JP4935452B2 - グレーマスク及びグレーマスク用パターン製造方法 - Google Patents
グレーマスク及びグレーマスク用パターン製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4935452B2 JP4935452B2 JP2007080201A JP2007080201A JP4935452B2 JP 4935452 B2 JP4935452 B2 JP 4935452B2 JP 2007080201 A JP2007080201 A JP 2007080201A JP 2007080201 A JP2007080201 A JP 2007080201A JP 4935452 B2 JP4935452 B2 JP 4935452B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- patterns
- pattern
- length direction
- width
- gray mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
Claims (4)
- 相互に同じ長さと幅を有し夫々の中心が前記中心を通る夫々の長さ方向中心線に対し直交する幅方向に相互に等間隔のピッチで配置された複数の直角四辺形のパターンを含んでいて、夫々のパターンの長さ及び幅そして上記ピッチの少なくとも一つを変えた複数のパターングループの中から選択された、夫々に含まれる複数のパターンの前記幅方向におけるピッチが同じであって夫々に含まれる複数のパターンの夫々の幅が異なる複数のパターングループが、所定の部位において求められる光透過率と配光特性になるように、夫々に含まれる複数のパターンの長さ方向の中心線を合致されて上記長さ方向に組み合わされるとともに、前記長さ方向に組み合わせる相互に隣接したパターングループの夫々が含む複数のパターンが前記長さ方向に相互に接触もしくはオーバーラップされている、ことを特徴とするグレーマスク。
- 前記長さ方向に組み合わされた複数のパターングループにおいては、前記長さ方向に相互に接した複数のパターンの幅が前記長さ方向に沿い周期的に変化するのに応じ、幅方向に隣接するパターン間の間隔が周期的に変化している、ことを特徴とする請求項1に記載のグレーマスク。
- 相互に同じ長さと幅を有し、夫々の中心が前記中心を通る夫々の長さ方向中心線に対し直交する幅方向に相互に等間隔のピッチで配置された複数の直角四辺形のパターンを含むパターングループを、夫々のパターンの長さ及び幅そして上記ピッチの少なくとも一つを変えて複数準備するパターングループ準備工程と;そして、
所定の部位において求められる光透過率と配光特性になるように、夫々に含まれる複数のパターンの前記幅方向におけるピッチが同じであって夫々に含まれる複数のパターンの夫々の幅が異なる複数のパターングループが、夫々に含まれる複数のパターンの長さ方向の中心線を合致されて上記長さ方向に組み合わされるとともに、前記長さ方向に組み合わせる相互に隣接したパターングループの夫々が含む複数のパターンを前記長さ方向に相互に接触もしくはオーバーラップさせる、パターングループ組み合わせ工程と;
を備えることを特徴とするグレーマスク用パターン製造方法。 - 上記パターングループ組み合わせ工程では、前記長さ方向に組み合わされた複数のパターングループにおいて前記長さ方向に相互に接した複数のパターンの幅が前記長さ方向に沿い周期的に変化するのに応じ、幅方向に隣接するパターン間の間隔が周期的に変化している、ことを特徴とする請求項3に記載のグレーマスク用パターン製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007080201A JP4935452B2 (ja) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | グレーマスク及びグレーマスク用パターン製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007080201A JP4935452B2 (ja) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | グレーマスク及びグレーマスク用パターン製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008241935A JP2008241935A (ja) | 2008-10-09 |
JP4935452B2 true JP4935452B2 (ja) | 2012-05-23 |
Family
ID=39913400
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007080201A Active JP4935452B2 (ja) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | グレーマスク及びグレーマスク用パターン製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4935452B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6993530B1 (ja) | 2020-12-25 | 2022-01-13 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02151862A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-11 | Omron Tateisi Electron Co | フォトリソグラフィ用マスクおよびその作製方法 |
KR0161389B1 (ko) * | 1995-02-16 | 1999-01-15 | 윤종용 | 마스크 및 이를 사용한 패턴형성방법 |
JP2000227512A (ja) * | 1999-02-04 | 2000-08-15 | Canon Inc | 光学素子及びその製造方法 |
JP2001296649A (ja) * | 2000-02-07 | 2001-10-26 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 濃度分布マスクとその製造方法及び表面形状の形成方法 |
JP4386546B2 (ja) * | 2000-06-14 | 2009-12-16 | リコー光学株式会社 | 濃度分布マスクとそれを用いた3次元構造体製造方法 |
JP2002244273A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 濃度分布マスクとその製造方法 |
US6828068B2 (en) * | 2003-01-23 | 2004-12-07 | Photronics, Inc. | Binary half tone photomasks and microscopic three-dimensional devices and method of fabricating the same |
JP4296943B2 (ja) * | 2003-01-28 | 2009-07-15 | ソニー株式会社 | 露光用マスクの製造方法および露光方法ならびに3次元形状の製造方法 |
JP4366121B2 (ja) * | 2003-06-11 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 素子の製造方法 |
JP2005258387A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-09-22 | Sony Corp | 露光用マスクおよびマスクパターンの製造方法 |
JP2005279918A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-10-13 | Seiko Epson Corp | 微細構造素子の製造方法、この方法により製造された微細構造素子、空間光変調装置及びプロジェクタ |
JP2005265963A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Hoya Corp | フォトマスク、及び、フォトマスクのセット |
JP2006030510A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Toppan Printing Co Ltd | 濃度分布マスク |
JP4631573B2 (ja) * | 2004-07-20 | 2011-02-16 | 凸版印刷株式会社 | 濃度分布マスクの製造方法 |
JP4760198B2 (ja) * | 2005-08-01 | 2011-08-31 | ソニー株式会社 | 露光用マスク、露光用マスクの設計方法および露光用マスクの設計プログラム |
JP4816924B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2011-11-16 | 凸版印刷株式会社 | 濃度分布マスクの製造方法 |
JP4918809B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2012-04-18 | 凸版印刷株式会社 | 濃度分布マスクの製造方法 |
-
2007
- 2007-03-26 JP JP2007080201A patent/JP4935452B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008241935A (ja) | 2008-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5573890A (en) | Method of optical lithography using phase shift masking | |
KR100261924B1 (ko) | 불연속한 페이즈 시프트 마스크 라이팅 | |
CN1705915A (zh) | 二进制半色调光掩模和微型三维装置及其制作方法 | |
JPH0469361B2 (ja) | ||
KR20070082571A (ko) | 패턴 형성 방법 및 위상 시프트 마스크 제조 방법 | |
JP2014500623A (ja) | 高解像度の二次元の周期的なパターンを印刷する方法および装置 | |
JP2002351052A (ja) | 光近接効果の補正のためのマスクとその製造方法 | |
JP2002341513A (ja) | 露光用マスク及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP4935452B2 (ja) | グレーマスク及びグレーマスク用パターン製造方法 | |
JP4817907B2 (ja) | レジストパターン形成用のフォトマスク及びその製造方法、並びにこのフォトマスクを用いたレジストパターンの形成方法 | |
JP5402316B2 (ja) | フォトマスク、及び光学素子の製造方法 | |
CN101373326B (zh) | 光掩模 | |
WO2012047745A1 (en) | A method of patterning nand strings using perpendicular sraf | |
WO2017047725A1 (ja) | 情報記録媒体の作成方法 | |
US9104833B2 (en) | Mask set for double exposure process and method of using the mask set | |
CN102213913A (zh) | 一种增强光学掩模分辨率及制造高分辨率光学掩模的方法 | |
CN1118827C (zh) | 动态随机存取存储器中减少光学近距效应的位线图案 | |
US20070269722A1 (en) | Hybrid phase-shift mask and manufacturing method thereof | |
US9805154B2 (en) | Method of lithography process with inserting scattering bars | |
JP2011028233A (ja) | フォトマスク | |
KR101095049B1 (ko) | 노광 마스크 | |
CN1158570C (zh) | 用一次光刻产生t形栅的移相掩模光刻方法 | |
JP2008151821A (ja) | フォトマスクおよび転写方法 | |
KR100730266B1 (ko) | 포토마스크 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP3998756B2 (ja) | 位相反転マスク及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100223 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120113 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120124 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120206 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150302 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4935452 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |