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JP5004686B2 - プローバおよびプローバのウエハチャック温度制御方法 - Google Patents

プローバおよびプローバのウエハチャック温度制御方法 Download PDF

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JP5004686B2 JP2007158718A JP2007158718A JP5004686B2 JP 5004686 B2 JP5004686 B2 JP 5004686B2 JP 2007158718 A JP2007158718 A JP 2007158718A JP 2007158718 A JP2007158718 A JP 2007158718A JP 5004686 B2 JP5004686 B2 JP 5004686B2
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Description

本発明は、半導体ウエハ上に形成された複数の半導体チップ(ダイ)の電気的な検査を行うためにダイの電極をテスタに接続するプローバに関し、特にウエハを保持するウエハチャックの表面を加熱及び冷却して高温及び低温環極で検査が行えるプローバおよびそのウエハチャック温度制御方法に関する。
半導体製造工程では、薄い円板状の半導体ウエハに各種の処理を施して、半導体装置(デバイス)をそれぞれ有する複数のチップ(ダイ)を形成する。各チップは電気的特性が検査され、その後ダイサーで切り離なされた後、リードフレームなどに固定されて組み立てられる。上記の電気的特性の検査は、プローバとテスタで構成されるウエハテストシステムにより行われる。プローバは、ウエハをステージに固定し、各チップの電極パッドにプローブを接触させる。テスタは、プローブに接続される端子から、電源および各種の試験信号を供給し、チップの電極に出力される信号をテスタで解析して正常に動作するかを確認する。
半導体装置は広い用途に使用されており、−55°C以下の低温環境や、200°C以上の高温環境でも使用される半導体装置(デバイス)もあり、プローバにはこのような環境での検査が行えることが要求される。そこで、プローバにおいてウエハを保持するウエハチャックのウエハ載置面の下に、例えば、ヒータ機構、チラー機構などのウエハチャックの表面の温度を変えるウエハ温度調整機構を設けて、ウエハチャックの上に保持されたウエハを加熱又は冷却することが行われる。
図1は、ヒータ機構とチラー機構で構成されるウエハ温度調整機構を有するプローバを備えるウエハテストシステムの概略構成を示す図である。プローバは、ウエハWを保持するウエハチャック11と、検査する半導体チップの電極配置に合わせて作られたプローブ18を有するプローブカード17と、制御部16と、を有する。ウエハチャック11内には、冷却液経路12及びヒータ13が設けられる。冷却液経路12には冷却液源14から経路15を介して冷却液が流され、ウエハWを保持するウエハチャック11の表面を冷却する。また、ヒータ13は発熱してウエハWを保持するウエハチャック11の表面を加熱する。制御部16は、ウエハチャック11の表面の近くに設けられた温度センサ19の検出した温度に基づいて、冷却液源14及びヒータ13を制御して、ウエハチャック11の表面が所望の温度になるようにする。なお、ここでは、ウエハチャック11の表面に近い側にヒータ13を設け、その下に冷却液経路12を設ける例を示したが、冷却液経路12を上にその下にヒータ13を設ける場合もある。プローバは、この他にも、ウエハチャック11のX、Y及びZ方向の3軸移動・回転機構、ウエハ上に形成されたダイの配列方向を検出するアライメント用カメラと、プローブの位置を検出する針位置検出カメラと、それらを収容する筐体などが設けられ、上記のプローブカード17は、筐体に設けられたカードホルダに取り付けられる。このような構成要素は本発明に直接関係しないので、ここでは図示を省略している。
テスタは、テスタ本体21と、テスタ本体21の端子とプローブカード17の端子を電気的に接続するコネクション部22と、を有する。コネクション部22は、バネを使用した接続端子機構、いわゆるスプリングピン構造を有する。プローバは、ウエハテストにおいてテスタと連携して測定を行うが、その電源系や機構部分はテスタ本体及びテストヘッドとは独立した装置である。
ウエハチャック11内には、他にもウエハWを真空吸着するための真空経路などが設けられ、ウエハチャック11内における冷却液経路12、ヒータ13及び真空経路の配置については各種の変形例がある。
ウエハを所定の温度にして検査を行う場合、ウエハWをウエハチャック11に保持した状態で、制御部16は温度センサ19の検出した温度に基づいてウエハの冷却及び加熱機構を制御し、ウエハチャック11が所定の温度になるようにする。ウエハチャック11は、アルミニューム、銅などの金属や、熱伝導性の良好なセラミックなどの材料で作られている。
以上説明したプローバ及びウエハテストシステムの構成は、例えば特許文献1などに、またヒータおよび冷却液経路を有するウエハチャックの構造については特許文献2などに記載されており、広く知られているので、ここではこれ以上の説明を省略する。また、特許文献3は、ウエハチャックのチラー機構を記載している。
本発明は、ウエハチャックの冷却をチラー機構で行うプローバを対象とする。
図2は、チラー機構の構成を示す図である。図2に示すように、ポンプ32は、タンク31内に保持された低温の冷却液を、経路33、ウエハチャック11内の冷却液経路、経路34、タンク31の順に循環させ、ウエハチャック11を冷却する。ここでは、冷却液が、ポンプ32、経路33、ウエハチャック11内の冷却液経路、経路34およびタンク31の順に循環するラインを、ウエハチャック冷却経路と称する。タンク31は、ほぼ密閉された断熱構造を有し、タンク31の上部と外部をつなぐ空気経路35が設けられているので、タンク31の上部の空間は大気開放されている。従って、経路34はタンク31の大気開放部分に接続され、循環した冷却液はタンク31の大気開放部分に出力され、タンク31内に回収される。なお、ウエハチャック11にはヒータも設けられているが、ここでは図示を省略しており、これは以下の図でも同様である。
タンク31内の冷却液は、ポンプ41により、経路43、冷却器45、流量調整弁42、経路44、タンク31の順に循環され、冷却器45で冷却されてタンク31に戻る。流量調整弁42により循環する冷却液の量を調整することにより、タンク31内に保持される冷却液の温度が調整される。ここでは、冷却液が、ポンプ41、経路43、冷却器45、流量調整弁42、経路44およびタンク31の順に循環するラインを、冷却液冷却経路と称する。
冷却器45には、圧縮機(コンプレッサ)51、経路53、凝縮機55、経路54、膨張弁52、冷却器45の順に代替フロンが循環する循環ラインにより代替フロンが供給されて蒸発することにより、冷却器45を冷却する。冷却器45で気化した代替フロンは、圧縮機51で圧縮された後、凝縮機55で冷却されて液化し、膨張弁52を経て冷却器45で蒸発する。膨張弁52は、キャピラリ(毛細管)チューブの場合もある。凝縮機55は、ファン56により空冷されるが、水冷の場合もある。
図2に示すチラー機構では、ウエハチャック11を−30°C程度まで冷却することができる。もし、−60°C以下まで冷却するのであれば、図3に示すような、圧縮機を2台使用した2段構成のチラー機構を使用する。図3のチラー機構は、ウエハチャック冷却経路と冷却液冷却経路の部分は図2と同じであるが、冷却器45を冷却する部分が異なる。図3に示すように、この部分では、圧縮機(コンプレッサ)61、経路63、補助冷却器65、経路64、膨張弁62の順に代替フロンが循環するラインで、図2の場合と同様に冷却器45が冷却される。
さらに、圧縮機(コンプレッサ)66、経路68、凝集機70、経路69、膨張弁67の順に代替フロンが循環するラインで、図2の場合と同様に補助冷却器65が冷却される。図3に示すように、冷却器を2段とすることにより、1段構成に比べて冷却器45の温度を一層低下させることが可能であり、ウエハチャック11を−60°C以下まで冷却できるようになる。
冷却液はウエハチャック11内の冷却液経路を移動するが、ウエハチャック11は高温条件の検査時には200°Cの高温になる。冷却液は、−70°Cの低温でも凍結しないフッ素系の不凍液であるが、高温では気体となり、200°Cのような高温では熱分解するという問題が発生する。このような状態になると、冷却液を流すポンプ32に悪影響を与え、ポンプ32の寿命が短くなるという問題を生じる。
そこで、ウエハチャック11を低温から高温にする時には、ウエハチャック11の冷却液経路内の冷却液または冷却液が気化した気体を乾燥空気などでエアパージしてタンク31に回収し、ウエハチャック11の冷却液経路などの高温になる部分に冷却液または気化した冷却液が存在しないようにした上で、ウエハチャック11のヒータに通電して加熱動作を開始するようにしている。
また、ウエハチャック11を高温から低温にする時には、自然空冷によりウエハチャック11の温度が冷却液が熱分解する恐れのない温度以下に低下するまで待機し、この温度以下になったら冷却液を流すようにしている。
特開2001−210683号公報(全体) 特開2002−124558号公報(全体) 特開2003−148852号公報(全体)
プローバは、一層のスループットの向上が求められている。プローバでは、検査内容に応じて、ウエハチャックの温度が高温と低温の間で頻繁に変更される。ウエハチャックの温度が検査温度になるまでの時間は待機時間であり、待機時間が長いとプローバのスループットが低下する。そのため、ウエハチャックの温度が検査温度になるまでの時間を低減して、スループットを向上することが求められている。
上記のように、ウエハチャック11を低温から高温にする時には、エアパージによりウエハチャック11の冷却液経路内の冷却液または冷却液の気体を除去して、ただちにヒータによる加熱を開始できるようにしている。しかし、ウエハチャック11を高温から低温にする時には、自然空冷によりウエハチャック11の温度が低下するまで待機しており、ウエハチャック11の温度変更に要する時間が長く、これがスループットを低下させる一因になっていた。
本発明は、このような問題を解決することを目的とし、ウエハチャックを高温から低温にするのに要する時間を低減してプローバのスループットを向上することを目的とする。
上記目的を実現するため、本発明のプローバは、冷却器に気体を送って冷却し、冷却した気体をウエハチャックに送ってウエハチャックを冷却する気体冷却経路を、冷却液冷却経路およびウエハチャック冷却経路と一部を共有する形で設け、ウエハチャックを高温から低温にする場合に、熱分解の恐れのない乾燥空気や窒素などの気体を冷却器を利用して冷却した上でウエハチャックに送ってウエハチャックを冷却する。この気体による冷却によりウエハチャックの温度が低下した後、冷却液によるウエハチャックの冷却を開始する。
すなわち、本発明のプローバは、ウエハを保持するウエハチャックと、前記ウエハチャックを加熱する加熱手段と、前記ウエハチャックを冷却する冷却手段と、を備え、ウエハを所定の温度に保持して、ウエハ上に形成された複数の半導体装置をテスタで検査をするために、前記テスタの各端子を前記半導体装置の電極に接続するプローバであって、前記冷却手段は、冷却液を保持するタンクと、冷却器と、前記タンク内の冷却液を前記冷却器に送り、冷却された冷却液を前記タンクに戻す冷却液冷却経路と、前記タンク内の冷却液を前記ウエハチャックに送って前記ウエハチャックを冷却し、前記ウエハチャックから冷却液を回収するウエハチャック冷却経路と、前記冷却器に気体を送って冷却し、冷却した気体を前記ウエハチャックに送って前記ウエハチャックを冷却する気体冷却経路と、を備え、前記気体冷却経路は、前記冷却液冷却経路および前記ウエハチャック冷却経路の一部を共有することを特徴とする。
本発明のプローバは、各部を制御する制御部をさらに備え、前記制御部は、前記ウエハチャックを高温状態にする時には、前記冷却液冷却経路および前記ウエハチャック冷却経路に冷却液を流さない状態にした後、前記気体冷却経路に気体を流さない状態にし、高温状態の前記ウエハチャックを低温状態に変化させる時には、前記気体冷却経路に冷却した気体を流して前記ウエハチャックを冷却し、前記ウエハチャックが所定温度以下になった後、前記気体冷却経路に気体を流さない状態に、前記冷却液冷却経路および前記ウエハチャック冷却経路に冷却液を流し、前記ウエハチャックが測定温度になった時に測定動作を開始するように制御する。
また、本発明のプローバのウエハチャック温度制御方法は、ウエハを保持するウエハチャックと、前記ウエハチャックを加熱する加熱手段と、前記ウエハチャックを冷却する冷却手段と、を備え、ウエハを所定の温度に保持して、ウエハ上に形成された複数の半導体装置をテスタで検査をするために、前記テスタの各端子を前記半導体装置の電極に接続するプローバにおいて、前記ウエハチャックの温度を制御するプローバのウエハチャック温度制御方法であって、前記ウエハチャックを高温状態にする時には、前記ウエハチャックに冷却液及び冷却気体を流さない状態にし、高温状態の前記ウエハチャックを低温状態に変化させる時には、前記ウエハチャックに冷却気体を流して前記ウエハチャックを冷却し、前記ウエハチャックが所定温度以下になった後、前記ウエハチャックに冷却気体を流すのを停止して冷却液を流す、ことを特徴とする。前記冷却液及び前記冷却気体は、共通の冷却器で冷却されることが望ましい。
本発明によれば、ウエハチャックが高温状態でも熱分解の恐れのない冷却した気体で、ウエハチャックを強制的に冷却するので、ウエハチャックの温度を急激に低下させることが可能であり、冷却液による冷却を開始できる状態になるまでの時間を自然空冷に比べて大幅に短縮でき、スループットが向上する。しかも、半導体製造工程で容易に利用可能な乾燥空気などの気体を利用し、その気体を既存の冷却器を利用して冷却した上でウエハチャックに流すので、コストの増加を小さくできる。
本発明によれば、高温での検査から低温での検査に変更する場合に、温度変更に要する時間を短縮できるので、スループットが向上する。
図4は、本発明の実施例のプローバのチラー機構の構成を示す図である。実施例のプローバは、図1に示したような従来と同様の構成を有し、チラー機構のみが異なる。また、図4を図2と比較して明らかなように、実施例のチラー機構は、図2の従来のチラー機構に気体冷却経路を付加した構成を有する。図4において、図2と同じ部分には同じ参照番号を付しており、説明は省略する。
図4に示すように、実施例のチラー機構では、一般に半導体製造工程に広く設けられている圧縮乾燥空気源81を利用する。実施例のチラー機構は、圧縮乾燥空気源81を経路43に接続するためのバルブ82と、ポンプ41の経路43との接続を行うバルブ83と、冷却器45と流量調整弁42の間の部分と経路34を接続する分岐経路85と、分岐経路85に設けられたバルブ84と、経路34に設けられたバルブ86と、経路33に設けられた開放空間につながる分岐経路87と、分岐経路87に設けられたバルブ88と、経路33に設けられた逆止弁89と、が図2の従来の構成に加えられており、他の部分は同じである。また、実施例のプローバは、ウエハチャックの温度を高温から低温に変更する場合に、従来は自然に空冷であったのに対して気体冷却経路により強制的に冷却する点が異なり、他の動作は同じである。制御部16は、ウエハチャック11およびタンク31内の冷却液の温度データなどを収集し、それに基づいてポンプ、バルブなどの制御を行う。
図5は、実施例のプローバにおいて、ウエハチャックの温度を高温から低温に変更する場合の動作を示すフローチャートである。以下、図4および図5を参照して、この動作を説明する。
ステップ101では、ウエハチャック11のヒータの通電を停止して加熱動作を停止する。なお、この時には、冷却に関係する部分はすべて停止しているものとする。具体的には、ポンプ32および41、圧縮機51およびファン56は停止しており、バルブ42、82、83、84、85、86、88は閉じている。また、タンク31内の冷却液はある程度低温の状態にあるものとする。
ステップ102では、圧縮機51およびファン56を動作させて、冷却器45で冷却が行われるようにする。この際、冷却液を冷却するのに比べて乾燥空気の冷却は小さなパワーで行えるので、圧縮機51の動作率を、冷却液を冷却する場合より小さく設定してもよい。
ステップ103では、気体冷却経路を導通する。具体的には、バルブ82、84、88を開放する。これにより、圧縮乾燥空気源81からの圧縮された乾燥空気は、その圧力により、バルブ82を通って冷却器45に供給され冷却される。冷却された乾燥空気は、バルブ84、経路85および34を通ってウエハチャック11内の冷却液経路に供給され、冷却液経路内を通過する時にウエハチャック11を冷却し、その後経路87およびバルブ88を通って大気中に出る。この時、逆止弁89により、気体がポンプ32に流れることはない。このようにしてウエハチャック11は冷却され、徐々に温度が低下する。
ステップ104では、ウエハチャック11の温度が所定の閾値温度、例えば、冷却液の気化温度より低い所定温度以下であるかが判定され、ウエハチャック11の温度が所定の閾値温度になるまで、この状態、すなわち気体冷却経路が導通した状態が維持される。ウエハチャック11の温度が所定の閾値温度以下になると、ステップ105に進む。
ステップ105では、気体冷却経路を閉じる。具体的には、バルブ82、84、88を閉じる。
以下の動作は、基本的には従来技術と同じである。
ステップ106では、冷却液冷却経路を導通する。具体的には、バルブ83を開放し、検査温度に応じて検査流量調整弁42の流量を設定し、ポンプ41を動作させる。この時、必要に応じて圧縮機51の動作を変更する。これにより、タンク31内の冷却液は、検査温度に対応する温度となるように冷却される。
ステップ107では、タンク31内の冷却液の温度が所定の液閾値温度以下であるかが判定される。液閾値温度は、たとえタンク31内の冷却液の温度が検査温度に対応した温度に達していなくても冷却液によるウエハチャック11の冷却を開始する冷却液の温度であり、これにより温度変化に要する時間を短縮する。タンク31内の冷却液の温度が所定の液閾値温度以下になると、ステップ108に進む。この後もタンク31内の冷却液は、検査温度に対応した温度になるように制御され、その温度になった後は、その温度を維持するように制御される。
ステップ108では、ウエハチャック冷却経路を導通する。具体的には、バルブ86を開放し、ポンプ32を動作させる。
ステップ109では、ウエハチャック11の温度が検査温度になったかが判定され、検査温度になるとステップ110に進む。
ステップ110で、検査が開始される。
以上、本発明の実施例を説明したが、各種の変形例が可能なのはいうまでもない。特に、気体冷却経路の構成はプローバの仕様に応じて各種の変形例が可能である。
また、本発明を図3に示した圧縮機を2台使用するチラー機構に適用することも可能である。
さらに、実施例では圧縮乾燥空気を使用したが、その代わりに窒素ガスなどを使用することも可能である。
本発明は、高温又は低温などの所定の温度条件でウエハの検査を行うプローバであれば、どのようなものにも適用可能である。本発明を適用することにより、ウエハチャックの高温から低温へ温度変更に伴う待機時間を低減できる。
ウエハ温度調整機構を有するプローバを備えるウエハテストシステムの概略構成を示す図である。 従来例におけるチラー機構の構成を示す図である。 従来例における別のチラー機構の構成を示す図である。 本発明の実施例のプローバのチラー機構の構成を示す図である。 実施例のプローバにおけるチラー機構の動作を示すフローチャートである。
符号の説明
11 ウエハチャック
12 冷却液経路
13、13A、13B ヒータ
14 冷却液源
16 制御部
19、19A、19B 温度センサ
31 タンク
32、41 ポンプ
45 冷却器
81 圧縮乾燥空気源
42、82、84、86、88 バルブ
W ウエハ

Claims (6)

  1. ウエハを保持するウエハチャックと、
    前記ウエハチャックを加熱する加熱手段と、
    前記ウエハチャックを冷却する冷却手段と、を備え、
    ウエハを所定の温度に保持して、ウエハ上に形成された複数の半導体装置をテスタで検査をするために、前記テスタの各端子を前記半導体装置の電極に接続するプローバであって、
    前記冷却手段は、
    冷却液を保持するタンクと、
    冷却器と、
    前記タンク内の冷却液を前記冷却器に送り、冷却された冷却液を前記タンクに戻す冷却液冷却経路と、
    前記タンク内の冷却液を前記ウエハチャックに送って前記ウエハチャックを冷却し、前記ウエハチャックから冷却液を回収するウエハチャック冷却経路と、
    前記冷却器に気体を送って冷却し、冷却した気体を前記ウエハチャックに送って前記ウエハチャックを冷却する気体冷却経路と、を備え、
    前記気体冷却経路は、前記冷却液冷却経路および前記ウエハチャック冷却経路の一部を共有することを特徴とするプローバ。
  2. 各部を制御する制御部をさらに備え、
    前記制御部は、
    前記ウエハチャックを高温状態にする時には、前記冷却液冷却経路および前記ウエハチャック冷却経路に冷却液を流さない状態に、前記気体冷却経路に気体を流さない状態にし、
    高温状態の前記ウエハチャックを低温状態に変化させる時には、
    前記気体冷却経路に冷却した気体を流して前記ウエハチャックを冷却し、
    前記ウエハチャックが所定温度以下になった後、前記気体冷却経路に気体を流さない状態にして、前記冷却液冷却経路および前記ウエハチャック冷却経路に冷却液を流し、
    前記ウエハチャックが測定温度になった時に測定動作を開始するように制御する請求項1に記載のプローバ。
  3. 前記気体は、乾燥空気または窒素ガスである請求項1または2に記載のプローバ。
  4. ウエハを保持するウエハチャックと、前記ウエハチャックを加熱する加熱手段と、
    前記ウエハチャックを冷却する冷却手段と、を備え、ウエハを所定の温度に保持して、ウエハ上に形成された複数の半導体装置をテスタで検査をするために、前記テスタの各端子を前記半導体装置の電極に接続するプローバにおいて、前記ウエハチャックの温度を制御するプローバのウエハチャック温度制御方法であって、
    前記ウエハチャックを高温状態にする時には、前記ウエハチャックに冷却液及び冷却気体を流さない状態にし、
    高温状態の前記ウエハチャックを低温状態に変化させる時には、
    前記ウエハチャックに冷却気体を流して前記ウエハチャックを冷却し、
    前記ウエハチャックが所定温度以下になった後、前記ウエハチャックに冷却気体を流すのを停止して冷却液を流す、ことを特徴とするプローバのウエハチャック温度制御方法。
  5. 前記冷却液及び前記冷却気体は、共通の冷却器で冷却される請求項4に記載のプローバのウエハチャック温度制御方法。
  6. 前記気体は、乾燥空気または窒素ガスである請求項4または5に記載のプローバのウエハチャック温度制御方法。
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