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JP4855454B2 - Position detection device and electronic apparatus using the position detection device - Google Patents

Position detection device and electronic apparatus using the position detection device Download PDF

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JP4855454B2
JP4855454B2 JP2008265516A JP2008265516A JP4855454B2 JP 4855454 B2 JP4855454 B2 JP 4855454B2 JP 2008265516 A JP2008265516 A JP 2008265516A JP 2008265516 A JP2008265516 A JP 2008265516A JP 4855454 B2 JP4855454 B2 JP 4855454B2
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Description

本発明は、位置検出装置及びその位置検出装置を用いた電子機器に関し、より詳細には、磁石とホールセンサを用いた位置検出装置及びその位置検出装置を用いた電子機器に関する。   The present invention relates to a position detection device and an electronic device using the position detection device, and more particularly to a position detection device using a magnet and a hall sensor and an electronic device using the position detection device.

近年、様々なセンサがあらゆるところで用いられるようになっている。例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ等に用いられる手ブレ補正装置やズームやオートフォーカスのためのレンズ位置検出装置では、瞬時に高精度な位置検出を行う機能を有するセンサが必要となると同時に、近年機器全体の小型化の要求が強いことから、センサ自体の小型化が要求されている。さらには、長寿命化、埃や油(グリース)などの影響を受けにくい特性をもつセンサなど様々な要求がある。   In recent years, various sensors have been used everywhere. For example, a camera shake correction device used in a digital still camera, a digital video camera, or a lens position detection device for zooming or autofocus requires a sensor having a function for instantaneously detecting a position with high accuracy. In recent years, there is a strong demand for downsizing of the entire device, and thus downsizing of the sensor itself is required. Furthermore, there are various demands such as a sensor having a long life and a characteristic that is not easily affected by dust and oil (grease).

このような要求をみたすために、センサとして磁気センサを用いた位置検出方法などが知られている。磁気センサとして、例えば、特許文献1などに記載されている方法を変更・修正して行うことができる。すなわち、特許文献1の図3で示されるように、可動部に磁石を内包させ、その移動を複数個の磁気センサを用いて検出する方法である。   In order to meet such a demand, a position detection method using a magnetic sensor as a sensor is known. As the magnetic sensor, for example, the method described in Patent Document 1 can be changed and modified. That is, as shown in FIG. 3 of Patent Document 1, a magnet is included in a movable part, and the movement is detected using a plurality of magnetic sensors.

本願発明者等は、従来から特許文献2などに記載されている位置検出装置を提案してきており、現在、本位置検出機構はデジタルスチルカメラの手ぶれ補正装置のキーパーツとして広く用いられている。   The inventors of the present application have conventionally proposed a position detection device described in Patent Document 2 and the like, and at present, this position detection mechanism is widely used as a key part of a camera shake correction device for a digital still camera.

ここで、複数個の磁気センサを用いて、位置検出を行う原理およびその構成について説明する。   Here, the principle and configuration of position detection using a plurality of magnetic sensors will be described.

図12は、磁気センサとして複数のホールセンサを用いた位置検出方法を説明するための図である。規定の間隔を隔てて配置された2個のホールセンサ11,12に対向して配置された永久磁石23の側面方向(矢印方向)への移動による磁束密度の変化に応じて、2個のホールセンサ11,12のホール出力電圧がそれぞれ変化する。それらホール出力電圧の差分値を、差動信号処理回路により処理することにより、永久磁石23の位置検出を行うことができる。この位置検出の際、永久磁石23の移動方向は、2個のホールセンサ11,12を結ぶ直線に平行な状態となっている。   FIG. 12 is a diagram for explaining a position detection method using a plurality of Hall sensors as magnetic sensors. Two holes according to the change in magnetic flux density due to the movement of the permanent magnets 23 arranged opposite to the two hall sensors 11, 12 arranged at a predetermined interval in the side direction (arrow direction). The Hall output voltages of the sensors 11 and 12 change, respectively. The position value of the permanent magnet 23 can be detected by processing the difference value of the Hall output voltages by the differential signal processing circuit. At the time of this position detection, the moving direction of the permanent magnet 23 is in a state parallel to the straight line connecting the two Hall sensors 11 and 12.

また、キャリブレーションの手間を省くため、上記のホール出力電圧の差分値が永久磁石23の側面方向への移動距離に対して線形に変化するように、その永久磁石23のサイズや、ホールセンサ11,12の間隔や、ホールセンサ11,12と永久磁石23との間隔を設計するのが一般的である。   Further, in order to save the labor of calibration, the size of the permanent magnet 23 or the Hall sensor 11 so that the difference value of the Hall output voltage changes linearly with respect to the movement distance in the side surface direction of the permanent magnet 23. , 12 and the distance between the hall sensors 11, 12 and the permanent magnet 23 are generally designed.

この構成は、磁石とホールセンサの相対的移動範囲が数mm以内であれば、良好な特性を有しており、一眼レフデジタルカメラの手ブレ補正装置などでキーパーツとして使用されている。しかし、移動範囲が数mmをこえる領域では、機構全体が大きくなるという問題があり、実用化されていない。   This configuration has good characteristics as long as the relative movement range of the magnet and the Hall sensor is within a few mm, and is used as a key part in a camera shake correction device of a single-lens reflex digital camera. However, in the region where the moving range exceeds several mm, there is a problem that the entire mechanism becomes large, and it has not been put into practical use.

また、狭い範囲での位置検出においては、部品点数を削減するために、特許文献4の図6で示されるような配置で、磁石と1個のホールセンサとを用いて1軸方向の位置検出を行うことも可能である。また、狭い範囲で高い精度が求められる位置検出では、特許文献3のように磁石を2個使って特殊な配置で位置検出を行う場合もある。   In position detection in a narrow range, in order to reduce the number of parts, position detection in one axial direction is performed using a magnet and one Hall sensor in an arrangement as shown in FIG. It is also possible to perform. Further, in position detection that requires high accuracy in a narrow range, there are cases where position detection is performed with a special arrangement using two magnets as in Patent Document 3.

一方、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラのズームやオートフォーカスのためのレンズ位置検出装置で要求されるような5mmを越える広範囲な位置検出を行う際、エンコーダを用いる手法が一般的である。ただし、エンコーダを用いる場合は、センサからの信号を処理するカウンタなどを含む複雑な処理回路が必要になるという問題がある。   On the other hand, a method using an encoder is generally used when performing a wide range of position detection exceeding 5 mm as required by a lens position detection device for zooming or autofocusing of a digital still camera or a digital video camera. However, when an encoder is used, there is a problem that a complicated processing circuit including a counter for processing a signal from the sensor is required.

また、移動装置とエンコーダとが脱調すると、所望の特性が得られないため、あまり高速な移動対象には不向きである。また、広範囲で高精度を要求される位置検出では、特許文献5の図2で示されるような配置で、磁気センサからの出力に応じて、演算方法を切り替えることで、位置検出を行う場合もある。   In addition, if the moving device and the encoder step out, desired characteristics cannot be obtained, so that the moving device and the encoder are not suitable for a high-speed moving object. In addition, in position detection that requires high accuracy over a wide range, the position detection may be performed by switching the calculation method according to the output from the magnetic sensor in the arrangement as shown in FIG. is there.

特開2002−287891号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2002-287991 国際公開第WO2002/086694号パンフレットInternational Publication No. WO2002 / 086694 Pamphlet 特開2004−245765号公報JP 2004-245765 A 特開2002−229090号公報JP 2002-229090 A 特開2006−292396号公報JP 2006-292396 A

近年、非接触式で長寿命であり、埃やチリなどの影響を受けない磁気センサを用いて、広範囲で位置検出を実現したいという要求が増えている。   In recent years, there has been an increasing demand to realize position detection in a wide range using a magnetic sensor that is non-contact and has a long life and is not affected by dust or dust.

本願発明者らが提案した特許文献2の位置検出装置を用いれば、手ぶれ補正の位置検出で要求される2〜3mmストロークを0.1%程度という高い精度が実現されており、広く利用されているが、カメラのズームやオートフォーカスのためのレンズ位置検出装置で要求されるような、5mm以上の広範囲な位置検出を同様の高い精度で実現できていなかった。   If the position detection device of Patent Document 2 proposed by the inventors of the present application is used, a high accuracy of about 0.1% is achieved for a 2 to 3 mm stroke required for position detection for camera shake correction, and it is widely used. However, a wide range of position detection of 5 mm or more, which is required for a lens position detection device for camera zoom or autofocus, has not been realized with the same high accuracy.

また、後述する比較例(特許文献1に記載の方法)に記載の方法を用いて広範囲で位置検出を行う場合、上記ホール出力電圧の差分値が永久磁石の側面方向への移動距離に対して線形に変化するように設計すると、磁石のサイズや、2個のホールセンサの間隔、およびホールセンサと磁石との間隔が大きくなり、位置検出装置の小型化が困難であるという問題があった。デジタルスチルカメラなどの携帯機器では小型化要求が強いため、この構成は実用的ではない。   In addition, when position detection is performed over a wide range using the method described in a comparative example (method described in Patent Document 1) described later, the difference value of the Hall output voltage is relative to the movement distance in the lateral direction of the permanent magnet. If designed to change linearly, the size of the magnet, the distance between the two Hall sensors, and the distance between the Hall sensor and the magnet are increased, which makes it difficult to reduce the size of the position detection device. This configuration is not practical because portable devices such as digital still cameras have a strong demand for downsizing.

また、特許文献3や特許文献4に記載されているような方法は、原理的に広い範囲においてホールセンサの出力が線形になるように磁石を配置するのが難しく、カメラのズームやオートフォーカスのためのレンズ位置検出装置で要求されるような、5mm以上の広範囲な位置検出は不可能であるという問題があった。   In addition, in the methods described in Patent Document 3 and Patent Document 4, it is difficult in principle to arrange the magnet so that the output of the Hall sensor is linear in a wide range, and it is difficult to perform zooming and autofocusing of the camera. For this reason, there is a problem that it is impossible to detect a wide range of 5 mm or more as required by a lens position detecting device.

また、特許文献5に記載されている方法は、磁石の移動距離方向のサイズが、位置検出範囲よりも長くなり、小型化には不向きであるという問題があった。さらには、磁石はN極とS極が2極ずつ具備され、磁気センサの感磁面に対して垂直に着磁されたものを使用するが、不着磁部のサイズによって、線形性が変化するため、不着磁部のサイズを規定した特殊な磁石を用意する必要があるという問題もあった。   In addition, the method described in Patent Document 5 has a problem that the size of the magnet in the moving distance direction is longer than the position detection range and is not suitable for downsizing. Furthermore, the magnet has two N poles and two S poles and is magnetized perpendicular to the magnetic sensing surface of the magnetic sensor, but the linearity changes depending on the size of the non-magnetized part. Therefore, there is a problem that it is necessary to prepare a special magnet that defines the size of the non-magnetized portion.

このような理由により、現在までのところ、位置検出範囲の0.1%程度という高精度の、磁石を用いた位置検出装置は、磁石の移動距離が数mm以内のものしか実用化されていなかった。   For these reasons, up to the present, position detection devices using magnets with a high accuracy of about 0.1% of the position detection range have only been put into practical use within a moving distance of a few millimeters or less. It was.

本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、ホールセンサを磁気センサとして用い構成部品を汎用品や入手が容易な部品などにより構成した場合においても、簡易な構成で小型化を実現することができると共に広範囲な距離を高精度に検出することが可能な位置検出装置及びその位置検出装置を用いた電子機器を提供することにある。   The present invention has been made in view of such problems. The object of the present invention is simple even when the hall sensor is used as a magnetic sensor and the component parts are constituted by general-purpose products or easily available parts. An object of the present invention is to provide a position detection device capable of realizing downsizing with a simple configuration and capable of detecting a wide range of distances with high accuracy, and an electronic apparatus using the position detection device.

本発明は、このような目的を達成するためになされたもので、請求項1に記載の発明は、基板上に配置され、感磁方向が前記基板に対して垂直である2個の磁気センサを1組としてなる磁束検出手段と、前記磁気センサの感磁部の中心間を結ぶ直線に対して平行方向に、かつ前記基板に平行な平面内を移動可能に支持され、前記基板に対して垂直方向にN極とS極が着磁された磁石からなる磁束発生手段と、前記磁気センサからの出力に基づいて位置検出を行う信号処理手段とを備え、該信号処理手段が、前記磁石の移動範囲を3分割し、該3分割した移動範囲のうち中央部分については、前記磁気センサの出力をそれぞれVa及びVbとした場合に、(Va−Vb)の関係式を用いて位置検出を行い、前記3分割した移動範囲のうち両端部分については、(Va+Vb)の関係式を用いて位置検出を行うことを特徴とする位置検出装置である。   The present invention has been made to achieve such an object, and the invention according to claim 1 is arranged on a substrate, and two magnetic sensors having a magnetic sensitive direction perpendicular to the substrate. Is supported in a direction parallel to a straight line connecting the centers of the magnetic sensing portions of the magnetic sensor and in a plane parallel to the substrate, with respect to the substrate. Magnetic flux generation means comprising a magnet with N and S poles magnetized in the vertical direction, and signal processing means for detecting the position based on the output from the magnetic sensor, the signal processing means comprising: The movement range is divided into three parts, and the position of the central part of the three movement ranges is detected using the relational expression (Va−Vb) when the output of the magnetic sensor is Va and Vb, respectively. , Both ends of the movement range divided into three For a position detecting device characterized by detecting the position by using a relational expression of (Va + Vb).

また、請求項2に記載の発明は、基板上に配置され、感磁方向が前記基板に対して垂直である2個の磁気センサを1組としてなる磁束検出手段と、前記磁気センサの感磁部の中心間を結ぶ直線に対して平行方向に、かつ前記基板に平行な平面内を移動可能に支持され、前記基板に対して垂直方向にN極とS極が着磁された磁石からなる磁束発生手段と、前記磁気センサからの出力に基づいて位置検出を行う信号処理手段とを備え、該信号処理手段が、前記磁石の移動範囲を3分割し、該3分割した移動範囲のうち中央部分については、前記磁気センサの出力をそれぞれVa及びVbとした場合に、(Va−Vb)/(Va+Vb)の関係式を用いて位置検出を行い、前記3分割した移動範囲のうち両端部分については、(Va+Vb)の関係式を用いて位置検出を行うことを特徴とする位置検出装置である。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a magnetic flux detection means comprising a set of two magnetic sensors disposed on a substrate and having a magnetic sensitivity direction perpendicular to the substrate, and the magnetic sensitivity of the magnetic sensor. A magnet which is supported in a direction parallel to a straight line connecting the centers of the parts and movable in a plane parallel to the substrate, and is magnetized with N and S poles perpendicular to the substrate. Magnetic flux generating means and signal processing means for detecting a position based on an output from the magnetic sensor, the signal processing means dividing the moving range of the magnet into three, and the center of the three divided moving ranges. For the portion, when the output of the magnetic sensor is Va and Vb, respectively, position detection is performed using the relational expression of (Va−Vb) / (Va + Vb), and both end portions of the movement range divided into three are obtained. Is the relationship of (Va + Vb) A position detecting device, characterized in that the detection position using.

また、請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の発明のおいて、前記3分割は、前記磁石の移動範囲を約4等分したうちの中央2ヶ所と、一端の1ヶ所と、他の一端の1ヶ所となるように3分割することを特徴とする。   Further, the invention according to claim 3 is the invention according to claim 1 or 2, wherein the three divisions are the central two places out of the movement range of the magnet and the one at one end. It is characterized by being divided into three so that there is one place and one place at the other end.

また、請求項4に記載の発明は、請求項1,2又は3に記載の発明において、前記磁気センサの感磁部の中心間を結ぶ直線の中点と、前記磁石の移動範囲の中点とが同じであることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the first, second, or third aspect of the present invention, the midpoint of a straight line connecting between the centers of the magnetic sensing portions of the magnetic sensor and the midpoint of the moving range of the magnet. And are the same.

また、請求項5に記載の発明は、請求項1乃至4のいずれかに記載の発明において、前記磁気センサを1つのパッケージに一体に封入していることを特徴とする。   The invention according to claim 5 is the invention according to any one of claims 1 to 4, wherein the magnetic sensor is integrally enclosed in one package.

また、請求項6に記載の発明は、請求項1乃至5のいずれかに記載の発明において、前記磁気センサは、磁気増幅を行うための磁性体チップを有していないことを特徴とする。   The invention according to claim 6 is the invention according to any one of claims 1 to 5, wherein the magnetic sensor does not have a magnetic chip for performing magnetic amplification.

また、請求項7に記載の発明は、請求項1乃至6のいずれかに記載の発明において、前記磁気センサは、GaAs、InAs、InSbなどのIII−V族化合物半導体を含むホールセンサであることを特徴とする。   The invention according to claim 7 is the invention according to any one of claims 1 to 6, wherein the magnetic sensor is a Hall sensor including a III-V group compound semiconductor such as GaAs, InAs, InSb. It is characterized by.

また、請求項8に記載の発明は、請求項1乃至6のいずれかに記載の発明において、前記磁気センサは、Si、GeなどのIV族半導体を含むホールセンサであることを特徴とする。   The invention according to claim 8 is the invention according to any one of claims 1 to 6, wherein the magnetic sensor is a Hall sensor including a group IV semiconductor such as Si or Ge.

また、請求項9に記載の発明は、請求項1乃至8のいずれかに記載の位置検出装置を用いたことを特徴とする電子機器である。   According to a ninth aspect of the present invention, there is provided an electronic apparatus using the position detecting device according to any one of the first to eighth aspects.

本発明によれば、ホールセンサを磁気センサとして用い構成部品を汎用品や入手が容易な部品等により構成した場合においても、簡易な構成で小型化を実現することができると共に広範囲な距離を高精度に検出することが可能な位置検出装置と、その位置検出装置を用いた電子機器を提供することが可能になる。   According to the present invention, even when the hall sensor is used as a magnetic sensor and the component parts are constituted by general-purpose products or easily available parts, it is possible to achieve downsizing with a simple configuration and to increase a wide range of distances. It is possible to provide a position detection device capable of detecting with high accuracy and an electronic apparatus using the position detection device.

以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
<本発明の位置検出装置の構成>
図1(a),(b)は、本発明に係る位置検出装置の概略構成図で、図1(a)は断面図、図1(b)は上面図である。図中符号30は位置検出装置、31はN極S極をそれぞれ1極ずつ着磁した直方体磁石(磁束発生手段)、32a,32bは2個を1組としたホールセンサ(磁気センサ/磁束検出手段)、33はホールセンサ32a(第1のホールセンサ)とホールセンサ32b(第2のホールセンサ)を実装した基板を示している。本発明に係る位置検出装置は、様々な形状の磁石と、種々なホールセンサとを用いて構成できる。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
<Configuration of Position Detection Device of the Present Invention>
1A and 1B are schematic configuration diagrams of a position detection device according to the present invention, in which FIG. 1A is a sectional view and FIG. 1B is a top view. In the figure, reference numeral 30 is a position detecting device, 31 is a rectangular parallelepiped magnet (magnetic flux generating means) magnetized with one N pole and one S pole, and 32a and 32b are hall sensors (magnetic sensor / magnetic flux detection) in which two are combined. Means) 33 indicates a substrate on which the hall sensor 32a (first hall sensor) and the hall sensor 32b (second hall sensor) are mounted. The position detection apparatus according to the present invention can be configured using variously shaped magnets and various Hall sensors.

ホールセンサ32a,32bは、基板33上に配置され、感磁方向が基板33に対して垂直である2個を1組としたものである。直方体磁石31は、ホールセンサ32a,32bを実装した基板33に対して垂直に着磁された構成となっており、基板33と対向する1平面100内で、x方向に沿って移動可能に配置されている。   The hall sensors 32 a and 32 b are arranged on the substrate 33 and a set of two sensors whose magnetism sensitive direction is perpendicular to the substrate 33. The rectangular parallelepiped magnet 31 is configured to be magnetized perpendicularly to the substrate 33 on which the Hall sensors 32a and 32b are mounted, and is arranged so as to be movable along the x direction within one plane 100 facing the substrate 33. Has been.

いいかえると、直方体磁石31は、ホールセンサ32a,32bの感磁部の中心間を結ぶ直線に対して平行方向に、かつ基板33に平行な平面内を移動可能に支持され、基板33に対して垂直方向にN極とS極が着磁されている。   In other words, the rectangular parallelepiped magnet 31 is supported so as to be movable in a direction parallel to the straight line connecting the centers of the magnetic sensing portions of the Hall sensors 32 a and 32 b and in a plane parallel to the substrate 33. N pole and S pole are magnetized in the vertical direction.

ここで、2個のホールセンサ32a,32bの感磁部中心間を結ぶ直線に対して平行方向に、かつ基板33に平行な平面内を移動可能という意味は、ホールセンサ32a,32bの感磁部の中心間を結ぶ直線と直方体磁石31の移動方向を示す直線を、基板33に平行な任意の同一平面上に投影した場合にそれぞれの延長線が平行であることを意味するものである。また、2個のホールセンサ32a,32bの感磁部の中心間を結ぶ直線の中点と、直方体磁石31の移動範囲の中点とが同じである。   Here, the meaning of being able to move in a direction parallel to the straight line connecting the centers of the magnetic sensing portions of the two hall sensors 32a and 32b and in a plane parallel to the substrate 33 is the magnetic sensitivity of the hall sensors 32a and 32b. This means that, when a straight line connecting the centers of the portions and a straight line indicating the moving direction of the rectangular magnet 31 are projected on any same plane parallel to the substrate 33, the respective extension lines are parallel. Further, the midpoint of the straight line connecting the centers of the magnetic sensing portions of the two Hall sensors 32a and 32b is the same as the midpoint of the moving range of the rectangular parallelepiped magnet 31.

直方体磁石31は、フェライトやネオジ鉄ボロン、サマリウムコバルト磁石などが適用可能であり、薄型の磁石の場合は、プラスチック磁石やゴム磁石を用いることも可能である。磁石の着磁方向は、基板33に対して垂直方向にN極とS極が着磁された方向にするとよい。   As the rectangular parallelepiped magnet 31, ferrite, neodymium boron, samarium cobalt magnet, or the like can be applied. In the case of a thin magnet, a plastic magnet or a rubber magnet can also be used. The magnet is magnetized in a direction in which N and S poles are magnetized in a direction perpendicular to the substrate 33.

1組のホールセンサとして構成された、第1のホールセンサ32aの感磁部中心と、第2のホールセンサ32bの感磁部中心を結ぶ直線もx方向である。また、ホールセンサ32a,32bは、直方体磁石31の面と対向した位置に配置されている。   A straight line connecting the center of the magnetic sensing part of the first hall sensor 32a and the center of the magnetic sensing part of the second hall sensor 32b configured as a set of hall sensors is also in the x direction. The hall sensors 32 a and 32 b are disposed at positions facing the surface of the rectangular parallelepiped magnet 31.

図中符号A1は、直方体磁石31の長辺方向Xの長さ、A2は直方体磁石31の短辺方向Yの長さ、A3は直方体磁石31の厚み(着磁)方向Zの長さを示している。また、B1は、直方体磁石31におけるホールセンサ32a,32bの基板33に対向する平面100から、ホールセンサ32a,32bの感磁部の中心までの距離を示している。B2は、第1のホールセンサ32aの感磁部の中心と、第2のホールセンサ32bの感磁部の中心とを結ぶ距離を示している。   In the figure, A1 indicates the length in the long side direction X of the cuboid magnet 31, A2 indicates the length in the short side direction Y of the cuboid magnet 31, and A3 indicates the length in the thickness (magnetization) direction Z of the cuboid magnet 31. ing. B1 indicates the distance from the plane 100 facing the substrate 33 of the hall sensors 32a and 32b in the cuboid magnet 31 to the center of the magnetic sensing part of the hall sensors 32a and 32b. B2 indicates the distance connecting the center of the magnetic sensing part of the first hall sensor 32a and the center of the magnetic sensing part of the second hall sensor 32b.

ホールセンサ32a,32bは、GaAs、InAs、InSbなどのIII−V族化合物半導体を含むものである。また、Si、GeなどのIV族半導体を含むものでもよい。   The hall sensors 32a and 32b include III-V group compound semiconductors such as GaAs, InAs, and InSb. Further, it may contain a group IV semiconductor such as Si or Ge.

また、2個のホールセンサの特性(感度やオフセット)が、あまりにかけはなれていると位置検出精度が悪化する。2個のホールセンサの特性を揃えるために、例えば、製造段階でウェハのとなりあった場所にある2個のホールセンサを1つのパッケージに納めることで、上述した問題が解決でき、高精度な位置検出装置を構成することができる。   Also, if the characteristics (sensitivity and offset) of the two Hall sensors are too far apart, the position detection accuracy will deteriorate. In order to make the characteristics of the two Hall sensors uniform, for example, by placing two Hall sensors in the place where the wafer was located in the manufacturing stage in one package, the above-mentioned problems can be solved, and a high-precision position can be obtained. A detection device can be configured.

図2は、図1に示した位置検出装置の位置検出回路例の構成図で、図中符号19は駆動回路、20は信号処理部、21a,21bは差動増幅器、22は計算処理部を示している。   FIG. 2 is a block diagram of an example of the position detection circuit of the position detection apparatus shown in FIG. 1. In FIG. 2, reference numeral 19 denotes a drive circuit, 20 denotes a signal processing unit, 21a and 21b denote differential amplifiers, and 22 denotes a calculation processing unit. Show.

駆動回路19は、1組のホールセンサ32a,32bと、これらのホールセンサ32a,32bに電圧を供給する電源部Vcとから構成されている。第1のホールセンサ32aは、正極入力端子32a(A)と正極出力端子32a(B)と負極入力端子32a(C)と負極出力端子32a(D)とから構成され、また、第2のホールセンサ32bは、正極入力端子32b(E)と正極出力端子32b(F)と負極入力端子32b(G)と負極出力端子32b(H)とから構成されており、正極出力端子32a(B)と負極出力端子32a(D)とから第1のホールセンサ32aの出力電圧Vaが出力され、また、正極出力端子32b(F)と負極出力端子32b(H)とから第2のホールセンサ32bの出力電圧Vbが出力される。   The drive circuit 19 includes a pair of hall sensors 32a and 32b and a power supply unit Vc that supplies voltage to the hall sensors 32a and 32b. The first hall sensor 32a is composed of a positive input terminal 32a (A), a positive output terminal 32a (B), a negative input terminal 32a (C), and a negative output terminal 32a (D). The sensor 32b includes a positive input terminal 32b (E), a positive output terminal 32b (F), a negative input terminal 32b (G), and a negative output terminal 32b (H). The positive output terminal 32a (B) The output voltage Va of the first hall sensor 32a is output from the negative output terminal 32a (D), and the output of the second hall sensor 32b is output from the positive output terminal 32b (F) and the negative output terminal 32b (H). The voltage Vb is output.

信号処理部20は、ホールセンサ32a,32bからの出力に基づいて位置検出を行うものである。一般に直方体磁石31とホールセンサ32a,32bの位置関係など、位置検出装置30の構成を最適化しても、直方体磁石31の移動に伴い直線的に磁束密度が変化する範囲というのは、概ね移動する直方体磁石31の長辺の長さの7〜8割程度である。   The signal processing unit 20 performs position detection based on outputs from the hall sensors 32a and 32b. In general, even if the configuration of the position detection device 30 such as the positional relationship between the cuboid magnet 31 and the Hall sensors 32a and 32b is optimized, the range in which the magnetic flux density changes linearly with the movement of the cuboid magnet 31 generally moves. It is about 70 to 80% of the length of the long side of the rectangular parallelepiped magnet 31.

本発明は、移動磁石と2個のホールセンサの位置関係により、2個のホールセンサの出力電圧の差を用いて位置検出を行う場合と、2個のホールセンサの出力電圧の和を用いて位置検出を行う場合とを、使い分けることが特徴である。   In the present invention, position detection is performed by using the difference between the output voltages of the two hall sensors based on the positional relationship between the moving magnet and the two hall sensors, and the sum of the output voltages of the two hall sensors is used. The feature is that the position detection is properly used.

本発明においては、直方体磁石31の移動範囲を3分割する。この磁石31の移動範囲の3分割は、直方体磁石31の移動範囲を約4等分したうちの中央2ヶ所と、一端の1ヶ所と、別一端の1ヶ所となるように3分割するものである。   In the present invention, the moving range of the rectangular parallelepiped magnet 31 is divided into three. The movement range of the magnet 31 is divided into three so that the movement range of the rectangular parallelepiped magnet 31 is divided into approximately four equal parts, two at the center, one at one end, and one at the other end. is there.

直方体磁石31の移動範囲の中心において、対象に分割することで、移動範囲の端点付近での精度が両端点で同じとなる。言い換えれば、直方体磁石31の移動範囲の中心で対象でないと、両端点付近での精度が変わる。すなわち、どちらかの端点付近の精度が悪化することになる。さらに、直方体磁石31の移動範囲を約4等分して、その中央2ヶ所部分と、その他端点という風に分割することで、両端点付近の精度と、中央部分の精度が、近付くことが多い。   By dividing the object in the center of the moving range of the cuboid magnet 31, the accuracy in the vicinity of the end point of the moving range becomes the same at both end points. In other words, if the object is not at the center of the moving range of the cuboid magnet 31, the accuracy in the vicinity of both end points changes. That is, the accuracy near one of the end points is deteriorated. Furthermore, by dividing the moving range of the rectangular magnet 31 into approximately four parts and dividing it into two central portions and other end points, the accuracy in the vicinity of both end points and the accuracy in the central portion often approach each other. .

本発明における信号処理部20は、この3分割した移動範囲のうち中央部分については、ホールセンサ32a,32bの出力をそれぞれVa及びVbとした場合に、(Va−Vb)の関係式を用いて位置検出を行い、3分割した移動範囲のうち両端部分については、(Va+Vb)の関係式を用いて位置検出を行うものである。   The signal processing unit 20 according to the present invention uses the relational expression (Va−Vb) when the outputs of the hall sensors 32a and 32b are Va and Vb, respectively, in the central portion of the three-divided movement range. Position detection is performed, and position detection is performed using the relational expression (Va + Vb) for both end portions of the movement range divided into three.

また、3分割した移動範囲のうち中央部分については、ホールセンサ32a,32bの出力をそれぞれVa及びVbとした場合に、(Va−Vb)/(Va+Vb)の関係式を用いて位置検出を行い、3分割した移動範囲のうち両端部分については、(Va+Vb)の関係式を用いて位置検出を行うものである。   In addition, for the central part of the movement range divided into three, position detection is performed using the relational expression (Va−Vb) / (Va + Vb) when the outputs of the hall sensors 32a and 32b are Va and Vb, respectively. Position detection is performed using the relational expression (Va + Vb) for both end portions of the movement range divided into three.

また、ホールセンサ32a,32bは、2個を1つのパッケージに一体に封入している。2個のホールセンサの特性(感度やオフセット)が、あまりにかけはなれていると位置検出精度が悪化する。2個のホールセンサの特性を揃えるために、例えば、製造段階でウェハのとなりあった場所にある2個のホールセンサを1つのパッケージに納めることで、上述した問題が解決でき、高精度な位置検出装置を構成することができる。   Further, two Hall sensors 32a and 32b are integrally sealed in one package. If the characteristics (sensitivity and offset) of the two Hall sensors are too far apart, the position detection accuracy will deteriorate. In order to make the characteristics of the two Hall sensors uniform, for example, by placing two Hall sensors in the place where the wafer was located in the manufacturing stage in one package, the above-mentioned problems can be solved, and a high-precision position can be obtained. A detection device can be configured.

また、ホールセンサ32a,32bは、磁気増幅を行うための磁性体チップを有していない。ホールセンサ32a,32bが内部に磁性体チップを有しており、センサ部分の検出磁場を増幅する構成が知られているが、本発明の構成では磁性体チップの磁気飽和が問題になり、広い範囲で正確に位置検出を行うのが困難である。磁気増幅していないホールセンサを用いることで、広い範囲を正確に位置検出できる。   The hall sensors 32a and 32b do not have a magnetic chip for performing magnetic amplification. The Hall sensors 32a and 32b have a magnetic chip inside, and a configuration for amplifying the detection magnetic field of the sensor portion is known. However, in the configuration of the present invention, magnetic saturation of the magnetic chip becomes a problem, and the wide sensor It is difficult to accurately detect the position within a range. By using a Hall sensor that is not magnetically amplified, the position of a wide range can be accurately detected.

このような構成を採ることにより、磁石の移動に伴い直線的に磁束密度が変化する範囲が、移動磁石の長辺の長さを100としたとき、120程度まで広がる。つまり、磁石のサイズを小さくしても、5mmをこえる範囲で高精度に位置検出を行うことができる。   By adopting such a configuration, the range in which the magnetic flux density changes linearly with the movement of the magnet extends to about 120, where the length of the long side of the moving magnet is 100. That is, even if the size of the magnet is reduced, position detection can be performed with high accuracy within a range exceeding 5 mm.

ホールセンサが、増幅器を有したホールICの場合、出力信号線の数をホールセンサに比べて低減できるので、実装基板の省スペース化と、外部ノイズの影響を低減できる。   When the Hall sensor is a Hall IC having an amplifier, the number of output signal lines can be reduced as compared with the Hall sensor, so that the mounting board can be saved in space and the influence of external noise can be reduced.

また、このような位置検出装置を用いた電子機器を提供することができる。本発明の位置検出装置は、デジタルカメラやカムコーダ、カメラ付き携帯電話などに代表される、カメラ部を有した電子機器に好適であり、オートフォーカスや光学ズーム、光学手ブレ補正など、内部で高精度にレンズやCCDなどの位置検出を行う際、好適に使用可能である。   In addition, an electronic device using such a position detection device can be provided. The position detection device of the present invention is suitable for an electronic apparatus having a camera unit, represented by a digital camera, a camcorder, a camera-equipped mobile phone, and the like. It can be suitably used when detecting the position of a lens or CCD with high accuracy.

以下に図2に示した位置検出回路の動作について説明する。   The operation of the position detection circuit shown in FIG. 2 will be described below.

位置検出装置30は、2個のホールセンサ32a、32bの駆動回路19と、このホールセンサ32a、32bからの出力に基づいて位置検出を行う信号処理回路20とを備えている。   The position detection device 30 includes a drive circuit 19 for two hall sensors 32a and 32b, and a signal processing circuit 20 that performs position detection based on outputs from the hall sensors 32a and 32b.

第1のホールセンサ32aの正極入力端子32a(A)と、第2のホールセンサ32bの正極入力端子32b(E)とを接続し、第1のホールセンサ32aの負極入力端子32a(C)と、第2のホールセンサ32bの負極入力端子32b(G)とを接続して駆動回路19の入力端子とする。   The positive input terminal 32a (A) of the first hall sensor 32a and the positive input terminal 32b (E) of the second hall sensor 32b are connected, and the negative input terminal 32a (C) of the first hall sensor 32a is connected. The negative input terminal 32b (G) of the second hall sensor 32b is connected to serve as the input terminal of the drive circuit 19.

第1のホールセンサ32aの正極出力端子32a(B)と負極出力端子32a(D)は、信号処理回路20の第1の差動増幅器21aに接続され、第2のホールセンサ32bの正極出力端子32b(F)と負極出力端子32b(H)は、信号処理回路20の第2の差動増幅器21bに接続される。第1の差動増幅器21aの出力端子と第2の差動増幅器21bの出力端子は、ADコンバータに入力され、適宜出力を計算する計算処理部22に伝達される。   The positive output terminal 32a (B) and the negative output terminal 32a (D) of the first hall sensor 32a are connected to the first differential amplifier 21a of the signal processing circuit 20, and the positive output terminal of the second hall sensor 32b. 32 b (F) and the negative output terminal 32 b (H) are connected to the second differential amplifier 21 b of the signal processing circuit 20. The output terminal of the first differential amplifier 21a and the output terminal of the second differential amplifier 21b are input to the AD converter and transmitted to the calculation processing unit 22 that calculates the output as appropriate.

このような駆動・処理回路によって、第1のホールセンサ32aのホール出力電圧Vaと第2のホールセンサ32bのホール出力電圧Vbを用いた差信号(Va−Vb)、和信号(Va+Vb)、差/和信号(Va−Vb)/(Va+Vb)の値である出力値Voが、直方体磁石31の位置に対応したものになる。   By such a driving / processing circuit, a difference signal (Va−Vb), a sum signal (Va + Vb), a difference using the hall output voltage Va of the first hall sensor 32a and the hall output voltage Vb of the second hall sensor 32b. The output value Vo, which is the value of / sum signal (Va−Vb) / (Va + Vb), corresponds to the position of the rectangular parallelepiped magnet 31.

本発明の構成では、第1のホールセンサ32aと第2のホールセンサ32bの入力端子を並列に接続しているが、これは特に並列接続に限定されるものではない。また、差動増幅器21aと21bについても、より高精度な計装アンプを用いてもよいことは言うまでもない。また、21aと21bの信号をAD変換して、(Va−Vb)、(Va+Vb)、(Va−Vb)/(Va+Vb)の値を計算処理部で計算して求めたが、別途差動増幅器などを設けて、アナログ信号のままで、(Va−Vb)、(Va+Vb)、(Va−Vb)/(Va+Vb)の値を求めることもできる。   In the configuration of the present invention, the input terminals of the first hall sensor 32a and the second hall sensor 32b are connected in parallel, but this is not particularly limited to parallel connection. Needless to say, more accurate instrumentation amplifiers may be used for the differential amplifiers 21a and 21b. Further, the signals 21a and 21b are AD-converted, and the values of (Va−Vb), (Va + Vb), (Va−Vb) / (Va + Vb) are calculated by the calculation processing unit. Etc., and the values of (Va−Vb), (Va + Vb), (Va−Vb) / (Va + Vb) can be obtained with the analog signal as it is.

<本発明の位置検出方法>
次に、位置検出方法について説明する。
<Position detection method of the present invention>
Next, a position detection method will be described.

従来の位置検出方法は、2個のホールセンサ32a、32bの差出力もしくは差/和出力のみを用いて、直方体磁石31の位置を検出していた。   In the conventional position detection method, the position of the rectangular magnet 31 is detected using only the difference output or difference / sum output of the two hall sensors 32a and 32b.

本発明の位置検出方法は、従来の方法とは異なり、直方体磁石31の位置に応じて、第1のホールセンサ32aのホール出力電圧Vaと第2のホールセンサ32bのホール出力電圧Vbより演算した、(Va−Vb)、(Va+Vb)、(Va−Vb)/(Va+Vb)を使いわけて、直方体磁石31の位置を検出する。   Unlike the conventional method, the position detection method of the present invention is calculated from the hall output voltage Va of the first hall sensor 32a and the hall output voltage Vb of the second hall sensor 32b according to the position of the rectangular magnet 31. , (Va−Vb), (Va + Vb), (Va−Vb) / (Va + Vb), and the position of the rectangular parallelepiped magnet 31 is detected.

具体的には、直方体磁石31の移動範囲を約4等分し、真ん中の2ヶ所部分を第1のホールセンサ32aのホール出力電圧Vaと第2のホールセンサ32bのホール出力電圧Vbより演算した(Va−Vb)もしくは(Va−Vb)/(Va+Vb)を用いて位置検出し、約4等分した移動範囲の真ん中の2ヶ所部分以外は、(Va+Vb)を用いて位置検出を行うと、良好な特性が得られることが多い。   Specifically, the moving range of the rectangular magnet 31 is divided into about four equal parts, and the two middle portions are calculated from the hall output voltage Va of the first hall sensor 32a and the hall output voltage Vb of the second hall sensor 32b. When (Va-Vb) or (Va-Vb) / (Va + Vb) is used to detect the position, the position is detected using (Va + Vb) except for the two parts in the middle of the movement range divided into approximately four parts. Good characteristics are often obtained.

<位置検出装置の各実施例>
実施例1
次に、位置検出装置30の具体的な実施例1について説明する。
<Each Example of Position Detection Device>
Example 1
Next, a specific example 1 of the position detection device 30 will be described.

7mm(±3.5mm)の位置検出範囲を、位置検出範囲の0.1%以内の位置検出精度で位置検出する場合について示す。図1における各構成部品のパラメータの最適値の設計例を説明する。   A case where a position detection range of 7 mm (± 3.5 mm) is detected with a position detection accuracy within 0.1% of the position detection range will be described. A design example of optimum values of parameters of each component in FIG. 1 will be described.

後述する図10(a),(b)に示すように、直方体磁石31の長辺方向Xの長さA1=6.3mm、直方体磁石31の短辺方向Yの長さA2=4.7mm、直方体磁石31の厚み方向Zの長さ(磁石の着磁方向の長さ)A3=2.3mmとする。   As shown in FIGS. 10A and 10B to be described later, the length A1 of the cuboid magnet 31 in the long side direction X = 6.3 mm, the length A2 of the cuboid magnet 31 in the short side direction Y = 4.7 mm, The length in the thickness direction Z of the rectangular parallelepiped magnet 31 (the length in the magnetizing direction of the magnet) is set to A3 = 2.3 mm.

また、直方体磁石31のホールセンサ32a、32bに対向する平面100からホールセンサ32a、32bの感磁部の中心までの距離B1=2.2mm、第1のホールセンサ32aの感磁部の中心と第2のホールセンサ32bの感磁部の中心との距離B2=3.1mmとする。   Further, the distance B1 = 2.2 mm from the plane 100 facing the Hall sensors 32a and 32b of the cuboid magnet 31 to the center of the magnetically sensitive portion of the Hall sensors 32a and 32b, and the center of the magnetically sensitive portion of the first Hall sensor 32a The distance B2 = 3.1 mm from the center of the magnetic sensing part of the second hall sensor 32b is set.

上記設計の際、ホールセンサ32a、32bを1つのパッケージ内に搭載する方が、ホールセンサ32a、32bの配置誤差が小さくなり、位置検出装置の高精度化に貢献できる。また、例えばSi基板上にホールセンサ32a、32bを設ける事も可能である。   In the above design, mounting the hall sensors 32a and 32b in one package reduces the arrangement error of the hall sensors 32a and 32b, and can contribute to the higher accuracy of the position detection device. For example, it is also possible to provide Hall sensors 32a and 32b on a Si substrate.

従って、第1のホールセンサ32aと第2のホールセンサ32bとを、1つのパッケージ内に封入することが望ましい。   Therefore, it is desirable to enclose the first hall sensor 32a and the second hall sensor 32b in one package.

図3(a),(b)及び図4(a)乃至(c)は、直方体磁石の移動距離に対するホールセンサの出力電圧もしくは演算後の値を磁気シミュレーションから求めた結果を示す図である。   FIGS. 3A and 3B and FIGS. 4A to 4C are diagrams showing the results of obtaining the output voltage of the Hall sensor with respect to the moving distance of the rectangular parallelepiped magnet or the calculated value from the magnetic simulation.

図3(a)は、磁石の移動距離に対する第1のホールセンサ32aの出力電圧Vaの変化a1、及び磁石の移動距離に対する第2のホールセンサ32bの出力電圧Vbの変化b1を示す図である。図3(b)は、磁石の移動距離に対する第1のホールセンサ32aと第2のホールセンサ32bとの出力電圧の差(Va−Vb)の変化c1及び出力電圧の和(Va+Vb)の変化d1を示す図である。   FIG. 3A is a diagram showing a change a1 of the output voltage Va of the first Hall sensor 32a with respect to the moving distance of the magnet, and a change b1 of the output voltage Vb of the second Hall sensor 32b with respect to the moving distance of the magnet. . FIG. 3B shows a change c1 in the difference (Va−Vb) in output voltage between the first Hall sensor 32a and the second Hall sensor 32b with respect to the moving distance of the magnet and a change d1 in the sum (Va + Vb) in the output voltage. FIG.

図4(a)は、磁石の移動距離を4等分し、真ん中の2ヶ所部分(−1.75mm〜+1.75mm)において第1のホールセンサ32aのホール出力電圧Vaと第2のホールセンサ32bのホール出力電圧Vbの値を用いて演算した値(Va−Vb)の変化e1及び理想直線f1を示す図である。   FIG. 4 (a) divides the moving distance of the magnet into four equal parts, and the hall output voltage Va of the first hall sensor 32a and the second hall sensor in the middle two portions (−1.75 mm to +1.75 mm). It is a figure which shows the change e1 of the value (Va-Vb) computed using the value of the Hall output voltage Vb of 32b, and the ideal straight line f1.

図4(b)は、4等分した移動距離の真ん中の2ヶ所部分以外のうち、第1のホールセンサ32aに近い部分(−3.5mm〜−1.75mm)において第1のホールセンサ32aのホール出力電圧Vaと第2のホールセンサ32bのホール出力電圧Vbの値を用いて演算した値(Va+Vb)の変化g1及び理想直線h1を示す図である。   FIG. 4B shows the first hall sensor 32a in a portion (−3.5 mm to −1.75 mm) close to the first hall sensor 32a among the two portions at the middle of the travel distance divided into four equal parts. It is a figure which shows the change g1 and the ideal straight line h1 of the value (Va + Vb) computed using the value of Hall output voltage Va of this, and the value of Hall output voltage Vb of the 2nd Hall sensor 32b.

図4(c)は、4等分した移動距離の真ん中の2ヶ所部分以外のうち、第2のホールセンサ32bに近い部分(1.75mm〜3.5mm)において第1のホールセンサ32aのホール出力電圧Vaと第2のホールセンサ32bのホール出力電圧Vbの値を用いて演算した値(Va+Vb)の変化i1及び理想直線j1を示す図である。   FIG. 4C shows a hole of the first hall sensor 32a in a portion (1.75 mm to 3.5 mm) close to the second hall sensor 32b, other than the two portions in the middle of the movement distance divided into four. It is a figure which shows the change i1 of the value (Va + Vb) computed using the value of the output voltage Va and the Hall output voltage Vb of the 2nd Hall sensor 32b, and the ideal straight line j1.

磁気シミュレーションの前提として、2個のホールセンサ32a、32bの感度を2.2mV/mT(一般的なホールセンサの感度)、直方体磁石31の残留磁束密度Brを1300mT(一般的なネオジム焼結磁石の値)として行った。   As preconditions for the magnetic simulation, the sensitivity of the two Hall sensors 32a and 32b is 2.2 mV / mT (sensitivity of a general Hall sensor), and the residual magnetic flux density Br of the rectangular parallelepiped magnet 31 is 1300 mT (general neodymium sintered magnet). Value).

図4(a)に示した磁気シミュレーション結果より、直方体磁石31の移動距離を4等分し、真ん中の2ヶ所部分において第1のホールセンサ32aのホール出力電圧Vaと第2のホールセンサ32bのホール出力電圧Vbの値を用いて演算した値(Va−Vb)が、高い線形性を持ち、理想直線とよく一致することが分かる。   From the magnetic simulation result shown in FIG. 4 (a), the moving distance of the rectangular magnet 31 is equally divided into four, and the hall output voltage Va of the first hall sensor 32a and the second hall sensor 32b at the two middle portions. It can be seen that the value (Va−Vb) calculated using the value of the Hall output voltage Vb has high linearity and matches well with the ideal straight line.

図4(b)に示した磁気シミュレーション結果より、直方体磁石31の移動距離を4等分し、真ん中の2ヶ所部分以外のうち、第1のホールセンサ32aに近い部分において第1のホールセンサ32aのホール出力電圧Vaと第2のホールセンサ32bのホール出力電圧Vbの値を用いて演算した値(Va+Vb)が、高い線形性を持ち、理想直線とよく一致することが分かる。   From the magnetic simulation result shown in FIG. 4B, the moving distance of the rectangular parallelepiped magnet 31 is equally divided into four parts, and the first hall sensor 32a is located in a portion close to the first hall sensor 32a other than the middle two portions. It can be seen that a value (Va + Vb) calculated by using the Hall output voltage Va of the second Hall sensor 32b and the Hall output voltage Vb of the second Hall sensor 32b has a high linearity and is in good agreement with the ideal straight line.

図4(c)に示した磁気シミュレーション結果より、直方体磁石31の移動距離を4等分し、真ん中の2ヶ所部分以外のうち、第2のホールセンサ32bに近い部分において第1のホールセンサ32aのホール出力電圧Vaと第2のホールセンサ32bのホール出力電圧Vbの値を用いて演算した値(Va+Vb)が、高い線形性を持ち、理想直線とよく一致することが分かる。   From the magnetic simulation result shown in FIG. 4 (c), the moving distance of the rectangular parallelepiped magnet 31 is equally divided into four, and the first hall sensor 32a is located in a portion close to the second hall sensor 32b other than the two middle portions. It can be seen that a value (Va + Vb) calculated by using the Hall output voltage Va of the second Hall sensor 32b and the Hall output voltage Vb of the second Hall sensor 32b has a high linearity and is in good agreement with the ideal straight line.

ここで、図4(a)に記載した理想直線f1は、直方体磁石31の移動距離が−1.75mmにおける2個のホールセンサ32a,32bの出力電圧Va、Vbの値を用いて演算した値(Va−Vb)と、この直方体磁石31の移動距離が+1.75mmにおける2個のホールセンサ32a,32bの出力電圧Va,Vbの値を用いて演算した値(Va−Vb)とを結んだ直線である。   Here, the ideal straight line f1 shown in FIG. 4A is a value calculated using the values of the output voltages Va and Vb of the two Hall sensors 32a and 32b when the moving distance of the rectangular magnet 31 is −1.75 mm. (Va−Vb) and a value (Va−Vb) calculated using the values of the output voltages Va and Vb of the two hall sensors 32a and 32b when the moving distance of the rectangular magnet 31 is +1.75 mm. It is a straight line.

図4(b)に記載した理想直線h1は、この直方体磁石31の移動距離が、−3.5mmにおける2個のホールセンサ32a,32bの出力電圧Va,Vbの値を用いて演算した値(Va+Vb)と、この直方体磁石31の移動距離が、−1.75mmにおける2個のホールセンサ32a,32bの出力電圧Va,Vbの値を用いて演算した値(Va+Vb)とを結んだ直線である。   The ideal straight line h1 shown in FIG. 4B is a value calculated using the values of the output voltages Va and Vb of the two Hall sensors 32a and 32b when the moving distance of the rectangular magnet 31 is −3.5 mm ( Va + Vb) and the moving distance of the rectangular magnet 31 are a straight line connecting the values (Va + Vb) calculated using the values of the output voltages Va and Vb of the two Hall sensors 32a and 32b at −1.75 mm. .

図4(c)に記載した理想直線j1は、この直方体磁石31の移動距離が、+1.75mmにおける2個のホールセンサ32a,32bの出力電圧Va,Vbの値を用いて演算した値(Va+Vb)と、この直方体磁石31の移動距離が、+3.5mmにおける2個のホールセンサ32a,32bの出力電圧Va,Vbの値を用いて演算した値(Va+Vb)とを結んだ直線である。   The ideal straight line j1 shown in FIG. 4C is a value (Va + Vb) calculated using the values of the output voltages Va and Vb of the two hall sensors 32a and 32b when the moving distance of the rectangular magnet 31 is +1.75 mm. ) And the distance (Va + Vb) calculated by using the values of the output voltages Va and Vb of the two hall sensors 32a and 32b at +3.5 mm.

一般的には、この理想直線上の値を用いて位置検出を行うため、第1のホールセンサ32aの出力電圧Vaと、第2のホールセンサ32bの出力電圧Vbの値を用いて演算した値(Va−Vb)が理想直線f1からのズレが大きい場合もしくは、第1のホールセンサ32aの出力電圧Vaと、第2のホールセンサ32bの出力電圧Vbの値を用いて演算した値(Va+Vb)が理想直線h1からのズレが大きい場合もしくは、第1のホールセンサ32aの出力電圧Vaと、第2のホールセンサ32bの出力電圧Vbの値を用いて演算した値(Va+Vb)が理想直線j1からのズレが大きい場合、位置検出誤差が大きくなる。   In general, in order to detect the position using the value on the ideal straight line, the value calculated using the output voltage Va of the first hall sensor 32a and the output voltage Vb of the second hall sensor 32b. When (Va−Vb) has a large deviation from the ideal straight line f1, or a value (Va + Vb) calculated using the output voltage Va of the first hall sensor 32a and the output voltage Vb of the second hall sensor 32b Is large from the ideal straight line h1, or the value (Va + Vb) calculated using the output voltage Va of the first hall sensor 32a and the output voltage Vb of the second hall sensor 32b from the ideal straight line j1. If the deviation is large, the position detection error becomes large.

図5(a)乃至(c)は、理想直線と図3(a),(b)及び図4(a)乃至(c)に示した磁気シミュレーション結果のズレとから換算した磁石の移動距離に対する位置検出誤差を示す図である。   FIGS. 5A to 5C show the magnet movement distance converted from the ideal straight line and the deviation of the magnetic simulation results shown in FIGS. 3A and 3B and FIGS. 4A to 4C. It is a figure which shows a position detection error.

図5(a)は、図4(a)に示したシミュレーション結果e1と理想直線f1とのズレから換算した位置検出における誤差p1を示した図である。図5(b)は、図4(b)に示したシミュレーション結果g1と理想直線h1とのズレから換算した位置検出における誤差q1を示した図である。図5(c)は、図4(c)に示したシミュレーション結果i1と理想直線j1とのズレから換算した位置検出における誤差r1を示した図である。図5(d)は、図5(a)乃至(c)の全範囲位置誤差を示す図である。   FIG. 5A is a diagram showing an error p1 in position detection converted from a deviation between the simulation result e1 and the ideal straight line f1 shown in FIG. FIG. 5B is a diagram showing an error q1 in position detection converted from the deviation between the simulation result g1 shown in FIG. 4B and the ideal straight line h1. FIG. 5C is a diagram showing an error r1 in position detection converted from a deviation between the simulation result i1 and the ideal straight line j1 shown in FIG. FIG. 5D is a diagram illustrating the full-range position error of FIGS. 5A to 5C.

図5(a)及至(c)に示す結果より、位置検出誤差は最大でも5.0μm程度であり、分解能は全ストローク7mmに対して0.07%と高精度な位置検出を達成していることがわかる。   From the results shown in FIGS. 5A to 5C, the position detection error is about 5.0 μm at the maximum, and the resolution is 0.07% with respect to the total stroke of 7 mm, achieving highly accurate position detection. I understand that.

当然、図4(a)で示したシミュレーション結果から最小2乗法で求めた直線を理想直線f1としてもかまわない。さらに図4(b)で示したシミュレーション結果から最小2乗法で求めた直線を理想直線h1としてもかまわない。さらに図4(c)で示したシミュレーション結果から最小2乗法で求めた直線を理想直線j1としてもかまわない。最小2乗法で求めた直線を理想直線とすると、さらに位置検出誤差は小さくなり、分解能は高くなる。また、上述したように、直方体磁石31の移動距離を4等分し、演算方法を変更させたが、完全に4等分でなくとも良い。   Naturally, the straight line obtained by the least square method from the simulation result shown in FIG. 4A may be the ideal straight line f1. Furthermore, the straight line obtained by the least square method from the simulation result shown in FIG. 4B may be the ideal straight line h1. Furthermore, the straight line obtained by the least square method from the simulation result shown in FIG. 4C may be the ideal straight line j1. If the straight line obtained by the least square method is an ideal straight line, the position detection error is further reduced and the resolution is increased. Further, as described above, the moving distance of the rectangular parallelepiped magnet 31 is divided into four equal parts and the calculation method is changed. However, it may not be completely divided into four equal parts.

実施例2
次に、位置検出装置30の具体的な実施例2について説明する。
Example 2
Next, a specific example 2 of the position detection device 30 will be described.

7mm(±3.5mm)の位置検出範囲を、位置検出範囲の0.1%以内の位置検出精度で位置検出する場合について示す。図1における各構成部品のパラメータの最適値の設計例を説明する。   A case where a position detection range of 7 mm (± 3.5 mm) is detected with a position detection accuracy within 0.1% of the position detection range will be described. A design example of optimum values of parameters of each component in FIG. 1 will be described.

後述する図11(a),(b)に示すように、直方体磁石31の長辺方向Xの長さA1=7.0mm、直方体磁石31の短辺方向Yの長さA2=5.8mm、直方体磁石31の厚み方向Zの長さ(磁石の着磁方向の長さ)A3=1.8mmとする。   As shown in FIGS. 11A and 11B to be described later, the length A1 of the cuboid magnet 31 in the long side direction X = 7.0 mm, the length A2 of the cuboid magnet 31 in the short side direction Y = 5.8 mm, The length in the thickness direction Z of the rectangular parallelepiped magnet 31 (the length in the magnetizing direction of the magnet) A3 = 1.8 mm.

また、直方体磁石31のホールセンサ32a、32bに対向する平面100からホールセンサ32a、32bの感磁部の中心までの距離B1=3.36mm、第1のホールセンサ32aの感磁部の中心と第2のホールセンサ32bの感磁部の中心との距離B2=5.1mmとする。   Further, the distance B1 = 3.36 mm from the plane 100 facing the Hall sensors 32a and 32b of the rectangular parallelepiped magnet 31 to the center of the magnetically sensitive portion of the Hall sensors 32a and 32b, and the center of the magnetically sensitive portion of the first Hall sensor 32a The distance B2 from the center of the magnetic sensing part of the second hall sensor 32b is set to 5.1 mm.

上記設計の際、ホールセンサ32a、32bを1つのパッケージ内に搭載する方が、ホールセンサ32a、32bの配置誤差が小さくなり、位置検出装置の高精度化に貢献できる。また、例えばSi基板上にホールセンサ32a、32bを設ける事も可能である。   In the above design, mounting the hall sensors 32a and 32b in one package reduces the arrangement error of the hall sensors 32a and 32b, and can contribute to the higher accuracy of the position detection device. For example, it is also possible to provide Hall sensors 32a and 32b on a Si substrate.

従って、第1のホールセンサ32aと第2のホールセンサ32bとを、1つのパッケージ内に封入することが望ましい。   Therefore, it is desirable to enclose the first hall sensor 32a and the second hall sensor 32b in one package.

図6(a),(b)及び図7(a)乃至(c)は、直方体磁石の移動距離に対するホールセンサの出力電圧もしくは演算後の値を磁気シミュレーションから求めた結果を示す図である。   FIGS. 6A and 6B and FIGS. 7A to 7C are diagrams showing the results of obtaining the output voltage of the Hall sensor with respect to the moving distance of the rectangular parallelepiped magnet or the calculated value from the magnetic simulation.

図6(a)は、磁石の移動距離に対する第1のホールセンサ32aの出力電圧Vaの変化a2、及び磁石の移動距離に対する第2のホールセンサ32bの出力電圧Vbの変化b2を示す図である。図6(b)は、磁石の移動距離に対する第1のホールセンサ32aと第2のホールセンサ32bとの出力電圧の差(Va−Vb)の変化c2及び出力電圧の和(Va+Vb)の変化d2を示す図である。   FIG. 6A is a diagram showing a change a2 in the output voltage Va of the first Hall sensor 32a with respect to the moving distance of the magnet, and a change b2 in the output voltage Vb of the second Hall sensor 32b with respect to the moving distance of the magnet. . FIG. 6B shows a change c2 in the difference (Va−Vb) in the output voltage between the first Hall sensor 32a and the second Hall sensor 32b with respect to the moving distance of the magnet and a change d2 in the sum (Va + Vb) in the output voltage. FIG.

図7(a)は、磁石の移動距離を4等分し、真ん中の2ヶ所部分(−1.75mm〜+1.75mm)において第1のホールセンサ32aのホール出力電圧Vaと第2のホールセンサ32bのホール出力電圧Vbの値を用いて演算した値(Va−Vb)/(Va+Vb)の変化e2及び理想直線f2を示す図である。   FIG. 7 (a) divides the moving distance of the magnet into four equal parts, and the hall output voltage Va of the first hall sensor 32a and the second hall sensor at the two middle portions (−1.75 mm to +1.75 mm). It is a figure which shows the change e2 of the value (Va-Vb) / (Va + Vb) computed using the value of the Hall output voltage Vb of 32b, and the ideal straight line f2.

図7(b)は、4等分した移動距離の真ん中の2ヶ所部分以外のうち、第1のホールセンサ32aに近い部分(−3.5mm〜−1.75mm)において第1のホールセンサ32aのホール出力電圧Vaと第2のホールセンサ32bのホール出力電圧Vbの値を用いて演算した値(Va+Vb)の変化g2及び理想直線h2を示す図である。   FIG. 7B shows the first hall sensor 32a in a portion (−3.5 mm to −1.75 mm) close to the first hall sensor 32a among the two portions at the center of the movement distance divided into four equal parts. It is a figure which shows the change g2 and the ideal straight line h2 of the value (Va + Vb) computed using the value of Hall output voltage Va of this and the Hall output voltage Vb of the 2nd Hall sensor 32b.

図7(c)は、4等分した移動距離の真ん中の2ヶ所部分以外のうち、第2のホールセンサ32bに近い部分(1.75mm〜3.5mm)において第1のホールセンサ32aのホール出力電圧Vaと第2のホールセンサ32bのホール出力電圧Vbの値を用いて演算した値(Va+Vb)の変化i2及び理想直線j2を示す図である。   FIG. 7C shows a hole of the first hall sensor 32a in a portion (1.75 mm to 3.5 mm) close to the second hall sensor 32b other than the two portions in the middle of the movement distance divided into four equal parts. It is a figure which shows the change i2 and the ideal straight line j2 of the value (Va + Vb) computed using the value of the output voltage Va and the Hall output voltage Vb of the 2nd Hall sensor 32b.

磁気シミュレーションの前提として、2個のホールセンサ32a、32bの感度を2.2mV/mT(一般的なホールセンサの感度)、直方体磁石31の残留磁束密度Brを1300mT(一般的なネオジム焼結磁石の値)として行った。   As preconditions for the magnetic simulation, the sensitivity of the two Hall sensors 32a and 32b is 2.2 mV / mT (sensitivity of a general Hall sensor), and the residual magnetic flux density Br of the rectangular parallelepiped magnet 31 is 1300 mT (general neodymium sintered magnet). Value).

図7(a)に示した磁気シミュレーション結果より、直方体磁石31の移動距離を4等分し、真ん中の2ヶ所部分において第1のホールセンサ32aのホール出力電圧Vaと第2のホールセンサ32bのホール出力電圧Vbの値を用いて演算した値(Va−Vb)/(Va+Vb)が、高い線形性を持ち、理想直線とよく一致することが分かる。   From the magnetic simulation result shown in FIG. 7A, the moving distance of the rectangular parallelepiped magnet 31 is divided into four equal parts, and the hall output voltage Va of the first hall sensor 32a and the second hall sensor 32b It can be seen that the value (Va−Vb) / (Va + Vb) calculated using the value of the Hall output voltage Vb has a high linearity and well matches the ideal straight line.

図7(b)に示した磁気シミュレーション結果より、直方体磁石31の移動距離を4等分し、真ん中の2ヶ所部分以外のうち、第1のホールセンサ32aに近い部分において第1のホールセンサ32aのホール出力電圧Vaと第2のホールセンサ32bのホール出力電圧Vbの値を用いて演算した値(Va+Vb)が、高い線形性を持ち、理想直線とよく一致することが分かる。   From the magnetic simulation result shown in FIG. 7B, the moving distance of the rectangular parallelepiped magnet 31 is divided into four equal parts, and the first hall sensor 32a is located in a portion close to the first hall sensor 32a other than the two middle portions. It can be seen that a value (Va + Vb) calculated by using the Hall output voltage Va of the second Hall sensor 32b and the Hall output voltage Vb of the second Hall sensor 32b has a high linearity and is in good agreement with the ideal straight line.

図7(c)に示した磁気シミュレーション結果より、直方体磁石31の移動距離を4等分し、真ん中の2ヶ所部分以外のうち、第2のホールセンサ32bに近い部分において第1のホールセンサ32aのホール出力電圧Vaと第2のホールセンサ32bのホール出力電圧Vbの値を用いて演算した値(Va+Vb)が、高い線形性を持ち、理想直線とよく一致することが分かる。   From the magnetic simulation result shown in FIG. 7C, the moving distance of the rectangular parallelepiped magnet 31 is equally divided into four parts, and the first hall sensor 32a is located in a portion close to the second hall sensor 32b other than the two middle portions. It can be seen that a value (Va + Vb) calculated by using the Hall output voltage Va of the second Hall sensor 32b and the Hall output voltage Vb of the second Hall sensor 32b has a high linearity and is in good agreement with the ideal straight line.

ここで、図7(a)に記載した理想直線f2は、直方体磁石31の移動距離が−1.75mmにおける2個のホールセンサ32a,32bの出力電圧Va、Vbの値を用いて演算した値(Va−Vb)/(Va+Vb)と、この直方体磁石31の移動距離が+1.75mmにおける2個のホールセンサ32a,32bの出力電圧Va,Vbの値を用いて演算した値(Va−Vb)/(Va+Vb)とを結んだ直線である。   Here, the ideal straight line f2 shown in FIG. 7A is a value calculated using the values of the output voltages Va and Vb of the two hall sensors 32a and 32b when the moving distance of the rectangular magnet 31 is −1.75 mm. (Va−Vb) / (Va + Vb) and a value (Va−Vb) calculated using the values of the output voltages Va and Vb of the two hall sensors 32a and 32b when the moving distance of the rectangular magnet 31 is +1.75 mm. / (Va + Vb).

図7(b)に記載した理想直線h2は、この直方体磁石31の移動距離が、−3.5mmにおける2個のホールセンサ32a,32bの出力電圧Va,Vbの値を用いて演算した値(Va+Vb)と、この直方体磁石31の移動距離が、−1.75mmにおける2個のホールセンサ32a,32bの出力電圧Va,Vbの値を用いて演算した値(Va+Vb)とを結んだ直線である。   The ideal straight line h2 shown in FIG. 7B is a value calculated using the values of the output voltages Va and Vb of the two hall sensors 32a and 32b when the moving distance of the rectangular magnet 31 is −3.5 mm ( Va + Vb) and the moving distance of the rectangular magnet 31 are a straight line connecting the values (Va + Vb) calculated using the values of the output voltages Va and Vb of the two Hall sensors 32a and 32b at −1.75 mm. .

図7(c)に記載した理想直線j2は、この直方体磁石31の移動距離が、+1.75mmにおける2個のホールセンサ32a,32bの出力電圧Va,Vbの値を用いて演算した値(Va+Vb)と、この直方体磁石31の移動距離が、+3.5mmにおける2個のホールセンサ32a,32bの出力電圧Va,Vbの値を用いて演算した値(Va+Vb)とを結んだ直線である。   The ideal straight line j2 shown in FIG. 7C is a value (Va + Vb) calculated using the values of the output voltages Va and Vb of the two hall sensors 32a and 32b when the moving distance of the rectangular magnet 31 is +1.75 mm. ) And the distance (Va + Vb) calculated by using the values of the output voltages Va and Vb of the two hall sensors 32a and 32b at +3.5 mm.

一般的には、この理想直線上の値を用いて位置検出を行うため、第1のホールセンサ32aの出力電圧Vaと、第2のホールセンサ32bの出力電圧Vbの値を用いて演算した値(Va−Vb)/(Va+Vb)が理想直線f2からのズレが大きい場合もしくは、第1のホールセンサ32aの出力電圧Vaと、第2のホールセンサ32bの出力電圧Vbの値を用いて演算した値(Va+Vb)が理想直線h2からのズレが大きい場合もしくは、第1のホールセンサ32aの出力電圧Vaと、第2のホールセンサ32bの出力電圧Vbの値を用いて演算した値(Va+Vb)が理想直線j2からのズレが大きい場合、位置検出誤差が大きくなる。   In general, in order to detect the position using the value on the ideal straight line, the value calculated using the output voltage Va of the first hall sensor 32a and the output voltage Vb of the second hall sensor 32b. When (Va−Vb) / (Va + Vb) is largely deviated from the ideal straight line f2, it is calculated using the output voltage Va of the first hall sensor 32a and the output voltage Vb of the second hall sensor 32b. When the deviation of the value (Va + Vb) from the ideal straight line h2 is large, or the value (Va + Vb) calculated using the output voltage Va of the first hall sensor 32a and the output voltage Vb of the second hall sensor 32b When the deviation from the ideal straight line j2 is large, the position detection error becomes large.

図8(a)乃至(c)は、理想直線と図6(a),(b)及び図7(a)乃至(c)に示した磁気シミュレーション結果のズレとから換算した磁石の移動距離に対する位置検出誤差を示す図である。   8 (a) to 8 (c) show the magnet movement distance converted from the ideal straight line and the deviation of the magnetic simulation results shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b) and FIGS. 7 (a) to 7 (c). It is a figure which shows a position detection error.

図8(a)は、図7(a)に示したシミュレーション結果e2と理想直線f2とのズレから換算した位置検出における誤差p2を示した図である。図8(b)は、図7(b)に示したシミュレーション結果g2と理想直線h2とのズレから換算した位置検出における誤差q2を示した図である。図8(c)は、図7(c)に示したシミュレーション結果i2と理想直線j2とのズレから換算した位置検出における誤差r2を示した図である。図8(d)は、図8(a)乃至(c)の全範囲位置誤差を示す図である。   FIG. 8A is a diagram showing an error p2 in position detection converted from the deviation between the simulation result e2 and the ideal straight line f2 shown in FIG. 7A. FIG. 8B is a diagram showing an error q2 in position detection converted from a deviation between the simulation result g2 shown in FIG. 7B and the ideal straight line h2. FIG. 8C is a diagram showing an error r2 in position detection converted from the deviation between the simulation result i2 and the ideal straight line j2 shown in FIG. FIG. 8D is a diagram illustrating the full-range position error of FIGS. 8A to 8C.

図8(a)及至(c)に示す結果より、位置検出誤差は最大でも2.1μm程度であり、分解能は全ストローク7mmに対して0.03%と高精度な位置検出を達成していることがわかる。   From the results shown in FIGS. 8A to 8C, the position detection error is about 2.1 μm at the maximum, and the resolution is 0.03% with respect to the total stroke of 7 mm, achieving highly accurate position detection. I understand that.

当然、図7(a)で示したシミュレーション結果から最小2乗法で求めた直線を理想直線f2としてもかまわない。さらに図7(b)で示したシミュレーション結果から最小2乗法で求めた直線を理想直線h2としてもかまわない。さらに図7(c)で示したシミュレーション結果から最小2乗法で求めた直線を理想直線j2としてもかまわない。最小2乗法で求めた直線を理想直線とすると、さらに位置検出誤差は小さくなり、分解能は高くなる。また、上述したように、直方体磁石31の移動距離を4等分し、演算方法を変更させたが、完全に4等分でなくとも良い。   Naturally, the straight line obtained by the least square method from the simulation result shown in FIG. 7A may be the ideal straight line f2. Further, a straight line obtained by the least square method from the simulation result shown in FIG. 7B may be used as the ideal straight line h2. Furthermore, the straight line obtained by the least square method from the simulation result shown in FIG. 7C may be the ideal straight line j2. If the straight line obtained by the least square method is an ideal straight line, the position detection error is further reduced and the resolution is increased. Further, as described above, the moving distance of the rectangular parallelepiped magnet 31 is divided into four equal parts and the calculation method is changed. However, it may not be completely divided into four equal parts.

<比較例>
比較例として、従来の方法を用いて、上述した実施例と同様に、広い温度範囲において、7mm(±3.5mm)の位置検出範囲を、位置検出する場合について説明する。
<Comparative example>
As a comparative example, a case will be described in which a position detection range of 7 mm (± 3.5 mm) is detected in a wide temperature range using a conventional method, as in the above-described embodiment.

図9(a),(b)は、比較例として従来の磁石とホールセンサを用いた位置検出装置の概略構成図で、図9(a)は断面図、図9(b)は上面図である。図中符号41はホールセンサに対向する平面200に垂直に単極着磁された直方体磁石、42a,42bはホールセンサ、43はホールセンサ42a,42bを実装している基板を示している。   9 (a) and 9 (b) are schematic configuration diagrams of a position detection device using a conventional magnet and a hall sensor as a comparative example, FIG. 9 (a) is a cross-sectional view, and FIG. 9 (b) is a top view. is there. In the figure, reference numeral 41 denotes a rectangular parallelepiped magnet that is unipolarly magnetized perpendicularly to the plane 200 facing the hall sensor, 42a and 42b are hall sensors, and 43 is a substrate on which the hall sensors 42a and 42b are mounted.

また、図中符号C1は直方体磁石41の長辺方向Xの長さ、C2は直方体磁石41の短辺方向Yの長さ、C3は直方体磁石41の厚み方向Zの長さ(磁石の着磁方向の長さ)を示している。また、D1は、直方体磁石41のホールセンサ42a,42bに対向する平面200からホールセンサ42a,42bの感磁部の中心までの距離、D2はホールセンサ42aの感磁部の中心とホールセンサ42bの感磁部の中心との距離を示している。   In the figure, C1 is the length in the long side direction X of the cuboid magnet 41, C2 is the length in the short side direction Y of the cuboid magnet 41, and C3 is the length in the thickness direction Z of the cuboid magnet 41 (magnetization of the magnet). Direction length). D1 is the distance from the plane 200 facing the hall sensors 42a and 42b of the rectangular magnet 41 to the center of the magnetic sensing part of the hall sensors 42a and 42b, and D2 is the center of the magnetic sensing part of the hall sensor 42a and the hall sensor 42b. The distance from the center of the magnetosensitive part is shown.

この比較例では、直方体磁石41は、図中に示すx軸方向にのみ移動する。また、直方体磁石41の移動方向に対して水平な平面状にホールセンサ42a、42bを配置する。   In this comparative example, the rectangular parallelepiped magnet 41 moves only in the x-axis direction shown in the figure. In addition, the hall sensors 42 a and 42 b are arranged in a plane shape that is horizontal with respect to the moving direction of the rectangular parallelepiped magnet 41.

図10(a)乃至(d)及び図11(a)乃至(d)は、図1に示した本発明の位置検出装置の構成と、従来の位置検出装置の構成を比較用の等倍図として示す図で、(a)は本発明による構成の断面図、(b)は本発明による構成の上面図、(c)は従来の構成の断面図、(d)は従来の構成の上面図である(図10は、実施例1の構成を、図11は実施例2の構成を示している)。ここで、図10(a),(b)及び図11(a),(b)におけるホールセンサ32a,32bは1つのパッケージに一体に封入されたセンサを示している。   10 (a) to 10 (d) and FIGS. 11 (a) to 11 (d) are an equivalent view for comparison of the configuration of the position detection device of the present invention shown in FIG. 1 and the configuration of the conventional position detection device. (A) is a cross-sectional view of the configuration according to the present invention, (b) is a top view of the configuration according to the present invention, (c) is a cross-sectional view of the conventional configuration, and (d) is a top view of the conventional configuration. (FIG. 10 shows the configuration of the first embodiment, and FIG. 11 shows the configuration of the second embodiment). Here, the Hall sensors 32a and 32b in FIGS. 10A and 10B and FIGS. 11A and 11B are sensors integrally enclosed in one package.

位置検出範囲の0.1%以内の位置検出精度で位置検出を行うには、図10(c),(d)及び図11(c),(d)に示すように、直方体磁石41の長辺方向Xの長さC1=15.4mm、直方体磁石41の短辺方向Yの長さC2=15.3mm、直方体磁石41の厚み方向Zの長さC3=4.3mm、直方体磁石41のホールセンサに対向する面からホールセンサの感磁部までの距離D1=6.3mm、ホールセンサ42aの感磁部の中心とホールセンサ42bの感磁部の中心との距離D2=11.6mmとなる。   In order to perform position detection with position detection accuracy within 0.1% of the position detection range, as shown in FIGS. 10 (c) and 10 (d) and FIGS. The length C1 in the side direction X = 15.4 mm, the length C2 in the short side direction Y of the cuboid magnet 41 = 15.3 mm, the length C3 in the thickness direction Z of the cuboid magnet 41 = 4.3 mm, and the hole in the cuboid magnet 41 The distance D1 = 6.3 mm from the surface facing the sensor to the magnetic sensing part of the Hall sensor, and the distance D2 = 11.6 mm between the center of the magnetic sensing part of the Hall sensor 42a and the center of the magnetic sensing part of the Hall sensor 42b. .

これにより、本発明に係る図10(a),(b)及び図11(a),(b)に示す位置検出装置30の構成は、比較用の図10(c),(d)及び図11(c),(d)に示す位置検出装置40の従来例の構成に比べて、位置検出装置全体の大きさと厚さを著しく小さくすることができるという効果を得ることがわかる。   Thus, the configuration of the position detection device 30 shown in FIGS. 10A and 10B and FIGS. 11A and 11B according to the present invention is the same as that shown in FIGS. 10C and 10D for comparison. It can be seen that the size and thickness of the entire position detection device can be significantly reduced as compared with the conventional configuration of the position detection device 40 shown in 11 (c) and 11 (d).

本発明に係る位置検出装置の概略構成図で、(a)は断面図、(b)は上面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic block diagram of the position detection apparatus based on this invention, (a) is sectional drawing, (b) is a top view. 図1に示した位置検出装置の位置検出回路例の構成図である。It is a block diagram of the example of a position detection circuit of the position detection apparatus shown in FIG. (a),(b)は、実施例1における直方体磁石の移動距離に対するホールセンサ部の磁束密度もしくは演算後の値を磁気シミュレーションから求めた結果を示す図(その1)である。(A), (b) is the figure (the 1) which shows the result of having calculated | required the magnetic flux density of the Hall sensor part with respect to the moving distance of the rectangular parallelepiped magnet in Example 1, or the value after the calculation from the magnetic simulation. (a)乃至(c)は、実施例1における直方体磁石の移動距離に対するホールセンサ部の磁束密度もしくは演算後の値を磁気シミュレーションから求めた結果を示す図(その2)である。(A) thru | or (c) is a figure (the 2) which shows the result of having calculated | required the magnetic flux density of the Hall sensor part with respect to the moving distance of the rectangular parallelepiped magnet in Example 1, or the value after a calculation from the magnetic simulation. (a)乃至(d)は、実施例1における理想直線と図3(a),(b)及び図4(a)乃至(c)に示した磁気シミュレーション結果のズレとから換算した磁石の移動距離に対する位置検出誤差を示す図である。(A) to (d) are the movements of the magnet converted from the ideal straight line in Example 1 and the deviation of the magnetic simulation results shown in FIGS. 3 (a), 3 (b) and 4 (a) to 4 (c). It is a figure which shows the position detection error with respect to distance. (a),(b)は、実施例2における直方体磁石の移動距離に対するホールセンサ部の磁束密度もしくは演算後の値を磁気シミュレーションから求めた結果を示す図(その1)である。(A), (b) is the figure (the 1) which shows the result of having calculated | required the magnetic flux density of the Hall sensor part with respect to the moving distance of the rectangular parallelepiped magnet in Example 2, or the value after the calculation from the magnetic simulation. (a)乃至(c)は、実施例2における直方体磁石の移動距離に対するホールセンサ部の磁束密度もしくは演算後の値を磁気シミュレーションから求めた結果を示す図(その2)である。(A) thru | or (c) are the figures (the 2) which show the result of having calculated | required the magnetic flux density of the Hall sensor part with respect to the moving distance of the rectangular parallelepiped magnet in Example 2, or the value after the calculation from the magnetic simulation. (a)乃至(d)は、実施例2における理想直線と図6(a),(b)及び図7(a)乃至(c)に示した磁気シミュレーション結果のズレとから換算した磁石の移動距離に対する位置検出誤差を示す図である。(A) to (d) are the movements of the magnet converted from the ideal straight line in Example 2 and the deviation of the magnetic simulation results shown in FIGS. 6 (a), 6 (b) and 7 (a) to 7 (c). It is a figure which shows the position detection error with respect to distance. 比較例として従来の磁石とホールセンサを用いた位置検出装置の概略構成図で、(a)は断面図、(b)は上面図である。As a comparative example, it is a schematic block diagram of the position detection apparatus using the conventional magnet and Hall sensor, (a) is sectional drawing, (b) is a top view. 本発明の位置検出装置の実施例1の構成と、従来の位置検出装置の構成を比較用の等倍図として示す図で、(a)は本発明による構成の断面図、(b)は本発明による構成の上面図、(c)は従来の構成の断面図、(d)は従来の構成の上面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the structure of Example 1 of the position detection apparatus of this invention, and the structure of the conventional position detection apparatus as an equal magnification for a comparison, (a) is sectional drawing of the structure by this invention, (b) is this FIG. 2 is a top view of a configuration according to the invention, FIG. 3C is a cross-sectional view of a conventional configuration, and FIG. 本発明の位置検出装置の実施例2の構成と、従来の位置検出装置の構成を比較用の等倍図として示す図で、(a)は本発明による構成の断面図、(b)は本発明による構成の上面図、(c)は従来の構成の断面図、(d)は従来の構成の上面図である。FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the position detection device according to the second embodiment of the present invention and the configuration of a conventional position detection device as an equal-magnification view for comparison, in which FIG. FIG. 2 is a top view of a configuration according to the invention, FIG. 3C is a cross-sectional view of a conventional configuration, and FIG. 従来のホールセンサを用いた従来の位置検出方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the conventional position detection method using the conventional Hall sensor.

符号の説明Explanation of symbols

11 第1のホールセンサ
12 第2のホールセンサ
19 駆動回路
20 信号処理回路
21a,21b 差動増幅器
22 演算処理計算部
23 永久磁石
30 位置検出装置
31,41 直方体磁石
32a,42a 第1のホールセンサ
32b,42b 第2のホールセンサ
32a(A),32b(E) 正極入力端子
32a(B),32b(F) 正極出力端子
32a(C),32b(G) 負極入力端子
32a(D),32b(H) 負極出力端子
33,43 基板
100 平面
200 平面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 1st Hall sensor 12 2nd Hall sensor 19 Drive circuit 20 Signal processing circuit 21a, 21b Differential amplifier 22 Arithmetic processing calculation part 23 Permanent magnet 30 Position detection apparatus 31, 41 Cuboid magnet 32a, 42a 1st Hall sensor 32b, 42b Second Hall sensors 32a (A), 32b (E) Positive input terminals 32a (B), 32b (F) Positive output terminals 32a (C), 32b (G) Negative input terminals 32a (D), 32b (H) Negative electrode output terminals 33, 43 Substrate 100 Plane 200 Plane

Claims (9)

基板上に配置され、感磁方向が前記基板に対して垂直である2個の磁気センサを1組としてなる磁束検出手段と、
前記磁気センサの感磁部の中心間を結ぶ直線に対して平行方向に、かつ前記基板に平行な平面内を移動可能に支持され、前記基板に対して垂直方向にN極とS極が着磁された磁石からなる磁束発生手段と、
前記磁気センサからの出力に基づいて位置検出を行う信号処理手段とを備え、
該信号処理手段が、
前記磁石の移動範囲を3分割し、該3分割した移動範囲のうち中央部分については、前記磁気センサの出力をそれぞれVa及びVbとした場合に、(Va−Vb)の関係式を用いて位置検出を行い、前記3分割した移動範囲のうち両端部分については、(Va+Vb)の関係式を用いて位置検出を行うことを特徴とする位置検出装置。
Magnetic flux detecting means arranged on a substrate and having two magnetic sensors each having a magnetic sensing direction perpendicular to the substrate as a set;
The magnetic sensor is supported so as to be movable in a plane parallel to a straight line connecting the centers of the magnetic sensing portions of the magnetic sensor and parallel to the substrate, and an N pole and an S pole are attached in a direction perpendicular to the substrate. Magnetic flux generation means comprising magnetized magnets;
Signal processing means for performing position detection based on the output from the magnetic sensor,
The signal processing means
The moving range of the magnet is divided into three parts, and the central part of the three divided moving ranges is positioned using the relational expression (Va−Vb) when the output of the magnetic sensor is Va and Vb, respectively. A position detection apparatus that detects and performs position detection using a relational expression of (Va + Vb) for both end portions of the movement range divided into three.
基板上に配置され、感磁方向が前記基板に対して垂直である2個の磁気センサを1組としてなる磁束検出手段と、
前記磁気センサの感磁部の中心間を結ぶ直線に対して平行方向に、かつ前記基板に平行な平面内を移動可能に支持され、前記基板に対して垂直方向にN極とS極が着磁された磁石からなる磁束発生手段と、
前記磁気センサからの出力に基づいて位置検出を行う信号処理手段とを備え、
該信号処理手段が、
前記磁石の移動範囲を3分割し、該3分割した移動範囲のうち中央部分については、前記磁気センサの出力をそれぞれVa及びVbとした場合に、(Va−Vb)/(Va+Vb)の関係式を用いて位置検出を行い、前記3分割した移動範囲のうち両端部分については、(Va+Vb)の関係式を用いて位置検出を行うことを特徴とする位置検出装置。
Magnetic flux detecting means arranged on a substrate and having two magnetic sensors each having a magnetic sensing direction perpendicular to the substrate as a set;
The magnetic sensor is supported so as to be movable in a plane parallel to a straight line connecting the centers of the magnetic sensing portions of the magnetic sensor and parallel to the substrate, and an N pole and an S pole are attached in a direction perpendicular to the substrate. Magnetic flux generation means comprising magnetized magnets;
Signal processing means for performing position detection based on the output from the magnetic sensor,
The signal processing means
The movement range of the magnet is divided into three, and the relational expression of (Va−Vb) / (Va + Vb) is obtained when the output of the magnetic sensor is set to Va and Vb, respectively, in the central portion of the movement range divided into three. A position detection apparatus, wherein position detection is performed using a relational expression of (Va + Vb) for both end portions of the three-divided movement range.
前記3分割は、前記磁石の移動範囲を約4等分したうちの中央2ヶ所と、一端の1ヶ所と、他の一端の1ヶ所となるように3分割することを特徴とする請求項1又は2に記載の位置検出装置。   2. The three-part division is performed by dividing the magnet into three parts so that there are two central parts, one part at one end, and one part at the other end of the movement range of the magnet. Or the position detection apparatus of 2. 前記磁気センサの感磁部の中心間を結ぶ直線の中点と、前記磁石の移動範囲の中点とが同じであることを特徴とする請求項1,2又は3に記載の位置検出装置。   4. The position detecting device according to claim 1, wherein a midpoint of a straight line connecting the centers of the magnetic sensing parts of the magnetic sensor is the same as a midpoint of the moving range of the magnet. 前記磁気センサを1つのパッケージに一体に封入していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の位置検出装置。   The position detection device according to claim 1, wherein the magnetic sensor is integrally sealed in one package. 前記磁気センサは、磁気増幅を行うための磁性体チップを有していないことを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の位置検出装置。   6. The position detection device according to claim 1, wherein the magnetic sensor does not include a magnetic chip for performing magnetic amplification. 前記磁気センサは、GaAs、InAs、InSbなどのIII−V族化合物半導体を含むホールセンサであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の位置検出装置。   7. The position detection device according to claim 1, wherein the magnetic sensor is a Hall sensor including a III-V group compound semiconductor such as GaAs, InAs, InSb. 前記磁気センサは、Si、GeなどのIV族半導体を含むホールセンサであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の位置検出装置。   The position detection device according to claim 1, wherein the magnetic sensor is a Hall sensor including a group IV semiconductor such as Si or Ge. 請求項1乃至8のいずれかに記載の位置検出装置を用いたことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus using the position detection device according to claim 1.
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