JP5011682B2 - Electronic device and electronic equipment - Google Patents
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Description
本発明は、有機発光ダイオード(以下「OLED(Organic Light Emitting Diode)」という)素子、液晶素子、電気泳動素子、エレクトロクロミック(Electrochromic)素子、電子放出素子、抵抗素子など各種の被駆動素子を制御する技術に関する。 The present invention controls various driven elements such as organic light emitting diode (hereinafter referred to as “OLED (Organic Light Emitting Diode)”) elements, liquid crystal elements, electrophoretic elements, electrochromic elements, electron emitting elements, and resistive elements. Related to technology.
この種の被駆動素子を駆動するための様々な技術が従来から提案されている。例えば特許文献1には、被駆動素子たるOLED素子を含む複数の単位回路を面状に配列した構成が開示されている。各単位回路は、OLED素子に供給される電流をゲートの電圧に応じて制御する駆動トランジスタと、この駆動トランジスタをダイオード接続するためのリセットトランジスタと、OLED素子への電流の供給の可否を切り替える発光制御トランジスタとを含む。この構成によれば、各単位回路における駆動トランジスタの閾値電圧の誤差(バラツキ)を補償することが可能である。
ところで、ひとつの単位回路を構成するトランジスタの総数は少ないことが望ましい。トランジスタの総数が多いほど単位回路の構成が複雑化して製造コストが増大するからである。また、単位回路を画素として利用した電気光学装置においてはトランジスタの総数が多いほど開口率が低下するという問題もある。しかしながら、従来の構成のもとで各単位回路のトランジスタの総数を低減するには限界がある。例えば特許文献1の構成においては、単位回路にデータが書き込まれる期間でOLED素子を消灯させるために発光制御トランジスタが不可欠である。本発明のひとつの形態は、例えば各単位回路の構成を簡素化するために有効である。
By the way, it is desirable that the total number of transistors constituting one unit circuit is small. This is because the larger the total number of transistors, the more complicated the configuration of the unit circuit and the higher the manufacturing cost. Further, in an electro-optical device using unit circuits as pixels, there is a problem that the aperture ratio decreases as the total number of transistors increases. However, there is a limit to reducing the total number of transistors in each unit circuit under the conventional configuration. For example, in the configuration of
本発明のひとつの形態に係る電子装置は、信号線と、前記信号線に接続された単位回路と、電圧供給線とを含み、前記単位回路は、制御端子(例えばゲート)と第1端子(ソースおよびドレインの一方)と前記電圧供給線に接続された第2端子(ソースおよびドレインの他方)とを備えるとともに前記制御端子の電圧に応じて前記第1端子と前記第2端子との間の導通状態が設定される駆動トランジスタと、被駆動素子(例えば図3の電気光学素子11)と、前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記第1端子および前記第2端子の何れか一方との電気的な接続を制御する第1スイッチング素子(例えば図3のトランジスタT1)と、第1電極(例えば図3の第1電極Ea)と第2電極(例えば図3の第2電極Eb)との間に誘電体を備え、前記第1電極が前記駆動トランジスタの前記制御端子に接続され、前記第2電極が前記信号線に接続された容量素子(例えば図3の容量素子C)とを含み、前記被駆動素子に供給される駆動電流および駆動電圧のうち少なくとも一方のレベルが前記第1端子と前記第2端子との間の導通状態に応じて設定される。
An electronic device according to an aspect of the present invention includes a signal line, a unit circuit connected to the signal line, and a voltage supply line. The unit circuit includes a control terminal (for example, a gate) and a first terminal ( One of a source and a drain) and a second terminal (the other of the source and the drain) connected to the voltage supply line and between the first terminal and the second terminal according to the voltage of the control terminal Electrically connected to the drive transistor in which the conduction state is set, the driven element (for example, the electro-
この構成においては、駆動トランジスタの制御端子と第1端子および第2端子の一方とが第1スイッチング素子を介して電気的に接続されることで駆動トランジスタの閾値電圧の誤差が補償される一方、駆動トランジスタのゲートの電圧が容量素子における容量カップリングによって信号線の電圧に応じた電圧値に設定される。したがって、極めて簡素な構成によって、駆動トランジスタの閾値電圧の誤差(ひとつの駆動トランジスタの閾値電圧と設計値との相違、あるいは複数の単位回路を含む構成においては各単位回路における駆動トランジスタの閾値電圧の相違)を補償しながら被駆動素子を駆動することができる。 In this configuration, the threshold voltage error of the driving transistor is compensated by electrically connecting the control terminal of the driving transistor and one of the first terminal and the second terminal via the first switching element, The voltage of the gate of the driving transistor is set to a voltage value corresponding to the voltage of the signal line by capacitive coupling in the capacitive element. Accordingly, the threshold voltage error of the driving transistor (difference between the threshold voltage of one driving transistor and the design value, or the threshold voltage of the driving transistor in each unit circuit in a configuration including a plurality of unit circuits can be achieved by an extremely simple configuration. The driven element can be driven while compensating for the difference.
なお、本態様に係る電子装置においては、信号線と第2電極との間に両者の電気的な接続を制御する(信号線の電圧を第2電極に供給するか否かを切り替える)ためのスイッチング素子を配置してもよいが、単位回路の簡素化を促進するという観点からすると、第2電極は信号線に対して直接に(すなわちスイッチング素子を介在させることなく)接続されていることが望ましい。 In the electronic device according to this aspect, the electrical connection between the signal line and the second electrode is controlled (switching whether or not the voltage of the signal line is supplied to the second electrode). Although a switching element may be arranged, from the viewpoint of facilitating simplification of the unit circuit, the second electrode may be directly connected to the signal line (that is, without interposing the switching element). desirable.
本発明の好適な態様においては、第1期間(例えば図2の書込期間Pwrt)に、前記第1端子および前記第2端子の何れか一方が前記駆動トランジスタの前記制御端子に前記第1スイッチング素子を介して電気的に接続され、前記第1期間に、前記第2電極に前記信号線を介してデータ信号(例えば図2のデータ電圧Vdata)が供給され、第2期間(例えば図2の駆動期間Pdrv)に、当該第2期間内にて経時的に変化する制御信号(例えば図2の制御電圧Vctl)が前記第2電極に供給される。
この態様のもとでは、第1期間にデータ信号が第2電極に保持され、第2期間にて第2電極の電圧が経時的に変化する。そして、第1電極の電圧(すなわち駆動トランジスタのゲートの電圧)は、容量素子での容量カップリングによって、データ信号と制御信号とのレベルの差分値に応じた電圧値だけ変動する。したがって、本態様によれば、データ信号に応じた時間長にわたって被駆動素子を駆動することができる。なお、第2期間にて第1電極がフローティング状態となる構成を採用すれば、第1電極に蓄積された電荷のリークが抑制されるから、第1電極の電圧を、高い精度でデータ信号に応じた電圧値に設定することができる。
なお、この態様の駆動回路において、データ信号を単位回路に供給する回路と制御信号を単位回路に供給する回路とは、相互に離間した別個の回路として電子装置に実装されてもよいし、双方が単一の回路(例えばICチップ)に搭載された形態で電子装置に実装されてもよい。また、制御信号を単位回路に供給するための配線として信号線が兼用される構成としてもよいし、信号線とは別個の配線を介して制御信号が単位回路に供給される構成としてもよい。
In a preferred aspect of the present invention, in the first period (for example, the writing period Pwrt in FIG. 2), one of the first terminal and the second terminal is connected to the control terminal of the drive transistor. In the first period, a data signal (for example, the data voltage Vdata in FIG. 2) is supplied to the second electrode through the signal line in the first period, and in the second period (for example, in FIG. 2). In the driving period Pdrv), a control signal (for example, the control voltage Vctl in FIG. 2) that changes with time in the second period is supplied to the second electrode.
Under this mode, the data signal is held in the second electrode in the first period, and the voltage of the second electrode changes with time in the second period. The voltage of the first electrode (that is, the voltage of the gate of the driving transistor) fluctuates by a voltage value corresponding to the level difference value between the data signal and the control signal due to capacitive coupling in the capacitive element. Therefore, according to this aspect, the driven element can be driven over a time length according to the data signal. Note that if the configuration in which the first electrode is in a floating state in the second period is adopted, the leakage of the charge accumulated in the first electrode is suppressed, so that the voltage of the first electrode can be converted to a data signal with high accuracy. The voltage value can be set accordingly.
In the driving circuit of this aspect, the circuit that supplies the data signal to the unit circuit and the circuit that supplies the control signal to the unit circuit may be mounted on the electronic device as separate circuits that are separated from each other. May be mounted on an electronic device in a form mounted on a single circuit (for example, an IC chip). Further, a signal line may be used as a wiring for supplying a control signal to the unit circuit, or a control signal may be supplied to the unit circuit via a wiring separate from the signal line.
より具体的な態様に係る電子装置は、前記電圧供給線の電圧を複数の電圧値の何れかに設定する(例えば電圧供給線と所定の電位との電気的な接続を制御する)電圧制御回路をさらに具備する。この態様における前記電圧制御回路は、例えば、前記第1期間の少なくとも一部にて前記電圧供給線の電圧を前記第1端子よりも低位の第1電圧値(例えば電圧値Vss)に設定し、前記第2期間の少なくとも一部にて前記電圧供給線の電圧を前記第1端子よりも高位の第2電圧値(例えば電圧値Vdd)に設定する。 In an electronic device according to a more specific aspect, the voltage control circuit sets the voltage of the voltage supply line to any one of a plurality of voltage values (for example, controls electrical connection between the voltage supply line and a predetermined potential). Is further provided. For example, the voltage control circuit in this aspect sets the voltage of the voltage supply line to a first voltage value lower than the first terminal (for example, the voltage value Vss) in at least a part of the first period, The voltage of the voltage supply line is set to a second voltage value higher than the first terminal (for example, the voltage value Vdd) in at least part of the second period.
この構成においては、第1期間の少なくとも一部(より具体的には第1端子または第2端子が制御端子に接続される期間の少なくとも一部)においては、電圧供給線の電圧が第1端子よりも低位の第1電圧値に設定される。したがって、この期間においては、電圧供給線の電圧が第2電圧値に設定される構成と比較して、被駆動素子に付与される電気エネルギ(被駆動素子に供給される駆動電流または駆動電圧)が低減される。したがって、被駆動素子に対する電気エネルギの付与の可否を制御するためのスイッチング素子(例えば特許文献1における「発光制御トランジスタ」)が配置されていなくても、原理的には第1期間内における被駆動素子への電気エネルギの供給を抑制(理想的には停止)することができる。ただし、発光制御トランジスタが原理的に不要であるとは言っても、この発光制御トランジスタが配置された構成を本発明の範囲から除外する趣旨ではない。すなわち、本発明の構成にあっても、被駆動素子が駆動される期間をより確実に規定することを目的として、特許文献1の発光制御トランジスタのように、被駆動素子に対する電気エネルギの付与の可否を制御するためのスイッチング素子が配置されてもよい。
In this configuration, in at least part of the first period (more specifically, at least part of the period in which the first terminal or the second terminal is connected to the control terminal), the voltage of the voltage supply line is the first terminal. Is set to a lower first voltage value. Therefore, in this period, compared with the configuration in which the voltage of the voltage supply line is set to the second voltage value, the electric energy applied to the driven element (the driving current or driving voltage supplied to the driven element) Is reduced. Therefore, even if a switching element (for example, “light emission control transistor” in Patent Document 1) for controlling whether or not to apply electric energy to the driven element is not disposed, in principle, the driven element is driven within the first period. The supply of electrical energy to the element can be suppressed (ideally stopped). However, even though the light emission control transistor is not necessary in principle, it is not intended to exclude the configuration in which the light emission control transistor is disposed from the scope of the present invention. That is, even in the configuration of the present invention, for the purpose of more reliably defining the period during which the driven element is driven, the application of electrical energy to the driven element as in the light emission control transistor of
ところで、単位回路を構成するトランジスタ(特に駆動トランジスタ)としては、例えば、各種の半導体材料(例えば、多結晶シリコン、微結晶シリコン、単結晶シリコンまたはアモルファスシリコン)からなる半導体層を含むトランジスタ(典型的には薄膜トランジスタ)を採用することができる。半導体層が例えばアモルファスシリコンで形成されたトランジスタは、これに流れる電流の方向が恒常的に固定されていると閾値電圧が経時的に変動していくことが知られている。本形態によれば、第1期間においては電流(例えば図5の電流I0)が第1端子から第2端子を経由して電圧供給線に流れ込む一方、第2期間においては電流が第2端子から第1端子を経由して被駆動素子に供給される。すなわち、駆動トランジスタに流れる電流の方向が第1期間と第2期間とで逆転するから、本形態によれば駆動トランジスタの半導体層がアモルファスシリコンからなる構成であっても、その閾値電圧の変動を抑制することができる。換言すると、駆動トランジスタの半導体層がアモルファスシリコンからなる構成に対して本形態は特に好適に採用されるということができる。 By the way, as a transistor constituting the unit circuit (particularly a driving transistor), for example, a transistor including a semiconductor layer made of various semiconductor materials (for example, polycrystalline silicon, microcrystalline silicon, single crystal silicon, or amorphous silicon) (typically A thin film transistor) can be used. It is known that in a transistor whose semiconductor layer is made of amorphous silicon, for example, the threshold voltage fluctuates with time if the direction of the current flowing therethrough is constantly fixed. According to this embodiment, current (for example, current I0 in FIG. 5) flows from the first terminal to the voltage supply line via the second terminal in the first period, while current flows from the second terminal in the second period. It is supplied to the driven element via the first terminal. That is, since the direction of the current flowing through the driving transistor is reversed between the first period and the second period, even if the semiconductor layer of the driving transistor is made of amorphous silicon, the threshold voltage varies according to this embodiment. Can be suppressed. In other words, it can be said that this embodiment is particularly preferably employed for a configuration in which the semiconductor layer of the driving transistor is made of amorphous silicon.
さらに他の態様において、前記第1スイッチング素子は、スイッチングトランジスタであり、前記単位回路に含まれるトランジスタは、前記駆動トランジスタと前記スイッチングトランジスタのみである。この構成によれば、単位回路に含まれるトランジスタを、駆動トランジスタとスイッチングトランジスタという2個のトランジスタに削減しながら、駆動トランジスタの閾値電圧の誤差を補償することができる。なお、この態様の具体例は第1実施形態(図3)として後述される。 In still another aspect, the first switching element is a switching transistor, and the transistors included in the unit circuit are only the driving transistor and the switching transistor. According to this configuration, it is possible to compensate for an error in the threshold voltage of the drive transistor while reducing the number of transistors included in the unit circuit to two transistors, that is, a drive transistor and a switching transistor. A specific example of this aspect will be described later as the first embodiment (FIG. 3).
さらに具体的な態様において、駆動素子は、第1端子の電圧値が所定の電圧値を上回ると駆動され、第1電圧値は、第1期間における第1端子の電圧値が所定の電圧値よりも低位となるように決定されている。この態様によれば、第1期間における第1端子の電圧値が所定の電圧値よりも低位となるから、発光制御トランジスタが配置されない構成であっても、第1期間における被駆動素子の駆動(例えば発光)を確実に停止することができる。 In a more specific aspect, the driving element is driven when the voltage value of the first terminal exceeds a predetermined voltage value, and the first voltage value is set so that the voltage value of the first terminal in the first period is greater than the predetermined voltage value. Is also determined to be low. According to this aspect, since the voltage value of the first terminal in the first period is lower than the predetermined voltage value, even if the light emission control transistor is not arranged, driving of the driven element in the first period ( For example, light emission) can be stopped reliably.
ところで、駆動トランジスタの第1端子はノイズなど様々な外的な要因によって偶発的に電圧値が変動する可能性がある。そして、この変動後の電圧値によっては(例えば第1端子の電圧値が第2電圧値以下となった場合など)、被駆動素子を駆動する所期の状態に復帰することが阻害される可能性がある。そこで、本発明のさらに好適な態様において、単位回路は、第1端子の電圧を所定の電圧値に設定する第1リセット手段を含む。この態様によれば、たとえ第1端子の電圧値が偶発的に変動した場合であっても、第1端子の電圧は第1リセット手段によって所期の電圧値に設定される。このように被駆動素子に対する所期の駆動が可能となる電圧値に第1電圧の電圧を再設定することで被駆動素子の安定的な駆動が実現される。なお、リセット手段によって第1端子の電圧が所定の電圧値に設定されるタイミングは任意である。例えば、各第1期間の開始前など所定の周期で第1端子の電圧値を設定してもよいし、電源を投入するための操作子など各種の操作子が利用者によって操作された場合に第1端子の電圧値が設定される構成としてもよい。
より具体的には、第1リセット手段は、第1端子と電圧供給線とを初期化期間にて電気的に接続する第2スイッチング素子(例えば図6のトランジスタT2)を含み、電圧制御回路は、初期化期間にて電圧供給線の電圧を第2電圧値に設定する。この態様によれば、第1端子の電圧値をリセットするために電圧供給線を兼用することができるから、電圧供給線とは別個の配線が第1端子の電圧値のリセットに使用される構成と比較して電子装置の構成が簡素化される。なお、この態様の具体例は第2実施形態として後述される。
あるいは、第1リセット手段が、第1端子と定電圧が供給される給電線とを初期化期間にて電気的に接続する第2スイッチング素子(例えば図10のトランジスタT2)を含み、電圧制御回路が、初期化期間にて電圧供給線の電圧を第1電圧値に設定する構成としてもよい。この態様によれば、初期化期間にて電圧供給線の電圧が第1電圧値に設定されるから、初期化期間における被駆動素子の駆動(例えば発光)を確実に停止することができるという利点がある。なお、この態様の具体例は第3実施形態として後述される。
By the way, the voltage value of the first terminal of the drive transistor may fluctuate accidentally due to various external factors such as noise. Depending on the voltage value after the change (for example, when the voltage value of the first terminal is equal to or lower than the second voltage value), it is possible to inhibit the return to the intended state of driving the driven element. There is sex. Therefore, in a further preferred aspect of the present invention, the unit circuit includes first reset means for setting the voltage of the first terminal to a predetermined voltage value. According to this aspect, even if the voltage value of the first terminal fluctuates accidentally, the voltage of the first terminal is set to the intended voltage value by the first reset means. In this way, stable driving of the driven element is realized by resetting the voltage of the first voltage to a voltage value at which intended driving of the driven element is possible. The timing at which the voltage of the first terminal is set to a predetermined voltage value by the reset means is arbitrary. For example, the voltage value of the first terminal may be set at a predetermined cycle such as before the start of each first period, or when various operators such as an operator for turning on the power are operated by the user. The voltage value of the first terminal may be set.
More specifically, the first reset means includes a second switching element (for example, the transistor T2 in FIG. 6) that electrically connects the first terminal and the voltage supply line during the initialization period. In the initialization period, the voltage of the voltage supply line is set to the second voltage value. According to this aspect, since the voltage supply line can also be used for resetting the voltage value of the first terminal, a configuration in which a wiring separate from the voltage supply line is used for resetting the voltage value of the first terminal The configuration of the electronic device is simplified compared to A specific example of this aspect will be described later as a second embodiment.
Alternatively, the first reset means includes a second switching element (for example, the transistor T2 in FIG. 10) that electrically connects the first terminal and the power supply line to which a constant voltage is supplied in the initialization period, and the voltage control circuit However, the voltage supply line voltage may be set to the first voltage value in the initialization period. According to this aspect, since the voltage of the voltage supply line is set to the first voltage value in the initialization period, it is possible to reliably stop driving (for example, light emission) of the driven element in the initialization period. There is. A specific example of this aspect will be described later as a third embodiment.
本発明の他の態様において、単位回路は、駆動トランジスタの制御端子の電圧を所定の電圧値に設定する第2リセット手段を含む。この態様によれば、駆動トランジスタの制御端子の電圧が所期の電圧値に設定されるから、その直前における制御端子の状況に拘わらず、駆動トランジスタの制御端子の電圧値を高い精度で所期値に設定することが可能となる。
より具体的には、第2リセット手段は、制御端子と電圧供給線とを初期化期間にて電気的に接続する第3スイッチング素子(例えば図13のトランジスタT3)を含み、電圧制御回路は、初期化期間にて電圧供給線の電圧を第2電圧値に設定する。この態様によれば、初期化期間にて制御端子の電圧が第2電圧値に設定される。そして、制御端子の電圧値をリセットするために電圧供給線が兼用されるから、電圧供給線とは別個の配線が第1端子の電圧値のリセットに使用される構成と比較して電子装置の構成が簡素化される。なお、この態様の具体例は第4実施形態として後述される。
In another aspect of the present invention, the unit circuit includes second reset means for setting the voltage of the control terminal of the drive transistor to a predetermined voltage value. According to this aspect, since the voltage of the control terminal of the drive transistor is set to an intended voltage value, the voltage value of the control terminal of the drive transistor can be obtained with high accuracy regardless of the state of the control terminal immediately before that. It can be set to a value.
More specifically, the second reset means includes a third switching element (for example, the transistor T3 in FIG. 13) that electrically connects the control terminal and the voltage supply line in the initialization period, and the voltage control circuit includes: In the initialization period, the voltage of the voltage supply line is set to the second voltage value. According to this aspect, the voltage of the control terminal is set to the second voltage value in the initialization period. Since the voltage supply line is also used to reset the voltage value of the control terminal, the wiring of the electronic device is different from the configuration in which a separate wiring from the voltage supply line is used for resetting the voltage value of the first terminal. The configuration is simplified. A specific example of this aspect will be described later as a fourth embodiment.
本発明に係る電子装置は各種の電子機器に利用される。この電子機器の典型例は、電子装置を表示装置として利用した機器である。この種の電子機器としては、パーソナルコンピュータや携帯電話機などがある。もっとも、本発明に係る電子装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成するための露光装置(露光ヘッド)としても本発明の電子装置を適用することができる。 The electronic device according to the present invention is used in various electronic devices. A typical example of this electronic device is a device that uses the electronic device as a display device. Examples of this type of electronic device include a personal computer and a mobile phone. However, the use of the electronic device according to the present invention is not limited to displaying images. For example, the electronic apparatus of the present invention can also be applied as an exposure apparatus (exposure head) for forming a latent image on an image carrier such as a photosensitive drum by irradiation of light.
本発明における被駆動素子は、電気的に駆動される総ての要素を含む。この被駆動素子の典型例は、電気エネルギの付与によって輝度や透過率といった光学的な性状(階調)が変化する電気光学素子である。本発明のひとつの形態に係る電気光学装置は、以上の各形態の電子装置が電気光学素子の駆動に専用される構成となっている。すなわち、この電気光学装置(例えば電気光学素子として発光素子が採用された発光装置)は、信号線と、前記信号線に接続された単位回路と、電圧供給線とを含み、前記単位回路は、制御端子と第1端子と前記電圧供給線に接続された第2端子とを備えるとともに前記制御端子の電圧に応じて前記第1端子と前記第2端子との間の導通状態が設定される駆動トランジスタと、電気光学素子と、前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記第1端子および前記第2端子の何れか一方との電気的な接続を制御する第1スイッチング素子と、第1電極と第2電極との間に誘電体を備え、前記第1電極が前記駆動トランジスタの前記制御端子に接続され、前記第2電極が前記信号線に接続された容量素子とを含み、前記電気光学素子に供給される駆動電流および駆動電圧のうち少なくとも一方のレベルが前記第1端子と前記第2端子との間の導通状態に応じて設定される。この構成によっても、以上に説明した電子装置と同様の作用および効果が奏される。また、電子装置について以上に列挙した各態様は、この電気光学装置に対しても同様に適用される。 The driven element in the present invention includes all elements that are electrically driven. A typical example of this driven element is an electro-optical element in which optical properties (gradation) such as luminance and transmittance are changed by application of electric energy. The electro-optical device according to one aspect of the present invention has a configuration in which the electronic device of each of the above forms is dedicated to drive the electro-optical element. That is, this electro-optical device (for example, a light-emitting device in which a light-emitting element is employed as an electro-optical element) includes a signal line, a unit circuit connected to the signal line, and a voltage supply line. A drive having a control terminal, a first terminal, and a second terminal connected to the voltage supply line, and a conduction state between the first terminal and the second terminal is set according to a voltage of the control terminal A transistor, an electro-optic element, a first switching element that controls electrical connection between the control terminal of the driving transistor and the first terminal or the second terminal; a first electrode; A dielectric provided between the electrodes, the first electrode connected to the control terminal of the drive transistor, and the second electrode connected to the signal line, and supplied to the electro-optical element To be driven At least one of the levels are set according to the conduction state between the first terminal and the second terminal of the current and drive voltage. Also with this configuration, the same operations and effects as the electronic device described above are exhibited. In addition, the above-described aspects of the electronic device are similarly applied to this electro-optical device.
また、本発明のひとつの形態に係る電子回路は、被駆動素子を駆動するための電子回路であり、信号線と、前記信号線に接続された単位回路と、電圧供給線とを含み、前記単位回路は、制御端子と第1端子と前記電圧供給線に接続された第2端子とを備えるとともに前記制御端子の電圧に応じて前記第1端子と前記第2端子との間の導通状態が設定される駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記第1端子および前記第2端子の何れか一方との電気的な接続を制御する第1スイッチング素子と、第1電極と第2電極との間に誘電体を備え、前記第1電極が前記駆動トランジスタの前記制御端子に接続され、前記第2電極が前記信号線に接続された容量素子とを含み、前記被駆動素子に供給される駆動電流および駆動電圧のうち少なくとも一方のレベルが前記第1端子と前記第2端子との間の導通状態に応じて設定される。この構成によっても、以上に説明した電子装置と同様の作用および効果が奏される。なお、この電子回路において被駆動素子の有無は不問である。また、電子装置について以上に列挙した各態様は、この電子回路に対しても同様に適用される。 An electronic circuit according to one aspect of the present invention is an electronic circuit for driving a driven element, and includes a signal line, a unit circuit connected to the signal line, and a voltage supply line, The unit circuit includes a control terminal, a first terminal, and a second terminal connected to the voltage supply line, and a conduction state between the first terminal and the second terminal is determined according to a voltage of the control terminal. A driving transistor to be set; a first switching element that controls electrical connection between the control terminal of the driving transistor and one of the first terminal and the second terminal; a first electrode and a second electrode; Including a capacitor, the first electrode being connected to the control terminal of the driving transistor, and the second electrode being connected to the signal line, and supplied to the driven element. Drive current and drive power At least one of the levels are set according to the conduction state between the first terminal and the second terminal of the. Also with this configuration, the same operations and effects as the electronic device described above are exhibited. In this electronic circuit, it does not matter whether or not there is a driven element. Moreover, each aspect enumerated above about an electronic device is applied similarly to this electronic circuit.
また、本発明のひとつの形態は、以上に説明した各形態に係る電子装置を駆動する方法である。この駆動方法は、制御端子と第1端子と前記電圧供給線に接続された第2端子とを備えるとともに前記制御端子の電圧に応じて前記第1端子と前記第2端子との間の導通状態が設定される駆動トランジスタと、被駆動素子とを含む単位回路を備えた電子装置を駆動する方法であって、第1期間に、前記第1端子および前記第2端子の何れか一方と前記駆動トランジスタの前記制御端子とを電気的に接続し、当該第1期間内に、前記信号線を介して前記第2電極にデータ信号を供給し、第2期間に、当該第2期間内にて経時的に変化する制御信号を前記第2電極に供給する。この方法によっても、以上の各形態に係る電子装置と同様の作用および効果が奏される。また、電子装置について以上に列挙した各態様は、この駆動方法に対しても同様に適用される。 One embodiment of the present invention is a method for driving the electronic device according to each embodiment described above. The driving method includes a control terminal, a first terminal, and a second terminal connected to the voltage supply line, and a conduction state between the first terminal and the second terminal according to a voltage of the control terminal. Is a method of driving an electronic device including a unit circuit including a driving transistor and a driven element, wherein one of the first terminal and the second terminal is driven in the first period. The transistor is electrically connected to the control terminal, and a data signal is supplied to the second electrode via the signal line within the first period, and the second period is over time within the second period. A control signal that changes with time is supplied to the second electrode. Also by this method, the same operations and effects as the electronic device according to each of the above embodiments are exhibited. In addition, the above-described aspects of the electronic device are similarly applied to this driving method.
<A:第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る電子装置の構成を示すブロック図である。同図に例示される電子装置Dは、画像を表示するためのデバイスとして様々な電子機器に採用される電気光学装置であり、複数の単位回路Uが面状に配列された素子アレイ部10と、各単位回路Uを駆動するための走査線駆動回路23および信号線駆動回路25と、各単位回路Uに電圧Aを供給するための電圧制御回路27とを含む。なお、走査線駆動回路23と信号線駆動回路25と電圧制御回路27とは、各々が別個の回路として電子装置Dに実装されてもよいし、これらの回路の一部または全部が単一の回路として電子装置Dに実装されてもよい。
<A: First Embodiment>
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an electronic device according to the first embodiment of the present invention. The electronic device D illustrated in the figure is an electro-optical device that is employed in various electronic devices as a device for displaying an image, and includes an
図1に示すように、素子アレイ部10には、X方向に延在するm本の走査線13と、X方向に直交するY方向に延在するn本の信号線(データ線)15とが形成される(mおよびnはともに自然数)。各単位回路Uは、走査線13と信号線15との交差に対応する位置に配置される。したがって、これらの単位回路Uは縦m行×横n列のマトリクス状に配列する。
As shown in FIG. 1, the
素子アレイ部10には、各走査線13と対をなしてX方向に延在するm本の電圧供給線17が形成される。これらの電圧供給線17は電圧制御回路27の出力端に対して共通に接続される。したがって、電圧制御回路27から出力される電圧Aは、各電圧供給線17を介して複数の単位回路Uに共通に供給される。
In the
図2は、電子装置Dの動作を説明するためのタイミングチャートである。同図に示すように、本実施形態においてはひとつのフレーム(1F)が書込期間Pwrtと駆動期間Pdrvとに区分される。なお、本実施形態においては書込期間Pwrtの時間長と駆動期間Pdrvの時間長とが略一致する場合を例示するが、各期間の時間長の比率は任意に変更される。 FIG. 2 is a timing chart for explaining the operation of the electronic apparatus D. As shown in the figure, in the present embodiment, one frame (1F) is divided into a writing period Pwrt and a driving period Pdrv. In the present embodiment, the case where the time length of the writing period Pwrt and the time length of the driving period Pdrv substantially coincide is illustrated, but the ratio of the time lengths of the respective periods is arbitrarily changed.
図2に示すように、電圧制御回路27は、各電圧供給線17の電圧Aを、書込期間Pwrtにて電圧値Vssに設定し、その直後の駆動期間Pdrvにて電圧値Vddに設定する。本実施形態における電圧値Vssは、各部の電圧の基準となる電位(接地電位)である。電圧値Vddは、電圧値Vssよりも高位の電圧(例えば電源電位の高位側)である。
As shown in FIG. 2, the
図1の走査線駆動回路23は、書込期間Pwrt内にm本の走査線13の各々を所定の順番で順次に選択する(複数の単位回路Uを行単位で選択する)ための回路である。さらに詳述すると、走査線駆動回路23は、図2に示すように、書込期間Pwrt内の各水平走査期間(1H)にて順番にハイレベルとなる走査信号S[1]ないしS[m]を生成して各走査線13に出力する。第i行目(iは1≦i≦mを満たす整数)の走査線13に供給される走査信号S[i]は、書込期間Pwrtのうち第i番目の水平走査期間(1H)にてハイレベルとなり、それ以外の期間(駆動期間Pdrvを含む)にてローレベルを維持する信号である。走査信号S[i]のハイレベルへの遷移が第i行の選択を意味する。
The scanning
一方、図1の信号線駆動回路25は、走査線駆動回路23が選択した走査線13に対応する1行分(n個)の単位回路Uの各々に各信号線15を介して信号D[1]ないしD[n]を供給する。図2に示すように、第j列目(jは1≦j≦nを満たす整数)の信号線15に供給される信号D[j]は、書込期間Pwrtにおいてデータ電圧Vdataとなり、駆動期間Pdrvにおいて制御電圧Vctlとなる電圧信号である。
On the other hand, the signal
図2に示すように、データ電圧Vdataは各単位回路Uに指定された階調(輝度)に応じて水平走査期間ごとに順次に変化する。さらに詳述すると、信号D[j]のデータ電圧Vdataは、書込期間Pwrtのうち第i番目の水平走査期間において、第i行に属する第j列目の単位回路Uに指定された階調に対応する電圧値となる。各単位回路Uの階調は、外部から供給される階調データによって指定される。 As shown in FIG. 2, the data voltage Vdata sequentially changes every horizontal scanning period in accordance with the gradation (luminance) specified for each unit circuit U. More specifically, the data voltage Vdata of the signal D [j] is a gray level specified for the unit circuit U in the j-th column belonging to the i-th row in the i-th horizontal scanning period in the writing period Pwrt. The voltage value corresponding to. The gradation of each unit circuit U is specified by gradation data supplied from the outside.
一方、制御電圧Vctlは、駆動期間Pdrv内にて経時的に電圧値が変化する。本実施形態における制御電圧Vctlは、駆動期間Pdrvの中点tc(すなわち駆動期間Pdrvの始点および終点の双方から同じ時間長の時点)から始点までの波形と中点tcから終点までの波形とが当該中点tcを基準として線対称となる三角波である。すなわち、制御電圧Vctlは、図2に示すように、駆動期間Pdrvの始点から中点tcにかけて電圧値VLからこれよりも高位の電圧値VHまで時間の経過とともに直線的に上昇していき、中点tcから終点にかけて電圧値VHから時間の経過とともに直線的に低下して電圧値VLに到達する。 On the other hand, the voltage value of the control voltage Vctl changes with time within the driving period Pdrv. In the present embodiment, the control voltage Vctl has a waveform from the middle point tc of the driving period Pdrv (that is, a point of the same time length from both the starting point and the ending point of the driving period Pdrv) to a waveform from the middle point tc to the end point. It is a triangular wave that is line-symmetric with respect to the midpoint tc. That is, as shown in FIG. 2, the control voltage Vctl increases linearly over time from the voltage value VL to the higher voltage value VH from the start point of the drive period Pdrv to the middle point tc. From the point tc to the end point, the voltage value linearly decreases from the voltage value VH with time and reaches the voltage value VL.
次に、図3を参照して、各単位回路Uの具体的な構成を説明する。なお、同図においては、第i行の第j列目の位置するひとつの単位回路Uのみが図示されているが、その他の単位回路Uも同様の構成である。 Next, a specific configuration of each unit circuit U will be described with reference to FIG. In the drawing, only one unit circuit U located in the i-th row and the j-th column is shown, but the other unit circuits U have the same configuration.
図3に示すように、単位回路Uは、電気光学素子11と駆動トランジスタTdrとトランジスタT1と容量素子Cとを含む。このうち電気光学素子11は、電子装置Dにおいて駆動の対象となる要素(被駆動素子)I1である。本実施形態の電気光学素子11は、これに供給される電流(以下「駆動電流」という)に応じた輝度に発光する電流駆動型の発光素子である。本実施形態では、電気光学素子11として、有機EL(ElectroLuminescent)材料からなる発光層を陽極と陰極との間に介在させたOLED素子を採用している。各単位回路Uにおける電気光学素子11の陰極は共通に接地(電圧値Vss)される。電気光学素子11は、閾値電圧Vth_ELを上回る順方向の電圧の印加によって発光する。
As shown in FIG. 3, the unit circuit U includes an electro-
図3の駆動トランジスタTdrは、駆動電流I1の電流値を制御するためのnチャネル型のトランジスタである。より具体的には、駆動トランジスタTdrは、ソースとドレインとの間の電気的な導通状態がゲートの電圧(以下「ゲート電圧」という)Vgに応じて変化することによってゲート電圧Vgに応じた電流レベルを有する駆動電流I1を生成する。したがって、電気光学素子11は、駆動トランジスタTdrの導通状態に応じた輝度(すなわちゲート電圧Vgに応じた輝度)に駆動される。
The drive transistor Tdr in FIG. 3 is an n-channel transistor for controlling the current value of the drive current I1. More specifically, the drive transistor Tdr has a current corresponding to the gate voltage Vg by changing the electrical continuity between the source and the drain according to the gate voltage (hereinafter referred to as “gate voltage”) Vg. A drive current I1 having a level is generated. Accordingly, the electro-
なお、本実施形態において駆動トランジスタTdrのソースおよびドレインの各々の電圧値の高低は順次に逆転するため、厳密な意味では駆動トランジスタTdrのドレインとソースとは随時に入れ替わる。しかしながら、以下では、電気光学素子11に駆動トランジスタTdrを介して駆動電流I1が供給されるときの駆動トランジスタTdrの各端子の電圧の高低を基準として、説明の便宜のために、駆動トランジスタTdrのうち電気光学素子11側の端子を「ソース(S)」と表記するとともにその反対側の端子を「ドレイン(D)」と表記する。
In the present embodiment, the voltage value of each of the source and drain of the drive transistor Tdr is sequentially reversed. Therefore, in a strict sense, the drain and source of the drive transistor Tdr are switched at any time. However, in the following description, for convenience of explanation, the drive transistor Tdr of the drive transistor Tdr is described based on the voltage level of each terminal of the drive transistor Tdr when the drive current I1 is supplied to the electro-
この駆動トランジスタTdrは電気光学素子11と電圧供給線17との間に介在する。すなわち、駆動トランジスタTdrのドレインは電圧供給線17に接続され、そのソースは電気光学素子11の陽極に接続される。駆動トランジスタTdrのソースは電気光学素子11に対して直接的に接続される。すなわち、駆動トランジスタTdrのソースから電気光学素子11の陽極に至る駆動電流I1の経路上には如何なるスイッチング素子も介在しない。
The drive transistor Tdr is interposed between the electro-
トランジスタT1は、駆動トランジスタTdrのゲートとソースとの間に介在して両者の電気的な接続を制御するnチャネル型のトランジスタである。このトランジスタT1のゲートは走査線13に接続される。したがって、走査信号S[i]がハイレベルを維持する期間(第i番目の水平走査期間)においてはトランジスタT1がオン状態に遷移して駆動トランジスタTdrがダイオード接続され、走査信号S[i]がローレベルに遷移するとトランジスタT1がオフ状態となって駆動トランジスタTdrのダイオード接続は解除される。
The transistor T1 is an n-channel transistor that is interposed between the gate and the source of the driving transistor Tdr and controls the electrical connection between them. The gate of the transistor T1 is connected to the
図3に示すように容量素子Cは、相互に対向する第1電極Eaおよび第2電極Ebと、両電極の間隙に介在する誘電体とを含む。第1電極Eaは駆動トランジスタTdrのゲートに接続される。第2電極Ebは信号線15に接続される。この容量素子Cは、第1電極Eaと第2電極Ebとの電位差(すなわち信号線15と駆動トランジスタTdrのゲートとの電位差)に応じた電荷を保持するための手段である。
As shown in FIG. 3, the capacitive element C includes a first electrode Ea and a second electrode Eb that face each other, and a dielectric that is interposed in a gap between the two electrodes. The first electrode Ea is connected to the gate of the drive transistor Tdr. The second electrode Eb is connected to the
次に、図4および図5を参照しながら電子装置Dの具体的な動作を説明する。以下では、第i行に属する第j列目の単位回路Uの動作を、書込期間Pwrtと駆動期間Pdrvとに区分して説明する。 Next, a specific operation of the electronic device D will be described with reference to FIGS. 4 and 5. Hereinafter, the operation of the unit circuit U in the j-th column belonging to the i-th row will be described by dividing it into a writing period Pwrt and a driving period Pdrv.
(a)書込期間Pwrt(図4)
書込期間Pwrtにおいて走査信号S[i]がハイレベルに遷移すると、トランジスタT1がオン状態となって駆動トランジスタTdrのソースとゲートとが電気的に接続(ダイオード接続)される。一方、書込期間Pwrtにおいて電圧供給線17の電圧Aは電圧値Vssを維持する。すなわち、電圧供給線17の電圧Aが駆動トランジスタTdrのソースやゲートの電圧値よりも低位となるから、書込期間Pwrtにおいては、図4に示すように、電流I0が、駆動トランジスタTdrのゲートからトランジスタT1および駆動トランジスタTdrのソースおよびドレインをこの順番に経由して電圧供給線17に流れ込む。
(A) Writing period Pwrt (FIG. 4)
When the scanning signal S [i] transits to a high level during the writing period Pwrt, the transistor T1 is turned on, and the source and gate of the driving transistor Tdr are electrically connected (diode connected). On the other hand, the voltage A of the
本実施形態においては電気光学素子11の閾値電圧Vth_ELが駆動トランジスタTdrの閾値電圧Vth_TRよりも大きくなるように電気光学素子11および駆動トランジスタTdrの構造や材料が選定されている。すなわち、書込期間Pwrtにおける駆動トランジスタTdrのソースの電圧(Vss+Vth_TR)は電気光学素子11の閾値電圧Vth_ELを下回る。したがって、書込期間Pwrtにおいて電気光学素子11には電流が流れず、これにより電気光学素子11は消灯する。
In the present embodiment, the structures and materials of the electro-
以上のように駆動トランジスタTdrに電流I0が流れると、駆動トランジスタTdrのゲート電圧Vg(換言すると第1電極Eaの電圧)は、走査信号S[i]がハイレベルを維持する水平走査期間内に、電圧値Vssと駆動トランジスタTdrの閾値電圧Vth_TRとの加算値(Vss+Vth_TR)に収束する。一方、この水平走査期間において第1電極Eaには信号D[j]のデータ電圧Vdataが供給されている。このような電圧の関係が維持されたまま水平走査期間が経過して走査信号S[i]がローレベルに遷移すると、トランジスタT1がオフ状態となって容量素子Cの第1電極Eaはフローティング状態となる。したがって、走査信号S[i]がローレベルに遷移した時点における第1電極Ea(Vss+Vth_TR)と第2電極Eb(Vdata)との電位差が容量素子Cに保持される。 As described above, when the current I0 flows through the driving transistor Tdr, the gate voltage Vg of the driving transistor Tdr (in other words, the voltage of the first electrode Ea) is within the horizontal scanning period in which the scanning signal S [i] maintains the high level. The voltage value Vss and the threshold voltage Vth_TR of the driving transistor Tdr converge to an added value (Vss + Vth_TR). On the other hand, the data voltage Vdata of the signal D [j] is supplied to the first electrode Ea during this horizontal scanning period. When the horizontal scanning period elapses with such a voltage relationship maintained and the scanning signal S [i] transitions to a low level, the transistor T1 is turned off and the first electrode Ea of the capacitor C is in a floating state. It becomes. Therefore, the potential difference between the first electrode Ea (Vss + Vth_TR) and the second electrode Eb (Vdata) at the time when the scanning signal S [i] transitions to the low level is held in the capacitive element C.
書込期間Pwrtにおいては、以上のようにデータ電圧Vdataと閾値電圧Vth_TRとに応じた電荷を容量素子Cに蓄積するための動作が第1行目から第n行目の各単位回路Uについて水平走査期間ごとに順番に繰り返される。 In the writing period Pwrt, the operation for accumulating the electric charge according to the data voltage Vdata and the threshold voltage Vth_TR in the capacitive element C as described above is performed for each unit circuit U from the first row to the n-th row. It repeats in order for every scanning period.
(b)駆動期間Pdrv(図5)
駆動期間Pdrvにおいて走査信号S[1]ないしS[m]はローレベルを維持するから、総ての単位回路UのトランジスタT1はオフ状態となって駆動トランジスタTdrのダイオード接続は解除される。したがって、総ての単位回路Uにおける容量素子Cの第1電極Eaはフローティング状態を維持する。一方、駆動期間Pdrvにおいて、電圧制御回路27は、電圧供給線17の電圧Aを電圧値Vddに維持する。
(B) Driving period Pdrv (FIG. 5)
Since the scanning signals S [1] to S [m] maintain the low level in the driving period Pdrv, the transistors T1 of all the unit circuits U are turned off and the diode connection of the driving transistors Tdr is released. Accordingly, the first electrode Ea of the capacitive element C in all the unit circuits U maintains the floating state. On the other hand, in the driving period Pdrv, the
以上の状況において、各単位回路Uの容量素子Cの第2電極Ebには、経時的に変化する制御電圧Vctlが各信号線15を介して供給される。ここで、第1電極Eaはフローティング状態となっているから、駆動トランジスタTdrのゲート電圧Vg(すなわち第1電極Eaの電圧)は、容量素子Cによる容量カップリングによって、第2電極Ebの電圧の変動に応じた電圧値ΔVだけ変化する。この第1電極Eaの電圧の変化と駆動電流I1との関係について詳述すると以下の通りである。
In the above situation, the control voltage Vctl that changes with time is supplied to the second electrode Eb of the capacitive element C of each unit circuit U through each
まず、駆動期間Pdrvにて第2電極Ebに印加される制御電圧Vctlが、直前の書込期間Pwrtにて印加されていたデータ電圧Vdataよりも高位になると、駆動トランジスタTdrのゲート電圧Vg(第1電極Eaの電圧)は、書込期間Pwrtにて設定された電圧値(Vss+Vth_TR)から、制御電圧Vctlとデータ電圧Vdataとの差分に相当する電圧値ΔVだけ上昇する。このときに駆動トランジスタTdrはオン状態(導通状態)となるから、図5に示すように、駆動電流I1が電圧供給線17から駆動トランジスタTdrを経由して電気光学素子11に供給される。そして、この駆動電流I1の供給によって電気光学素子11は発光する。
First, when the control voltage Vctl applied to the second electrode Eb in the driving period Pdrv becomes higher than the data voltage Vdata applied in the immediately preceding writing period Pwrt, the gate voltage Vg (first voltage) of the driving transistor Tdr. The voltage of one electrode Ea) rises by a voltage value ΔV corresponding to the difference between the control voltage Vctl and the data voltage Vdata from the voltage value (Vss + Vth_TR) set in the writing period Pwrt. At this time, since the drive transistor Tdr is turned on (conductive state), as shown in FIG. 5, the drive current I1 is supplied from the
一方、駆動期間Pdrvにて第2電極Ebに印加される制御電圧Vctlが、直前の書込期間Pwrtにて印加されていたデータ電圧Vdataよりも低位になると、駆動トランジスタTdrのゲート電圧Vgは、書込期間Pwrtにて設定された電圧値(Vss+Vth_TR)から、データ電圧Vdataと制御電圧Vctlとの差分に相当する電圧値ΔVだけ下降する。このとき駆動トランジスタTdrはオフ状態(非導通状態)となるから、電圧供給線17から電気光学素子11に至る経路が遮断されて電気光学素子11は消灯する。
On the other hand, when the control voltage Vctl applied to the second electrode Eb in the driving period Pdrv becomes lower than the data voltage Vdata applied in the immediately preceding writing period Pwrt, the gate voltage Vg of the driving transistor Tdr is The voltage value (Vss + Vth_TR) set in the writing period Pwrt drops by a voltage value ΔV corresponding to the difference between the data voltage Vdata and the control voltage Vctl. At this time, the driving transistor Tdr is turned off (non-conducting state), so that the path from the
このように、駆動期間Pdrvにおける各単位回路Uの駆動トランジスタTdrは、制御電圧Vctlがデータ電圧Vdataよりも高位となる期間にてオン状態となり、制御電圧Vctlがデータ電圧Vdataよりも低位となる期間にてオフ状態となる。すなわち、各単位回路Uの電気光学素子11は、駆動期間Pdrvのうちデータ電圧Vdataの電圧値に応じた時間長の期間にて発光するとともに、その駆動期間Pdrvの残余の期間にて消灯する。したがって、各電気光学素子11は、データ電圧Vdataに応じた階調(駆動期間Pdrvにおける輝度の積分値)に制御される(パルス幅変調による階調制御)。
As described above, the drive transistor Tdr of each unit circuit U in the drive period Pdrv is turned on during the period when the control voltage Vctl is higher than the data voltage Vdata, and the control voltage Vctl is lower than the data voltage Vdata. At OFF. In other words, the electro-
以上に説明したように、本実施形態においては、書込期間Pwrtにおいて駆動トランジスタTdrのゲート電圧Vgが閾値電圧Vth_TRに応じた電圧値に設定される。換言すると、駆動トランジスタTdrは、閾値電圧Vth_TRの高低に拘わらず、導通状態と非導通状態との境界の状態に強制的に移行させられる。したがって、駆動期間Pdrvのうち駆動トランジスタTdrがオン状態となって電気光学素子11に駆動電流I1が供給される時間長はデータ電圧Vdataに応じて決定され、駆動トランジスタTdrの閾値電圧Vth_TRには依存しない。すなわち、本実施形態によれば、駆動トランジスタTdrの閾値電圧Vth_TRの誤差(設計値との相違)を補償して電気光学素子11を高い精度で所期の階調に制御することができる。
As described above, in the present embodiment, the gate voltage Vg of the drive transistor Tdr is set to a voltage value corresponding to the threshold voltage Vth_TR in the writing period Pwrt. In other words, the drive transistor Tdr is forcibly shifted to the boundary state between the conductive state and the non-conductive state regardless of the threshold voltage Vth_TR. Accordingly, the time length during which the drive transistor Tdr is turned on during the drive period Pdrv and the drive current I1 is supplied to the electro-
また、本実施形態においては、ひとつの単位回路Uに含まれるトランジスタの総数は「2」である。したがって、駆動トランジスタTdrの閾値電圧のバラツキを補償するためにひとつの単位回路あたり少なくとも3個のトランジスタが不可欠である特許文献1の構成と比較して、電子装置Dの構成の簡素化や製造コストの低減が実現され、さらには各単位回路Uの開口率(単位回路Uが分布する領域のうち電気光学素子11からの放射光が出射する領域の割合)を増加させることができる。
In the present embodiment, the total number of transistors included in one unit circuit U is “2”. Therefore, compared with the configuration of
ところで、単位回路Uを構成する各トランジスタ(特に駆動トランジスタTdr)としては、例えば多結晶シリコン・微結晶シリコン・単結晶シリコンまたはアモルファスシリコンを半導体層の材料に採用した薄膜トランジスタや、バルクシリコンから形成されたトランジスタを採用することができる。これらのトランジスタのうち特に半導体層がアモルファスシリコンで形成されたトランジスタは、これに流れる電流の方向が恒常的に固定されていると閾値電圧が経時的に変動していくことが知られている。 By the way, each transistor (particularly the drive transistor Tdr) constituting the unit circuit U is formed from, for example, a thin film transistor using polycrystalline silicon, microcrystalline silicon, single crystal silicon or amorphous silicon as a semiconductor layer material, or bulk silicon. A transistor can be employed. Among these transistors, it is known that the threshold voltage of a transistor whose semiconductor layer is made of amorphous silicon varies with time if the direction of the current flowing through the transistor is fixed constantly.
本実施形態の構成のもとでは、駆動期間Pdrvにおいては駆動電流I1が駆動トランジスタTdrのドレインからソースに向かって流れるのに対し、書込期間Pwrtにおいては図4のように電流I0がソースからドレインに向かって流れる。すなわち、駆動トランジスタTdrに流れる電流の方向が書込期間Pwrtと駆動期間Pdrvとで逆転する。したがって、本実施形態によれば、半導体層がアモルファスシリコンからなる薄膜トランジスタを駆動トランジスタTdrに採用した構成のもとで、その閾値電圧Vth_TRの経時的な変動を抑制することができる。 Under the configuration of the present embodiment, the drive current I1 flows from the drain to the source of the drive transistor Tdr in the drive period Pdrv, whereas the current I0 is supplied from the source in the write period Pwrt as shown in FIG. It flows toward the drain. That is, the direction of the current flowing through the driving transistor Tdr is reversed between the writing period Pwrt and the driving period Pdrv. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to suppress the variation with time of the threshold voltage Vth_TR under the configuration in which the thin film transistor whose semiconductor layer is made of amorphous silicon is adopted as the drive transistor Tdr.
<B:第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
第1実施形態においては、書込期間Pwrtにて電圧供給線17の電圧Aを電圧値Vssに低下させることで電流I0を発生させ、これによって駆動トランジスタTdrのゲート電圧Vgを閾値電圧Vth_TRに応じた電圧値(Vss+Vth_TR)に収束させる構成を例示した。しかしながら、ノイズなど何らかの外乱によって駆動トランジスタTdrのソースの電圧が偶発的に電圧値Vss以下に低下すると、電圧Aを電圧値Vssに低下させても電流I0が発生せず、この結果としてゲート電圧Vgが閾値電圧Vth_TRに応じた電圧値に収束しない可能性がある。このような問題を解決するために、本実施形態においては、駆動トランジスタTdrのソースの電圧が、電流I0を発生させ得る電圧値に強制的に設定される構成となっている。なお、本実施形態のうち第1実施形態と同様の要素については、各々に共通の符号を付して説明を適宜に省略する。
<B: Second Embodiment>
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
In the first embodiment, the current I0 is generated by reducing the voltage A of the
図6は、本実施形態における単位回路Uの構成を示す回路図である。同図に示すように、本実施形態の単位回路Uは、図3の各要素に加えてpチャネル型のトランジスタT2を含む。このトランジスタT2は、駆動トランジスタTdrと電気光学素子11との接続点N(駆動トランジスタTdrのソースまたは電気光学素子11の陽極)の電圧Vnを電圧値Vddに設定するための手段であり、接続点Nと電圧供給線17との間に介挿される。トランジスタT2のゲートは、走査線13に対をなしてX方向に延在するリセット信号線141に接続される。各行のリセット信号線141には走査線駆動回路23から共通のリセット信号RSaが供給される。もっとも、リセット信号RSaを生成して各リセット信号線141に出力する回路が走査線駆動回路23とは別個に設置された構成としてもよい。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of the unit circuit U in the present embodiment. As shown in the figure, the unit circuit U of this embodiment includes a p-channel transistor T2 in addition to the elements shown in FIG. This transistor T2 is means for setting the voltage Vn at the connection point N (the source of the drive transistor Tdr or the anode of the electro-optical element 11) between the drive transistor Tdr and the electro-
次に、図7は、本実施形態に係る電子装置Dの動作を示すタイミングチャートである。同図に示すように、ひとつのフレーム(1F)は、書込期間Pwrtおよび駆動期間Pdrvに加えて書込期間Pwrtの直前の初期化期間Prs1を含む。各電圧供給線17の電圧Aは、書込期間Pwrtにて電圧値Vssに設定され、初期化期間Prs1および駆動期間Pdrvにおいては電圧値Vddに設定される。
Next, FIG. 7 is a timing chart showing the operation of the electronic device D according to the present embodiment. As shown in the drawing, one frame (1F) includes an initialization period Prs1 immediately before the writing period Pwrt in addition to the writing period Pwrt and the driving period Pdrv. The voltage A of each
各リセット信号線141に供給されるリセット信号RSaは、初期化期間Prs1内にてローレベルとなり、それ以外の期間(書込期間Pwrtや駆動期間Pdrv)にてハイレベルを維持する。また、走査線駆動回路23は、初期化期間Prs1内にて総ての走査信号S[1]ないしS[m]を一斉にハイレベルに遷移させる。書込期間Pwrtや駆動期間Pdrvにおける走査信号S[1]ないしS[m]の波形は第1実施形態と同様である。
The reset signal RSa supplied to each
図8は、初期化期間Prs1におけるひとつの単位回路Uの様子を示す回路図である。同図に示すように、初期化期間Prs1においては、ハイレベルの走査信号S[i]によってトランジスタT1がオン状態を維持するとともにローレベルのリセット信号RSaによってトランジスタT2がオン状態を維持する。すなわち、接続点Nと駆動トランジスタTdrのゲートとはトランジスタT2を介して電圧供給線17に電気的に接続される。このとき電圧供給線17の電圧Aは電圧値Vddに設定されている。したがって、初期化期間Prs1においては、図8に示すように、接続点Nの電圧Vnおよび駆動トランジスタTdrのゲート電圧Vgが強制的に電圧値Vddに設定される。初期化期間Prs1は、トランジスタT1およびトランジスタT2がオン状態となってから接続点Nの電圧Vnが電圧値Vddに到達するのに充分な時間長に設定される。
FIG. 8 is a circuit diagram showing a state of one unit circuit U in the initialization period Prs1. As shown in the figure, in the initialization period Prs1, the transistor T1 is kept on by the high level scanning signal S [i], and the transistor T2 is kept on by the low level reset signal RSa. That is, the connection point N and the gate of the driving transistor Tdr are electrically connected to the
書込期間Pwrtおよび駆動期間Pdrvにおける動作は第1実施形態と同様である。本実施形態によれば、書込期間Pwrtの直前の初期化期間Prs1において、接続点Nの電圧Vnが、書込期間Pwrtにおける電圧供給線17の電圧値Vssと駆動トランジスタTdrの閾値電圧Vth_TRとの加算値よりも高位である電圧値Vddに設定されるから、仮に初期化期間Prs1に先立って電圧Vnが電圧値Vss以下に低下したとしても、書込期間Pwrtにおいては電流I0を駆動トランジスタTdrから電圧供給線17に向かって適正に流すことができる。したがって、本実施形態によれば、第1実施形態と同様の効果に加えて、ノイズなどの外乱の影響を低減して安定的な動作が実現されるという効果が奏される。
The operations in the writing period Pwrt and the driving period Pdrv are the same as in the first embodiment. According to the present embodiment, in the initialization period Prs1 immediately before the write period Pwrt, the voltage Vn at the connection point N is the voltage value Vss of the
なお、初期化期間Prs1においては、電圧Vnの電圧値(Vdd)が閾値電圧Vth_ELを上回るから電気光学素子11は発光する。しかしながら、初期化期間Prs1の時間長は書込期間Pwrtや駆動期間Pdrvと比較して充分に短くすれば、この初期化期間Prs1での電気光学素子11の発光は実際に観察者が視認する階調に殆ど影響を与えない。また、本実施形態においては初期化期間Prs1が各書込期間Pwrtの直前に設定される場合を例示したが、初期化期間Prs1のタイミングは任意である。例えば、複数のフレームごとに初期化期間Prs1が設けられて電圧Vnが初期化される構成としてもよい。
In the initialization period Prs1, the electro-
また、図9に示すように、初期化期間Prs1にてハイレベルに立ち上がる時点から第i番目の水平走査期間の終点にてローレベルに立ち下がる時点まで、走査信号S[i]がハイレベルを維持する構成としてもよい。第i行目の単位回路Uの容量素子Cに保持される電荷量は、走査信号S[i]がローレベルに立ち下がった時点(すなわち第i番目の水平走査期間の終点)で確定する。したがって、図9に示す駆動の方法によっても、第1実施形態や本実施形態と同様に、閾値電圧Vth_TRの誤差を補償しながら電気光学素子11をデータ電圧Vdataに応じた階調に制御することができる。また、図9の方法によれば、図7の方法と比較して、走査信号S[i]のレベルを変動させる回数が削減されるから、走査線駆動回路23で消費される電力を低減することができるという利点がある。一方、図7の方法によれば、初期化期間Prs1および書込期間Pwrtの各々における走査信号S[i]のパルス幅を全行について同一値とすることができるから、走査信号S[i]を生成するための構成が簡素化されるという利点がある。
Further, as shown in FIG. 9, the scanning signal S [i] is kept at the high level from the time when it rises to the high level during the initialization period Prs1 to the time when it falls to the low level at the end of the i-th horizontal scanning period. It is good also as a structure to maintain. The amount of charge held in the capacitive element C of the unit circuit U in the i-th row is determined when the scanning signal S [i] falls to the low level (that is, the end point of the i-th horizontal scanning period). Therefore, the driving method shown in FIG. 9 also controls the electro-
<C:第3実施形態>
次に、本発明の第3実施形態について説明する。
第2実施形態においては、接続点Nの電圧Vnを電圧値Vddに設定するために電圧供給線17が兼用される構成を例示した。これに対し、本実施形態においては、電圧供給線17とは別個の配線に接続点Nを導通させることで電圧Vnが強制的に所定値に設定される。なお、本実施形態のうち第1実施形態と同様の要素については各々に共通の符号を付して説明を適宜に省略する。
<C: Third Embodiment>
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
In the second embodiment, the configuration in which the
図10は、本実施形態における単位回路Uの構成を示す回路図である。第2実施形態と同様に、本実施形態の単位回路Uは、接続点Nの電圧Vnを所定値(ここではVdd)に設定するためのトランジスタT2を含む。このトランジスタT2は接続点Nと給電線18との間に介挿される。給電線18は走査線13に対をなしてX方向に延在する配線である。各行の給電線18の電圧は電圧制御回路27によって常に電圧値Vddに固定される。なお、給電線18に電圧(Vdd)を供給する回路が電圧制御回路27とは別個に設置された構成としてもよい。トランジスタT2のゲートは、第2実施形態と同様にリセット信号線141に接続される。
FIG. 10 is a circuit diagram showing a configuration of the unit circuit U in the present embodiment. Similar to the second embodiment, the unit circuit U of the present embodiment includes a transistor T2 for setting the voltage Vn at the connection point N to a predetermined value (here, Vdd). The transistor T2 is interposed between the connection point N and the
図11は、本実施形態の電子装置Dの動作を説明するためのタイミングチャートである。第2実施形態と同様に、本実施形態におけるひとつのフレーム(1F)は、書込期間Pwrtおよび駆動期間Pdrvに加えて書込期間Pwrtの直前の初期化期間Prs1を含む。各電圧供給線17の電圧Aは、駆動期間Pdrvにて電圧値Vddに設定され、初期化期間Prs1および書込期間Pwrtにて電圧値Vssに設定される。一方、走査信号S[i]およびリセット信号RSaの波形は第2実施形態(図7)と同様である。ただし、図9に例示した波形の走査信号S[1]ないしS[m]を採用してもよい。
FIG. 11 is a timing chart for explaining the operation of the electronic device D of the present embodiment. Similar to the second embodiment, one frame (1F) in the present embodiment includes an initialization period Prs1 immediately before the writing period Pwrt in addition to the writing period Pwrt and the driving period Pdrv. The voltage A of each
図12は、初期化期間Prs1におけるひとつの単位回路Uの様子を示す回路図である。同図に示すように、初期化期間Prs1にてトランジスタT1およびトランジスタT2がオン状態に遷移すると、接続点Nと駆動トランジスタTdrのゲートとがトランジスタT2を介して給電線18に電気的に接続される。この給電線18の電圧は電圧値Vddに固定されているから、初期化期間Prs1においては、図12に示すように、接続点Nの電圧Vnおよび駆動トランジスタTdrのゲート電圧Vgが強制的に電圧値Vddに設定される。したがって、本実施形態によっても第2実施形態と同様の効果が奏される。
FIG. 12 is a circuit diagram showing a state of one unit circuit U in the initialization period Prs1. As shown in the figure, when the transistors T1 and T2 are turned on in the initialization period Prs1, the connection point N and the gate of the driving transistor Tdr are electrically connected to the
また、本実施形態においては、初期化期間Prs1における電圧供給線17の電圧Aを電圧値Vssに設定することができる。第2実施形態とは異なり、初期化期間Prs1にて接続点Nを電圧値Vddに設定するための給電線18が電圧供給線17とは別個に形成されているからである。このように本実施形態においては、初期化期間Prs1にて電圧供給線17が電圧値Vssに設定されるから(図12参照)、初期化期間Prs1において電気光学素子11に駆動電流I1は供給されない。換言すると、図11に示すように駆動期間Pdrvの終点で電圧供給線17の電圧Aが電圧値Vssに低下することによって電気光学素子11の発光は停止する。したがって、本実施形態によれば、初期化期間Prs1においても電気光学素子11が発光し得る第2実施形態と比較して、各電気光学素子11が発光する期間を高い精度で規定して各々を所期の階調に制御することができるという利点がある。もっとも、第2実施形態の構成によれば、接続点Nの電圧Vnを電圧値Vddに設定するために電圧供給線17が兼用されるから、電圧Vnの初期化に専用される給電線18は不要である。したがって、単位回路Uの構成が簡素化されるという利点がある。
In the present embodiment, the voltage A of the
<D:第4実施形態>
次に、本発明の第4実施形態について説明する。
第1実施形態の構成のもとでは、書込期間Pwrtにて容量素子Cに蓄積された電荷がその次のフレームにおける書込期間Pwrtの始点まで残存する。したがって、あるフレームの書込期間Pwrtで容量素子Cに蓄積される電荷量(あるいはゲート電圧Vg)が、その直前のフレームの書込期間Pwrtにて容量素子Cに保持された電荷量の影響を受ける場合がある。そこで、本実施形態においては、書込期間Pwrtに先立って駆動トランジスタTdrのゲート電圧Vgが強制的に所定値に設定される構成となっている。なお、本実施形態のうち第1実施形態と同様の要素については各々に共通の符号を付して説明を適宜に省略する。
<D: Fourth Embodiment>
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
Under the configuration of the first embodiment, the charge accumulated in the capacitive element C in the write period Pwrt remains until the start point of the write period Pwrt in the next frame. Therefore, the charge amount (or gate voltage Vg) accumulated in the capacitive element C in the writing period Pwrt of a certain frame is affected by the amount of charge held in the capacitive element C in the writing period Pwrt of the immediately preceding frame. You may receive it. Therefore, in the present embodiment, the gate voltage Vg of the drive transistor Tdr is forcibly set to a predetermined value prior to the writing period Pwrt. In addition, about the element similar to 1st Embodiment among this embodiment, a common code | symbol is attached | subjected to each and description is abbreviate | omitted suitably.
図13は、本実施形態に係る単位回路Uの構成を示す回路図である。同図に示すように、本実施形態の単位回路Uは、図3の各要素に加えてpチャネル型のトランジスタT3を含む。このトランジスタT3は、駆動トランジスタTdrのゲート電圧Vgを電圧値Vddに設定するための手段であり、電圧供給線17と駆動トランジスタTdrのゲートとの間に介挿される。トランジスタT3のゲートはX方向に延在するリセット信号線142に接続される。各行のリセット信号線142には走査線駆動回路23から共通のリセット信号RSbが供給される。なお、リセット信号RSbを生成して各リセット信号線142に出力する回路が走査線駆動回路23とは別個に設置された構成としてもよい。
FIG. 13 is a circuit diagram showing a configuration of the unit circuit U according to the present embodiment. As shown in the figure, the unit circuit U of this embodiment includes a p-channel transistor T3 in addition to the elements shown in FIG. The transistor T3 is a means for setting the gate voltage Vg of the drive transistor Tdr to the voltage value Vdd, and is interposed between the
図14は、本実施形態に係る電子装置Dの動作を説明するためのタイミングチャートである。同図に示すように、各フレームは書込期間Pwrtの直前に初期化期間Prs2を含む。各電圧供給線17の電圧Aは、第2実施形態と同様に、書込期間Pwrtにて電圧値Vssに設定されるとともに初期化期間Prs2および駆動期間Pdrvにて電圧値Vddに設定される。一方、リセット信号RSbは、初期化期間Prs2にてローレベルに遷移するとともにそれ以外の期間にてハイレベルを維持する。なお、走査信号S[1]ないしS[m]の波形は第1実施形態と同様である。
FIG. 14 is a timing chart for explaining the operation of the electronic device D according to this embodiment. As shown in the figure, each frame includes an initialization period Prs2 immediately before the writing period Pwrt. Similarly to the second embodiment, the voltage A of each
図15は、初期化期間Prs2における単位回路Uの様子を示す回路図である。同図に示すように、初期化期間Prs2においては、リセット信号RSbがローレベルに遷移するから、トランジスタT3がオン状態に遷移して駆動トランジスタTdrのゲートと電圧供給線17とが電気的に接続される。したがって、駆動トランジスタTdrのゲート電圧Vgは、その時点で電圧供給線17に供給されている電圧値Vddに設定される。書込期間Pwrtおよび駆動期間Pdrvの動作は第1実施形態と同様である。
FIG. 15 is a circuit diagram showing a state of the unit circuit U in the initialization period Prs2. As shown in the figure, in the initialization period Prs2, since the reset signal RSb transits to a low level, the transistor T3 transits to the ON state, and the gate of the driving transistor Tdr and the
以上のように、本実施形態においては、書込期間Pwrtに先立ってゲート電圧Vgが電圧値Vddに初期化されるから、以前のフレームにて容量素子Cに蓄積された電荷量に拘わらず、各書込期間Pwrtにおいてはデータ電圧Vdataに応じた電荷を正確に容量素子Cに蓄積することができる。したがって、本実施形態によれば、第1実施形態と比較して、各電気光学素子11を高い精度で所期の階調に制御することができる。
As described above, in the present embodiment, since the gate voltage Vg is initialized to the voltage value Vdd prior to the writing period Pwrt, regardless of the amount of charge accumulated in the capacitive element C in the previous frame, In each writing period Pwrt, charges corresponding to the data voltage Vdata can be accurately stored in the capacitive element C. Therefore, according to the present embodiment, each electro-
<E:変形例>
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
<E: Modification>
Various modifications can be made to each of the above embodiments. An example of a specific modification is as follows. In addition, you may combine each following aspect suitably.
(1)変形例1
駆動期間Pdrvにおける信号D[1]ないしD[n]の波形(制御電圧Vctlの波形)は適宜に変更される。例えば、各実施形態においては駆動期間Pdrvの中点tcを基準として波形が線対称となる三角波を例示したが、本発明において制御電圧Vctlの対称性は必須ではない。例えば、ランプ波や鋸歯波(鋸波)やマルチランプ波(階段波)など様々な波形が制御電圧Vctlとして採用される。また、電圧値が直線的に変化する波形だけでなく正弦波など曲線的に変化する波形を制御電圧Vctlとして採用してもよい。
(1)
The waveforms of the signals D [1] to D [n] (the waveform of the control voltage Vctl) in the driving period Pdrv are appropriately changed. For example, in each embodiment, the triangular wave whose waveform is line symmetric with respect to the midpoint tc of the driving period Pdrv is exemplified, but the symmetry of the control voltage Vctl is not essential in the present invention. For example, various waveforms such as a ramp wave, a sawtooth wave (sawtooth wave), and a multi-ramp wave (staircase wave) are adopted as the control voltage Vctl. Further, not only a waveform in which the voltage value changes linearly but also a waveform that changes in a curve such as a sine wave may be adopted as the control voltage Vctl.
また、各実施形態においては駆動期間Pdrvにおける制御電圧Vctlが三角波の1周期分の波形となる構成を例示したが、三角波や以上に例示したランプ波や鋸歯波など様々な単位波形の複数を駆動期間Pdrv内にて連続させた波形(すなわち電圧の上昇と下降とを複数回にわたって繰り返す波形)を制御電圧Vctlに適用してもよい。本発明の電子装置Dにおいては、駆動期間Pdrv内にて時間の経過とともに電圧が変動する様々な波形を制御電圧Vctlとして採用することができる。 In each embodiment, the configuration in which the control voltage Vctl in the driving period Pdrv is a waveform corresponding to one cycle of a triangular wave is exemplified. However, a plurality of various unit waveforms such as a triangular wave and a ramp wave and a sawtooth wave exemplified above are driven. A waveform that is continuous within the period Pdrv (that is, a waveform in which the voltage rise and fall are repeated a plurality of times) may be applied to the control voltage Vctl. In the electronic device D of the present invention, various waveforms whose voltage varies with time in the driving period Pdrv can be adopted as the control voltage Vctl.
(2)変形例2
第2実施形態および第3実施形態においては、初期化期間Prs1において接続点Nの電圧Vnが電圧値Vddに設定される構成を例示したが、この初期化期間Prs1で電圧Vnに設定される電圧値は適宜に変更される。ただし、電圧供給線17の電圧Aが電圧値Vssとされる書込期間Pwrtで電流I0を確実に流すという観点からすると、初期化期間Prs1における電圧Vnは、電圧値Vssと駆動トランジスタTdrの閾値電圧Vth_TRとの加算値(Vss+Vth_TR)よりも高位の電圧値に設定されることが望ましい。
(2)
In the second embodiment and the third embodiment, the configuration in which the voltage Vn at the connection point N is set to the voltage value Vdd in the initialization period Prs1 is illustrated. However, the voltage set to the voltage Vn in the initialization period Prs1 The value is changed accordingly. However, from the viewpoint of surely flowing the current I0 in the writing period Pwrt in which the voltage A of the
また、第4実施形態においては、初期化期間Prs2においてゲート電圧Vgが電圧値Vddに設定される構成を例示したが、この初期化期間Prs2でゲート電圧Vgに設定される電圧値は任意である。例えば、初期化期間Prs2における電圧供給線17の電圧Aを電圧値Vssとし、初期化期間Prs2においてゲート電圧Vgが電圧値Vssに設定される構成としてもよい。
In the fourth embodiment, the configuration in which the gate voltage Vg is set to the voltage value Vdd in the initialization period Prs2 has been exemplified. However, the voltage value set to the gate voltage Vg in the initialization period Prs2 is arbitrary. . For example, the voltage A of the
(3)変形例3
各単位回路Uの構成は適宜に変更される。より具体的には、各実施形態の単位回路Uを構成するトランジスタの導電型は任意である。例えば、第1実施形態のトランジスタT1をpチャネル型としてもよいし、第2実施形態および第3実施形態のトランジスタT2や第4実施形態のトランジスタT3をnチャネル型としてもよい。
(3)
The configuration of each unit circuit U is changed as appropriate. More specifically, the conductivity type of the transistors constituting the unit circuit U of each embodiment is arbitrary. For example, the transistor T1 of the first embodiment may be a p-channel type, and the transistor T2 of the second and third embodiments and the transistor T3 of the fourth embodiment may be an n-channel type.
また、各実施形態においては駆動トランジスタTdrがnチャネル型である構成を例示したが、駆動トランジスタTdrはpチャネル型であってもよい。pチャネル型の駆動トランジスタTdrが採用された構成では、電圧供給線17の電圧Aを書込期間Pwrtと駆動期間Pdrvとで変化させなくても各実施形態と同様の作用および効果が奏される。この構成において、書込期間Pwrt(電圧Aは駆動期間Pdrvと同じく電圧値Vdd)においてトランジスタT1がオン状態に遷移すると、駆動トランジスタTdrのドレインの電圧(すなわち電気光学素子11の陽極)は、電圧値Vddから閾値電圧Vth_TRを減算した数値(Vdd−Vth_TR)に設定される。
In each embodiment, the drive transistor Tdr is an n-channel type. However, the drive transistor Tdr may be a p-channel type. In the configuration in which the p-channel type drive transistor Tdr is employed, the same operations and effects as those of the embodiments can be achieved without changing the voltage A of the
(4)変形例4
以上の形態においては電気光学素子11としてOLED素子を例示したが、本発明の電子装置に採用される電気光学素子はこれに限定されない。例えば、OLED素子に代えて、無機EL素子や、フィールド・エミッション(FE)素子、表面導電型エミッション(SE:Surface-conduction Electron-emitter)素子、弾道電子放出(BS:Ballistic electron Surface emitting)素子、LED(Light Emitting Diode)素子といった様々な自発光素子、さらには電気泳動素子やエレクトロ・クロミック素子、液晶素子など様々な電気光学素子を利用することができる。また、本発明は、バイオチップなどのセンシング装置にも適用される。本発明の被駆動素子とは、電気エネルギの付与によって駆動される総ての要素を含む概念であり、発光素子などの電気光学素子は被駆動素子の例示に過ぎない。
(4) Modification 4
In the above embodiment, an OLED element is exemplified as the electro-
<F:応用例>
次に、本発明に係る電子装置を利用した電子機器について説明する。
図16は、以上に説明した何れかの形態に係る電子装置Dを表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ2000は、表示装置としての電子装置Dと本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ2001およびキーボード2002が設けられている。この電子装置Dは電気光学素子11にOLED素子を利用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
<F: Application example>
Next, an electronic apparatus using the electronic device according to the present invention will be described.
FIG. 16 is a perspective view showing the configuration of a mobile personal computer that employs the electronic device D according to any one of the embodiments described above as a display device. The
図17に、実施形態に係る電子装置Dを適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001およびスクロールボタン3002、ならびに表示装置としての電子装置Dを備える。スクロールボタン3002を操作することによって、電子装置Dに表示される画面がスクロールされる。
FIG. 17 shows a configuration of a mobile phone to which the electronic device D according to the embodiment is applied. A
図18に、実施形態に係る電子装置Dを適用した携帯情報端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001および電源スイッチ4002、ならびに表示装置としての電子装置Dを備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電子装置Dに表示される。
FIG. 18 shows a configuration of a personal digital assistant (PDA) to which the electronic device D according to the embodiment is applied. The information
なお、本発明に係る電子装置(電気光学装置)が適用される電子機器としては、図16から図18に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る電子装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光書込み型のプリンタや電子複写機といった画像形成装置においては、用紙などの記録材に形成されるべき画像に応じて感光体を露光する書込みヘッドが使用されるが、この種の書込みヘッドとしても本発明の電子装置は利用される。本発明にいう単位回路とは、表示装置の画素を構成する回路(いわゆる画素回路)のほか、画像形成装置における露光の単位となる回路をも含む概念である。 Electronic devices to which the electronic device (electro-optical device) according to the present invention is applied include digital still cameras, televisions, video cameras, car navigation devices, pagers, electronic notebooks, in addition to those shown in FIGS. Electronic paper, calculator, word processor, workstation, video phone, POS terminal, printer, scanner, copier, video player, equipment equipped with a touch panel, and the like. Further, the use of the electronic device according to the present invention is not limited to the display of images. For example, in an image forming apparatus such as an optical writing type printer or an electronic copying machine, a writing head that exposes a photosensitive member according to an image to be formed on a recording material such as paper is used. However, the electronic device of the present invention is used. The unit circuit referred to in the present invention is a concept including not only a circuit constituting a pixel of a display device (a so-called pixel circuit) but also a circuit as a unit of exposure in the image forming apparatus.
D……電子装置、U……単位回路、11……電気光学素子、13……走査線、141,142……リセット信号線、15……信号線、17……電圧供給線、18……給電線、23……走査線駆動回路、25……信号線駆動回路、27……電圧制御回路、Tdr……駆動トランジスタ、T1……トランジスタ(第1スイッチング素子)、T2……トランジスタ(第1リセット手段,第2スイッチング素子)、T3……トランジスタ(第2リセット手段,第3スイッチング素子)、C……容量素子、Ea……第1電極、Eb……第2電極、A……電圧供給線の電圧、S[i]……走査信号、D[j]……信号、Vdata……データ電圧、Vctl……制御電圧、RSa,RSb……リセット信号、Pwrt……書込期間、Pdrv……駆動期間、Prs1,Prs2……初期化期間。 D: Electronic device, U: Unit circuit, 11: Electro-optic element, 13: Scan line, 141, 142: Reset signal line, 15: Signal line, 17: Voltage supply line, 18: Feed line, 23... Scanning line drive circuit, 25... Signal line drive circuit, 27... Voltage control circuit, Tdr... Drive transistor, T1... Transistor (first switching element), T2. Resetting means, second switching element), T3... Transistor (second resetting means, third switching element), C..capacitance element, Ea... First electrode, Eb. Line voltage, S [i] ... Scanning signal, D [j] ... Signal, Vdata ... Data voltage, Vctl ... Control voltage, RSa, RSb ... Reset signal, Pwrt ... Writing period, Pdrv ... ... Driving period, Prs1, Prs2 ... Initialization period.
Claims (4)
前記信号線に接続された単位回路と、
電圧供給線とを含み、
前記単位回路は、
制御端子と第1端子と前記電圧供給線に接続された第2端子とを備えるとともに前記制御端子の電圧に応じて前記第1端子と前記第2端子との間の導通状態が制御される駆動トランジスタと、
被駆動素子と、
前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記第1端子および前記第2端子の何れか一方との電気的な接続を制御する第1スイッチング素子と、
第1電極と第2電極との間に誘電体を備え、前記第1電極が前記駆動トランジスタの前記制御端子に電気的に接続され、前記第2電極が前記信号線に電気的に接続された容量素子と、
前記電圧供給線の電圧を複数の電圧値の何れかに設定する電圧制御回路と、
前記第1端子と前記電圧供給線とを初期化期間にて電気的に接続する第2スイッチング素子とを含み、
前記被駆動素子に供給される駆動電流および駆動電圧のうち少なくとも一方のレベルが前記第1端子と前記第2端子との間の導通状態に応じて設定され、
前記初期化期間後の第1期間に、前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記第1端子および前記第2端子の何れか一方とが前記第1スイッチング素子を介して電気的に接続され、
前記第1期間に、前記第2電極に前記信号線を介してデータ信号が供給され、
前記第1期間後の第2期間に、当該第2期間内にて経時的に変化する制御信号が前記第2電極に供給され、
前記電圧制御回路は、前記第1期間の少なくとも一部にて前記電圧供給線の電圧を前記第1端子よりも低位の第1電圧値に設定し、前記第2期間の少なくとも一部にて前記電圧供給線の電圧を前記第1端子よりも高位の第2電圧値に設定し、前記初期化期間にて前記電圧供給線の電圧を前記第2電圧値に設定する
ことを特徴とする電子装置。 A signal line,
A unit circuit connected to the signal line;
Including a voltage supply line,
The unit circuit is
A drive having a control terminal, a first terminal, and a second terminal connected to the voltage supply line, and a conduction state between the first terminal and the second terminal is controlled according to a voltage of the control terminal A transistor,
A driven element;
A first switching element that controls electrical connection between the control terminal of the drive transistor and any one of the first terminal and the second terminal;
A dielectric is provided between the first electrode and the second electrode, the first electrode is electrically connected to the control terminal of the driving transistor, and the second electrode is electrically connected to the signal line. A capacitive element;
A voltage control circuit for setting the voltage of the voltage supply line to any one of a plurality of voltage values;
A second switching element that electrically connects the first terminal and the voltage supply line in an initialization period;
A level of at least one of a drive current and a drive voltage supplied to the driven element is set according to a conduction state between the first terminal and the second terminal;
In the first period after the initialization period, the control terminal of the drive transistor and any one of the first terminal and the second terminal are electrically connected via the first switching element,
In the first period, a data signal is supplied to the second electrode via the signal line,
In the second period after the first period, a control signal that changes over time within the second period is supplied to the second electrode,
The voltage control circuit sets the voltage of the voltage supply line to a first voltage value lower than the first terminal in at least part of the first period, and the voltage control circuit sets the voltage of the voltage supply line to at least part of the second period. The voltage of the voltage supply line is set to a second voltage value higher than the first terminal, and the voltage of the voltage supply line is set to the second voltage value during the initialization period.
An electronic device characterized by that .
前記信号線に接続された単位回路と、
電圧供給線とを含み、
前記単位回路は、
制御端子と第1端子と前記電圧供給線に接続された第2端子とを備えるとともに前記制御端子の電圧に応じて前記第1端子と前記第2端子との間の導通状態が制御される駆動トランジスタと、
被駆動素子と、
前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記第1端子および前記第2端子の何れか一方との電気的な接続を制御する第1スイッチング素子と、
第1電極と第2電極との間に誘電体を備え、前記第1電極が前記駆動トランジスタの前記制御端子に電気的に接続され、前記第2電極が前記信号線に電気的に接続された容量素子と、
前記電圧供給線の電圧を複数の電圧値の何れかに設定する電圧制御回路と、
前記第1端子と定電圧が供給される給電線とを初期化期間にて電気的に接続する第2スイッチング素子とを含み、
前記被駆動素子に供給される駆動電流および駆動電圧のうち少なくとも一方のレベルが前記第1端子と前記第2端子との間の導通状態に応じて設定され、
前記初期化期間後の第1期間に、前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記第1端子および前記第2端子の何れか一方とが前記第1スイッチング素子を介して電気的に接続され、
前記第1期間に、前記第2電極に前記信号線を介してデータ信号が供給され、
前記第1期間後の第2期間に、当該第2期間内にて経時的に変化する制御信号が前記第2電極に供給され、
前記電圧制御回路は、前記第1期間の少なくとも一部にて前記電圧供給線の電圧を前記第1端子よりも低位の第1電圧値に設定し、前記第2期間の少なくとも一部にて前記電圧供給線の電圧を前記第1端子よりも高位の第2電圧値に設定し、前記初期化期間にて前記電圧供給線の電圧を前記第2電圧値に設定する
ことを特徴とする電子装置。 A signal line,
A unit circuit connected to the signal line;
Including a voltage supply line,
The unit circuit is
A drive having a control terminal, a first terminal, and a second terminal connected to the voltage supply line, and a conduction state between the first terminal and the second terminal is controlled according to a voltage of the control terminal A transistor,
A driven element;
A first switching element that controls electrical connection between the control terminal of the drive transistor and any one of the first terminal and the second terminal;
A dielectric is provided between the first electrode and the second electrode, the first electrode is electrically connected to the control terminal of the driving transistor, and the second electrode is electrically connected to the signal line. A capacitive element;
A voltage control circuit for setting the voltage of the voltage supply line to any one of a plurality of voltage values;
A second switching element that electrically connects the first terminal and a power supply line to which a constant voltage is supplied in an initialization period;
A level of at least one of a drive current and a drive voltage supplied to the driven element is set according to a conduction state between the first terminal and the second terminal;
In the first period after the initialization period, the control terminal of the drive transistor and any one of the first terminal and the second terminal are electrically connected via the first switching element,
In the first period, a data signal is supplied to the second electrode via the signal line,
In the second period after the first period, a control signal that changes over time within the second period is supplied to the second electrode,
The voltage control circuit sets the voltage of the voltage supply line to a first voltage value lower than the first terminal in at least part of the first period, and the voltage control circuit sets the voltage of the voltage supply line to at least part of the second period. The voltage of the voltage supply line is set to a second voltage value higher than the first terminal, and the voltage of the voltage supply line is set to the second voltage value during the initialization period.
An electronic device characterized by that .
前記信号線に接続された単位回路と、
電圧供給線とを含み、
前記単位回路は、
制御端子と第1端子と前記電圧供給線に接続された第2端子とを備えるとともに前記制御端子の電圧に応じて前記第1端子と前記第2端子との間の導通状態が制御される駆動トランジスタと、
被駆動素子と、
前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記第1端子および前記第2端子の何れか一方との電気的な接続を制御する第1スイッチング素子と、
第1電極と第2電極との間に誘電体を備え、前記第1電極が前記駆動トランジスタの前記制御端子に電気的に接続され、前記第2電極が前記信号線に電気的に接続された容量素子と、
前記電圧供給線の電圧を複数の電圧値の何れかに設定する電圧制御回路と、
前記制御端子と前記電圧供給線とを初期化期間にて電気的に接続する第3スイッチング素子とを含み、
前記被駆動素子に供給される駆動電流および駆動電圧のうち少なくとも一方のレベルが前記第1端子と前記第2端子との間の導通状態に応じて設定され、
前記初期化期間後の第1期間に、前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記第1端子および前記第2端子の何れか一方とが前記第1スイッチング素子を介して電気的に接続され、
前記第1期間に、前記第2電極に前記信号線を介してデータ信号が供給され、
前記第1期間後の第2期間に、当該第2期間内にて経時的に変化する制御信号が前記第2電極に供給され、
前記電圧制御回路は、前記第1期間の少なくとも一部にて前記電圧供給線の電圧を前記第1端子よりも低位の第1電圧値に設定し、前記第2期間の少なくとも一部にて前記電圧供給線の電圧を前記第1端子よりも高位の第2電圧値に設定し、前記初期化期間にて前記電圧供給線の電圧を前記第2電圧値に設定する
ことを特徴とする電子装置。 A signal line,
A unit circuit connected to the signal line;
Including a voltage supply line,
The unit circuit is
A drive having a control terminal, a first terminal, and a second terminal connected to the voltage supply line, and a conduction state between the first terminal and the second terminal is controlled according to a voltage of the control terminal A transistor,
A driven element;
A first switching element that controls electrical connection between the control terminal of the drive transistor and any one of the first terminal and the second terminal;
A dielectric is provided between the first electrode and the second electrode, the first electrode is electrically connected to the control terminal of the driving transistor, and the second electrode is electrically connected to the signal line. A capacitive element;
A voltage control circuit for setting the voltage of the voltage supply line to any one of a plurality of voltage values;
A third switching element that electrically connects the control terminal and the voltage supply line in an initialization period;
A level of at least one of a drive current and a drive voltage supplied to the driven element is set according to a conduction state between the first terminal and the second terminal;
In the first period after the initialization period, the control terminal of the drive transistor and any one of the first terminal and the second terminal are electrically connected via the first switching element,
In the first period, a data signal is supplied to the second electrode via the signal line,
In the second period after the first period, a control signal that changes over time within the second period is supplied to the second electrode,
The voltage control circuit sets the voltage of the voltage supply line to a first voltage value lower than the first terminal in at least part of the first period, and the voltage control circuit sets the voltage of the voltage supply line to at least part of the second period. The voltage of the voltage supply line is set to a second voltage value higher than the first terminal, and the voltage of the voltage supply line is set to the second voltage value during the initialization period.
An electronic device characterized by that .
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