JP5043202B2 - 回路基板、表示パネル及び表示装置 - Google Patents
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Description
以下に本発明を詳述する。
本発明の回路基板における好ましい形態について以下に詳しく説明する。
図1は、実施形態1に係る回路基板の端部を示す平面模式図である。図2は、図1に示す回路基板を線分A−Bで分断したときの断面模式図である。実施形態1に係る回路基板は、液晶表示装置に用いられる表示装置用基板であり、図1及び図2中には図示されていないが、回路基板の内側には画素の駆動に用いられる薄膜トランジスタ、画素電極、ドライバ回路等が形成されている。
図3は、実施形態2に係る回路基板の端部を示す平面模式図である。図4は、図3に示す回路基板を線分C−Dで分断したときの断面模式図である。なお、実施形態2に係る回路基板において、配線、絶縁膜等の厚みについては実施形態1と同様である。
図5は、実施形態3に係る回路基板の端部を示す平面模式図である。図6は、図5に示す回路基板を線分E−Fで分断したときの断面模式図である。なお、実施形態3に係る回路基板において配線、絶縁膜等の厚みについては実施形態1と同様である。実施形態3に係る回路基板は、液晶表示装置に用いられる表示装置用基板であり、図5及び6中には図示されていないが、回路基板の内側には画素の駆動に用いられる薄膜トランジスタ、画素電極、ドライバ回路等が形成されている。
図7は、実施形態4に係る回路基板の端部を示す平面模式図である。実施形態4に係る回路基板は、図7に示すように、幅広部が設けられていない等の配線形状の違い、コンタクトホールの面積が異なること以外は、実質的に実施形態1と同様の構成である。
図8は、実施形態5に係る回路基板の端部を示す平面模式図である。実施形態5に係る回路基板は、図8に示すように、幅広部が設けられていない等の配線形状の違い、コンタクトホールの面積が異なること以外は、実質的に実施形態1と同様の構成である。実施形態5に係る回路基板は、平行して伸長する配線515が第三絶縁膜514に形成されたコンタクトホール518を介して外部接続端子516と接続されている。このとき、コンタクトホール518は、配線515の伸長方向に長い、長穴の形状(長方形状)である。このような形状であれば、コンタクトホールの一部が導電粒子により圧壊されたとしても、接続部分の全体が破壊されることはなく、接続不良を防止することができる。このときの長方形状の長径は3〜20μmとされ、導電粒子の直径よりも大きくされる。なお、実施形態5では幅広部を形成していないが、配線515に幅広部を形成し、更にコンタクトホール518が長穴である形態であればより好ましい。
図9は、実施形態6に係る回路基板の端部を示す平面模式図である。実施形態6に係る回路基板は、図9に示すように、幅広部の形状等の配線形状の違い、コンタクトホールの面積が異なること以外は、実質的に実施形態1と同様の構成である。実施形態6に係る回路基板は、平行して伸長する配線615が第三絶縁膜614に形成されたコンタクトホール618を介して外部接続端子616と接続されている。このとき、配線615には、配線が伸長する方向(伸長方向)に対して両方の側方に突出した幅広部615aを有している。このとき、各コンタクトホール618の長軸の長さは4〜9μmとされ、導電粒子617bの直径は、3〜6μmとされ、コンタクトホール618の長軸の長さは、導電粒子617bの直径よりも大きくされる。これによれば、コンタクトホール618の長軸の長さが導電粒子617bの直径よりも大きいため、導電粒子617bによる断線を防止することができる。このとき、配線615の幅は、2〜4μmとされ、幅広部615aの幅は3〜6μmとされる。
図10は、比較形態1に係る回路基板の端部を示す平面模式図である。図11は、図10に示す回路基板の線分G−Hで分断したときの断面模式図である。
図11で示すように、比較形態1に係る回路基板の端部では、基板810上に第一絶縁膜813及び配線815が配置されている。配線815上には、第二絶縁膜814が配置され、その上には、金属から形成された外部接続端子816が配置されている。外部接続端子816は、第三絶縁膜814に形成されたコンタクトホール818を介して配線815に接続されている。
以下に、実施形態1〜6に係る回路基板の製造方法ついて説明する。ここでは、図3及び4で示す実施形態2の回路基板を例にとって説明するが、実施形態1、3〜6の回路基板についても、配線の形状、コンタクトホールの形状等を適宜変更すれば、同様の方法により製造することができる。
前処理した基板210上に、プラズマ化学気相成長(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition:PECVD)法等によりSiON膜及びSiOx膜を成膜し、ベースコート膜211を形成する。SiON膜形成のための原料ガスとしては、モノシラン(SiH4)、亜酸化窒素ガス(N2O)及びアンモニア(NH3)の混合ガス等が挙げられる。なお、SiOx膜は、原料ガスとして正珪酸四エチル(Tetra Ethyl Ortho Silicate:TEOS)ガスを用いて形成されることが好ましい。また、ベースコート膜211には、原料ガスとしてモノシラン(SiH4)及びアンモニア(NH3)の混合ガス等を用いた窒化シリコン(SiNx)膜等を用いてもよい。
PECVD法により、アモルファスシリコン(a−Si)膜を形成する。a−Si膜形成の原料ガスとしては、例えば、SiH4、ジシラン(Si2H6)等が挙げられる。PECVD法により形成したa−Si膜には水素が含まれているため、約500℃でa−Si層中の水素濃度を低減する処理(脱水素処理)を行う。続いて、レーザアニールを行い、a−Si膜を溶融、冷却、固化させることにより、ポリシリコン(p−Si)膜とする。レーザアニールには、例えば、エキシマレーザを用いる。また、連続粒界結晶シリコン(CG−シリコン)化するため、脱水素処理せずに、金属触媒を塗布する処理を行ってもよい。p−Si膜の形成には、レーザアニールの前処理として、固相結晶化の熱処理を行ってもよい。次に、四フッ化炭素(CF4)ガスによるドライエッチングを行い、p−Si膜をパターニングし、半導体層220が形成される。なお、半導体層220には、後述する第一絶縁膜の形成工程後、又は、ゲート電極の形成工程後に、イオンドーピング法等を用いてソース領域、ドレイン領域、チャネル領域等を形成する。
次に、原料ガスとしてTEOSガスを用いて、酸化シリコンからなる第一絶縁膜(ゲート絶縁膜)212を形成する。第一絶縁膜212の材質は、特に限定されず、SiNx膜、SiON膜等を用いてもよい。SiNx膜及びSiON膜形成のための原料ガスとしては、ベースコート膜の形成工程で述べたものと同様の原料ガスが挙げられる。また、第一絶縁膜212は、上記複数の材料からなる積層体でもよい。
次に、スパッタリング法を用いて、窒化タンタル(TaN)膜、及び、タングステン(W)膜を成膜する。次に、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターン形成した後、アルゴン(Ar)、六フッ化硫黄(SF6)、四フッ化炭素(CF4)、酸素(O2)、塩素(Cl2)等の分量を調整して作製された混合ガスをエッチングガスとして用いてドライエッチングを行い、ゲート電極222を形成する。ゲート電極222に用いられる金属としては、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、モリブデンタングステン(MoW)、アルミニウム(Al)等の低抵抗金属、表面が平坦で特性の安定した高融点金属等が挙げられる。また、ゲート電極222は、上記複数の材料からなる積層体であってもよい。
次に、基板の全面にPECVD法により、SiNx膜を第二絶縁膜213として形成する。第二絶縁膜213としては、SiON膜、TEOS膜等を用いてもよい。また、トランジェント劣化等を防止してTFT特性の信頼性向上、及び、電気特性の安定化を図るため、第二絶縁膜213の下の階層に膜厚50nm程度の薄いキャップ膜(例えば、TEOS膜等)を形成してもよい。
次に、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターン形成した後、フッ酸系のエッチング溶液を用いて第一絶縁膜212及び第二絶縁膜213のウェットエッチングを行い、ソース・ドレイン配線221と半導体層220とを接続するためのコンタクトホールを形成する。なお、エッチングには、ドライエッチングを用いてもよいし、ウェットエッチングとドライエッチングを組み合わせてもよい。
次に、スパッタ法等で、チタン(Ti)膜、アルミニウム(Al)膜、Ti膜をこの順で形成する。次に、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターン形成した後、ドライエッチングによりTi/Al/Tiの金属積層膜をパターニングし、第一ソース・ドレイン配線221を形成する。このとき、第一ソース・ドレイン配線221と半導体層220のソース領域又はドレイン領域とが第一絶縁膜212及び第二絶縁膜213に形成されるコンタクトホールを介して導通される。また、ソース・ドレイン配線221を構成する金属としては、Alに代えてAl−Si合金等を用いてもよい。なお、ここでは、配線の低抵抗化のためにAlを用いたが、高耐熱性が必要で抵抗値のある程度の増加が許される短い配線構造にする場合は、上述したゲート電極材料(Ta、Mo、MoW、W、TaN等)を用いてもよい。
次に、基板全面に、原料ガスとしてTEOSガスを用いて、酸化シリコンからなる第三絶縁膜214を形成する。第三絶縁膜214としては、SiON膜、TEOS膜等を用いてもよい。また、有機絶縁膜を用いてもよい。
次に、レジスト膜を基板全面に形成し、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニング後、フッ酸系のエッチング溶液を用いて第三絶縁膜214のウェットエッチングを行い、外部接続端子216と配線215とを接続するためのコンタクトホール218を形成する。なお、エッチングには、ドライエッチングを用いてもよいし、レジスト膜の現像と第三絶縁膜214のエッチングとを一括して行ってもよい。
コンタクトホール218を形成した第三絶縁膜214上に、スパッタ法等によって、金属膜とITO膜を形成し、フォトリソグラフィ法によって所望の形状にパターニングし、外部接続端子216を構成する金属膜216a、透明導電膜216bを形成する。金属膜216aは特に限定されないが、例えば、アルミニウム膜とモリブデン膜の積層膜等が好ましい。アルミニウム膜は導電性が高いものであるが、電食を生じやすいものであるため、アルミニウム膜上にバリア膜のモリブデン膜を形成することによって、アルミニウム膜の腐食を防止することができる。また、通常、アルミニウム膜とモリブデン膜とは一括してパターニングすることとなるため、アルミニウム膜の端部を腐食から防止するために、ITO等の透明導電膜をその上から成膜し、端部を被覆する。これにより、腐食防止を図ることができる。また、透明導電膜216bは、表示装置において画素の駆動を行う画素電極と同一の工程で形成されることが好ましく、これにより、製造工程の簡略化を図ることができる。また、上述した実施形態1〜6では外部接続端子を金属膜と透明導電膜との積層膜としているが、特に限定されるものではなく、金属膜のみであってもよい。
15a、16a、17a、18a、19a、20a、21a、115a、215a、315a、415a、515a、615a:幅広部
17b、117b、217b、317b、417b、517b、617b、817b:導電粒子
8、28a、28b、38a、38b、118、218、318、818:コンタクトホール
110、210、310、410、510、610、810:基板
111、211、311:ベースコート膜
112、212、312、812:第一絶縁膜
113、213、313、814:第二絶縁膜
114、214、314、414、514、614:第三絶縁膜
116、216、316、416、516、616、816:外部接続端子
116a、216a、316a:金属膜
116b、216b、316b:透明導電膜
117、217、317、417、517、617、817:異方性導電膜
117a、217a、317a、417a、517a、617a、817a:絶縁材料
119、219、319、819:FPC
119a、219a、319a、819a:外部接続配線
119b、219b、319b、819b:樹脂基板
220:半導体層
221:ソース・ドレイン配線
222:ゲート電極
Claims (8)
- 基板上に、2以上の配線、絶縁膜、及び、2以上の外部接続端子がこの順に配置された回路基板であって、
該回路基板は、該2以上の外部接続端子上に、導電粒子を含む異方性導電膜を備え、
該2以上の外部接続端子の各々は、絶縁膜に形成された少なくとも1つのコンタクトホールを介して該2以上の配線の各々に接続され、
平面視したときに、特定の外部接続端子に接続する1以上のコンタクトホールが形成された領域の一端から他端までの長さは、導電粒子の直径よりも大きく、
該2以上の配線は、平面視したときに平行して伸長し、その伸長方向に対して一方の側方のみに突出した幅広部を有し、
該コンタクトホールは、該幅広部に設けられ、
該2以上の外部接続端子は、該2以上の配線の伸長方向に並んで配置され、
該幅広部は、回路基板の端部側に向かって突出し、かつ該2以上の配線のうち、端部側に配置された配線が、その隣り合う配線よりも伸長方向への長さが短いことを特徴とする回路基板。 - 基板上に、2以上の配線、絶縁膜、及び、2以上の外部接続端子がこの順に配置された回路基板であって、
該回路基板は、該2以上の外部接続端子上に、導電粒子を含む異方性導電膜を備え、
該2以上の外部接続端子の各々は、絶縁膜に形成された少なくとも1つのコンタクトホールを介して該2以上の配線の各々に接続され、
平面視したときに、特定の外部接続端子に接続する1以上のコンタクトホールが形成された領域の一端から他端までの長さは、導電粒子の直径よりも大きく、
該2以上の配線は、平面視したときに平行して伸長し、その伸長方向に対して一方の側方のみに突出した幅広部を有し、
該コンタクトホールは、該幅広部に設けられ、
該2以上の外部接続端子は、該2以上の配線の伸長方向に並んで配置され、
該幅広部は、回路基板の内側に向かって突出し、かつ該2以上の配線のうち、内側に配置された配線が、その隣り合う配線よりも伸長方向への長さが短いことを特徴とする回路基板。 - 前記2以上の外部接続端子の各々は、1つのコンタクトホールのみを介して該2以上の配線の各々に接続され、
平面視したときに、該1つのコンタクトホールは、少なくとも一部で、導電粒子の直径よりも長い径を有することを特徴とする請求項1又は2記載の回路基板。 - 前記2以上の外部接続端子の各々は、複数のコンタクトホールを介して該2以上の配線の各々に接続され、
平面視したときに、該複数のコンタクトホールが形成された領域の一端から他端までの長さは、導電粒子の直径よりも大きいことを特徴とする請求項1又は2記載の回路基板。 - 前記2以上の配線の各々は、異なる面積のコンタクトホールで前記2以上の外部接続端子の各々に接続されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の回路基板。
- 前記2以上の配線は、配線長が長いほど面積の大きいコンタクトホールに接続されていることを特徴とする請求項5記載の回路基板。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の回路基板を備えることを特徴とする表示パネル。
- 請求項7記載の表示パネルを備えることを特徴とする表示装置。
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