JP4836456B2 - Ｘ線検出器とそれを用いたｘ線検査装置 - Google Patents

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明は、医療診断や各種非破壊検査等に使用されるＸ線検出器とそれを用いたＸ線検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線撮影は医療診断や工業用非破壊検査等に利用されている。Ｘ線撮影には一般的に増感紙／フィルム法が適用されてきた。増感紙／フィルム法は、被検体を透過したＸ線を増感紙で可視光に変換し、この可視光でフィルムを感光させてＸ線像を得る方法である。医療診断や非破壊検査等はフィルム上に形成されたＸ線像に基づいて実施される。
【０００３】
一方、近年のデジタル技術の進歩によって、Ｘ線画像を電気信号に変換し、この電気信号を画像処理して検査を行う方法が普及しつつある。医療診断や非破壊検査等はＣＲＴ等に表示させた可視画像（Ｘ線像）に基づいて実施される。Ｘ線画像をデジタル化して検査を行う方法としては、Ｘ線検出器としてＸ線イメージインテンシファイア（I.I.管）を用いた方法が知られている。
【０００４】
Ｘ線イメージインテンシファイアは、真空外囲器の両端部にＸ線を光電子に変換する入力部と光電子を可視光に変換する出力部とを設けたものである。出力された可視光像はＣＣＤカメラ等でデジタル化される。例えば、肺の診断では400×400mm程度の領域を撮影することから、このような撮影領域の検査画像を最終的に1インチ程度のＣＣＤカメラで検出するためには、I.I.管内で高度に集光する必要がある。このため、I.I管は装置の大型化等が問題になっている。
【０００５】
近年の半導体プロセス技術の進歩に伴って、アレイ状に配列された半導体センサや半導体素子を使用して、Ｘ線撮影を行うシステムが開発されている。この種のＸ線撮影システムは、広範囲な撮影領域に容易に対応できると共に、画像データを直接的にデジタル化することができる。このため、例えば医療分野におけるＸ線撮影データ（画像データ）のデータベース化等に適している。さらに、従来の感光性フィルムを用いたＸ線写真システムと比較してダイナミックレンジが広く、Ｘ線露光量の変動に画像精度が影響されにくいというような利点を有している。
【０００６】
半導体プロセス技術を利用したＸ線撮影システムにおいては、アレイ状のアモルファスシリコン薄膜トランジスタ（ａ−ＳｉＴＦＴ）をスイッチングゲートに適用したＸ線平面検出器が用いられる。Ｘ線平面検出器としては、Ｘ線像を直接電荷情報に変換するＸ線電荷変換膜を用いた直接変換方式と、Ｘ線像を光信号に変換する蛍光体層と光信号を電荷情報に変換する光電変換膜とを用いた間接変換方式とが知られている。
【０００７】
間接変換方式のＸ線平面検出器は、例えば増感紙／フィルム方式やＸ線イメージインテンシファイアを用いた撮影系と同等もしくはそれ以下の感度しか得られていないことから、最近では高感度化が可能な直接変換方式のＸ線平面検出器が注目されている。直接変換方式のＸ線平面検出器においては、Ｘ線電荷変換膜にａ−Ｓｅ、ＰｂＩ₂、ＨｇＩ₂等の材料を使用することが検討されている（特開2001-264443号公報、特開2001-320035号公報等参照）。
【０００８】
上述したＸ線電荷変換膜の構成材料のうち、ＰｂＩ₂やＨｇＩ₂等はＰｂやＨｇが人体や環境に悪影響を及ぼすことが懸念されていることから、各種分野でその使用を削減することが求められている。Ｓｅも多量に含む場合には、人体や環境に悪影響を及ぼすことが懸念される。加えて、Ｘ線平面検出器で精度のよい画像を得るためにはＸ線電荷変換膜を均一に形成する必要がある。しかし、従来のＳｅ、ＰｂＩ₂、ＨｇＩ₂等のＸ線電荷変換膜材料は均一に膜化することが困難な材料である。このため、従来の直接変換方式のＸ線平面検出器は、Ｘ線電荷変換膜の膜精度や膜特性等に起因する画像精度の低下が問題になっている。
【０００９】
上述したように、直接変換方式のＸ線平面検出器は高感度化が可能であることから注目されている。しかしながら、従来のＸ線平面検出器に用いられているＸ線電荷変換膜材料は、人体や環境に及ぼす悪影響に基づいて、その使用を削減することが求められており、さらに均一な膜を形成することが難しいという問題を有している。Ｘ線電荷変換膜の膜精度の低下はＸ線平面検出器の画像精度の劣化要因となることから、人体や環境に悪影響を及ぼさない材料で均一なＸ線電荷変換膜の形成を可能にすることが望まれている。
【００１０】
本発明の目的は、Ｘ線電荷変換膜に人体や環境に悪影響を及ぼすことがないと共に、均一な膜を容易に得ることが可能な材料を適用することによって、環境負荷等を軽減しつつＸ線の検出感度や検出精度等の向上を図ったＸ線検出器とそれを用いたＸ線検査装置を提供することにある。
【００１１】
【発明の開示】
本発明のＸ線検出器は、入射Ｘ線を直接電荷に変換するＸ線電荷変換膜であって、少なくとも１種の希土類元素と酸素、硫黄、セレンおよびテルルから選ばれる少なくとも１種の元素とを含む希土類化合物から実質的になるＸ 線電荷変換膜と、前記Ｘ 線電荷変換膜に接する複数の画素を有し、前記Ｘ線電荷変換膜で生じた電荷を前記複数の画素毎に読み出す電荷情報読み出し部とを具備するＸ線検出器において、前記希土類化合物が不純物として含有するＰ（リン）、Ｆ（フッ素）、Ｃｌ（塩素）、Ｎａ（ナトリウム）およびＫ（カリウム）の含有量が化合物全量に対する質量割合でそれぞれ５０００ｐｐｍ以下であり、かつ前記希土類化合物全量に対する前記不純物元素の合計含有量が２質量％以下であることを特徴としている。
【００１２】
本発明のＸ線検査装置は、被検体にＸ線を照射するＸ線源と、前記被検体を透過したＸ線を画像信号として検出する、上記した本発明のＸ線検出器とを具備することを特徴としている。
【００１３】
本発明においては、Ｘ線電荷変換膜に少なくとも1種の希土類元素Ｒと酸素、硫黄、セレンおよびテルルから選ばれる少なくとも1種の元素Ｚとを含む希土類化合物を適用している。このような希土類化合物はＸ線を直接電荷に変換する機能を有し、かつＸ線吸収係数が大きいＲ元素に基づいてＸ線電荷変換膜を高感度化することができる。さらに、希土類化合物は従来のＸ線電荷変換膜材料に比べて均一に膜化することが容易であるため、画像精度の向上を図ることができる。その上で、従来のＸ線電荷変換膜材料のように人体や環境に悪影響を及ぼすおそれもないため、環境負荷等を軽減しつつ、Ｘ線検出器の検出感度や検出精度等の向上を図ることが可能となる。
【００１４】
【図面の簡単な説明】
図１は本発明のＸ線検出器を適用したＸ線検査装置の一実施形態の構成を模式的に示す図である。
図２は図１に示すＸ線検出器の概略構成を示す回路図である。
図３は図２に示すＸ線検出器の要部構成を示す断面図である。
図４は本発明の実施例２１で適用したＸ線検出器の要部構成を示す断面図である。
図５は本発明の実施例２２で適用したＸ線検出器の要部構成を示す断面図である。
【００１５】
【発明を実施するための形態】
以下、本発明を実施するための形態について説明する。
図１は本発明のＸ線検出器を適用したＸ線検査装置の一実施形態の構成を模式的に示す図である。図１に示すＸ線検査装置１は、人体、動物、各種物品等の被検体２にＸ線３を照射するＸ線管等のＸ線源４を有している。被検体２により吸収もしくは散乱されたＸ線３は、Ｘ線平面検出器５を内蔵するＸ線画像撮影装置６に照射される。Ｘ線平面検出器５において、Ｘ線情報は画像信号として検出される。Ｘ線画像撮影装置６から出力される画像信号は、信号処理部７でデジタル処理された後、ＣＲＴ等のモニタ（表示部）８にＸ線画像（検査画像）として表示される。
【００１６】
Ｘ線平面検出器５は、例えば図２および図３に示すように、所定のピッチでＸ−Ｙマトリックス状に配列された複数の走査（ゲート）線１１および信号線１２を有し、これらの交差する部分の内部に画素として変換セル１３がそれぞれ形成されている。これら変換セル１３は、照射されたＸ線の強さに応じた電荷を生成するＸ線電荷変換部１４と、生成された電荷を電気信号（画像信号）として読み出す電荷情報読み出し部１５とを有しており、電源１６から所定の高電圧が印加されている。
【００１７】
なお、図２は概念図であるため、Ｘ線電荷変換部１４が変換セル１３の一部の領域のみをカバーするように描かれているが、実際にはＸ線照射面のほぼ全面がＸ線電荷変換部１４とされている。
【００１８】
各走査線１１には走査線駆動回路１７から走査信号が順次供給される。そして、走査信号が供給された走査線１１に接続された電荷情報読み出し部１５によって、Ｘ線電荷変換部１４で生成された電荷が読み出される。読み出された電荷は、対応する信号線１２を介して信号線走査回路１８に導かれる。信号線走査回路１８では各信号線１２から導かれた画像信号が変換セル１３毎に順次読み込まれ、後段の信号処理部７でアナログ−デジタル変換され、デジタル信号として表示部８に送られる。
【００１９】
Ｘ線電荷変換部１４は、図３の変換セル１３を中心とする断面図に示すように、Ｘ線電荷変換膜２１を有している。Ｘ線電荷変換膜２１の上下には電子輸送層２２と正孔輸送層２３とが形成されている。電子輸送層２２上には共通電極２４が形成されており、Ｘ線電荷変換膜２１に高電圧のバイアス電圧を印加している。電荷情報読み出し部１５はこのようなＸ線電荷変換膜２１と接するように、各変換セル（画素）１３毎に設けられている。
【００２０】
アレイ状に配列された各変換セル（画素）１３は、それぞれＸ線電荷変換膜２１側に形成された画素電極２５を有している。画素電極２５は補助電極２６と絶縁層２７に設けられたコンタクトホール２７ａを介して電気的に接続されている。補助電極２６と容量電極２８とこれらの間に配置された絶縁膜２９とによって、電荷蓄積容量３０が構成されている。各変換セル１３は電荷蓄積容量３０に対応して設けられた、例えばアモルファスシリコン薄膜トランジスタ（ａ−ＳｉＴＦＴ）からなるスイッチング素子３１を有している。
【００２１】
スイッチング素子（スイッチングＴＦＴ３１）は、駆動信号を送る走査線１１に対して電気的に接続されたゲート電極３２と、ゲート絶縁用の絶縁膜３３と、活性層として用いられるアンドープのａ−Ｓｉ層３４と、コンタクト用のｎ⁺ａ−Ｓｉ層３５と、補助電極２７と電気的に接続されたソース電極３６および信号線１２に接続されたドレイン電極３７とを、例えばガラス基板３８上に順に積層形成することにより構成されている。Ｘ線平面検出器５は、このようなスイッチングＴＦＴ３１をアレイ状に形成したＴＦＴアレイを備えるものである。
【００２２】
このようなＸ線平面検出器５において、被検体２を透過したＸ線はＸ線電荷変換膜２１に照射される。Ｘ線電荷変換膜２１では入射したＸ線のエネルギーの強さに応じて電荷が直接生成される。生成される電荷は電子と正孔のペアであり、電極２４、２５間に印加された高電界により分離され、電子と正孔は電極２４または電極２５に引き寄せられる。画素電極２５に引き寄せられた電荷は、補助電極２７を通して電荷蓄積容量３０に蓄積される。すなわち、電荷蓄積容量３０にはＸ線のエネルギーに対応した電荷が蓄積される。
【００２３】
蓄積された電荷はスイッチングＴＦＴ３１をオンにすることで、信号線１６を通って信号線走査回路１８に導かれる。そして、スイッチングＴＦＴ３１のオン／オフ等を制御し、1画素１３毎に電荷を信号線走査回路１８に送ることによって、Ｘ線画像の画像情報が点順次信号に変換される。このような画像信号は信号処理部７でデジタル処理された後、ＣＲＴ等のモニタ８に送られてＸ線画像（検査画像）として表示される。
【００２４】
上述したＸ線平面検出器５のＸ線電荷変換膜２１は、少なくとも1種の希土類元素Ｒと、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）およびテルル（Ｔｅ）から選ばれる少なくとも1種のＺ元素とを含む希土類化合物により構成されている。なお、Ｘ線電荷変換膜２１の構成材料としての希土類化合物は、希土類元素Ｒと上記した６Ｂ族元素Ｚとを必須元素として含んでいればよく、さらに他の元素Ｍを含む化合物であってもよい。すなわち、希土類化合物はＲＺ_x化合物（ｘは任意の数を示す）に限らず、例えばＲ₂ＳｉＯ₅やＲ₂ＡｌＯ₅等のＲＭ_yＺ_x化合物（ＭはＲ元素およびＺ元素と複合化合物を形成し得る少なくとも1種の元素を、ｘおよびｙは任意の数を示す）であってもよい。
【００２５】
Ｘ線電荷変換膜２１を構成する希土類化合物において、希土類元素ＲはＸ線吸収係数の増大に寄与する元素である。このような希土類元素ＲにはＹを含むランタノイド元素が適用されるが、これらの中でも原子量が大きいＥｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕはＸ線吸収係数が大きいことから、Ｘ線電荷変換膜２１を構成する希土類化合物に好適である。一方、工業的な見地からは、安価なＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ等の希土類元素が好ましい。特に好ましい希土類元素ＲはＧｄ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｌｕであり、これらの内でもＧｄが最適である。
【００２６】
Ｚ元素（Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅから選ばれる少なくとも1種の６Ｂ族元素）は、上記した希土類元素Ｒと化合して絶縁体または半導体を形成する元素である。一般に、バンドギャップを有する絶縁体または半導体では、バンドギャップ以上のエネルギーを持つＸ線等の電磁波を吸収すると電子−正孔対が形成され、それを電気信号として外部に取り出すことができる。すなわち、Ｚ元素を化合物生成元素として含む希土類化合物は、Ｘ線を直接電荷に変換するＸ線電荷変換膜２１としての機能を有するものである。
【００２７】
希土類化合物は少なくとも1種のＺ元素を含む化合物、すなわち酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物、酸硫化物、酸セレン化物、酸テルル化物等であればよい。これらの内でも、取扱い性やＸ線吸収量等の観点から、酸化物、硫化物、酸硫化物を用いることが好ましい。また、Ｚ元素の一部はＳｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｐ、Ｂ、遷移金属元素等の他の元素Ｍで置換してもよい。これらＭ元素を含む化合物の中でも、珪酸化合物、アルミン酸化合物、燐酸化合物、硼酸化合物等は好ましい化合物ということができる。
【００２８】
希土類化合物の具体例としては、Ｒ₂Ｏ₃等で表される希土類酸化物、Ｒ₂Ｓ₃やＲＳ等で表される希土類硫化物、Ｒ₂Ｓｅ₃やＲＳｅ等で表される希土類セレン化物、Ｒ₂Ｔｅ₃やＲＴｅ等で表される希土類テルル化物、Ｒ₂Ｏ₂Ｓ等で表される希土類酸硫化物、Ｒ₂Ｏ₂Ｓｅ等で表される希土類酸セレン化物、Ｒ₂Ｏ₂Ｔｅ等で表される希土類酸テルル化物、Ｒ₂ＳｉＯ₅やＲ₂Ｓｉ₂Ｏ₇等の希土類珪酸化合物、ＲＡｌＯ₃やＲ₂ＡｌＯ₅等の希土類アルミン酸化合物、ＲＰＯ₄等の希土類燐酸化合物、ＲＢＯ₃等の希土類硼酸化合物等が挙げられる。
【００２９】
これらの希土類化合物の中でも、前述した希土類酸化物、希土類硫化物、希土類酸硫化物が好ましく用いられ、さらに好ましくは希土類酸化物や希土類酸硫化物である。なお、希土類化合物は化学量論組成比の化合物に限られるものではなく、化学量論組成比から多少ずれた組成比を有するものであってもよい。例えば、酸素や硫黄等のＺ元素の一部を欠損させることで、電気抵抗率やバンドギャップ等を調整することができることから、Ｘ線電荷変換膜２１に好適な化合物が得られる場合がある。
【００３０】
ところで、Ｘ線平面検出器５においては、電極間に高電圧が印加された状態でＸ線が照射されていないときに流れる電流（暗電流）が少ないほど、検出器５のＳ／Ｎ比を高くすることができる。このような点に対して、Ｘ線電荷変換膜２１の構成材料のバンドギャップが大きいほど、価電子帯から伝導帯に対して熱的に励起される電子数（正孔数）が減少し、その電子（正孔）による暗電流が低下する。ただし、構成材料のバンドギャップが小さいほど、電子−正孔対が形成されやすく、これによってＸ線に対する感度を高めることができる。
【００３１】
これらの点を考慮して、Ｘ線電荷変換膜２１の構成材料には1.7〜6.0eVの範囲のバンドギャップを有する希土類化合物を用いることが好ましい。希土類化合物のバンドギャップは2.0〜5.6eVの範囲であることがより好ましく、さらに好ましくは2.1〜4.0eVの範囲である。バンドギャップの一例を示すと、Ｇｄ₂Ｓ₃は2.6eV、Ｇｄ₂Ｏ₃は5.3eV、Ｔｂ₂Ｏ₃は4.1eV、Ｌａ₂Ｓｅ₃は1.65（約1.7）eVである。なお、従来のＸ線電荷変換膜材料であるＰｂＩ₂のバンドギャップは2.3eV、ａ−Ｓｅのバンドギャップも2.3eVである。
【００３２】
さらに、暗電流の少ないＸ線電荷変換膜２１を実現するためには、Ｘ線電荷変換膜２１を構成する材料の電気抵抗率を適当な範囲内に制御することが好ましい。Ｘ線電荷変換膜２１の電気抵抗率が小さすぎると暗電流が大きくなる。一方、電気抵抗率が大きすぎると、Ｘ線の照射で生成した電子（正孔）を電極まで伝導しにくくなる。このような点から、Ｘ線電荷変換膜２１は10⁸〜10¹⁵Ω・mの範囲の電気抵抗率を有することが好ましい。Ｘ線電荷変換膜２１の電気抵抗率は10⁹〜10¹⁴Ω・mの範囲がより好ましく、さらに好ましくは10⁹〜10¹³Ω・mの範囲である。
【００３３】
上述したような希土類化合物（ＲＺ_x化合物やＲＭ_yＺ_x化合物等）においては、結晶中の不純物や欠陥が原因となって伝導帯（価電子帯）に供給された電子（正孔）により暗電流が流れたり、また不純物準位や欠陥準位をホッピングする電子（正孔）により暗電流が流れたりする場合がある。このような暗電流の原因となる不純物としては、Ｐ、Ｆ、Ｃｌ、Ｎａ、Ｋ等が考えられる。ただし、これらの元素が希土類化合物を構成する成分である場合には不純物と見なさない。また、このような元素の全てが暗電流に影響を及ぼすわけではなく、対象となる母体の化合物によって影響を及ぼす元素が異なる。
【００３４】
このような点から、Ｘ線電荷変換膜２１を構成する希土類化合物は、上記した不純物元素の含有量がそれぞれ5000ppm（質量）以下であることが好ましい。特に、Ｐ、Ｆ、Ｃｌの影響が大きいことから、これらの元素の含有量をそれぞれ3000ppm（質量）以下とすることがより好ましく、さらに好ましくは1000ppm（質量）以下である。なお、不純物元素の合計含有量は2質量％以下とすることが好ましい。また、欠陥は熱処理により低減することが可能である。熱処理条件は希土類化合物の組成や製法によって適宜設定することが好ましい。
【００３５】
希土類化合物からなるＸ線電荷変換膜２１は0.05〜4mmの範囲の厚さを有することが好ましい。Ｘ線電荷変換膜２１の膜厚が0.05mm未満になるとＸ線の吸収が不十分となり、Ｘ線平面検出器５の感度が低下する。一方、Ｘ線電荷変換膜２１の膜厚が4mmを超えると、膜に必要な電界を印加するための電圧が高くなりすぎて工業的に好ましくない。さらに、膜厚が4mmを超える場合には、Ｘ線を吸収して膜中に発生した電荷が外部から印加された電界に沿って電極まで移動する距離が長くなる。このため、電子と正孔の再結合や欠陥に捕らえられることで、電荷が消滅する確率が高くなる。すなわち、Ｘ線電荷変換膜２１の感度が低下する。Ｘ線電荷変換膜２１の膜厚は0.1〜2mmの範囲であることがより好ましく、さらに好ましくは0.2〜1.5mmの範囲である。
【００３６】
Ｒ元素とＺ元素を少なくとも含む希土類化合物（ＲＺ_x化合物やＲＭ_yＺ_x化合物等）は、Ｘ線を直接電荷に変換するＸ線電荷変換膜２１としての機能を有し、かつＸ線吸収係数が大きいＲ元素に基づいてＸ線電荷変換膜２１の高感度化を可能にするものである。さらに、希土類化合物は従来のＸ線電荷変換膜材料である、Ｓｅ、ＰｂＩ₂、ＨｇＩ₂等に比べて均一に膜化することが容易であるため、画像精度の向上を図ることができる。その上で、従来のＸ線電荷変換膜材料のように人体や環境に悪影響を及ぼすおそれもないため、環境負荷等を軽減しつつ、検出感度や検出精度等に優れたＸ線電荷変換膜２１を得ることが可能となる。
【００３７】
希土類化合物からなるＸ線電荷変換膜２１の形成方法は、特に限定されるものではなく、各種の膜化方法を適用して作製することができる。例えば、セラミックスとして焼結した後にスライスする方法（焼結法）、希土類化合物粉末をバインダ成分と混合してシートや膜を成形する方法（成形法）、スパッタ法や蒸着法のような各種成膜法等を適用して、希土類化合物からなるＸ線電荷変換膜２１を形成することができる。
【００３８】
なお、蒸着法としては電子線蒸着法や多元蒸着法等が好適である。焼結法や成形法は、大きな焼結体やシート等を作製した後に必要なサイズに切断し、多数個を同時に形成して量産性を高めたり、また大型（縦横サイズ）のＸ線電荷変換膜を形成することができるというような利点を有している。例えば、スパッタ法ではＸ線電荷変換膜の大きさ以上のターゲットを用いてスパッタしないと一度に成膜できないため、Ｘ線電荷変換膜の均質性等が低下するおそれがある。
【００３９】
焼結法を適用してＸ線電荷変換膜２１を形成する場合には、まず共沈法、固相反応法、各種ガスと固体との気相反応法等により原料粉末を作製する。このような原料粉末を、その材料に応じた温度で焼成して焼結体を作製する。焼成時の条件制御等によって、希土類化合物の粒径、組成、均一性、内部欠陥等を調整することができる。希土類酸硫化物の場合を例として、焼結法を適用したＸ線電荷変換膜２１の形成方法を具体的に説明する。
【００４０】
まず、出発原料には共沈法等により作製した希土類酸化物を用いる。このような希土類酸化物粉末に、硫黄（Ｓ）粉末等の硫化剤と、Ａ₃ＰＯ₄やＡ₂ＣＯ₃（ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓから選ばれる少なくとも1種の元素）等のフラックスとを配合して十分に混合する。このような混合粉末を1100〜1300℃の温度で5〜10時間焼成した後、酸および水で洗浄することによって、希土類酸硫化物粉末を得る。
【００４１】
このようにして得た粉末をセラミックス（焼結体）の原料粉末として用いる。原料粉末は1〜20μmの範囲の平均粒子径を有することが好ましい。原料粉末の平均粒子径が1μm未満であると、例えばラバープレス成形の段階で充填率が低下する。このため、高温圧縮を行うＨＩＰ処理で収縮が大きくなり、金属カプセルの収縮量の増大に基づいて破損が生じる可能性が高くなる。一方、原料粉末の平均粒子径が20μmを超えると、ＨＩＰ処理でより高温にする必要が生じるため、強度、感度、感度分布等が低下する傾向がある。原料粉末の平均粒子径は3〜10μmの範囲であることがさらに好ましい。
【００４２】
上述したような原料粉末をラバープレスで適当な形に成形した後、金属容器等に充填封入してＨＩＰ処理を施す。ＨＩＰ温度は対象材料により異なるが、適当な温度範囲が存在する。一般に、その温度範囲より低すぎると結晶粒の成長が不十分となり、Ｘ線により発生した電荷の伝導性が損なわれる。一方、ＨＩＰ温度が高すぎると、結晶粒の成長が急激に起こるため、電荷のトラップの原因となるような結晶欠陥が多くなる。
【００４３】
希土類酸硫化物の場合には、ＨＩＰ温度は1400〜1600℃の範囲とすることが好ましい。より好ましいＨＩＰ温度は1450〜1550℃の範囲である。また、ＨＩＰ圧力は98MPa以上とすることが好ましい。ＨＩＰ圧力が98MPa未満であると、ＨＩＰ効果を十分に得ることができない。ＨＩＰ時間はＨＩＰ温度およびＨＩＰ圧力にもよるが、ＨＩＰ温度1400〜1600℃、ＨＩＰ圧力98MPa以上とした場合には5〜7時間の範囲とすることが好ましい。このような条件下で希土類酸硫化物粉末にＨＩＰ処理を施すことによって、良質なセラミックス（焼結体）を再現性よく得ることができる。
【００４４】
ＨＩＰ処理を適用したセラミックス（焼結体）の製造工程によれば、希土類酸硫化物の高密度焼結体が得られる。このような焼結体を、例えばダイシング加工を適用して所定の形状に機械加工し、さらに不活性ガス雰囲気中で熱処理を行うことによって、セラミックス製のＸ線電荷変換膜を得ることができる。なお、希土類酸硫化物以外の希土類化合物についてもＨＩＰ処理を適用することによって、高密度のセラミックス（焼結体）を得ることができる。ただし、希土類化合物の種類によってはホットプレス法や雰囲気加圧焼結法等で高密度の焼結体を得ることができるため、そのような焼結体を使用してもよい。
【００４５】
希土類化合物粉末をバインダ成分と混合してシートや膜を成形する場合には、例えば以下に示すような製造方法が適用される。希土類化合物の成形体は、例えば支持体上に塗布膜として形成したり、あるいは単独でシートとして形成される。また、支持体上に塗布した膜を剥離することによって、シート状成形体とすることもできる。
【００４６】
シート状もしくは膜状成形体を形成する際に用いる支持体としては、例えば酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、酢酸酪酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリメタクリレート、ポリアミド、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、ポリカーボネート等の樹脂をフィルム状に成形したもの、あるいは紙やアルミニウム板等が用いられる。
【００４７】
希土類化合物粉末は、バインダ（結合剤）および溶剤と必要に応じて分散剤や可塑剤等と混合され、希土類化合物を含むコンパウンドもしくはスラリー（塗布液）を調整する。希土類化合物を含むコンパウンドは、例えばプレス法を適用してシート状に成形される。希土類化合物スラリーを用いる場合には、ドクターブレード法、スキージ法、スピンコート法、ナイフコータ法等を適用して、膜状もしくはシート状の成形体を作製する。シート状もしくは膜状成形体は必要に応じて加熱し、バインダや溶剤等を揮散・乾燥させる。また、スラリーを直接乾燥させた後に、プレス成形してシートまたはプレートを作製してもよい。
【００４８】
希土類化合物粉末の平均粒子径は1〜20μmの範囲であることが好ましい。粉末の平均粒子径が1μm未満であると、シート状もしくは膜状成形体での充填率が低下する。一方、粉末の平均粒子径が20μmを超えると、シート状や膜状に成形した後の表面平坦度が低下し、Ｘ線電荷変換膜２１の空間分解能が低下する。希土類化合物粉末の平均粒子径は2〜10μmの範囲であることがさらに好ましい。
【００４９】
シート状や膜状の成形体を作製する際に使用するバインダは、特に限定されるものではないが、例えばエポキシ、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、セルローズアセテート、酢酸セルロース、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、メチルセルロース、ポリエチレングリコール、カルボキシメチルセルロース、ポリウレタン、セルロースアセテートブチレート等が用いられる。溶剤にはアセトン、トルエン、トリクレン、エチルアルコール、メチルエチルエーテル、メチルエチルケトン、酢酸ブチル、酢酸エチル、キシレン、水等が用いられる。
【００５０】
さらに、分散剤としてはグリセリントリオレート、アリルスルホン酸、フタル酸、ステアリン酸、リン酸塩類、各種界面活性剤等が使用される。可塑剤としては、オクチルフタレート、ブチルベンジルフタレート、グリセリン、ポリエチレングリコール、サクローズアセテートイソブチレート、ジブチルフタレート、ジイソデシルフタレート、燐酸トリフェニル、フタル酸ジエチル等が使用される。
【００５１】
上述したような成形法を適用して作製したＸ線電荷変換膜には、必要に応じて例えば厚さ数μm程度の保護膜を付設してもよい。保護膜には各種の樹脂を用いることができる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリアミド等からなる樹脂フィルムを、Ｘ線電荷変換膜上にラミネートして保護膜を形成する。
【００５２】
また、酢酸セルロース、アセチルセルロース、セルロースアセテートブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルホルマール、ポリウレタン等の樹脂を溶剤に溶解させて保護膜塗布液を調製し、これをＸ線電荷変換膜上に塗布、乾燥させることによって、保護膜を形成してもよい。なお、支持体の代わりに保護膜上にＸ線電荷変換膜を形成してもよい。その場合は、接着剤等が塗布された支持体と保護膜付きＸ線電荷変換膜とを貼り合せて、目的のＸ線電荷変換膜を形成する。
【００５３】
上述した実施形態のＸ線検査装置１は、無害でかつＸ線に対する感度が高いと共に、膜精度等に基づいて画像精度や解像度の向上を図ることが可能なＸ線電荷変換膜２１を有するＸ線平面検出器５を具備する。従って、環境負荷等を軽減しつつ、医療診断や工業用途の非破壊検査等におけるＸ線撮影の画像精度や解像度等を向上させることができる。
【００５４】
特に、ＴＦＴアレイを備えるＸ線平面検出器５は、例えば医療診断における高面積のＸ線撮影領域に容易に対応することができ、医療診断におけるＸ線画像のデジタル化に効果を発揮する。また、デジタル信号に変換されたＸ線画像情報（検査画像情報）は、データベース等として保存することができる。このため、例えば検査データの保存精度の向上や複数の医療機関での検査データの共有化等に対しても有効である。
【００５５】
このようなことから、この実施形態のＸ線検査装置１は医療診断用のＸ線撮像装置に好適である。ただし、この実施形態の平面検出器５はＸ線検査装置に限らず、Ｘ線エリアセンサとして各種の分野で使用し得るものである。上述した実施形態では本発明のＸ線検出器をＸ線平面検出器（スイッチングＴＦＴ３１を有する複数の画素１３をアレイ状に配列したもの）に適用した例について説明したが、本発明のＸ線検出器はこれに限られるものではない。本発明はスイッチングＴＦＴ３１を有する複数の画素１３をライン状に配列したＸ線検出器、いわゆるＸ線ラインセンサ等に適用することもできる。
【実施例】
【００５６】
次に、本発明の具体的な実施例およびその評価結果について述べる。
実施例１
平均粒子径が10μmのＧｄ₂Ｏ₂Ｓ粉末をラバープレスにより成形した。この成形体をＴａ製のカプセル中に密封した後、ＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理はアルゴンガスを加圧媒体として封入し、圧力147MPa、温度1500℃、3時間の条件下で実施した。次に、ＨＩＰ処理後の成形体を30×30×0.5mmの薄板状に機械加工した後、微量の酸素とＳＯ₂とを含むＮ₂ガス中にて1100℃の温度下で熱処理を施して、目的とするＸ線電荷変換膜（板）を得た。このＧｄ₂Ｏ₂Ｓ製Ｘ線電荷変換膜の電気抵抗率は10¹²Ω・mである。
【００５７】
上述したＸ線電荷変換膜の両面に、スパッタリング法で厚さ1μmのＣｒ電極を形成し、これら電極間に1kVのバイアス電圧を印加した状態で、感度および暗電流を測定した。感度は管電圧70kV−管電流2mAのＸ線を照射した際に流れる電流から求めた。暗電流はＸ線を照射しない状態での電流を測定して求めた。これらの評価結果を表１に示す。
【００５８】
次に、上記したＸ線電荷変換膜（板）にＴＦＴアレイ基板を貼り合わせ、共通電極として厚さ0.2μmのＡｌ膜を形成した。さらに、走査線駆動回路および信号線走査回路を接続することによって、図２および図３に示したＸ線平面検出器５を作製した。このＸ線平面検出器５を用いて、図１に示したＸ線撮影システムを構成し、Ｘ線照射時の感度および鮮鋭度を測定した。それらの評価結果を表２に示す。なお、表２に示す感度および鮮鋭度は、後述する比較例２によるＸ線撮影システムの感度および鮮鋭度を100とした場合の相対値である。
【００５９】
実施例２〜７
表１に示す希土類酸硫化物粉末（Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂ等）をそれぞれ用いる以外は、実施例１と同一条件でＸ線電荷変換膜（板）を作製した。これらＸ線電荷変換膜の感度および暗電流をそれぞれ実施例１と同様にして測定した。さらに、これらＸ線電荷変換膜を用いて構成したＸ線平面検出器の特性を、それぞれ実施例１と同様にして測定、評価した。これらの評価結果を表１および表２に示す。
【００６０】
実施例８
平均粒子径が8μmのＬｕ₂Ｏ₂Ｓ粉末10重量部に、バインダとしてポリビニルブチラール樹脂1重量部と有機溶剤として適当量のメチルエチルケトンとを配合し、これらを均一に混合してスラリー状塗布液を調製した。この塗布液を厚さ250μmの白色ポリエチレンテレフタレートフィルムからなるシート上に、乾燥後の膜厚が0.7mmとなるようにナイフコータで均一に塗布した。この塗布層を乾燥させて、Ｘ線電荷変換膜を形成した。このＬｕ₂Ｏ₂Ｓ製Ｘ線電荷変換膜の電気抵抗率は10¹²Ω・mである。このようなＸ線電荷変換膜の特性とそれを用いて作製したＸ線平面検出器の特性を、実施例１と同様にして測定、評価した。これらの評価結果を表１および表２に示す。
【００６１】
実施例９〜１３
表１に示す希土類酸硫化物粉末（Ｌｕ₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂ等）をそれぞれ用いる以外は、実施例８と同一条件で塗膜状のＸ線電荷変換膜を作製した。これらＸ線電荷変換膜の感度および暗電流をそれぞれ実施例１と同様にして測定した。さらに、これらＸ線電荷変換膜を用いて構成したＸ線平面検出器の特性を、それぞれ実施例１と同様にして測定、評価した。これらの評価結果を表１および表２に示す。
【００６２】
実施例１４
平均粒子径が9μｍのＴｂ₂Ｏ₂Ｓ粉末に、バインダとしてアクリル樹脂を7質量％、溶剤としてメタルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）を70質量％、および可塑剤としてフタル酸ジブチルを2.8質量％の量比で加え、アルミナボールと共にポットローラにて24時間混合した。得られたスラリーを乾燥させた後、60メッシュの篩を通した。この粉体を金型に充填して約18MPaの圧力でプレスし、直径35mm×厚さ1.2mmのプレート状に成形した。このＴｂ₂Ｏ₂Ｓ製Ｘ線電荷変換膜の電気抵抗率は10¹²Ω・mである。このようなＸ線電荷変換膜の特性とそれを用いて作製したＸ線平面検出器の特性を実施例１と同様にして測定、評価した。これらの評価結果を表１および表２に示す。
【００６３】
実施例１５
平均粒子径が7μmのＧｄ₂Ｓ₃粉末に、チタネート系カップリング剤を0.1質量％添加して混合した後、さらにバインダとしてエポキシ樹脂を3質量％添加して混合した。このコンパウンドを金型に充填して約10MPaの圧力でプレスし、直径35mm×厚さ0.8mmのプレート状に成形した。このようにしてＸ線電荷変換膜を形成した。Ｇｄ₂Ｓ₃製Ｘ線電荷変換膜の電気抵抗率は10¹⁰Ω・mである。このようなＸ線電荷変換膜の特性とそれを用いて作製したＸ線平面検出器の特性を実施例１と同様にして測定、評価した。これらの評価結果を表１および表２に示す。
【００６４】
実施例１６
平均粒子径が6μmのＴｂ₂Ｏ₃粉末に、チタネート系カップリング剤を0.1質量％添加して混合した後、さらにバインダとしてエポキシ樹脂を3質量％添加して混合した。このコンパウンドを金型に充填して約10MPaの圧力でプレスし、直径35mm×厚さ0.7mmのプレート状に成形した。このようにしてＸ線電荷変換膜を形成した。Ｔｂ₂Ｏ₃製Ｘ線電荷変換膜の電気抵抗率は10¹²Ω・mである。このようなＸ線電荷変換膜の特性とそれを用いて作製したＸ線平面検出器の特性を実施例１と同様にして測定、評価した。これらの評価結果を表１および表２に示す。
【００６５】
実施例１７
平均粒子径が9μmのＨｏＡｌＯ₃粉末に、チタネート系カップリング剤を0.1質量％添加して混合した後、さらにバインダとしてエポキシ樹脂を3質量％添加して混合した。このコンパウンドを金型に充填して約10MPaの圧力でプレスし、直径35mm×厚さ0.6mmのプレート状に成形した。このようにしてＸ線電荷変換膜を形成した。ＨｏＡｌＯ₃製Ｘ線電荷変換膜の電気抵抗率は10¹²Ω・mである。このＸ線電荷変換膜の特性とそれを用いて作製したＸ線平面検出器の特性を実施例１と同様にして測定、評価した。これらの評価結果を表１および表２に示す。
【００６６】
実施例１８
平均粒子径が7μmのＬａ₂Ｓｅ₃粉末に、チタネート系カップリング剤を0.1質量％添加して混合した後、さらにバインダとしてエポキシ樹脂を3質量％添加して混合した。このコンパウンドを金型に充填して約10MPaの圧力でプレスし、直径35mm×厚さ0.6mmのプレート状に成形した。このようにしてＸ線電荷変換膜を形成した。Ｌａ₂Ｓｅ₃製Ｘ線電荷変換膜の電気抵抗率は10⁹Ω・mである。このＸ線電荷変換膜の特性とそれを用いて作製したＸ線平面検出器の特性を実施例１と同様にして測定、評価した。これらの評価結果を表１および表２に示す。
【００６７】
実施例１９
平均粒子径が13μmのＥｕＴｅ粉末に、チタネート系カップリング剤を0.1質量％添加して混合した後、さらにバインダとしてエポキシ樹脂を3質量％添加して混合した。このコンパウンドを金型に充填して約10MPaの圧力でプレスし、直径35mm×厚さ0.6mmのプレート状に成形した。このようにしてＸ線電荷変換膜を形成した。ＥｕＴｅ製Ｘ線電荷変換膜の電気抵抗率は10¹¹Ω・mである。このようなＸ線電荷変換膜の特性とそれを用いて作製したＸ線平面検出器の特性を実施例１と同様にして測定、評価した。これらの評価結果を表１および表２に示す。
【００６８】
実施例２０
平均粒子径が10μmのＣｅ₂Ｏ₃粉末をラバープレスにより成形した。この成形体をＴａ製のカプセル中に密封してＨＩＰ処理を施した。ＨＩＰ処理はアルゴンガスを加圧媒体として封入し、圧力147MPa、温度1300℃、処理時間3時間の条件下で実施した。次に、ＨＩＰ処理後のＣｅ₂Ｏ₃焼結体をターゲットとして用いて、スパッタリングにより厚さ200μmのＸ線電荷変換膜を成膜した。Ｃｅ₂Ｏ₃製Ｘ線電荷変換膜の電気抵抗率は10¹²Ω・mである。このようなＸ線電荷変換膜の特性とそれを用いて作製したＸ線平面検出器の特性を実施例１と同様にして測定、評価した。これらの評価結果を表１および表２に示す。
【００６９】
実施例２１
この実施例においては、図４に構成を示すＸ線平面検出器を作製した。まず、ラバープレス法で作製した厚さ100〜1000μm（好ましくは200〜500μm）のＧｄ₂Ｓ₃板２１の上下両面に、厚さ200nmのＣｒ電極２４ａ、２４ｂをスパッタリング法で形成した。これをエポキシ接着剤（接着剤層４１）によりガラス基板４２に接着した。この基板の下部側に厚さ20μmの有機導電膜４３を印刷形成した後、ＴＦＴアレイ基板４４に付着させることによって、有機導電膜４３とＴＦＴアレイ基板４４の画素電極２５とを接触させた。
【００７０】
有機導電膜４３には、例えばＡｌｑ₃、ＴＰＤ、ポリフェニレンビニレン、ポリアルキルチオフェン、ポリビニルカルバゾール、トリフェニレン、液晶分子、金属フタルシアニン等から選ばれる材料を用いることができる。また、有機導電膜４３は隣接画素への信号電荷の走行による解像度の低下を防止するために、1×10⁴Ω・m以上の抵抗率を持つように調整することが好ましい。上述したＸ線電荷変換膜の特性とＸ線平面検出器の特性を実施例１と同様にして測定、評価した。これらの評価結果を表１および表２に示す。
【００７１】
実施例２２
この実施例では図５に構成を示すＸ線平面検出器を作製した。実施例１４と同様にして作製したＴｂ₂Ｏ₂Ｓ板２１の上下両面に、厚さ300nmのＡｌ電極２４ａ、２４ｂをスパッタリング法により形成した。これをエポキシ接着剤層４１を用いてガラス基板４２に接着した。この基板の下部に黒色染料（または顔料）を含有したアクリル系の感光性ポリマーを、丸形状のパターンをマスク転写して現像することによって、ＴＦＴアレイの各画素に対応した場所に円筒形の樹脂柱４５を形成した。
【００７２】
上記した基板をＴＦＴアレイ基板４５の画素電極２５と樹脂柱４５を整合させて張り合わせた。この後、200℃でアニールして樹脂を熱硬化させた。樹脂柱４５は直径50μm、高さ20μmの円柱形状を有している。Ｘ線電荷変換膜の特性とＸ線平面検出器の特性を実施例１と同様にして測定、評価した。これらの評価結果を表１および表２に示す。
【００７３】
比較例１
平均粒子径が10μmのＰｂＩ₂粉末を用いて、実施例８と同様にしてＸ線電荷変換膜とそれを用いたＸ線平面検出器を作製した。Ｘ線電荷変換膜の特性とＸ線平面検出器の特性を実施例１と同様にして測定、評価した。これらの評価結果を表１および表２に示す。
【００７４】
比較例２
厚さ300μmのアモルファスＳｅ膜をスパッタリング法により成膜し、この膜をＸ線電荷変換膜として用いて、実施例１と同様にしてＸ線平面検出器を作製した。これらのＸ線電荷変換膜の特性とＸ線平面検出器の特性を実施例１と同様にして測定、評価した。これらの評価結果を表１および表２に示す。
【００７５】
【表１】

【００７６】
【表２】

【００７７】
表１および表２に示すように、希土類化合物を用いたＸ線電荷変換膜は、Ｘ線に対する感度に優れることに加えて、暗電流が小さいことが分かる。このようなＸ線電荷変換膜を用いたＸ線平面検出器およびＸ線撮影システムは、従来のＸ線電荷変換膜を用いた比較例１および比較例２に比べて、感度および鮮鋭度が共に優れていることが分かる。なお、各実施例および比較例におけるＸ線電荷変換膜には、いずれも不純物量が1質量％以下のものを用いた。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明のＸ線検出器は、人体や環境に悪影響を及ぼすことがなく、かつＸ線に対する感度に優れると共に、均一な膜を容易に得ることが可能なＸ線電荷変換膜を適用している。従って、環境負荷等を軽減しつつ、Ｘ線の検出感度や検出精度等を高めたＸ線検出器を提供することができる。このようなＸ線検出器を用いたＸ線検査装置は、検査情報の増大や検査精度の向上等を図ることができるため、医療診断や各種非破壊検査等に有効に利用されるものである。

Claims (16)

1. 入射Ｘ線を直接電荷に変換するＸ線電荷変換膜であって、少なくとも１種の希土類元素と、酸素、硫黄、セレンおよびテルルから選ばれる少なくとも１種の元素とを含む希土類化合物から実質的になるＸ 線電荷変換膜と、
   前記Ｘ線電荷変換膜に接する複数の画素を有し、前記Ｘ線電荷変換膜で生じた電荷を画像信号として前記複数の画素毎に読み出す電荷情報読み出し部と
   を具備するＸ線検出器において、
   前記希土類化合物が不純物として含有するＰ（リン）、Ｆ（フッ素）、Ｃｌ（塩素）、Ｎａ（ナトリウム）およびＫ（カリウム）の含有量が化合物全量に対する質量割合でそれぞれ５０００ｐｐｍ以下であり、かつ前記希土類化合物全量に対する前記不純物元素の合計含有量が２質量％以下であることを特徴とするＸ線検出器。
2. 請求項１記載のＸ線検出器において、
   前記希土類化合物は、希土類酸化物、希土類硫化物、希土類セレン化物、希土類テルル化物、希土類酸硫化物、希土類酸セレン化物、希土類酸テルル化物、希土類珪酸化合物、希土類アルミン酸化合物、希土類燐酸化合物、および希土類硼酸化合物から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とするＸ線検出器。
3. 請求項１記載のＸ線検出器において、
   前記希土類化合物は、希土類酸化物、希土類硫化物、および希土類酸硫化物から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とするＸ線検出器。
4. 請求項１記載のＸ線検出器において、
   前記希土類元素は、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、およびＬｕから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とするＸ線検出器。
5. 請求項１記載のＸ線検出器において、
   前記希土類元素は、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、およびＬｕから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とするＸ線検出器。
6. 請求項１記載のＸ線検出器において、
   前記希土類化合物は１．７〜６．０ｅＶの範囲のバンドギャップを有することを特徴とするＸ線検出器。
7. 請求項１記載のＸ線検出器において、
   前記Ｘ線電荷変換膜は１０^８〜１０^１５Ω・ｍの範囲の電気抵抗率を有することを特徴とするＸ線検出器。
8. 請求項１記載のＸ線検出器において、
   前記Ｘ線電荷変換膜は前記希土類化合物の焼結体を具備することを特徴とするＸ線検出器。
9. 請求項１記載のＸ線検出器において、
   前記Ｘ線電荷変換膜は前記希土類化合物とバインダ成分とを含むシート状成形体を具備することを特徴とするＸ線検出器。
10. 請求項１記載のＸ線検出器において、
    前記Ｘ線電荷変換膜は支持体上に塗布された前記希土類化合物とバインダ成分とを含む膜体を具備することを特徴とするＸ線検出器。
11. 請求項１記載のＸ線検出器において、
    前記Ｘ線電荷変換膜は前記希土類化合物の薄膜を具備することを特徴とするＸ線検出器。
12. 請求項１記載のＸ線検出器において、
    前記複数の画素は、それぞれ画素電極と、前記画素電極を介して前記Ｘ線電荷変換膜に生じた前記電荷を蓄積する電荷蓄積容量と、前記電荷蓄積容量に対応して設けられ、かつ前記電荷を読み出すスイッチング素子とを有することを特徴とするＸ線検出器。
13. 請求項１記載のＸ線検出器において、
    前記複数の画素がアレイ状に配列されたＸ線平面検出器であることを特徴とするＸ線検出器。
14. 被検体にＸ線を照射するＸ線源と、
    前記被検体を透過したＸ線を画像信号として検出する、請求項１記載のＸ線検出器と
    を具備することを特徴とするＸ線検査装置。
15. 請求項１４記載のＸ線検査装置において、
    さらに、前記Ｘ線検出器で検出した前記画像信号をデジタル処理する信号処理部と、前記デジタル処理された画像信号をＸ線画像として表示する表示部とを具備することを特徴とするＸ線検査装置。
16. 請求項１４記載のＸ線検査装置において、
    前記Ｘ線検出器は前記複数の画素がアレイ状に配列されたＸ線平面検出器であることを特徴とするＸ線検査装置。

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