JP4881101B2 - 塩基性れんがの製造方法 - Google Patents
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Description
れんがの組織中に鉱物相としてのCr2O3(エスコライト)を存在せしめることによって、耐スラグ浸潤性が著しく向上する。すなわち、Cr2O3(エスコライト)は二次スピネルに比べてスラグとの反応性が高いため、優先的にスラグと反応し、スラグの融点を上昇させることによって、れんが内部へのスラグ浸潤を強力に抑制する。しかも、本発明においては、クロム(III)塩がクロムイオンとしてれんがの組織に内部まで均一に浸透するため、微細な気孔にもこのCr2O3(エスコライト)が存在することになり、その結果極めて優れたスラグ浸潤抑制効果が得られる。
このクロム(III)塩を、水などの液体にクロムイオンとして溶解したクロムイオン含有溶液を作製し、このクロムイオン含有溶液中にマグクロれんがを浸漬する。
Claims (2)
- マグネシア−クロム質れんがにクロム(III)塩を溶解した溶液を含浸する塩基性れんがの製造方法において、クロム(III)塩の含浸量が、Cr 2 O 3 (エスコライト)に換算してマグネシア−クロム質れんが中で0.3質量%以上3質量%以下となるようにすることを特徴とする塩基性れんがの製造方法。
- クロム(III)塩として、酢酸クロム(III)、硫酸クロム(III)、硝酸クロム(III)および塩化クロム(III)のうち1種以上を使用する請求項1に記載の塩基性れんがの製造方法。
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