JP4816202B2 - Conductive paste and method for manufacturing ceramic electronic component - Google Patents
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Description
本発明は導電性ペースト、及びセラミック電子部品の製造方法に関し、より詳しくはセラミック電子部品の外部電極形成に使用される導電性ペースト、及びこの導電性ペーストを使用したセラミック電子部品の製造方法に関する。 The present invention relates to a conductive paste and a method for manufacturing a ceramic electronic component, and more particularly to a conductive paste used for forming an external electrode of a ceramic electronic component and a method for manufacturing a ceramic electronic component using the conductive paste.
積層セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品の外部電極は、一般に、導電性ペーストをセラミック素体の表面に塗布し、焼成処理を行うことによって形成される。 External electrodes of ceramic electronic components such as multilayer ceramic capacitors are generally formed by applying a conductive paste to the surface of a ceramic body and performing a firing process.
この導電性ペーストとしては、従来より、セラミック層と外部電極(積層型セラミック電子部品の場合はセラミック層及び内部電極と外部電極)との接合性を高める観点から、また外部電極の焼結性を促進する観点から、ガラス成分を含有させたものが広く使用されている。 As this conductive paste, from the viewpoint of enhancing the bondability between the ceramic layer and the external electrode (in the case of a multilayer ceramic electronic component, the ceramic layer and the internal electrode and the external electrode), the sinterability of the external electrode is conventionally increased. From the viewpoint of promotion, those containing a glass component are widely used.
例えば、特許文献1には、Cu粉末と、ガラスフリットと、有機バインダ樹脂とを含む導電性ペーストであって、前記ガラスフリットがZn及びCu含有ホウケイ酸ガラスからなり、その溶融状態において窒素雰囲気中におけるCuに対する接触角が90%以下である導電ペーストが提案されている。
For example,
この特許文献1では、導電性ペースト中にガラスフリットが含有されているので、焼成処理によって外部電極表面や内部、或いはセラミック層との界面に形成される空隙がガラスフリットによって埋められ、これによりセラミック層と外部電極、或いはセラミック層及び内部電極と外部電極との接合性を高めることができる。しかもガラスフリットの融点は、比較的低いことから低温での焼結が可能となり焼結性を促進することができる。
In this
ところで、セラミック電子部品では、通常、耐熱性向上やはんだ濡れ性向上を目的として、外部電極に湿式めっき、例えば電解めっきを施し、これにより外部電極の表面にNiやSn等のめっき皮膜を形成している。 By the way, in ceramic electronic parts, for the purpose of improving heat resistance and solder wettability, wet plating, for example, electrolytic plating is usually applied to the external electrode, thereby forming a plating film such as Ni or Sn on the surface of the external electrode. ing.
一方、特許文献1のように、ガラス成分を含有した導電性ペーストを使用してセラミック電子部品の外部電極を形成する場合、焼結後には外部電極の表面にガラス成分が析出する。
On the other hand, when forming the external electrode of a ceramic electronic component using the electrically conductive paste containing a glass component like
しかしながら、上記ガラス成分は、Ag、Cu等の金属成分と比較すると耐めっき性に劣るため、外部電極形成後の後工程である湿式めっき処理時に前記析出したガラス成分が侵食され、その結果、侵食された箇所からめっき液が浸入し、セラミック電子部品としての特性が劣化するおそれがある。 However, since the glass component is inferior in plating resistance as compared with metal components such as Ag and Cu, the deposited glass component is eroded during the wet plating process, which is a subsequent step after the formation of the external electrode. There is a possibility that the plating solution may infiltrate from the formed portion and deteriorate the characteristics as a ceramic electronic component.
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、ガラス成分を含有していても十分な耐めっき性を確保することができる導電性ペースト、及び該導電性ペーストを使用したセラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and a conductive paste capable of ensuring sufficient plating resistance even if it contains a glass component, and a ceramic electronic component using the conductive paste It aims at providing the manufacturing method of.
上記目的を達成するために本発明に係る導電性ペーストは、セラミック電子部品の外部電極形成に使用される導電性ペーストであって、導電性粉末とガラス粉末と有機ビヒクルとを含有し、前記導電性粉末が、核となる金属粉末の表面に該金属粉末よりも融点の低い金属材料で形成された金属膜で被覆され、かつ、前記金属粉末は、Ag、Cu、Ni、及びこれらの金属元素を主成分とする合金の中から選択された少なくとも1種からなり、前記金属膜は、Bi及びSbのうちのいずれか一方の金属元素からなることを特徴としている。 In order to achieve the above object, a conductive paste according to the present invention is a conductive paste used for forming an external electrode of a ceramic electronic component, and includes a conductive powder, a glass powder, and an organic vehicle. Is coated with a metal film formed of a metal material having a melting point lower than that of the metal powder on the surface of the core metal powder, and the metal powder includes Ag, Cu, Ni, and these metal elements And the metal film is made of any one metal element of Bi and Sb .
さらに、本発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、上記導電性ペーストをセラミック素体の表面に塗布した後、前記導電性ペーストが塗布されたセラミック素体に焼成処理を施して前記セラミック素体の表面に外部電極を形成し、その後めっき処理を施して前記外部電極の表面にめっき皮膜を形成することを特徴としている。 Furthermore, in the method for manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention, the conductive paste is applied to the surface of the ceramic body, and then the ceramic body to which the conductive paste is applied is subjected to a firing treatment. And forming a plating film on the surface of the external electrode by performing a plating process thereafter.
本発明の導電性ペーストによれば、導電性粉末とガラス粉末と有機ビヒクルとを含有し、前記導電性粉末が、核となる金属粉末の表面に該金属粉末よりも融点の低い金属材料で形成された金属膜で被覆され、かつ、前記金属粉末は、Ag、Cu、Ni、及びこれらの金属元素を主成分とする合金の中から選択された少なくとも1種からなり、前記金属膜は、Bi及びSbのうちのいずれか一方の金属元素からなるので、導電性ペーストをセラミック素体に塗布した後の焼成時には融点の低い金属膜が金属粉末よりも早く溶融し、該金属膜の表面張力によって外部電極の表面、内部、或いは界面に生じた空隙が埋められる。その結果、ガラス成分の析出が低減されることとなり、外部電極がめっき液に侵食されるのを抑制することができる。したがってガラス粉末を含有した導電性ペーストを使用してセラミック電子部品を形成した場合であっても、焼結性を損なうことなくセラミック電子部品の特性が劣化するのを防止することができる。 According to the conductive paste of the present invention, the conductive powder contains a conductive powder, a glass powder, and an organic vehicle, and the conductive powder is formed of a metal material having a melting point lower than that of the metal powder on the surface of the core metal powder. The metal powder is made of at least one selected from Ag, Cu, Ni, and an alloy containing these metal elements as a main component, and the metal film is made of Bi. And Sb, the metal film having a low melting point melts faster than the metal powder during firing after applying the conductive paste to the ceramic body, and the surface tension of the metal film Gaps generated on the surface, inside, or interface of the external electrode are filled. As a result, the precipitation of the glass component is reduced, and the external electrode can be prevented from being eroded by the plating solution. Accordingly, even when a ceramic electronic component is formed using a conductive paste containing glass powder, it is possible to prevent the characteristics of the ceramic electronic component from deteriorating without impairing the sinterability.
さらに、本発明のセラミック電子部品の製造方法によれば、上記導電性ペーストをセラミック素体の表面に塗布した後、前記導電性ペーストが塗布されたセラミック素体に焼成処理を施して前記セラミック素体の表面に外部電極を形成し、その後めっき処理を施して前記外部電極の表面にめっき皮膜を形成するので、めっき処理を行ってもめっき液が外部電極内部に浸入するのを回避することができ、したがって焼結性を損なうこともなく特性の良好な各種セラミック電子部品を高効率で製造することができる。 Further, according to the method for manufacturing a ceramic electronic component of the present invention, the conductive paste is applied to the surface of the ceramic body, and then the ceramic body to which the conductive paste is applied is subjected to a firing process to perform the ceramic element. Since an external electrode is formed on the surface of the body and then a plating treatment is performed to form a plating film on the surface of the external electrode, it is possible to prevent the plating solution from entering the external electrode even if the plating treatment is performed. Therefore, various ceramic electronic parts having good characteristics can be produced with high efficiency without impairing the sinterability.
次に、本発明の実施の形態を詳説する。 Next, an embodiment of the present invention will be described in detail.
本発明の一実施の形態としての導電性ペーストは、導電性粉末とガラス粉末と有機ビヒクルとを含有している。 The conductive paste as one embodiment of the present invention contains a conductive powder, a glass powder, and an organic vehicle.
そして、前記導電性粉末は、図1に示すように、核となる金属粉末1の表面に該金属粉末1よりも融点の低い金属材料で形成された金属膜2で被覆されている。
As shown in FIG. 1, the conductive powder is covered with a
すなわち、セラミック電子部品の外部電極形成用導電性ペーストでは、セラミック層と外部電極(積層型セラミックコンデンサではセラミック層及び内部電極と外部電極)との接合性向上や外部電極の焼結促進の観点から、従来より導電性ペーストにはガラス成分を含有させているが、〔発明が解決しようとする課題〕の項でも述べたように、ガラス成分は耐めっき性に劣るため、外部電極表面に析出したガラス成分が後工程である湿式めっき処理によって侵食され、その結果、侵食された箇所からめっき液が浸入し、セラミック電子部品としての特性劣化が生じるおそれがある。 That is, in the conductive paste for external electrode formation of ceramic electronic components, from the viewpoint of improving the bonding property between the ceramic layer and the external electrode (the ceramic layer and the internal electrode and the external electrode in a multilayer ceramic capacitor) and promoting the sintering of the external electrode In the past, the conductive paste contains a glass component. However, as described in the section [Problems to be solved by the invention], the glass component is inferior in plating resistance, and thus deposited on the surface of the external electrode. The glass component is eroded by a wet plating process, which is a subsequent process, and as a result, the plating solution may infiltrate from the eroded portion, which may cause deterioration of characteristics as a ceramic electronic component.
そこで、本実施の形態では、ガラス粉末よりも耐めっき性に優れ、かつ金属粉末1よりも融点の低い金属材料で形成された金属膜2で前記金属粉末1を被覆している。
Therefore, in the present embodiment, the
すなわち、金属粉末1よりも融点の低い金属膜2で前記金属粉末1が被覆されると、焼成処理時には融点の低い金属膜2が金属粉末1よりも早く溶融し、金属膜2の表面張力によって外部電極の表面、内部、或いは界面に生じた空隙が埋められる。そしてその結果、ガラス粉末が外部電極の表面に析出するのを抑制することができ、外部電極がめっき液によって浸入されるのを防止することができる。
That is, when the
そして、これによりセラミック層と外部電極(積層型セラミック電子部品の場合はセラミック層及び内部電極と外部電極)との接合性が良好で、しかも耐めっき性の優れた導電性ペーストを実現している。 This realizes a conductive paste having good bonding properties between the ceramic layer and the external electrode (in the case of a multilayer ceramic electronic component, the ceramic layer and the internal electrode and the external electrode) and having excellent plating resistance. .
このような金属粉末1及び金属膜2の材料種としては、金属膜2の融点が金属粉末1の融点よりも低ければ、特に限定されるものではないが、核となる金属粉末1は、通常、融点が961℃のAg、融点が1083℃のCu、融点が1453℃のNi、又はこれらを主成分とした合金が使用されることから、金属膜2としては融点が271℃のBi、融点が630℃のSbを好適に使用することができる。
The material type of the
尚、金属粉末1の粒径としては、高度な緻密性を得る観点からは、極力微粒であるのが望ましく、0.1〜1.0μmの金属粉末1を好んで使用することができる。また、金属膜2の膜厚は0.015〜0.05μmが好ましい。これは、膜厚が0.015μm未満になると、外部電極の緻密性が低下し、所期の効果を得ることができなくなるおそれがあるからであり、膜厚が0.05μmを超えるとコスト増を招くおそれがあるからである。
In addition, as a particle size of the
また、導電性ペーストに含有されるガラス粉末としては、特に限定されるものではなく、例えばB2O3やBi2O3を含有したホウケイ酸系ガラス粉末を使用することができる。 As the glass powder contained in the conductive paste is not limited in particular, it is possible to use borosilicate glass powder containing, for example, B 2 O 3 and Bi 2 O 3.
また、有機ビヒクルとしては、例えば、エチルセルロース樹脂等の有機バインダをターピネオール等の有機溶剤中に、例えば、重量比で約1:3で分散させたものを使用することができる。また、導電性粉末とガラス粉末の総計、すなわち、固形分の導電性ペースト中の含有量は、印刷性を考慮すると、64〜94重量%が好ましい。また、有機ビヒクルの含有量としては6〜36重量%程度が好ましく、有機溶剤としてはターピネオールの他、キシレン、ジオクチルフタレート等を用いてもよい。 As the organic vehicle, for example, an organic binder such as ethyl cellulose resin dispersed in an organic solvent such as terpineol, for example, at a weight ratio of about 1: 3 can be used. Further, the total amount of the conductive powder and the glass powder, that is, the content of the solid content in the conductive paste is preferably 64 to 94% by weight in consideration of printability. Further, the content of the organic vehicle is preferably about 6 to 36% by weight. As the organic solvent, xylene, dioctyl phthalate or the like may be used in addition to terpineol.
次に、上記導電性ペーストの製造方法を説明する。 Next, the manufacturing method of the said electrically conductive paste is demonstrated.
まず、金属膜2で金属粉末1が被覆された導電性粉末を作製する。
First, conductive powder in which the
すなわち、AgやCu、Ni等の金属粉末1を用意し、該金属粉末1を純水で洗浄し、湿粉状態のまま、BiやSb等の金属イオンを含有した金属塩水溶液に分散させる。尚、乾燥させることなく湿粉状態のまま金属塩水溶液に分散させたのは、金属粉末1が金属塩水溶液中で凝集するのを避けるためである。
That is, a
次に、還元剤を含有した還元剤水溶液を金属塩水溶液に添加・混合する。すると、金属塩と還元剤との間で酸化還元反応が生じ、還元剤は電子を放出する一方、金属イオンは電子を受容し、金属粉末1の表面に析出する。例えば、金属イオンがBiイオンの場合、還元剤として塩化第1スズのような2価の水溶性化合物を好んで使用することができる。すなわち、Bi塩水溶液中に塩化第1スズを添加すると、Bi塩(例えば、塩化ビスマス)と塩化第1スズとの間で酸化還元反応が生じ、金属粉末1の表面にBiが析出する。
Next, the reducing agent aqueous solution containing the reducing agent is added to and mixed with the metal salt aqueous solution. Then, a redox reaction occurs between the metal salt and the reducing agent, and the reducing agent emits electrons, while the metal ions accept the electrons and are deposited on the surface of the
そして、この後、乾燥処理を施し、さらには必要に応じて熱処理を施し、その後解砕処理を行い、金属粉末1が金属膜2で被覆された導電性粉末を得ることができる。
Then, after that, a drying treatment is performed, and further, a heat treatment is performed as necessary, followed by a pulverization treatment, whereby a conductive powder in which the
次いで、このようにして得られた導電性粉末及びガラス粉末を有機ビヒクル中で三本ロールミルやフーバーマーラー等の混練機を使用して分散させ、これにより導電性ペーストを製造する。 Next, the conductive powder and glass powder thus obtained are dispersed in an organic vehicle using a kneader such as a three-roll mill or a Hoovermarler, thereby producing a conductive paste.
次に、上記導電性ペーストを使用して製造されたセラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサについて詳説する。 Next, a multilayer ceramic capacitor as a ceramic electronic component manufactured using the conductive paste will be described in detail.
図2は積層セラミックコンデンサの一実施の形態を模式的に示した断面図である。 FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an embodiment of the multilayer ceramic capacitor.
該積層セラミックコンデンサは、セラミック素体3に内部電極4(4a〜4f)が埋設されると共に、該セラミック素体3の両端部には外部電極5a、5bが形成され、さらに該外部電極5a、5bの表面には第1のめっき皮膜6a、6b及び第2のめっき皮膜7a、7bが形成されている。
In the multilayer ceramic capacitor, internal electrodes 4 (4a to 4f) are embedded in the ceramic body 3,
具体的には、各内部電極4a〜4fは積層方向に並設されると共に、内部電極4a、4c、4eは外部電極5aと電気的に接続され、内部電極4b、4d、4fは外部電極5bと電気的に接続されている。そして、内部導体4a、4c、4eと内部導体4b、4d、4fとの対向面間で静電容量を取得している。
Specifically, the internal electrodes 4a to 4f are arranged in parallel in the stacking direction, the
上記積層セラミックコンデンサは以下のようにして製造される。 The multilayer ceramic capacitor is manufactured as follows.
まず、チタン酸バリウム等の誘電体材料を主成分とするセラミックグリーンシートを用意し、次いで、NiやAg、Pd等を主成分とする内部電極形成用の導電性ペーストを使用し、セラミックグリーンシート上にスクリーン印刷を施して所定形状の導電パターンを形成する。 First, a ceramic green sheet mainly composed of a dielectric material such as barium titanate is prepared, and then a conductive paste for forming an internal electrode mainly composed of Ni, Ag, Pd or the like is used. Screen printing is performed thereon to form a conductive pattern having a predetermined shape.
そしてこの後、導電パターンが形成されたセラミックグリーンシートを所定方向に複数枚積層し、導電パターンの形成されていないセラミックグリーンシートで挟持し、圧着し、所定寸法に切断してセラミック積層体を作製する。しかる後、温度約500℃で脱バインダ処理を行ない、その後、温度1000〜1500℃の大気中で所定時間焼成処理を行い、これにより内部電極4が埋設されたセラミック素体3を作製する。
After that, a plurality of ceramic green sheets on which conductive patterns are formed are laminated in a predetermined direction, sandwiched between ceramic green sheets on which conductive patterns are not formed, crimped, and cut into predetermined dimensions to produce a ceramic laminate. To do. Thereafter, a binder removal process is performed at a temperature of about 500 ° C., and then a firing process is performed in an atmosphere at a temperature of 1000 to 1500 ° C. for a predetermined time, thereby producing the ceramic body 3 in which the
次いで、上述した外部電極形成用導電性ペーストをセラミック素体3の両端面に塗布した後、乾燥させ、その後、大気雰囲気下、又は低酸素濃度雰囲気下、温度600〜700℃で所定時間焼成処理を施す。これによって導電性ペースト中の金属粉末が焼結し、外部電極5a、5bが形成される。
Next, the above-described conductive paste for forming an external electrode is applied to both end faces of the ceramic body 3 and then dried, and then fired at a temperature of 600 to 700 ° C. for a predetermined time in an air atmosphere or a low oxygen concentration atmosphere. Apply. As a result, the metal powder in the conductive paste is sintered to form the
次に、電解めっきを施して外部電極5a、5bの表面にNi、Cu等からなる第1のめっき皮膜6a、6bを形成し、さらに該第1のめっき皮膜6a、6bの表面にはんだやSn等からなる第2のめっき皮膜7a、7bを形成し、これにより積層セラミックコンデンサが製造される。
Next, electrolytic plating is performed to form
このように本積層セラミックコンデンサは、上述した導電性ペーストを使用してセラミック素体3の両端面に外部電極5a、5bが形成されているので、外部電極5a、5bは緻密に形成されると共に、耐めっき性にも優れているので、その後に電解めっき等の湿式めっき処理を施しても、めっき液が外部電極5a、5b内に浸入するのを防止することができ、セラミック電子部品としての特性が劣化するのを回避することができる。
As described above, in the present multilayer ceramic capacitor, the
尚、本発明は上記実施の形態に限定されることはない、上記実施の形態では、導電性粉末を無電解めっき法で形成しているが、これに限定されるものではない。また、上記実施の形態では本発明の導電性ペーストを積層セラミックコンデンサに応用した場合について述べたが、他のセラミック電子部品についても同様に適用できるのはいうまでもない。 In addition, although this invention is not limited to the said embodiment, In the said embodiment, although electroconductive powder is formed by the electroless-plating method, it is not limited to this. In the above embodiment, the case where the conductive paste of the present invention is applied to a multilayer ceramic capacitor has been described. Needless to say, the present invention can also be applied to other ceramic electronic components.
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。 Next, examples of the present invention will be specifically described.
まず、導電性粉末の核となる金属粉末として平均粒径1μmのAg(融点:961℃)、Cu(融点:1083℃)、及びNi(融点:1453℃)を用意し、次いで無電解めっき法を使用してこれら金属粉末の表面に平均膜厚0.015〜0.05μmのBi膜(融点:271℃)又は膜厚0.015μmのSb膜(融点:630℃)を形成し、金属膜で金属粉末が被覆された導電性粉末を得た。 First, Ag (melting point: 961 ° C.), Cu (melting point: 1083 ° C.), and Ni (melting point: 1453 ° C.) having an average particle diameter of 1 μm are prepared as the metal powder that becomes the core of the conductive powder, and then the electroless plating method. A Bi film (melting point: 271 ° C.) having an average film thickness of 0.015 to 0.05 μm or an Sb film (melting point: 630 ° C.) having a film thickness of 0.015 μm is formed on the surface of these metal powders using a metal film. A conductive powder coated with metal powder was obtained.
尚、金属膜の膜厚はめっき処理時間を制御して調整した。 The metal film thickness was adjusted by controlling the plating time.
次いで、エチルセルロース樹脂とターピネオールとの比が重量比で2.67:1となるようにエチルセルロース樹脂をターピネオール中に均一に分散させて有機ビヒクルを作製した。 Next, an organic vehicle was produced by uniformly dispersing the ethyl cellulose resin in terpineol so that the ratio of ethyl cellulose resin to terpineol was 2.67: 1 by weight.
次に、表1の実施例1〜6の組成成分となるように上記導電性粉末、ガラス粉末としてのB−Bi−Si系ガラス、上記有機ビヒクルをフーバーマーラーで混練し、これにより導電性ペーストを作製した。 Next, the conductive powder, the B-Bi-Si glass as the glass powder, and the organic vehicle were kneaded with a Hoovermarler so as to be the composition components of Examples 1 to 6 in Table 1, thereby conducting the conductive paste. Was made.
また、比較例として、導電性粉末として平均粒径1μmのAg、Cu、Ni、及びBiを用意し、表1の比較例1〜4の組成成分となるように、これら導電性粉末、ガラス粉末としてのB−Bi−Si系ガラス、上記有機ビヒクルをフーバーマーラーで混練し、導電性ペーストを作製した。 Further, as a comparative example, Ag, Cu, Ni, and Bi having an average particle diameter of 1 μm are prepared as conductive powders, and these conductive powders and glass powders are used as the composition components of Comparative Examples 1 to 4 in Table 1. B-Bi-Si based glass and the above organic vehicle were kneaded with a Hoovermarler to produce a conductive paste.
表1は実施例1〜6及び比較例1〜4の各導電ペーストの成分組成を示している。 Table 1 has shown the component composition of each electrically conductive paste of Examples 1-6 and Comparative Examples 1-4.
次いで、このセラミック素体の両端面に上記導電性ペーストを塗布し、150℃の温度で10分間乾燥し、その後、酸素濃度が100ppm以下の窒素雰囲気下、最高温度600℃及び700℃で10分間保持し、これにより焼成処理を行って外部電極を形成し、実施例1〜6及び比較例1〜4の試料を作製した。 Next, the conductive paste is applied to both end faces of the ceramic body, dried at a temperature of 150 ° C. for 10 minutes, and then at a maximum temperature of 600 ° C. and 700 ° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere with an oxygen concentration of 100 ppm or less. It hold | maintained and the baking process was performed by this and the external electrode was formed and the samples of Examples 1-6 and Comparative Examples 1-4 were produced.
次に、各試料の外部電極を断面研磨した後、該外部電極の表層面、中間部、及びセラミック素体との界面の3箇所を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察し、画像解析を行い、金属部分の面積を測定した領域の面積で割り、その値に100を集じて得られた値を緻密度として算出した。 Next, after cross-polishing the external electrode of each sample, the surface layer surface of the external electrode, the intermediate portion, and the interface with the ceramic body were observed with a scanning electron microscope (SEM) for image analysis. Then, the area obtained by dividing the area of the metal part by the area of the measured region and adding 100 to that value was calculated as the density.
表2はその測定結果を示している。 Table 2 shows the measurement results.
これに対し実施例1〜3は、粒径1μmのAg粉をBi膜で被覆しているので、600℃及び700℃の双方の焼成温度で緻密度は99%となり、緻密性が著しく向上することが分かった。 In contrast, in Examples 1 to 3, Ag powder having a particle size of 1 μm is coated with a Bi film, so that the density becomes 99% at both the firing temperatures of 600 ° C. and 700 ° C., and the denseness is remarkably improved. I understood that.
また、比較例2は、導電性粉末の組成成分が実施例1と同一の重量比となるように粒径1μmのAg粉及びBi粉を混合させたものであるが、Ag粉をBi膜で被覆した形態ではないため、緻密度は、焼成温度が600℃の場合で94%、焼成温度が700℃の場合で97%となり、Ag粉をBi膜で被覆した上記実施例1に比べ、緻密性に劣ることが分かった。 Comparative Example 2 is a mixture of Ag powder and Bi powder having a particle size of 1 μm so that the composition component of the conductive powder is the same weight ratio as in Example 1. The Ag powder is a Bi film. Since it is not a coated form, the density is 94% when the firing temperature is 600 ° C. and 97% when the firing temperature is 700 ° C., which is higher than that in Example 1 in which Ag powder is coated with a Bi film. It turned out to be inferior.
また、実施例4はBi膜に代えてSb膜でAg粉を被覆したものであり、この場合も、600℃及び700℃の双方の焼成温度で緻密度は99%となった。すなわち金属粉末よりも融点の低い金属膜で被覆した導電性粉末を使用することにより、緻密性が向上することが確認された。 In Example 4, Ag powder was coated with an Sb film instead of the Bi film. In this case, the density was 99% at both the firing temperatures of 600 ° C. and 700 ° C. That is, it was confirmed that the denseness was improved by using a conductive powder coated with a metal film having a melting point lower than that of the metal powder.
実施例5及び比較例3は、導電性粉末におけるCu成分とBi成分の重量組成比が共に20:1の試料である。比較例3は、粒径1μmのCu粉及びBi粉を単に混合させたものであるため、緻密度は、焼成温度が600℃の場合で86%、焼成温度が700℃の場合で96%であった。これに対し実施例5は、Cu粉をBi膜で被覆しているので、600℃及び700℃の双方の焼成温度で緻密度は99%となり、緻密性が向上することが分かった。 Example 5 and Comparative Example 3 are samples in which the weight composition ratio of the Cu component and the Bi component in the conductive powder is 20: 1. In Comparative Example 3, Cu powder and Bi powder having a particle diameter of 1 μm are simply mixed, so the density is 86% when the firing temperature is 600 ° C. and 96% when the firing temperature is 700 ° C. there were. On the other hand, in Example 5, since the Cu powder was coated with the Bi film, the density was 99% at both the firing temperatures of 600 ° C. and 700 ° C., and it was found that the denseness was improved.
実施例6及び比較例4は、導電性粉末におけるNi成分とBi成分の重量組成比が共に5.8:1の試料である。比較例4は、粒径1μmのNi粉及びBi粉を単に混合させたものであるため、緻密度は、焼成温度が600℃の場合で48%、焼成温度が700℃の場合で55%であった。これに対し実施例6は、Ni粉をBi膜で被覆しているので、緻密度は、焼成温度が600℃の場合で65%、焼成温度が700℃の場合で75%となり、比較例4に比べて緻密性は向上することが分かった。すなわち、金属粉末を該金属粉末よりも融点の低い金属膜で被覆することにより、緻密性向上の効果があることが確認された。 Example 6 and Comparative Example 4 are samples in which the weight composition ratio of the Ni component and the Bi component in the conductive powder is 5.8: 1. In Comparative Example 4, since Ni powder and Bi powder having a particle diameter of 1 μm are simply mixed, the density is 48% when the firing temperature is 600 ° C. and 55% when the firing temperature is 700 ° C. there were. On the other hand, in Example 6, since Ni powder was coated with a Bi film, the density was 65% when the firing temperature was 600 ° C. and 75% when the firing temperature was 700 ° C. It was found that the denseness was improved as compared with. That is, it was confirmed that the metal powder was coated with a metal film having a melting point lower than that of the metal powder, thereby improving the denseness.
1 金属粉末
2 金属膜
3 セラミック素体
5a、5b 外部電極
6a、6b めっき皮膜
7a、7b めっき皮膜
DESCRIPTION OF
Claims (2)
導電性粉末とガラス粉末と有機ビヒクルとを含有し、
前記導電性粉末が、核となる金属粉末の表面に該金属粉末よりも融点の低い金属材料で形成された金属膜で被覆され、
かつ、前記金属粉末は、Ag、Cu、Ni、及びこれらの金属元素を主成分とする合金の中から選択された少なくとも1種からなり、前記金属膜は、Bi及びSbのうちのいずれか一方の金属元素からなることを特徴とする導電性ペースト。 A conductive paste used for forming external electrodes of ceramic electronic components,
Contains conductive powder, glass powder and organic vehicle,
The conductive powder is coated with a metal film formed of a metal material having a melting point lower than that of the metal powder on the surface of the core metal powder ,
The metal powder is composed of at least one selected from Ag, Cu, Ni, and an alloy containing these metal elements as a main component, and the metal film is one of Bi and Sb. A conductive paste comprising any of the above metal elements .
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