JP5026580B2 - カバーガラス一体型センサー - Google Patents
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Description
前記カバーガラスの裏面に貼り合わせられた静電容量方式のフィルムセンサーとを備えたカバーガラス一体型センサーであって、
前記フィルムセンサーが、
透明な基体シートと、
前記基体シートの両面に各々、中央窓部の電極パターンおよび外枠部の細線引き回し回路パターンを有するように形成された透明導電膜と
前記透明導電膜の前記細線引き回し回路パターン上に各々、当該細線引き回し回路パターンと同一幅で積層された遮光性導電膜と、
前記透明導電膜及び前記遮光性導電膜が形成された前記基体シートの両面に各々、端子部以外の前記外枠部を覆うように積層された防錆機能層と、
前記透明導電膜、前記遮光性導電膜及び前記防錆機能層が形成された前記基体シートの表面周縁部に形成された、カラーレジスト材料の露光現像物からなる第二の枠状遮光層と、
を備えたものであり、
さらに前記第二の枠状遮光層の内縁が、前記第一の枠状遮光層の内縁よりも中央側に位置している、
ことを特徴とするカバーガラス一体型センサーを提供する。
まず、透明な基体シート6の表裏両面に各々、透明導電膜9,9、遮光性導電膜12,12、第一フォトレジスト層16,16を順次全面形成して導電性シートを得た(図3(a)参照)後、表裏それぞれ所望のパターンのマスク17を載せ、露光(図3(b)参照)・現像して第一フォトレジスト層16をパターン化する。なお、図3(b)に示すマスク17の位置は、第一フォトレジスト層16がネガ型(露光されると現像液に対して溶解性が低下し、現像後に露光部分が残る)の場合を示している。ポジ型(露光されると現像液に対して溶解性が増大し、露光部が除去される)の場合にはマスクで遮光する部分が逆になる。
次に、レジスト剥離液でもって第一フォトレジスト層16,16を剥離し、遮光性導電膜12,12を露出させた後、両面に第二フォトレジスト層18,18を全面形成した(図3(d)参照)。その後、マスク19,19を載せ、露光(図3(e)参照)・現像して第二フォトレジスト層18をパターン化する(図3(f)参照)。なお、図3(e)に示すマスク19の位置は、第二フォトレジスト層18がネガ型(露光されると現像液に対して溶解性が低下し、現像後に露光部分が残る)の場合を示している。また、第二フォトレジスト層18の材料及び形成方法は、第一フォトレジスト層16と同様の材料及び形成方法とすることができる。
次いで、レジスト剥離液でもって第二フォトレジスト層18,18を剥離し、細線引き回し回路パターン11上に細線引き回し回路パターン11と同一幅で積層された遮光性導電膜12,12を露出させた後、防錆性を有する第三フォトレジスト層28,28を全面形成した(図3(h)参照)。その後、マスク29,29を載せ、露光(図3(i)参照)・現像して第三フォトレジスト層28,28をパターン化し、これを防錆機能層14,14とした(図3(j)参照)。なお、図3(i)に示すマスク29の位置は、第三フォトレジスト層28がネガ型(露光されると現像液に対して溶解性が低下し、現像後に露光部分が残る)の場合を示している。
最後に、カラーレジスト材料からなる第四フォトレジスト層30を表面のみに全面形成した(図3(k)参照)。その後、マスク31,31を載せ、露光(図3(l)参照)・現像して第四フォトレジスト層30をパターン化し、これを第二の枠状遮光層15とした(図3(m)参照)。なお、図3(l)に示すマスク31の位置は、第四フォトレジスト層30がネガ型(露光されると現像液に対して溶解性が低下し、現像後に露光部分が残る)の場合を示している。
ロールから巻き出した厚さ200μmの無色ポリエステルフィルムを基体シートとし、その片面に透明導電膜としてインジウムスズ酸化物からなるスパッタリング法で200nmの厚みで形成し、その上に遮光性導電膜として銅膜をスパッタリング法で500nmの厚みで形成して導電性フィルムを用意した。次いで、一組の導電性フィルムを透明粘着剤を用いてラミネートし、両面に透明導電膜及び遮光性導電膜を各々積層した積層体を得た後に、炭酸ソーダ1%液で現像が可能なネガタイプのアクリル系感光層を備えたドライフィルムレジストを用い、厚み10nmの第一フォトレジスト層を前記積層体の両面に各々、全面形成し、表側にはX方向の電極パターンを有するマスクを載置し、裏側にはY方向の電極パターンを有するマスクを載置して、メタルハライドランプによって表裏両面同時に露光し、炭酸ソーダ1%液に浸して現像した。
2 カバーガラス
3 フィルムセンサー
4 ガラス基板
5 第一の枠状遮光層
6 透明な基体シート
7 中央窓部
8 外枠部
9 透明導電膜
10 電極パターン
11 細線引き回し回路パターン
12 遮光性導電膜
13 端子部
14 防錆機能層
15 第二の枠状遮光層
16 第一フォトレジスト層
17 マスク
18 第二フォトレジスト層
19 マスク
28 第三フォトレジスト層
29 マスク
30 第四フォトレジスト層
31 マスク
32 露光光線
46,47 菱形電極
469.479 接続配線
Claims (7)
- 透明なガラス基板の裏面周縁部にスクリーン印刷膜からなる第一の枠状遮光層が形成された電子機器表示窓のカバーガラスと、
前記カバーガラスの裏面に貼り合わせられた静電容量方式のフィルムセンサーとを備えたカバーガラス一体型センサーであって、
前記フィルムセンサーが、
透明な基体シートと、
前記基体シートの両面に各々、中央窓部の電極パターンおよび外枠部の細線引き回し回路パターンを有するように形成された透明導電膜と
前記透明導電膜の前記細線引き回し回路パターン上に各々、当該細線引き回し回路パターンと同一幅で積層された遮光性導電膜と、
前記透明導電膜及び前記遮光性導電膜が形成された前記基体シートの両面に各々、端子部以外の前記外枠部を覆うように積層された防錆機能層と、
前記透明導電膜、前記遮光性導電膜及び前記防錆機能層が形成された前記基体シートの表面周縁部に形成された、カラーレジスト材料の露光現像物からなる第二の枠状遮光層と、
を備えたものであり、
さらに前記第二の枠状遮光層の内縁が、前記第一の枠状遮光層の内縁よりも中央側に位置している、
ことを特徴とするカバーガラス一体型センサー。 - 前記ガラス基板の裏面と前記第二の枠状遮光層との間の距離が10μm〜100μmである、請求項1記載のカバーガラス一体型センサー。
- 前記第一の枠状遮光層の内縁近傍の色と前記第二の枠状遮光層の色とが同一色又は類似色である、請求項1又は請求項2記載のカバーガラス一体型センサー。
- 前記第一の枠状遮光層の内縁近傍の色と前記第二の枠状遮光層の色とのCIE(国際照明委員会)1976(JIS Z8729)のL*a*b*表色系における色差ΔEが10以下である、請求項3記載のカバーガラス一体型センサー。
- 前記第二の枠状遮光層の色が黒色又は白色である、請求項1〜4のいずれかに記載のカバーガラス一体型センサー。
- 前記第一の枠状遮光層の厚みが7μm〜30μm、前記第二の枠状遮光層の厚みが2μm〜25μmである、請求項1〜5のいずれかに記載のカバーガラス一体型センサー。
- 前記第二の枠状遮光層の内縁間寸法と前記第一の枠状遮光層の内縁間寸法との差が0.1mm〜0.3mmである、請求項1〜6のいずれかに記載のカバーガラス一体型センサー。
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