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JP4959457B2 - 基板搬送モジュール及び基板処理システム - Google Patents

基板搬送モジュール及び基板処理システム Download PDF

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Description

本発明は、基板搬送モジュール及び基板処理システムに関し、特に、基板を搬送する基板搬送装置を備える基板搬送モジュールに関する。
基板としての半導体デバイス用のウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）に所望の処理を施す基板処理システムが知られている。該基板処理システムは、ウエハを収容して該ウエハに所望の処理を施すプロセスモジュールと、該プロセスモジュールに接続されてプロセスモジュールへのウエハの搬出入を行うロードロックモジュールと、複数のウエハを収容するフープ（Front Opening Unified Pod）及びロードロックモジュールの間においてウエハを搬送するローダーモジュール（基板搬送モジュール）とを備える。
基板処理システムでは、ローダーモジュールはウエハを収容する搬送室を有し、プロセスモジュール、ロードロックモジュール及びローダーモジュールの搬送室は、この順に接続される。ここで、プロセスモジュール内の圧力はほぼ真空に維持されるが、ロードロックモジュールは、内部の圧力をほぼ真空及び大気圧に切り換えることができるため、ローダーモジュールの搬送室内の圧力はほぼ大気圧に維持される。
ローダーモジュールにおけるウエハの搬送は、搬送室内に配置された搬送アームによって行われる。また、ローダーモジュールの搬送室内では一方向流（例えば、下方流）がローダーモジュールに設けられたファンフィルタユニット（Fan Filter Unit）によって形成される 。ファンフィルタユニットはローダーモジュールの搬送室内へ外部雰囲気を導入するが、このとき内蔵するフィルタによって外部雰囲気中の塵芥を除去する。これにより、ローダーモジュールの搬送室内において、パーティクルの原因となる塵芥の巻き上げを防止する。
さらに、近年、特にウエハへのパーティクルの付着防止を確実に行うことが求められているため、搬送アームに取り付けられて該搬送アームが保持するウエハの上方を覆う防塵カバーが開発されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００２−１００７８６号公報
しかしながら、近年、基板に施す処理が多様化し、処理ガスとして腐食性ガス（例えば、臭素ガス、塩素ガス、フッ素ガス）が用いられるようになっている。このとき、プロセスモジュール内で処理が施されたウエハに腐食性ガスが凝縮又は凝固して付着し、該ウエハがローダーモジュールへ搬送された際に腐食性ガスが気化（アウトガス）することがある。上述した防塵カバーはウエハの上方を覆うのみなので、気化した腐食性ガスの拡散を防止することができず、ローダーモジュール内の構成部品が腐食するという問題がある。
近年、ウエハにおいてエッチングによって形成される溝等が微細化しているため、付着を防止すべきパーティクルも微細化（例えば、数１０ｎｍ）しているが、ファンフィルタユニットは数１０ｎｍのパーティクルを除去することができない。また、搬送アームはプロセスモジュールに隣接するロードロックモジュールに進入するため、処理ガスから生成された反応生成物が搬送アームに付着することがある。この反応生成物はローダーモジュールの搬送室内において剥離してパーティクルとなる。さらに、搬送アームにおけるウエハとの接触部、例えば、ピックの一部がウエハとの接触により剥離してパーティクルとなる。すなわち、搬送室内には除去すべきパーティクルが多数存在している。ここで、搬送室の容積は大きいため、搬送室内のパーティクルを全て除去するのは困難であり、また、上述した防塵カバーだけではパーティクルのウエハへの付着を確実に防止することができない。
将来、ウエハがさらに大口径化（例えば、φ４５０ｍｍ）することは確実であり、これに応じてローダーモジュールの搬送室も大型化する。このとき、塵芥を除去すべき搬送室の容積も増大するため、塵芥除去能力維持のためにファンフィルタユニットの処理能力を向上する必要があるなど、ローダーモジュールの高性能化を行う必要がある。これに伴い、ローダーモジュールの構成部品が大型化することがあり、結果として、ローダーモジュールのコストアップ、大型化を招く虞がある。
本発明の目的は、構成部品の腐食、パーティクルの基板への付着、並びに、基板搬送モジュールのコストアップ及び大型化を防止することができる基板搬送モジュール及び基板処理システムを提供することにある。
上記目的を達成するために、請求項１記載の基板搬送モジュールは、基板に所望の処理を施す基板処理モジュールと連接され、前記基板を搬送する基板搬送装置及び該基板搬送装置を収容する搬送室を備え、該搬送室内は外部雰囲気から隔絶され、前記基板搬送装置は前記基板を保持する保持部及び該保持部を移動させる移動部を有する、基板搬送モジュールにおいて、少なくとも前記保持部に保持された前記基板から気化する腐食性ガスの前記搬送室の内部雰囲気への拡散を防止する隔絶装置であって、前記外部雰囲気から隔絶される前記搬送室内に、該搬送室の内部雰囲気から前記基板を隔絶する隔絶装置を備えることを特徴とする。
請求項２記載の基板搬送モジュールは、請求項１記載の基板搬送モジュールにおいて、前記隔絶装置は少なくとも前記保持部及び該保持部に保持された前記基板の周囲を囲むエンバイロメントユニットであることを特徴とする。
請求項３記載の基板搬送モジュールは、請求項２記載の基板搬送モジュールにおいて、前記エンバイロメントユニットは耐食性樹脂からなることを特徴とする。
請求項４記載の基板搬送モジュールは、請求項２又は３記載の基板搬送モジュールにおいて、前記エンバイロメントユニットは分離可能な複数のパーツからなり、該複数のパーツが分離したときに前記保持部及び該保持部に保持された前記基板を露出させることを特徴とする。また、請求項５記載の基板搬送モジュールは、請求項４記載の基板搬送モジュールにおいて、前記複数のパーツが分離する分離時間は、極力短くなるように制御されることを特徴とする。
請求項６記載の基板搬送モジュールは、請求項２又は３記載の基板搬送モジュールにおいて、前記エンバイロメントユニットは開口部及び該開口部を開閉自在な扉部を有し、該扉部が前記開口部を開口させたときに前記保持部及び該保持部に保持された前記基板を露出させることを特徴とする。また、請求項７記載の基板搬送モジュールは、請求項６記載の基板搬送モジュールにおいて、前記開口部の開口時間は、極力短くなるように制御されることを特徴とする。
請求項８記載の基板搬送モジュールは、請求項２乃至７のいずれか１項に記載の基板搬送モジュールにおいて、前記エンバイロメントユニットは、該エンバイロメントユニットの内部にパージガスを導入するパージガス導入部と、前記内部を排気する排気部とを有することを特徴とする。
請求項９記載の基板搬送モジュールは、請求項８記載の基板搬送モジュールにおいて、前記エンバイロメントユニットは、少なくとも前記保持部に向けて洗浄物質を吹き付ける洗浄装置を有することを特徴とする。
請求項１０記載の基板搬送モジュールは、請求項９記載の基板搬送モジュールにおいて、前記洗浄物質は、不活性ガス、並びに、不活性ガス及び液体のエアロゾルからなる群から選択される１つであることを特徴とする。
請求項１１記載の基板搬送モジュールは、請求項９又は１０記載の基板搬送モジュールにおいて、前記洗浄装置は前記保持部を走査することを特徴とする。
請求項１２記載の基板搬送モジュールは、請求項１１記載の基板搬送モジュールにおいて、前記洗浄装置は前記移動部まで走査することを特徴とする。
請求項１３記載の基板搬送モジュールは、請求項９又は１０記載の基板搬送モジュールにおいて、前記洗浄装置は少なくとも前記保持部に対向する、複数の吹き出し口を有するシャワーヘッドからなることを特徴とする。
請求項１４記載の基板搬送モジュールは、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の基板搬送モジュールにおいて、前記搬送室に外部雰囲気を導入する外部雰囲気導入装置を備え、該外部雰囲気導入装置は前記導入される外部雰囲気に混在しているパーティクルを帯電させて所定の極性の電位を発生させるパーティクル帯電部を有し、前記保持部は前記基板の表面に前記所定の極性と同じ極性の電位を発生させる電位発生部を有することを特徴とする。
請求項１５記載の基板搬送モジュールは、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の基板搬送モジュールにおいて、前記隔絶装置は、該隔絶装置が隔絶する空間に前記搬送室の内部雰囲気を導入する室内雰囲気導入装置を有し、該室内雰囲気導入装置は前記導入される室内雰囲気に混在しているパーティクルを帯電させて所定の極性の電位を発生させるパーティクル帯電部を有し、前記保持部は前記基板の表面に前記所定の極性と同じ極性の電位を発生させる電位発生部を有することを特徴とする。
請求項１６記載の基板搬送モジュールは、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の基板搬送モジュールにおいて、前記搬送室に外部雰囲気を導入する外部雰囲気導入装置と、前記基板処理モジュール又は前記基板を収容し且つ前記搬送室に接続される基板収容器へ搬出入される前記基板を帯電させる基板帯電装置とを備え、前記外部雰囲気導入装置は導入される前記外部雰囲気に混在しているパーティクルを帯電させて所定の極性の電位を発生させるパーティクル帯電部を有し、前記基板帯電装置は前記基板を帯電させて前記所定の極性と同じ極性の電位を発生させることを特徴とする。
請求項１７記載の基板搬送モジュールは、請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の基板搬送モジュールにおいて、前記隔絶装置の内部において前記保持部に保持された前記基板の周縁部に向けてレーザ光を照射するとともに反応性ガスを供給する周縁生成物除去装置を備えることを特徴とする。
請求項１８記載の基板搬送モジュールは、請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の基板搬送モジュールにおいて、前記隔絶装置の内面は光触媒で覆われることを特徴とする。
請求項１９記載の基板搬送モジュールは、請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の基板搬送モジュールにおいて、前記隔絶装置は、該隔絶装置を帯電させて所定の極性の電位を発生させる電位発生装置を有することを特徴とする。
請求項２０記載の基板搬送モジュールは、請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の基板搬送モジュールにおいて、前記隔絶装置は、該隔絶装置を振動させる振動発生装置を有
することを特徴とする。
請求項２１記載の基板搬送モジュールは、請求項１乃至２０のいずれか１項に記載の基板搬送モジュールにおいて、前記隔絶装置は、該隔絶装置の内部に配置され且つ該内部に収容された前記基板の位置を調整する位置調整部を有することを特徴とする。
請求項２２記載の基板搬送モジュールは、請求項１乃至２１のいずれか１項に記載の基板搬送モジュールにおいて、前記隔絶装置の内部に暴露されて配置され且つ前記内部の雰囲気より温度が低い低温装置を備えることを特徴とする。
請求項２３記載の基板搬送モジュールは、請求項１乃至２２のいずれか１項に記載の基板搬送モジュールにおいて、前記隔絶装置の内部において前記保持部に保持された前記基板を加熱する加熱装置を備えることを特徴とする。
請求項２４記載の基板搬送モジュールは、請求項１乃至２３のいずれか１項に記載の基板搬送モジュールにおいて、複数の前記基板搬送装置と、各前記基板搬送装置に対応する複数の前記隔絶装置とを備えることを特徴とする。
上記目的を達成するために、請求項２５記載の基板処理システムは、基板に所望の処理
を施す基板処理モジュールと、前記基板を収容する基板収容器と、前記基板処理モジュー
ル及び前記基板収容器に連接されて前記基板を搬出入する基板搬送モジュールとを備え、
前記基板搬送モジュールは、前記基板を搬送する基板搬送装置及び該基板搬送装置を収容
する搬送室を備え、該搬送室内は外部雰囲気から隔絶され、前記基板搬送装置は前記基板
を保持する保持部及び該保持部を移動させる移動部を有する基板処理システムにおいて、
前記基板搬送モジュールは、少なくとも前記保持部に保持された前記基板から気化する腐
食性ガスの前記搬送室の内部雰囲気への拡散を防止する隔絶装置であって、前記外部雰囲
気から隔絶される前記搬送室内に、該搬送室の内部雰囲気から前記基板を隔絶する隔絶装
置を備えることを特徴とする。
請求項１記載の基板搬送モジュール及び請求項２５記載の基板処理システムによれば、少なくとも保持部に保持された基板から気化する腐食性ガスの搬送室の内部雰囲気への拡散を防止する隔絶装置であって、外部雰囲気から隔絶される搬送室内に、該搬送室の内部雰囲気から基板を隔絶するようにしたので、基板から気化した腐食性ガスの拡散を防止することができ、もって、構成部品の腐食を防止することができる。また、基板に付着する可能性のあるパーティクルが存在する空間は隔絶装置が隔絶する空間のみなので、基板に付着する可能性のある全てのパーティクルを容易に除去することができ、もって、パーティクルの基板への付着を確実に防止することができる。さらに、塵芥を除去すべき空間も隔絶装置が隔絶する空間のみなので、塵芥除去能力維持のために構成部品の処理能力を向上する必要もなく、結果として基板搬送モジュールのコストアップ及び大型化を防止することができる。
請求項２記載の基板搬送モジュールによれば、エンバイロメントユニットが少なくとも保持部及び該保持部に保持された基板の周囲を囲むので、保持部及び基板を確実に隔絶することができる。
請求項３記載の基板搬送モジュールによれば、エンバイロメントユニットは耐食性樹脂からなるので、エンバイロメントユニットが腐食して腐食性ガスが搬送室内へ流出するのを防止することができる。
請求項４記載の基板搬送モジュールによれば、エンバイロメントユニットの複数のパーツが分離したときに保持部及び基板が露出するので、基板の他の構成部品等への受け渡しが可能であるとともに、複数のパーツの分離時間を制御することによって腐食性ガスの拡散や基板へのパーティクルの付着を制御することができる。また、請求項５記載の基板搬送モジュールによれば、分離時間は、極力短くなるように制御されるので、腐食性ガスの拡散をより効率よく防止することができる。
請求項６記載の基板搬送モジュールによれば、エンバイロメントユニットの扉部が開口部を開口させたときに保持部及び基板が露出するので、基板の他の構成部品等への受け渡しが可能であるとともに、開口部の開口時間を制御することによって腐食性ガスの拡散や基板へのパーティクルの付着を制御することができる。また、請求項７記載の基板搬送モジュールによれば、開口時間は、極力短くなるように制御されるので、腐食性ガスの拡散をより効率よく防止することができる。
請求項８記載の基板搬送モジュールによれば、エンバイロメントユニットの内部にパージガスが導入されるとともに、内部が排気されるので、パージガスによって基板に付着した腐食性ガスの気化を促進することができるとともに、排気によって気化した腐食性ガスの除去を促進することができる。その結果、腐食性ガスの拡散を確実に防止することができる。
請求項９記載の基板搬送モジュールによれば、少なくとも保持部に向けて洗浄物質が吹き付けられるので、基板に付着した反応生成物の除去を洗浄物質の衝突や該洗浄物質との反応によって促進することができる。
請求項１０記載の基板搬送モジュールによれば、洗浄物質は、不活性ガス、並びに、不活性ガス及び液体のエアロゾルからなる群から選択される１つであるので、基板において不必要な反応が起きるのを防止できるとともに、不活性ガスのガス分子やエアロゾル中の液体の衝突によって基板に付着した反応生成物の除去をさらに促進することができる。
請求項１１記載の基板搬送モジュールによれば、洗浄装置は保持部を走査するので、保持部に付着した反応生成物等を除去することができ、もって、パーティクルの発生を抑制することができる。
請求項１２記載の基板搬送モジュールによれば、洗浄装置は移動部まで走査するので、反応生成物等を基板搬送装置から除去することができ、もって、パーティクルの発生を確実に抑制することができる。
請求項１３記載の基板搬送モジュールによれば、洗浄装置は少なくとも保持部に対向する、複数の吹き出し口を有するシャワーヘッドからなるので、保持部へ満遍なく洗浄物質を吹き付けて保持部に付着した反応生成物等を除去することができ、もって、パーティクルの発生を抑制することができる。
請求項１４記載の基板搬送モジュールによれば、搬送室に導入されるパーティクルに所定の極性の電位が発生し、基板の表面には所定の極性と同じ極性の電位が発生するので、パーティクルは基板の表面から斥力を受ける。したがって、パーティクルの基板への付着をより確実に防止することができる。
請求項１５記載の基板搬送モジュールによれば、隔絶装置が隔絶する空間に導入されるパーティクルに所定の極性の電位が発生し、基板の表面には所定の極性と同じ極性の電位が発生するので、パーティクルは基板の表面から斥力を受ける。したがって、パーティクルの基板への付着をより確実に防止することができる。
請求項１６記載の基板搬送モジュールによれば、搬送室に導入されるパーティクルに所定の極性の電位が発生し、基板には所定の極性と同じ極性の電位が発生するので、パーティクルは基板から斥力を受ける。したがって、パーティクルの基板への付着をより確実に防止することができる。
請求項１７記載の基板搬送モジュールによれば、隔絶装置の内部において基板の周縁部
に向けてレーザ光が照射されるとともに反応性ガスが供給されるので、周縁部に付着している反応生成物と反応性ガスとの反応がレーザ光によって促進され、もって、周縁部に付着している反応生成物を確実に除去することができる。
請求項１８記載の基板搬送モジュールによれば、隔絶装置の内面は光触媒で覆われるので、紫外線の照射によって内面を洗浄することができ、もって、内面に付着した反応生成物等が剥離してパーティクルとなって基板に付着するのを防止することができる。
請求項１９記載の基板搬送モジュールによれば、隔絶装置は帯電されて所定の極性の電位が発生するので、隔絶装置の電位をパーティクルの極性と同じ極性の電位に制御することにより、斥力によってパーティクルの隔絶装置への付着を確実に防止することができる。
請求項２０記載の基板搬送モジュールによれば、隔絶装置が振動するので、該振動によって隔絶装置に付着したパーティクルを除去することができ、もって、隔絶装置から基板へのパーティクルの転写を抑制することができる。
請求項２１記載の基板搬送モジュールによれば、基板の位置を調整する位置調整部が隔絶装置の内部に配置されるので、保持部に保持された基板の位置調整を迅速に行うことができ、もって、基板処理のスループットを向上することができる。
請求項２２記載の基板搬送モジュールによれば、内部の雰囲気より温度が低い低温装置が隔絶装置の内部に暴露される。基板から気化した腐食性ガスのガス分子や、該ガス分子及び大気中の他のガス分子の結合物は熱泳動によって低温装置へ向けて移動する。したがって、腐食性ガスが基板や低温装置以外の構成部品に付着するのを確実に防止することができる。
請求項２３記載の基板搬送モジュールによれば、隔絶装置の内部において基板が加熱される。基板から気化した腐食性ガスのガス分子や、該ガス分子及び大気中の他のガス分子の結合物は熱泳動によって基板から離れるように移動する。したがって、腐食性ガスが基板や低温装置以外の構成部品に付着するのを確実に防止することができる。
請求項２４記載の基板搬送モジュールによれば、複数の基板搬送装置と、各基板搬送装
置に対応する複数の隔絶装置とを備えるので、複数の基板の搬送を効率的に行うことがで
きるとともに、一の基板から他の基板へ気化した腐食性ガスが移動するのを防止すること
ができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
図１は、本実施の形態に係る基板搬送モジュールが適用される基板処理システムの構成を概略的に示す水平断面図である。
図１において、基板処理システム１０は、ウエハＷ（基板）にエッチング処理（所望の処理）を施すプロセスモジュール１１（基板処理モジュール）及びプロセスモジュール１１にウエハＷを受け渡すロード・ロックモジュール１２によって構成される、２つのプロセスシップ１３と、１つのローダーモジュール１４（基板搬送モジュール）とを備える。各プロセスシップ１３とローダーモジュール１４とは互いに接続されるので、ローダーモジュール１４は各プロセスモジュール１１と各ロード・ロックモジュール１２を介して連接される。
ローダーモジュール１４は、直方体状の搬送室１５と、該搬送室１５に収容されてウエハＷを搬送室１５内において搬送する基板搬送装置１６とを有する。搬送室１５は、搬送室１５の内部空間を搬送室１５の外部雰囲気から隔絶するが、搬送室１５の内部空間には後述するファンフィルタユニット３２を介して外部雰囲気が導入される。したがって、搬送室１５の内部圧力は大気圧に維持される。
また、ローダーモジュール１４の搬送室１５には２５枚のウエハＷを収容する基板収容器としての３つのフープ２１がウエハＷの投入口としての３つのロードポート２２を介して接続されている。なお、２つのプロセスシップ１３と、３つのフープ２１とは互いに搬送室１５を挟んで対向する。
ローダーモジュール１４において、基板搬送装置１６は、搬送室１５内において上下方向（図１中の奥行き方向）並びに左右方向（搬送室１５の長手方向）に沿って移動自在であり、各フープ２１から未処理のウエハＷをロードポート２２経由で搬出し、該搬出されたウエハＷを各ロード・ロックモジュール１２へ搬入するとともに、各ロード・ロックモジュール１２から処理済みのウエハＷを搬出し、該搬出されたウエハＷを各フープ２１へ搬入する。
プロセスシップ１３では、上述したように、ローダーモジュール１４における搬送室１５の内部圧力は大気圧に維持される一方、プロセスモジュール１１の内部圧力は真空に維持される。そのため、ロード・ロックモジュール１２は、プロセスモジュール１１との連結部に真空ゲートバルブ２３を備えるとともに、ローダーモジュール１４との連結部に大気ゲートバルブ２４を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。
図２は、図１における基板搬送装置の構成を概略的に示す断面図である。
図２において、基板搬送装置１６は図中上下方向に並べて配置される２つの搬送アーム１７と、マイクロエンバイロメントユニット１８（隔絶装置）とを有する。また、各搬送アーム１７は、ウエハＷを載置して保持するフォーク状のピック１９（保持部）と、水平方向（図１の紙面方向）に伸縮自在であり、結果としてピック１９を水平方向に沿って自在に移動させるアーム部２０（移動部）とを有する。さらに、各搬送アーム１７は水平面内において回転自在である。以上の構成により、基板搬送装置１６はウエハＷを搬送室１５内において自在に搬送することができる。
マイクロエンバイロメントユニット１８は耐食性樹脂、例えば、テフロン（登録商標）ＰＴＦＥからなる円筒状部材であり、各搬送アーム１７におけるピック１９、アーム部２０及びピック１９が保持するウエハＷを収容する。このマイクロエンバイロメントユニット１８は、ピック１９、アーム部２０及びピック１９が保持するウエハＷの周囲を囲むことにより、これらを搬送室１５の内部雰囲気から隔絶する。
また、マイクロエンバイロメントユニット１８は、互いに分離可能な上下２つのパーツ（上部パーツ１８ａ，下部パーツ１８ｂ）によって構成されているため、分割可能である。
図３は、図２におけるマイクロエンバイロメントユニットの分割態様を示す図であり、（Ａ）は非分割時の平面図であり、（Ｂ）は非分割時の側面図であり、（Ｃ）は分割時の平面図であり、（Ｄ）は分割時の側面図である。
図３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、マイクロエンバイロメントユニット１８が分割されていない場合、該マイクロエンバイロメントユニット１８には２つの搬送アーム１７とピック１９が保持するウエハＷが収容される。
一方、図３（Ｃ）及び（Ｄ）に示すように、マイクロエンバイロメントユニット１８が分割されている場合、上方の搬送アーム１７が露出する。また、アーム部２０の伸縮方向には障害物が存在しないため、アーム部２０はウエハＷを保持するピック１９をマイクロエンバイロメントユニット１８の外部へ移動可能であり、これにより、ピック１９はロード・ロックモジュール１２やフープ２１の内部へ進入することができる。その結果、基板搬送装置１６はロード・ロックモジュール１２やフープ２１へのウエハＷの搬出入を行うことができる。
上部パーツ１８ａ及び下部パーツ１８ｂの分離時間は、基板処理システム１０の制御部（図示しない）によって制御される。具体的には、分離している時間が極力短くなるように制御される。
なお、図３（Ｃ）及び（Ｄ）は上部パーツ１８ａが上方に移動した場合を示すが、下部パーツ１８ｂも下方に移動可能であり、該下部パーツ１８ｂが下方に移動した場合には、下方の搬送アーム１７が露出する。
図２に戻り、マイクロエンバイロメントユニット１８は、該マイクロエンバイロメントユニット１８の内部（以下、「ユニット内部」という。）にパージガス（例えば、水蒸気や不活性ガス（希ガス、窒素ガス、ドライエア））を導入するパージガス導入管２５（パージガス導入部）と、ユニット内部を排気する排気管２６（排気部）とを有する。
パージガス導入管２５から導入されたパージガスは、プロセスモジュール１１での処理によって腐食性ガス（例えば、臭素ガス、塩素ガス、フッ素ガス）が疑縮又は凝固して付着したウエハＷからの該腐食性ガスの気化を促進し、排気管２６は気化した腐食性ガスの除去を促進する。
また、マイクロエンバイロメントユニット１８は、ピック１９に対向して配置され、該ピック１９が保持するウエハＷに向けて洗浄物質（例えば、不活性ガス（希ガス、窒素ガス、ドライエア）の単独、又は、不活性ガス及び液体（純水、アルコール（エタノール、イソプロピルアルコール、エチレングリコール）、有機物）からなるエアロゾル）を吹き付ける洗浄ヘッド２７（洗浄装置）を有する。洗浄ヘッド２７は各搬送アーム１７に対応して配され、ピック１９やアーム部２０を走査するように（図中白抜き矢印方向に）移動する。
洗浄ヘッド２７から吹き付けられた洗浄物質は、該洗浄物質との衝突や反応により、プロセスモジュール１１での処理によってウエハＷに付着した反応生成物の除去を促進する。また、ピック１９がウエハＷを保持していない場合には、洗浄物質がピック１９やアーム部２０に付着した反応生成物等を除去する。除去された反応生成物等は排気管２６によってユニット内部から排出される。
なお、洗浄物質をピック１９やアーム部２０に吹き付けることができるのであれば、洗浄ヘッド２７は移動する必要がなく、１箇所に固定されていてもよい。
さらに、マイクロエンバイロメントユニット１８は、ピック１９に保持されたウエハＷの周縁部（ベベル部）に向けてレーザ光を照射するとともに反応性ガス（例えば、酸素ガス、水素ガス、水蒸気）を供給するベベルポリマー除去ヘッド２８（周縁生成物除去装置）を有する。
ベベルポリマー除去ヘッド２８からレーザ光が照射され、且つ反応性ガスが供給されると、ベベル部に付着している反応生成物（例えば、ベベルポリマー）と反応性ガスとの反応がレーザ光によって促進され、ベベル部に付着している反応生成物は除去される。
また、マイクロエンバイロメントユニット１８の内面は光触媒（例えば、ルチル）で覆われ、ユニット内部には紫外線ランプ（図示しない）が配されている。光触媒に紫外線を照射すると分解効果によってマイクロエンバイロメントユニット１８の内面に付着した反応生成物等が水や二酸化炭素に分解されて除去される。
本実施の形態では、上述した腐食性ガスの除去や反応生成物の除去はマイクロエンバイロメントユニット１８が分割されていない場合に実行されるので、腐食性ガスや反応生成物がユニット内部から搬送室１５の内部空間へ漏れるのを防止することができる。
ところで、上述した腐食性ガスの除去の際、気化した腐食性ガスがユニット内部の大気中分子（例えば、水分子）と反応して反応生成物（例えば、ＮＨ４Ｆ、ＮＨ４Ｂｒ）が発生することがある。このとき、ユニット内部に配置された構成部品への上記反応生成物の付着を防止する必要があるが、排気管２６による排気だけでは上記反応生成物をユニット内部から完全に排出できないことがある。
本実施の形態では、これに対応して、図４に示すように、ユニット内部の雰囲気に暴露されて配置され且つユニット内部の雰囲気よりも３℃以上温度が低いコールドトラップ２９（低温装置）と、ピック１９に対向して配置され且つピック１９が保持するウエハＷをユニット内部の雰囲気よりも３℃以上温度が高くなるように加熱する赤外線照射装置３０（加熱装置）とを有する。
一般に、高温部と低温部の温度差が３℃以上ある場合、反応生成物の分子は熱泳動により高温部から低温部へ移動する。したがって、図４に示すように、気化した腐食性ガスのガス分子（図中において「○」で示す。）と、大気中分子（図中において「●」で示す。）とが反応して反応生成物の分子（図中において「○●」で示す。）が生成されても、コールドトラップ２９は反応生成物の分子を吸着し、赤外線照射装置３０によって加熱されたウエハＷは反応生成物の分子を排斥する。これにより、反応生成物の構成部品やウエハＷへの付着を防止することができる。なお、ウエハＷに吸着された腐食性ガスは加熱されると気化しやすくなるため、赤外線照射装置３０を腐食性ガスの気化の促進に用いてもよい。
また、マイクロエンバイロメントユニット１８は、ユニット内部に配された、ウエハＷの位置を調整するオリエンタ３１（位置調整部）を有する。通常、ウエハＷにエッチング処理を施す前にその位置を調整する必要があるが、マイクロエンバイロメントユニット１８では、オリエンタ３１がユニット内部に配されているので、ウエハＷをフープ２１から搬出した後、直ちに位置を調整することができる。また、ユーザによっては、ウエハＷにエッチング処理を施した後にウエハＷの位置の調整を所望する場合があるが、この場合にもロード・ロックモジュール１２からウエハＷを搬出した後、直ちに位置を調整することができる。これにより、エッチング処理のスループットを向上することができる。
また、基板処理システム１０では、図５に示すように、ローダーモジュール１４が外部雰囲気を搬送室１５の内部へ導入するファンフィルタユニット３２（外部雰囲気導入装置）を備える。ファンフィルタユニット３２は、搬送室１５に設けられ、外部雰囲気に混在している塵芥を除去するフィルタ（図示しない）を内蔵するが、上述したように、数１０ｎｍのパーティクルを除去することができない。したがって、ファンフィルタユニット３２を通過するパーティクルのウエハＷへの付着を防止する必要がある。
本実施の形態では、これに対応して、ファンフィルタユニット３２がイオナイザ３３（パーティクル帯電部）を有するとともに、搬送アーム１７のピック１９が電極板３４（電位発生部）（図２参照。）を有する。イオナイザ３３はファンフィルタユニット３２が搬送室１５の内部に導入する外部雰囲気に混在する全てのパーティクルを帯電させて所定の極性の電位（例えば、負電位）を各パーティクルに発生させる。電極板３４はピック１９を挟んでウエハＷに対向し、パーティクルの極性と同じ極性の電位（負電位）が発生するように電圧が印加される。
このとき、ウエハＷにおいてピック１９に接触する面には正電位が発生するが、ピック１９が絶縁体として機能するため、電極板３４及びウエハＷの間において通電することがなく、ピック１９に接触する面に発生した正電位はそのまま維持される。したがって、ウエハＷにおいてピック１９に接触する面とは反対側の面（ユニット内部に暴露される表面（以下、「暴露面」という。））には負電位が発生してそのまま維持される。すなわち、電極板３４はウエハＷの暴露面に負電位を発生させる。ここで、ユニット内部に導入された各パーティクルには負電位が発生しているため、各パーティクルは暴露面から斥力を受ける。また、ピック１９近傍には電極板３４によって負電位バリアが発生するため、各パーティクルは負電位バリアからも斥力を受け、結果として、ウエハＷから排斥される。これにより、各パーティクルがウエハＷに付着することがない。
本実施の形態に係るローダーモジュール１４によれば、ピック１９及び該ピック１９に保持されたウエハＷが搬送室１５の内部雰囲気から隔絶されるので、ウエハＷから気化した腐食性ガスの拡散を防止することができ、もって、ローダーモジュール１４の構成部品の腐食を防止することができる。
また、ローダーモジュール１４では、ウエハＷに付着する可能性のあるパーティクルが存在する空間はマイクロエンバイロメントユニット１８が隔絶する空間（ユニット内部空間）のみなので、ウエハＷに付着する可能性のある全てのパーティクルを排気管２６によって容易に除去することができ、もって、パーティクルのウエハＷへの付着を確実に防止することができる。
さらに、ローダーモジュール１４では、塵芥を除去すべき空間もユニット内部空間のみなので、塵芥除去能力維持のために構成部品、例えば、ファンフィルタユニット３２や排気管２６の処理能力を向上する必要もなく、結果としてローダーモジュール１４のコストアップ及び大型化を防止することができる。
上述したローダーモジュール１４では、マイクロエンバイロメントユニット１８は耐食性樹脂からなるので、マイクロエンバイロメントユニット１８が腐食して貫通穴等が形成されることによって腐食性ガスがユニット内部空間から搬送室１５内へ流出するのを防止することができる。
また、上述したローダーモジュール１４では、マイクロエンバイロメントユニット１８を構成する上部パーツ１８ａ及び下部パーツ１８ｂが分離したときに搬送アーム１７が露出するので、アーム部２０の伸縮によってウエハＷのロード・ロックモジュール１２やフープ２１への搬出入が可能であるとともに、上部パーツ１８ａ及び下部パーツ１８ｂの分離時間を極力短く制御することによって腐食性ガスの拡散やウエハＷへのパーティクルの付着を制御することができる。
上述したローダーモジュール１４では、ユニット内部にパージガスが導入されるとともに、ユニット内部が排気されるので、パージガスによってウエハＷに付着した腐食性ガスの気化を促進することができるとともに、排気によって気化した腐食性ガスの除去を促進することができる。その結果、腐食性ガスの拡散を確実に防止することができる。
また、上述したローダーモジュール１４では、ピック１９が保持するウエハＷに向けて洗浄物質が吹き付けられるので、ウエハＷに付着した反応生成物の除去を洗浄物質の衝突や該洗浄物質との反応によって促進することができる。なお、洗浄物質は、不活性ガスの単独、又は、不活性ガス及び液体からなるエアロゾルであるので、ウエハＷにおいて不必要な反応が起きるのを防止できるとともに、不活性ガスのガス分子やエアロゾル中の液体の衝突によってウエハＷに付着した反応生成物の除去をさらに促進することができる。
上述したローダーモジュール１４では、洗浄ヘッド２７はピック１９やアーム部２０を走査するので、ピック１９やアーム部２０、すなわち、搬送アーム１７に付着した反応生成物等を除去することができ、もって、パーティクルの発生を抑制することができる。
また、上述したローダーモジュール１４では、搬送室１５の内部に導入されるパーティクルにイオナイザ３３によって負電位が発生し、ウエハＷの暴露面には電極板３４によって負電位が発生するので、パーティクルはウエハＷの暴露面から斥力を受ける。したがって、パーティクルのウエハＷへの付着をより確実に防止することができる。
上述したローダーモジュール１４では、ユニット内部においてウエハＷのベベル部に向けてレーザ光が照射されるとともに反応性ガスが供給されるので、ベベル部に付着している反応生成物と反応性ガスとの反応がレーザ光によって促進され、もって、ベベル部に付着している反応生成物を確実に除去することができる。
また、上述したローダーモジュール１４では、マイクロエンバイロメントユニット１８の内面は光触媒で覆われるので、紫外線の照射に起因する分解効果によってマイクロエンバイロメントユニット１８の内面に付着した反応生成物等を分解することができ、もって、反応生成物等が剥離してパーティクルとなってウエハＷに付着するのを防止することができる。
上述したローダーモジュール１４では、オリエンタ３１がユニット内部に配置されるので、ウエハＷの位置調整を迅速に行うことができ、もって、エッチング処理のスループットを向上することができる。
また、上述したローダーモジュール１４では、ユニット内部の雰囲気よりも３℃以上温度が低いコールドトラップ２９がユニット内部の雰囲気に暴露される。また、ユニット内部においてウエハＷが加熱される。反応生成物の分子は熱泳動によってコールドトラップ２９に吸着され、加熱されたウエハＷは熱泳動によって反応生成物の分子を排斥する。これにより、反応生成物の構成部品やウエハＷへの付着を防止することができる。
上述したローダーモジュール１４では、基板搬送装置１６が、ウエハＷからの腐食性ガスや反応生成物の除去促進のために、パージガス導入管２５及び排気管２６と、洗浄ヘッド２７と、ベベルポリマー除去ヘッド２８と、コールドトラップ２９と、赤外線照射装置３０と、電極板３４とを有するが、基板搬送装置１６はこれらの構成要素を全て有する必要はなく、ウエハＷの腐食性ガスや反応生成物の付着状況に応じて必要な構成要素を有すればよい。例えば、基板搬送装置１６が、上述した腐食性ガスや反応生成物の除去促進のための構成要素の１つのみを有していてもよく、それらのうちの幾つかを有していてもよい。また、場合によっては、基板搬送装置１６が上述した構成要素の全てを有していなくてもよい。
また、上述したローダーモジュール１４では、マイクロエンバイロメント１８がオリエンタ３１を有したが、オリエンタの配置位置はこれに限られず、ローダーモジュール１４の搬送室１５に付設されてもよい。
さらに、上述したローダーモジュール１４では、基板搬送装置１６が２つの搬送アーム１７を有したが、搬送アームの数はこれに限られず、基板搬送装置１６が１つ又は３つ以上の搬送アームを有していてもよい。
上述したローダーモジュール１４では、マイクロエンバイロメントユニット１８が上下方向に分離することによって搬送アーム１７を露出させたが、マイクロエンバイロメントユニットが開口部と該開口部を開閉自在な扉部を有していてもよい。
図６は、マイクロエンバイロメントユニットの第１の変形例における開口・閉口態様を示す図であり、（Ａ）は閉口時の平面図であり、（Ｂ）は閉口時の側面図であり、（Ｃ）は開口時の平面図であり、（Ｄ）は開口時の側面図である。
図６（Ａ）乃至（Ｄ）に示すように、マイクロエンバイロメントユニット３５（隔絶装置）も円筒状部材であり、各搬送アーム１７におけるピック１９、アーム部２０及びピック１９が保持するウエハＷを収容し、これらを搬送室１５の内部雰囲気から隔絶する。
また、マイクロエンバイロメントユニット３５は側面に設けられた開口部３６と、該開口部３６を開口・閉口するスライド扉３７とを有する。また、開口部３６は各アーム部２０の伸縮方向に関して設けられる。
スライド扉３７は側面において円周方向に並んで配された２枚の曲板部材３７ａ，３７ｂからなり、該２枚の曲板部材３７ａ，３７ｂは円周方向に沿って移動自在である。開口部３６が閉口される場合、２枚の曲板部材３７ａ，３７ｂは移動して互いに接し、スライド扉３７はアーム部２０の伸縮方向に関する障害物となる。開口部３６が開口される場合、２枚の曲板部材３７ａ，３７ｂは移動して互いに離間する。
図６（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、開口部３６が閉口される場合、マイクロエンバイロメントユニット３５には２つの搬送アーム１７とピック１９が保持するウエハＷが収容される。
一方、図６（Ｃ）及び（Ｄ）に示すように、開口部３６が開口される場合、２つの搬送アーム１７が露出する。このとき、アーム部２０の伸縮方向には障害物が存在しないため、アーム部２０はウエハＷを保持するピック１９をマイクロエンバイロメントユニット３５の外部へ移動可能である。
このマイクロエンバイロメントユニット３５では、開口部３６が開口されたときに搬送アーム１７が露出するので、アーム部２０の伸縮によってウエハＷのロード・ロックモジュール１２やフープ２１への搬出入が可能であるとともに、開口部３６の開口時間を極力短く制御することによって腐食性ガスの拡散やウエハＷへのパーティクルの付着を制御することができる。
また、ユニット内部空間を常時排気する場合には、ユニット内部空間に排気流を生じさせることができ、ウエハＷから気化した腐食性ガスの除去能力が向上するため、マイクロエンバイロメントユニットの一部が開放されてユニット内部空間が搬送室１５の内部空間と連通していても腐食性ガスの拡散を防止することができる。
さらに、上述したマイクロエンバイロメントユニットは、搬送アーム１７の全ての部位を格納したが、ピック１９及び該ピック１９が保持するウエハＷのみを格納してもよい。
図７は、マイクロエンバイロメントユニットの第２の変形例を示す図であり、（Ａ）はウエハ搬送時の平面図であり、（Ｂ）はウエハ搬送時の側面図であり、（Ｃ）はウエハ搬出入時の平面図であり、（Ｄ）はウエハ搬出入時の側面図である。
図７（Ａ）乃至（Ｄ）に示すように、ローダーモジュール１４は各搬送アーム１７に対応して２つのマイクロエンバイロメントユニット３８を備える。各マイクロエンバイロメントユニット３８はピック１９及び該ピック１９が保持するウエハＷのみを格納するが、アーム部２０の伸縮方向に関する側面は存在せず、ユニット内部空間が搬送室１５の内部空間と連通している。また、マイクロエンバイロメントユニット３８は排気管（図示しない）を有し、該排気管はユニット内部空間を常時排気する。
このローダーモジュール１４は各搬送アーム１７に対応して２つのマイクロエンバイロメントユニット３８を備えるので、複数のウエハＷの搬送を効率的に行うことができるとともに、各マイクロエンバイロメントユニット１８が独立しているので、上方の搬送アーム１７が搬送する一のウエハＷ（例えば、処理後のウエハＷ）から下方の搬送アーム１７が搬送する他のウエハＷ（例えば、未処理のウエハＷ）へ気化した腐食性ガスが移動するのを防止することができる。また、各マイクロエンバイロメントユニット３８では、ユニット内部空間に排気流が生じる一方、ユニット内部空間の容積が小さいため、腐食性ガスの除去能力が高い。したがって、腐食性ガスの拡散を防止することができる。また、マイクロエンバイロメントユニット１８やマイクロエンバイロメントユニット３５のように可動部（上部パーツ１８ａ，下部パーツ１８ｂ，曲板部材３７ａ，３７ｂ）が存在しないため、可動部の動作に起因してパーティクルが発生するということがなく、もって、パーティクルのウエハＷへの付着を確実に防止することができる。
上述したローダーモジュール１４では、ファンフィルタユニット３２を搬送室１５に設けたが、搬送室１５の内部容積は大きいため、ファンフィルタユニット３２の能力をある程度維持する必要があり、該ファンフィルタユニット３２を超小型化することはできない。これに対応して、ファンフィルタユニットの小型化のためにファンフィルタユニットをマイクロエンバイロメントユニットに設けてもよい。
図８は、ファンフィルタユニットをマイクロエンバイロメントユニットに設けた場合を示す図である。
図８において、マイクロエンバイロメントユニット３９は上部パーツ３９ａにファンフィルタユニット４０を有する。ファンフィルタユニット４０は、塵芥を除去しながら搬送室１５の内部雰囲気をユニット内部空間へ導入する。また、ファンフィルタユニット４０はイオナイザ４１を有する。イオナイザ４１はファンフィルタユニット４０がユニット内部空間に導入する搬送室１５の内部雰囲気に混在する全てのパーティクルを帯電させて所定の極性の電位（例えば、負電位）を各パーティクルに発生させる。なお、マイクロエンバイロメントユニット３９の他の構成はマイクロエンバイロメントユニット１８と同じである。
このマイクロエンバイロメントユニット３９では、ユニット内部空間において、電極板３４がウエハＷの暴露面に負電位を発生させるとともにピック１９近傍において負電位バリアを発生させるため、各パーティクルは暴露面及び負電位バリアから斥力を受ける。したがって、パーティクルのウエハＷへの付着をより確実に防止することができる。
また、上述したローダーモジュール１４では、ピック１９がウエハＷを保持し且つ電極板３４に電圧が印加されたときのみ所望の極性の電位がウエハＷに発生するが、ピック１９がウエハＷを保持する前、又は保持した直後に既にウエハＷに或る極性の電位が発生している場合がある。具体的には、プロセスモジュール１１における処理によってウエハＷが帯電し、該ウエハＷにパーティクルの極性と反対の極性の電位が生じる可能性がある。この場合、ウエハＷはパーティクルを吸引してしまう。
これに対応して、ウエハＷが搬送室１５の内部へ搬入される際、該ウエハＷを強制的に帯電させてもよい。具体的には、図９に示すように、搬送室１５におけるロードポート２２や大気ゲートバルブ２４の近傍にイオナイザ４２（基板帯電装置）を設ける。なお、図９では理解を容易にするため、便宜的にマイクロエンバイロメントユニット１８を２つ描いている。
図９において、イオナイザ４２はフープ２１やロード・ロックモジュール１２から搬送室１５の内部へ搬入されるウエハＷを帯電させて強制的にパーティクルの極性と同じ極性の電位を発生させる。このとき、パーティクルはウエハＷから斥力を受けるので、処理によってウエハＷが帯電していてもパーティクルのウエハＷへの付着をより確実に防止することができる。また、ウエハＷが帯電するため、ウエハＷの暴露面における電位を制御する必要がなく、もって、電極板３４を廃止することができ、これにより、ピック１９の小型化、軽量化を図ることができる。その結果、ピック１９の移動速度を向上することができ、スループットを向上することができる。
また、上述したローダーモジュール１４では、マイクロエンバイロメントユニット１８がピック１９やアーム部２０を走査する洗浄ヘッド２７を備えたが、図１０に示すように、ピック１９やアーム部２０に対向して配置され、複数の洗浄物質吹き出し口を有するシャワーヘッド４３（洗浄装置）を備えてもよい。これにより、ピック１９やアーム部２０へ満遍なく洗浄物質を吹き付けてピック１９やアーム部２０に付着した反応生成物等を除去することができ、もって、パーティクルの発生を抑制することができる。
パーティクルがウエハＷに付着する場合は、上述した外部雰囲気に混在するパーティクルが付着する場合だけでなく、マイクロエンバイロメントユニット１８そのものに付着したパーティクルが剥離してウエハＷに転写される場合も該当する。そのため、マイクロエンバイロメントユニット１８へのパーティクルの付着を防止し、さらに、マイクロエンバイロメントユニット１８に付着したパーティクルを積極的に除去するのが好ましい。具体的には、マイクロエンバイロメントユニット１８にイオナイザ（図示しない）（電位発生装置）を設け、マイクロエンバイロメントユニット１８を帯電させてパーティクルの極性と同じ極性の電位を発生させてもよく、または、マイクロエンバイロメントユニット１８にバイブレータ（振動発生装置）を設け、マイクロエンバイロメントユニット１８を振動させてパーティクルの剥離を促進してもよい。
これにより、斥力によってマイクロエンバイロメントユニット１８へのパーティクルの付着を確実に防止することができ、または、マイクロエンバイロメントユニット１８に付着したパーティクルを除去することができる。その結果、マイクロエンバイロメントユニット１８からウエハＷへのパーティクルの転写を抑制することができる。
また、ローダーモジュール１４では、マイクロエンバイロメントユニット１８がオリエンタ３１を有するが、該マイクロエンバイロメントユニット１８がダミーウエハを格納するストッカや、振動センサ、ウエハＷの位置を測定するポジションセンサ、ウエハＷの温度を測定する温度センサ、若しくはウエハＷの表面分析装置（パーティクル検査装置，ＣＤ−ＳＥＭ，ＯＤＰ，顕微鏡や膜厚測定器）を有していてもよい。
いずれも場合もウエハＷの格納や測定のために、無駄なウエハＷの搬送を行う必要がなく、スループットを向上することができる。また、ダミーウエハからの腐食性ガスの拡散を防止することができ、若しくは、パージガス導入管２５からのパージガスの導入や洗浄ヘッド２７からの洗浄物質の吹き付けにより、各センサの洗浄を行うことができ、もって、センサの感度を高レベルに維持することができる。さらに、各センサの検査結果や表面分析結果を素早く入手することができ、もって、エッチング処理済みウエハＷにおける次工程の処理や次にエッチング処理が施されるウエハＷのエッチング処理のレシピを迅速に最適化することができる。
本発明の実施の形態に係る基板搬送モジュールが適用される基板処理システムの構成を概略的に示す水平断面図である。 図１における基板搬送装置の構成を概略的に示す断面図である。 図２におけるマイクロエンバイロメントユニットの分割態様を示す図であり、（Ａ）は非分割時の平面図であり、（Ｂ）は非分割時の側面図であり、（Ｃ）は分割時の平面図であり、（Ｄ）は分割時の側面図である。 図１における基板搬送装置の構成を概略的に示す断面図である。 図１におけるローダーモジュールの構成を概略的に示す断面図である。 マイクロエンバイロメントユニットの第１の変形例における開口・閉口態様を示す図であり、（Ａ）は閉口時の平面図であり、（Ｂ）は閉口時の側面図であり、（Ｃ）は開口時の平面図であり、（Ｄ）は開口時の側面図である。 マイクロエンバイロメントユニットの第２の変形例を示す図であり、（Ａ）はウエハ搬送時の平面図であり、（Ｂ）はウエハ搬送時の側面図であり、（Ｃ）はウエハ搬出入時の平面図であり、（Ｄ）はウエハ搬出入時の側面図である。 ファンフィルタユニットをマイクロエンバイロメントユニットに設けた場合を示す図である。 本発明の実施の形態に係る基板搬送モジュールの変形例の構成を概略的に示す断面図である。 図１における基板搬送装置の変形例の構成を概略的に示す断面図である。
符号の説明
Ｗ ウエハ
１０ 基板処理システム
１１ プロセスモジュール
１２ ロード・ロックモジュール
１４ ローダーモジュール
１５ 搬送室
１６ 基板搬送装置
１７ 搬送アーム
１８，３５，３８ マイクロエンバイロメントユニット
１８ａ，３９ａ 上部パーツ
１８ｂ 下部パーツ
１９ ピック
２０ アーム部
２１ フープ
２５ パージガス導入管
２６ 排気管
２７ 洗浄ヘッド
２８ ベベルポリマー除去ヘッド
２９ コールドトラップ
３０ 赤外線照射装置
３１ オリエンタ
３２，４０ ファンフィルタユニット
３３，４１，４２ イオナイザ
３４ 電極板
３６ 開口部
３７ スライド扉
４３ シャワーヘッド

Claims (25)

  1. 基板に所望の処理を施す基板処理モジュールと連接され、前記基板を搬送する基板搬送装置及び該基板搬送装置を収容する搬送室を備え、該搬送室内は外部雰囲気から隔絶され、前記基板搬送装置は前記基板を保持する保持部及び該保持部を移動させる移動部を有する、基板搬送モジュールにおいて、
    少なくとも前記保持部に保持された前記基板から気化する腐食性ガスの前記搬送室の内部雰囲気への拡散を防止する隔絶装置であって、前記外部雰囲気から隔絶される前記搬送室内に、該搬送室の内部雰囲気から前記基板を隔絶する隔絶装置を備えることを特徴とする基板搬送モジュール。
  2. 前記隔絶装置は少なくとも前記保持部及び該保持部に保持された前記基板の周囲を囲むエンバイロメントユニットであることを特徴とする請求項１記載の基板搬送モジュール。
  3. 前記エンバイロメントユニットは耐食性樹脂からなることを特徴とする請求項２記載の基板搬送モジュール。
  4. 前記エンバイロメントユニットは分離可能な複数のパーツからなり、該複数のパーツが分離したときに前記保持部及び該保持部に保持された前記基板を露出させることを特徴とする請求項２又は３記載の基板搬送モジュール。
  5. 前記複数のパーツが分離する分離時間は、極力短くなるように制御されることを特徴とする請求項４記載の基板搬送モジュール。
  6. 前記エンバイロメントユニットは開口部及び該開口部を開閉自在な扉部を有し、該扉部が前記開口部を開口させたときに前記保持部及び該保持部に保持された前記基板を露出させることを特徴とする請求項２又は３記載の基板搬送モジュール。
  7. 前記開口部の開口時間は、極力短くなるように制御されることを特徴とする請求項６記載の基板搬送モジュール。
  8. 前記エンバイロメントユニットは、該エンバイロメントユニットの内部にパージガスを導入するパージガス導入部と、前記内部を排気する排気部とを有することを特徴とする請求項２乃至７のいずれか１項に記載の基板搬送モジュール。
  9. 前記エンバイロメントユニットは、少なくとも前記保持部に向けて洗浄物質を吹き付ける洗浄装置を有することを特徴とする請求項８記載の基板搬送モジュール。
  10. 前記洗浄物質は、不活性ガス、並びに、不活性ガス及び液体のエアロゾルからなる群から選択される１つであることを特徴とする請求項９記載の基板搬送モジュール。
  11. 前記洗浄装置は前記保持部を走査することを特徴とする請求項９又は１０記載の基板搬送モジュール。
  12. 前記洗浄装置は前記移動部まで走査することを特徴とする請求項１１記載の基板搬送モジュール。
  13. 前記洗浄装置は少なくとも前記保持部に対向する、複数の吹き出し口を有するシャワーヘッドからなることを特徴とする請求項９又は１０記載の基板搬送モジュール。
  14. 前記搬送室に外部雰囲気を導入する外部雰囲気導入装置を備え、該外部雰囲気導入装置は前記導入される外部雰囲気に混在しているパーティクルを帯電させて所定の極性の電位を発生させるパーティクル帯電部を有し、
    前記保持部は前記基板の表面に前記所定の極性と同じ極性の電位を発生させる電位発生部を有することを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の基板搬送モジュール。
  15. 前記隔絶装置は、該隔絶装置が隔絶する空間に前記搬送室の内部雰囲気を導入する室内雰囲気導入装置を有し、該室内雰囲気導入装置は前記導入される室内雰囲気に混在しているパーティクルを帯電させて所定の極性の電位を発生させるパーティクル帯電部を有し、
    前記保持部は前記基板の表面に前記所定の極性と同じ極性の電位を発生させる電位発生部を有することを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の基板搬送モジュール。
  16. 前記搬送室に外部雰囲気を導入する外部雰囲気導入装置と、前記基板処理モジュール又は前記基板を収容し且つ前記搬送室に接続される基板収容器へ搬出入される前記基板を帯電させる基板帯電装置とを備え、
    前記外部雰囲気導入装置は導入される前記外部雰囲気に混在しているパーティクルを帯電させて所定の極性の電位を発生させるパーティクル帯電部を有し、
    前記基板帯電装置は前記基板を帯電させて前記所定の極性と同じ極性の電位を発生させることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の基板搬送モジュール。
  17. 前記隔絶装置の内部において前記保持部に保持された前記基板の周縁部に向けてレーザ光を照射するとともに反応性ガスを供給する周縁生成物除去装置を備えることを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の基板搬送モジュール。
  18. 前記隔絶装置の内面は光触媒で覆われることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の基板搬送モジュール。
  19. 前記隔絶装置は、該隔絶装置を帯電させて所定の極性の電位を発生させる電位発生装置を有することを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の基板搬送モジュール。
  20. 前記隔絶装置は、該隔絶装置を振動させる振動発生装置を有することを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の基板搬送モジュール。
  21. 前記隔絶装置は、該隔絶装置の内部に配置され且つ該内部に収容された前記基板の位置を調整する位置調整部を有することを特徴とする請求項１乃至２０のいずれか１項に記載の基板搬送モジュール。
  22. 前記隔絶装置の内部に暴露されて配置され且つ前記内部の雰囲気より温度が低い低温装置を備えることを特徴とする請求項１乃至２１のいずれか１項に記載の基板搬送モジュール。
  23. 前記隔絶装置の内部において前記保持部に保持された前記基板を加熱する加熱装置を備えることを特徴とする請求項１乃至２２のいずれか１項に記載の基板搬送モジュール。
  24. 複数の前記基板搬送装置と、各前記基板搬送装置に対応する複数の前記隔絶装置とを備えることを特徴とする請求項１乃至２３のいずれか１項に記載の基板搬送モジュール。
  25. 基板に所望の処理を施す基板処理モジュールと、前記基板を収容する基板収容器と、前記基板処理モジュール及び前記基板収容器に連接されて前記基板を搬出入する基板搬送モジュールとを備え、
    前記基板搬送モジュールは、前記基板を搬送する基板搬送装置及び該基板搬送装置を収容する搬送室を備え、該搬送室内は外部雰囲気から隔絶され、前記基板搬送装置は前記基板を保持する保持部及び該保持部を移動させる移動部を有する基板処理システムにおいて、
    前記基板搬送モジュールは、少なくとも前記保持部に保持された前記基板から気化する腐食性ガスの前記搬送室の内部雰囲気への拡散を防止する隔絶装置であって、前記外部雰囲気から隔絶される前記搬送室内に、該搬送室の内部雰囲気から前記基板を隔絶する隔絶装置を備えることを特徴とする基板処理システム。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101837647B1 (ko) * 2016-01-29 2018-03-13 (주)씨엔원 로드락 챔버용 기판 이송장치

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4959457B2 (ja) * 2007-07-26 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 基板搬送モジュール及び基板処理システム
US8734661B2 (en) 2007-10-15 2014-05-27 Ebara Corporation Flattening method and flattening apparatus
JP5352103B2 (ja) * 2008-03-27 2013-11-27 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置および処理システム
JP5358366B2 (ja) * 2009-09-14 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び方法
JP5465979B2 (ja) * 2009-10-26 2014-04-09 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置
JP5168594B2 (ja) * 2009-11-25 2013-03-21 株式会社ダイフク 基板搬送設備
KR101125568B1 (ko) * 2009-12-14 2012-03-22 삼성모바일디스플레이주식회사 식각 장치
JP5397215B2 (ja) * 2009-12-25 2014-01-22 ソニー株式会社 半導体製造装置、半導体装置の製造方法、シミュレーション装置及びシミュレーションプログラム
JP5473857B2 (ja) * 2010-10-14 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 搬送装置および処理システム
DE102010048043A1 (de) 2010-10-15 2012-04-19 Ev Group Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Prozessierung von Wafern
JP5774439B2 (ja) * 2011-10-14 2015-09-09 株式会社日本製鋼所 レーザ処理装置
JP5603314B2 (ja) * 2011-12-01 2014-10-08 東京エレクトロン株式会社 搬送装置及び基板処理システム
TWI576938B (zh) 2012-08-17 2017-04-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
KR102000025B1 (ko) * 2012-10-29 2019-07-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP6263972B2 (ja) * 2013-11-11 2018-01-24 シンフォニアテクノロジー株式会社 基板搬送装置、ｅｆｅｍ及び半導体製造装置
TWI629744B (zh) * 2013-11-11 2018-07-11 昕芙旎雅股份有限公司 Surrounding gas replacement device, substrate transfer device, substrate transfer system, and EFEM
JP6299210B2 (ja) * 2013-12-27 2018-03-28 シンフォニアテクノロジー株式会社 基板搬送装置及びｅｆｅｍ
JP2015115517A (ja) * 2013-12-13 2015-06-22 シンフォニアテクノロジー株式会社 基板搬送装置及びｅｆｅｍ
CN103871935B (zh) * 2014-03-19 2017-04-05 广东精毅科技股份有限公司 一种芯片背胶与封装设备
JP6400412B2 (ja) * 2014-09-29 2018-10-03 東京エレクトロン株式会社 搬送方法及び検査システム
KR101674107B1 (ko) * 2014-11-12 2016-11-22 주식회사 아이에스티이 기판용기 커버 개폐장치
TWI646575B (zh) * 2016-07-27 2019-01-01 辛耘企業股份有限公司 流體製程處理裝置
US10176967B2 (en) * 2017-02-23 2019-01-08 Hermes Microvision, Inc. Load lock system for charged particle beam imaging
US11107722B2 (en) * 2017-05-11 2021-08-31 Rorze Corporation Thin-plate substrate holding finger and transfer robot provided with said finger
JP2017228789A (ja) * 2017-08-22 2017-12-28 東京エレクトロン株式会社 検査システム
JP7037379B2 (ja) * 2018-02-06 2022-03-16 ローツェ株式会社 薄板状基板保持装置、及び保持装置を備える搬送ロボット
US11139183B2 (en) * 2018-05-24 2021-10-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for dry wafer transport
JP7136612B2 (ja) * 2018-07-13 2022-09-13 ローツェ株式会社 局所パージ機能を有する搬送装置
JP7261000B2 (ja) * 2018-12-03 2023-04-19 キヤノン株式会社 容器、処理装置、異物除去方法、および物品の製造方法
JP7313229B2 (ja) * 2019-08-07 2023-07-24 ニデックインスツルメンツ株式会社 処理システム
CN113035681B (zh) * 2019-12-24 2023-12-15 中微半导体设备(上海)股份有限公司 晶圆气锁装置
KR102568005B1 (ko) * 2020-05-08 2023-08-28 (주)에이피텍 테스트 공정 모듈화 인라인 시스템
JP7458267B2 (ja) 2020-08-19 2024-03-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板搬送方法
KR20220158165A (ko) * 2021-05-21 2022-11-30 삼성디스플레이 주식회사 인라인 제조 장치
US11951660B2 (en) 2021-10-11 2024-04-09 Canon Kabushiki Kaisha Shaping system including an evaporation cover, shaping process, and method of manufacturing an article
CN115188698B (zh) * 2022-09-06 2022-12-09 上海果纳半导体技术有限公司武汉分公司 晶圆缓存机构及晶圆传输装置
CN117080135A (zh) * 2023-08-24 2023-11-17 上海广川科技有限公司 一种可净化保护的末端执行器

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003303818A (ja) * 1991-05-29 2003-10-24 Tokyo Electron Ltd 半導体製造装置
JPH06275578A (ja) * 1993-03-18 1994-09-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置の清掃装置および清掃方法
JP3638393B2 (ja) 1997-03-04 2005-04-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JPH10261690A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置およびそれを備えた基板処理装置
JPH1131730A (ja) * 1997-07-14 1999-02-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP3425592B2 (ja) * 1997-08-12 2003-07-14 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JPH11162934A (ja) * 1997-11-21 1999-06-18 Sony Corp 半導体製造装置
JP2000021947A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Sony Corp 乾式処理装置
FR2808098B1 (fr) * 2000-04-20 2002-07-19 Cit Alcatel Procede et dispositif de conditionnement de l'atmosphere dans une chambre de procedes
JP3607943B2 (ja) 2000-09-21 2005-01-05 国立大学法人 東京大学 電荷密度波の光誘起位相変調を用いた光入力／電流出力素子
JP3983481B2 (ja) 2001-01-31 2007-09-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理装置における基板搬送方法
JP2003092335A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Toshiba Corp 基板搬送装置、これを用いた基板処理装置および基板処理方法
TW200505776A (en) 2003-01-31 2005-02-16 Aviza Tech Inc Transport system having shared load-lock front-end assembly
JP2004241643A (ja) * 2003-02-06 2004-08-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法及びその製造装置
JP2005044938A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Foi:Kk アライナ付き基板移載装置
JP4679813B2 (ja) * 2003-10-08 2011-05-11 東京エレクトロン株式会社 パーティクル付着防止装置及び方法、大気搬送装置、真空搬送装置、並びに半導体製造装置
US8608422B2 (en) * 2003-10-08 2013-12-17 Tokyo Electron Limited Particle sticking prevention apparatus and plasma processing apparatus
JP4623715B2 (ja) * 2004-05-13 2011-02-02 東京エレクトロン株式会社 基板搬送機構及び該基板搬送機構を備える基板搬送装置
US7462011B2 (en) * 2004-08-12 2008-12-09 Tokyo Electron Limited Substrate processing system, substrate processing method, sealed container storing apparatus, program for implementing the substrate processing method, and storage medium storing the program
JP3955592B2 (ja) * 2004-11-19 2007-08-08 住友重機械工業株式会社 処理装置及び処理方法
JP4817822B2 (ja) * 2005-12-01 2011-11-16 東京エレクトロン株式会社 基板周縁部膜除去装置及び基板周縁部膜の除去方法
US8021513B2 (en) * 2006-08-23 2011-09-20 Tokyo Electron Limited Substrate carrying apparatus and substrate carrying method
JP4959457B2 (ja) * 2007-07-26 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 基板搬送モジュール及び基板処理システム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101837647B1 (ko) * 2016-01-29 2018-03-13 (주)씨엔원 로드락 챔버용 기판 이송장치

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