JP4839702B2 - 温度制御方法、調整装置、温度調節器、プログラム、記録媒体および熱処理装置 - Google Patents
温度制御方法、調整装置、温度調節器、プログラム、記録媒体および熱処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4839702B2 JP4839702B2 JP2005195293A JP2005195293A JP4839702B2 JP 4839702 B2 JP4839702 B2 JP 4839702B2 JP 2005195293 A JP2005195293 A JP 2005195293A JP 2005195293 A JP2005195293 A JP 2005195293A JP 4839702 B2 JP4839702 B2 JP 4839702B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- adjustment
- target
- target temperature
- temperatures
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 55
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 37
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 153
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 145
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 48
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 21
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 10
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 13
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000002068 genetic effect Effects 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 5
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000002922 simulated annealing Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000035772 mutation Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/1917—Control of temperature characterised by the use of electric means using digital means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/18, H10D48/04 and H10D48/07, with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
- H01L21/477—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Control Of Temperature (AREA)
- Feedback Control In General (AREA)
- Control Of Heat Treatment Processes (AREA)
Description
なお、第3の工程では、算出された調整値を初期値とし、行列を含むを評価式を用いた遺伝的アルゴリズムによって調整値の最適値を探索するようにしてもよい。
この実施の形態の熱処理システムは、図1に示すように、被処理物としてのガラス基板等のワーク1を、処理手段としての熱板2で熱処理するものである。温度調節器3は、設定された目標温度と、熱板2に配設された複数の温度センサ(図示せず)からの検出温度との偏差に基づいて、PID演算等を行って操作量を図示しないSSR(ソリッドステートリレー)や電磁開閉器等に出力して熱板2に配設された複数のヒータ(図示せず)の通電を制御して熱板2の温度を目標温度になるように制御する。この例では、熱板2には、温度センサおよびヒータが複数配置された複数チャンネルの例を示しており、各チャンネル毎に温度制御される。
Aは上述の干渉行列、cは調整値、bは温度のバラツキを抑制するように算出された上述の温度分布情報のベクトルであり、上述のb1〜bmに対応するものである。
次に、本発明の他の実施の形態について説明する。この実施の形態では、ワーク1を熱板2に搭載して熱処理を開始した当初における温度のバラツキをより効果的に抑制するために、熱板2を予め所定温度Tよりも例えば、1℃高い温度に予備加熱したと想定したのに相当する干渉の行列を、次のようにして求め、求めた行列で、上述の図12に示す干渉行列Aの第1のタイミングに対応する行列A11〜Am1を置き換えるものである。
上述の実施の形態では、パーソナルコンピュータ4は、ワーク1の温度のバラツキを示す計測データに基いて、温度のバラツキを抑制するための温度分布情報b1〜bmを算出したけれども、本発明の他の実施の形態として、例えば、予め計測された計測データからユーザが、バラツキを抑制するための温度分布情報を、設定値として設定するようにしてもよく、この場合には、この設定値と上述の干渉行列Aとによって、調整値を算出することになる。
3 温度調節器 4 パーソナルコンピュータ
5 温度ロガー
Claims (18)
- 被処理物を処理する処理手段の温度を複数の検出点で検出した各検出温度が、複数の各目標温度に一致するように前記処理手段の温度を制御する温度制御方法であって、
前記目標温度と前記被処理物の温度との関係を示す関係情報と、前記目標温度の調整前の前記被処理物の温度分布情報とに基いて調整情報を求め、該調整情報に応じて、前記被処理物の温度が所望の温度状態になるように前記目標温度を調整するものであり、
前記目標温度を変化させたときの前記被処理物の温度変化を複数の計測点で計測した計測温度に基いて、前記目標温度と前記被処理物の前記複数の計測点における温度との関係を示す前記関係情報を求める第1の工程と、
前記目標温度の調整前の前記被処理物の温度を前記複数の計測点で計測した計測温度に基いて、前記温度分布情報を求める第2の工程と、
前記第1の工程および前記第2の工程でそれぞれ求めた前記関係情報および前記温度分布情報に基いて、前記調整情報を求める第3の工程と、
前記第3の工程で求めた前記調整情報に基いて前記目標温度を調整する第4の工程とを含み、
前記関係情報を求める前記第1の工程では、前記各目標温度をステップ状に個別に変化させたときの前記被処理物の前記複数の計測点における計測温度のステップ応答波形を計測し、計測した前記ステップ応答波形を用いて、パルス状の目標温度の変化に対するパルス応答波形および三角波状の目標温度の変化に対する三角波応答波形の少なくともいずれか一方の応答波形を合成することを特徴とする温度制御方法。 - 前記関係情報を求める前記第1の工程では、時間的に異なる複数の前記パルス応答波形および時間的に異なる複数の前記三角波応答波形の少なくともいずれか一方の応答波形を合成し、合成した応答波形に基いて、前記関係情報としての行列を求める請求項1に記載の温度制御方法。
- 前記調整情報が、前記複数の各目標温度についての予め設定された時点における調整値であり、前記第3の工程では、前記調整値を、前記行列の逆行列および前記温度分布情報に基いて算出する請求項2に記載の温度制御方法。
- 前記第3の工程では、少なくとも調整値をランダムに変化させるとともに、前記行列を含む評価式を用いた探索手法によって調整値の最適値を探索する請求項3に記載の温度制御方法。
- 被処理物を処理する処理手段の温度を複数の検出点で検出した各検出温度が、複数の各目標温度に一致するように前記処理手段の温度を制御するとともに、調整情報に応じて、前記各目標温度を調整する温度制御装置の前記調整情報を求める調整装置であって、
前記目標温度と前記被処理物の温度との関係を示す関係情報を用いて、前記被処理物の温度を所望の温度状態に調整するための前記調整情報を演算する演算手段を備え、
前記演算手段は、前記関係情報と前記目標温度の調整前の前記被処理物の温度分布情報とに基いて、前記調整情報を演算するものであり、
前記演算手段は、前記目標温度を変化させたときの前記被処理物の複数の計測点における計測温度に基いて、前記目標温度と前記被処理物の前記複数の計測点における温度との関係を示す前記関係情報を算出する第1の算出部と、前記目標温度の調整前の前記被処理物の温度を前記複数の計測点で計測した計測温度に基いて、前記温度分布情報を算出する第2の算出部とを備え、
前記第1の算出部は、前記各目標温度をステップ状に個別に変化させたときの前記被処理物の前記複数の計測点における計測温度のステップ応答波形を用いて、パルス状の目標温度の変化に対するパルス応答波形および三角波状の目標温度の変化に対する三角波応答波形の少なくともいずれか一方の応答波形を合成することを特徴とする調整装置。 - 前記第1の算出部は、時間的に異なる複数の前記パルス応答波形および時間的に異なる複数の前記三角波応答波形の少なくともいずれか一方の応答波形を合成し、合成した応答波形に基いて、前記関係情報としての行列を算出する請求項5に記載の調整装置。
- 前記調整情報が、前記複数の各目標温度についての予め設定された時点における調整値であり、前記演算手段は、前記調整値を、前記行列の逆行列および前記温度分布情報に基いて算出する請求項6に記載の調整装置。
- 前記演算手段は、少なくとも調整値をランダムに変化させるとともに、前記行列を含む評価式を用いた探索手法によって調整値の最適値を探索する請求項7に記載の調整装置。
- 前記所望の温度状態が、前記被処理物の前記複数の計測点における計測温度のバラツキが抑制された状態であり、前記被処理物は、前記処理手段に搭載されて熱処理されるものである請求項5〜8のいずれか1項に記載の調整装置。
- 前記温度制御装置が、前記各目標温度と前記各検出温度との偏差に基いて温度制御を行なうものであって、前記調整情報に応じて、前記各目標温度および前記各検出温度の少なくともいずれか一方を調整する請求項5〜9のいずれか1項に記載の調整装置。
- 被処理物を処理する処理手段の温度を複数の検出点で検出した各検出温度が、複数の各目標温度に一致するように前記処理手段の温度を制御する温度調節器であって、
前記請求項5〜9のいずれか1項に記載の調整装置によって求められた前記調整情報に応じて、前記各目標温度を調整することを特徴とする温度調節器。 - 被処理物を処理する処理手段の温度を複数の検出点で検出した各検出温度が、複数の各目標温度に一致するように前記処理手段の温度を制御するとともに、調整情報に応じて、前記各目標温度を調整する温度制御装置の前記調整情報を求めるプログラムであって、
前記目標温度と前記被処理物の温度との関係を示す関係情報を演算する第1の手順と、
前記関係情報と前記目標温度の調整前の前記被処理物の温度分布情報とに基いて、前記被処理物の温度を所望の温度状態に調整するための前記調整情報を演算する第2の手順とを、
コンピュータに実行させるものであり、
前記第1の手順は、前記目標温度を変化させたときの前記被処理物の複数の計測点における計測温度に基いて、前記目標温度と前記被処理物の前記複数の計測点における温度との関係を示す前記関係情報を演算するものであり、
前記第2の手順は、前記目標温度の調整前の前記被処理物の温度を複数の計測点で計測した計測温度に基いて、前記温度分布情報を演算するものであり、
前記第1の手順では、前記各目標温度をステップ状に個別に変化させたときの前記被処理物の前記複数の計測点における計測温度のステップ応答波形を用いて、パルス状の目標温度の変化に対するパルス応答波形および三角波状の目標温度の変化に対する三角波応答波形の少なくともいずれか一方の応答波形を合成することを特徴とするプログラム。 - 前記第1の手順では、時間的に異なる複数の前記パルス応答波形および時間的に異なる複数の前記三角波応答波形の少なくともいずれか一方の応答波形を合成し、合成した応答波形から前記関係情報としての行列を算出する請求項12に記載のプログラム。
- 前記調整情報が、前記複数の各目標温度についての予め設定された時点における調整値であって、前記第2の手順では、前記調整値を、前記行列の逆行列および前記温度分布情報に基いて算出する請求項13に記載のプログラム。
- 前記第2の手順では、少なくとも調整値をランダムに変化させるとともに、前記行列を含む評価式を用いた探索手法によって調整値の最適値を探索する請求項14に記載のプログラム。
- 前記所望の温度状態が、前記被処理物の複数の計測点における計測温度のバラツキが抑制された状態であり、前記被処理物は、前記処理手段に搭載されて熱処理されるものである請求項12〜15のいずれか1項に記載のプログラム。
- 前記請求項12〜16のいずれか1項に記載のプログラムをコンピュータに読み取り可能に記録したことを特徴とする記録媒体。
- 前記請求項11に記載の温度調節器と、前記処理手段と、前記温度調節器の出力によって、前記処理手段を加熱および/または冷却する操作手段と、前記処理手段の温度を複数の検出点で検出する温度検出手段とを備える熱処理装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005195293A JP4839702B2 (ja) | 2005-07-04 | 2005-07-04 | 温度制御方法、調整装置、温度調節器、プログラム、記録媒体および熱処理装置 |
KR1020060054802A KR100777558B1 (ko) | 2005-07-04 | 2006-06-19 | 온도 제어 방법, 조정 장치, 온도 조절기, 기록 매체 및 열처리 장치 |
EP06013389.9A EP1742133A3 (en) | 2005-07-04 | 2006-06-28 | Control method, temperature control method, adjustment method, temperature controller, program, recording medium and heat treatment device |
US11/476,198 US7536230B2 (en) | 2005-07-04 | 2006-06-28 | Control method, temperature control method, adjustment method, temperature controller, program, recording medium and heat treatment device |
TW095124090A TWI323835B (en) | 2005-07-04 | 2006-07-03 | Control method, temperature control method, adjusting device, temperature controller, computer program product, storage media and heat treatment equipment |
CN2006101011244A CN1892524B (zh) | 2005-07-04 | 2006-07-04 | 控制方法、温度控制方法、调整装置、温度调节器和热处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005195293A JP4839702B2 (ja) | 2005-07-04 | 2005-07-04 | 温度制御方法、調整装置、温度調節器、プログラム、記録媒体および熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007011982A JP2007011982A (ja) | 2007-01-18 |
JP4839702B2 true JP4839702B2 (ja) | 2011-12-21 |
Family
ID=37207467
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005195293A Active JP4839702B2 (ja) | 2005-07-04 | 2005-07-04 | 温度制御方法、調整装置、温度調節器、プログラム、記録媒体および熱処理装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7536230B2 (ja) |
EP (1) | EP1742133A3 (ja) |
JP (1) | JP4839702B2 (ja) |
KR (1) | KR100777558B1 (ja) |
CN (1) | CN1892524B (ja) |
TW (1) | TWI323835B (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5395329B2 (ja) | 2006-06-12 | 2014-01-22 | 株式会社 資生堂 | ゲル状組成物 |
JP4391518B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2009-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御方法、調整装置、温度調節器、プログラム、記録媒体および加熱処理装置 |
JP4531778B2 (ja) | 2007-02-09 | 2010-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御方法、温度調節器および加熱処理装置 |
US10526232B2 (en) * | 2013-05-30 | 2020-01-07 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Microwave heating glass bending process |
CN104571221B (zh) * | 2015-01-12 | 2017-08-22 | 小米科技有限责任公司 | 温度控制方法及装置 |
JP6368686B2 (ja) * | 2015-06-10 | 2018-08-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、熱処理装置の調整方法、及び、プログラム |
EP3331831A1 (en) * | 2015-08-06 | 2018-06-13 | PPG Industries Ohio, Inc. | Microwave heating glass bending process and apparatus |
CN110622095B (zh) * | 2017-02-28 | 2022-04-01 | 日本先锋公司 | 温度控制设备、温度控制方法、计算机程序和记录介质 |
JP6985623B2 (ja) | 2017-05-29 | 2021-12-22 | 理化工業株式会社 | 制御系設計装置及び制御システム |
CN108427453A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-08-21 | 南京大学 | 一种超高真空下样品热处理工艺的自动化温度控制系统及方法 |
KR102225682B1 (ko) * | 2018-09-28 | 2021-03-12 | 세메스 주식회사 | 기판의 열처리 방법 |
CN114200976A (zh) * | 2020-09-17 | 2022-03-18 | 欧姆龙株式会社 | 控制方法、控制装置以及记录介质 |
JP6933286B1 (ja) * | 2020-09-17 | 2021-09-08 | オムロン株式会社 | 温度制御方法、温度制御装置およびプログラム |
TWI769702B (zh) * | 2021-02-09 | 2022-07-01 | 柳振堯 | 雙極性高精度電流感測溫控裝置 |
TWI807507B (zh) * | 2021-12-02 | 2023-07-01 | 財團法人金屬工業研究發展中心 | 加熱爐之溫度控制方法 |
CN114466136B (zh) * | 2022-01-10 | 2023-08-08 | 浙江大华技术股份有限公司 | 聚焦方法、装置、摄像机和存储介质 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3820442A1 (de) * | 1988-06-15 | 1989-12-21 | Eberspaecher J | In mehreren leistungsstufen betreibbares heizgeraet fuer kraftfahrzeuge |
US6207936B1 (en) * | 1996-01-31 | 2001-03-27 | Asm America, Inc. | Model-based predictive control of thermal processing |
JP3274095B2 (ja) | 1997-07-18 | 2002-04-15 | 富士通株式会社 | 加熱炉内の被加熱物の熱解析装置及びそれを用いたリフロー炉の制御装置並びにそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP4551515B2 (ja) * | 1998-10-07 | 2010-09-29 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置およびその温度制御方法 |
KR200240059Y1 (ko) * | 1998-12-31 | 2001-12-01 | 김영환 | 반도체장치의열처리장치에서의온도조절장치 |
JP4536214B2 (ja) * | 2000-06-01 | 2010-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置,および熱処理装置の制御方法 |
JP4493192B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2010-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | バッチ式熱処理装置及びその制御方法 |
JP3834216B2 (ja) | 2000-09-29 | 2006-10-18 | 株式会社日立国際電気 | 温度制御方法 |
JP4506030B2 (ja) * | 2001-05-18 | 2010-07-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び成膜方法 |
JP2003115440A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-04-18 | Canon Inc | 温度調節装置および非干渉化温調制御装置並びにこれらの装置を備えた露光装置 |
JP3824959B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2006-09-20 | 本田技研工業株式会社 | 排ガスセンサの温度制御装置 |
JP3451554B1 (ja) * | 2002-06-12 | 2003-09-29 | オムロン株式会社 | 異常検出方法、異常検出装置および温度調節器 |
CN2674499Y (zh) * | 2002-12-19 | 2005-01-26 | 北京中科创新园高新技术有限公司 | 一种水冷却壁在线监测控制装置 |
JP3802889B2 (ja) | 2003-07-01 | 2006-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及びその校正方法 |
JP4639821B2 (ja) * | 2004-02-24 | 2011-02-23 | オムロン株式会社 | 目標値加工装置、温度調節器および制御プロセス実行システム |
US20050247266A1 (en) * | 2004-05-04 | 2005-11-10 | Patel Nital S | Simultaneous control of deposition time and temperature of multi-zone furnaces |
US7415312B2 (en) * | 2004-05-25 | 2008-08-19 | Barnett Jr James R | Process module tuning |
JP4397836B2 (ja) * | 2005-03-02 | 2010-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | フォトリソグラフィー工程における処理条件の設定方法,フォトリソグラフィー工程における処理条件の設定装置,プログラム及びプログラムを読み取り可能な記録媒体 |
-
2005
- 2005-07-04 JP JP2005195293A patent/JP4839702B2/ja active Active
-
2006
- 2006-06-19 KR KR1020060054802A patent/KR100777558B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-06-28 EP EP06013389.9A patent/EP1742133A3/en not_active Withdrawn
- 2006-06-28 US US11/476,198 patent/US7536230B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-03 TW TW095124090A patent/TWI323835B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-07-04 CN CN2006101011244A patent/CN1892524B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1892524B (zh) | 2010-05-12 |
KR20070004421A (ko) | 2007-01-09 |
EP1742133A3 (en) | 2013-07-03 |
EP1742133A2 (en) | 2007-01-10 |
CN1892524A (zh) | 2007-01-10 |
TW200710622A (en) | 2007-03-16 |
JP2007011982A (ja) | 2007-01-18 |
US7536230B2 (en) | 2009-05-19 |
KR100777558B1 (ko) | 2007-11-16 |
US20070010403A1 (en) | 2007-01-11 |
TWI323835B (en) | 2010-04-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100777558B1 (ko) | 온도 제어 방법, 조정 장치, 온도 조절기, 기록 매체 및 열처리 장치 | |
KR100707097B1 (ko) | 온도 제어 방법 및 온도 조절기 | |
US7006900B2 (en) | Hybrid cascade model-based predictive control system | |
JP3956057B2 (ja) | 熱処理のモデル規範型予測制御 | |
EP1681526A2 (en) | Temperature control method, temperature control apparatus, heat treatment apparatus and program | |
JP2004510338A (ja) | 熱処理システム中の加工物の移動を制御するためのシステムおよび方法 | |
KR20060127860A (ko) | 다이내믹한 예측 열 모델링을 이용한 온도 상승 속도가높은 장치의 웨이퍼 온도 궤적 제어 방법 | |
WO1997028669A9 (en) | Model-based predictive control of thermal processing | |
JP2002318602A (ja) | むだ時間を有するプロセス系に対する離散時間スライディングモード制御装置及び方法 | |
KR20240118658A (ko) | 웨이퍼 온도 제어 장치, 웨이퍼 온도 제어 방법 및 웨이퍼 온도 제어 프로그램 | |
JP6985623B2 (ja) | 制御系設計装置及び制御システム | |
CA2368124C (en) | Method and apparatus for optimizing environmental temperature for a device under test | |
CN100498622C (zh) | 温度控制方法、温度控制装置、热处理装置及热处理方法 | |
JP2004094939A (ja) | モデル構造、制御装置、温度調節器および熱処理装置 | |
JP6405133B2 (ja) | 半導体ウェーハの温度制御装置、半導体ウェーハの温度制御方法 | |
JPH02166235A (ja) | 金属板加熱炉における板温制御方法 | |
JP2010066852A (ja) | 制御パラメータのチューニング方法 | |
JP2008299697A (ja) | 制御方法、温度制御方法、補正装置、温度調節器、およびプログラム | |
JP6087262B2 (ja) | 数値制御装置 | |
JP4737233B2 (ja) | 温度調節器および熱処理装置 | |
TW202503861A (zh) | 晶圓溫度控制裝置、晶圓溫度控制方法及晶圓溫度控制程式 | |
JP2006155169A (ja) | 温度制御方法、温度調節器および熱処理システム | |
JP2001273002A (ja) | 制御システム | |
KR20240033506A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
CN118748956A (zh) | 用于控制铸造方法的方法、用于铸造方法的控制系统、装置以及计算机程序 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101019 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110426 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110906 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110919 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4839702 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141014 Year of fee payment: 3 |