JP4958318B2 - 内部ミラーを備えた熱アシスト磁気記録ヘッド - Google Patents

Description

本発明は、記録媒体に近接場光を照射して記録媒体の保磁力を低下させて情報の記録を行う熱アシスト磁気記録に用いられる熱アシスト磁気記録ヘッドに関する。

近年、磁気ディスク装置等の磁気記録装置では、高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドおよび記録媒体の性能向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、基板に対して、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドと書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。磁気ディスク装置において、薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体の表面からわずかに浮上するスライダに設けられる。

磁気記録装置において、記録密度を高めるためには、記録媒体の磁性微粒子を小さくすることが効果的である。しかし、磁性微粒子を小さくすると、磁性微粒子の磁化の熱安定性が低下するという問題が発生する。この問題を解消するには、磁性微粒子の異方性エネルギーを大きくすることが効果的である。しかし、磁性微粒子の異方性エネルギーを大きくすると、記録媒体の保磁力が大きくなって、既存の磁気ヘッドでは情報の記録が困難になるという問題が発生する。

上述のような問題を解決する方法として、いわゆる熱アシスト磁気記録という方法が提案されている。この方法では、保磁力の大きな記録媒体を使用し、情報の記録時には、記録媒体のうち情報が記録される部分に対して磁界と同時に熱も加えて、その部分の温度を上昇させ保磁力を低下させて情報の記録を行う。情報が記録された部分は、その後、温度が低下して保磁力が大きくなり、磁化の熱安定性が高まる。

熱アシスト磁気記録では、記録媒体に対して熱を加える方法としては、近接場光を用いる方法が一般的である。近接場光を発生させる方法としては、微小な金属片であるプラズモン・アンテナにレーザ光を照射する方法が知られている。プラズモン・アンテナは、近接場光を発生させる先鋭部である近接場光発生部を有している。プラズモン・アンテナでは、照射されたレーザ光によって表面プラズモンが励起される。この表面プラズモンは、プラズモン・アンテナの近接場光発生部に伝播され、この近接場光発生部において、表面プラズモンに基づいて、近接場光が発生される。プラズモン・アンテナより発生される近接場光は、光の回折限界よりも小さな領域にのみ存在する。この近接場光を記録媒体に照射することにより、記録媒体における微小な領域のみを加熱することができる。

一般的に、近接場光の発生に利用されるレーザ光は、スライダに設けられた導波路によって、スライダの媒体対向面の近傍に設けられたプラズモン・アンテナに導かれる。ここで、レーザ光を出射する光源の配置の方法には、大きく分けて、以下の２つの方法がある。第１の方法は、光源をスライダから離れた位置に配置する方法である。第２の方法は、光源をスライダに固定する方法である。

第１の方法は、例えば特許文献１に記載されている。第２の方法は、例えば、特許文献２や、特許文献３に記載されている。

米国特許出願公開第２００６／０２３３０６２Ａ１号明細書 特開２００８−５９６９７号公報 米国特許出願公開第２００８／０００２２９８Ａ１号明細書

第１の方法では、光源から導波路まで光を導くために、ミラー、レンズ、光ファイバの光学素子を含む、長い光の経路が必要になり、その結果、この経路における光のエネルギーの損失が大きくなるという問題が生じる。第２の方法によれば、光源から導波路まで光を導くための光の経路が短くなるため、上記の問題は生じない。

しかしながら、第２の方法では、以下のような問題が生じる。以下、第２の方法において生じる問題について詳しく説明する。第２の方法では、一般的に、光源としてレーザダイオードが用いられる。レーザダイオードから出射されたレーザ光を導波路に入射させる方法としては、例えば特許文献２に記載されているように、出射部が導波路の入射端に対向するようにレーザダイオードを配置して、出射部より出射されたレーザ光を、光学素子を介さずに導波路の入射端に入射させる方法がある。この方法では、導波路の入射端が配置されたスライダの端面に対してレーザダイオードの長手方向すなわち出射部より出射されるレーザ光の光軸方向が垂直になるように、レーザダイオードが配置される。この場合、導波路の光軸に対して出射部より出射されるレーザ光の光軸が傾かないように、レーザダイオードを精度よく配置する必要がある。導波路の光軸に対して出射部より出射されるレーザ光の光軸が傾いた場合には、十分な強度のレーザ光がプラズモン・アンテナまで伝達されないことが起こり得る。しかし、導波路の入射端が配置されたスライダの端面に対してレーザダイオードの長手方向が垂直になるようにレーザダイオードを配置する場合には、導波路の入射端が配置されたスライダの端面に垂直な方向に対してレーザダイオードの長手方向が傾きやすく、導波路に対するレーザ光の位置合わせが難しいという問題点がある。

また、レーザダイオードから出射されたレーザ光を導波路に入射させる他の方法としては、例えば特許文献３に記載されているように、出射部がスライダのトレーリング側の面に対向するようにレーザダイオードを配置して、出射部より出射されたレーザ光を、スライダの上方から導波路に入射させる方法がある。この方法では、導波路に対するレーザ光の位置合わせが容易になる。

特許文献３に記載された磁気ヘッドでは、スライダの内部に、レーザダイオードより出射されてスライダの上方からスライダ内に入射するレーザ光を、導波路内を媒体対向面に向けて進行するように回折する回折格子が設けられている。しかし、レーザ光の進行方向を変える手段としては、回折格子よりも、より構造の簡単なミラーの方が有利と考えられる。そこで、スライダの内部に、導波路の上方から到来するレーザ光を、導波路内を媒体対向面に向けて進行するように反射する内部ミラーを設けることが考えられる。

ここで、上記の内部ミラーの作製方法について考える。内部ミラーの作製方法としては、例えば、アルミナ等よりなる絶縁層の上にフォトレジストよりなるエッチングマスクを形成し、反応性イオンエッチングを用いて絶縁層をテーパーエッチングして絶縁層に斜面を形成し、この斜面に蒸着法、スパッタ法等によって、金属よりなる反射膜を形成する方法が考えられる。この反射膜の表面がレーザ光を反射する反射面となる。

以下、上記の内部ミラーの作製方法における問題点について説明する。一般的に、絶縁層をテーパーエッチングする場合のエッチングレートは、絶縁層を垂直にエッチングする場合のエッチングレートよりも小さくなる。そのため、エッチングの深さを同じにして比較すると、絶縁層をテーパーエッチングする場合には、絶縁層を垂直にエッチングする場合に比べて、エッチングマスクを厚くする必要がある。しかし、エッチングマスクを厚くすると、エッチング中に、プラズマによってエッチングマスクの形状が崩れやすくなる。そのため、上記の内部ミラーの作製方法では、特に深さ方向の寸法の大きな反射面を有する内部ミラーを作製する場合に、絶縁層に斜面を形成するためのエッチング中におけるエッチングマスクの形状の崩れに起因して、斜面を平面状に形成することが難しくなるという問題点がある。斜面が平面状ではなくなると反射面も平面状ではなくなり、その結果、反射面によって反射されて所望の方向に進行するレーザ光の光量が減少し、近接場光の発生に利用されるレーザ光の利用効率が低下するという問題が発生する。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、導波路の上方から到来して近接場光の発生に利用される光を、導波路内を進行するように反射する内部ミラーを備え、内部ミラーに起因して光の利用効率が低下することを防止できるようにした熱アシスト磁気記録ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
媒体対向面に配置された端面を有し、情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極と、
光を伝播させる導波路と、
媒体対向面に配置された近接場光発生部を有し、導波路を伝播する光に基づいて表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンが近接場光発生部に伝播され、この表面プラズモンに基づいて近接場光発生部より近接場光を発生する近接場光発生素子と、
内部ミラーと、
上面を有する基板とを備えている。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドでは、基板の上面の上方に、磁極、導波路、近接場光発生素子および内部ミラーが配置されている。内部ミラーは、反射膜支持体と、反射膜支持体によって支持された反射膜とを有し、導波路の上方から到来する光を、導波路内を媒体対向面に向けて進行するように反射する。

反射膜支持体は、それぞれ前端と後端とを有する第１および第２の傾斜面を含んでいる。第１の傾斜面の後端は、第１の傾斜面の前端に対して媒体対向面から遠く且つ基板の上面から遠い位置にある。第２の傾斜面の前端は、第１の傾斜面の前端に対して媒体対向面から遠く且つ基板の上面から遠い位置にある。第２の傾斜面の後端は、第１の傾斜面の後端および第２の傾斜面の前端に対して媒体対向面から遠く且つ基板の上面から遠い位置にある。第２の傾斜面は、第１の傾斜面を含む仮想の平面に対して、第１の傾斜面に垂直な方向にずれている。

反射膜は、第１の傾斜面の上に配置された第１の部分と、第２の傾斜面の上に配置された第２の部分とを有している。第１の部分は、前端と後端とを有する第１の反射面を含んでいる。第２の部分は、前端と後端とを有する第２の反射面を含んでいる。第１の反射面の後端は、第１の反射面の前端に対して媒体対向面から遠く且つ基板の上面から遠い位置にある。第２の反射面の前端は、第１の反射面の前端に対して媒体対向面から遠く且つ基板の上面から遠い位置にある。第２の反射面の後端は、第１の反射面の後端および第２の反射面の前端に対して媒体対向面から遠く且つ基板の上面から遠い位置にある。第２の反射面は、第１の反射面を含む仮想の平面に対して、第１の反射面に垂直な方向にずれている。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、第１および第２の反射面は、いずれも、基板の上面に垂直な方向に対して４５°の角度をなしていてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、第１および第２の傾斜面は、基板の上面に垂直な方向から見て互いに重ならないように配置されていてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、反射膜は、更に、第１の部分と第２の部分を連結する連結部を有し、連結部は、第１の反射面と第２の反射面を連結する連結面を含んでいてもよい。この場合、連結面が基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、第１および第２の反射面の各々が基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも大きくてもよいし、小さくてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、第１および第２の傾斜面は、基板の上面に垂直な方向から見て、それぞれの一部が重なるように配置されていてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、近接場光発生素子は、媒体対向面に配置された第１の端面と、媒体対向面からより遠い第２の端面と、第１の端面と第２の端面を連結する連結部とを含む外面を有し、第１の端面は近接場光発生部を含んでいてもよい。この場合、媒体対向面に垂直な方向についての近接場光発生素子の長さは、基板の上面に垂直な方向についての第１の端面の長さよりも大きく、導波路は、連結部の一部に対向する対向部分を含む外面を有していてもよい。また、この場合、導波路の外面は、媒体対向面により近い前端面と、媒体対向面からより遠い後端面と、基板の上面からより遠い上面とを有し、後端面は、第１および第２の反射面に接し、導波路の上方から到来する光は、導波路の上面から導波路内に入射した後、第１および第２の反射面で反射されてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、内部ミラーで反射される光を出射するレーザダイオードを備えていてもよい。

本発明の製造方法によって製造される熱アシスト磁気記録ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
媒体対向面に配置された端面を有し、情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極と、
光を伝播させる導波路と、
媒体対向面に配置された近接場光発生部を有し、導波路を伝播する光に基づいて表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンが近接場光発生部に伝播され、この表面プラズモンに基づいて近接場光発生部より近接場光を発生する近接場光発生素子と、
内部ミラーと、
上面を有する基板とを備えている。

本発明の製造方法によって製造される熱アシスト磁気記録ヘッドでは、基板の上面の上方に、磁極、導波路、近接場光発生素子および内部ミラーが配置されている。内部ミラーは、１つ以上の層を含む反射膜支持体と、反射膜支持体によって支持された反射膜とを有し、導波路の上方から到来する光を、導波路内を媒体対向面に向けて進行するように反射する。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法は、
磁極を形成する工程と、
内部ミラーを形成する工程と、
導波路を形成する工程と、
近接場光発生素子を形成する工程とを備えている。

内部ミラーを形成する工程は、反射膜支持体を形成する工程と、反射膜を形成する工程とを含んでいる。反射膜支持体は、それぞれ前端と後端とを有する第１および第２の傾斜面を含んでいる。第１の傾斜面の後端は、第１の傾斜面の前端に対して媒体対向面から遠く且つ基板の上面から遠い位置にある。第２の傾斜面の前端は、第１の傾斜面の前端に対して媒体対向面から遠く且つ基板の上面から遠い位置にある。第２の傾斜面の後端は、第１の傾斜面の後端および第２の傾斜面の前端に対して媒体対向面から遠く且つ基板の上面から遠い位置にある。

反射膜支持体を形成する工程は、後に第１および第２の傾斜面が形成されることにより反射膜支持体となる初期支持体を形成する工程と、初期支持体に第１および第２の傾斜面が形成されて、初期支持体が反射膜支持体となるように、初期支持体をエッチングする工程とを備えている。

初期支持体をエッチングする工程は、
初期支持体のうち、基板の上面に垂直な方向から見たときに後に第１の傾斜面が形成される領域を除いた一部を覆う第１のエッチングマスクを形成する工程と、
第１のエッチングマスクを用いて、反応性イオンエッチングによって、初期支持体をテーパーエッチングする第１のエッチング工程と、
第１のエッチングマスクを除去する工程と、
初期支持体のうち、基板の上面に垂直な方向から見たときに後に第１および第２の傾斜面が形成される領域を除いた一部を覆う第２のエッチングマスクを形成する工程と、
第２のエッチングマスクを用いて、反応性イオンエッチングによって、初期支持体をテーパーエッチングする第２のエッチング工程と、
第２のエッチングマスクを除去する工程とを含んでいる。

第２のエッチング工程の後で第１および第２の傾斜面が完成して、初期支持体が反射膜支持体となる。反射膜は、第１の傾斜面の上に配置された第１の部分と、第２の傾斜面の上に配置された第２の部分とを有し、第１の部分は第１の反射面を含み、第２の部分は第２の反射面を含んでいる。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法において、第２の傾斜面は、第１の傾斜面を含む仮想の平面に対して、第１の傾斜面に垂直な方向にずれていてもよい。この場合、第１および第２の反射面は、それぞれ前端と後端とを有する。第１の反射面の後端は、第１の反射面の前端に対して媒体対向面から遠く且つ基板の上面から遠い位置にある。第２の反射面の前端は、第１の反射面の前端に対して媒体対向面から遠く且つ基板の上面から遠い位置にある。第２の反射面の後端は、第１の反射面の後端および第２の反射面の前端に対して媒体対向面から遠く且つ基板の上面から遠い位置にある。第２の反射面は、第１の反射面を含む仮想の平面に対して、第１の反射面に垂直な方向にずれている。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法において、第１および第２の反射面は、いずれも、基板の上面に垂直な方向に対して４５°の角度をなしていてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法において、初期支持体はアルミナによって形成され、第１および第２のエッチング工程は、ＢＣｌ_３およびＣｌ_２と、Ｎ_２またはＣＦ_４とを含むエッチングガスを用いてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法において、第１のエッチング工程では、初期支持体に、基板の上面に垂直な方向に対して傾いた初期傾斜面が形成され、第２のエッチング工程では、初期支持体のうち、初期傾斜面の下の部分がエッチングされて第１の傾斜面が形成されると共に、初期支持体のうち、第１のエッチング工程においてエッチングされなかった部分がエッチングされて第２の傾斜面が形成されてもよい。この場合、第１および第２のエッチングマスクは、それぞれ媒体対向面により近い側面を有し、第２のエッチングマスクの側面は、第１のエッチングマスクの側面が配置される位置に対して、第２のエッチング工程によるエッチング深さの０．８〜１．２倍だけ媒体対向面から遠い位置に配置されてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法において、反射膜は、更に、第１の部分と第２の部分を連結する連結部を有し、連結部は、第１の反射面と第２の反射面を連結する連結面を含んでいてもよい。この場合、連結面が基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、第１および第２の反射面の各々が基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも大きくてもよいし、小さくてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法において、反射膜支持体は、第１の傾斜面を有する第１層と、第２の傾斜面を有する第２層とを含んでいてもよい。この場合、初期支持体を形成する工程は、第１のエッチングマスクを形成する工程の前に、後に第１の傾斜面が形成されることにより第１層となる初期第１層を形成する工程と、第１のエッチングマスクを除去する工程と第２のエッチングマスクを形成する工程の間において、後に第２の傾斜面が形成されることにより第２層となる初期第２層を形成する工程とを含んでいてもよい。この場合、第１のエッチングマスクは、初期第１層の上に形成され、第１のエッチング工程は、初期第１層をテーパーエッチングして、第１の傾斜面を形成する。また、第２のエッチングマスクは、初期第２層の上に形成され、第２のエッチング工程は、初期第２層をテーパーエッチングして、第２の傾斜面を形成する。

なお、本出願では、熱アシスト磁気記録ヘッドにおける基板以外の構成要素に関して、基板の上面により近い面を「下面」と定義し、基板の上面からより遠い面を「上面」と定義する。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおける内部ミラーは、反射膜支持体と反射膜とを有している。反射膜支持体は、第１および第２の傾斜面を含んでいる。第２の傾斜面は、第１の傾斜面を含む仮想の平面に対して、第１の傾斜面に垂直な方向にずれている。反射膜は、第１の傾斜面の上に配置された第１の部分と、第２の傾斜面の上に配置された第２の部分とを有している。第１の部分は第１の反射面を含み、第２の部分は第２の反射面を含んでいる。第２の反射面は、第１の反射面を含む仮想の平面に対して、第１の反射面に垂直な方向にずれている。本発明における反射膜支持体の第１および第２の傾斜面は、例えば、２回のテーパーエッチングを含む複数の工程を経て形成することができる。第１および第２の傾斜面は、寸法の大きな平面状の１つ傾斜面を形成する場合に比べて、精度よく形成することが可能である。そのため、本発明によれば、第１および第２の反射面も精度よく形成することが可能になる。これにより、本発明によれば、内部ミラーに起因して光の利用効率が低下することを防止することが可能になるという効果を奏する。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法において、反射膜支持体を形成する工程は、初期支持体を形成する工程と、初期支持体をエッチングする工程とを備えている。初期支持体をエッチングする工程は、初期支持体をテーパーエッチングする第１および第２のエッチング工程を含んでいる。そして、第２のエッチング工程の後で第１および第２の傾斜面が完成する。本発明の製造方法によれば、寸法の大きな平面状の１つ傾斜面を形成する場合に比べて、第１および第２の傾斜面を精度よく形成することが可能である。そのため、本発明によれば、第１および第２の反射面も精度よく形成することが可能になる。これにより、本発明によれば、内部ミラーに起因して光の利用効率が低下することを防止することが可能になるという効果を奏する。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドまたはその製造方法において、反射膜は連結部を有し、連結部の連結面が基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、第１および第２の反射面の各々が基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さくてもよい。この場合には、内部ミラーに入射する光の一部が光源に戻ることを抑制することが可能になるという効果を奏する。

本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。 図１におけるレーザダイオード、外部ミラー、内部ミラーおよび導波路の位置関係とレーザ光の偏光方向を示す斜視図である。 図１におけるレーザダイオードおよび外部ミラーを示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの斜視図である。 図４におけるＡ方向から見た熱アシスト磁気記録ヘッドを示す平面図である。 図５における６−６線で示す位置における熱アシスト磁気記録ヘッドの断面の一部を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態におけるスライダの構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態におけるスライダの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドにおける近接場光発生素子の近傍を示す斜視図である。 図７における内部ミラーの近傍を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 図１１に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１２に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１３に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１４に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１５に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１６に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１７に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１８に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１９に示した工程に続く工程を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態における導波路、反射膜支持体および反射膜を形成するための一連の工程における一工程を示す断面図である。 図２１に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２２に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２３に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２４に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２５に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２６に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２７に示した工程に続く工程を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態における第１の変形例の熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態における第２の変形例の熱アシスト磁気記録ヘッドの導波路の一部と近接場光発生素子を示す平面図である。 図３０に示した近接場光発生素子の斜視図である。 本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドにおける内部ミラーの近傍を示す断面図である。 本発明の第２の実施の形態における導波路、反射膜支持体および反射膜を形成するための一連の工程における一工程を示す説明図である。 本発明の第３の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドにおける内部ミラーの近傍を示す断面図である。 本発明の第３の実施の形態における導波路、反射膜支持体および反射膜を形成するための一連の工程における一工程を示す説明図である。 図３５に示した工程に続く工程を示す断面図である。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図４および図５を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドと磁気ディスク装置について説明する。図４は、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの斜視図である。図５は、図４におけるＡ方向から見た熱アシスト磁気記録ヘッドを示す平面図である。

本実施の形態における磁気ディスク装置は、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００を備えている。この熱アシスト磁気記録ヘッド２００は、図示しないサスペンションによって支持されて、回転駆動される円盤状の記録媒体（磁気ディスク）に対向するように配置される。図４および図５において、Ｘ方向は記録媒体のトラック横断方向であり、Ｙ方向は記録媒体の表面に垂直な方向であり、Ｚ方向は熱アシスト磁気記録ヘッド２００から見た記録媒体の進行方向である。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は互いに直交している。

熱アシスト磁気記録ヘッド２００は、スライダ２０１と、このスライダ２０１に固定された端面発光型のレーザダイオード２０２と、スライダ２０１の外部に設けられた外部ミラー２０３とを備えている。スライダ２０１は、ほぼ六面体形状をなし、記録媒体に対向する媒体対向面２０１ａと、その反対側の背面２０１ｂと、媒体対向面２０１ａと背面２０１ｂとを連結する４つの面とを有している。スライダ２０１の媒体対向面２０１ａは、熱アシスト磁気記録ヘッド２００における媒体対向面でもある。媒体対向面２０１ａと背面２０１ｂとを連結する４つの面のうちの１つは、レーザダイオード２０２が固定された上面２０１ｃである。スライダ２０１は、上面２０１ｃに設けられた複数の端子２１０を備えている。本実施の形態では、外部ミラー２０３はレーザダイオード２０２に固定されている。

記録媒体が回転してＺ方向に進行すると、記録媒体とスライダ２０１との間を通過する空気流によって、スライダ２０１に、図４におけるＹ方向の上方に揚力が生じる。スライダ２０１は、この揚力によって記録媒体の表面から浮上するようになっている。

次に、図１、図７ないし図１０を参照して、スライダ２０１の構成について詳しく説明する。図１は、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００の要部を示す斜視図である。図７は、スライダ２０１の構成を示す断面図である。なお、図７は、図５の７−７線で示す位置における断面を表している。図８は、スライダ２０１の媒体対向面２０１ａを示す正面図である。図９は、熱アシスト磁気記録ヘッド２００における近接場光発生素子の近傍を示す斜視図である。図１０は、熱アシスト磁気記録ヘッド２００における内部ミラーの近傍を示す断面図である。図１、図７ないし図１０には、図４に示したＸ，Ｙ，Ｚの各方向も示している。図７および図１０において、Ｘ方向はＹ方向およびＺ方向に直交する方向であり、図８において、Ｙ方向はＸ方向およびＺ方向に直交する方向である。

図７および図８に示したように、スライダ２０１は、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなり、上面１ａを有する基板１と、この基板１の上面１ａ上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に配置された磁性材料よりなる下部シールド層３と、絶縁層２の上において下部シールド層３の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層３１とを備えている。絶縁層２，３１は、例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）によって形成されている。下部シールド層３および絶縁層３１の上面は平坦化されている。

スライダ２０１は、更に、下部シールド層３および絶縁層３１の上面の上に配置された絶縁膜である下部シールドギャップ膜４と、この下部シールドギャップ膜４の上に配置された再生素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５の上に配置された絶縁膜である上部シールドギャップ膜６と、この上部シールドギャップ膜６の上に配置された磁性材料よりなる上部シールド層７と、上部シールドギャップ膜６の上において上部シールド層７の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層３２とを備えている。絶縁層３２は、例えばアルミナによって形成されている。上部シールド層７および絶縁層３２の上面は平坦化されている。

ＭＲ素子５の一端部は、媒体対向面２０１ａに配置されている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。ＧＭＲ素子としては、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すＣＩＰ（Current In Plane）タイプでもよいし、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプでもよい。下部シールド層３から上部シールド層７までの部分は、再生ヘッドを構成する。

スライダ２０１は、更に、非磁性材料よりなり、上部シールド層７および絶縁層３２の上面の上に配置された非磁性層８と、非磁性層８の上に配置された磁性材料よりなるリターン磁極層１０と、非磁性層８の上においてリターン磁極層１０の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層３３とを備えている。非磁性層８と絶縁層３３は、例えばアルミナによって形成されている。リターン磁極層１０および絶縁層３３の上面は平坦化されている。

スライダ２０１は、更に、リターン磁極層１０および絶縁層３３の上面の一部の上に配置された絶縁層１１と、この絶縁層１１の上に配置されたコイル１２と、リターン磁極層１０の上に配置された連結層１３とを備えている。リターン磁極層１０と連結層１３は、いずれも磁性材料によって形成されている。これらの材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。絶縁層１１は、例えばアルミナによって形成されている。コイル１２は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。コイル１２は、平面渦巻き形状をなし、連結層１３を中心として巻回されている。また、コイル１２は、銅等の導電材料によって形成されている。

スライダ２０１は、更に、コイル１２の巻線間および周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層１４と、絶縁層１１の上において絶縁層１４および連結層１３の周囲に配置された絶縁層１５と、コイル１２および絶縁層１４，１５の上に配置された絶縁層１６とを備えている。コイル１２、連結層１３および絶縁層１４，１５の上面は平坦化されている。絶縁層１４は、例えばフォトレジストによって形成されている。絶縁層１５，１６は、例えばアルミナによって形成されている。

スライダ２０１は、更に、連結層１３および絶縁層１６の上に配置された磁性材料よりなる下部ヨーク層１７と、絶縁層１６の上において下部ヨーク層１７の周囲に配置された非磁性材料よりなる非磁性層１８とを備えている。下部ヨーク層１７の材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。非磁性層１８は、例えばアルミナによって形成されている。下部ヨーク層１７は、媒体対向面２０１ａにより近い端面を有し、この端面は媒体対向面２０１ａから離れた位置に配置されている。下部ヨーク層１７および非磁性層１８の上面は平坦化されている。

スライダ２０１は、更に、磁極２０を備えている。磁極２０は、第１層２０Ａと第２層２０Ｂとを有している。第１層２０Ａは、下部ヨーク層１７および非磁性層１８の上に配置されている。また、第１層２０Ａは、媒体対向面２０１ａに配置された端面を有している。この端面の形状は、例えば矩形である。

第２層２０Ｂは、媒体対向面２０１ａの近傍において、第１層２０Ａの上に配置されている。第２層２０Ｂは、媒体対向面２０１ａに配置された前端面と、その反対側の後端面とを有している。第２層２０Ｂの前端面の形状は、例えば矩形である。

磁極２０は、コイル１２によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。記録媒体に記録されるビットパターンの端部の位置は、第２層２０Ｂの前端面における上端部すなわち基板１の上面１ａからより遠い端部の位置によって決まる。また、第２層２０Ｂの前端面における上端部の幅がトラック幅を規定する。

媒体対向面２０１ａに配置された第１層２０Ａの端面の幅は、第２層２０Ｂの前端面の幅と等しくてもよいし、第２層２０Ｂの前端面の幅よりも大きくてもよい。

第１層２０Ａおよび第２層２０Ｂは、金属磁性材料によって形成されている。第１層２０Ａおよび第２層２０Ｂの材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。

スライダ２０１は、更に、非磁性層１８の上において第１層２０Ａの周囲に配置された非磁性材料よりなる非磁性層２１を備えている。非磁性層２１は、例えばアルミナによって形成されている。第１層２０Ａおよび非磁性層２１の上面は平坦化されている。

スライダ２０１は、更に、第１層２０Ａおよび非磁性層２１の上面の上に配置された内部ミラー３０と、導波路２６とを備えている。内部ミラー３０は、反射膜支持体２７と、この反射膜支持体２７によって支持された反射膜３５とを有している。反射膜支持体２７は、上面で開口する溝部２７Ａを有している。導波路２６は、溝部２７Ａ内に収容されている。反射膜支持体２７は、導波路２６に対するクラッド層を兼ねている。

図１０に示したように、反射膜支持体２７の溝部２７Ａは、底部２７１と、第１の傾斜面２７２ａと、第２の傾斜面２７２ｂと、傾斜面２７２ａ，２７２ｂを連結する連結面２７２ｃとを有している。傾斜面２７２ａ，２７２ｂと連結面２７２ｃは、いずれも平面である。傾斜面２７２ａは、媒体対向面２０１ａにより近い前端２７２ａ１と、媒体対向面２０１ａからより遠い後端２７２ａ２とを有している。傾斜面２７２ｂは、媒体対向面２０１ａにより近い前端２７２ｂ１と、媒体対向面２０１ａからより遠い後端２７２ｂ２とを有している。傾斜面２７２ａの後端２７２ａ２は、傾斜面２７２ａの前端２７２ａ１に対して媒体対向面２０１ａから遠く且つ基板１の上面１ａから遠い位置にある。傾斜面２７２ｂの前端２７２ｂ１は、傾斜面２７２ａの前端２７２ａ１に対して媒体対向面２０１ａから遠く且つ基板１の上面１ａから遠い位置にある。傾斜面２７２ｂの後端２７２ｂ２は、傾斜面２７２ａの後端２７２ａ２および傾斜面２７２ｂの前端２７２ｂ１に対して媒体対向面２０１ａから遠く且つ基板１の上面１ａから遠い位置にある。

傾斜面２７２ａ，２７２ｂは、基板１の上面１ａに垂直な方向から見て互いに重ならないように配置されている。傾斜面２７２ａは、底部２７１に連結されている。傾斜面２７２ｂは、傾斜面２７２ａを含む仮想の平面に対して、傾斜面２７２ａに垂直な方向にずれている。傾斜面２７２ａ，２７２ｂは、いずれも、例えば、基板１の上面１ａに垂直な方向に対して４５°の角度をなしている。連結面２７２ｃが基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、傾斜面２７２ａ，２７２ｂの各々が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度よりも大きい。

反射膜３５は、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ等の金属による、厚みが５０〜２００ｎｍ程度の膜である。図１０に示したように、反射膜３５は、第１の傾斜面２７２ａの上に配置された第１の部分３５１と、第２の傾斜面２７２ｂの上に配置された第２の部分３５２と、連結面２７２ｃの上に配置され、第１の部分３５１と第２の部分３５２を連結する連結部３５３と、底部２７１の上に配置されて第１の部分３５１に連結された部分３５４とを有している。なお、反射膜３５は、部分３５４を有していなくてもよい。

第１の部分３５１は、傾斜面２７２ａに接する面とは反対側の面である第１の反射面３５１ａを含んでいる。第２の部分３５２は、傾斜面２７２ｂに接する面とは反対側の面である第２の反射面３５２ａを含んでいる。連結部３５３は、第１の反射面３５１ａと第２の反射面３５２ａを連結する連結面３５３ａを含んでいる。反射面３５１ａ，３５２ａと連結面３５３ａは、いずれも平面である。第１の反射面３５１ａは、媒体対向面２０１ａにより近い前端３５１ａ１と、媒体対向面２０１ａからより遠い後端３５１ａ２とを有している。第２の反射面３５２ａは、媒体対向面２０１ａにより近い前端３５２ａ１と、媒体対向面２０１ａからより遠い後端３５２ａ２とを有している。

第１の反射面３５１ａの後端３５１ａ２は、第１の反射面３５１ａの前端３５１ａ１に対して媒体対向面２０１ａから遠く且つ基板１の上面１ａから遠い位置にある。第２の反射面３５２ａの前端３５２ａ１は、第１の反射面３５１ａの前端３５１ａ１に対して媒体対向面２０１ａから遠く且つ基板１の上面１ａから遠い位置にある。第２の反射面３５２ａの後端３５２ａ２は、第１の反射面３５１ａの後端３５１ａ２および第２の反射面３５２ａの前端３５２ａ１に対して媒体対向面２０１ａから遠く且つ基板１の上面１ａから遠い位置にある。

第２の反射面３５２ａは、第１の反射面３５１ａを含む仮想の平面に対して、第１の反射面３５１ａに垂直な方向にずれている。反射面３５１ａ，３５２ａは、いずれも、例えば、基板１の上面１ａに垂直な方向に対して４５°の角度をなしている。連結面３５３ａが基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、反射面３５１ａ，３５２ａの各々が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度よりも大きい。反射面３５１ａ，３５２ａは、導波路２６の上方に配置される光源より出射された光を、導波路２６内を媒体対向面２０１ａに向けて進行するように反射する。

導波路２６は、後述するレーザ光を通過させる誘電体材料によって形成されている。反射膜支持体２７は、導波路２６の屈折率よりも小さい屈折率を有する誘電体材料によって形成されている。導波路２６の材料としては、例えば、屈折率が約２．１のＴａ_２Ｏ_５が用いられ、反射膜支持体２７の材料としては、例えば、屈折率が約１．８のアルミナが用いられる。第２層２０Ｂ、導波路２６および反射膜支持体２７の上面は平坦化されている。導波路２６の形状については、後で詳しく説明する。

スライダ２０１は、更に、第２層２０Ｂ、導波路２６および反射膜支持体２７の上面の上に配置された介在層２５を備えている。介在層２５は、導波路２６の屈折率よりも小さい屈折率を有し、レーザ光を通過させる誘電体材料によって形成されている。介在層２５の材料としては、例えば、屈折率が約１．８のアルミナが用いられる。介在層２５の厚みは、例えば、３０〜７０ｎｍの範囲内である。

スライダ２０１は、更に、介在層２５の上に配置された近接場光発生素子２３と、介在層２５の上において近接場光発生素子２３の周囲に配置されたクラッド層２４と、上面２９ａを有し、近接場光発生素子２３およびクラッド層２４の上に配置されたクラッド層２９とを備えている。近接場光発生素子２３およびクラッド層２４の上面は平坦化されている。近接場光発生素子２３は、金属によって形成されている。具体的には、近接場光発生素子２３は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒのいずれか、またはこれらのうちの複数の元素よりなる合金によって形成されている。クラッド層２４，２９は、導波路２６の屈折率よりも小さい屈折率を有し、レーザ光を通過させる誘電体材料によって形成されている。クラッド層２４，２９の材料としては、例えば屈折率が約１．８のアルミナが用いられる。クラッド層２９の厚みは、例えば、０．１〜０．５μｍの範囲内である。クラッド層２９の上面２９ａは、スライダ２０１の上面２０１ｃを構成している。基板１は、磁極２０、近接場光発生素子２３および導波路２６に向いた上面１ａを有し、スライダ２０１の上面２０１ｃは、基板１の上面１ａの上方の端に位置している。

図９に示したように、近接場光発生素子２３は、媒体対向面２０１ａに配置された近接場光発生部２３ｇを有している。また、近接場光発生素子２３は、以下のような外面を有する三角柱形状をなしている。近接場光発生素子２３の外面は、媒体対向面２０１ａに配置された第１の端面２３ａと、媒体対向面２０１ａからより遠い第２の端面２３ｂと、第１の端面２３ａと第２の端面２３ｂを連結する連結部とを含んでいる。連結部は、基板１の上面１ａからより遠い上面２３ｃと、基板１の上面１ａに近づくに従って互いの距離が小さくなる２つの側面２３ｄ，２３ｅと、２つの側面２３ｄ，２３ｅを接続するエッジ部２３ｆとを含んでいる。第１の端面２３ａの形状は、頂点が下を向いた二等辺三角形である。第１の端面２３ａは、近接場光発生部２３ｇを含んでいる。近接場光発生部２３ｇは、具体的には、端面２３ａにおけるエッジ部２３ｆの端部およびその近傍の部分である。

ここで、図９に示したように、媒体対向面２０１ａに垂直な方向についての近接場光発生素子２３の長さを記号Ｈ_PAで表し、第１の端面２３ａの上端部の幅を記号Ｗ_PAで表し、基板１の上面１ａに垂直な方向についての第１の端面２３ａの長さを記号Ｔ_PAで表す。媒体対向面２０１ａに垂直な方向についての近接場光発生素子２３の長さＨ_PAは、基板１の上面１ａに垂直な方向についての第１の端面２３ａの長さＴ_PAよりも大きい。Ｗ_PAとＴ_PAは共に、導波路２６を伝播する光の波長以下である。Ｗ_PAは例えば５０〜１５０ｎｍの範囲内である。Ｔ_PAは例えば５０〜１５０ｎｍの範囲内である。Ｈ_PAは例えば０．２５〜２．５μｍの範囲内である。

次に、図１、図５、図７、図９および図１０を参照して、導波路２６について詳しく説明する。図１、図５および図７に示したように、導波路２６は、媒体対向面２０１ａに垂直な方向（Ｙ方向）に延びている。また、導波路２６は、外面を有している。この外面は、媒体対向面２０１ａにより近い前端面２６ａと、媒体対向面２０１ａからより遠い後端面２６ｂと、基板１の上面１ａからより遠い上面２６ｃと、基板１の上面１ａにより近い下面２６ｄと、トラック幅方向の両側に位置する２つの側面２６ｅ，２６ｆとを有している。前端面２６ａは、反射膜支持体２７の一部を介して第２層２０Ｂの後端面に対向している

図９に示したように、導波路２６の外面は、近接場光発生素子２３の外面のうちの連結部の一部に対向する対向部分２６ｇを含んでいる。本実施の形態では、特に、対向部分２６ｇは、導波路２６の上面２６ｃのうち、介在層２５を介して、近接場光発生素子２３のエッジ部２３ｆの一部およびその近傍部分に対向する部分である。前述の媒体対向面２０１ａに垂直な方向についての近接場光発生素子２３の長さＨ_PAが、基板１の上面１ａに垂直な方向についての第１の端面２３ａの長さＴ_PAよりも大きいという要件は、導波路２６の上面２６ｃの一部である対向部分２６ｇが、介在層２５を介して、近接場光発生素子２３のエッジ部２３ｆの一部およびその近傍部分に対向するために必要な要件である。

図１０に示したように、後端面２６ｂは、反射面３５１ａ，３５２ａおよび連結面３５３ａに接している。後端面２６ｂにおける任意の位置の媒体対向面２０１ａからの距離は、この任意の位置が基板１の上面１ａから離れるに従って大きくなっている。

図７および図１０に示したように、内部ミラー３０は、導波路２６の上方に配置される光源より出射された光を、反射面３５１ａ，３５２ａによって、導波路２６内を媒体対向面２０１ａに向けて進行するように反射するようになっている。より詳しく説明すると、内部ミラー３０は、導波路２６の上方から到来し、導波路２６の上面２６ｃから導波路２６内に入射して後端面２６ｂおよび反射面３５１ａ，３５２ａに至る光を、前端面２６ａに向けて進行するように反射するようになっている。

次に、図３を参照して、レーザダイオード２０２と外部ミラー２０３について説明する。図３は、レーザダイオード２０２および外部ミラー２０３を示す斜視図である。図３に示したように、レーザダイオード２０２は、上面および下面を有するｎ基板２１１と、ｎ基板２１１の下面の下に配置されたレーザ構造部２１２と、ｎ基板２１１の上面に接合されたｎ電極２１３と、ｎ基板２１１との間でレーザ構造部２１２を挟む位置に配置されてレーザ構造部２１２に接合されたｐ電極２１４とを備えている。レーザ構造部２１２は、少なくとも、ｎクラッド層２２１、活性層２２２およびｐクラッド層２２３を含んでいる。ｎクラッド層２２１は、ｎ基板２１１と活性層２２２の間に配置されている。ｐクラッド層２２３は、ｐ電極２１４と活性層２２２の間に配置されている。活性層２２２は、ｎクラッド層２２１に向いた面と、ｐクラッド層２２３に向いた面とを有している。

また、レーザダイオード２０２は、活性層２２２の面に垂直な方向の両端に位置する下面２０２ａおよび上面２０２ｂと、この下面２０２ａと上面２０２ｂとを連結する４つの面とを有する直方体形状をなしている。下面２０２ａと上面２０２ｂは、活性層２２２の面に平行である。下面２０２ａは、ｐ電極２１４の表面によって形成されている。上面２０２ｂは、ｎ電極２１３の表面によって形成されている。下面２０２ａと上面２０２ｂとを連結する４つの面のうちの１つの面２０２ｃは、活性層２２２の端に位置するレーザ光の出射部２２２ａを含んでいる。以下、この面２０２ｃを出射端面と言う。下面２０２ａおよび上面２０２ｂは、出射端面２０２ｃよりも面積が大きい。

レーザダイオード２０２は、活性層２２２の面に垂直な方向の端に位置する下面２０２ａがスライダ２０１の上面２０１ｃに向くように配置されて、スライダ２０１に固定される。本実施の形態では、特に、レーザダイオード２０２の下面２０２ａはスライダ２０１の上面２０１ｃに接合されている。スライダ２０１の上面２０１ｃに対するレーザダイオード２０２の下面２０２ａの接合は、例えば接着剤によって行われる。

スライダ２０１は、上面２０１ｃにおいて露出するように配置されて、レーザダイオード２０２のｐ電極２１４と端子２１０とを接続する導体層を備えていてもよい。この場合、レーザダイオード２０２の下面２０２ａをスライダ２０１の上面２０１ｃに接合することによって、ｐ電極２１４が導体層に電気的に接続されるようにしてもよい。この場合、レーザダイオード２０２の下面２０２ａと導体層との接続は、例えば半田付けによって行われる。レーザダイオード２０２のｎ電極２１３は、例えばボンディングワイヤによって、他の端子２１０に接続されている。

図３および図６に示したように、本実施の形態では、レーザダイオード２０２の下面２０２ａと出射部２２２ａとの間の距離Ｄ１は、レーザダイオード２０２の上面２０２ｂと出射部２２２ａとの間の距離Ｄ２よりも小さい。

外部ミラー２０３は、それぞれ板状の反射部２０３ａと被固定部２０３ｂ，２０３ｃを有している。被固定部２０３ｂ，２０３ｃは、９０°の角度をなすように連結されている。反射部２０３ａは、被固定部２０３ｃに対して１３５°の角度をなすように、被固定部２０３ｃにおける被固定部２０３ｂが連結された端部とは反対側の端部に連結されている。外部ミラー２０３は、被固定部２０３ｂが上面２０２ａに固定され、被固定部２０３ｃが出射端面２０２ｃに固定されることによって、レーザダイオード２０２に固定されている。反射部２０３ａは、出射部２２２ａの前方に配置されている。反射部２０３ａにおける出射部２２２ａにより近い面は、出射部２２２ａより出射されたレーザ光を、スライダ２０１内の導波路２６に向けて反射する反射面になっている。この反射面に対する法線は、出射部２２２ａより出射されたレーザ光の進行方向に対して４５°の角度をなしている。

外部ミラー２０３は、例えば、樹脂、ガラス等の絶縁材料を成型して本体を作製し、この本体のうちの少なくとも反射面となる部分に、蒸着法、スパッタ法等によって金属膜を形成することによって作製することができる。

リターン磁極層１０からクラッド層２９までの部分、レーザダイオード２０２および外部ミラー２０３は、記録ヘッドを構成する。

次に、図１、図２、図６および図７を参照して、レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されたレーザ光の経路について説明する。図２は、図１におけるレーザダイオード２０２、外部ミラー２０３、内部ミラー３０および導波路２６の位置関係とレーザ光の偏光方向を示す斜視図である。図６は、図５における６−６線で示す位置における熱アシスト磁気記録ヘッド２００の断面の一部を示す断面図である。図２および図６には、図４に示したＸ，Ｙ，Ｚの各方向も示している。図６において、Ｙ方向はＸ方向およびＺ方向に直交する方向である。

レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されたレーザ光は、外部ミラー２０３の反射部２０３ａの反射面で反射されて、クラッド層２９、クラッド層２４、介在層２５を通過して、上面２６ｃから導波路２６内に入射して後端面２６ｂおよび反射面３５１ａ，３５２ａに至り、導波路２６内を媒体対向面２０１ａ（前端面２６ａ）に向けて進行するように、内部ミラー３０の反射膜３５における反射面３５１ａ，３５２ａで反射される。

ここで、図１および図２に示したように、出射部２２２ａより出射されたレーザ光を符号Ｌ１で示し、外部ミラー２０３で反射された後のレーザ光を符号Ｌ２で示し、内部ミラー３０で反射された後のレーザ光を符号Ｌ３で示す。本実施の形態では、レーザダイオード２０２、外部ミラー２０３、内部ミラー３０および導波路２６は、スライダ２０１の上面２０１ｃの上方から見たときに、出射部２２２ａより出射されたレーザ光Ｌ１の進行方向と内部ミラー３０で反射された後のレーザ光Ｌ３の進行方向が直交するように配置されている。

図１および図２には、導波路２６の形状の一例を示している。この例における導波路２６では、２つの側面２６ｅ，２６ｆにおける前端部２６ａの近傍の部分は、上方から見た形状が放物線形状の反射面になっている。この反射面は、導波路２６によって伝播される光を、前端部２６ａの近傍に集光する機能を有している。

ここで、図２を参照して、本実施の形態におけるレーザ光の偏光方向について説明する。本実施の形態では、レーザダイオード２０２は、出射部２２２ａから、電界の振動方向が活性層２２２の面に平行な直線偏光すなわちＴＥモードのレーザ光を出射する。出射部２２２ａより出射されたレーザ光における電界の振動方向は、ＸＹ平面に平行である。出射部２２２ａより出射されたレーザ光は、外部ミラー２０３の反射部２０３ａの反射面で反射されて、導波路２６に向かう。このときのレーザ光における電界の振動方向は、ＹＺ平面に平行である。このレーザ光は、クラッド層２９、クラッド層２４、介在層２５を通過して、上面２６ｃから導波路２６内に入射して、内部ミラー３０によって反射される。内部ミラー３０によって反射された後のレーザ光における電界の振動方向は、ＹＺ平面に平行である。内部ミラー３０によって反射されたレーザ光は、導波路２６内を伝播して、対向部分２６ｇに至る。このレーザ光における電界の振動方向は、対向部分２６ｇに対して垂直である。これにより、近接場光発生素子２３において大きな強度の表面プラズモンを発生させることができる。

以上説明したように、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００は、スライダ２０１と、このスライダ２０１に固定された端面発光型のレーザダイオード２０２と、スライダ２０１の外部に設けられた外部ミラー２０３とを備えている。スライダ２０１は、記録媒体に対向する媒体対向面２０１ａと、再生ヘッドと、記録ヘッドのうちのレーザダイオード２０２および外部ミラー２０３を除いた部分（以下、記録ヘッドのスライダ内部分という。）を備えている。再生ヘッドと、記録ヘッドのスライダ内部分は、基板１の上に積層されている。記録ヘッドのスライダ内部分は、再生ヘッドに対して、記録媒体の進行方向（Ｚ方向）の前側（トレーリング側）に配置されている。

再生ヘッドは、再生素子としてのＭＲ素子５と、媒体対向面２０１ａ側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層７と、ＭＲ素子５と下部シールド層３との間に配置された下部シールドギャップ膜４と、ＭＲ素子５と上部シールド層７との間に配置された上部シールドギャップ膜６とを備えている。

記録ヘッドのスライダ内部分は、リターン磁極層１０と、コイル１２と、連結層１３と、下部ヨーク層１７と、磁極２０とを備えている。コイル１２は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。リターン磁極層１０、連結層１３、下部ヨーク層１７および磁極２０は、コイル１２が発生する磁界に対応した磁束を通過させる磁路を形成する。磁極２０は、第１層２０Ａと第２層２０Ｂとを有している。磁極２０は、コイル１２によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。記録媒体に記録されるビットパターンの端部の位置は、媒体対向面２０１ａに配置された第２層２０Ｂの前端面における上端部すなわち基板１の上面１ａからより遠い端部の位置によって決まる。また、媒体対向面２０１ａに配置された第２層２０Ｂの前端面における上端部の幅がトラック幅を規定する。リターン磁極層１０、連結層１３および下部ヨーク層１７は、磁極２０より発生されて、記録媒体を磁化した磁束を、磁極２０に還流させる機能を有する。

記録ヘッドのスライダ内部分は、更に、近接場光発生素子２３と、介在層２５と、導波路２６と、クラッド層２４，２９と、内部ミラー３０とを備えている。基板１は上面１ａを有している。磁極２０、導波路２６、近接場光発生素子２３および内部ミラー３０は、基板１の上面１ａの上方に配置されている。導波路２６、近接場光発生素子２３および内部ミラー３０は、磁極２０の第１層２０Ａに対して基板１の上面１ａからより遠い位置に配置されている。導波路２６の前端面２６ａは、第２層２０Ｂの後端面に対向している。導波路２６の後端面２６ｂは、内部ミラー３０の反射膜３５における反射面３５１ａ，３５２ａに接している。近接場光発生素子２３は、第２層２０Ｂに対して基板１の上面１ａからより遠い位置に配置されている。介在層２５、近接場光発生素子２３およびクラッド層２４，２９は、導波路２６に対して基板１の上面１ａからより遠い位置に配置されている。クラッド層２９は、上面２９ａを有している。クラッド層２９の上面２９ａは、スライダ２０１の上面２０１ｃを構成している。

近接場光発生素子２３の外面は、媒体対向面２０１ａに配置された第１の端面２３ａと、媒体対向面２０１ａからより遠い第２の端面２３ｂと、第１の端面２３ａと第２の端面２３ｂを連結する連結部とを含んでいる。連結部は、基板１の上面１ａからより遠い上面２３ｃと、基板１の上面１ａに近づくに従って互いの距離が小さくなる２つの側面２３ｄ，２３ｅと、２つの側面２３ｄ，２３ｅを接続するエッジ部２３ｆとを含んでいる。第１の端面２３ａは、近接場光発生部２３ｇを含んでいる。媒体対向面２０１ａに垂直な方向（Ｙ方向）についての近接場光発生素子２３の長さＨ_PAは、基板１の上面１ａに垂直な方向についての第１の端面２３ａの長さＴ_PAよりも大きい。後で詳しく説明するが、近接場光発生素子２３では、導波路２６を伝播する光に基づいて表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンが近接場光発生部２３ｇに伝播され、この表面プラズモンに基づいて近接場光発生部２３ｇより近接場光が発生される。

導波路２６は、近接場光発生素子２３に対して、基板１の上面１ａにより近い位置に配置されている。導波路２６の外面は、介在層２５を介して、近接場光発生素子２３のエッジ部２３ｆの一部に対向する対向部分２６ｇを含んでいる。

反射膜支持体２７、介在層２５およびクラッド層２４，２９は、いずれも、導波路２６の屈折率よりも小さい屈折率を有する誘電体材料によって形成されている。従って、導波路２６の外面のうち反射膜３５に接する部分以外の部分は、導波路２６の屈折率よりも小さい屈折率を有する誘電体材料によって覆われている。

記録ヘッドは、更に、スライダ２０１に固定された端面発光型のレーザダイオード２０２と、レーザダイオード２０２に固定された外部ミラー２０３とを備えている。レーザダイオード２０２は、活性層２２２と、活性層２２２の面に平行な方向の端に位置し、レーザ光の出射部２２２ａを含む出射端面２０２ｃと、活性層２２２の面に垂直な方向の端に位置する下面２０２ａとを有し、下面２０２ａがスライダ２０１の上面２０１ｃに向くように配置されている。外部ミラー２０３は、出射部２２２ａより出射されたレーザ光を、導波路２６に向けて反射する。外部ミラー２０３で反射されたレーザ光は、クラッド層２９、クラッド層２４、介在層２５を通過して、上面２６ｃから導波路２６内に入射して後端面２６ｂに至り、導波路２６内を媒体対向面２０１ａ（前端面２６ａ）に向けて進行するように、内部ミラー３０によって反射される。

ここで、本実施の形態における近接場光発生の原理と、近接場光を用いた熱アシスト磁気記録の原理について詳しく説明する。レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されたレーザ光は、上述のように、外部ミラー２０３で反射され、クラッド層２９、クラッド層２４、介在層２５を通過して、上面２６ｃから導波路２６内に入射して後端面２６ｂに至り、内部ミラー３０によって反射されて、導波路２６内を媒体対向面２０１ａ（前端面２６ａ）に向けて進行する。このレーザ光は、導波路２６内を伝播して、対向部分２６ｇの近傍に達する。ここで、対向部分２６ｇと介在層２５との界面において、レーザ光が全反射することによって、介在層２５内にしみ出すエバネッセント光が発生する。その結果、このエバネッセント光と、近接場光発生素子２３の外面のうちの連結部の一部（エッジ部２３ｆの一部およびその近傍部分）における電荷の集団振動すなわち表面プラズモンとが結合した系である表面プラズモン・ポラリトンが励起される。このようにして、近接場光発生素子２３に表面プラズモンが励起される。

近接場光発生素子２３に励起された表面プラズモンは、近接場光発生素子２３のエッジ部２３ｆに沿って近接場光発生部２３ｇに向けて伝播する。その結果、近接場光発生部２３ｇにおいて表面プラズモンが集中し、この表面プラズモンに基づいて、近接場光発生部２３ｇから近接場光が発生する。この近接場光は、記録媒体に向けて照射され、記録媒体の表面に達し、記録媒体の磁気記録層の一部を加熱する。これにより、その磁気記録層の一部の保磁力が低下する。熱アシスト磁気記録では、このようにして保磁力が低下した磁気記録層の一部に対して、磁極２０より発生される記録磁界を印加することによってデータの記録が行われる。

次に、図１１ないし図２０を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００の製造方法について説明する。図１１ないし図２０において、（ａ）は、それぞれ、熱アシスト磁気記録ヘッド２００の製造過程における積層体の、媒体対向面２０１ａおよび基板１の上面１ａに垂直な断面を示している。図１１ないし図２０の（ａ）において、記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面２０１ａが形成される予定の位置を表している。図１１ないし図２０において、（ｂ）は、それぞれ、図１１ないし図２０の（ａ）における位置ＡＢＳにおける断面を示している。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００の製造方法では、まず、図１１に示したように、基板１の上に絶縁層２を形成する。次に、絶縁層２の上に下部シールド層３を形成する。次に、下部シールド層３を覆うように絶縁層３１を形成する。次に、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、下部シールド層３が露出するまで絶縁層３１を研磨して、下部シールド層３および絶縁層３１の上面を平坦化する。次に、下部シールド層３および絶縁層３１の上に下部シールドギャップ膜４を形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上にＭＲ素子５と、ＭＲ素子５に接続される図示しないリードとを形成する。次に、ＭＲ素子５およびリードを覆うように上部シールドギャップ膜６を形成する。次に、上部シールドギャップ膜６の上に上部シールド層７を形成する。次に、上部シールド層７を覆うように絶縁層３２を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部シールド層７が露出するまで絶縁層３２を研磨して、上部シールド層７および絶縁層３２の上面を平坦化する。次に、上部シールド層７および絶縁層３２の上に非磁性層８を形成する。次に、非磁性層８の上にリターン磁極層１０を形成する。次に、リターン磁極層１０を覆うように絶縁層３３を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、リターン磁極層１０が露出するまで絶縁層３３を研磨して、リターン磁極層１０および絶縁層３３の上面を平坦化する。次に、リターン磁極層１０および絶縁層３３の上面の一部の上に絶縁層１１を形成する。

図１２は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばフレームめっき法によって、絶縁層１１の上にコイル１２を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、リターン磁極層１０の上に連結層１３を形成する。なお、連結層１３を形成した後に、コイル１２を形成してもよい。次に、コイル１２の巻線間およびコイル１２の周囲に、例えばフォトレジストよりなる絶縁層１４を選択的に形成する。次に、例えばスパッタ法によって、積層体の上面全体の上に、絶縁層１５を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、コイル１２および連結層１３が露出するまで絶縁層１５を研磨して、コイル１２、連結層１３および絶縁層１４，１５の上面を平坦化する。

図１３は、次の工程を示す。この工程では、まず、絶縁層１６を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、連結層１３および絶縁層１６の上に下部ヨーク層１７を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、非磁性層１８を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、下部ヨーク層１７が露出するまで非磁性層１８を研磨して、下部ヨーク層１７および非磁性層１８の上面を平坦化する。

図１４は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばフレームめっき法によって、下部ヨーク層１７および非磁性層１８の上に第１層２０Ａを形成する。次に、積層体の上面全体の上に、非磁性層２１を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１層２０Ａが露出するまで非磁性層２１を研磨して、第１層２０Ａおよび非磁性層２１の上面を平坦化する。

図１５は、次の工程を示す。この工程では、例えばフレームめっき法によって、第１層２０Ａの上に第２層２０Ｂを形成する。

図１６は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、後に傾斜面２７２ａ，２７２ｂを有する溝部２７Ａが形成されることにより反射膜支持体２７となる初期支持体２７Ｐを形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層２０Ｂが露出するまで初期支持体２７Ｐを研磨して、第２層２０Ｂおよび初期支持体２７Ｐの上面を平坦化する。

図１７は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えば反応性イオンエッチング（以下、ＲＩＥと記す。）によって、初期支持体２７Ｐを選択的にエッチングして、初期支持体２７Ｐに溝部２７Ａを形成する。これにより、初期支持体２７Ｐは反射膜支持体２７となる。次に、反射膜支持体２７の溝部２７Ａの表面のうちの少なくとも傾斜面２７２ａ，２７２ｂおよび連結面２７２ｃの上に、後に反射膜３５となる金属膜３５Ｐを形成する。

図１８は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、後に導波路２６となる誘電体層を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層２０Ｂおよび反射膜支持体２７が露出するまで誘電体層および金属膜３５Ｐを研磨して、第２層２０Ｂ、反射膜支持体２７および誘電体層の上面を平坦化する。これにより、反射膜支持体２７の溝部２７Ａ内に残った誘電体層が導波路２６となり、反射膜支持体２７の溝部２７Ａ内に残った金属膜３５Ｐが反射膜３５となる。なお、導波路２６、反射膜支持体２７および反射膜３５を形成するための一連の工程については、後で更に詳しく説明する。

図１９は、次の工程を示す。この工程では、まず、第２層２０Ｂ、導波路２６および反射膜支持体２７の上に介在層２５を形成する。次に、介在層２５の上にクラッド層２４を形成する。次に、クラッド層２４を選択的にエッチングして、クラッド層２４に、近接場光発生素子２３を収容するための溝部を形成する。次に、クラッド層２４の溝部内に収容されるように近接場光発生素子２３を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、クラッド層２９を形成する。次に、クラッド層２９の上面２９ａに配線や端子２１０等を形成する。

次に、図２０に示したように、外部ミラー２０３が固定されたレーザダイオード２０２を、クラッド層２９の上面２９ａすなわちスライダ２０１の上面２０１ｃに固定する。

次に、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面２０１ａの研磨、浮上用レールの作製等を行って、熱アシスト磁気記録ヘッドが完成する。

ここで、図１０、図２１ないし図２８を参照して、導波路２６、反射膜支持体２７および反射膜３５を形成するための一連の工程について更に詳しく説明する。図２１ないし図２８は、それぞれ、熱アシスト磁気記録ヘッドの製造過程における積層体の一部の、媒体対向面２０１ａおよび基板１の上面１ａに垂直な断面を示している。なお、図２１ないし図２５では、初期支持体２７Ｐよりも基板１側の部分を省略している。また、図２６ないし図２８では、反射膜支持体２７よりも基板１側の部分を省略している。

図２１は、図１６に示した第２層２０Ｂおよび初期支持体２７Ｐの上面を平坦化した後の工程を示している。この工程では、初期支持体２７Ｐの上面に、第１のエッチングマスク４１を形成する。このエッチングマスク４１は、例えばフォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングして形成する。エッチングマスク４１は、導波路２６の平面形状に対応した形状の開口部を有し、初期支持体２７Ｐのうち、基板１の上面１ａに垂直な方向から見たときに後に第１の傾斜面２７２ａが形成される領域を除いた一部を覆っている。また、エッチングマスク４１は、図２１において、媒体対向面２０１ａが形成される予定の位置により近い側面４１ａを有している。なお、初期支持体２７Ｐとエッチングマスク４１との間に、導波路２６の平面形状に対応した形状の開口部を有する金属製マスクを形成してもよい。この金属製マスクは、例えばＴａによって形成されていてもよい。

図２２は、次の工程を示す。この工程では、エッチングマスク４１を用いて、ＲＩＥによって、初期支持体２７Ｐをテーパーエッチングする。この工程を、第１のエッチング工程と呼ぶ。

図２２に示したように、初期支持体２７Ｐがテーパーエッチングされることによって、初期支持体２７Ｐに、初期底部２７１Ｐ、初期傾斜面２７２Ｐおよび図示しない初期側壁を有する初期溝部２７ＡＰが形成される。初期傾斜面２７２Ｐは、基板１の上面１ａに垂直な方向に対して傾いている。初期支持体２７Ｐがアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）によって形成されている場合、第１のエッチング工程では、例えば、ＢＣｌ_３およびＣｌ_２と、ＣＦ_４またはＮ_２を含むエッチングガスを用いたＲＩＥによって、初期支持体２７Ｐをテーパーエッチングする。ＢＣｌ_３とＣｌ_２は、初期支持体２７Ｐのエッチングに寄与する主成分である。ＣＦ_４とＮ_２は、初期支持体２７Ｐのエッチング中に、エッチングによって形成される溝の側壁に側壁保護膜を形成するためのガスである。エッチングガスがＣＦ_４またはＮ_２を含むことにより、初期支持体２７Ｐのエッチング中に溝の側壁に側壁保護膜が形成され、これにより、初期傾斜面２７２Ｐが、基板１の上面１ａに垂直な方向に対して傾いた面となる。なお、図示しない初期側壁も、基板１の上面１ａに垂直な方向に対して傾いた面となる。

ここで、図２２に示したように、初期傾斜面２７２Ｐが初期底部２７１Ｐに対してなす角度を符号θで表す。角度θは、上記エッチングガスの全流量に対するＣＦ_４またはＮ_２の流量の割合を変化させることによって、１５°〜９０°の範囲内で制御することができる。上記エッチングガスにおいて、全流量に対するＣＦ_４およびＮ_２の流量の割合がいずれも０％のときには、角度θは９０°となる。また、上記エッチングガスがＮ_２を含む場合、エッチングガスの全流量に対するＮ_２の流量の割合が８％のときには、角度θは４５°となり、エッチングガスの全流量に対するＮ_２の流量の割合が２０％のときには、角度θは２０°となる。なお、上記エッチングガスがＮ_２の代わりにＣＦ_４を含む場合、エッチングガスの全流量に対するＣＦ_４の流量の割合は、同じ角度θを形成するときのエッチングガスの全流量に対するＮ_２の流量の割合のおよそ２倍となる。一例として、上記エッチングガスがＢＣｌ_３、Ｃｌ_２およびＣＦ_４を含む場合、角度θを４５°とするためには、例えば、ＢＣｌ_３の流量を８０ｓｃｃｍとし、Ｃｌ_２の流量を１５ｓｃｃｍとし、ＣＦ_４の流量を１７ｓｃｃｍとする。この場合、エッチング時間を７２０秒とすると、エッチングにより初期支持体２７Ｐに形成される溝の深さは１μｍとなる。また、上記エッチングガスがＢＣｌ_３、Ｃｌ_２およびＮ_２を含む場合、ＢＣｌ_３の流量を８０ｓｃｃｍとし、Ｃｌ_２の流量を１５ｓｃｃｍとし、Ｎ_２の流量を２３ｓｃｃｍとし、エッチング時間を４００秒とすると、初期支持体２７Ｐに、角度θが２０°で、深さが０．５μｍの溝部が形成される。

ここで、第１のエッチング工程におけるエッチングガス以外の条件の一例を挙げる。この例では、高周波コイルを用いた電磁誘導によりチャンバ内にプラズマを発生させるＲＩＥ装置を用い、高周波コイルに供給するソースパワーを１２００Ｗとし、高周波バイアスパワーを２５Ｗとし、チャンバ内の圧力を０．３Ｐａとする。

第１のエッチング工程では、例えば、初期傾斜面２７２Ｐが基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度が４５°となるように、初期支持体２７Ｐをテーパーエッチングする。初期溝部２７ＡＰの深さ（初期支持体２７Ｐの上面と初期底部２７１Ｐとの間の距離）は、例えば０．５μｍである。なお、第１のエッチング工程の後、図示しない初期側壁が基板１の上面１ａに対して垂直になるように、ＲＩＥによって、図示しない初期側壁をエッチングしてもよい。その際、初期傾斜面２７２Ｐをフォトレジストマスクで覆ってもよい。

図２３は、次の工程を示す。この工程では、例えば、有機系のレジスト剥離液を用いた剥離や、Ｏ_２を含むアッシングガスを用いたアッシングによって、エッチングマスク４１を除去する。

図２４は、次の工程を示す。この工程では、まず、初期支持体２７Ｐの上面に、第２のエッチングマスク４２を形成する。このエッチングマスク４２は、例えばフォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングして形成する。エッチングマスク４２は、導波路２６の平面形状に対応した形状の開口部を有し、初期支持体２７Ｐのうち、基板１の上面１ａに垂直な方向から見たときに後に傾斜面２７２ａ，２７２ｂが形成される領域を除いた一部を覆っている。また、エッチングマスク４２は、図２４において、媒体対向面２０１ａが形成される予定の位置により近い側面４２ａを有している。側面４２ａは、エッチングマスク４１の側面４１ａが配置される位置に対して、媒体対向面２０１ａが形成される予定の位置からより遠い位置に配置される。

図２５は、次の工程を示す。この工程では、エッチングマスク４２を用いて、ＲＩＥによって、初期支持体２７Ｐをテーパーエッチングする。この工程を、第２のエッチング工程と呼ぶ。第２のエッチング工程におけるエッチング条件は、第１のエッチング工程におけるエッチング条件と同じである。第２のエッチング工程の後の状態を、図２６に示す。

図２６は、第２のエッチング工程により、初期支持体２７Ｐがテーパーエッチングされた後の積層体の一部を示している。図２６に示したように、初期支持体２７Ｐがテーパーエッチングされることによって、初期支持体２７Ｐに、溝部２７Ａが形成される。これにより、底部２７１および傾斜面２７２ａ，２７２ｂが完成して、初期支持体２７Ｐは反射膜支持体２７となる。なお、第２のエッチング工程の後、溝部２７Ａの図示しない側壁が基板１の上面１ａに対して垂直になるように、ＲＩＥによって、側壁をエッチングしてもよい。この場合、傾斜面２７２ａ，２７２ｂおよび連結面２７２ｃをフォトレジストマスクで覆ってもよい。

第２のエッチング工程では、傾斜面２７２ａ，２７２ｂの各々が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度が４５°となるように、ＢＣｌ_３、Ｃｌ_２、ＣＦ_４、Ｎ_２のうち少なくともＢＣｌ_３、Ｃｌ_２、ＣＦ_４を含むエッチングガスを用いたＲＩＥによって、初期支持体２７Ｐをテーパーエッチングする。溝部２７Ａの深さ（反射膜支持体２７の上面と底部２７１との間の距離）は、例えば１μｍである。

ここで、図２４ないし図２６を参照して、第２のエッチング工程について更に詳しく説明する。第２のエッチング工程では、以下で説明するようなＲＩＥの特性を用いて、初期支持体２７Ｐをテーパーエッチングする。ＣＦ_４またはＮ_２を含むエッチングガスを用いたＲＩＥによって初期支持体２７Ｐをエッチングすると、エッチングによって初期支持体２７Ｐに形成される溝の側壁に側壁保護膜が形成されるため、初期支持体２７Ｐのうちエッチングマスク４２に近い部分は、テーパーエッチングされる。一方、初期支持体２７Ｐのうちエッチングマスク４２から離れた部分は、垂直にエッチングされる。上記のＲＩＥの特性により、第２のエッチング工程では、初期支持体２７Ｐのうち、初期底部２７１Ｐおよび初期傾斜面２７２Ｐの下の部分がエッチングされて底部２７１および傾斜面２７２ａが形成されると共に、初期支持体２７Ｐのうち、第１のエッチング工程においてエッチングされなかった部分がエッチングされて傾斜面２７２ｂが形成される。

また、第２のエッチング工程では、傾斜面２７２ｂが、傾斜面２７２ａを含む仮想の平面に対して傾斜面２７２ａに垂直な方向にずれた状態で、傾斜面２７２ａ，２７２ｂが形成されてもよい。この場合には、傾斜面２７２ａ，２７２ｂを連結するように連結面２７２ｃが形成される。

ここで、図２４および図２５に示したように、エッチングマスク４１の側面４１ａとエッチングマスク４２の側面４２ａとの間の距離を符号Ｓ１で表し、第２のエッチング工程によるエッチング深さ（初期底部２７１Ｐと底部２７１との間の距離）を符号Ｄｐで表す。傾斜面２７２ｂが基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度を４５°とする場合には、Ｓ１を、Ｄｐと等しいか、ほぼ等しくなるようにする。Ｓ１は、Ｄｐの０．８〜１．２倍であることが好ましい。

傾斜面２７２ｂが基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度を４５°としたときに、Ｓ１／Ｄｐが１である場合には、理想的には、傾斜面２７２ａ，２７２ｂが同一平面上に配置され、連結面２７２ｃは形成されない。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００の製造方法は、このような場合も含む。

傾斜面２７２ｂが基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度を４５°としたときに、Ｓ１／Ｄｐが１以外の場合には、傾斜面２７２ｂが、傾斜面２７２ａを含む仮想の平面に対して傾斜面２７２ａに垂直な方向にずれた状態で、傾斜面２７２ａ，２７２ｂが形成され、連結面２７２ｃが形成される。特に、Ｓ１／Ｄｐが１より大きい場合には、図２６に示したように、連結面２７２ｃが基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、傾斜面２７２ａ，２７２ｂの各々が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度よりも大きくなる。

図２７は、次の工程を示す。この工程では、例えば、有機系のレジスト剥離液を用いた剥離や、Ｏ_２を含むアッシングガスを用いたアッシングによって、エッチングマスク４２を除去する。

図２８は、次の工程を示す。この工程では、傾斜面２７２ａ，２７２ｂおよび連結面２７２ｃの上に、後に反射膜３５となる金属膜３５Ｐを形成する。金属膜３５Ｐは、反射膜支持体２７の上面の一部および底部２７１の一部の上にも形成される。

図２８に示した工程の後、導波路２６および内部ミラー３０を形成するまでの工程については、図１０を参照して説明する。図２８に示した工程の後では、まず、積層体の上面全体の上に、後に導波路２６となる誘電体層を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層２０Ｂおよび反射膜支持体２７が露出するまで誘電体層および金属膜３５Ｐを研磨して、第２層２０Ｂ、反射膜支持体２７および誘電体層の上面を平坦化する。これにより、溝部２７Ａ内に残った誘電体層が導波路２６となる。また、溝部２７Ａ内に残った金属膜３５Ｐが反射膜３５となり、内部ミラー３０が完成する。

以上説明したように、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００では、スライダ２０１の上面２０１ｃにレーザダイオード２０２が固定されている。レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されたレーザ光は、外部ミラー２０３の反射部２０３ａの反射面で反射されて、クラッド層２９、クラッド層２４、介在層２５を通過して、上面２６ｃから導波路２６内に入射して後端面２６ｂに至り、導波路２６内を媒体対向面２０１ａ（前端面２６ａ）に向けて進行するように、内部ミラー３０によって反射される。

内部ミラー３０は、反射膜支持体２７と反射膜３５とを有している。反射膜支持体２７は、第１の傾斜面２７２ａと第２の傾斜面２７２ｂを含んでいる。第２の傾斜面２７２ｂは、第１の傾斜面２７２ａを含む仮想の平面に対して、第１の傾斜面２７２ａに垂直な方向にずれている。反射膜３５は、第１の傾斜面２７２ａの上に配置された第１の部分３５１と、第２の傾斜面２７２ｂの上に配置された第２の部分３５２とを有している。第１の部分３５１は第１の反射面３５１ａを含み、第２の部分３５２は第２の反射面３５２ａを含んでいる。第２の反射面３５２ａは、第１の反射面３５１ａを含む仮想の平面に対して、第１の反射面３５１ａに垂直な方向にずれている。

以下、本実施の形態による効果について説明する。始めに、深さ方向の寸法の大きな単一の反射面を有する内部ミラーを作製する場合における問題点について説明する。一般的に、アルミナよりなる初期支持体２７Ｐのような絶縁層をテーパーエッチングする場合のエッチングレートは、絶縁層を垂直にエッチングする場合のエッチングレートよりも小さくなる。そのため、エッチングの深さを同じにして比較すると、絶縁層をテーパーエッチングする場合には、絶縁層を垂直にエッチングする場合に比べて、フォトレジストよりなるエッチングマスクを厚くする必要がある。しかし、エッチングマスクを厚くすると、エッチング中に、プラズマによってエッチングマスクの網状化（reticulation）が発生する等して、エッチングマスクの形状が崩れやすくなる。

例えば、初期支持体２７Ｐの上に４μｍの厚みのフォトレジストよりなるエッチングマスクを形成して、テーパーエッチングによって初期支持体２７Ｐに、基板１の上面１ａに垂直な方向に対して４５°の角度をなす傾斜面を形成する場合、傾斜面を平面状に形成可能な最大のエッチング深さは１μｍ程度である。エッチングマスクの厚みが４μｍを超えると、エッチングマスクの形状が崩れ、傾斜面を平面状に形成することが困難になる。従って、１回のテーパーエッチングによって平面状の傾斜面を精度よく形成可能な最大のエッチング深さは１μｍ程度になる。

一方、内部ミラーの反射面に入射する際のレーザ光の径は、例えば１〜２μｍである。レーザダイオード２０２をスライダ２０１の上面２０１ａに固定する際の位置合わせの誤差によるレーザ光の変位が最大で１μｍ程度あるとすると、反射面の深さ方向の寸法としては２〜４μｍ程度必要となる。このような寸法の単一の反射面を形成する場合には、初期支持体２７Ｐに、深さ方向の寸法が２〜４μｍ程度の単一の平面状の傾斜面を形成する必要がある。しかし、前述のように、このような寸法の単一の平面状の傾斜面を、１回のテーパーエッチングによって精度よく形成することは困難である。従って、深さ方向の寸法が２〜４μｍのように大きな単一の反射面を形成する場合には、反射面が平面状ではなくなる。その結果、反射面によって反射されて所望の方向に進行するレーザ光の光量が減少し、近接場光の発生に利用されるレーザ光の利用効率が低下するという問題が発生する。

本実施の形態では、反射膜支持体２７は、第１の傾斜面２７２ａと第２の傾斜面２７２ｂを含んでいる。この第１の傾斜面２７２ａと第２の傾斜面２７２ｂは、例えば、２回のテーパーエッチングを含む複数の工程を経て形成することができる。第１および第２の傾斜面２７２ａ，２７２ｂは、寸法の大きな単一の平面状の傾斜面を形成する場合に比べて、精度よく形成することが可能である。そのため、本実施の形態によれば、第１および第２の反射面３５１ａ，３５２ａも精度よく形成することが可能になる。これにより、本実施の形態によれば、内部ミラー３０に起因して、レーザ光の利用効率が低下することを防止することが可能になる。

また、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００の製造方法では、反射膜支持体２７を形成する工程は、初期支持体２７Ｐを形成する工程と、初期支持体２７Ｐをエッチングする工程とを備えている。初期支持体２７Ｐをエッチングする工程は、初期支持体２７Ｐをテーパーエッチングする第１および第２のエッチング工程を含んでいる。そして、第２のエッチング工程の後で第１および第２の傾斜面２７２ａ，２７２ｂが完成する。この製造方法によれば、寸法の大きな単一の平面状の傾斜面を形成する場合に比べて、第１および第２の傾斜面２７２ａ，２７２ｂを精度よく形成することが可能である。そのため、本実施の形態によれば、第１および第２の反射面３５１ａ，３５２ａも精度よく形成することが可能になる。これにより、本実施の形態によれば、内部ミラー３０に起因してレーザ光の利用効率が低下することを防止することが可能になる。

ここで、媒体対向面２０１ａに垂直な方向についての連結面２７２ｃの寸法（以下、連結面２７２ｃの幅と言う。）および連結面３５３ａの寸法（以下、連結面３５３ａの幅と言う。）について考える。連結面３５３ａの幅は、連結面２７２ｃの幅に依存する。連結面２７２ｃは、前述のようにＳ１／Ｄｐが１以外の場合に形成される。Ｓ１／Ｄｐが１より大きい場合には、連結面２７２ｃが基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、傾斜面２７２ａ，２７２ｂの各々が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度よりも大きくなる。その結果、図１０に示したように、連結面３５３ａが基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、反射面３５１ａ，３５２ａの各々が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度よりも大きくなる。ここで、Ｓ１／Ｄｐが大きすぎると、連結面２７２ｃの幅が大きくなりすぎて、連結面３５３ａの幅も大きくなりすぎる。この場合、反射膜３５に入射した光のうち、連結面３５３ａで反射されて、その結果、導波路２６内を媒体対向面２０１ａに向けて進行しない光の割合が大きくなりすぎて、光の利用効率が低下する。この観点から、Ｓ１／Ｄｐは、１．２以下であることが好ましい。なお、Ｓ１／Ｄｐが１よりも小さい場合については、第２の実施の形態で説明する。

Ｓ１／Ｄｐが１となるようにエッチングマスク４１，４２を形成しようとしても、エッチングマスク４１，４２を形成する際のフォトリソグラフィにおける位置合わせの誤差によって、エッチングマスク４１，４２の位置が所望の位置からわずかにずれる場合がある。この位置合わせの誤差によるＳ１の変動は最大で０．１μｍ程度と考えられ、位置合わせの誤差によって生じる連結面２７２ｃの幅および連結面３５３ａの幅も、最大で０．１μｍ程度と考えられる。ここで、媒体対向面２０１ａに垂直な方向についての反射面３５１ａ，３５２ａの寸法がそれぞれ０．５μｍであり、連結面３５３ａの幅が０．１μｍであり、反射膜３５に入射するレーザ光の径が１μｍであるとする。この場合には、反射膜３５に入射するレーザ光のうちの９０％の部分を、導波路２６内を媒体対向面２０１ａ（前端面２６ａ）に向けて進行するように反射面３５１ａ，３５２ａによって反射することができる。

以下、本実施の形態におけるその他の効果について説明する。本実施の形態では、導波路２６の外面における対向部分２６ｇが、介在層２５を介して、近接場光発生素子２３のエッジ部２３ｆの一部およびその近傍部分に対向する。本実施の形態では、導波路２６を伝播する光に基づいて、介在層２５においてエバネッセント光が発生し、このエバネッセント光に基づいて、近接場光発生素子２３に表面プラズモンが励起される。そして、この表面プラズモンが近接場光発生部２３ｇに伝播され、この表面プラズモンに基づいて近接場光発生部２３ｇより近接場光が発生される。本実施の形態によれば、レーザ光をプラズモン・アンテナに直接照射して近接場光を発生させる場合に比べて、導波路２６を伝播する光の近接場光への変換の効率を高めることができる。

また、本実施の形態では、導波路２６を伝播するレーザ光が近接場光発生素子２３に直接照射されないため、近接場光発生素子２３の温度上昇を抑制することができる。また、本実施の形態では、媒体対向面２０１ａに垂直な方向についての近接場光発生素子２３の長さＨ_PAが、基板１の上面１ａに垂直な方向についての第１の端面２３ａの長さＴ_PAよりも大きい。そのため、本実施の形態における近接場光発生素子２３の体積は、媒体対向面２０１ａに垂直な方向についての長さが、基板１の上面１ａに垂直な方向についての長さよりも小さい従来のプラズモン・アンテナに比べて大きい。この点からも、本実施の形態によれば、近接場光発生素子２３の温度上昇を抑制することができる。これらのことから、本実施の形態によれば、近接場光発生素子２３が媒体対向面２０１ａから突出することを抑制することができる。

また、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００では、近接場光の発生に利用される光を出射する光源として、端面発光型のレーザダイオード２０２が用いられている。一般的に、端面発光型のレーザダイオードの光出力は、面発光型レーザダイオードに比べて大きい。

レーザダイオード２０２は、活性層２２２の面に垂直な方向の端に位置する下面２０２ａがスライダ２０１の上面２０１ｃに向くように配置されて、スライダ２０１に固定される。レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されたレーザ光は、外部ミラー２０３で反射されて導波路２６に向けられる。レーザダイオード２０２の下面２０２ａは、活性層２２２の面に平行であり、且つ出射端面２０２ｃよりも面積が大きい。従って、本実施の形態では、出射部２２２ａより出射されるレーザ光の光軸がスライダ２０１の上面２０１ｃに平行になるように、レーザダイオード２０２をスライダ２０１に対して精度よく位置決めすることは容易である。そのため、本実施の形態によれば、出射部２２２ａより出射されるレーザ光の光軸が所望の方向に対して傾くことを防止することができる。従って、本実施の形態によれば、近接場光の発生に利用される光を出射する光源として、光出力が大きい端面発光型のレーザダイオード２０２を用いながら、出射部２２２ａより出射されるレーザ光を、直接、導波路に入射させる場合に比べて、導波路に対するレーザ光の位置合わせを容易に行うことが可能になる。

また、本実施の形態では、図１および図２に示したように、レーザダイオード２０２、外部ミラー２０３、内部ミラー３０および導波路２６は、スライダ２０１の上面２０１ｃの上方から見たときに、出射部２２２ａより出射されたレーザ光Ｌ１の進行方向と内部ミラー３０で反射された後のレーザ光Ｌ３の進行方向が直交するように配置されている。このような配置により、本実施の形態によれば、図２に示したように、内部ミラー３０で反射された後のレーザ光Ｌ３の偏光方向（電界の振動方向）を、出射部２２２ａより出射されたレーザ光Ｌ１の偏光方向に直交する方向に設定することができる。これにより、本実施の形態によれば、レーザダイオード２０２として、ＴＥモードのレーザ光を出射する一般的なレーザダイオードを用いながら、導波路２６を伝播するレーザ光の偏光方向を、近接場光発生素子２３において大きな強度の表面プラズモンを発生させることができる方向すなわち対向部分２６ｇに対して垂直な方向に設定することができる。

また、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００では、近接場光発生素子２３が、磁極２０の第２層２０Ｂに対して基板１の上面１ａからより遠い位置に配置され、導波路２６が、磁極２０の第１層２０Ａに対して基板１の上面１ａからより遠い位置に配置され、導波路２６の上方に配置されたレーザダイオード２０２より出射された光が、内部ミラー３０によって、導波路２６内を媒体対向面２０１ａに向けて進行するように反射される。

ここで、近接場光発生素子および導波路が、磁極２０に対して基板１の上面１ａにより近い位置に配置されている場合について考える。この場合には、近接場光発生素子および導波路の上方に磁極２０が存在することになるため、本実施の形態のように導波路の上方にレーザダイオードを配置する場合、レーザダイオードから導波路までの光の経路が長くなり、光のエネルギーの損失が大きくなる。また、この場合、レーザダイオードから導波路までの光の経路が長いことから、レーザダイオードと導波路とを正確に位置決めすることが難しく、レーザダイオードと導波路との位置ずれによる光のエネルギーの損失が発生しやすい。

これに対し、本実施の形態では、レーザダイオード２０２から導波路２６までの光の経路を短くすることができ、その結果、短い経路によって、レーザダイオード２０２から、導波路２６の外面における対向部分２６ｇまで光を導くことが可能になる。これにより、本実施の形態によれば、光のエネルギーの損失を少なくすることができる。また、本実施の形態では、レーザダイオード２０２と導波路２６とを近付けることができることから、レーザダイオード２０２と導波路２６とを正確に位置決めすることが容易である。そのため、本実施の形態によれば、レーザダイオード２０２と導波路２６との位置ずれによる光のエネルギーの損失を少なくすることができる。

また、本実施の形態では、レーザダイオード２０２の下面２０２ａと出射部２２２ａとの間の距離Ｄ１は、レーザダイオード２０２の上面２０２ｂと出射部２２２ａとの間の距離Ｄ２よりも小さい。レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されるレーザ光の径は、出射部２２２ａから離れるに従って大きくなる。そのため、距離Ｄ１が距離Ｄ２よりも大きい場合には、出射部２２２ａから内部ミラー３０までのレーザ光の経路が長くなり、レーザ光の一部が内部ミラー３０に入射しなくなって導波路２６を伝播するレーザ光の光量が少なくなるおそれがある。これに対し、本実施の形態によれば、距離Ｄ１が距離Ｄ２よりも大きい場合に比べて、出射部２２２ａから内部ミラー３０までのレーザ光の経路を短くすることができる。これにより、本実施の形態によれば、内部ミラー３０に入射する際のレーザ光の径を小さくすることができる。その結果、本実施の形態によれば、レーザ光の一部が内部ミラー３０の反射膜３５における反射面３５１ａ，３５２ａに入射しなくなって導波路２６を伝播するレーザ光の光量が少なくなることを防止することができる。

また、本実施の形態では、外部ミラー２０３は、例えば、樹脂、ガラス等の絶縁材料を成型して本体を作製し、この本体のうちの少なくとも反射面となる部分に、蒸着法、スパッタ法等によって金属膜を形成することによって作製することができる。この場合、金属膜を形成する前に、本体の反射面となる部分を研磨してもよい。これにより、反射面のうち、反射部２０３ａと被固定部２０３ｃの境界に近い部分が丸みを帯びることを防止することができる。これにより、以下のような効果を奏する。前述のように、出射部２２２ａより出射されるレーザ光の径は、出射部２２２ａから離れるに従って大きくなる。そのため、出射部２２２ａから反射部２０３ａの反射面までのレーザ光の経路が長くなるほど、反射面で反射された後のレーザ光の径が大きくなる。上述のように、金属膜を形成する前に、本体の反射面となる部分を研磨して、反射面のうち、反射部２０３ａと被固定部２０３ｃの境界に近い部分が丸みを帯びることを防止することにより、出射部２２２ａより出射されたレーザ光が、反射面のうち、反射部２０３ａと被固定部２０３ｃの境界により近い位置で反射されるように設定することが可能になる。これにより、出射部２２２ａから反射面までのレーザ光の経路を短くして、反射面で反射された後のレーザ光の径が大きくなりすぎることを防止することができる。

また、本実施の形態では、導波路２６においてレーザ光が入射する上面の上に、導波路２６の屈折率よりも小さい屈折率を有する介在層２５が設けられている。そのため、導波路２６と介在層２５との界面に、導波路２６側から臨界角以上の入射角で入射する光は、界面で全反射される。これにより、レーザダイオード２０２より出射され、クラッド層２９、クラッド層２４、介在層２５を通過して導波路２６内に入射したレーザ光が、介在層２５、クラッド層２４、クラッド層２９を通過してレーザダイオード２０２に戻ることを抑制することができる。その結果、本実施の形態によれば、レーザ光の利用効率を高めることができると共に、レーザダイオード２０２に戻るレーザ光によってレーザダイオード２０２が損傷を受けることを防止することができる。

以上のことから、本実施の形態によれば、熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、近接場光の発生に利用される光の利用効率を高めることが可能になる。

なお、本実施の形態において、初期支持体２７Ｐに対して、エッチングマスクの位置を変えて３回以上のテーパーエッチングを行って、反射膜支持体２７に３つ以上の傾斜面を形成してもよい。この場合には、反射膜３５は、反射膜支持体２７の３つ以上の傾斜面の上に配置された３つ以上の部分を有し、各部分が反射面を有することになる。この場合には、反射膜３５における３つ以上の反射面の全体の、基板１の上面１ａに垂直な方向および媒体対向面２０１ａに垂直な方向の各々についての寸法を、より大きくすることができる。

［変形例］
以下、本実施の形態における第１および第２の変形例について説明する。図２９は、第１の変形例における熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。第１の変形例における熱アシスト磁気記録ヘッドは、図１ないし図７に示した熱アシスト磁気記録ヘッドのレーザダイオード２０２および外部ミラー２０３の代わりに、図２９に示した面発光型のレーザダイオード３０２を備えている。

第１の変形例では、レーザダイオード３０２は、スライダ２０１の上面２０１ｃに固定されている。レーザダイオード３０２は、その下面に配置された出射部３０２ａを有し、この出射部３０２ａより下方に向けてレーザ光を出射する。出射部３０２ａより出射されたレーザ光は、クラッド層２９、クラッド層２４、介在層２５を通過して、上面２６ｃから導波路２６内に入射して後端面２６ｂに至り、導波路２６内を媒体対向面２０１ａ（前端面２６ａ）に向けて進行するように、内部ミラー３０によって反射される。

第１の変形例では、出射部３０２ａより出射されたレーザ光を、外部ミラーで反射させずに、直接クラッド層２９に入射させることができることから、レーザダイオード３０２から導波路２６までの光の経路を短くすることができ、その結果、短い経路によって、レーザダイオード３０２から、導波路２６の外面における対向部分２６ｇまで光を導くことが可能になる。これにより、第１の変形例によれば、光のエネルギーの損失を少なくすることができる。また、第１の変形例では、レーザダイオード３０２と導波路２６とを近付けることができることから、レーザダイオード３０２と導波路２６とを正確に位置決めすることが容易である。そのため、第１の変形例によれば、レーザダイオード３０２と導波路２６との位置ずれによる光のエネルギーの損失を少なくすることができる。

次に、本実施の形態における第２の変形例について説明する。図３０は、第２の変形例における導波路２６の一部と近接場光発生素子２３を示す平面図である。図３１は、図３０に示した近接場光発生素子２３の斜視図である。第２の変形例における近接場光発生素子２３では、側面２３ｄ，２３ｅは、媒体対向面２０１ａに近づくに従って、トラック幅方向についての互いに距離が小さくなる部分を有している。また、側面２３ｄと第２の端面２３ｂとの間の角部と、側面２３ｅと第２の端面２３ｂとの間の角部は、それぞれ丸められている。第２の変形例では、特に、上記の２つの角部を除いて、側面２３ｄ，２３ｅは、媒体対向面２０１ａに近づくに従って、トラック幅方向についての互いに距離が小さくなっている。

上面２３ｃは、第１の端面２３ａの上端に位置する第１の端縁２２３ａと、第２の端面２３ｂの上端に位置する第２の端縁２２３ｂと、側面２３ｄの上端に位置する第３の端縁２２３ｄと、側面２３ｅの上端に位置する第４の端縁２２３ｅとを有している。第３の端縁２２３ｄと第４の端縁２２３ｅは、第１の端縁２２３ａに近づくに従って、第１の端縁２２３ａに平行な方向についての互いに距離が小さくなる部分を有している。第２の端縁２２３ｂと第３の端縁２２３ｄとの間の角部と、第２の端縁２２３ｂと第４の端縁２２３ｅとの間の角部は、それぞれ丸められている。第２の変形例では、特に、上記の２つの角部を除いて、第３の端縁２２３ｄと第４の端縁２２３ｅは、第１の端縁２２３ａに近づくに従って、第１の端縁２２３ａに平行な方向についての互いに距離が小さくなっている。

また、第２の変形例における近接場光発生素子２３は、基板１の上面１ａにより近い下面２３ｈを有している。導波路２６の上面２６ｃの一部は、介在層２５を介して、近接場光発生素子２３の下面２３ｈの一部に対向している。図３０には、導波路２６の前端面２６ａが媒体対向面２０１ａから離れた位置に配置されている例を示している。しかし、前端面２６ａは媒体対向面２０１ａに配置されていてもよい。

また、図３１に示したように、第２の変形例における近接場光発生素子２３は、第１の端面２３ａに近い一部分（以下、前端近傍部分という。）において、第１の端面２３ａに近づくに従って、下端が基板１の上面１ａから遠ざかっている。また、近接場光発生素子２３の前端近傍部分においてのみ、側面２３ｄ，２３ｅがそれぞれ連続する上部と下部とを含み、側面２３ｄの下部と側面２３ｅの下部とがなす角度は、側面２３ｄの上部と側面２３ｅの上部とがなす角度よりも小さくなっている。近接場光発生素子２３の前端近傍部分以外の部分における側面２３ｄ，２３ｅの形状は、平面またはほぼ平面である。

第１の端面２３ａは、第１の側面２３ｄの端に位置する第１の辺１２３ｄと、第２の側面２３ｅの端に位置する第２の辺１２３ｅと、上面２３ｃの端に位置する第３の辺１２３ｃと、第１の辺１２３ｄと第２の辺１２３ｅが接して形成され、近接場光発生部２３ｇを形成する尖端１２３ｇとを含んでいる。近接場光発生部２３ｇは、具体的には、端面２３ａにおける尖端１２３ｇおよびその近傍の部分である。

第１の辺１２３ｄは、連続する上部と下部とを含んでいる。第２の辺１２３ｅは、連続する上部と下部とを含んでいる。第１の辺１２３ｄの下部と第２の辺１２３ｅの下部とがなす角度は、第１の辺１２３ｄの上部と第２の辺１２３ｅの上部とがなす角度よりも小さい。

ここで、図３０に示したように、媒体対向面２０１ａに垂直な方向についての近接場光発生素子２３の長さを記号Ｈ_PAで表し、第１の端面２３ａの上端部の幅を記号Ｗ_PAで表し、トラック幅方向（Ｘ方向）における近接場光発生素子２３の最大の幅を記号ＷＢ_PAで表す。また、図３１に示したように、基板１の上面１ａに垂直な方向についての第１の端面２３ａの長さを記号Ｔ_PAで表す。媒体対向面２０１ａに垂直な方向についての近接場光発生素子２３の長さＨ_PAは、基板１の上面１ａに垂直な方向についての第１の端面２３ａの長さＴ_PAよりも大きい。Ｗ_PAは例えば５０〜３５０ｎｍの範囲内である。Ｔ_PAは例えば６０〜３５０ｎｍの範囲内である。Ｈ_PAは例えば０．２５〜２．５μｍの範囲内である。ＷＢ_PAは例えば０．２５〜２．５μｍの範囲内である。

第２の変形例では、導波路２６において、近接場光発生素子２３の外面のうちの連結部の一部（下面２３ｈの一部）に対向する対向部分の面積を大きくすることができる。これにより、近接場光発生素子２３の連結部（下面２３ｈ）において、より多くの表面プラズモンを励起させることができる。また、第２の変形例では、近接場光発生素子２３において、側面２３ｄと第２の端面２３ｂとの間の角部と、側面２３ｅと第２の端面２３ｂとの間の角部が、それぞれ丸められている。これにより、これらの角部から近接場光が発生することを防止することができる。また、第２の変形例では、上記の２つの角部を除いて、近接場光発生素子２３の側面２３ｄ，２３ｅは、媒体対向面２０１ａに近づくに従って、トラック幅方向についての互いに距離が小さくなっている。これにより、下面２３ｈにおいて励起された表面プラズモンが近接場光発生部２３ｇに伝播される際に、表面プラズモンを集中させることができる。これらのことから、第２の変形例によれば、尖った形状の近接場光発生部２３ｇに、より多くの表面プラズモンを集中させることが可能になる。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。図３２は、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドにおける内部ミラーの近傍を示す断面図である。

図３２に示したように、本実施の形態における内部ミラー３０では、連結面２７２ｃが基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、傾斜面２７２ａ，２７２ｂの各々が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度よりも小さい。また、連結面３５３ａが基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、反射面３５１ａ，３５２ａの各々が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度よりも小さい。

次に、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法では、エッチングマスク４１を除去する工程（図２３）までは、第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法と同様である。

図３３は、エッチングマスク４１を除去した後の工程を示している。図３３は、熱アシスト磁気記録ヘッドの製造過程における積層体の一部の、媒体対向面２０１ａおよび基板１の上面１ａに垂直な断面を示している。なお、図３３では、初期支持体２７Ｐよりも基板１側の部分を省略している。この工程では、図２４に示した工程と同様に、まず、初期支持体２７Ｐの上面にエッチングマスク４２を形成する。本実施の形態では、エッチングマスク４２の側面４２ａの位置が第１の実施の形態と異なっている。その後の工程は、第１の実施の形態と同様である。

本実施の形態では、傾斜面２７２ｂが基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度を４５°とし、第１の実施の形態において規定したＳ１／Ｄｐが１より小さくなるように、エッチングマスク４２を配置している。Ｓ１／Ｄｐが１より小さい場合、図３２に示したように、連結面２７２ｃが基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、傾斜面２７２ａ，２７２ｂの各々が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度よりも小さくなる。その結果、連結面３５３ａが基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、反射面３５１ａ，３５２ａの各々が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度よりも小さくなる。これにより、本実施の形態によれば、反射膜３５に入射したレーザ光の一部が連結面３５３ａで反射されてレーザダイオード２０２に戻ることを抑制することができ、レーザダイオード２０２に戻るレーザ光によってレーザダイオード２０２が損傷を受けることを防止することができる。

Ｓ１／Ｄｐが小さすぎると、基板１の上面１ａに垂直な方向についての反射面３５１ａ，３５２ａ間の距離が大きくなりすぎ、その結果、反射膜３５によって反射された後のレーザ光の径が大きくなりすぎる。この観点から、Ｓ１／Ｄｐは、０．８以上であることが好ましい。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。図３４は、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドにおける内部ミラーの近傍を示す断面図である。本実施の形態における反射膜支持体２７は、第１層１２７Ａと、この第１層１２７Ａの上に配置された第２層１２７Ｂとを含んでいる。第１層１２７Ａは、上面で開口する溝部１２７Ａ１を有している。溝部１２７Ａ１は、底部２７１と第１の傾斜面２７２ａを有している。第２層１２７Ｂは、貫通する開口部１２７Ｂ１を有している。開口部１２７Ｂ１は、第２の傾斜面２７２ｂを有している。溝部１２７Ａ１および開口部１２７Ｂ１は、溝部２７Ａを構成する。本実施の形態における溝部２７Ａは、第２の実施の形態における連結面２７２ｃの代わりに、第２層１２７Ｂの下面の一部である連結面２７２ｄを有している。

本実施の形態における傾斜面２７２ａ，２７２ｂは、基板１の上面１ａに垂直な方向から見て、それぞれの一部が重なるように配置されている。すなわち、本実施の形態では、傾斜面２７２ｂの前端２７２ｂ１は、傾斜面２７２ａの後端２７２ａ２に対して、媒体対向面２０１ａに近い位置にある。連結面２７２ｄは、基板１の上面１ａに向き、基板１の上面１ａに対して平行である。

本実施の形態における反射膜３５は、第１の傾斜面２７２ａの上に配置された第１の部分３５１と、第２の傾斜面２７２ｂの上に配置された第２の部分３５２と、溝部２７Ａの底部２７１の上に配置されて第１の部分３５１に連結された部分３５４とを有しているが、第１の部分３５１と第２の部分３５２とを連結する連結部は有していない。第１の部分３５１と第２の部分３５２は分離されている。なお、反射膜３５は、部分３５４を有していなくてもよい。本実施の形態における反射面３５１ａ，３５２ａは、基板１の上面１ａに垂直な方向から見て、それぞれの一部が重なるように配置されている。すなわち、本実施の形態では、反射面３５２ａの前端３５２ａ１は、反射面３５１ａの後端３５１ａ２に対して、媒体対向面２０１ａに近い位置にある。

本実施の形態における導波路２６は、基板１の上面１ａにより近い第１層１２６Ａと、基板１の上面１ａからより遠い第２層１２６Ｂとを有している。第１層１２６Ａの少なくとも一部は、溝部１２７Ａ１に収容されている。第２層１２６Ｂの少なくとも一部は、開口部１２７Ｂ１に収容されている。

図示しないが、本実施の形態における磁極２０の第２層２０Ｂは、基板１の上面１ａにより近い第１の部分と、基板１ａの上面１ａからより遠い第２の部分とを含んでいる。

次に、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法では、磁極２０の第１層２０Ａおよび非磁性層２１の上面を平坦化する工程（図１４）までは、第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法と同様である。

図３５は、磁極２０の第１層２０Ａおよび非磁性層２１の上面を平坦化した後の工程を示している。図３５は、熱アシスト磁気記録ヘッドの製造過程における積層体の一部の、媒体対向面２０１ａおよび基板１の上面１ａに垂直な断面を示している。なお、図３５では、反射膜支持体２７の第１層１２７Ａよりも基板１側の部分を省略している。図示しないが、この工程では、まず、例えばフレームめっき法によって、第１層２０Ａの上に第２層２０Ｂの第１の部分を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、後に傾斜面２７２ａが形成されることにより第１層１２７Ａとなる初期第１層を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層２０Ｂの第１の部分が露出するまで初期第１層を研磨して、第２層２０Ｂの第１の部分および初期第１層の上面を平坦化する。

次に、初期第１層の上に、第１のエッチングマスク４３を形成する。このエッチングマスク４３は、例えばフォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングして形成する。エッチングマスク４３は、導波路２６の第１層１２６Ａの平面形状に対応した形状の開口部を有し、初期第１層のうち、基板１の上面１ａに垂直な方向から見たときに後に傾斜面２７２ａが形成される領域を除いた一部を覆っている。

次に、エッチングマスク４３を用いて、ＲＩＥによって、初期第１層をテーパーエッチングする。この工程を、第１のエッチング工程と呼ぶ。この工程におけるエッチング条件は、第１の実施の形態の第１のエッチング工程におけるエッチング条件と同じである。図３５に示したように、初期第１層がエッチングされることによって、初期第１層に溝部１２７Ａ１が形成される。また、これにより、底部２７１および傾斜面２７２ａが形成されて、初期第１層は第１層１２７Ａとなる。

図３６は、次の工程を示す。図３６は、熱アシスト磁気記録ヘッドの製造過程における積層体の一部の、媒体対向面２０１ａおよび基板１の上面１ａに垂直な断面を示している。なお、図３６では、反射膜支持体２７の第１層１２７Ａよりも基板１側の部分を省略している。この工程では、まず、エッチングマスク４３を除去する。次に、底部２７１の一部および傾斜面２７２ａの上に、後に反射膜３５の第１の部分３５１および部分３５４となる金属膜を形成する。この金属膜は、第１層１２７Ａの上面の一部の上にも形成される。次に、積層体の上面全体の上に、後に導波路２６の第１層１２６Ａとなる誘電体層を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層２０Ｂの第１の部分および反射膜支持体２７の第１層１２７Ａが露出するまで誘電体層および金属膜を研磨して、第２層２０Ｂの第１の部分、第１層１２７Ａおよび誘電体層の上面を平坦化する。これにより、溝部１２７Ａ１内に残った誘電体層が導波路２６の第１層１２６Ａとなり、溝部１２７Ａ１内に残った金属膜が反射膜３５の第１の部分３５１および部分３５４となる。

次に、図示しないが、例えばフレームめっき法によって、第２層２０Ｂの第１の部分の上に第２層２０Ｂの第２の部分を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、後に傾斜面２７２ｂが形成されることにより第２層１２７Ｂとなる初期第２層を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層２０Ｂの第２の部分が露出するまで初期第２層を研磨して、第２層２０Ｂの第２の部分および初期第２層の上面を平坦化する。

次に、初期第２層の上面に、第２のエッチングマスク４４を形成する。このエッチングマスク４４は、例えばフォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングして形成する。エッチングマスク４４は、導波路２６の第２層１２６Ｂの平面形状に対応した形状の開口部を有し、初期第２層のうち、基板１の上面１ａに垂直な方向から見たときに後に傾斜面２７２ａ，２７２ｂが形成される領域を除いた一部を覆っている。次に、エッチングマスク４４を用いて、ＲＩＥによって、初期第２層をテーパーエッチングする。この工程を、第２のエッチング工程と呼ぶ。この工程におけるエッチング条件は、第１の実施の形態の第２のエッチング工程におけるエッチング条件と同じである。図３６に示したように、初期第２層がエッチングされることによって、初期第２層に開口部１２７Ｂ１が形成される。また、これにより、傾斜面２７２ｂが形成され、初期第２層は第２層１２７Ｂとなる。

図３６に示した工程の後、導波路２６の第２層１２６Ｂおよび反射膜３５の第２の部分３５２を形成するまでの工程については、図３４を参照して説明する。この工程では、まず、エッチングマスク４４を除去する。次に、傾斜面２７２ｂの上に、後に反射膜３５の第２の部分３５２となる金属膜を形成する。この金属膜は、第２層１２７Ｂの上面の一部の上にも形成される。次に、積層体の上面全体の上に、後に導波路２６の第２層１２６Ｂとなる誘電体層を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層２０Ｂの第２の部分および第２層１２７Ｂが露出するまで誘電体層および金属膜を研磨して、第２層２０Ｂの第２の部分、第２層１２７Ｂおよび誘電体層の上面を平坦化する。これにより、開口部１２７Ｂ１内に残った誘電体層が導波路２６の第２層１２６Ｂとなり、開口部１２７Ｂ１内に残った金属膜が反射膜３５の第２の部分３５２となる。その後の工程は、第１の実施の形態と同様である。

本実施の形態では、反射面３５１ａ，３５２ａは、基板１の上面１ａに垂直な方向から見て、それぞれの一部が重なるように配置されている。そのため、本実施の形態によれば、反射膜３５に入射したレーザ光の一部がレーザダイオード２０２に戻ることを防止することができ、レーザダイオード２０２に戻るレーザ光によってレーザダイオード２０２が損傷を受けることを防止することができる。

なお、本実施の形態において、反射膜支持体２７は、それぞれ傾斜面を有し積層された３つ以上の層を有し、反射膜３５は、反射膜支持体２７の３つ以上の層の傾斜面の上に配置された３つ以上の部分を有していてもよい。反射膜支持体２７の各層の傾斜面は、テーパーエッチングによって形成される。この場合には、反射膜３５における３つ以上の反射面の全体の、基板１の上面１ａに垂直な方向および媒体対向面２０１ａに垂直な方向の各々についての寸法を、より大きくすることができる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第２の実施の形態と同様である。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、第１ないし第３の実施の形態において、レーザダイオード２０２、外部ミラー２０３、内部ミラー３０および導波路２６を、レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されたレーザ光の進行方向と内部ミラー３０で反射された後のレーザ光の進行方向が平行になるように配置してもよい。

また、本発明において、磁極２０は、第２層２０Ｂを有していなくてもよい。また、導波路２６は、近接場光発生素子２３に対して、基板１の上面１ａからより遠い位置に配置されていてもよい。

また、本発明において、近接場光発生素子２３の形状は、図９、図３１にそれぞれ示した形状以外の形状であってもよい。

２６…導波路、２７…反射膜支持体、３０…内部ミラー、３５…反射膜、２７２ａ…第１の傾斜面、２７２ｂ…第２の傾斜面、３５１…第１の部分、３５２…第２の部分。

Claims (20)

1. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
   前記媒体対向面に配置された端面を有し、情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極と、
   光を伝播させる導波路と、
   前記媒体対向面に配置された近接場光発生部を有し、前記導波路を伝播する光に基づいて表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンが前記近接場光発生部に伝播され、この表面プラズモンに基づいて前記近接場光発生部より近接場光を発生する近接場光発生素子と、
   内部ミラーと、
   上面を有する基板とを備え、
   前記基板の上面の上方に、前記磁極、導波路、近接場光発生素子および内部ミラーが配置され、
   前記内部ミラーは、反射膜支持体と、前記反射膜支持体によって支持された反射膜とを有し、前記導波路の上方から到来する光を、前記導波路内を前記媒体対向面に向けて進行するように反射し、
   前記反射膜支持体は、それぞれ前端と後端とを有する第１および第２の傾斜面を含み、
   前記第１の傾斜面の後端は、前記第１の傾斜面の前端に対して前記媒体対向面から遠く且つ前記基板の上面から遠い位置にあり、
   前記第２の傾斜面の前端は、前記第１の傾斜面の前端に対して前記媒体対向面から遠く且つ前記基板の上面から遠い位置にあり、
   前記第２の傾斜面の後端は、前記第１の傾斜面の後端および前記第２の傾斜面の前端に対して前記媒体対向面から遠く且つ前記基板の上面から遠い位置にあり、
   前記第２の傾斜面は、前記第１の傾斜面を含む仮想の平面に対して、前記第１の傾斜面に垂直な方向にずれており、
   前記反射膜は、前記第１の傾斜面の上に配置された第１の部分と、前記第２の傾斜面の上に配置された第２の部分とを有し、
   前記第１の部分は、前端と後端とを有する第１の反射面を含み、
   前記第２の部分は、前端と後端とを有する第２の反射面を含み、
   前記第１の反射面の後端は、前記第１の反射面の前端に対して前記媒体対向面から遠く且つ前記基板の上面から遠い位置にあり、
   前記第２の反射面の前端は、前記第１の反射面の前端に対して前記媒体対向面から遠く且つ前記基板の上面から遠い位置にあり、
   前記第２の反射面の後端は、前記第１の反射面の後端および前記第２の反射面の前端に対して前記媒体対向面から遠く且つ前記基板の上面から遠い位置にあり、
   前記第２の反射面は、前記第１の反射面を含む仮想の平面に対して、前記第１の反射面に垂直な方向にずれていることを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
2. 前記第１および第２の反射面は、いずれも、前記基板の上面に垂直な方向に対して４５°の角度をなしていることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
3. 前記第１および第２の傾斜面は、前記基板の上面に垂直な方向から見て互いに重ならないように配置されていることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
4. 前記反射膜は、更に、前記第１の部分と第２の部分を連結する連結部を有し、前記連結部は、前記第１の反射面と第２の反射面を連結する連結面を含むことを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
5. 前記連結面が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第１および第２の反射面の各々が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも大きいことを特徴とする請求項４記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
6. 前記連結面が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第１および第２の反射面の各々が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さいことを特徴とする請求項４記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
7. 前記第１および第２の傾斜面は、前記基板の上面に垂直な方向から見て、それぞれの一部が重なるように配置されていることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
8. 前記近接場光発生素子は、前記媒体対向面に配置された第１の端面と、前記媒体対向面からより遠い第２の端面と、前記第１の端面と第２の端面を連結する連結部とを含む外面を有し、前記第１の端面は前記近接場光発生部を含み、
   前記媒体対向面に垂直な方向についての前記近接場光発生素子の長さは、前記基板の上面に垂直な方向についての前記第１の端面の長さよりも大きく、
   前記導波路は、前記連結部の一部に対向する対向部分を含む外面を有することを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
9. 前記導波路の前記外面は、前記媒体対向面により近い前端面と、前記媒体対向面からより遠い後端面と、前記基板の上面からより遠い上面とを有し、
   前記後端面は、前記第１および第２の反射面に接し、
   前記導波路の上方から到来する前記光は、前記導波路の上面から前記導波路内に入射した後、前記第１および第２の反射面で反射されることを特徴とする請求項８記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
10. 更に、前記内部ミラーで反射される前記光を出射するレーザダイオードを備えたことを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
11. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
    前記媒体対向面に配置された端面を有し、情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極と、
    光を伝播させる導波路と、
    前記媒体対向面に配置された近接場光発生部を有し、前記導波路を伝播する光に基づいて表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンが前記近接場光発生部に伝播され、この表面プラズモンに基づいて前記近接場光発生部より近接場光を発生する近接場光発生素子と、
    内部ミラーと、
    上面を有する基板とを備え、
    前記基板の上面の上方に、前記磁極、導波路、近接場光発生素子および内部ミラーが配置され、
    前記内部ミラーは、１つ以上の層を含む反射膜支持体と、前記反射膜支持体によって支持された反射膜とを有し、前記導波路の上方から到来する光を、前記導波路内を前記媒体対向面に向けて進行するように反射する熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法であって、
    前記磁極を形成する工程と、
    前記内部ミラーを形成する工程と、
    前記導波路を形成する工程と、
    前記近接場光発生素子を形成する工程とを備え、
    前記内部ミラーを形成する工程は、前記反射膜支持体を形成する工程と、前記反射膜を形成する工程とを含み、
    前記反射膜支持体は、それぞれ前端と後端とを有する第１および第２の傾斜面を含み、
    前記第１の傾斜面の後端は、前記第１の傾斜面の前端に対して前記媒体対向面から遠く且つ前記基板の上面から遠い位置にあり、
    前記第２の傾斜面の前端は、前記第１の傾斜面の前端に対して前記媒体対向面から遠く且つ前記基板の上面から遠い位置にあり、
    前記第２の傾斜面の後端は、前記第１の傾斜面の後端および前記第２の傾斜面の前端に対して前記媒体対向面から遠く且つ前記基板の上面から遠い位置にあり、
    前記反射膜支持体を形成する工程は、
    後に第１および第２の傾斜面が形成されることにより前記反射膜支持体となる初期支持体を形成する工程と、
    前記初期支持体に前記第１および第２の傾斜面が形成されて、前記初期支持体が前記反射膜支持体となるように、前記初期支持体をエッチングする工程とを備え、
    前記初期支持体をエッチングする工程は、
    前記初期支持体のうち、前記基板の上面に垂直な方向から見たときに後に前記第１の傾斜面が形成される領域を除いた一部を覆う第１のエッチングマスクを形成する工程と、
    前記第１のエッチングマスクを用いて、反応性イオンエッチングによって、前記初期支持体をテーパーエッチングする第１のエッチング工程と、
    前記第１のエッチングマスクを除去する工程と、
    前記初期支持体のうち、前記基板の上面に垂直な方向から見たときに後に前記第１および第２の傾斜面が形成される領域を除いた一部を覆う第２のエッチングマスクを形成する工程と、
    前記第２のエッチングマスクを用いて、反応性イオンエッチングによって、前記初期支持体をテーパーエッチングする第２のエッチング工程と、
    前記第２のエッチングマスクを除去する工程とを含み、
    前記第２のエッチング工程の後で前記第１および第２の傾斜面が完成して、前記初期支持体が前記反射膜支持体となり、
    前記反射膜は、前記第１の傾斜面の上に配置された第１の部分と、前記第２の傾斜面の上に配置された第２の部分とを有し、前記第１の部分は第１の反射面を含み、前記第２の部分は第２の反射面を含むことを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
12. 前記第２の傾斜面は、前記第１の傾斜面を含む仮想の平面に対して、前記第１の傾斜面に垂直な方向にずれており、
    前記第１および第２の反射面は、それぞれ前端と後端とを有し、
    前記第１の反射面の後端は、前記第１の反射面の前端に対して前記媒体対向面から遠く且つ前記基板の上面から遠い位置にあり、
    前記第２の反射面の前端は、前記第１の反射面の前端に対して前記媒体対向面から遠く且つ前記基板の上面から遠い位置にあり、
    前記第２の反射面の後端は、前記第１の反射面の後端および前記第２の反射面の前端に対して前記媒体対向面から遠く且つ前記基板の上面から遠い位置にあり、
    前記第２の反射面は、前記第１の反射面を含む仮想の平面に対して、前記第１の反射面に垂直な方向にずれていることを特徴とする請求項１１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
13. 前記第１および第２の反射面は、いずれも、前記基板の上面に垂直な方向に対して４５°の角度をなしていることを特徴とする請求項１１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
14. 前記初期支持体はアルミナによって形成され、前記第１および第２のエッチング工程は、ＢＣｌ_３およびＣｌ_２と、Ｎ_２またはＣＦ_４とを含むエッチングガスを用いることを特徴とする請求項１１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
15. 前記第１のエッチング工程では、前記初期支持体に、前記基板の上面に垂直な方向に対して傾いた初期傾斜面が形成され、
    前記第２のエッチング工程では、前記初期支持体のうち、前記初期傾斜面の下の部分がエッチングされて前記第１の傾斜面が形成されると共に、前記初期支持体のうち、第１のエッチング工程においてエッチングされなかった部分がエッチングされて前記２の傾斜面が形成されることを特徴とする請求項１１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
16. 前記第１および第２のエッチングマスクは、それぞれ前記媒体対向面により近い側面を有し、
    前記第２のエッチングマスクの側面は、前記第１のエッチングマスクの側面が配置される位置に対して、前記第２のエッチング工程によるエッチング深さの０．８〜１．２倍だけ前記媒体対向面から遠い位置に配置されることを特徴とする請求項１５記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
17. 前記反射膜は、更に、前記第１の部分と第２の部分を連結する連結部を有し、前記連結部は、前記第１の反射面と第２の反射面を連結する連結面を含むことを特徴とする請求項１１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
18. 前記連結面が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第１および第２の反射面の各々が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも大きいことを特徴とする請求項１７記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
19. 前記連結面が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第１および第２の反射面の各々が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さいことを特徴とする請求項１７記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
20. 前記反射膜支持体は、前記第１の傾斜面を有する第１層と、前記第２の傾斜面を有する第２層とを含み、
    前記初期支持体を形成する工程は、前記第１のエッチングマスクを形成する工程の前に、後に前記第１の傾斜面が形成されることにより前記第１層となる初期第１層を形成する工程と、前記第１のエッチングマスクを除去する工程と第２のエッチングマスクを形成する工程の間において、後に前記第２の傾斜面が形成されることにより前記第２層となる初期第２層を形成する工程とを含み、
    前記第１のエッチングマスクは、前記初期第１層の上に形成され、
    前記第１のエッチング工程は、前記初期第１層をテーパーエッチングして、前記第１の傾斜面を形成し、
    前記第２のエッチングマスクは、前記初期第２層の上に形成され、
    前記第２のエッチング工程は、前記初期第２層をテーパーエッチングして、前記第２の傾斜面を形成することを特徴とする請求項１１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。

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