前述した通り、本実施形態の接合用ワイヤ１２は前述したようにボンディングツールにより所定位置に配置されるため、比較例１、比較例２と比べて工程が簡素である。すなわち、はんだリングをプリフォームしたり、ウェーハ製造プロセスでキャップに突起部を製造したりする必要がない。故に半導体装置の低コスト化ができる。また、前述した反りの問題は本実施形態の構成でも起こりうるが、反りに備えて本実施形態の接合用ワイヤ１２を太くする事は、比較例１のはんだリング２２を厚くしたり、比較例２の製膜工程で突起部となるべき部分を厚く製膜したりするよりは低廉に行う事ができる。さらに、比較例１、２で前述のそりに対処するための加工を行った場合には、例えばめっきに要する時間がかかり生産性が落ちる。しかしながら、本実施形態で用いる接合用ワイヤ１２は、その径の太さによって生産性が影響を受ける事はない。従って、前述の反りに対する対策を、安価に行う事が出来る。

さらに、本実施形態の構成で加圧によりパッケージ１４とキャップ１０との接合を行う場合には、接合用ワイヤ１２の変形面積が小さい事から小さな接合加重（加圧）で気密封止できる。故にパッケージ１４、キャップ１０などへの加圧によるダメージを低減しながら半導体素子を気密封止できる。さらに、本実施形態の構成では前述の第一ワイヤ端５１に形成された前述の高さｈが制御された陥没部５４に第二ワイヤ端５２が折り重なるように交差して配置される。このような構成により前記交差部の接合強度が向上して確実に気密封止を行う事ができる。

本実施形態では接合用ワイヤ１２は一本のワイヤとしたが本発明はこれに限定されない。すなわち、図７に示すように複数本の接合用ワイヤによりパッケージとキャップとを接合しても接合用ワイヤ全体で閉ループを形成している限り半導体素子の気密封止を簡易なプロセスで行う事ができるから本発明の効果は得られる。

本実施形態では接合用ワイヤ１２をパッケージ１４に搭載した後にパッケージとキャップとを接合したが本発明はこれに限定されない。すなわち、接合用ワイヤ１２をキャップに搭載した後にパッケージとキャップとの接合を行い半導体素子を気密封止しても、本実施形態に対して工程が増える事は無いから本発明の効果を得られる。

本実施形態では接合用ワイヤ１２を用いてパッケージとキャップとを接合する構成としたが、本発明はこれに限定されない。すなわち、リボンのような形状の線材を用いてパッケージとワイヤとの接合を行っても、接合用ワイヤと同様に簡易に所望の加工ができる限りにおいては工程削減の効果を得られるから本発明の効果を得られる。

実施の形態２
本実施形態はパッケージ内の半導体素子を堅牢に気密封止できる半導体装置とその製造方法に関する。本実施形態の構成については、実施形態１と相違する部分のみ説明する。図８は本実施形態の構成を説明するための斜視図である。本実施形態の半導体装置は接合用ワイヤ４０、４２、４４、４６、４８、５０、６０、６２の８本の接合用ワイヤを備える。そして前述した８本の接合用ワイヤのそれぞれの端は相互に折り重なる部分をそなえる。そして８本の接合用ワイヤは２重にパッケージ１４の開放面を取り囲むように配置される。また、各接合用ワイヤは、他の一本の接合用ワイヤと平行に配置される。

図８の下部には前述した２本の接合用ワイヤが平行に走る部分であって、パッケージ１４の開放面の角部でない場所の拡大図である。この拡大図は接合用ワイヤ６０と接合用ワイヤ６２の一部分である。接合用ワイヤ６０、６２ともに、接合用ワイヤが折り重なる部分以外の場所において接合用ワイヤをパッケージ１４に固定するための陥没部５４を備える。そして、接合用ワイヤ６０の陥没部５４と接合用ワイヤ６２の陥没部５４とは交互に配置される。換言すれば、接合用ワイヤ６０の陥没部５４から最近接した接合用ワイヤ６２には陥没部分はなく、一定間隔隔てた部分に接合用ワイヤ６２の陥没部５４が配置される（以後、このように交互に陥没部分を設ける事を「交互陥没形成」と称する）。そしてこれらの陥没部分はボンディングツールを用いて加圧、加熱、超音波振動の印加などのいずれか又はいずれか複数の処理を行う事で形成される。本実施形態は前述の交互陥没形成が接合用ワイヤ全体に渡って形成されている。なお、本実施形態においても、接合用ワイヤが相互に折り重なる部分は実施形態１と同様の加工が行われる。

本実施形態の半導体装置は上述の方法で接合用ワイヤが形成された後に、キャップ１０とパッケージ１４とが接合され、半導体装置の気密封止が行われる。本実施形態では、接合用ワイヤが２重に形成されている事で半導体素子の確実な気密封止ができる。また、前述の交互陥没形成によりパッケージ１４の周方向に対して少なくとも接合用ワイヤの非陥没部分が存在する。これにより、少なくともこの非陥没部分が周方向に渡ってキャップ１０とパッケージ１４とを確実に接合することで、パッケージとキャップとの接合がより強度に行われるため、気密封止をより堅牢に行う事が出来る。

本実施形態では接合用ワイヤが２重に配置される構成としたが本発明はこれに限定されない。すなわち接合用ワイヤが２重以上に配置されていても本発明の効果が得られる。

本実施形態では交互陥没形成により陥没部を交互に配置する構成としたが本発明はこれに限定されない。すなわち、接合用ワイヤが折り重なる部分以外の場所に陥没部分を備える事により気密封止をより確実にする事ができるのだから、前述の陥没部分が接合用ワイヤが折り重なる部分以外に形成されていれば本発明の効果を得られる。

実施の形態３
本実施形態はパッケージとキャップとの接合を堅牢に行う事ができる半導体装置とその製造方法に関する。本実施形態の構成については、実施形態１と相違する部分のみ説明する。図９は本実施形態の構成を説明するための図である。図９はキャップ１０がパッケージ１４と接合されるまえの構成を示している。本実施形態の半導体装置は接合用ワイヤ７０、７２、７４、７６を備える。そして、パッケージ１４のキャップ１０と接合されるべき面を構成する各辺に接合用ワイヤ７０、７２、７４、７６が一本づつ配置される。そして、パッケージ１４とキャップ１０との接合の前においては、各接合用ワイヤは相互に接していない。そして、パッケージ１４の開放面における角部では２本の接合用ワイヤの一部分が平行に配置される。平行に配置される２本の接合用ワイヤの間隔は、パッケージ１４とキャップ１０とが接合された後には両者が接触できる距離である。

本実施形態は上述のように配置された接合用ワイヤ７０、７２、７４、７６にキャップ１０を搭載し、加圧、加熱、超音波振動印加などのいずれか又はいずれか複数の処理を行う事でパッケージ１４とキャップ１０とが接合される。

本実施形態の構成によれば、パッケージとキャップとの接合時に、実施形態１のように接合用ワイヤを折り重ねた部分が存在しないため接合用ワイヤは平坦な面を形成するように配置されている。接合用ワイヤに他の部分と比較して高さの高い部分が無いために、キャップを接合用ワイヤに押し当ててパッケージとキャップを接合する際に行う加圧や超音波振動の印加が均等に行われる。すなわち、接合用ワイヤの折り重なった部分に圧力や超音波振動の効果が集中する事が無い。よって、本実施形態の構成によればパッケージとキャップの接合面において均一な接合が行われるから、確実に堅牢な気密封止を行う事ができる。

本実施形態においては、パッケージ１４とキャップ１０との接合の前においては、各接合用ワイヤは相互に接していない事としたが本発明はこれに限定されない。すなわち接合用ワイヤが折り重なる部分がなければパッケージとキャップとの均一な接合ができるから、接合用ワイヤは相互に重なり合わずに接触していても本発明の効果を得られる。

本実施形態では接合用ワイヤは複数であり、パッケージの開放面における角部に接合用ワイヤが相互に平行となる部分を備える構成としたが本発明はこれに限定されない。すなわち、図１０に示される接合用ワイヤ９０のように、接合用ワイヤが一本であって、前述の平行に配置される部分はパッケージ開放面における角部でなくても、パッケージとキャップの均一な接合ができる。よって、本発明は接合用ワイヤの本数や、前記角部に平行に配置される場所がある事に限定されるものではない。

実施の形態１の半導体装置を説明する図である。実施の形態１の半導体装置の製造方法を説明する図である。図２の点線部分で囲まれた接合用ワイヤの拡大図である。接合用ワイヤの一端の形状を説明する図である。図４の正面図である。実施の形態１の比較例１を説明する図である。実施の形態１の変形例を説明する図である。実施の形態２の半導体装置及び半導体装置の製造方法を説明する図である。実施の形態３の半導体装置及び半導体装置の製造方法を説明する図である。実施の形態３の変形例である。

符号の説明

１０キャップ
１２接合用ワイヤ
１４パッケージ

Claims

半導体素子を搭載するパッケージと、
前記パッケージと接合され、前記パッケージと共に前記半導体素子を気密封止するキャップと、
前記パッケージの前記キャップと接合される部分と前記キャップの前記パッケージと接合される部分との間で両者に接触し、前記半導体素子を気密封止するように閉じた面を形成して配置される線材である接合用ワイヤと、を備え、
前記接合用ワイヤは、一本又は複数本の線材で構成され、
前記接合用ワイヤの少なくとも一端は他の端と折り重なるように配置される事を特徴とする半導体装置。
前記パッケージの前記キャップと接合される部分は多角形を形成し、
前記接合用ワイヤの前記折り重なるように配置される部分は前記多角形の角部分に配置
される事を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
半導体素子を搭載するパッケージと、
前記パッケージと接合され、前記パッケージと共に前記半導体素子を気密封止するキャップと、
前記パッケージの前記キャップと接合される部分と前記キャップの前記パッケージと接合される部分との間で両者に接触し、前記半導体素子を気密封止するように閉じた面を形成して配置される線材である接合用ワイヤと、を備え、
前記接合用ワイヤは一端と他の端とが平行に接する部分を有する事を特徴とする半導体装置。
半導体素子を搭載するパッケージと、
前記パッケージと接合され、前記パッケージと共に前記半導体素子を気密封止するキャップと、
前記パッケージの前記キャップと接合される部分と前記キャップの前記パッケージと接合される部分との間で両者に接触し、前記半導体素子を気密封止するように閉じた面を形成して配置される線材である接合用ワイヤと、を備え、
前記接合用ワイヤは少なくとも二重に形成される事を特徴とする半導体装置。
半導体素子を搭載するパッケージの前記パッケージと接合するキャップが接合される部分であるパッケージ接合部分又は、前記キャップの前記パッケージと接合される部分であるキャップ接合部分のいずれか一方の接合部分に線材である接合用ワイヤを閉ループを形成するように配置する接合用ワイヤ配置工程と、
前記パッケージ接合部分と前記キャップ接合部分とを前記接合用ワイヤを介して接合し前記半導体素子を気密封止する気密封止工程とを備え、
前記接合用ワイヤ配置工程は、
前記一方の接合部分に前記接合用ワイヤの端を搭載させる部分搭載工程と、
前記部分搭載工程で搭載された前記端の所定部分に、陥没部分を形成する加工を行う陥没加工工程と、
前記陥没部分に、前記接合用ワイヤの端を折り重ねるように配置するワイヤ交差工程とを備える事を特徴とする半導体装置の製造方法。
前記接合用ワイヤの所定部分を、前記一方の接合部分と接合させる部分接合工程を備える事を特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
前記陥没加工工程では、前記陥没部分の高さを非陥没部分の高さの１０％〜９０％の高さとなるように加工が行われる事を特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法。
前記気密封止工程と前記部分接合工程と前記陥没加工工程は前記接合用ワイヤへの加圧、加熱、超音波振動の印加の内少なくとも一の手段によって行われる事を特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。