JP4936515B2 - フォトマスクの製造方法、およびハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置等の製造において、露光装置を用いたパターン転写に用いられるフォトマスクに関する。

半導体装置の製造における転写パターンの形成には、例えばフォトマスク（レチクル）を介して露光光の照射を行うことにより行われる。
このようなフォトマスクとしては、正方形状の石英ガラスからなる透明基板上に遮光膜パターンが形成されたものが従来から使用されており、遮光膜の材料は、クロム系材料（クロム単体、又はクロムに窒素、酸素、炭素等が含有されたもの、あるいはこれら材料膜の積層膜）が用いられているのが一般的である。さらに、近年において転写パターンの解像度を向上できるものとして、位相シフトマスクが実用化されつつある。位相シフトマスクには、様々なタイプ（レベンソン型、補助パターン型、自己整合型など）が知られているが、その中の一つとして、ホール、ドットの高解像パターン転写に適したハーフトーン型位相シフトマスクが知られている。このハーフトーン型位相シフトマスクは、透明基板上に、約１８０°の位相シフト量を有する光半透過膜パターンが形成されたものであり、光半透過膜が単層で形成されているものや多層で形成されているものがある。例えば、特許文献１には、光半透過膜パターンをモリブデンなどの金属、シリコン、及び窒素を主たる構成要素とする物質からなる薄膜で構成したものが開示されている。このような材料の光半透過膜は、単層で所定の位相シフト量及び透過率を制御できることの他、耐酸性、耐光性等に優れたものが得られる。

これらのフォトマスクを製造する際においては、微細なパターン形成が必要なためフォトマスクのパターン形成方法として例えば電子ビーム露光装置でパターン描画することによりレジストを感光させることでレジストパターンを形成し、その後ドライエッチングによりパターンを形成する方法が一般的である。なお、レジスト種類としては、ポジ型レジストとネガ型レジストが存在する。ポジ型レジストは、レジスト現像液により電子ビームを照射した部分が除去される性質を有するレジストであり、ネガ型レジストは、レジスト現像液により電子ビームを照射した部分以外が除去される性質を有するレジストである。ポジ型レジストを使用するかネガ型レジストを使用するかについては、パターン形成上、または電子ビーム露光装置の描画時間の短縮化等の好ましい方が適宜選定される。
尚、上記のような転写用パターンは、正方形状の透明基板の中央部に位置する正方形状の主要領域に形成され、フォトマスク使用時には、この主要領域の外周部を露光装置に有するマスキングブラインドにて遮蔽し、被転写基板上のレジストに、主要領域のパターンが転写される。また、この主要領域の外周部への漏れ光による転写防止するため、フォトマスクには、主要領域に隣接して遮光帯領域を有するのが一般的である。また、フォトマスクには、一般的にフォトマスク用各種装置との位置合わせに用いる位置合わせマーク等のマークパターン等が、各露光装置メーカー、フォトマスクユーザー、及びフォトマスクメーカーの仕様により、主に主要領域の周辺部に存在する。
従来、ポジ型レジストを用いて転写パターンを形成する場合、主要領域の周辺領域については、所望のマークパターンを除き、非描画領域、即ち遮光膜が形成されたものであり、逆にネガ型レジストを用いて転写パターンを形成する場合、主要領域の周辺領域は、所望のマークパターン及び遮光帯を除き、非描画領域、即ち透明基板が露出されたものであった。即ち、レジストへの描画は、パターンデータに基づき、基板面内を走査することにより行われるため、不必要な領域は描画を行わずに、描画時間の短縮を図るのが一般的である。

さらに、フォトマスクには、形成したパターンへの異物付着を抑制するために、ペリクルと称する保護フィルムを装着して用いられるのが一般的である。ペリクルは、通常金属よりなるペリクル枠に、透明な高分子膜等からなるペリクル膜が接着剤で接着されたものであり、該ペリクル枠は接着剤を用いてフォトマスク表面に貼着される。より具体的には、主要領域及び遮光帯を覆うように、遮光帯の外側にペリクル枠が接着剤を用いて接着される。また、フォトマスク上に異物を付着させないようにするために、ペリクル枠の内面に接着剤を付与したものもある。尚、上記各種マークパターンは、ペリクル内のみではなく、ペリクル外に存在する場合もある。
ところで、ペリクルを装着したフォトマスクを用いてパターン転写を行う際には、ペリクルに対してレーザ光が照射されることで、例えばペリクル内（大気中）に存在するアンモニウムイオンと、フォトマスクの洗浄に用いフォトマスク上に残留する硫酸イオンとの反応がレーザ光照射により促進され、硫酸アンモニウムが析出する等により、フォトマスク上に異物が付着することが知られている。（例えば特許文献１）
特開２０００−３５２８１２号公報

しかしながら、ネガ型レジストを用いて転写パターンを形成したフォトマスク、即ち、主要領域の周辺領域は、所望のマークパターン及び遮光帯を除き、非描画領域、即ち透明基板が露出されたフォトマスクについて、フォトマスク使用後のフォトマスクに、多数の異物が確認されるという問題点があった。また、この問題は、ポジ型レジストを用いて転写パターンを形成したフォトマスクよりも、ネガ型レジストを用いて転写パターンを形成したフォトマスクの方が顕著であることがわかった。従って、ネガ型レジストを用いて転写パターンを形成したフォトマスク、即ち、主要領域の周辺領域は、所望のマークパターン及び遮光帯を除き、非描画領域、即ち透明基板が露出されたフォトマスクについては、数少ない使用回数でフォトマスクが使用できなくなるという問題点があった。
上記問題が発生する原因としては、ペリクル枠をフォトマスクに接着する際に用いられる接着剤が透明基板に直接接着されている場合に、フォトマスク使用時において露光装置内における露光光の多重反射等による迷光が、透明基板の裏面側から透明基板を透過して、ペリクル枠をフォトマスクに接着する際に用いられる接着剤、またはペリクル膜をペリクル枠に接着する際に用いられる接着剤、さらには、ペリクル枠の内側の接着剤が付与されている場合はその接着剤に照射され、その結果、有機系物質である接着剤から発生するガスが析出物となり、フォトマスク上に付着することが考えられる。なお、ペリクル枠の内側に接着剤が付与されていない場合においては、ペリクル枠のアルマイト処理（着色処理含む）、またはペリクル枠のコーティング処理等で残留する成分が、フォトマスク使用時において露光装置内における露光光の多重反射等による迷光が、透明基板の裏面側から透明基板を透過してペリクル枠に照射されることで、析出物がフォトマスク上に付着することも考えられる。
また、上記問題は、使用する露光装置の光源波長が現行のＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）から、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）へと短くなるほど、顕著になる傾向が確認されたため、近年におけるＬＳＩパターンの微細化に伴なう露光光源の短波長化が進むにつれ、異物が多く発生してしまうという問題があった。図５は、露光装置の光源波長のもつエネルギーと接着剤等の有機物の結合エネルギー値の例を示したものである。このように、露光装置の光源波長が短かくなる程、接着剤の分子が持つ結合エネルギーを切断、同時に重合反応やラジカル反応などを起こすことが考えられ、その結果、ガスの発生及び析出物生成が顕著になると考えられる。

本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、主要領域の外周領域に透明基板が露出した透光領域を含むフォトマスク、即ち、代表的にはネガ型レジストを用いて転写パターンを形成したフォトマスクのような、主要領域の外周領域は所望のマーク及び遮光帯を除き、非描画領域、即ち透明基板が露出されたフォトマスクであって、従来はペリクル枠が透明基板に直接接着されていたフォトマスクについて、フォトマスク使用時における異物発生を防止したフォトマスクを提供することを目的とする。

本発明は、上記課題を解決するために、以下の構成を有する。
（構成１） 露光装置を用いたパターン転写に用いられるフォトマスクであって、透明基板と、透明基板の中央部の主要領域に形成された所望の転写用パターンと、前記主要領域の外周領域にペリクル枠が接着されることにより、前記主要領域を含む領域を覆うように装着されたペリクルとを有するフォトマスクにおいて、
前記主要領域の外周領域に透明基板が露出した透光領域を含み、かつ、前記ペリクル枠が接着される面を含む領域が、前記露光装置の露光光に対して遮光性を有する遮光膜が形成された遮光領域からなることを特徴とするフォトマスク。
（構成２） 前記主要領域の外周領域に、前記主要領域に隣接し、かつ前記主要領域と共にペリクルに覆われる遮光帯領域を有することを特徴とする構成１に記載のフォトマスク。
（構成３） 前記転写用パターンが、ネガ型レジストを用いて形成されたパターンであることを特徴とする構成１又は２に記載のフォトマスク。
（構成４） 前記転写用パターンが、ポジ型レジストを用いて形成されたパターンであることを特徴とする構成１又は２に記載のフォトマスク。
（構成５） 前記露光装置の露光光が、前記ペリクル枠及び／又は前記ペリクルに用いられている接着剤に対し光が照射されることで、前記ペリクル枠及び／又は前記接着剤の構成材料が光反応を起こすような光であることを特徴とする構成１〜４の何れかに記載のフォトマスク。
（構成６） 前記露光装置の露光光が、２００ｎｍ以下の波長のレーザ光であることを特徴とする構成１〜５の何れかに記載のフォトマスク。

尚、本発明において、主要領域の外周領域に透明基板が露出した透光領域を含むフォトマスクとは、代表的にはネガ型レジストを用いて転写パターンを形成したフォトマスクのような、主要領域の外周領域は所望のマーク及び遮光帯を除き、非描画領域、即ち透明基板が露出されたフォトマスクであって、従来はペリクル枠が透明基板に直接接着されていたフォトマスクである。
また、遮光膜とは、露光光を実質的に全て遮光する膜のみならず、露光光の一部を透過する膜、例えばハーフトーン型位相シフトマスクに用いられる露光光に対する透過率が３０％以下の光半透過膜も含む。

本発明のフォトマスクによれば、ペリクル枠の下部に遮光膜からなる遮光領域を設け、接着剤を介してペリクル枠が該遮光膜上に接着されていることから、フォトマスク使用時において露光装置内における露光光の多重反射等による迷光が、透明基板の裏面側から透明基板を透過してペリクル枠をフォトマスクに接着する際に用いられる接着剤、またはペリクル膜をペリクル枠に接着する際に用いられる接着剤、さらには、ペリクル枠の内側の接着剤が付与されている場合はその接着剤、ペリクル枠の内側に接着剤が付与されていない場合においては、ペリクル枠のアルマイト処理（着色処理含む）、またはペリクル枠のコーティング処理等で残留する成分に照射されるのを該遮光膜が遮断し、その結果、有機系物質である接着剤からのガスの発生を抑制し、析出物のフォトマスク上への付着を低減することができる。
特に、２００ｎｍ以下の波長の高出力レーザ光を露光光源として用いた露光装置に使用するフォトマスク、即ち、フォトマスク上に析出物が発生しやすいフォトマスクにおいて、フォトマスク上に析出物が発生付着することを好適に抑制することができる。

以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
図１は、本実施の形態のフォトマスクの平面図、図２は、図１における切断線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
これらの図に示されるように、本実施の形態のフォトマスク１は、透明基板２と、透明基板２の中央部の主要領域３に形成された、転写用パターン４と、主要領域３の外周領域に、主要領域３に隣接して設けられた、遮光帯領域５とを有し、さらに、ペリクル膜６ａが接着剤８ａで接着されたペリクル枠６ｂからなるペリクル６が、主要領域３の外周領域に形成された遮光膜からなる遮光領域７に、ペリクル枠６ｂが接着剤８ｂを介して接着されることにより、主要領域３及び遮光帯領域５を覆うように装着されている。さらに、主要領域３及び遮光帯領域５に異物を付着させないようにするために、ペリクル枠６ｂの内面に接着剤８ｃを接着させる。但し、この接着剤８ｃのないペリクルも使用することができる。従来のフォトマスクとの相違点は、従来のフォトマスクにおいては、この遮光領域７が存在しなかったのに対し、本発明では、遮光領域７が存在する点である。

透明基板２は、合成石英ガラスからなる、例えば６インチ×６インチ×０．２５インチのサイズの基板が最も一般的に用いられる。
転写用パターン４は、半導体ウエハ等の被転写基板に転写されてデバイスパターンを形成するためのパターンであり、バイナリマスクの場合は、遮光膜からなるパターンであり、位相シフトマスクのうち、例えばハーフトーン型位相シフトマスクの場合は、光半透過膜からなるパターンとなる。遮光膜の材料は、クロム系材料（クロム単体、又はクロムに窒素、酸素、炭素等が含有されたもの、あるいはこれらの材料膜の積層膜）を用いるのが、最も一般的である。ハーフトーン位相シフトマスクの光半透過膜としては、モリブデンなどの金属、シリコン、窒素を構成要素とする材料が最も一般的である。その他、マスクの種類に応じて、転写パターンは、遮光膜、光半透過膜、基板の彫り込みパターンの一種又は二種以上を混在させたものとすることができる。
遮光帯領域５は、通常、バイナリマスクの転写パターンに用いられる遮光膜と同種の材料からなる遮光膜により形成される。ハーフトーン型位相シフトマスクにおいても、遮光帯領域は、光半透過膜上に遮光膜で形成される。遮光帯領域の遮光膜は、位相シフトマスクにおいては、位相シフター等のエッチングマスクとして用いた遮光膜を、主要領域の外周領域に所定幅残存させるように形成されるのが一般的である。

また、前記遮光領域７についても、遮光帯領域同様、通常、バイナリマスクの転写パターンに用いられる遮光膜と同種の材料からなる遮光膜を用いることができる。また、遮光領域７は、露光光の迷光を遮断できる幅以上で、フォトマスクを製造する際に不要な描画領域を設定することにより描画時間を増加させないように、必要最低限の幅で、ペリクル枠に沿って形成されることが好ましい。具体的には、ペリクル枠をフォトマスクに加圧接着時における位置ずれ（ペリクル貼付位置精度と称する）などによりペリクル枠幅に対して大きくなること等を考慮し、ペリクル枠幅の両側をそれぞれ０．３ｍｍ以上追加した幅とすることが好ましく、さらには０．５ｍｍ以上追加した幅とすることが好ましい。また、上限は、ペリクル枠幅の両側をそれぞれ１０．０ｍｍも追加させておけば、迷光を遮断する充分な効果があると考えられ、描画時間短縮の点から、５．０ｍｍ以下とすることが好ましい。尚、遮光領域の幅は、必ずしもペリクル枠の両側及び全周を同じ幅追加した幅とする必要はなく、適宜存在するマークの位置を考慮しなければならない等の理由により、内側（主要領域側）と外側（主要領域の外周側）とで、異なる追加幅や局部的に異なる幅に設定してもよく、さらにペリクル枠の左右上下で異なる追加幅に設定してもよい。
尚、図１においては、遮光帯領域５とペリクル枠の下部に配置される遮光領域７が、透光部を隔てて形成されているが、遮光帯領域５と遮光領域７とが近接する場合においては、前記遮光領域と遮光帯領域を全域、または局部的につなげて形成するようにしてもよい。
また、ペリクル６においては、ペリクル枠６ｂはアルミ等金属に光散乱を抑制するためのアルマイト処理等を施したものからなり、ペリクル膜６ａは、透明なフッ素ポリマー等の高分子膜等からなり、接着剤８ａ、８ｂ、及び８ｃは、フッ素系、シリコーン系、またはスチレンーブチレン共重合体等の有機系接着剤を用いることができる。また、ペリクル内側の接着剤８ｃについては、必要に応じて設けてもよい。ペリクル６のペリクル形状、ペリクルフレーム寸法、及び接着剤は、露光装置、使用する露光波長、その他使用用途に合わせて、ペリクル供給メーカーで標準化されているため、作製するリソグラフィーマスクに装着するペリクル型式に合わせた遮光膜をマスク描画時のデータに挿入することで、通常のリソグラフィーマスク作製と同様に形成可能である。

本実施の形態のように、主要領域の外周領域に、透光領域が含まれるフォトマスクは、一般的には、ネガ型レジストを用いて転写用パターンを形成した場合に得られる。以下、その点について、本実施の形態のフォトマスクの製造方法を、バイナリマスクを例に、図３の製造工程図を用いて説明する。
まず、透明基板２上にスパッタリング成膜装置等を用いて遮光膜９を形成、その上にネガレジスト膜１０を形成したフォトマスクブランクス１１を用意する（図３（ａ））。このフォトマスクブランク１１は、例えばＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）において、光遮光率９９．９％以上のＡｒＦエキシマレーザ用フォトマスクブランクである。
次に、ネガ型レジスト膜１０に電子ビーム露光装置等を用いて、転写用パターン、遮光帯領域形成用パターン、及びペリクル枠の下部に配置される遮光領域形成用パターンを描画し、レジストを現像及びベーク等のプロセス処理でレジストパターン１０ａを形成する（図３（ｂ））。本実施の形態においては、転写用パターンがラインパターンであるため、レジストの現像により描画された領域以外のレジストが除去されることが好ましいことから、ネガ型レジストを用いる。従って、転写用パターン、遮光帯領域形成用パターン及び遮光領域形成用パターン以外のレジストが、現像により除去される。次にドライエッチングで遮光膜９をエッチングして遮光膜からなる転写用パターン４、遮光膜からなる遮光帯領域５、及び遮光膜からなる遮光領域７のパターン形成を行う（図３（ｂ））。次に、レジスト剥離と洗浄を行って、遮光膜からなる転写用パターン４、遮光膜からなる遮光帯領域５、及び遮光膜からなる遮光領域７を露出する（図３（ｃ））。このように、本実施の形態のように、ネガ型レジストを用いて転写用パターンを形成した場合、主要領域の外周領域は、遮光帯領域５と遮光領域７以外は、透光領域で形成されることになる。その後、ＣＤ測定、欠陥検査、パターン欠陥などの修正を行い、最終洗浄、検査でフォトマスクの品質を保証できた場合には、遮光膜からなる遮光領域７に合わせてペリクル６の装着を行う（図３（ｄ））。
ペリクル６の装着は、ペリクルマウンタと称される加圧機器を用いて接着剤を介してペリクルを加圧することにより行われる。

以下、実施例を用いて、本発明をさらに詳細に説明する。
（実施例）
本実施例は、ハーフトーン型位相シフトマスクに、本発明を適用した例である。
即ち、本実施例のフォトマスクは、図４に示されるように、まず、透明基板２上にモリブデンなどの金属、シリコン、及び窒素から実質的になる単層構造の光半透過膜１２を形成、その上にクロム系遮光膜１３を形成、さらにその上にネガレジスト膜１４を形成したフォトマスクブランク１５を用意した（図４（ａ））。前記光半透過膜１２は、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）との混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝８：９２ｍｏｌ％）を用い、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ2）との混合ガス雰囲気（Ａｒ：Ｎ2＝１０％：９０％、圧力：０．２Ｐａ）で、反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング）により、透明基板２上に形成されたものである。このフォトマスクブランク１５は、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）において、透過率は約５．５％、位相シフト量が約１８０°のＡｒＦエキシマレーザ用フォトマスクブランクである。
次に、ネガレジスト膜１４に電子ビーム描画装置を用いて転写用パターン、遮光帯領域形成用パターン、及びペリクル枠の下部に配置される遮光領域形成用パターンを描画し、レジストを現像及びベーク等のプロセス処理でレジストパターン１４ａを形成した。次に、Ｃｌ_２＋Ｏ_２ガスによるドライエッチングで遮光膜１３をエッチングして、遮光膜からなる転写用パターン形成用エッチングマスクパターン１６、遮光膜からなる遮光帯領域１７、及び遮光膜からなる遮光領域１８からなる遮光部１３ａのパターン形成を行い、次いでレジストパターン１４ａと遮光部１３ａをマスクとして光半透過膜１２をドライエッチングして光半透過部１２ａを形成して、光半透過部と遮光膜の積層構造からなる転写用パターン、遮光帯領域、及び遮光領域のパターン形成を行った（図４（ｂ））。次にレジスト剥離と洗浄を行った。（図４（ｃ））。
次に、前記工程が終了した基板にネガ型レジスト膜１９をコーティングした（図４（ｄ））。その後、遮光帯領域１７及び遮光領域１８上のネガ型レジスト膜１９を露光し、現像、及びベーク等のプロセス処理を行ってレジスト膜パターン１９ａを形成し、遮光部１３ａの不必要な部位である転写用パターン形成用エッチングマスクパターン１６を露出させた後、エッチングした（図４（ｅ））。そして、レジスト剥離と洗浄を行って光半透過部１２ａからなる転写用パターン２０を形成した。（図４（ｆ））
その後、ＣＤ測定、欠陥検査、パターン欠陥などの修正を行い、最終洗浄、検査でフォトマスクの品質を保証し、遮光膜からなる遮光領域７に合わせてペリクル６の装着を行った（図４（ｇ））。
本実施例において得られたフォトマスクを、ＡｒＦエキシマレーザを露光光源として用いた半導体製造用露光装置に使用し、使用前の異物欠陥と使用後の異物欠陥の数を、異物検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製 ＳＴＡＲｌｉｇｈｔ）を用いて検査したところ、使用後の異物欠陥数は、使用前と変わらずゼロ個であった。

（比較例）
遮光領域１８を形成せずに、透明基板に直接ペリクルを接着した以外は、上記実施例と同様のフォトマスクについて、上記実施例と同様の異物欠陥検査を行った。その結果、使用前の異物の個数がゼロ個であったのに対し、使用後の異物欠陥の個数は、約２５００個検出された。また、検出された異物は、特にペリクル枠の内側付近に多く観察されたことから、ペリクル枠付近への露光光の照射が原因で発生した異物であると考えられる。
尚、上記実施例においては、ネガ型レジスト膜を用いた例を挙げたが、ポジ型レジスト膜を用いて、上述の実施例で示したネガ型レジストで形成したレジストパターンと同様のレジストパターンを形成してもよいことは勿論である。
また、上記実施例においては、ハーフトーン型位相シフトマスクの例を挙げたが、本発明はバイナリーマスク、位相シフトマスク等の全てのペリクル付きフォトマスクに用いることが可能であり、次世代露光装置用のＦ２エキシマレーザ用フォトマスク、液晶等の大型フォトマスク等にも用いることが可能であることは勿論である。
さらに、上記実施例においては、各種マークパターンについては記載されていないが、各露光装置メーカー、フォトマスクユーザー、及びフォトマスクメーカーの仕様に応じて適宜形成してもよいことは勿論である。さらに、各種マークパターンの仕様に応じて、遮光領域を適宜変形してもよい。

本発明の実施の形態におけるフォトマスクの平面図である。 本発明の実施の形態におけるフォトマスクの断面図である。 本発明の実施の形態におけるフォトマスクの製造工程図である。 本発明の実施例におけるハーフトーン型位相シフトマスク の製造工程図である。 露光装置の露光波長のエネルギーと有機物の結合エネルギーを示す図である。

符号の説明

１ フォトマスク
２ 透明基板
３ 主要領域
４、２０ 転写用パターン
５、１７ 遮光帯領域
６ ペリクル
７、１８ 遮光領域
８ 接着剤
９、１３ 遮光膜
１０、１４，１９ ネガ型レジスト
１１、１５ フォトマスクブランク
１２ 光半透過膜
１６ エッチングマスク用パターン

Claims (2)

1. 透明基板の中央部の主要領域に転写用パターンを有し、かつ、前記主要領域の外周領域にペリクル枠が接着されることにより、前記主要領域を含む領域を覆うように装着されたペリクルを有する、フォトマスクの製造方法において、
   前記透明基板上に、遮光膜とネガレジスト膜が形成されたフォトマスクブランクを用意し、
   電子ビーム描画装置により、前記転写用パターン、遮光帯領域形成用パターン、及び前記ペリクル枠の下部に配置される遮光領域形成用パターンを描画し、
   前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成し、
   前記遮光膜をエッチングすることにより、前記転写用パターン、遮光帯領域、および遮光領域のパターン形成を行い、
   前記遮光領域の幅が、前記ペクリル枠の幅の両側をそれぞれ０．３ｍｍ以上、かつ、５．０ｍｍ以下追加した幅となるように、前記遮光領域に前記ペリクルを装着することを特徴とする、フォトマスクの製造方法。
2. 透明基板の中央部の主要領域に転写用パターンを有し、かつ、前記主要領域の外周領域にペリクル枠が接着されることにより、前記主要領域を含む領域を覆うように装着されたペリクルを有する、ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、
   前記透明基板上に、光半透光膜と、遮光膜と、ネガレジスト膜が形成されたフォトマスクブランクを用意し、
   電子ビーム露光装置により、前記転写用パターン、遮光帯領域形成用パターン、及び前記ペリクル枠の下部に配置される遮光領域形成用パターンを描画し、
   前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成し、
   前記遮光膜をエッチングすることにより、前記転写用パターン形成用エッチングマスクパターン、遮光帯領域、および遮光領域のパターン形成を行い、
   前記光半透光膜をエッチングし、前記転写用パターンのパターン形成を行い、
   前記遮光領域の幅が、前記ペクリル枠の幅の両側をそれぞれ０．３ｍｍ以上、かつ、５．０ｍｍ以下追加した幅となるように、前記遮光領域に前記ペリクルを装着することを特徴とする、ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。

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