[go: up one dir, main page]

JP5029883B2 - Semiconductor test equipment - Google Patents

Semiconductor test equipment Download PDF

Info

Publication number
JP5029883B2
JP5029883B2 JP2007131325A JP2007131325A JP5029883B2 JP 5029883 B2 JP5029883 B2 JP 5029883B2 JP 2007131325 A JP2007131325 A JP 2007131325A JP 2007131325 A JP2007131325 A JP 2007131325A JP 5029883 B2 JP5029883 B2 JP 5029883B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fail
information
addition
determined
ecc
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007131325A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2008287798A (en
Inventor
崇之 森
進 長井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yokogawa Electric Corp filed Critical Yokogawa Electric Corp
Priority to JP2007131325A priority Critical patent/JP5029883B2/en
Publication of JP2008287798A publication Critical patent/JP2008287798A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5029883B2 publication Critical patent/JP5029883B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Description

本発明は、メモリデバイス等の被試験対象に対して試験信号を出力し、この試験信号に応じて出力される信号を判定して試験を行う半導体試験装置に係り、フェイルと判定された被試験対象をECC(Error Correction Coding)機能により救済可能か否かを判定する回路構成に関するものである。   The present invention relates to a semiconductor test apparatus that outputs a test signal to an object to be tested such as a memory device and performs a test by determining a signal output in accordance with the test signal. The present invention relates to a circuit configuration for determining whether or not a target can be relieved by an ECC (Error Correction Coding) function.

従来、半導体試験装置では、メモリデバイスの一種であるNAND Flashメモリ等の被試験対象(以下、DUTと称する。)に試験信号(試験パターン)を出力して読み出しや書き込み、消去等の動作確認を行い、DUTから出力された信号と期待値とを比較してパスまたはフェイルを判定する。フェイルと判定した場合、フェイル情報としてDUTの不良セルのアドレスをフェイルメモリ等に記録する。   Conventionally, in a semiconductor test apparatus, a test signal (test pattern) is output to an object to be tested (hereinafter referred to as a DUT) such as a NAND flash memory, which is a kind of memory device, and operation confirmation such as reading, writing, and erasing is performed. The pass or fail is determined by comparing the signal output from the DUT with the expected value. When it is determined as fail, the address of the defective cell of the DUT is recorded in the fail memory or the like as fail information.

NAND Flashのメモリでは、不良セルがあってもECC機能による救済が可能な場合がある。このECC機能は、NAND Flashのメモリを実装した基板に設けられたエラーコレクト機能であり、この機能を活用する場合、半導体試験装置においてDUTの各ブロック内の対象範囲毎にフェイルと判定されたセルの個数をカウントし、救済可能であるか否かの判定を行っている。このカウントした個数が所定のフェイルカウントリミット以下であればECC機能により救済可能であり、所定のフェイルカウントリミット以上であれば救済可能ではないと判定される。   In the NAND flash memory, even if there is a defective cell, there is a case where the ECC function can be used for repair. This ECC function is an error correction function provided on a substrate on which a NAND flash memory is mounted. When this function is used, a cell that is determined to fail for each target range in each block of the DUT in the semiconductor test apparatus. It is determined whether or not relief is possible. If the counted number is less than or equal to a predetermined fail count limit, it can be remedied by the ECC function, and if it is greater than or equal to a predetermined fail count limit, it is determined that the remedy is not possible.

以下の特許文献1に記載されたメモリ試験装置では、パターン発生器が背面パターンを発生させているときにフェイルビットカウンタにより前回の試験におけるフェイルメモリのフェイルビット数をカウントし、フェイルビット数のカウント後にパターン発生器にカウントエンド信号を与えている。パターン発生器は、カウントエンド信号を受けた後、被試験メモリにテストパターンを発生すると共にアドレスを発生して、DUTの試験時間を短縮している(例えば、特許文献1参照。)。   In the memory test apparatus described in Patent Document 1 below, when the pattern generator is generating the back pattern, the fail bit counter counts the number of fail bits of the fail memory in the previous test, and counts the number of fail bits. Later, a count end signal is given to the pattern generator. After receiving the count end signal, the pattern generator generates a test pattern in the memory under test and an address to shorten the DUT test time (see, for example, Patent Document 1).

特開2004−348892号公報JP 2004-348892 A

また、従来の半導体試験装置では、以下のようにしてDUTがECC機能により救済可能であるか否かを判定していた。図5は、従来の半導体試験装置200の構成を示す説明図である。NAND Flash メモリであるDUTは、例えば8000個のブロックから構成されており、各ブロックは64ページを含んでいる。更に各ページは8ビット×2048Wordのセルから構成されている。なお、各ブロックや各ページの容量は一例であり、DUTの世代に応じて変化する。   Further, in the conventional semiconductor test apparatus, it is determined whether or not the DUT can be relieved by the ECC function as follows. FIG. 5 is an explanatory diagram showing a configuration of a conventional semiconductor test apparatus 200. A DUT, which is a NAND flash memory, is composed of, for example, 8000 blocks, and each block includes 64 pages. Each page is composed of 8 bits × 2048 word cells. Note that the capacity of each block or page is an example, and changes according to the generation of the DUT.

半導体試験装置200は、DUTに対して試験信号を出力し、各アドレスごとに読み出しや書き込み動作の確認を行い、DUTから出力された出力信号と期待値とをコンパレータ210により比較してパスまたはフェイルを判定する。パスまたはフェイルと判定された試験結果の情報は、DUTと同じ容量を備えているフェイルメモリ220に記憶される。   The semiconductor test apparatus 200 outputs a test signal to the DUT, checks a read or write operation for each address, compares the output signal output from the DUT with an expected value by the comparator 210, and passes or fails. Determine. Information on the test result determined as pass or fail is stored in the fail memory 220 having the same capacity as the DUT.

そして、DUTがECC機能により救済可能であるか否かを判定する際には、全ての試験結果の情報をフェイルメモリ220に記憶しておき、その後、CPU230によってECC機能による救済を判定する対象範囲として例えば1ページ毎にフェイルメモリ220内のフェイルと判定されたセルの個数をカウントし、このカウントしたカウント値が所定のフェイルカウントリミット以下であれば救済可能であり、所定のフェイルカウントリミット以上であれば救済可能ではないと判定している。   When determining whether or not the DUT can be relieved by the ECC function, information on all the test results is stored in the fail memory 220, and then the target range for determining relieving by the ECC function by the CPU 230. For example, the number of cells determined as fail in the fail memory 220 is counted for each page, and if the counted value is less than a predetermined fail count limit, it can be relieved. If there is, it is determined that it cannot be relieved.

なお、ECC機能により救済可能ではないページを含んだブロックは不良ブロックとして使用しないようになっており、不良ブロックの数が一定数量以下であればDUTが良品とし、一定数量以上であれば不良としている。   A block including a page that cannot be relieved by the ECC function is not used as a defective block. If the number of defective blocks is less than a certain number, the DUT is regarded as a non-defective product. Yes.

しかしながら、このような従来技術における半導体試験装置200では、以下のような問題があった。即ち、DUTがECC機能により救済可能であるか否かを判定する際には、一度コンパレータ210により比較して判定した試験結果の情報を全てフェイルメモリ220に記憶しておき、その後に対象範囲として例えば1ページ毎に不良セルの個数をカウントしていたため、最終的にECC機能で救済可能であるか否かを判定するのに長時間を要するという問題があった。   However, the conventional semiconductor test apparatus 200 has the following problems. That is, when determining whether or not the DUT can be relieved by the ECC function, all the information of the test result determined by comparison by the comparator 210 is stored in the fail memory 220, and then as the target range For example, since the number of defective cells is counted for each page, there is a problem in that it takes a long time to finally determine whether or not the ECC function can be relieved.

また、一度コンパレータ210により比較して判定した試験結果の情報を全て記憶するため、DUTと同じく大容量のフェイルメモリ220を用意する必要があり、それだけコストが高くなるという問題があった。   In addition, since all of the test result information once compared and determined by the comparator 210 is stored, it is necessary to prepare a large-capacity fail memory 220 like the DUT, and there is a problem that the cost increases accordingly.

そこで本発明は、コストの低減を図りながらECC機能による救済の判定を効率的に行うことが可能な半導体試験装置を提供することを課題とする。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor test apparatus capable of efficiently performing a repair determination using an ECC function while reducing cost.

以上のような課題を解決するため、本発明に係る半導体試験装置は、被試験対象に対して試験を行い、その結果から良否を表すパスまたはフェイルを判定する判定手段と、前記判定手段によりパスまたはフェイルと判定された複数の試験結果の情報に基づいて、フェイルと判定された数を含むフェイル数情報を抽出するフェイル数抽出手段と、前記フェイル数抽出手段により複数回繰り返し抽出されるフェイル数情報を累計して加算するフェイル数加算手段と、前記フェイル数加算手段により加算されたフェイル加算情報と、予め定められた所定の数量とを比較するフェイル比較手段と、前記フェイル比較手段によりフェイル加算情報と所定の数量とを比較した結果、フェイル加算情報が所定の数量よりも大きい場合には、ECC機能により救済可能ではないと判定し、所定の数量がフェイル加算情報よりも大きい場合には、ECC機能により救済可能であると判定するECC判定手段と、ECC機能による救済の判定対象範囲に応じて設定される設定回数から、前記フェイル数抽出手段によりフェイル数情報を抽出する回数をクロック信号に同期してダウンカウントする回数カウント手段と、前記回数カウント手段がカウントした値がゼロになったときに、前記設定回数を他のECC機能による救済の判定対象範囲に応じて切り換えるカウント切換手段と、を備え、前記各手段はクロック信号に同期して動作することを特徴とする。 In order to solve the above-described problems, a semiconductor test apparatus according to the present invention performs a test on an object to be tested, and determines a pass or a fail indicating pass / fail from the result, and passes the test by the determination unit. Or, based on the information of a plurality of test results determined as fail, a fail number extracting means for extracting fail number information including the number determined as fail, and the number of failures repeatedly extracted a plurality of times by the fail number extracting means Fail number adding means for accumulating and adding information; fail adding information added by the fail number adding means; a fail comparing means for comparing a predetermined amount; and fail adding by the fail comparing means. As a result of comparing the information with the predetermined quantity, if the fail addition information is larger than the predetermined quantity, the ECC function Determining that already possible not, when a predetermined quantity is greater than the fail addition information, and the ECC determining means for determining that it is possible to repair the ECC function, are set in accordance with the judgment target regions relief by ECC function When the value counted by the number counting means becomes zero, the number counting means for down-counting the number of times the fail number information is extracted by the fail number extracting means in synchronization with a clock signal from the set number of times, Count switching means for switching the set number of times in accordance with a range to be repaired by another ECC function, and each means operates in synchronization with a clock signal.

このような構成により、パスまたはフェイルと判定された複数の試験結果の情報を全て記憶する処理を行わずに、フェイル数加算手段が複数回繰り返し抽出されるフェイル数情報を加算して所定の数量と比較しECC機能により救済可能であるか否かを判定するので、ECC機能による救済の判定を効率的に行うことが可能となる。また、試験結果の情報を全て記憶するフェイルメモリを用意しないためコストの低減を図りながら効率的に判定を行うことができる。   With such a configuration, the fail number adding means adds the fail number information repeatedly extracted a plurality of times without performing the process of storing all the information of the plurality of test results determined to be pass or fail. Since it is determined whether or not the ECC function can be relieved, it is possible to efficiently determine the relieving by the ECC function. In addition, since a fail memory for storing all the test result information is not prepared, the determination can be made efficiently while reducing the cost.

本発明に係る他の半導体試験装置は、被試験対象に対して試験を行い、その結果から良否を表すパスまたはフェイルを判定する判定手段と、前記判定手段によりパスまたはフェイルと判定された複数の試験結果の情報に基づいて、フェイルと判定された数を含むフェイル数情報を抽出するフェイル数抽出手段と、前記フェイル数抽出手段により複数回繰り返し抽出されるフェイル数情報を累計して加算するフェイル数加算手段と、前記フェイル数加算手段により加算されたフェイル加算情報と、予め定められた所定の数量とを比較するフェイル比較手段と、前記フェイル比較手段によりフェイル加算情報と所定の数量とを比較した結果、フェイル加算情報が所定の数量よりも大きい場合には、ECC機能により救済可能ではないと判定し、所定の数量がフェイル加算情報よりも大きい場合には、ECC機能により救済可能であると判定するECC判定手段とを備えていることを特徴とする。   Another semiconductor test apparatus according to the present invention performs a test on an object to be tested, and determines a pass or fail indicating pass / fail from the result, and a plurality of pass or fail determined by the determination unit. Based on the test result information, a fail number extracting unit that extracts fail number information including the number determined to be failed, and a fail number that cumulatively adds the fail number information repeatedly extracted a plurality of times by the fail number extracting unit. Number addition means, fail addition information added by the fail number addition means, and fail comparison means for comparing a predetermined amount with a predetermined amount, and fail addition information and a predetermined quantity are compared with the fail comparison means. As a result, if the fail addition information is larger than the predetermined quantity, it is determined that the ECC function cannot be relieved, and If the quantity is greater than the fail addition information is characterized by and a ECC determining means for determining that it is possible to repair the ECC function.

上述の半導体試験装置おいて、前記フェイル数加算手段は、前記フェイル加算情報を保持するフェイル保持手段と、前記フェイル保持手段により保持されているフェイル加算情報と、前記フェイル数抽出手段により抽出されるフェイル数情報とを加算して前記フェイル保持手段に出力する処理を複数回繰り返し行う加算出力手段とを備えていても良い。   In the semiconductor test apparatus described above, the fail number adding means is extracted by the fail holding means for holding the fail addition information, the fail addition information held by the fail holding means, and the fail number extracting means. There may be provided an addition output means for repeating the process of adding the number-of-failure information and outputting it to the fail holding means a plurality of times.

また、上述の半導体試験装置おいて、前記フェイル数抽出手段は、前記判定手段によりパスまたはフェイルと判定された複数の試験結果を含むビット情報に基づいて、フェイルと判定されたビット数を含む2進数のフェイル数情報を抽出しても良い。   Further, in the above-described semiconductor test apparatus, the fail number extraction means includes the number of bits determined to be failed based on bit information including a plurality of test results determined to be pass or fail by the determination means. Decimal fail number information may be extracted.

本発明に係る半導体試験装置によれば、コストの低減を図りながらECC機能による救済の判定を効率的に行うことが可能となるという効果が得られる。   According to the semiconductor test apparatus of the present invention, it is possible to obtain an effect that it is possible to efficiently perform the repair determination by the ECC function while reducing the cost.

以下、本発明の一実施形態について図面を用いて詳細に説明する。
図1は、本発明に係る半導体試験装置の一実施形態である半導体試験装置100の構成例を示した説明図である。半導体試験装置100は、例えばNAND Flash メモリであるDUTに対して試験を行うための試験信号を出力し、この試験信号に応じてDUTから出力された信号と期待値とを比較してパスまたはフェイルを判定する。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is an explanatory view showing a configuration example of a semiconductor test apparatus 100 which is an embodiment of a semiconductor test apparatus according to the present invention. The semiconductor test apparatus 100 outputs a test signal for performing a test on a DUT that is, for example, a NAND flash memory, and compares the signal output from the DUT with an expected value in response to the test signal to pass or fail. Determine.

半導体試験装置100は、DUTについてフェイルと判定されたビット数を含むフェイル数情報を抽出するフェイルビット抽出部101を備えている。このフェイルビット抽出部101には、例えば図示しないコンパレータからパスまたはフェイルを表す試験結果が8ビットのデータ幅を有するビット情報として入力されている。フェイルビット抽出部101は、入力された8ビットのうち、フェイルと判定されたビット数を2進数のフェイル数情報に変換して抽出し、加算部102に出力する処理をビット情報を入力する毎に繰り返し行う。   The semiconductor test apparatus 100 includes a fail bit extraction unit 101 that extracts fail number information including the number of bits determined to fail for the DUT. For example, a test result indicating pass or fail is input to the fail bit extraction unit 101 as bit information having a data width of 8 bits from a comparator (not shown). The fail bit extraction unit 101 converts the number of bits determined to be failed from the input 8 bits into binary fail number information, extracts the information, and outputs to the addition unit 102 every time bit information is input. Repeatedly.

フェイルビット抽出部101が抽出したフェイル数情報は、加算部102に出力される。この加算部102は、フリップフロップ103が保持しているフェイル加算情報と、フェイルビット抽出部101が抽出したフェイル数情報を加算してフリップフロップ103に出力する。このような処理を加算部102によりアドレスカウンタ105から終了信号が出力されるまで複数回繰り返し行うことで、ECC機能による救済の判定対象範囲内の全てのフェイルと判定されたビット数を含むフェイル加算情報を得ることができる。   The fail number information extracted by the fail bit extraction unit 101 is output to the addition unit 102. The adder 102 adds the fail addition information held by the flip-flop 103 and the fail number information extracted by the fail bit extraction unit 101 to output to the flip-flop 103. By performing such processing a plurality of times until the end signal is output from the address counter 105 by the adder 102, a fail addition including the number of bits determined to be all failures within the repair target range by the ECC function. Information can be obtained.

フリップフロップ103は、加算部102から出力されたフェイル加算情報を保持して加算部102に折り返して出力する。なお、フェイルビット抽出部101が最初に抽出したフェイル数情報は加算部102を介してそのまま受け取って保持する。また、フリップフロップ103は、加算部102から出力されたフェイル加算情報を比較部104に出力する。   The flip-flop 103 holds the fail addition information output from the adder 102 and returns it to the adder 102 for output. Note that the fail number information first extracted by the fail bit extraction unit 101 is received and held as it is via the addition unit 102. Further, the flip-flop 103 outputs the fail addition information output from the adding unit 102 to the comparing unit 104.

比較部104は、フリップフロップ103から出力されたフェイル加算情報と、装置内のECC機能で予め設定されたフェイルカウントリミット値とを比較する。このフェイルカウントリミット値には、ECC機能により救済可能なセルの個数の限界値として所定の数量が設定される。   The comparison unit 104 compares the fail addition information output from the flip-flop 103 with the fail count limit value set in advance by the ECC function in the apparatus. In this fail count limit value, a predetermined quantity is set as a limit value of the number of cells that can be relieved by the ECC function.

比較部104がフェイル加算情報とフェイルカウントリミット値とを比較した結果、フェイル加算情報がフェイルカウントリミット値よりも大きい場合には、ECC機能により救済可能ではないと判定し、比較部104はECCフェイルの信号を出力する。一方、フェイルカウントリミット値がフェイル加算情報よりも大きい場合には、ECC機能により救済可能であると判定し、比較部104はフェイル信号を出力しない。   If the comparison unit 104 compares the fail addition information with the fail count limit value and the fail addition information is larger than the fail count limit value, the comparison unit 104 determines that the ECC function cannot repair the fail addition information. The signal is output. On the other hand, when the fail count limit value is larger than the fail addition information, it is determined that the ECC function can be relieved, and the comparison unit 104 does not output a fail signal.

半導体試験装置100は、更にECC機能による救済の判定対象範囲に応じた設定回数に従ってフェイルビット抽出部がフェイル数情報を抽出する回数をカウントするアドレスカウンタ105を備えている。アドレスカウンタ105は、ECC機能により救済可能であるか否かを判定する判定対象範囲として、例えばDUTのブロック内の1ページに含まれるセルの個数に応じた設定回数に従って、フェイルビット抽出部101がフェイル数情報を抽出する回数をカウントする。ここで、フェイルビット抽出部101や装置内の各構成要素は、図3のタイミングチャートに示すように、これらの各構成要素の動作を司るクロック信号に同期して動作している。アドレスカウンタ105は、クロック信号が出力された回数を設定回数までカウント(0になるまでダウンカウント)する。   The semiconductor test apparatus 100 further includes an address counter 105 that counts the number of times the fail bit extraction unit extracts the fail number information in accordance with the set number of times corresponding to the repair target range by the ECC function. The address counter 105 uses the fail bit extraction unit 101 as a determination target range for determining whether or not it can be relieved by the ECC function, for example, according to the number of times set according to the number of cells included in one page in the DUT block. Count the number of times to extract fail number information. Here, as shown in the timing chart of FIG. 3, the fail bit extraction unit 101 and each component in the apparatus operate in synchronization with a clock signal that controls the operation of each component. The address counter 105 counts the number of times the clock signal has been output up to the set number (down counts until it reaches 0).

そしてアドレスカウンタ105は、設定回数が0になるまでダウンカウントすると、ECC機能による救済の判定対象範囲内の全てのフェイルと判定されたビット数を含むフェイル加算情報を加算したとして、終了信号を加算部102に出力する。合わせてアドレスカウンタ105には、改めて他の1ページに含まれるセルの個数に応じた設定回数(例えば511)が入力される。   Then, when the address counter 105 counts down until the number of times of setting reaches zero, it adds an end signal, assuming that the fail addition information including the number of bits determined to be all failures within the repair target range by the ECC function is added. Output to the unit 102. In addition, a set number of times (for example, 511) corresponding to the number of cells included in another page is input to the address counter 105 again.

続いて、本実施の形態における半導体試験装置100のECC機能により救済可能であるか否かを判定する動作について図2に示すフローチャートを用いて説明する。   Next, the operation for determining whether or not the ECC function of the semiconductor test apparatus 100 in the present embodiment can be relieved will be described with reference to the flowchart shown in FIG.

ステップS201:フェイルビット抽出部101は、複数の試験結果を含むビット情報に基づいて、フェイル数情報を抽出して加算部102に出力する処理を行う。装置内のコンパレータからパスまたはフェイルと判定された複数の試験結果を含む8ビットのデータ幅のビット情報が出力されると、フェイルビット抽出部101は、このビット情報を入力し、このビット情報から8ビットのうちフェイルと判定されたビット数を含む2進数のフェイル数情報を抽出する。この抽出したフェイル数情報を加算部102に出力する。   Step S201: The fail bit extraction unit 101 performs processing of extracting fail number information based on bit information including a plurality of test results and outputting the information to the addition unit 102. When bit information having a data width of 8 bits including a plurality of test results determined as pass or fail is output from the comparator in the apparatus, the fail bit extraction unit 101 inputs the bit information, and from this bit information Binary fail number information including the number of bits determined to fail among the 8 bits is extracted. The extracted fail number information is output to the adding unit 102.

また、フェイルビット抽出部101は、装置内のコンパレータからビット情報が出力される毎に、複数回繰り返してフェイルビット抽出部101によりフェイル数情報を抽出して加算部102に出力する。   Further, every time bit information is output from the comparator in the apparatus, the fail bit extracting unit 101 repeats a plurality of times, extracts the fail number information by the fail bit extracting unit 101, and outputs it to the adding unit 102.

ステップS202:加算部102は、フェイルビット抽出部101から複数回繰り返して出力されたフェイル数情報を累計して加算する処理を行う。加算部102は、ステップS201においてフェイルビット抽出部101から出力されたフェイル数情報と、フリップフロップ103が保持しているフェイル加算情報とを加算して、フェイルビット抽出部101から複数回繰り返して出力されたフェイル数情報を累計して加算する。そして、加算部102は、このフェイル数情報を加算したフェイル加算情報をフリップフロップ103に出力して保持させる。   Step S202: The adding unit 102 performs a process of accumulating and adding the fail number information output from the fail bit extracting unit 101 a plurality of times. The adding unit 102 adds the fail number information output from the fail bit extracting unit 101 in step S201 and the fail adding information held by the flip-flop 103, and repeatedly outputs the information from the fail bit extracting unit 101 a plurality of times. Accumulate and add the number of failed fail information. Then, the adder 102 outputs and holds the fail addition information obtained by adding the fail number information to the flip-flop 103.

なお、加算部102は、フェイルビット抽出部101から最初に出力されたフェイル数情報を加算部102を介してそのままフリップフロップ103に出力して保持させる。   The adder 102 outputs the number-of-failure information first output from the fail bit extractor 101 to the flip-flop 103 as it is via the adder 102 and holds it.

ステップS203:アドレスカウンタ105は、フェイルビット抽出部101がフェイル数情報を抽出する回数をカウントしていき、ECC機能により救済可能であるか否かを判定する判定対象範囲内の全てからフェイル数情報を加算したか否かを判定する処理を行う。   Step S203: The address counter 105 counts the number of times the fail bit extraction unit 101 extracts the fail number information, and determines whether or not the error can be relieved by the ECC function. The process of determining whether or not is added.

アドレスカウンタ105は、判定対象範囲に応じた設定回数に従って、図3のタイミングチャートに示すように、最初にフェイル数情報を抽出した時点からクロック信号が出力された回数を設定回数と同じ回数となるまでカウントする、即ち、設定回数から「0」になるまでダウンカウントして判定対象範囲内の全てからフェイル数情報を抽出して加算したか否かを判定する。   As shown in the timing chart of FIG. 3, the address counter 105 sets the number of times that the clock signal is output from the time of first extracting the number-of-failure information to the same number as the set number according to the set number corresponding to the determination target range. That is, it is determined whether or not the fail number information is extracted and added from all within the determination target range by counting down to “0” from the set number of times.

例えば、判定対象範囲としてDUTのブロック内の1ページに含まれるセルの個数に応じた設定回数に従って、クロック信号が出力された回数をダウンカウントしていき、設定回数から「0」になるまでダウンカウントして1ページ内の全てからフェイル数情報を抽出して加算したか否かを判定する。   For example, the number of times the clock signal is output is counted down according to the number of times set according to the number of cells included in one page in the DUT block as the determination target range, and the count is reduced until the number of times reaches “0”. It is counted and it is determined whether or not the fail number information is extracted from all of one page and added.

判定した結果「0」になるまでダウンカウントしていない場合には(ステップS203のNO)、ステップS201〜S202の処理を複数回繰り返して行い、ダウンカウントして「0」になるまでフェイル数情報を抽出して加算する。   If it is not counted down until the determination result is “0” (NO in step S203), the processing of steps S201 to S202 is repeated a plurality of times, and the number of failures is counted until it is counted down to “0”. Are extracted and added.

ステップS204:判定した結果「0」になるまでダウンカウントした場合には(ステップS203のYES)、アドレスカウンタ105は、終了信号を加算部102に出力する処理を行う。アドレスカウンタ105は、判定対象範囲内の全てからフェイル数情報を抽出して加算したと判定し、図3のタイミングチャートに示すように、フェイル数情報を累計して加算する処理を終了するための終了信号を加算部102に出力し、フェイル加算情報をリセットさせる。   Step S <b> 204: When down-counting is performed until the determination result is “0” (YES in Step S <b> 203), the address counter 105 performs a process of outputting an end signal to the adding unit 102. The address counter 105 determines that the fail number information is extracted and added from all within the determination target range, and finishes the process of accumulating and adding the fail number information as shown in the timing chart of FIG. An end signal is output to the adder 102, and the fail addition information is reset.

このとき、フリップフロップ103は、加算部102から出力されたフェイル加算情報を比較部104に出力する。   At this time, the flip-flop 103 outputs the fail addition information output from the addition unit 102 to the comparison unit 104.

例えば、判定対象範囲としてDUTのブロック内の1ページに含まれるセルの個数に応じた設定回数から「0」になるまでダウンカウントした場合には、1ページ内の全てからフェイル数情報を抽出して加算したと判定して終了信号を加算部102に出力する。   For example, when the count is down-counted from the set number corresponding to the number of cells included in one page in the DUT block as a determination target range until it becomes “0”, the fail number information is extracted from all in one page. The end signal is output to the adding unit 102.

ステップS205:比較部104は、ステップS204においてフリップフロップ103から出力されたフェイル加算情報と、フェイルカウントリミット値とを比較し、ECC機能により救済可能であるか否かを判定する処理を行う。   Step S205: The comparison unit 104 compares the fail addition information output from the flip-flop 103 in step S204 with the fail count limit value, and performs a process of determining whether or not it can be relieved by the ECC function.

フェイル加算情報とフェイルカウントリミット値とを比較した結果、フェイル加算情報がフェイルカウントリミット値よりも大きい場合には、ECC機能により救済可能ではないと判定しECCフェイルの信号を装置内のCPU等に出力する。また、フェイルカウントリミット値がフェイル加算情報よりも大きい場合には、ECC機能により救済可能であると判定し、ECCフェイルの信号を出力しない。なお、このとき比較部104からECCフェイルの信号ではなく、救済可能を表す信号が出力される構成であってもよい。   As a result of comparing the fail addition information with the fail count limit value, if the fail addition information is larger than the fail count limit value, it is determined that the ECC function cannot be relieved and an ECC fail signal is sent to the CPU in the apparatus. Output. If the fail count limit value is larger than the fail addition information, it is determined that the ECC function can be relieved, and no ECC fail signal is output. At this time, not the ECC fail signal but the signal indicating the repairability may be output from the comparison unit 104.

ステップS206:アドレスカウンタ105は、設定回数を他の判定対象範囲に応じて切り換える処理を行う。アドレスカウンタ105は、ステップS203において「0」になるまでダウンカウントしたことに応じて、次のPage Start信号を受け取り、他の判定対象範囲に応じた設定回数(例えば、他の1ページに含まれるセルの個数に応じた設定回数)に切り換える。そして、他の判定対象範囲において改めてステップS201〜205の処理を行い、ECC機能により救済可能であるか否かを判定する。   Step S206: The address counter 105 performs a process of switching the set number of times according to another determination target range. The address counter 105 receives the next Page Start signal in response to down-counting until it reaches “0” in step S203, and is included in the number of times set according to another determination target range (for example, included in another one page). (Set number of times according to the number of cells). Then, the processing in steps S201 to S205 is performed again in another determination target range, and it is determined whether or not it can be relieved by the ECC function.

以上のように、本実施の形態における半導体試験装置100では、パスまたはフェイルと判定された複数の試験結果の情報を収集してフェイルメモリ等に記憶する処理を行わないので、DUTの試験と並行してECC機能により救済可能であるかを効率的に判定することが可能となる。また、試験結果の情報を全て記憶するフェイルメモリを用意しないため、それだけコストの低減を図りながら効率的に判定を行うことができる。   As described above, the semiconductor test apparatus 100 according to the present embodiment does not perform the process of collecting the information of a plurality of test results determined to be pass or fail and storing them in the fail memory or the like, so that it is in parallel with the DUT test. Thus, it is possible to efficiently determine whether the data can be relieved by the ECC function. In addition, since a fail memory for storing all the test result information is not prepared, the determination can be made efficiently while reducing the cost.

また、DUTのブロック内の各ページに対してECC機能により救済可能であるか否かを判定することができ、各ブロックが不良ブロックであるか否か、または、DUTが良品であるか否かを判定できる。   Also, it can be determined whether or not each page in the block of the DUT can be relieved by the ECC function, whether or not each block is a defective block, or whether or not the DUT is a good product. Can be determined.

〔他の実施の形態〕
上述の実施の形態において、比較部104に接続されてECCフェイル信号(または救済可能信号)を記憶するECCフェイルメモリ106を備えても良い。図4は、ECCフェイルメモリ106を備えた半導体試験装置110の構成を示す説明図である。この半導体試験装置110では、上述の構成に加えてECCフェイルメモリ106を備えている。
[Other Embodiments]
In the above-described embodiment, the ECC fail memory 106 may be provided which is connected to the comparison unit 104 and stores an ECC fail signal (or a repairable signal). FIG. 4 is an explanatory diagram showing a configuration of the semiconductor test apparatus 110 including the ECC fail memory 106. The semiconductor test apparatus 110 includes an ECC fail memory 106 in addition to the above configuration.

このECCフェイルメモリ106は、上記のステップS201〜205の処理で比較部104から出力された各判定対象範囲毎のECCフェイルや、判定対象範囲のブロックを示すブロック番号等の情報を記憶するものである。そして、ECCフェイルの信号を入力したことに応じて、ブロック番号等の情報と不良ブロックを示す「1」のビット情報とを対応付けて記憶する。   The ECC fail memory 106 stores information such as an ECC fail for each determination target range output from the comparison unit 104 in the processing of steps S201 to S205 and a block number indicating a block in the determination target range. is there. Then, in response to the input of the ECC fail signal, information such as a block number and bit information “1” indicating a defective block are stored in association with each other.

このような構成であれば、試験後にECCフェイルメモリ106の記憶内容を参照することにより、DUTに含まれる各ブロックの不良ブロック等の状況を把握することができる。このECCフェイルメモリ106は、ブロック番号等の情報と不良ブロックを示す「1」のビット情報とを記憶するため、DUTよりも容量が小さいメモリとすることができる。   With such a configuration, it is possible to grasp the status of a defective block or the like of each block included in the DUT by referring to the contents stored in the ECC fail memory 106 after the test. Since the ECC fail memory 106 stores information such as a block number and bit information “1” indicating a defective block, the ECC fail memory 106 can be a memory having a smaller capacity than the DUT.

また、上述の実施の形態において、装置内のコンパレータから複数の試験結果を含む8ビットのデータ幅のビット情報が出力され、フェイルビット抽出部101がこのビット情報を入力しているが、このビット情報は8ビットのデータ幅に限られない。   In the above-described embodiment, 8-bit data width bit information including a plurality of test results is output from the comparator in the apparatus, and the fail bit extraction unit 101 inputs this bit information. Information is not limited to a data width of 8 bits.

本実施形態の半導体試験装置の構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure of the semiconductor test apparatus of this embodiment. 本実施形態の半導体試験装置の動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows operation | movement of the semiconductor test apparatus of this embodiment. 本実施形態の半導体試験装置の動作を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows operation | movement of the semiconductor test apparatus of this embodiment. 他の実施形態の半導体試験装置の構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure of the semiconductor test apparatus of other embodiment. 従来技術の半導体試験装置の構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure of the semiconductor test apparatus of a prior art.

符号の説明Explanation of symbols

100,110,200 半導体試験装置
101 フェイルビット抽出部
102 加算部
103 フリップフロップ
104 比較部
105 アドレスカウンタ
106 ECCフェイルメモリ
100, 110, 200 Semiconductor test apparatus 101 Fail bit extraction unit 102 Addition unit 103 Flip-flop 104 Comparison unit 105 Address counter 106 ECC fail memory

Claims (3)

被試験対象に対して試験を行い、その結果から良否を表すパスまたはフェイルを判定する判定手段と、
前記判定手段によりパスまたはフェイルと判定された複数の試験結果の情報に基づいて、フェイルと判定された数を含むフェイル数情報を抽出するフェイル数抽出手段と、
前記フェイル数抽出手段により複数回繰り返し抽出されるフェイル数情報を累計して加算するフェイル数加算手段と、
前記フェイル数加算手段により加算されたフェイル加算情報と、予め定められた所定の数量とを比較するフェイル比較手段と、
前記フェイル比較手段によりフェイル加算情報と所定の数量とを比較した結果、フェイル加算情報が所定の数量よりも大きい場合には、ECC機能により救済可能ではないと判定し、所定の数量がフェイル加算情報よりも大きい場合には、ECC機能により救済可能であると判定するECC判定手段と
ECC機能による救済の判定対象範囲に応じて設定される設定回数から、前記フェイル数抽出手段によりフェイル数情報を抽出する回数をクロック信号に同期してダウンカウントする回数カウント手段と、
前記回数カウント手段がカウントした値がゼロになったときに、前記設定回数を他のECC機能による救済の判定対象範囲に応じて切り換えるカウント切換手段と、を備え、
前記各手段はクロック信号に同期して動作することを特徴とする半導体試験装置。
A determination means for performing a test on an object to be tested, and determining a pass or a fail indicating the quality from the result;
Fail number extraction means for extracting fail number information including the number determined as fail based on information of a plurality of test results determined as pass or fail by the determination means;
Fail number addition means for accumulating and adding fail number information repeatedly extracted a plurality of times by the fail number extraction means;
Fail comparison means for comparing the fail addition information added by the fail number addition means with a predetermined quantity determined in advance;
As a result of comparing the fail addition information with the predetermined quantity by the fail comparing means, if the fail addition information is larger than the predetermined quantity, it is determined that the ECC function cannot be relieved, and the predetermined quantity is the fail addition information. ECC determining means for determining that the data can be relieved by the ECC function ,
A number counting means for down-counting the number of times the fail number information is extracted by the fail number extracting means in synchronization with a clock signal from a set number of times set according to the range to be determined for repair by the ECC function;
Count switching means for switching the set number of times according to a range to be repaired by another ECC function when the value counted by the number counting unit becomes zero,
Each of the means operates in synchronization with a clock signal.
請求項に記載の半導体試験装置において、
前記フェイル数加算手段は、
前記フェイル加算情報を保持するフェイル保持手段と、
前記フェイル保持手段により保持されているフェイル加算情報と、前記フェイル数抽出手段により抽出されるフェイル数情報とを加算して前記フェイル保持手段に出力する処理を複数回繰り返し行う加算出力手段とを備えていることを特徴とする半導体試験装置。
The semiconductor test apparatus according to claim 1 ,
The fail number adding means includes:
Fail holding means for holding the fail addition information;
Addition output means for repeatedly adding the fail addition information held by the fail holding means and the fail number information extracted by the fail number extracting means and repeatedly outputting the information to the fail holding means. A semiconductor test apparatus.
請求項またはに記載の半導体試験装置において、
前記フェイル数抽出手段は、
前記判定手段によりパスまたはフェイルと判定された複数の試験結果を含むビット情報に基づいて、フェイルと判定されたビット数を含む2進数のフェイル数情報を抽出することを特徴とする半導体試験装置。
The semiconductor test apparatus according to claim 1 or 2 ,
The fail number extraction means includes:
2. A semiconductor test apparatus, comprising: extracting binary fail number information including a number of bits determined to be failed based on bit information including a plurality of test results determined to be pass or fail by the determining means.
JP2007131325A 2007-05-17 2007-05-17 Semiconductor test equipment Expired - Fee Related JP5029883B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007131325A JP5029883B2 (en) 2007-05-17 2007-05-17 Semiconductor test equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007131325A JP5029883B2 (en) 2007-05-17 2007-05-17 Semiconductor test equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008287798A JP2008287798A (en) 2008-11-27
JP5029883B2 true JP5029883B2 (en) 2012-09-19

Family

ID=40147389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007131325A Expired - Fee Related JP5029883B2 (en) 2007-05-17 2007-05-17 Semiconductor test equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5029883B2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101676816B1 (en) 2010-02-11 2016-11-18 삼성전자주식회사 Flash memory device and program method thereof
KR101802815B1 (en) 2011-06-08 2017-12-29 삼성전자주식회사 Nonvolatile memory device and programming method of nonvolatile memory device
KR101527690B1 (en) * 2014-10-10 2015-06-11 (주) 에이블리 NAND flash memory test interface apparatus and operating method thereof
CN110444243A (en) * 2019-07-31 2019-11-12 至誉科技(武汉)有限公司 Store test method, system and the storage medium of equipment read error error correcting capability

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06334514A (en) * 1993-05-20 1994-12-02 Mitsubishi Electric Corp Counting circuit
JP3582682B2 (en) * 1996-06-27 2004-10-27 株式会社アドバンテスト Failure analysis method and device
JP2000173289A (en) * 1998-12-10 2000-06-23 Toshiba Corp Flash memory system which can correct error
JP4323707B2 (en) * 2000-10-25 2009-09-02 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 Flash memory defect management method
JP2003297100A (en) * 2002-03-29 2003-10-17 Fujitsu Ltd Semiconductor device
JP4158526B2 (en) * 2003-01-09 2008-10-01 松下電器産業株式会社 Memory card and data writing method to memory
WO2006040900A1 (en) * 2004-10-14 2006-04-20 Advantest Corporation Testing device and testing method for testing object memory storing data raw with error correcting codes added
JP4261462B2 (en) * 2004-11-05 2009-04-30 株式会社東芝 Nonvolatile memory system
KR20090053960A (en) * 2006-04-06 2009-05-28 가부시키가이샤 어드밴티스트 Test apparatus and test method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008287798A (en) 2008-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4864006B2 (en) Test apparatus and test method
US8289770B2 (en) Semiconductor memory device and system including the same
JP4435833B2 (en) Test equipment and selection equipment
JP4308637B2 (en) Semiconductor test equipment
US7398439B2 (en) Semiconductor device with memory and method for memory test
JP4472004B2 (en) Test equipment
US20070133325A1 (en) Semiconductor memory device, test system including the same and repair method of semiconductor memory device
US9514843B2 (en) Methods for accessing a storage unit of a flash memory and apparatuses using the same
JP5105351B2 (en) Nonvolatile semiconductor memory device
CN102479554A (en) Device and method for repair analysis
JP5029883B2 (en) Semiconductor test equipment
JP4585520B2 (en) Test apparatus and test method
JP2010244596A (en) Integrated circuit
KR20170016640A (en) Semiconductor apparatus and repair method of the same
CN114203252A (en) Bad block detection method, device, equipment and storage medium of nonvolatile memory
CN114267402A (en) Bad storage unit testing method, device, equipment and storage medium of flash memory
US10043588B2 (en) Memory device
JP2010108029A (en) Nonvolatile memory controller, non-volatile storage device, and non-volatile storage system
CN101383189A (en) Memory Test Method
US9218262B2 (en) Dynamic memory cell replacement using column redundancy
CN104932984A (en) Multi-bit flipping detection method and system
US20180151249A1 (en) Data storage apparatus and operating method thereof
CN103365737B (en) Data read-write method, read-write equipment and data-storage system
US8131954B2 (en) Memory device and data reading method
JP2007280546A (en) Semiconductor test equipment and semiconductor device testing method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100325

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120315

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120509

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120531

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120613

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150706

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20170706

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20170706

Year of fee payment: 5

S201 Request for registration of exclusive licence

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314201

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20170706

Year of fee payment: 5

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees