JP4801479B2 - 液晶表示素子 - Google Patents
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Description
図1に、セグメント構造の2ドメインTN−LCDの一例を示す。図1(A)に示すTN−LCDは、数字の「1」を表した上部のセグメント電極1と、下部のコモン電極2が一対の電極として液晶を挟持している構造である。このセグメント電極1とコモン電極2には、一部が取り除かれた長方形のスリット1s、2sが設けられている。そして、図1(B)に示すように、セグメント電極1に設けられたスリット1sと、コモン電極2に設けられたスリット1sと同一形状のスリット2sとが、スリットの短手方向において交互に配置されている。
図7に、セグメント構造の2ドメインTN−LCDの一例を示す。図7に示すTN−LCDは、数字の「1」、「2」を表した上部のセグメント電極6と、下部のコモン電極7が一対の電極として液晶を挟持している構造である。この例では、セグメント電極6の導通範囲は狭くなり、コモン電極7の導通範囲は広くなる。
図9(A)に、比較例2による垂直配向型LCDの断面図を示す。図9(A)に示すように、比較例1と同様のパターン及びスリット8As、9Asを持つ電極8A、9Aを含んだ上下の基板10Aにそれぞれ垂直配向膜11A(日産化学工業製SE−1211)を塗布焼成する。この2枚の基板にメインシール材を塗布し、さらに4μmの直径を有するギャップコントロール材を散布した後重ね合わせ、メインシール材を硬化させる。出来上がった空セルにメルク社製の複屈折率0.15の液晶(カイラル剤含む)を注入し液晶セルを完成させる。液晶分子12Aは基板平面に対して垂直に配向する。液晶セルに視角補償板13A(住友化学工業製VAC−180フィルム)と偏光板14Aを図9(A)に示すような構造で貼り合わせる。このようにして2ドメイン垂直配向型LCDが作製できる。
図9(B)に、実施例2による垂直配向型LCDの断面図を示す。図9(B)に示すように、実施例1に示したようなパターン及びスリット8Bs、9Bsを持つ電極8B、9Bを含んだ上下の基板10B上に、垂直配向膜11B(日産化学工業製SE−1211)を塗布焼成する。この2枚の基板にメインシール材を塗布し、さらに4μmの直径を有するギャップコントロール材を散布した後重ね合わせ、メインシール材を硬化させる。出来上がった空セルにメルク社製の複屈折率0.15の液晶(カイラル剤含む)を注入し液晶セルを完成させる。液晶分子12Bは基板平面に対して垂直に配向する。液晶セルに視角補償板13B(住友化学工業製VAC−180フィルム)と偏光板14Bを図9に示すような構造で貼り合わせる。このようにして2ドメイン垂直配向型LCDが作製できる。
図10を参照して、単純マトリックスタイプの2ドメインTN−LCD及び2ドメイン垂直配向型LCDの場合について述べる。図10に、本発明による単純マトリックスタイプの液晶表示素子の平面図を示す。
図11を参照して、TFTアクティブマトリックス液晶表示装置の場合について述べる。図11にTFTアクティブマトリックス液晶表示装置の数個の画素の領域を下から見た図を示す。図11に示すように、透明ガラス基板上に複数のアモルファスシリコン等によるTFT素子17と、インジウムスズオキサイド(ITO)等による画素電極18と、さらに、TFT素子17のソース電極とゲート電極とにそれぞれ接続するソースライン(信号線)19とゲートライン(走査線)20とが形成され、TFT素子17によりドレイン電極を介して画素電極18を駆動する。画素電極18の上には垂直配向膜もしくは水平配向膜にラビング処理を施したものが形成される。上記画素電極18の形成されたガラス基板の上に、その基板と対向して、液晶層を介してもう一つのガラス基板が配置され、その基板には、共通電極が形成される。また共通電極の液晶層と接する面上にも垂直配向膜もしくは水平配向膜にラビング処理を施したものが形成される。
2、7、16 コモン電極
5 ディスクリネーションライン
17 TFT素子
18 画素電極
19 ソースライン
20 ゲートライン
1s、2s、5s、6s、7s、8As、8Bs、9As、9Bs、15s、16s、18s、21s スリット
3A、3B ラビング方向
4A、4B 偏光板の吸収軸
8A、8B 上側電極
9A、9B 下側電極
10A、10B 基板
11A、11B 垂直配向膜
12A、12B 液晶分子
13A、13B 視角補償板
14A、14B 偏光板
Claims (8)
- 平行に対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板上に形成され、表示をさせるために所定のパターンを形成した透明電極と、
前記一対の基板に挟持される液晶層と、
前記透明電極に形成される長方形型のスリットであって、一方の透明電極に設けられた第1のスリットと、他方の透明電極に設けられた第2のスリットとが該スリットの短手方向において交互に配置されると共に、該第1のスリットと該第2のスリットの単位長さ当たりの分割数が異なる構造のスリットと
を有する液晶表示素子。 - 平行に対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板上に形成され、表示をさせるために所定のパターンを形成した透明電極と、
前記一対の基板に挟持される液晶層と、
前記透明電極に形成される長方形型のスリットであって、一方の透明電極に設けられた第1のスリットと、他方の透明電極に設けられた第2のスリットとが該スリットの短手方向において交互に配置されると共に、該第1のスリットと該第2のスリットのうち一方の単位長さ当たりの分割数が0である構造のスリットと
を有する液晶表示素子。 - 前記単位長さ当たりの分割数が多いスリットの寸法は、前記透明電極間のギャップに対し長手方向が約2倍〜約33倍、短手方向が約1倍〜約3.3倍である請求項1または2に記載の液晶表示素子。
- 前記単位長さ当たりの分割数が多いスリットの長手方向の間隔は、前記透明電極間のギャップに対し約1倍〜約5.5倍であり、前記第1のスリットと第2のスリットとのスリット短手方向の間隔は、該ギャップに対し約1倍〜約6.6倍である請求項1から3のいずれか1項に記載の液晶表示素子。
- 前記透明電極は、前記一対の基板の一方に形成される導通範囲の広いコモン電極と、他方の基板に形成される導通範囲の狭いセグメント電極からなるセグメントタイプである請求項1から4のいずれか1項に記載の液晶表示素子。
- 前記透明電極は、単純マトリックスタイプである請求項1から4のいずれか1項に記載の液晶表示素子。
- 前記単純マトリックスタイプの透明電極において、前記単位長さ当たりの分割数が少ないスリットを、該スリット長手方向に平行な透明電極側に設ける請求項6に記載の液晶表示素子。
- 前記単純マトリックスタイプの透明電極中の各々のドットにおいて、スリット短手方向の最端部のスリットを、該スリットの短手方向に平行な透明電極側に設ける請求項6または7に記載の液晶表示素子。
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