JP4959530B2 - 導波管型帯域阻止フィルタ - Google Patents

Description

この発明は、主にマイクロ波帯及びミリ波帯において用いられる導波管型帯域阻止フィルタに関するものである。

まず、従来の導波管型帯域阻止フィルタについて説明する。図２１〜２３には中空導波管と導波管型共振器で構成した従来の一般的な導波管型帯域阻止フィルタの斜視図、等価回路、周波数特性を示す。図２１において、導波管型帯域阻止フィルタは中空導波管１Ａ上に３つの導波管型共振器３Ａが結合されて形成され、中空導波管１Ａの導波管型共振器３Ａが形成された部分には結合用スリット２Ａがそれぞれ形成されている。入出力端４Ａは外部回路へ繋がる入出力端を示す。

中空導波管１Ａは、入出力端４Ａ間を接続する回路の主線路を構成している。結合用スリット２Ａは、中空導波管１Ａの上壁面の数箇所に開けた長方形の孔で、通過帯域の中心周波数ｆcにおける管内波長をλg,cとして約３λg,c／４間隔で中空導波管１Ａの線路方向に沿って配置されている。導波管型共振器３Ａは、阻止帯域の中心周波数ｆrにおける管内波長をλg,rとして、約λg,r／２の線路長を有する先端短絡型導波管であって、各導波管型共振器３Ａは結合用スリット２Ａを介して中空導波管１Ａと結合している。

次に図２２を参照して、従来の導波管型帯域阻止フィルタの動作について説明する。図２２は図２１の等価回路で、６Ａは伝送線路、５Ａは直列接続された並列共振回路、４Ａは入出力端を示す。伝送線路６Ａは、約３λg,c／４の線路長を有し、図２１の中空導波管１Ａの一部に相当する。直列接続された並列共振回路５Ａは、阻止帯域の中心周波数ｆrにおいて並列共振し、図２１の導波管型共振器３Ａに相当する。

まず、周波数ｆrの信号が入出力端４Ａ間を伝播する場合を考えると、周波数ｆrにおいて直列接続された並列共振回路５Ａが共振するため、周波数ｆrの信号は入出力端４Ａ間を伝播中に減衰する。一方、周波数ｆcの信号が入出力端４Ａ間を伝播する場合を考えると、直列接続された並列共振器(回路)５Ａの各接続点において、反射された信号と伝播する信号の位相差が丁度１８０°となって反射損失が小さくなるため、入出力端４Ａ間をほぼ減衰せず伝播する。すなわち、図２３に示すように、周波数ｆc周辺を通過帯域とし、周波数ｆr周辺を阻止帯域とする帯域阻止フィルタの周波数特性を得ることができる。なお下記特許文献１には、この種の導波管型帯域阻止フィルタが開示されている。

特開平１１−２７４８１７号公報

従来の導波管型帯域阻止フィルタでは、図２１に示したように、中空導波管と導波管型共振器を用いて構成しているため、寸法が大きくなり小形化が困難であるという課題があった。また、結合用スリットの加工や組み立てに手間とコストがかかるため、量産化と低コスト化に不向きであった。

この発明は、従来の導波管型帯域阻止フィルタと比べ、簡易な構造で小形な導波管型帯域阻止フィルタを得ることを目的とする。

この発明は、中空導波管と、阻止帯域の中心周波数にて共振する複数の共振回路をそれぞれに具備した少なくとも１つの誘電体基板とを備え、前記各誘電体基板は、それぞれ前記中空導波管の異なる内壁面に貼り付けられ、前記複数の共振回路が、前記中空導波管の線路方向に、通過帯域の中心周波数における約１／４管内波長の奇数倍の間隔で配置され、前記誘電体基板の各共振回路が、前記誘電体基板と、前記誘電体基板の表面に形成された導電性の金属層と、前記誘電体基板の前記中空導波管側の面とこれの対向面の間で前記金属層を互いに接続する複数のスルーホールと、前記金属層の一部が取り除かれた箇所からなる結合用スリットとで、阻止帯域の中心周波数にて共振する閉空間であるポスト壁キャビティを構成したものからなることを特徴とする導波管型帯域阻止フィルタ等にある。

この発明では、従来と比べ、簡易な構造で小形な導波管型帯域阻止フィルタを提供できる。

実施の形態１．
図１〜３を用いてこの発明の実施の形態１による導波管型帯域阻止フィルタの構成を説明する。図１は導波管型帯域阻止フィルタ全体の斜視図、図２は図１の誘電体基板の斜視図、図３は図１の破線Ａで示す断面における断面図である。図１〜３において、導波管型帯域阻止フィルタは、中空導波管１、誘電体基板２、結合用スリット３、スルーホール４、阻止帯域の中心周波数において共振する閉空間であるポスト壁共振キャビティ５、入出力端６を有する。中空導波管１は、導電性金属により構成された一般的な導波管である。誘電体基板２は、表面を導電性の金属でメタライズ(表面全体に薄い金属層２ａを形成)し、導電性接着剤等の接着手段(図示省略)により片側平面(中空導波管側の面)を接着面として中空導波管１の内壁下面に貼り付けられている。

結合用スリット３は、誘電体基板２の接着面と対向する面をメタライズしている金属層２ａの一部を取り除いた部分で、通過帯域の中心周波数ｆcにおける管内波長をλg,cとして約３λg,c／４間隔で中空導波管１の線路方向に沿って配置されている。短絡手段であるスルーホール４は、誘電体基板２の接着面と接着面に対向する面(おもて面)とを電気的に接続しており(実際には接着面と接着面に対向するおもて面のそれぞれの金属層の間の電気的接続)、中空導波管１の線路方向と直交する方向に直線状に配置したスルーホール４の列が、阻止帯域の中心周波数ｆrにおける誘電体基板２内での波長をλrとして、約λr／４の距離をおいて各結合用スリット３を挟むように(各結合用スリット３の両側に)配置されている。ポスト壁共振キャビティ５は、誘電体基板２と金属層２ａと結合用スリット３とスルーホール４にて構成され、阻止帯域の中心周波数ｆrにおいて共振する。結合用スリット３はスルーホール４の列と誘電体基板２の線路方向に沿った両面側の金属層２ａで囲まれている。なお、スルーホール４の列を結合用スリット３の周囲の線路方向と直交する方向のみならず線路方向の両側にも設けて結合用スリット３を囲むようにすれば、誘電体基板２の側面の金属層２ａは不要となる。入出力端６は、外部回路へ繋がるとともに信号が入力及び出力される箇所である。

次に図４を参照して、この実施の形態による導波管型帯域阻止フィルタの動作について説明する。図４は図１で示したこの実施の形態による導波管型帯域阻止フィルタの等価回路で、７は伝送線路、８は直列接続された並列共振回路、６は入出力端を示す。伝送線路７はそれぞれ、約３λg,c／４の線路長を有し、図１の中空導波管１に相当する。直列接続された並列共振回路８は、阻止帯域の中心周波数ｆrにおいて共振し、図１のポスト壁共振キャビティ５に相当する。

まず、周波数ｆrの信号が入出力端６間を伝播する場合を考えると、周波数ｆrにおいて直列接続された並列共振回路８が共振するため、周波数ｆrの信号は入出力端６間を伝播中に減衰する。一方、周波数ｆcの信号が入出力端６間を伝播する場合を考えると、直列接続された並列共振回路(共振器)８の各接続点において、反射された信号と伝播する信号の位相差が丁度１８０°となって反射損失が小さくなるため、入出力端６間をほぼ減衰せず伝播する。すなわち、図２３に示した従来の導波管型帯域阻止フィルタの周波数特性と同様に、周波数ｆc周辺を通過帯域とし、周波数ｆr周辺を阻止帯域とする帯域阻止フィルタの周波数特性を得ることができる。

なお、この実施の形態では、図１において結合用スリット３を通過帯域の中心周波数ｆcにおける管内波長をλg,cとして約３λg,c／４間隔で中空導波管１の線路方向に沿って配置しているが、この間隔をλg,c／４の奇数倍としても、間隔を約３λg,c／４とした場合と同様の理由で、周波数ｆcの信号の減衰が抑えられるため、この実施の形態と同様の効果が得られる。

また、この実施の形態では、図１においてポスト壁共振キャビティ５を３つ適用しているが、適用するポスト壁共振キャビティ５の数を３つに限定しないことで、小形化や阻止帯域における減衰量増加を図ることができる。

すなわち、この実施の形態により、図２１に示した従来の導波管型帯域阻止フィルタよりも簡易な構造で導波管型帯域阻止フィルタの実現が可能となる。また、阻止帯域における共振構造を誘電体基板に構成し、その誘電体基板を中空導波管内に配置しているので、寸法が中空導波管よりも大きくなることはなく、従来の導波管型帯域阻止フィルタよりも小形化が可能となる。

実施の形態２．
図５〜７を用いてこの発明の実施の形態２による導波管型帯域阻止フィルタの構成を説明する。図５は導波管型帯域阻止フィルタ全体の斜視図、図６は図５の２枚の誘電体基板の斜視図、図７は図５の破線Ａで示す断面における断面図である。図５〜７において上記実施の形態と同一もしくは相当部分は同一符号で示し、詳細な説明は省略する(以下同様)。この実施の形態では、実施の形態１による導波管型帯域阻止フィルタにおいて、図２に示したものと同一構造を有する誘電体基板２が、導電性接着剤等の接着手段により片側平面を接着面として中空導波管１の内壁上下面にそれぞれ１枚ずつ、互いにおもて面が対向して、対称となるように貼り付けられている。

次に、図８の導波管型帯域阻止フィルタの等価回路を参照して動作について説明する。図８において、７は伝送線路、８は直列接続された並列共振回路、６は入出力端を示す。伝送線路７は、約３λg,c／４の線路長を有し、図５の中空導波管１に相当する。直列接続された並列共振回路８は、阻止帯域の中心周波数ｆcにおいて共振し、図５のポスト壁共振キャビティ５に相当する。

すなわち、図８は、図４で示した実施の形態１の導波管型帯域阻止フィルタの等価回路において、各直列接続された並列共振回路８の接続点に、新たな直列接続された並列共振回路８をそれぞれ追加接続して構成している。この回路構成により、図８の回路は実施の形態１で説明した図４の回路と同様の動作が可能となり、図２３に示した従来の導波管型帯域阻止フィルタの周波数特性と同様に、周波数ｆc周辺を通過帯域とし、周波数ｆr周辺を阻止帯域とする帯域阻止フィルタの周波数特性を得ることができる。また、一般に、帯域阻止フィルタにおいて、阻止帯域で共振する共振器の構成が同じ場合、共振器の数が多い方が阻止帯域における減衰量が増加するため、この実施の形態による導波管型帯域阻止フィルタは、実施の形態１で説明した導波管型帯域阻止フィルタよりも、阻止帯域において高い減衰量を実現することができる。

なお、この実施の形態では、図５において結合用スリット３を通過帯域の中心周波数ｆcにおける管内波長をλg,cとして約３λg,c／４間隔で中空導波管１の線路方向に沿って配置しているが、この間隔をλg,c／４の奇数倍としても、間隔を約３λg,c／４とした場合と同様の理由で周波数ｆcの信号の減衰が抑えられるため、この実施の形態と同様の効果が得られる。

また、この実施の形態では、図５においてポスト壁共振キャビティ５を６つ適用しているが、適用するポスト壁共振キャビティ５の数を６つに限定しないことで、小形化や阻止帯域における減衰量増加を図ることができる。

すなわち、この実施の形態により、実施の形態１で説明した導波管型帯域阻止フィルタと同様の効果が得られ、且つ、実施の形態１で説明した導波管型帯域阻止フィルタよりも阻止帯域においてより高い減衰量を実現することができる。

実施の形態３．
図９〜１１を用いてこの発明の実施の形態３による導波管型帯域阻止フィルタの構成を説明する。図９は導波管型帯域阻止フィルタ全体の斜視図、図１０は図９の誘電体基板の斜視図、図１１は図９の破線Ａで示す断面における断面図である。図９〜１１において、１０は誘電体基板、１１はストリップ導体、１２は先端短絡型マイクロストリップ共振器を示す。中空導波管１は、導電性金属により構成された一般的な導波管である。誘電体基板１０は、導電性接着剤２ｂ等の接着手段により片側平面(中空導波管側の面)を接着面として中空導波管１の内壁側面の片面に貼り付けられている。

ストリップ導体１１は、誘電体基板１０の接着面と対向する面(おもて面)に配置され、中空導波管１の線路方向と直交する方向に、阻止帯域の中心周波数ｆrにおける誘電体基板１０上での波長をλrとして、約λr／４の線路長を有しており、通過帯域の中心周波数ｆcにおける管内波長をλg,cとして約３λg,c／４間隔で中空導波管１の線路方向に沿って配置されている。スルーホール４は、ストリップ導体１１の片端(うら面)と誘電体基板１０の接着面の導電性接着剤２ｂ又は直接、中空導波管１の内壁とを電気的に接続するよう配置されている。先端短絡型マイクロストリップ共振器１２は、誘電体基板１０とストリップ導体１１とスルーホール４にて構成され、阻止帯域の中心周波数ｆrにおいて共振する。入出力端６は、外部回路へと繋がるとともに信号が入力及び出力される箇所である。

この実施の形態では、阻止帯域の中心周波数ｆrにおいて共振する先端短絡型マイクロストリップ共振器１２が、通過帯域の中心周波数ｆcにおける管内波長をλg,cとして約３λg,c／４間隔で中空導波管１の線路方向に沿って配置されているので、図９の等価回路は、実施の形態１で説明した図４の回路と等しくなる。すなわち、実施の形態１で説明した回路と同じく、周波数ｆc周辺を通過帯域とし、周波数ｆr周辺を阻止帯域とする、図２３で示した帯域阻止フィルタの周波数特性を得ることができる。

なお、この実施の形態では、阻止帯域で共振する共振構造として、ポスト壁共振キャビティよりもスルーホールの数が少なく簡易な構造である先端短絡型マイクロストリップ共振器を適用しているので、ポスト壁共振キャビティを適用している実施の形態１による導波管型帯域阻止フィルタよりも実現が容易である。

また、この実施の形態では、図９においてストリップ導体１１を通過帯域の中心周波数ｆcにおける管内波長をλg,cとして約３λg,c／４間隔で中空導波管１の線路方向に沿って配置しているが、この間隔をλg,c／４の奇数倍としても、間隔を約３λg,c／４とした場合と同様の理由で周波数ｆcの信号の減衰が抑えられるため、この実施の形態と同様の効果が得られる。

また、この実施の形態では、図９において先端短絡型マイクロストリップ共振器１２を３つ適用しているが、適用する先端短絡型マイクロストリップ共振器１２の数を３つに限定しないことで、小形化や阻止帯域における減衰量増加を図ることができる。

すなわち、この実施の形態により、阻止帯域において共振する共振構造としてポスト壁キャビティを用いる場合よりも簡易な構造で、図２１に示した従来の導波管型帯域阻止フィルタよりも小形な導波管型帯域阻止フィルタを得ることができる。

実施の形態４．
図１２〜１４を用いてこの発明の実施の形態４による導波管型帯域阻止フィルタの構成を説明する。図１２は導波管型帯域阻止フィルタ全体の斜視図、図１３は図１２の２枚の誘電体基板の斜視図、図１４は図１２の破線Ａで示す断面における断面図である。図１２〜１４において上記実施の形態と同一もしくは相当部分は同一符号で示す(以下同様)。この実施の形態では、実施の形態３による導波管型帯域阻止フィルタにおいて、図１０で示したものと同一構造を有する誘電体基板１０が、導電性接着剤２ｂ等の接着手段により片側平面を接着面として中空導波管１の左右の内壁側面にそれぞれ１枚ずつ、互いにおもて面が対向して、対称となるように貼り付けられている。

この実施の形態では、阻止帯域の中心周波数ｆcにおいて共振する先端短絡型マイクロストリップ共振器１２が、通過帯域の中心周波数ｆcにおける管内波長をλg,cとして約３λg,c／４間隔で中空導波管１の線路方向に沿って中空導波管１の両側壁面に配置されているので、図１２の等価回路は、実施の形態２で説明した図８の回路と等しくなる。すなわち、実施の形態２で説明した回路と同じく、周波数ｆc周辺を通過帯域とし、周波数ｆr周辺を阻止帯域とする、図２３で示した帯域阻止フィルタの周波数特性を得ることができる。また、一般に、帯域阻止フィルタにおいて、阻止帯域で共振する共振器の構成が同じ場合、共振器の数が多い方が阻止帯域における減衰量が増加するため、この実施の形態による導波管型帯域阻止フィルタは、実施の形態３で説明した導波管型帯域阻止フィルタよりも、阻止帯域において高い減衰量を実現することができる。

なお、この実施の形態では、図１１において先端短絡型マイクロストリップ共振器１２を通過帯域の中心周波数ｆcにおける管内波長をλg,cとして約３λg,c／４間隔で中空導波管１の線路方向に沿って配置しているが、この間隔をλg,c／４の奇数倍としても、間隔を約３λg,c／４とした場合と同様の理由で周波数ｆcの信号の減衰が抑えられるため、この実施の形態と同様の効果が得られる。

また、この実施の形態では、図１１において先端短絡型マイクロストリップ共振器１２を６つ適用しているが、適用する先端短絡型マイクロストリップ共振器１２の数を６つに限定しないことで、小形化や阻止帯域における減衰量増加を図ることができる。

すなわち、この実施の形態により、実施の形態３で説明した導波管型帯域阻止フィルタと同様の効果が得られ、且つ、実施の形態３で説明した導波管型帯域阻止フィルタよりも、阻止帯域においてより高い減衰量を実現することができる。

実施の形態５．
図１５〜１７を用いてこの発明の実施の形態５による導波管型帯域阻止フィルタの構成を説明する。図１５は導波管型帯域阻止フィルタ全体の斜視図、図１６は図１５の誘電体基板の斜視図、図１７は図１５の破線Ａで示す断面における断面図である。図１５〜１７において、1３は両端開放型マイクロストリップ共振器を示す。誘電体基板１０は、導電性接着剤２ｂ等の接着手段により片側平面(中空導波管側の面)を接着面として中空導波管１の内壁側面の片面に貼り付けられている。

ストリップ導体１１は、誘電体基板１０の接着面と対向する面(おもて面)に配置され、中空導波管１の線路方向と直交する方向に、阻止帯域の中心周波数ｆrにおける誘電体基板１０上での波長をλrとして、約λr／２の線路長を有しており、通過帯域の中心周波数ｆcにおける管内波長をλg,cとして約３λg,c／４間隔で中空導波管１の線路方向に沿って配置されている。両端開放型マイクロストリップ共振器１３は、誘電体基板１０とストリップ導体１１にて構成され、阻止帯域の中心周波数ｆrにおいて共振する。入出力端６は、外部回路へと繋がるとともに信号が入力及び出力される箇所である。

この実施の形態では、阻止帯域の中心周波数ｆrにおいて共振する両端開放型マイクロストリップ共振器１３が、通過帯域の中心周波数ｆcにおける管内波長をλg,cとして約３λg,c／４間隔で中空導波管１の線路方向に沿って配置されているので、図１５の等価回路は、実施の形態１で説明した図４の回路と等しくなる。すなわち、実施の形態１で説明した回路と同じく、周波数ｆc周辺を通過帯域とし、周波数ｆr周辺を阻止帯域とする、図２３で示した帯域阻止フィルタの周波数特性を得ることができる。

なお、この実施の形態では、阻止帯域で共振する共振構造として、スルーホールを必要としない両端開放型マイクロストリップ共振器を適用しているので、スルーホールを必要とする実施の形態１〜４の導波管型帯域阻止フィルタよりも実現が容易である。

また、この実施の形態では、図１５においてストリップ導体１１を通過帯域の中心周波数ｆcにおける管内波長をλg,cとして約３λg,c／４間隔で中空導波管１の線路方向に沿って配置しているが、この間隔をλg,c／４の奇数倍としても、間隔を約３λg,c／４とした場合と同様の理由で周波数ｆcの信号の減衰が抑えられるため、この実施の形態と同様の効果が得られる。

また、この実施の形態では、図１５において両端開放型マイクロストリップ共振器１３を３つ適用しているが、適用する両端開放型マイクロストリップ共振器１３の数を３つに限定しないことで、小形化や阻止帯域における減衰量増加を図ることができる。

すなわち、この実施の形態により、実施の形態１〜４で説明した導波管型帯域阻止フィルタよりも更に簡易な構造で、図２１に示した従来の導波管型帯域阻止フィルタよりも小形な導波管型帯域阻止フィルタを得ることができる。

実施の形態６．
図１８〜２０を用いてこの発明の実施の形態６による導波管型帯域阻止フィルタの構成を説明する。図１８は導波管型帯域阻止フィルタ全体の斜視図、図１９は図１８の２枚の誘電体基板の斜視図、図２０は図１８の破線Ａで示す断面における断面図である。図１８〜２０において上記実施の形態と同一もしくは相当部分は同一符号で示す(以下同様)。この実施の形態では、実施の形態５による導波管型帯域阻止フィルタにおいて、図１６で示したものと同一構造を有する誘電体基板１０が、導電性接着剤２ｂ等の接着手段により片側平面を接着面として中空導波管１の左右の内壁側面にそれぞれ１枚ずつ、互いにおもて面が対向して、対称となるように貼り付けられている。

この実施の形態では、阻止帯域の中心周波数ｆrにおいて共振する両端開放型マイクロストリップ共振器１３が、通過帯域の中心周波数ｆcにおける管内波長をλg,cとして約３λg,c／４間隔で中空導波管１の線路方向に沿って中空導波管１の両側壁面に配置されているので、図１８の等価回路は、実施の形態２で説明した図８の回路と等しくなる。すなわち、実施の形態２で説明した回路と同じく、周波数ｆc周辺を通過帯域とし、周波数ｆr周辺を阻止帯域とする、図２３で示した帯域阻止フィルタの周波数特性を得ることができる。また、一般に、帯域阻止フィルタにおいて、阻止帯域で共振する共振器の構成が同じ場合、共振器の数が多い方が阻止帯域における減衰量が増加するため、この実施の形態による導波管型帯域阻止フィルタは、実施の形態５で説明した導波管型帯域阻止フィルタよりも、阻止帯域において高い減衰量を実現することができる。

なお、この実施の形態では、図１８において両端開放型マイクロストリップ共振器１３を通過帯域の中心周波数ｆcにおける管内波長をλg,cとして約３λg,c／４間隔で中空導波管１の線路方向に沿って配置しているが、この間隔をλg,c／４の奇数倍としても、間隔を約３λg,c／４とした場合と同様の理由で周波数ｆcの信号の減衰が抑えられるため、この実施の形態と同様の効果が得られる。

また、この実施の形態では、図１８において両端開放型マイクロストリップ共振器１３を６つ適用しているが、適用する両端開放型マイクロストリップ共振器１３の数を６つに限定しないことで、小形化や阻止帯域における減衰量増加を図ることができる。

すなわち、この実施の形態により、実施の形態５で説明した導波管型帯域阻止フィルタと同様の効果が得られ、且つ、実施の形態５で説明した導波管型帯域阻止フィルタよりも、阻止帯域においてより高い減衰量を実現することができる。

なお、上述の実施の形態５、６の誘電体基板１０のおもて面に形成されるストリップ導体１１の形状は、円形、方形(矩形)、リング形等としてもよい。

この発明の実施の形態１による導波管型帯域阻止フィルタの構成を示す斜視図である。 図１の導波管型帯域阻止フィルタの誘電体基板の斜視図である。 図１の破線Ａで示す断面における断面図である。 図１の導波管型帯域阻止フィルタの等価回路図である。 この発明の実施の形態２による導波管型帯域阻止フィルタの構成を示す斜視図である。 図５の導波管型帯域阻止フィルタの誘電体基板の斜視図である。 図５の破線Ａで示す断面における断面図である。 図５の導波管型帯域阻止フィルタの等価回路図である。 この発明の実施の形態３による導波管型帯域阻止フィルタの構成を示す斜視図である。 図９の導波管型帯域阻止フィルタの誘電体基板の斜視図である。 図９の破線Ａで示す断面における断面図である。 この発明の実施の形態４による導波管型帯域阻止フィルタの構成を示す斜視図である。 図１２の導波管型帯域阻止フィルタの誘電体基板の斜視図である。 図１２の破線Ａで示す断面における断面図である。 この発明の実施の形態５による導波管型帯域阻止フィルタの構成を示す斜視図である。 図１５の導波管型帯域阻止フィルタの誘電体基板の斜視図である。 図１５の破線Ａで示す断面における断面図である。 この発明の実施の形態６による導波管型帯域阻止フィルタの構成を示す斜視図である。 図１８の導波管型帯域阻止フィルタの誘電体基板の斜視図である。 図１８の破線Ａで示す断面における断面図である。 従来の導波管型帯域阻止フィルタの構成を示す斜視図である。 従来の導波管型帯域阻止フィルタの等価回路である。 従来の導波管型帯域阻止フィルタの周波数特性図である。

符号の説明

１ 中空導波管、２、１０ 誘電体基板、２ａ 金属層、２ｂ 導電性接着剤、３ 結合用スリット、４ スルーホール、５ ポスト壁共振キャビティ、６ 入出力端、７ 伝送線路、８ 直列接続された並列共振回路、１１ ストリップ導体、１２ 先端短絡型マイクロストリップ共振器、１３ 両端開放型マイクロストリップ共振器。

Claims (6)

1. 中空導波管と、阻止帯域の中心周波数にて共振する複数の共振回路をそれぞれに具備した少なくとも１つの誘電体基板とを備え、
   前記各誘電体基板は、それぞれ前記中空導波管の異なる内壁面に貼り付けられ、前記複数の共振回路が、前記中空導波管の線路方向に、通過帯域の中心周波数における約１／４管内波長の奇数倍の間隔で配置され、
   前記誘電体基板の各共振回路が、前記誘電体基板と、前記誘電体基板の表面に形成された導電性の金属層と、前記誘電体基板の前記中空導波管側の面とこれの対向面の間で前記金属層を互いに接続する複数のスルーホールと、前記金属層の一部が取り除かれた箇所からなる結合用スリットとで、阻止帯域の中心周波数にて共振する閉空間であるポスト壁キャビティを構成したものからなることを特徴とする導波管型帯域阻止フィルタ。
2. 前記各共振回路において、前記中空導波管の線路方向と直交する方向に直線状に配置した前記スルーホールの列が、前記結合用スリットと約λr／４の距離(λr：阻止帯域の中心周波数における前記誘電体基板内での波長)をおいて前記結合用スリットを挟むように両側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の導波管型帯域阻止フィルタ。
3. 中空導波管と、阻止帯域の中心周波数にて共振する複数の共振回路をそれぞれに具備した少なくとも１つの誘電体基板とを備え、
   前記各誘電体基板は、それぞれ前記中空導波管の異なる内壁面に貼り付けられ、前記複数の共振回路が、前記中空導波管の線路方向に、通過帯域の中心周波数における約１／４管内波長の奇数倍の間隔で配置され、
   前記誘電体基板の各共振回路が、前記誘電体基板と、前記誘電体基板の前記中空導波管側の面と対向するおもて面に配置したストリップ導体と、前記誘電体基板を貫通して前記中空導波管側と前記ストリップ導体とを互いに接続する短絡手段とで、阻止帯域の中心周波数にて共振する先端短絡型マイクロストリップ共振器を構成したものからなることを特徴とする導波管型帯域阻止フィルタ。
4. 前記中空導波管が線路方向と直交する断面が長方形であり、前記誘電体基板が前記中空導波管の幅の狭い方の内壁面に貼り付けられていることを特徴とする請求項３に記載の導波管型帯域阻止フィルタ。
5. 中空導波管と、阻止帯域の中心周波数にて共振する複数の共振回路をそれぞれに具備した少なくとも１つの誘電体基板とを備え、
   前記各誘電体基板は、それぞれ前記中空導波管の異なる内壁面に貼り付けられ、前記複数の共振回路が、前記中空導波管の線路方向に、通過帯域の中心周波数における約１／４管内波長の奇数倍の間隔で配置され、
   前記誘電体基板の各共振回路が、前記誘電体基板と、前記誘電体基板の前記中空導波管側の面と対向するおもて面に配置したストリップ導体とで、阻止帯域の中心周波数にて共振する両端開放型マイクロストリップ共振器を構成したものからなり、
   前記中空導波管が線路方向と直交する断面が長方形であり、前記誘電体基板が前記中空導波管の幅の狭い方の内壁面に貼り付けられていることを特徴とする導波管型帯域阻止フィルタ。
6. 前記ストリップ導体の形状が、円形、方形、リング形のいずれか１つからなることを特徴とする請求項５に記載の導波管型帯域阻止フィルタ。

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