JP5026146B2 - 発光ダイオード駆動装置 - Google Patents
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Description
「0.7V」÷「35mA」=20Ω (1)
となるため、バイパススイッチ94a・94b・94c・94dのオン抵抗は20Ωよりも小さくする必要がある。
「定電流源で必要な電圧」+「LEDのVf」×「LEDの個数」 (2)
以上の電圧が必要となる。
P=「定電流値」×「定電流値」×「バイパススイッチのオン抵抗」×「オン状態のスイッチ数」
となる。
そして、2個以上のバイパススイッチがすべてオン状態になったときに、補助バイパススイッチをオン状態にすることにより、バイパススイッチの合成抵抗を低減することができる。このため、損失P=I×I×RのうちのRが低減するので、IC内部での電力(損失)を下げることができる。これによりICの発熱を低減することができる。
図1は、実施の形態1に係る発光ダイオード駆動装置1の構成を示す回路図である。発光ダイオード駆動装置1は、直列に接続された4個の発光ダイオード3a・3b・3c・3dを備えている。発光ダイオード3dの発光ダイオード3cと反対側には、定電流源5が接続されており、定電流源5の他端は、接地されている。定電流源5は、発光ダイオード3a・3b・3c・3dに信号電流Aを供給する。発光ダイオード3aと並列にバイパススイッチ4aが接続されており、発光ダイオード3bと並列にバイパススイッチ4bが接続されている。発光ダイオード3cと並列にバイパススイッチ4cが接続されており、発光ダイオード3dと並列にバイパススイッチ4dが接続されている。バイパススイッチ4a・4b・4c・4dは、直列に接続されている。
Pa=「35mA」×「35mA」×「20Ω」×「9個直列」=220.5mW・・・(3)
で表すことができる。
Pb=「35mA」×「35mA」×(1÷((1÷(「20Ω」×「5個直列」))+(1÷「100Ω」))+(「20Ω」×「4個直列」)))=159.25mW・・・(4)
で表すことができる。
ΔS=([本実施の形態の面積]−[従来の面積])÷[従来の面積]=((10×S+2/5×S)−(10×S))/(10×S)=4%
として計算できる。
図8は、実施の形態2に係る発光ダイオード駆動装置1aの構成を示す回路図である。前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。発光ダイオード駆動装置1aは、定電流源5aと定電流源制御回路7とを備えている
図9は、定電流源制御回路7及び定電流源5aの構成を示す回路図である。定電流源5aは、Nチャネル型MOSFET8を有しており、Nチャネル型MOSFET8のドレインは、発光ダイオード3dのカソードに結合されており、Nチャネル型MOSFET8のソースは、抵抗9を介してグランドに接続されている。
Pc=「35mA」×「35mA」×「20Ω」×「10個直列」=245mW・・・(4)
で表すことができる。
2 制御回路
3a、3b、3c、3d 発光ダイオード
4a、4b、4c、4d バイパススイッチ
5 定電流源
6a、6b 補助バイパススイッチ
7 定電流源制御回路
8 MOSFET
9 抵抗
10 アンプ
11 モード切替スイッチ
A 信号電流
B〜E、G、H 信号
P 位置
Claims (25)
- 直列に接続された2個以上の発光ダイオードに一定の電流を与える定電流源と、
各発光ダイオードに並列に接続された2個以上のバイパススイッチと、
各バイパススイッチの開閉を制御する制御回路とを備え、
前記制御回路は、前記バイパススイッチの1つの切替タイミングが、前記バイパススイッチの他の1つの切替タイミングよりも遅延するように各バイパススイッチの開閉を制御し、
前記2個以上のバイパススイッチをさらにバイパスする補助バイパススイッチをさらに備えることを特徴とする発光ダイオード駆動装置。 - 前記バイパススイッチは、直列に接続された2個以上の発光ダイオードをバイパスする請求項1記載の発光ダイオード駆動装置。
- 前記バイパススイッチは、互いに並列に接続された2個以上の発光ダイオードをバイパスする請求項1記載の発光ダイオード駆動装置。
- 前記制御回路は、前記バイパスする2個以上のバイパススイッチが、全てオン状態になった時に前記補助バイパススイッチをオン状態にする請求項1記載の発光ダイオード駆動装置。
- 前記バイパススイッチは、前記定電流源により供給される電流と前記バイパススイッチのオン抵抗とによって発生する電圧が、1V以下になるように構成されている請求項1記載の発光ダイオード駆動装置。
- 前記発光ダイオードは、赤色に発光するように構成されており、
前記バイパススイッチは、前記定電流源により供給される電流と前記バイパススイッチのオン抵抗とによって発生する電圧が、0.7V以下になるように構成されている請求項1記載の発光ダイオード駆動装置。 - 前記制御回路は、クロック信号に同期して、前記バイパススイッチのオン状態とオフ状態とを切替える請求項1記載の発光ダイオード駆動装置。
- 前記制御回路は、すべてのバイパススイッチの切替タイミングが互いに異なるように各バイパススイッチの開閉を制御する請求項1記載の発光ダイオード駆動装置。
- 前記制御回路は、前記バイパススイッチの1つのオフ状態への切替タイミングが、前記バイパススイッチの他の1つのオフ状態への切替タイミングよりも遅延するように各バイパススイッチの開閉を制御する請求項1記載の発光ダイオード駆動装置。
- 前記制御回路は、すべてのバイパススイッチのオフ状態への切替タイミングが互いに異なるように各バイパススイッチの開閉を制御する請求項1記載の発光ダイオード駆動装置。
- 前記定電流源が前記発光ダイオードに与える電流を制御する定電流源制御回路をさらに備える請求項1記載の発光ダイオード駆動装置。
- 前記定電流源制御回路は、前記バイパススイッチが全てオン状態になった時に、前記定電流源の電流を止める請求項11記載の発光ダイオード駆動装置。
- 前記定電流源は、Nチャネル型MOSFETを有しており、
前記Nチャネル型MOSFETのドレインは、前記発光ダイオードのカソードに結合されており、
前記Nチャネル型MOSFETのソースは、抵抗を介してグランドに接続されており、
前記定電流源制御回路は、前記Nチャネル型MOSFETのソース及びゲートに結合されている請求項11記載の発光ダイオード駆動装置。 - 前記定電流源制御回路は、アンプとモード切替スイッチとを有しており、
前記アンプの反転入力端子には、Nチャネル型MOSFETのソースが結合されており、
前記モード切替スイッチは、前記アンプの出力とグランドとのいずれかを前記Nチャネル型MOSFETのゲートに接続する請求項11記載の発光ダイオード駆動装置。 - 前記バイパススイッチは、直列に接続された2個以上の発光ダイオードをバイパスする請求項11記載の発光ダイオード駆動装置。
- 前記バイパススイッチは、互いに並列に接続された2個以上の発光ダイオードをバイパスする請求項11記載の発光ダイオード駆動装置。
- 前記2個以上のバイパススイッチをさらにバイパスする補助バイパススイッチをさらに備え、
前記制御回路は、前記バイパスする2個以上のバイパススイッチが、全てオン状態になった時に前記補助バイパススイッチをオン状態にする請求項11記載の発光ダイオード駆動装置。 - 前記バイパススイッチは、前記定電流源により供給される電流と前記バイパススイッチのオン抵抗とによって発生する電圧が、1V以下になるように構成されている請求項11記載の発光ダイオード駆動装置。
- 前記発光ダイオードは、赤色に発光するように構成されており、
前記バイパススイッチは、前記定電流源により供給される電流と前記バイパススイッチのオン抵抗とによって発生する電圧が、0.7V以下になるように構成されている請求項11記載の発光ダイオード駆動装置。 - 前記制御回路は、クロック信号に同期して、前記バイパススイッチのオン状態とオフ状態とを切替える請求項11記載の発光ダイオード駆動装置。
- 前記制御回路は、すべてのバイパススイッチの切替タイミングが互いに異なるように各バイパススイッチの開閉を制御する請求項11記載の発光ダイオード駆動装置。
- 前記制御回路は、前記バイパススイッチの1つのオフ状態への切替タイミングが、前記バイパススイッチの他の1つのオフ状態への切替タイミングよりも遅延するように各バイパススイッチの開閉を制御する請求項11記載の発光ダイオード駆動装置。
- 前記制御回路は、すべてのバイパススイッチのオフ状態への切替タイミングが互いに異なるように各バイパススイッチの開閉を制御する請求項11記載の発光ダイオード駆動装置。
- 前記バイパススイッチの全てがオン状態から、少なくても1つの前記バイパススイッチが、オフ状態になる時、前記バイパススイッチがオフ状態になる前に定電流源から電流を流しはじめる請求項1記載の発光ダイオード駆動装置。
- 前記バイパススイッチの全てがオン状態になり、前記定電流源が電流を止める前に、前記バイパススイッチ全てがオン状態になってから、電流が止まるまでに遅延を持たせる請求項1記載の発光ダイオード駆動装置。
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