JP4857938B2 - Light emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、照明器具、ディスプレイ、液晶ディスプレイのバックライト光源などに利用できる発光装置に関する。 The present invention relates to a light-emitting device that can be used for a lighting source, a display, a backlight light source of a liquid crystal display, and the like.
半導体発光素子を用いた発光装置として、樹脂パッケージやセラミックパッケージに搭載された発光装置が知られている。これらのパッケージには、外部と導通可能な導電部材を備えており、これらと半導体発光素子の電極とが導通されている。さらに、この発光装置が実装基板に施された導体配線に半田付けされることにより、発光装置が実装基板に電気的及び機械的に接続される。 As a light emitting device using a semiconductor light emitting element, a light emitting device mounted on a resin package or a ceramic package is known. These packages include a conductive member that can be electrically connected to the outside, and these are electrically connected to the electrodes of the semiconductor light emitting element. Furthermore, the light emitting device is electrically connected to the mounting substrate electrically and mechanically by being soldered to the conductor wiring provided on the mounting substrate.
近年、発光装置のさらなる高出力化が要求されており、高出力時に発生する熱に耐えうるような構造の発光装置が検討されている。特に、セラミックパッケージは、樹脂パッケージに比して材料自体の耐熱性に優れているため、高出力発光装置に適している。しかしながら、成形の自由度が低く、衝撃に弱いなどの問題があるため、それらを解決する必要がある。これに対し、樹脂パッケージは、セラミックパッケージに比して耐熱性に問題があるが、成形性がよく量産性にも優れている。さらに、セラミックパッケージに比して材料自体が安価であり、また、歩留まりが高いために生産性に優れている。 In recent years, there has been a demand for higher output of the light emitting device, and a light emitting device having a structure capable of withstanding the heat generated at the time of high output has been studied. In particular, a ceramic package is suitable for a high-power light-emitting device because the material itself is superior in heat resistance compared to a resin package. However, there are problems such as a low degree of freedom in molding and weakness to impact, and it is necessary to solve them. On the other hand, the resin package has a problem in heat resistance as compared with the ceramic package, but has good moldability and excellent mass productivity. Furthermore, the material itself is cheaper than a ceramic package, and the yield is high, so that productivity is excellent.
上記のような問題を解決するため、樹脂パッケージに放熱性の高い部材を用いて耐熱性を改善された発光装置が検討されている(例えば、特許文献1)。具体的には、導電部材として導体フレーム(リード端子)を有しており、それとは別個に製作された熱的な接続部分(放熱部材)が支持部分(パッケージ)に挿入結合された構造が知られている。このような構造とすることで、支持部分は導体フレームや熱的接続部分を保持するだけでよく、熱は接続部分によって外部に放出される。このように、導体フレームと熱的な接続部分とを別個にすることで、より大きな損失熱量の吸収及び放出に関して、一体型の導体フレームよりも著しく良好に最適化することができる。
しかしながら、上記のパッケージは、導体フレーム(リード端子)と熱的な接続部分(放熱部材)とが別部材で構成されているため、支持部品(パッケージ)が大きくなりやすい。そのため、発光装置自体が大きくなりやすく、小型化に対応しにくい。また、支持部品を成形後に裏面から挿入しているため、支持部品と熱的な接続部分との間に隙間が生じやすく、安定性に欠ける。しかも、挿入時に掛かる負荷によって支持部品が変形や破損することもあって歩留まりが低下しやすい。また、リフレクタとなる支持部材の凹部と、発光素子が載置される熱的な接続部分との位置関係は発光装置の配光特性に大きな影響を与えるものであるが、このように熱的な接続部分を挿入する場合は、高さ調整の精度が低いため、光学特性が安定しないなど、品質にばらつきが生じやすい。 However, in the above package, since the conductor frame (lead terminal) and the thermal connection portion (heat radiating member) are configured as separate members, the support component (package) tends to be large. For this reason, the light emitting device itself tends to be large, and it is difficult to cope with downsizing. Further, since the support component is inserted from the back side after molding, a gap is easily generated between the support component and the thermal connection portion, and stability is lacking. In addition, the support component is deformed or damaged by the load applied at the time of insertion, and the yield tends to decrease. In addition, the positional relationship between the concave portion of the support member serving as the reflector and the thermal connection portion on which the light emitting element is placed has a great influence on the light distribution characteristics of the light emitting device. When inserting a connection portion, the accuracy of the height adjustment is low, so that the optical characteristics are not stable and the quality tends to vary.
以上の目的を達成するために本発明に係る発光装置は、内壁と底面とを有する凹部を備えるパッケージと、凹部の底面に露出されるとともにパッケージの側面から突出するリード端子とを有し、リード端子は、半導体発光素子が載置されるとともに、パッケージの裏面からも露出される厚膜領域を有する第1のリード端子と、半導体発光素子と導通される第2のリード端子とを有し、内壁は、第1のリード端子のみと接する領域において、凹部の内側に突出する第1の内側突出部を有し、さらに内壁は、第2のリード端子のみと接する領域において、第1の内側突出部と半導体発光素子の載置領域に対して対称となるように配置され、第1の内側突出部から離間して、前記第1の内側突出部と同一の角度及び幅で凹部の内側に突出する第2の内側突出部を有することを特徴とする。これにより、外部から電力を供給するためのリード端子に、半導体発光素子からの熱を外部に放出させる機能を兼用させることができるため、部品数を少なくすることができ、発光装置の小型化が可能となる。さらに、各部品の位置ずれを低減することができる。特に、凹部の内壁に第1の内側突出部が形成されていることで、リフレクタ機能を有するパッケージが、半導体発光素子の載置領域である第1のリード端子を安定して保持することができる。そのため製造工程内や発光装置を回路基板などに実装する際に外力の影響を受けにくくすることができ、光学特性が安定し信頼性にも優れた発光装置とすることができる。また、第1のリード端子だけでなく、第2のリード端子も安定してパッケージに保持されることができる。そのため、導電性ワイヤの断線などが生じにくく、信頼性に優れた発光装置とすることができる。
In order to achieve the above object, a light emitting device according to the present invention includes a package having a recess having an inner wall and a bottom surface, and a lead terminal exposed from the bottom surface of the recess and protruding from the side surface of the package. The terminal includes a first lead terminal having a thick film region on which the semiconductor light emitting element is mounted and exposed also from the back surface of the package, and a second lead terminal electrically connected to the semiconductor light emitting element. The inner wall has a first inner protrusion that protrudes inside the recess in a region that contacts only the first lead terminal, and the inner wall protrudes first inward in a region that contacts only the second lead terminal. are arranged symmetrically with respect to mounting area of parts and the semiconductor light - emitting element, spaced apart from the first inner protrusion on the inner side of the recess in the first same angle and width and the inner protrusion Protruding second Characterized in that it has a side protrusion. As a result, the lead terminal for supplying power from the outside can also be used for the function of releasing heat from the semiconductor light emitting element to the outside, so the number of components can be reduced and the light emitting device can be downsized. It becomes possible. Furthermore, it is possible to reduce the displacement of each component. In particular, since the first inner protrusion is formed on the inner wall of the recess, the package having the reflector function can stably hold the first lead terminal, which is the mounting region of the semiconductor light emitting element. . Therefore, the light-emitting device can be made less susceptible to the influence of external force during the manufacturing process or when the light-emitting device is mounted on a circuit board or the like, and the light-emitting device has stable optical characteristics and excellent reliability. Further, not only the first lead terminal but also the second lead terminal can be stably held in the package. Therefore, disconnection of the conductive wire is difficult to occur, and a light-emitting device with excellent reliability can be obtained.
また、本発明の請求項2に記載の発光装置は、第1の内側突出部は、第1のリード端子が突出するパッケージの側面と対向する領域に設けられていることを特徴とする。これにより、より安定して第1のリード端子を保持できる。また、第1のリード端子が突出する部分のパッケージ側面(外壁)の厚さを厚くすることができるため、第1のリード端子とパッケージとの間に隙間が生じた場合でも、外部から浸入する水分などが半導体発光素子まで達しにくくすることができる。 The light emitting device according to claim 2 of the present invention is characterized in that the first inner projecting portion is provided in a region facing the side surface of the package from which the first lead terminal projects. Thereby, the first lead terminal can be held more stably. In addition, since the thickness of the package side surface (outer wall) where the first lead terminal protrudes can be increased, even when a gap is generated between the first lead terminal and the package, the first lead terminal enters from the outside. Moisture or the like can hardly reach the semiconductor light emitting element.
また、本発明の請求項3に記載の発光装置は、第1の内側突出部は、パッケージの上面と凹部の底面との間の位置に、内側突出部上面を有することを特徴とする。これにより、凹部の内壁の表面積をさらに大きくすることができるため、凹部内に充填される封止部材との密着性が向上する。また、第1の内側突出部の上面をパッケージの上面から離間させているため、パッケージ上面において封止部材とパッケージとの間に隙間が生じてそこから水分などが浸入した場合でも、内側突出部の上面で止めることができ、それより下方向、すなわち半導体発光素子が載置されている凹部底面にまで水分が達しにくくすることができるため、より信頼性に優れた発光装置とすることができる。 The light emitting device according to claim 3 of the present invention is characterized in that the first inner protrusion has an upper surface of the inner protrusion at a position between the upper surface of the package and the bottom surface of the recess. Thereby, since the surface area of the inner wall of a recessed part can be enlarged further, adhesiveness with the sealing member with which a recessed part is filled improves. In addition, since the upper surface of the first inner protruding portion is separated from the upper surface of the package, the inner protruding portion is formed even when a gap is generated between the sealing member and the package on the upper surface of the package and moisture enters the package. Since it is possible to make it difficult for moisture to reach the bottom of the concave portion where the semiconductor light emitting element is placed, that is, a light emitting device with higher reliability can be obtained. .
また、本発明の請求項4に記載の発光装置は、第1のリード端子は、第1の内側突出部と、半導体発光素子が載置される領域との間に、パッケージが露出する開口部を有することを特徴とする。これにより、パッケージと第1のリード端子との密着性、特に、凹部底面に露出されているリード端子の露出領域において第1のリード端子とパッケージとの密着性が向上するため、半導体発光素子の実装精度が安定し、光学特性にもムラが生じにくくすることができる。さらに、凹部内部に充填される封止部材とパッケージとの接触面積が増加することにより密着性が向上して封止部材が剥がれにくくすることができるため、導電性ワイヤの断線や、封止部材の剥がれによって生じる隙間によって光が散乱して配光特性が乱れるなどの問題を生じにくくすることができる。 In the light emitting device according to claim 4 of the present invention, the first lead terminal has an opening through which the package is exposed between the first inner protrusion and the region where the semiconductor light emitting element is placed. It is characterized by having. This improves the adhesion between the package and the first lead terminal, particularly the adhesion between the first lead terminal and the package in the exposed area of the lead terminal exposed at the bottom of the recess. The mounting accuracy is stable, and unevenness in optical characteristics can be prevented. Furthermore, since the contact area between the sealing member filled in the recess and the package is increased, the adhesion can be improved and the sealing member can be made difficult to peel off. It is possible to make it difficult to cause problems such as light scattering due to gaps caused by peeling of the light and disturbing light distribution characteristics.
また、本発明の請求項5に記載の発光装置は、内壁は、第1のリード端子及び第2のリード端子と接する領域において、凹部の内側に突出する第3の内側突出部を有することを特徴とする。これにより、凹部の底面において第1のリード端子と第2のリード端子ともに同一面上に安定して保持することができるため、半導体発光素子の実装精度や導電性ワイヤ接合精度が安定し、品質にばらつきのない発光装置とすることができる。
また、本発明の請求項6に記載の発光装置は、第1の内側突出部及び第2の内側突出部に挟まれる2つの領域に、第3の内側突出部がそれぞれ1つずつ設けられており、第1の内側突出部と、第2の内側突出部と、第3の内側突出部とは、それぞれ略同一形状であり、略等しい間隔で配置されていることを特徴とする。
Further, in the light emitting device according to claim 5 of the present invention, the inner wall has a third inner protrusion that protrudes inside the recess in a region in contact with the first lead terminal and the second lead terminal. Features. As a result, both the first lead terminal and the second lead terminal can be stably held on the same surface at the bottom surface of the recess, so that the mounting accuracy of the semiconductor light emitting element and the conductive wire bonding accuracy are stable and the quality is improved. Thus, a light emitting device with no variation can be obtained.
In the light emitting device according to claim 6 of the present invention, one third inner protrusion is provided in each of two regions sandwiched between the first inner protrusion and the second inner protrusion. The first inner projecting portion, the second inner projecting portion, and the third inner projecting portion have substantially the same shape and are arranged at substantially equal intervals.
本発明により、放熱性に優れ、かつ、小型化が可能な発光装置とすることができる。また、凹部に内側突出部が形成されていることで、リフレクタ機能を有するパッケージが、半導体発光素子の載置領域である第1のリード端子を安定して保持することができる。そのため、製造工程内や発光装置を回路基板などに実装する際に、外力によって変形や破損などを生じることなく、歩留まりよく所望の形状の発光装置とすることができる。 According to the present invention, a light-emitting device that has excellent heat dissipation and can be miniaturized can be obtained. In addition, since the inner protrusion is formed in the recess, the package having the reflector function can stably hold the first lead terminal, which is the mounting region of the semiconductor light emitting element. Therefore, when the light emitting device is mounted in a manufacturing process or on a circuit board or the like, the light emitting device having a desired shape can be obtained with high yield without causing deformation or damage due to external force.
本発明を実施するための最良の形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置を例示するものであって、本発明は発光装置を以下に限定するものではない。 The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the form shown below illustrates the light emitting device for embodying the technical idea of the present invention, and the present invention does not limit the light emitting device to the following.
また、本明細書は特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。尚、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略する。さらに、本発明を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。 Further, the present specification by no means specifies the members shown in the claims to the members of the embodiments. The dimensions, materials, shapes, relative arrangements, and the like of the components described in the embodiments are not intended to limit the scope of the present invention only to the description unless otherwise specified. It is just an example. It should be noted that the size and positional relationship of the members shown in each drawing may be exaggerated for clarity of explanation. Further, in the following description, the same name and reference sign indicate the same or the same members, and detailed description will be omitted as appropriate. Furthermore, each element constituting the present invention may be configured such that a plurality of elements are constituted by the same member and the plurality of elements are shared by one member, and conversely, the function of one member is constituted by a plurality of members. It can also be realized by sharing.
図1Aは、本発明の発光装置100を説明する斜視図である。また、図1Bは図1AのX−X‘断面における断面図であり、図1Cは図1Aを裏面側から見た斜視図である。図2及び図3Aは、本発明の発光装置のうち、内壁に複数の突出部を有する発光装置を説明する斜視図である。また、図3Bは図3AのY−Y’断面における断面図であり、図3Cは図3Aを裏面側から見た斜視図である。図4、図5は、発光装置の変形例を説明する平面図である。
FIG. 1A is a perspective view illustrating a
図1Aにおいて、パッケージ101は、内壁と底面とを有する凹部106を上面に有し、パッケージの内部に一部が内包されるような第1のリード端子102と第2のリード端子103とを備えている。これらのリード端子は、凹部106の底面において露出される凹部の底面露出領域102a及び103aと、パッケージ101の側面から突出する突出領域102b及び103bとを有している。第1のリード端子102の凹部底面露出領域102a上には、半導体発光素子104が複数載置されており、各半導体発光素子104は導電性ワイヤ105が接合されている。この導電性ワイヤ105の他端は第2のリード端子に接続されており、これによって半導体発光素子104と第2のリード端子との導通が図られる。第2のリード端子の凹部底面露出領域103aには、保護素子109が載置されており、導電性ワイヤによって第1のリード端子と導通が図られている。さらに、半導体発光素子104と導電性ワイヤ105を被覆するよう凹部内に封止部材110が充填されている。また、第1のリード端子102は、図1Bに示すように、パッケージ101の裏面からもその一部が露出するように、厚膜領域102cを有している。この厚膜領域102cの裏面は、第1及び第2のリード端子の突出領域102b及び103bの裏面と略同一平面上に位置するように調整されている。
Referring to FIG. 1A, a
そして、本発明においては、パッケージ101の凹部106の内壁のうち、第1のリード端子のみと接する領域において、凹部の内側に突出する第1の内側突出部107Aを有することを特徴とする。外部から電力を供給するための第1のリード端子102の一部に厚膜領域102cを有しているため、半導体発光素子104からの熱を外部に直接放出させる機能を兼用させることができる。そのため、部品数を少なくすることができ発光装置の小型化が可能となる。また、各構成部品の位置ずれを低減することができる。特に、凹部106の内壁に第1の内側突出部107Aが形成されていることで、リフレクタ機能を有するパッケージと半導体発光素子104の載置領域である第1のリード端子とを、互いに安定して保持することができる。そのため製造工程内や発光装置を回路基板などに実装する際に外力の影響を受けにくくすることができ、光学特性が安定し信頼性にも優れた発光装置とすることができる。以下、図面を参照しながら本発明について詳説する。
And in this invention, it has the 1st inner
(パッケージ)
本発明において、パッケージは半導体発光素子を保護するとともに、第1及び第2のリード端子を一体的に成形するために用いられるものである。パッケージの形状は、四角形又はこれに近い形状を有するものが好ましいが、特にこれに限定されるものではなく、平面視において三角形、四角形、多角形又はこれらに近い形状とすることができる。例えば、図1Aに示すように、平面視が略四角形であり、角部が丸く面取りされたような形状とすることもできる。また、パッケージの上面は、ほぼ平坦な面とするのが好ましい。ただし、図1Aに示すように、凹部の開口部から離間する角部に、一段下がった段差部101aを設けることもできる。この段差部101aは、パッケージ成形時に、成形型から取り出す際のピン押し領域などとして利用することができるほか、各角部の形状を異ならせることによって、リード端子の極性を示すカソードマークとして利用することができる。このような段差部は、図1Aに示すように略四角形のパッケージの4角全てに設けることもできるほか、例えば図5に示すようにパッケージ501の1角のみに段差部501aを設けてもよい。さらに、パッケージの形状や大きさに応じて、角部以外の領域などの任意の部分にも設けることもできる。また、レンズなどを設ける場合は、孔や溝、あるいは突起など嵌合部として機能する部位を設けることもできる。
(package)
In the present invention, the package is used to protect the semiconductor light emitting element and to integrally form the first and second lead terminals. The shape of the package is preferably a quadrangle or a shape close to this, but is not particularly limited to this, and may be a triangle, a quadrangle, a polygon, or a shape close to these in plan view. For example, as shown in FIG. 1A, the planar view may be a substantially square shape, and the corners may be rounded and chamfered. The upper surface of the package is preferably a substantially flat surface. However, as shown in FIG. 1A, a stepped
パッケージ101の側面は、図1Bに示すように、上面から下面まで略垂直な平面で形成されているのが好ましいが、これに限らず、やや傾斜していてもよく、あるいは段差部101aを設けてもよい。また、パッケージの各側面の連結部(略四角形の角部にあたる部分)は、図1Aのように丸みを帯びるように形成されていることで成形時に、成形型から取り出しやすく、また、作業工程内においても取り扱いがしやすいので好ましいが、これに限らず、平面で切り欠いた形状とすることもできる。
As shown in FIG. 1B, the side surface of the
パッケージの裏面は、図1B、図1Cに示すように、パッケージの側面から突出している第1のリード端子の突出領域102b及び第2のリード端子の突出領域103bの裏面と同一面上となるように形成されている。さらに、第1のリード端子の厚膜領域102cの裏面とも同一面上となるように形成される。このように、パッケージの裏面のほぼ全面が載置面と接するような形状とすることで、発光装置を回路基板などに安定して実装することができる。
As shown in FIGS. 1B and 1C, the back surface of the package is flush with the back surfaces of the first lead
また、パッケージの裏面は、図3B、図3Cに示すように、第1のリード端子の厚膜領域302cの裏面よりも凹んだ第2の裏面301bを有していてもよい。このようにすることで、第1のリード端子の厚膜領域302cの周囲に半田などの接合部材を回り込ませることができるので、接着強度が向上してより安定性良く載置することができるとともに、放熱性も向上させることができる。
Further, as shown in FIGS. 3B and 3C, the back surface of the package may have a
パッケージの具体的な材料としては、絶縁性部材が好ましく、また、半導体発光素子からの光や、外光などが透過しにくい部材が好ましい。また、ある程度の強度を有するもので、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができ、より具体的には、フェノール樹脂、ガラスエポキシ樹脂、BTレジンや、PPAなどが挙げられる。 As a specific material of the package, an insulating member is preferable, and a member that does not easily transmit light from the semiconductor light emitting element or external light is preferable. Further, it has a certain degree of strength, and a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or the like can be used. More specifically, a phenol resin, a glass epoxy resin, a BT resin, PPA, or the like can be given.
(凹部)
パッケージに形成される凹部は、パッケージの上面に開口部を有するように形成され、その凹部内に半導体発光素子や保護素子などの電子部品が収納されるものである。そして、この凹部の開口部が発光装置における発光部(発光窓)となる。
(Concave)
The recess formed in the package is formed so as to have an opening on the upper surface of the package, and an electronic component such as a semiconductor light emitting element or a protection element is accommodated in the recess. And the opening part of this recessed part becomes the light emission part (light emission window) in a light-emitting device.
このように、種々の電子部品が収納される凹部は、それらが載置されるのに必要な面積を有する底面とすることが必要であり、さらに、凹部底面に露出されるリード端子と、これら電子部品とを導通させる導電性ワイヤなどの接合領域も確保できるような大きさ及び形状とする必要がある。また、その凹部の深さについては、後で充填される封止部材によって上記電子部品が封止可能な深さとする必要がある。ただし、後工程でレンズを設ける場合など封止部材を必要としない場合などは、これに限られるものではない。 As described above, the concave portion in which various electronic components are housed needs to be a bottom surface having an area necessary for placing them, and the lead terminals exposed on the bottom surface of the concave portion, and these It is necessary to have a size and shape that can secure a bonding region such as a conductive wire that conducts electrical components. Further, the depth of the concave portion needs to be a depth at which the electronic component can be sealed by a sealing member filled later. However, the case where a sealing member is not required, such as when a lens is provided in a later process, is not limited thereto.
また、凹部の開口部の形状としては、図1Aに示すような略円形のものが好ましいが、特にこれに限定されるものではなく、パッケージの形状、特に、パッケージ上面の形状に応じて、さらに、配光特性などを考慮して適宜選択することができる。図1Aでは、パッケージ100の上面が略正方形であるため、略円形の開口部形状の凹部106とするのが好ましいが、さらに発光面積を大きくしたい場合は、パッケージ上面と同様に略四角形とすることもでき、また、大きな凹部一つではなく2つ以上の複数の凹部を設けることもできる。
Further, the shape of the opening of the recess is preferably a substantially circular shape as shown in FIG. 1A, but is not particularly limited to this, and depending on the shape of the package, particularly the shape of the upper surface of the package, The light distribution characteristics can be selected as appropriate. In FIG. 1A, since the upper surface of the
凹部の底面には、第1のリード端子及び第2のリード端子が露出されており、本発明においては、少なくともこの露出された第1のリード端子上に半導体発光素子が載置されている。第1のリード端子と第2のリード端子は、凹部底面において略同一面となるように露出されるのが好ましいが、段差を設けるなど、異なる面上となるように露出されていてもよい。また、凹部の底面には、第1のリード端子と第2のリード端子とを絶縁させるように、それらの間からパッケージを構成する絶縁部材(樹脂など)が露出されている。これら底面を構成する部材は全て同一面上とするのが好ましいが、所望により段差を設けることもできる。 The first lead terminal and the second lead terminal are exposed on the bottom surface of the recess, and in the present invention, the semiconductor light emitting element is placed on at least the exposed first lead terminal. The first lead terminal and the second lead terminal are preferably exposed so as to be substantially flush with the bottom surface of the recess, but may be exposed so as to be on different surfaces such as by providing a step. In addition, an insulating member (resin or the like) constituting the package is exposed from the bottom of the recess so as to insulate the first lead terminal from the second lead terminal. It is preferable that all the members constituting the bottom surface are on the same surface, but a step may be provided if desired.
凹部の内壁は、半導体発光素子からの光を反射し、開口部から効率良く放射されるように、凹部の内壁が開口部に向けて傾斜するように設けるのが好ましい。その場合、所望に応じて角度を選択することができ、また、内壁の全体を傾斜させずに、部分的に傾斜させることもできる。そして、本発明においては、この凹部の内壁に内側突出部を有することを特徴とする。具体的には、図1Aに示すように、凹部106の内壁に、内側に向けて突出する第1の内側突出部107Aが形成されており、この第1の内側突出部107Aは第1のリード端子102のみと接するよう設けられている。
The inner wall of the recess is preferably provided so that the inner wall of the recess is inclined toward the opening so that the light from the semiconductor light emitting element is reflected and efficiently emitted from the opening. In that case, the angle can be selected as desired, and the inner wall can be partially inclined without being inclined. And in this invention, it has an inner side protrusion part in the inner wall of this recessed part, It is characterized by the above-mentioned. Specifically, as shown in FIG. 1A, a first
本発明においては、図1Bに示すように、第1のリード端子102は均一な膜厚からなる金属部材で構成されるのではなく、その一部に厚膜領域102cを有するように構成されている。この厚膜領域102cが凹部106の底面とパッケージ101の裏面の両方から露出されている。そして、このような第1のリード端子が凹部の底面で露出されている領域において、凹部内側に突出する第1の内側突出部107Aを設けることで、第1のリード端子がパッケージに安定して保持されることができる。
In the present invention, as shown in FIG. 1B, the
本発明において、第1のリード端子が厚膜領域を有しているため、図1Bに示すように、パッケージの樹脂内に内包されているリード端子を屈曲させて、凹部底面の露出領域102aと、パッケージから突出している突出領域102bとを回路基板などの発光装置載置面に対して略並行な面とすることができる。金属と樹脂とは、元来密着性が悪いものであるが、このように複雑な形状のリード端子とした後に一体成形することで、抜け落ちるなど、リード端子とパッケージとが完全に分離してしまうことはなく、また、屈曲部などを有することで比較的安定に保持される。しかしながら、その界面においては、隙間は生じることが多い。特に、外部に晒されているリード端子とパッケージとの界面において隙間が生じやすい。しかも、本発明の第1のリード端子は、その下面はパッケージ101と接する割合が大きいのに対し、上側は凹部の底面で露出される割合が大きい、すなわち、パッケージ101と接する割合が小さくなっている。そこで、本発明のように凹部の内壁に内側突出部107Aを設けることで、パッケージ101と第1のリード端子の上面との接触面積を大きくすることができ、これにより第1のリード端子の安定性が向上して隙間を生じにくくすることができる。
In the present invention, since the first lead terminal has a thick film region, as shown in FIG. 1B, the lead terminal included in the resin of the package is bent to form the exposed
第1の内側突出部は、第1のリード端子のみと接する領域であれば、どの位置に形成されていても上記のような課題に対して効果があるが、特に、図1Aに示すように、第1のリード端子102がパッケージ101の側面から突出する突出領域102bと対向している凹部の内壁に第1の内側突出部107Aを設けるのが好ましい。これにより、凹部底面におけるリード端子の露出領域102aからパッケージの側面までの距離を大きくすることができ、隙間から浸入する水分などが凹部内部にまで達しにくくすることができる。
As long as the first inner protruding portion is an area in contact with only the first lead terminal, the first inner protruding portion is effective for the above-described problem even if it is formed at any position. In particular, as shown in FIG. 1A The first inner protruding
このように、凹部の内壁の全体を突出させるのではなく、一部を内側に突出させることで、発光部の面積を小さくすることなくパッケージの強度を向上させることができ、さらに、厚膜領域を有する第1のリード端子とパッケージとの保持力の低下を抑制することができる。第1の内側突出部は、図1Aに示すように一つだけ設けてもよく、あるいはパッケージの大きさや形状に応じて2つ以上の複数個設けることもできる。また、このように内壁の一部に内側突出部を設ける場合、内壁の傾斜角は、それぞれ略等しくなるように調整するのが好ましい。例えば図1Bにおいて、第1の内側突出部107Aの角度と、突出部が形成されていない内壁の角度とは、略等しくなるように形成されている。
In this way, by projecting a part of the inner wall of the recess, rather than projecting the entire inner wall, the strength of the package can be improved without reducing the area of the light emitting unit. It is possible to suppress a decrease in the holding force between the first lead terminal having the package and the package. As shown in FIG. 1A, only one first inner protrusion may be provided, or two or more first inner protrusions may be provided depending on the size and shape of the package. Moreover, when providing an inner side protrusion part in a part of inner wall in this way, it is preferable to adjust the inclination angle of an inner wall so that it may become respectively substantially equal. For example, in FIG. 1B, the angle of the first
また、第1の内側突出部は、パッケージの上面にまで達するように形成してもよいが、パッケージの上面と凹部の底面との間に内側突出部上面を有するようにするのが好ましい。例えば、図1Bに示すように、第1の内側突出部107Aを設け、その上面107A−1をパッケージの上面よりも低い位置に設けるようにする。このようにすることで、発光部の大きさを維持したままで、パッケージ101と第1のリード端子102とを安定して保持することができる。さらに、凹部内部に封止部材を充填する際に、このような形状とすることで、封止部材とパッケージとの接触面積をさらに大きくすることができるため、密着性を向上させることができる。内側突出部上面107A−1と凹部底面との間の内壁は、他の領域と同様に傾斜面とするのが好ましい。また、内側突出部上面107A−1とパッケージ上面との間は、斜面でもいいし、図1Bに示すように垂直な面としてもよい。また、内側突出部上面は、単一の面からなっていてもよく、あるいは図1B等に示すように、段差を設けてもよい。このような内側突出部上面は、第1の内側突出部だけでなく、後述の第2、第3の内側突出部にも設けることができる。そして、各突出部に設ける場合は、その上面同士は略同じ高さとなるように調整することで、配光特性を調整しやすく、また、封止部材に掛かる応力等が不均衡となりにくくすることができる。
The first inner protrusion may be formed so as to reach the upper surface of the package, but it is preferable to have the upper surface of the inner protrusion between the upper surface of the package and the bottom surface of the recess. For example, as shown in FIG. 1B, the first
上記のように凹部内壁の第1の内側突出部は、第1のリード端子のみと接する領域に設けられることで、第1のリード端子がパッケージに安定して保持されることができるが、これに加え、第2のリード端子のみと接する内側突出部(第2の内側突出部)を設けることもできる。例えば、図2に示すように、半導体発光素子の載置領域に対して対称となるように第1のリード端子202及び第2のリード端子203と接する領域の内壁に、それぞれ第1の突出部207A、第2の内側突出部207Bを設けることができる。各突出部の内壁の角度や幅は同一となるようにしている。このようにすることで配光特性にムラを生じにくくするとともに第2のリード端子とパッケージとの保持力も向上させることができる。
As described above, the first inner projecting portion of the inner wall of the concave portion is provided in the region in contact with only the first lead terminal, so that the first lead terminal can be stably held in the package. In addition, an inner protrusion (second inner protrusion) that contacts only the second lead terminal may be provided. For example, as shown in FIG. 2, the first protrusions are formed on the inner walls of the regions in contact with the
さらに、凹部内壁の内側突出部として、第1のリード端子及び第2のリード端子の両方に接する領域において、凹部の内側に突出する第3の内側突出部を設けることもできる。これにより凹部底面における両リード端子の高さを面一にし、半導体発光素子の実装ずれの少ない発光装置とすることができる。例えば、図3Aに示すように、各一つずつの第1の内側突出部307A及び第2の内側突出部307Bと、それらに挟まれる領域に、2つの第3の内側突出部307Cを設けることができる。これら4つの内側突出部は、それぞれ略同一形状で設けるのが好ましく、その間隔も略等しくするのが好ましい。このようにすることで、凹部内における応力等が均等になりやすく、配光特性も調整しやすい。
Furthermore, as the inner protrusion of the inner wall of the recess, a third inner protrusion that protrudes inside the recess can be provided in a region in contact with both the first lead terminal and the second lead terminal. Thus, the height of both lead terminals on the bottom surface of the recess can be made flush, and a light emitting device with less mounting deviation of the semiconductor light emitting element can be obtained. For example, as shown in FIG. 3A, two third
(第1のリード端子)
リード端子は、パッケージの凹部に載置されている半導体発光素子や保護素子などの電子部品に外部からの電流を供給するための導電性部材であって、導電率に優れた金属部材が好適である。本発明において第1のリード端子は、パッケージの凹部の底面において露出されるとともに、パッケージの側面からも突出するように設けられており、さらに、パッケージの裏面から露出するよう厚膜領域を有するような構造を有している。すなわち、図1Bに示すように、略同一の厚みの金属部材からなるとともに一部が折り曲げられている第2のリード端子とは異なり、第1のリード端子は、その一部の厚みが異なる厚膜領域102cを有している。そして、この厚膜領域102cが凹部の底面とパッケージの裏面の両方から露出されている。このように、パッケージ裏面から第1のリード端子を露出させることで、その直上に載置されている半導体発光素子から生じる熱を効率良く外部へ放出することができる。厚膜領域102cから効率良く熱を外部に放出させるためには、厚膜領域102cの裏面は、実装時に第1及び第2のリード端子の突出領域102b及び103bの裏面と略同一平面上に位置するように調整されるのが好ましい。あるいは、半田などの厚みを考慮して、厚膜領域の裏面を、突出領域の裏面よりもやや低く調整してもよい。すなわち、パッケージ裏面側において、リード端子の厚膜領域が突出領域よりも出っ張るように形成されると、実装時の安定性が悪くなり、かつ、導通を図るための突出領域の接合性が悪くなる恐れがあるためである。また、第1のリード端子の厚膜領域102cの裏面形状を、突出領域102bの形状の裏面形状に合わせて、を略長方形としている。このように、発光装置の裏面において、パッケージの裏面と同一面となる第1のリード端子の裏面形状(及び第2のリード端子の裏面の形状が)略長方形であり、かつ、それぞれ長辺側が平行となるように設けることで、回路基板などへの実装時のずれを低減しやすくすることができる。
(First lead terminal)
The lead terminal is a conductive member for supplying an electric current from the outside to electronic components such as a semiconductor light emitting element and a protective element placed in the recess of the package, and a metal member having excellent conductivity is suitable. is there. In the present invention, the first lead terminal is exposed at the bottom surface of the concave portion of the package and is also provided so as to protrude from the side surface of the package, and further has a thick film region exposed from the back surface of the package. It has a simple structure. That is, as shown in FIG. 1B, unlike the second lead terminal which is made of a metal member having substantially the same thickness and is partially bent, the first lead terminal has a thickness that is partially different. A
また、第1のリード端子は、パッケージから突出する突出領域は屈曲されることがなく、突出させたままである。この突出領域は、回路基板等の上に半田などの導電性接合部材を用いて接続させる部位である。このように、パッケージを成形後に屈曲させる必要がない形状とすることで、比較的厚いリード端子として設けることができる。特に、本発明のいてはリード端子の一部に厚膜領域を有しているため、パッケージと一体成形する際にその自重で湾曲することのないように、他の領域も厚くすることが好ましい。しかしながら、あまり厚くすると、パッケージ成形後にリードフレームからの切断が困難となる。そのため、図1Aに示すように幅の狭い切断部102d、103dを設けることで、比較的厚いリード端子であっても容易に切断が可能となる。また、図1Aに示すような形状だけでなく、図4に示すような位置に、切断部402d、403dとすることができる。ただし、リード端子を薄くする場合は、図5に示すように、第1のリード端子502及び第2のリード端子503とも、特に幅の狭い切断部を設けないようにすることもできる。
In addition, the protruding region protruding from the package of the first lead terminal is not bent and remains protruding. This projecting region is a part that is connected to a circuit board or the like using a conductive joining member such as solder. In this way, by making the package into a shape that does not need to be bent after molding, it can be provided as a relatively thick lead terminal. In particular, in the present invention, since a part of the lead terminal has a thick film region, it is preferable to thicken other regions so as not to be bent by its own weight when integrally molded with the package. . However, if it is too thick, it becomes difficult to cut from the lead frame after the package is formed. Therefore, by providing the
第1のリード端子の材料としては、熱伝導率の比較的大きな材料で形成するのが好ましく、これにより、半導体発光素子で発生する熱を効率良く外部に放出することができる。例えば、200W/(m・K)程度以上の熱伝導率を有しているもの、比較的大きい機械的強度を有するもの、さらには打ち抜きプレス加工又はエッチング加工等が容易な材料が好ましい。具体的には、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属又は鉄−ニッケル合金、燐青銅等の合金が上げられる。また、その厚みや形状等については、得ようとする発光装置の大きさ、形状等を考慮して適宜調整することができる。また、これら材料のうち、光を吸収しやすいものは、表面に光を反射しやすい部材を設けるなど積層構造とするのが好ましい。例えば、タングステンや銅からなる導電性部材上に、銀をめっきするなどの積層構造とするのが好ましい。 The material of the first lead terminal is preferably formed of a material having a relatively large thermal conductivity, whereby heat generated in the semiconductor light emitting element can be efficiently released to the outside. For example, a material having a thermal conductivity of about 200 W / (m · K) or more, a material having a relatively large mechanical strength, and a material that can be easily stamped or etched are preferred. Specifically, metals such as copper, aluminum, gold, silver, tungsten, iron and nickel, or alloys such as iron-nickel alloy and phosphor bronze are listed. Further, the thickness, shape, and the like can be appropriately adjusted in consideration of the size, shape, and the like of the light-emitting device to be obtained. Of these materials, those that easily absorb light preferably have a laminated structure such as a member that easily reflects light on the surface. For example, it is preferable to have a laminated structure in which silver is plated on a conductive member made of tungsten or copper.
第1のリード端子の厚膜領域は、第1のリード端子のうち、パッケージの凹部底面に露出される領域に設けられるのが好ましく、特に、半導体発光素子が載置される領域に設けられるのが好ましい。このようにすることで、リード端子の一部を放熱部として機能させることができるため、半導体発光素子からの熱を効率良く外部に放出させることができる。この厚膜領域の形状や大きさ等は、得ようとする発光装置の大きさ、形状等を考慮して適宜調整することができる。 The thick film region of the first lead terminal is preferably provided in a region of the first lead terminal that is exposed on the bottom surface of the concave portion of the package, and is particularly provided in a region where the semiconductor light emitting element is placed. Is preferred. In this way, part of the lead terminal can function as a heat radiating portion, so that heat from the semiconductor light emitting element can be efficiently released to the outside. The shape, size, etc. of the thick film region can be appropriately adjusted in consideration of the size, shape, etc. of the light emitting device to be obtained.
(第1のリード端子の開口部)
第1のリード端子は、半導体発光素子の載置領域と第1の内側突出部と間に、パッケージが露出する開口部を有することができる。例えば、図1Aに示すように、第1のリード端子102の露出領域102aの上に半導体発光素子104が複数載置されており、その載置された領域と凹部106の内壁の第1の内側突出部107Aとの間に、パッケージ101が露出するような開口部108が設けられている。この開口部は、第1のリード端子の凹部底面の露出領域102aのうち、厚膜領域102c以外の領域に設けられている。そして、図1Bに示すように、この開口部内108にはパッケージ101を構成する樹脂が充填されており、各リード端子の露出領域と同一平面となっている。このように開口部108を設けることで、この開口部から露出されるパッケージ101と凹部内に充填される封止部材110とが直接接することになるため、封止部材の密着性をさらに向上させることができる。
(Opening of the first lead terminal)
The first lead terminal may have an opening for exposing the package between the mounting region of the semiconductor light emitting element and the first inner protrusion. For example, as shown in FIG. 1A, a plurality of semiconductor
開口部の大きさや形状は特に限定されるものではないが、半導体発光素子や導電性ワイヤなどの接合を妨げない領域が好ましく、また、半導体発光素子の載置領域を挟んで、リード端子間領域の形状と対称性を有するように設けるのが好ましい。例えば、図1Aでは、第1のリード端子の凹部底面露出領域102aと第2のリード端子の凹部底面露出領域103aの間は、パッケージの凹部の底面中央付近において、第1のリード端子が第2のリード端子側に突出している。そして、それと略並行となるよう第2のリード端子が凹んでいるため、パッケージの露出領域の形状もそれに合わせて直線状ではなく屈曲した形状となっている。そして、開口部108もそのリード端子間のパッケージ露出部と対称形となるよう屈曲した形状としている。このように半導体発光素子を挟んで対称性を有するようにしてパッケージ101を露出させることで、封止樹脂の密着性に偏りがなくなり、いずれか一方に負荷が掛かるのを低減するとともに、半導体発光素子からの光の配光特性も制御しやすくなる。対称形とするときに、図1Aのように1つの開口部としてもよく、あるいは2つ以上の開口部として全体的に対称形としてもよく、目的やその他の部材との関係を考慮して適宜選択することができる。
The size and shape of the opening are not particularly limited, but a region that does not hinder the bonding of the semiconductor light emitting element or the conductive wire is preferable, and the region between the lead terminals with the mounting region of the semiconductor light emitting element interposed therebetween It is preferable to provide such a shape and symmetry. For example, in FIG. 1A, the first lead terminal is located between the concave bottom surface exposed
(第2のリード端子・第2の内側突出領域)
第2のリード端子は、第1のリード端子と同様に、パッケージの凹部の底面において露出されるとともに、パッケージの側面からも突出するように設けられており、第1のリード端子上に載置されている半導体発光素子と導電性ワイヤなどによって導通されている。パッケージの凹部底面においては、図1Aに示すように、第2のリード端子の露出領域103aは、第1のリード端子102の露出領域102aとほぼ一定の間隔で離間するように設けられている。この図においては、第2のリード端子の露出領域103aは、第1のリード端子の露出領域102aよりも小さく形成されているが、これに限らず、所望の形状及び面積で露出させることができる。例えば、導電性ワイヤの接合領域や、図1Aに示すように保護素子を搭載させる場合は、その載置領域も確保できるように露出させるのが好ましい。また、第2のリード端子上にも、第1のリード端子と同様に、半導体発光素子を載置することもできる。その場合は、第1のリード端子と同様に、第2のリード端子もパッケージの裏面から露出するよう、厚膜領域を設けてもよい。
(Second lead terminal / second inner protruding area)
Similar to the first lead terminal, the second lead terminal is exposed on the bottom surface of the concave portion of the package and is also provided so as to protrude from the side surface of the package, and is placed on the first lead terminal. The semiconductor light emitting element is electrically connected to a conductive wire or the like. On the bottom surface of the recess of the package, as shown in FIG. 1A, the exposed
また、パッケージの側面から突出している突出領域は、第1のリード端子と同様に、突出領域の裏面がパッケージ裏面と略同一面となるように突出されている。すなわち、図1Bに示すようにパッケージ内部で屈曲され、パッケージの側面から突出する突出領域102bの裏面がパッケージ101の裏面と略同一面となるように形成される。
Further, the protruding region protruding from the side surface of the package is protruded so that the back surface of the protruding region is substantially flush with the back surface of the package, like the first lead terminal. That is, as shown in FIG. 1B, the back surface of the
第2のリード端子の材料としては、第1のリード端子と同様の材料を用いることができる。 As the material of the second lead terminal, the same material as that of the first lead terminal can be used.
(ダイボンド部材)
ダイボンド部材は、リード端子上に半導体発光素子や保護素子などを載置させるための接合部材であり、載置する素子の基板によって導電性ダイボンド部材又は絶縁性ダイボンド部材のいずれかを選択することができる。例えば、絶縁性基板であるサファイア上に窒化物半導体層を積層させた半導体発光素子の場合、絶縁性でも導電性でも用いることができ、SiC基板などの導電性基板を用いる場合は、導電性ダイボンド部材を用いることで導通を図ることができる。絶縁性ダイボンド部材としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。これらの樹脂を用いる場合は、半導体発光素子からの光や熱による劣化を考慮して、半導体発光素子裏面にAl膜などの反射率の高い金属層を設けることができる。この場合、蒸着やスパッタあるいは薄膜を接合させるなどの方法を用いることができる。また、導電性ダイボンド部材としては、銀、金、パラジウムなどの導電性ペーストや、Au−Sn共晶などの半田、低融点金属等のろう材を用いることができる。さらに、これらダイボンド部材のうち、特に透光性のダイボンド部材を用いる場合は、その中に半導体発光素子からの光を吸収して異なる波長の光を発光する蛍光部材を含有させることもできる。
(Die bond member)
The die bond member is a bonding member for mounting a semiconductor light emitting element, a protection element, or the like on the lead terminal, and either a conductive die bond member or an insulating die bond member can be selected depending on the substrate of the element to be mounted. it can. For example, in the case of a semiconductor light emitting device in which a nitride semiconductor layer is laminated on sapphire, which is an insulating substrate, it can be used either insulating or conductive. When a conductive substrate such as a SiC substrate is used, a conductive die bond Conduction can be achieved by using a member. As the insulating die bond member, an epoxy resin, a silicone resin, or the like can be used. In the case of using these resins, a metal layer having a high reflectance such as an Al film can be provided on the back surface of the semiconductor light emitting element in consideration of deterioration due to light or heat from the semiconductor light emitting element. In this case, a method such as vapor deposition, sputtering, or bonding a thin film can be used. In addition, as the conductive die bond member, a conductive paste such as silver, gold, or palladium, solder such as Au—Sn eutectic, or a brazing material such as a low melting point metal can be used. Further, among these die bond members, in particular, when a translucent die bond member is used, a fluorescent member that absorbs light from the semiconductor light emitting element and emits light of a different wavelength can be included therein.
(封止部材)
封止部材は、パッケージの凹部内に載置された半導体発光素子や導電性ワイヤなどを、塵芥、水分や外力などから保護する部材であり、半導体発光素子からの光を透過可能な透光性を有するものが好ましい。具体的な材料としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂やユリア樹脂を挙げることができる。このような材料に加え、所望に応じて着色剤、光拡散剤、フィラー、蛍光部材などを含有させることもできる。また、凹部全体を充填するように設けるのが好ましいが、目的に応じて凹部の途中までを充填することもできる。また、レンズを設ける場合など、封止部材以外の部材によって、搭載されている電子部品などを保護できる場合は、封止部材を省略することもできる。
(Sealing member)
The sealing member is a member that protects the semiconductor light-emitting element or conductive wire placed in the recess of the package from dust, moisture, external force, etc., and is a translucent material that can transmit light from the semiconductor light-emitting element Those having the following are preferred. Specific examples of the material include silicone resin, epoxy resin, and urea resin. In addition to such materials, a colorant, a light diffusing agent, a filler, a fluorescent member, and the like can be contained as desired. Moreover, although it is preferable to provide so that the whole recessed part may be filled, it can also be filled to the middle of a recessed part according to the objective. Further, when a mounted electronic component or the like can be protected by a member other than the sealing member, such as when a lens is provided, the sealing member can be omitted.
(半導体発光素子)
半導体発光素子は、任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、ZnSeや窒化物系半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)を用いたものを用いることができる。また、赤色の発光素子としては、GaAs、InPなどを用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。用いる発光素子の組成や発光色、大きさや、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。例えば、図1Aに示すように、青色発光が可能な窒化物系半導体を用いた半導体発光素子を、6個搭載させるなど、同一発光色の半導体発光素子を複数搭載することができる。
(Semiconductor light emitting device)
A semiconductor light emitting device having an arbitrary wavelength can be selected. For example, as blue and green light emitting elements, those using ZnSe or a nitride semiconductor (In X Al Y Ga 1- XYN, 0 ≦ X, 0 ≦ Y, X + Y ≦ 1) are used. it can. As the red light emitting element, GaAs, InP, or the like can be used. Furthermore, a semiconductor light emitting element made of a material other than this can also be used. The composition, emission color, size, number, and the like of the light emitting element to be used can be appropriately selected according to the purpose. For example, as shown in FIG. 1A, a plurality of semiconductor light emitting elements having the same emission color can be mounted, such as mounting six semiconductor light emitting elements using a nitride semiconductor capable of emitting blue light.
蛍光物質を有する発光装置とする場合には、その蛍光物質を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が好適に挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。 In the case of a light-emitting device having a fluorescent material, a nitride semiconductor (In X Al Y Ga 1- XYN, 0 ≦ X, 0 ≦ Y, X + Y ≦ 1) is preferable. Various emission wavelengths can be selected depending on the material of the semiconductor layer and the degree of mixed crystal.
また、可視光領域の光だけでなく、紫外線や赤外線を出力する発光素子とすることができる。さらには、半導体発光素子とともに、受光素子、及びそれらの半導体素子を過電圧による破壊から守る保護素子(例えば、ツェナーダイオードやコンデンサー)、あるいはそれらを組み合わせたものを搭載することができる。 Further, a light-emitting element that outputs not only light in the visible light region but also ultraviolet rays and infrared rays can be obtained. In addition to the semiconductor light emitting element, a light receiving element, a protective element (for example, a Zener diode or a capacitor) that protects the semiconductor element from destruction due to overvoltage, or a combination thereof can be mounted.
(導電性ワイヤ)
半導体発光素子の電極と、第1のリード端子、第2のリード端子とを接続する導電性ワイヤは、リード端子とのオーミック性、機械的接続性、電気伝導性及び熱伝導性が良いものが求められる。熱伝導度としては0.01cal/(s)(cm2)(℃/cm)以上が好ましく、より好ましくは0.5cal/(s)(cm2)(℃/cm)以上である。また、作業性などを考慮して導電性ワイヤの直径は、好ましくは、Φ10μm以上、Φ45μm以下である。このような導電性ワイヤとして具体的には、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金を用いた導電性ワイヤが挙げられる。このような導電性ワイヤは、導体配線に形成させたワイヤーボンディング領域と、半導体素子の電極と、をワイヤーボンディング機器によって容易に接続させることができる。
(Conductive wire)
The conductive wire that connects the electrode of the semiconductor light emitting element to the first lead terminal and the second lead terminal has good ohmic properties, mechanical connectivity, electrical conductivity and thermal conductivity with the lead terminal. Desired. Preferably 0.01cal / (s) (cm 2 ) (℃ / cm) or higher as heat conductivity, and more preferably 0.5cal / (s) (cm 2 ) (℃ / cm) or more. In consideration of workability and the like, the diameter of the conductive wire is preferably Φ10 μm or more and Φ45 μm or less. Specific examples of such conductive wires include conductive wires using metals such as gold, copper, platinum, and aluminum, and alloys thereof. Such a conductive wire can easily connect the wire bonding region formed in the conductor wiring and the electrode of the semiconductor element by a wire bonding apparatus.
(蛍光部材)
上記封止部材中に、半導体発光素子からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発する蛍光物質を含有させることもできる。特に、半導体発光素子からの光を、より長波長に変換させるものの方が効率がよい。蛍光部材は、1種の蛍光物質等を単層で形成してもよいし、2種以上の蛍光物質等が混合された単層を形成してもよいし、1種の蛍光物質等を含有する単層を2層以上積層させてもよいし、2種以上の蛍光物質等がそれぞれ混合された単層を2層以上積層させてもよい。
(Fluorescent material)
The sealing member may contain a fluorescent material that emits light having different wavelengths by absorbing at least part of light from the semiconductor light emitting element. In particular, it is more efficient to convert light from a semiconductor light emitting element into a longer wavelength. The fluorescent member may be formed of a single type of fluorescent material or the like, or may be formed of a single layer in which two or more types of fluorescent material are mixed, or contains one type of fluorescent material, etc. Two or more single layers may be stacked, or two or more single layers each of which is mixed with two or more kinds of fluorescent substances may be stacked.
蛍光部材としては、例えば、窒化物系半導体を発光層とする半導体発光素子からの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、又は、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩又はEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか1以上であることが好ましい。具体例として、下記の蛍光体を使用することができるが、これに限定されない。 Any fluorescent member may be used as long as it absorbs light from a semiconductor light emitting device having a nitride semiconductor as a light emitting layer and converts the light to light of a different wavelength. For example, nitride phosphors / oxynitride phosphors mainly activated by lanthanoid elements such as Eu and Ce, lanthanoid phosphors such as Eu, and alkalis mainly activated by transition metal elements such as Mn Earth halogen apatite phosphor, alkaline earth metal borate halogen phosphor, alkaline earth metal aluminate phosphor, alkaline earth silicate, alkaline earth sulfide, alkaline earth thiogallate, alkaline earth silicon nitride At least selected from organic and organic complexes mainly activated by lanthanoid elements such as germanate or lanthanoid elements such as Ce, rare earth aluminate, rare earth silicate or Eu Any one or more are preferable. As specific examples, the following phosphors can be used, but are not limited thereto.
Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体は、M2Si5N8:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。また、M2Si5N8:EuのほかMSi7N10:Eu、M1.8Si5O0.2N8:Eu、M0.9Si7O0.1N10:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などもある。 A nitride phosphor mainly activated by a lanthanoid element such as Eu or Ce is M 2 Si 5 N 8 : Eu (M is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, Zn). There is.) In addition to M 2 Si 5 N 8 : Eu, MSi 7 N 10 : Eu, M 1.8 Si 5 O 0.2 N 8 : Eu, M 0.9 Si 7 O 0.1 N 10 : Eu (M Is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, and Zn.
また、Eu等の希土類元素により賦活され、第II族元素Mと、Siと、Alと、Nとを含む窒化物蛍光体で、紫外線乃至青色光を吸収して黄赤色から赤色の範囲に発光する。この窒化物蛍光体は、一般式がMwAlxSiyN((2/3)w+x+(4/3)y):Euで示され、さらに添加元素として希土類元素及び4価の元素、3価の元素から選ばれる少なくとも1種の元素を含む。MはMg、Ca、Sr、Baの群から選ばれる少なくとも1種である。 Nitride phosphors activated by rare earth elements such as Eu and containing Group II elements M, Si, Al, and N, absorb ultraviolet or blue light and emit light in the yellow red to red range. To do. The nitride phosphor has the general formula M w Al x Si y N ( (2/3) w + x + (4/3) y): shown by Eu, rare earth elements and tetravalent element to an additional element, 3 At least one element selected from valent elements. M is at least one selected from the group consisting of Mg, Ca, Sr, and Ba.
上記一般式において、w、x、yの範囲は好ましくは0.04≦w≦9、x=1、0.056≦y≦18とする。またw、x、yの範囲は0.04≦w≦3、x=1、0.143≦y≦8.7としてもよく、より好ましくは0.05≦w≦3、x=1、0.167≦y≦8.7としても良い。 In the above general formula, the ranges of w, x, and y are preferably 0.04 ≦ w ≦ 9, x = 1, 0.056 ≦ y ≦ 18. The range of w, x, and y may be 0.04 ≦ w ≦ 3, x = 1, 0.143 ≦ y ≦ 8.7, more preferably 0.05 ≦ w ≦ 3, x = 1, 0. 167 ≦ y ≦ 8.7.
また窒化物蛍光体は、ホウ素Bを追加した一般式MwAlxSiyBzN((2/3)w+x+(4/3)y+z):Euとすることもできる。上記においても、MはMg、Ca、Sr、Baの群から選ばれる少なくとも1種であり、0.04≦w≦9、x=1、0.056≦y≦18、0.0005≦z≦0.5である。ホウ素を添加する場合、そのモル濃度zは、上述の通り0.5以下とし、好ましくは0.3以下、さらに0.0005よりも大きく設定される。さらに好ましくは、ホウ素のモル濃度は、0.001以上であって、0.2以下に設定される。 The nitride phosphor is generally added boron B formula M w Al x Si y B z N ((2/3) w + x + (4/3) y + z): can also be Eu. Also in the above, M is at least one selected from the group consisting of Mg, Ca, Sr, and Ba, and 0.04 ≦ w ≦ 9, x = 1, 0.056 ≦ y ≦ 18, 0.0005 ≦ z ≦ 0.5. When boron is added, the molar concentration z is set to 0.5 or less as described above, preferably 0.3 or less, and further set to be greater than 0.0005. More preferably, the molar concentration of boron is set to 0.001 or more and 0.2 or less.
またこれらの窒化物蛍光体は、さらにLa、Ce、Pr、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Luの群から選ばれる少なくとも1種、又はSc、Y、Ga、Inのいずれか1種、又はGe、Zrのいずれか1種、が含有されている。これらを含有することによりGd、Nd、Tmよりも同等以上の輝度、量子効率又はピーク強度を出力することができる。 Further, these nitride phosphors are further at least one selected from the group of La, Ce, Pr, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Lu, or any one of Sc, Y, Ga, In, Alternatively, any one of Ge and Zr is contained. By containing these, luminance, quantum efficiency, or peak intensity equal to or higher than Gd, Nd, and Tm can be output.
Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される酸窒化物系蛍光体は、MSi2O2N2:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。 An oxynitride phosphor mainly activated by a lanthanoid element such as Eu or Ce is MSi 2 O 2 N 2 : Eu (M is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, Zn) .)and so on.
Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体には、M5(PO4)3X:R(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1種以上である。)などがある。 Alkaline earth halogen apatite phosphors mainly activated by lanthanoid elements such as Eu and transition metal elements such as Mn include M 5 (PO 4 ) 3 X: R (M is Sr, Ca, Ba, At least one selected from Mg and Zn, X is at least one selected from F, Cl, Br, and I. R is at least one selected from Eu, Mn, Eu and Mn. Etc.).
アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体には、M2B5O9X:R(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。 The alkaline earth metal borate phosphor has M 2 B 5 O 9 X: R (M is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, Zn. X is F, Cl , Br, or I. R is Eu, Mn, or any one of Eu and Mn.).
アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体には、SrAl2O4:R、Sr4Al14O25:R、CaAl2O4:R、BaMg2Al16O27:R、BaMg2Al16O12:R、BaMgAl10O17:R(Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1種以上である。)などがある。 Alkaline earth metal aluminate phosphors include SrAl 2 O 4 : R, Sr 4 Al 14 O 25 : R, CaAl 2 O 4 : R, BaMg 2 Al 16 O 27 : R, BaMg 2 Al 16 O 12 : R, BaMgAl 10 O 17 : R (R is one or more of Eu, Mn, Eu and Mn).
アルカリ土類ケイ酸塩蛍光体には、(Sr1−a−b−xBaaCabEux)2SiO4(0≦a≦1、0≦b≦1、0.005≦x≦0.1)などがある。 The alkaline earth silicate phosphor, (Sr 1-a-b -x Ba a Ca b Eu x) 2 SiO 4 (0 ≦ a ≦ 1,0 ≦ b ≦ 1,0.005 ≦ x ≦ 0 .1).
アルカリ土類硫化物蛍光体には、La2O2S:Eu、Y2O2S:Eu、Gd2O2S:Euなどがある。 Examples of the alkaline earth sulfide phosphor include La 2 O 2 S: Eu, Y 2 O 2 S: Eu, and Gd 2 O 2 S: Eu.
Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体には、Y3Al5O12:Ce、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce、Y3(Al0.8Ga0.2)5O12:Ce、(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12の組成式で表されるYAG系蛍光体などがある。また、Yの一部もしくは全部をTb、Lu等で置換したTb3Al5O12:Ce、Lu3Al5O12:Ceなどもある。 Examples of rare earth aluminate phosphors mainly activated with lanthanoid elements such as Ce include Y 3 Al 5 O 12 : Ce, (Y 0.8 Gd 0.2 ) 3 Al 5 O 12 : Ce, Y 3 (Al 0.8 Ga 0.2) 5 O 12: Ce, and the like (Y, Gd) 3 (Al , Ga) YAG -based phosphor represented by the composition formula of 5 O 12. Further, there are Tb 3 Al 5 O 12 : Ce, Lu 3 Al 5 O 12 : Ce, etc. in which a part or all of Y is substituted with Tb, Lu, or the like.
その他の蛍光体には、ZnS:Eu、Zn2GeO4:Mn、MGa2S4:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。 Other phosphors include ZnS: Eu, Zn 2 GeO 4 : Mn, MGa 2 S 4 : Eu (M is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, Zn. X is At least one selected from F, Cl, Br, and I).
上述の蛍光体は、所望に応じてEuに代えて、又は、Euに加えてTb、Cu、Ag、Au、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、Tiから選択される1種以上を含有させることもできる。 The phosphor described above contains at least one selected from Tb, Cu, Ag, Au, Cr, Nd, Dy, Co, Ni, and Ti instead of Eu or in addition to Eu as desired. You can also
Ca−Al−Si−O−N系オキシ窒化物ガラス蛍光体とは、モル%表示で、CaCO3をCaOに換算して20〜50モル%、Al2O3を0〜30モル%、SiOを25〜60モル%、AlNを5〜50モル%、希土類酸化物又は遷移金属酸化物を0.1〜20モル%とし、5成分の合計が100モル%となるオキシ窒化物ガラスを母体材料とした蛍光体である。尚、オキシ窒化物ガラスを母体材料とした蛍光体では、窒素含有量が15wt%以下であることが好ましく、希土類酸化物イオンの他に増感剤となる他の希土類元素イオンを希土類酸化物として蛍光ガラス中に0.1〜10モル%の範囲の含有量で共賦活剤として含むことが好ましい。 The Ca—Al—Si—O—N-based oxynitride glass phosphor is expressed in terms of mol%, CaCO 3 is converted to CaO, 20 to 50 mol%, Al 2 O 3 is 0 to 30 mol%, SiO 25 to 60 mol% of Al, 5 to 50 mol% of AlN, 0.1 to 20 mol% of rare earth oxide or transition metal oxide, and a base material of an oxynitride glass in which the total of five components is 100 mol% This is a phosphor. In addition, in the phosphor using oxynitride glass as a base material, the nitrogen content is preferably 15 wt% or less, and other rare earth element ions serving as a sensitizer in addition to rare earth oxide ions are used as rare earth oxides. It is preferable to contain as a co-activator in content in the range of 0.1-10 mol% in fluorescent glass.
また、上記蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、作用、効果を有する蛍光体も使用することができる。 Moreover, it is fluorescent substance other than the said fluorescent substance, Comprising: The fluorescent substance which has the same performance, an effect | action, and an effect can also be used.
本発明は、照明器具、ディスプレイ、液晶ディスプレイのバックライト光源などに利用できる。 The present invention can be used for a lighting device, a display, a backlight light source of a liquid crystal display, and the like.
100、200、300、400、500・・・発光装置
101、301・・・パッケージ
101a、501a・・・段差部
301b・・・第2の裏面
102、202、302、402、502・・・第1のリード端子
102a・・・第1のリード端子の凹部底面露出領域
102b・・・第1のリード端子の突出領域
102c、302c・・・第1のリード端子の厚膜領域
102d、402d・・・第1のリード端子の切断部
103、203、303、403、503・・・第2のリード端子
103a・・・第2のリード端子の凹部底面露出領域
103b・・・第2のリード端子の突出領域
103d、403d・・・第1のリード端子の切断部
104・・・半導体発光素子
105・・・導電性ワイヤ
106・・・パッケージの凹部
107A、207A、307A・・・第1の内側突出部
107A−1・・・内側突出部上面
207B、307B・・第2の内側突出部
307C・・・第3の内側突出部
108・・・第1のリード端子の開口部
109・・・保護素子
110・・・封止部材
100, 200, 300, 400, 500...
Claims (6)
前記凹部の底面に露出されるとともに、前記パッケージの側面から突出するリード端子と、を有し
前記リード端子は、半導体発光素子が載置されるとともに、前記パッケージの裏面からも露出される厚膜領域を有する第1のリード端子と、前記半導体発光素子と導通される第2のリード端子とを有し、
前記内壁は、前記第1のリード端子のみと接する領域において、前記凹部の内側に突出する第1の内側突出部を有し、
さらに前記内壁は、前記第2のリード端子のみと接する領域において、前記第1の内側突出部と前記半導体発光素子の載置領域に対して対称となるように配置され、前記第1の内側突出部から離間して、前記第1の内側突出部と同一の角度及び幅で前記凹部の内側に突出する第2の内側突出部を有することを特徴とする発光装置。 A package comprising a recess having an inner wall and a bottom surface;
A lead terminal that is exposed on a bottom surface of the recess and protrudes from a side surface of the package; the lead terminal is a thick film on which a semiconductor light emitting element is placed and also exposed from the back surface of the package A first lead terminal having a region, and a second lead terminal electrically connected to the semiconductor light emitting element,
The inner wall has a first inner protruding portion that protrudes inside the recess in a region in contact with only the first lead terminal,
Further, the inner wall, said in the second region in contact with only the lead terminals are arranged to be symmetrical with respect to mounting area of the first inner protrusion of the semiconductor light - emitting element, the first inner A light emitting device comprising a second inner projecting portion that is spaced apart from the projecting portion and projects to the inside of the recess at the same angle and width as the first inner projecting portion.
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