JP4796902B2 - Substrate spin processing equipment - Google Patents
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Description
この発明は回転テーブルに保持された基板を第1の処理液と第2の処理液とで処理する基板のスピン処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate spin processing apparatus for processing a substrate held on a rotary table with a first processing liquid and a second processing liquid.
たとえば、液晶表示装置の製造過程においては、矩形状のガラス製の基板に回路パターンを形成するということが行われている。回路パターンを形成する場合、上記基板に対して現像処理、エッチング処理あるいはレジストの剥離処理などが行われる。これらの処理を行う場合、まず、基板に第1の処理液として現像液、エッチング液あるいは剥離液などを供給して所定の処理を行い、ついで第2の処理液として純水などの洗浄液を供給して洗浄処理するということが行われる。 For example, in the manufacturing process of a liquid crystal display device, a circuit pattern is formed on a rectangular glass substrate. When forming a circuit pattern, the substrate is subjected to development processing, etching processing, resist stripping processing, or the like. When performing these processes, first, a developing solution, an etching solution, or a stripping solution is supplied as a first processing solution to the substrate to perform a predetermined processing, and then a cleaning solution such as pure water is supplied as a second processing solution. Then, a cleaning process is performed.
現像液、エッチング液あるいは剥離液などの第1の処理液は高価であるため、循環使用するということが行われている。第1の処理液を循環使用する場合、第1の処理液と第2の処理液とを混合させずに回収するようにしている。 Since the first processing solution such as a developing solution, an etching solution, or a stripping solution is expensive, it is used in a circulating manner. When the first treatment liquid is used in a circulating manner, the first treatment liquid and the second treatment liquid are collected without being mixed.
一方、基板を回転させながら処理液で処理するスピン処理装置はカップ体を有する。このカップ体内には回転テーブルが設けられている。回転テーブルには上記基板の四隅部の下面と側面とを支持する支持ピンが設けられている。上記回転テーブルを回転させて基板に処理液を供給しながら処理すると、この基板に供給された処理液は遠心力によって周辺部に飛散する。 On the other hand, a spin processing apparatus for processing with a processing liquid while rotating a substrate has a cup body. A rotating table is provided in the cup body. The rotary table is provided with support pins for supporting the lower surface and side surfaces of the four corners of the substrate. When processing is performed while rotating the rotary table and supplying the processing liquid to the substrate, the processing liquid supplied to the substrate is scattered around the periphery by centrifugal force.
基板から飛散した処理液が上記カップ体の内周面で反射して基板の方向に戻ると、基板に付着して汚染の原因となる。そこで、特許文献1にはカップ体の内周面に斜めに傾斜した整流リングを設けるということが示されている。整流リングを設けることで、基板から飛散した処理液を下方へ反射させ、基板へ戻るのを防止することが可能となる。
ところで、特許文献1に示されたスピン処理装置は基板を第1の処理液と第2の処理液とによって順次処理し、これらの処理液を分離回収するということが示されていない。第1の処理液と第2の処理液を分離回収する場合、第1の処理液によって基板を処理するときと、第2の処理液によって処理するときのいずれにおいても、基板から飛散する処理液が基板へ戻るのを防止できなければならない。
However, the spin processing apparatus disclosed in
しかしながら、特許文献1に示されたスピン処理装置では、2種類の処理液を分離回収するということが示されていないから、2種類の処理液を分離回収する場合に、基板から飛散した処理液がそれぞれ基板へ戻るのを防止するということが示されていない。
However, since the spin processing apparatus disclosed in
この発明は、基板を第1の処理液と第2の処理液とで順次処理する場合、各処理液を分離回収するとともに、基板から飛散するそれぞれの処理液が基板へ戻って付着するということがないようにしたスピン処理装置を提供することにある。 In the present invention, when the substrate is sequentially processed with the first processing liquid and the second processing liquid, each processing liquid is separated and recovered, and each processing liquid scattered from the substrate returns to the substrate and adheres. It is an object of the present invention to provide a spin processing apparatus in which there is no problem.
この発明は、矩形状の基板を回転させながら第1の処理液と第2の処理液で処理するスピン処理装置であって、
外カップ体と、
この外カップ体内に設けられ、基部、この基部の周方向に設けられ前記基板を支持する複数本のアーム、この各アームと一体に設けられ、外形寸法が後記内カップ体に設けられる後記第2の反射手段の内径寸法より小さな円盤状の遮蔽板を有し、上記基板を上記アームで保持した状態で回転駆動手段によって回転駆動される回転テーブルと、
上記外カップ体内に設けられ上端が上記回転テーブルに保持される上記基板よりも低い下降位置と上端が上記回転テーブルに保持された上記基板よりも高い上昇位置との間で上下駆動手段によって上下駆動可能に設けられた内カップ体と、
上記外カップ体の内周部に設けられ上記内カップ体が下降位置の状態で上記基板を回転させて上記第2の処理液で処理するときに上記基板の周辺部から飛散する上記第2の処理液を下方へ反射させる第1の反射手段と、
上記内カップ体の内周部に設けられこの内カップ体が上昇位置の状態で上記基板を回転させて上記第1の処理液で処理するときに上記基板の周辺部から飛散する上記第1の処理液を下方へ反射させる第2の反射手段と
を具備したことを特徴とする基板のスピン処理装置にある。
The present invention is a spin processing apparatus for processing with a first processing liquid and a second processing liquid while rotating a rectangular substrate,
An outer cup body,
A second part provided in the outer cup body, a base part, a plurality of arms provided in the circumferential direction of the base part to support the substrate, and provided integrally with each arm, and the outer dimensions are provided in the inner cup body, which will be described later. A rotating table that has a disk-shaped shielding plate smaller than the inner diameter of the reflecting means, and is rotated by the rotation driving means in a state where the substrate is held by the arm ;
Up and down driving is performed by a vertical driving means between a descending position lower than the substrate, the upper end of which is provided in the outer cup body, and the upper end is held by the rotary table, and the upper end of the upper cup is held by the rotary table. An inner cup body provided as possible,
The second cup that is provided on the inner peripheral portion of the outer cup body and scatters from the peripheral portion of the substrate when the substrate is rotated and processed with the second processing liquid in a state where the inner cup body is in the lowered position. First reflecting means for reflecting the treatment liquid downward;
The first cup which is provided on the inner peripheral portion of the inner cup body and is scattered from the peripheral portion of the substrate when the inner cup body is rotated and the substrate is rotated and processed with the first processing liquid. A substrate spin processing apparatus comprising: a second reflecting means for reflecting the processing liquid downward.
この発明によれば、外カップ体と内カップ体の内周部に、それぞれ基板の周辺部から飛散する処理液を下方へ反射させる反射手段を設けたので、内カップ体を上昇させて基板を第1の処理液で処理する場合や内カップ体を下降させて基板を第2の処理液で処理する場合のいずれであっても、基板から飛散した処理液が基板へ戻る方向に反射するのを防止できる。 According to this invention, since the reflecting means for reflecting the processing liquid splashing from the peripheral portion of the substrate downward is provided on the inner peripheral portion of the outer cup body and the inner cup body, respectively, the inner cup body is raised to remove the substrate. In either case of processing with the first processing liquid or when the inner cup body is lowered and the substrate is processed with the second processing liquid, the processing liquid scattered from the substrate is reflected in the direction returning to the substrate. Can be prevented.
以下、この発明の一実施の形態を図面を参照して説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1乃至図3に示すスピン処理装置は外カップ体1を備えている。この外カップ体1は上面が開口した有底角筒状の周壁1aを有し、この周壁1aの上端には径方向内方に向かって約30度の角度で傾斜した上部傾斜壁2が設けられている。この上部傾斜壁2の上端である、内周縁には円筒状の垂直壁3が設けられている。
The spin processing apparatus shown in FIGS. 1 to 3 includes an
上記外カップ体1の内周面の高さ方向中途部には周方向に所定間隔で支柱4aが設けられ、各支柱4aには断面形状がL字状のブラケット4bが一辺を固定して設けられている。このブラケット4bの他辺には第1の反射手段としてのリング状の複数の第1の反射板、この実施の形態では4枚の第1の反射板6がスペーサ7を介して上下方向に所定間隔で積層されている。
積層された第1の反射板6とスペーサ7とにはねじ軸8が挿通されている。このねじ軸8は上記ブラケット4bに固定されている。上記第1の反射板6は、先端部がたとえば30度の角度で外カップ体1の径方向内方に向かって高く傾斜し、基端部には図示しない通孔が形成されている。この通孔は各第1の反射板の6の上面側に後述するように滴下した第2の処理液を下方へ流す。なお、外カップ体1は架台9の上面に載置固定されている。
A
上記外カップ体1内には回転テーブル11が設けられている。この回転テーブル11は円盤状の基部12を有し、この基部12には周方向に90度間隔で4本のアーム13が基端を連結固定して設けられている。なお、隣り合う一対のアーム13間にはアーム13よりも短い補助アーム13aが設けられている。
A rotary table 11 is provided in the
上記基部12、アーム13及び補助アーム13aには液晶表示装置に用いられる矩形状のガラス製の基板Wの下面を支持する支持ピン14が設けられている。さらに、各アーム13の先端部には基板Wの各角部の一対の側面に係合する係合ピン15が設けられている。
The
回転テーブル11の支持ピン14に支持された基板Wの高さは、外カップ体1の内周面に設けられた4枚の第1の反射板6のうち、最下段の反射板6の上端よりも高く、上から3枚目の反射板6の上端よりも低い位置になるよう設定されている。
The height of the substrate W supported by the
したがって、上から3枚目の第1の反射板6は後述するごとく基板Wから水平方向に飛散した第2の処理液を下方に向けて反射する第1の反射部となり、上の2枚の第1の反射板6は基板Wから斜め上方に向かって飛散した第2の処理液を下方に向けて反射する第2の反射部となっている。
Accordingly, the third first reflecting
図1に示すように、上記回転テーブル11の基部12は連結筒体16を介して制御モータ17に連結されている。この制御モータ17は固定子18内に回転子19が設けられていて、この回転子19に上記連結筒体16の下端が連結されている。したがって、上記制御モータ17が作動すれば、上記回転テーブル11が図3に矢印で示す反時計方向に回転駆動されるようになっている。なお、制御モータ17は上記架台9の上面に取付け固定されている。
As shown in FIG. 1, the
上記外カップ体1内には内カップ体21が設けられている。この内カップ体21は外形寸法が上記外カップ体1の内径寸法よりも小さく、内径寸法が上記回転テーブル11の外形寸法よりも大きいリング部22を有し、このリング部22の外周には円筒状の周壁23の下端が連結固定されている。
An
上記周壁23の上端には径方向内方に向かってたとえば30度の角度で高く傾斜した第2の反射部としての上部傾斜壁24が設けられ、内周面には上記上部傾斜壁24と同じ角度で傾斜したリング状の第1の反射部としての第2の反射板25が設けられている。第2の反射板25の基端部には図示しない通孔が形成されていて、この通孔は上部傾斜板24の下面で後述するように下方に向かって反射した第1の処理液を下方へ滴下させる。
The upper end of the
上記内カップ体21の上記リング部22の内周面には、周方向に180度離れた位置に一対の連結片26が径方向内方に向かって延出されている。各連結片26の中途部には上下駆動機構27を構成するスライド軸28の上端がそれぞれ連結固定されている。なお、スライド軸28の上記外カップ体1内に突出した部分はベローズ30によって被覆されている。
On the inner peripheral surface of the
一対のスライド軸28は上記架台9に設けられた軸受29にスライド可能に支持されている。スライド軸28の上記軸受29から突出した下端はスライダ31に連結されている。一対のスライダ31は上記架台9に上下方向に沿って設けられたリニアガイド32にスライド可能に支持されている。
The pair of
一対のスライダ31は連結部材33によって連結されている。連結部材33の中途部には軸線を垂直にして上記架台9に設けられたシリンダ34のロッド35が連結されている。したがって、シリンダ34のロッド35が図1に示すように突出方向に付勢されると、内カップ体21はその上端である、上部傾斜壁24の上端が回転テーブル11に保持された基板Wよりも高い上昇位置に保持される。
The pair of
上記シリンダ34のロッド34が図2に示すように没入方向に付勢されると、上記内カップ体21は上部傾斜壁24の上端が回転テーブル11に保持された基板Wよりも低い下降位置に保持される。下降位置は上部傾斜壁24の上端が基板Wよりも低い位置であればよいが、上部傾斜壁24の上端が回転テーブル11の上面よりも低い位置であればさらに好ましい。
When the
上記外カップ体1の内底部には上記内カップ体21の外周面を覆う円筒状のガイド手段を構成するガイドリング37が設けられている。ガイドリング37の上端の高さは、図2に示すように内カップ体21が下降したときに、この内カップ体21の上部傾斜壁24の下端、つまり周壁23の上端とほぼ同じになるよう設定されている。さらに、ガイドリング37の下端部は外カップ体1の周壁1aの下端部に向かって傾斜した傾斜部37aに形成されている。
A
図1と図3に示すように、上記外カップ体1の底壁には、上記内カップ体21の周壁23の径方向内側に対応する位置に複数、たとえば周方向に180度間隔で第2の排出部を構成する2本の第1の排出管38が接続されている。さらに、上記外カップ体1の底壁には、上記内カップ体21の周壁23の外側である、上記ガイドリング37の傾斜部37aに対向する位置に第1の排出部を構成する、同じく複数である8本の第2の排出管39が接続されている。
As shown in FIGS. 1 and 3, the bottom wall of the
上記外カップ体1の底壁の第1の排出管38と第2の排出管39との間には、後述するように上記第1の排出管38を通じて排出される第1の処理液が上記第2の排出管39に流れたり、上記第2の排出管39を通じて排出される第2の処理液が上記第1の排出管38に流れるのを防止する遮蔽手段としての遮蔽壁40が周方向全長にわたって設けられている。
Between the
上記外カップ体1の内底部には円錐台状の傾斜壁41が設けられている。この傾斜壁41の上端には上記制御モータ17が挿通されるリング状の蓋部材42が周辺部を液密に接合させて設けられている。この蓋部材42の制御モータ17が通された開口部部分はシール部材43によって液密に遮蔽されている。
A frustoconical
さらに、上記外カップ体1の上方には第1のエッチング液や剥離液などの第1の処理液を供給する第1のノズル体44と、洗浄液である純水などの第2の処理液を供給する第2のノズル体45とが配置されている。
Furthermore, a
なお、上記回転テーブル11の各アーム13の上面には、外径寸法が上記内カップ体21に設けられた上部傾斜壁24及び第2の反射板25の内径寸法よりもわずかに小さな円盤状の遮蔽板47が設けられている。
In addition, the upper surface of each
図3に示すように、上記外カップ体1の底壁の四隅部には上記第2の排出管39よりも大径な第3の排出管51が接続されている。上記外カップ体1の径方向に沿う中心線を対称にして左側と右側に位置する複数の第2、第3の排出管39,51は一対の気液分離装置52にそれぞれ接続されている。各気液分離装置52には排気管53及び排液管54が接続されている。
As shown in FIG. 3,
上記排気管53は図示しない排気ブロアに接続されている。排気ブロアが作動すると、その吸引力が気液分離装置52を介して第2、第3の排出管39,51に作用する。それによって、外カップ体1及び内カップ体21の内部に吸引力が作用するから、その吸引力によって各カップ体1,21内の雰囲気が排出されるようになっている。
The
上記外カップ体1内には、図3に示すように矢印方向に回転する回転テーブル11から飛散する処理液が上記外カップ体1の四隅部に設けられた第3の排出管51の方向にガイドする円弧状のガイド板55が設けられている。
In the
上記回転テーブル11から飛散して上記ガイド板55の外面側に流れた処理液の一部は上記第3の排出管51から排出される。上記ガイド板55の内面に沿って流れる処理液は上記ガイドリング37の傾斜部37aの上面に落下し、その傾斜方向下端に沿って流れる。傾斜部37aの下端には周方向に所定間隔で複数の切り欠き部37bが形成されている。それによって、傾斜部37aの下端に流れた処理液は上記切り欠き部37bを通過して上記第2の排出管39から排出されるようになっている。
A part of the processing liquid scattered from the rotary table 11 and flowing to the outer surface side of the
つぎに、上記構成のスピン処理装置によって基板Wを処理する場合の作用について説明する。
基板Wは第1の処理液で処理されてから、第2の処理液によって洗浄処理される。まず、図2に示すように内カップ体21を下降させた状態で、回転テーブル11に基板Wを供給し、この基板Wの下面を支持ピン14で支持し、四隅部を係合ピン15で保持する。
Next, an operation when the substrate W is processed by the spin processing apparatus having the above-described configuration will be described.
The substrate W is processed with the first processing liquid and then cleaned with the second processing liquid. First, as shown in FIG. 2, the substrate W is supplied to the rotary table 11 with the
ついで、上下駆動機構27のシリンダ34を作動させ、そのロッド35を突出方向に付勢する。それによって、図1に示すように内カップ体21を上昇させ、その上部傾斜壁24の上端が回転テーブル11に保持された基板Wよりも高い、上昇位置に位置決めされる。
Next, the
内カップ体21を上昇させたならば、制御モータ17を作動させて回転テーブル11を低速回転させるとともに、第1のノズル体44から基板Wの上面のほぼ中心部分に第1の処理液を供給する。
When the
基板Wの上面に供給された第1の処理液は、基板Wの回転によって生じる遠心力で基板Wの周縁部から外方に向かって飛散する。基板Wから飛散した第1の処理液は内カップ体21の上部傾斜壁24や内周面に設けられた第2の反射板25の下面に衝突する。上部傾斜壁24や第2の反射板25は径方向内方に向かって高く傾斜している。
The first processing liquid supplied to the upper surface of the substrate W is scattered outward from the peripheral edge of the substrate W by a centrifugal force generated by the rotation of the substrate W. The first processing liquid scattered from the substrate W collides with the upper
そのため、上部傾斜壁24と第2の反射板25の下面に衝突した第1の処理液は下方に向かって反射し、回転テーブル11に保持された基板Wに向かって反射するということがないから、基板Wから飛散した第1の処理液が基板Wの再び付着して汚染の原因となることがない。
Therefore, the first treatment liquid that has collided with the upper
基板Wに供給された第1の処理液は、基板Wの回転によって生じる遠心力で、一部は図4に矢印Aで示すように基板Wの上面から水平方向に飛散したり、一部は基板Wの角部を保持した係合ピン15に当たって矢印Bで示すように斜め上方に向かって飛散する。
The first processing liquid supplied to the substrate W is a centrifugal force generated by the rotation of the substrate W, and a part of the first processing liquid is scattered horizontally from the upper surface of the substrate W as shown by an arrow A in FIG. As shown by an arrow B, it hits the engaging
矢印Aで示す水平方向に飛散した第1の処理液は内カップ体21の第2の反射板25の下面に衝突して下方に向かって反射する。係合ピン15に衝突するなどして矢印Bで示すように斜め上方に向かって飛散した第1の処理液は上部傾斜壁24の下面に衝突して下方に向かって反射し、第2の反射板25に形成された図示しない通孔を通って下方へ滴下する。
The first processing liquid scattered in the horizontal direction indicated by the arrow A collides with the lower surface of the second reflecting
したがって、基板Wから飛散する第1の処理液の飛散方向が矢印Aと矢印Bのいずれの方向であっても、上昇位置に位置決めされた内カップ体21の上部傾斜壁24と第2の反射板25との下面に衝突して下方に反射するから、第1の処理液が基板W側に戻ることが防止される。
Therefore, the upper
内カップ体21の上部傾斜壁24や第2の反射板25で下方に向かって反射した第1の処理液は外カップ体1の底壁に向かって滴下する。外カップ体1の底壁には内カップ体21の周壁23とほぼ同径のリング状をなした遮蔽壁40が設けられている。
The first treatment liquid reflected downward by the upper
そのため、内カップ体21から外カップ体1の底壁に滴下した第1の処理液は、上記遮蔽壁40の内側に設けられた第1の排出管38を通って排出され、外側に設けられた第2の排出管39に流れることがない。そして、第1の排出管38に排出された第1の処理液は、回収されて再使用されることになる。
Therefore, the first treatment liquid dropped from the
第1の処理液で基板Wを処理する際、内カップ体21内には第2の排出管39、この第2の排出管39が接続された気液分離装置52、この気液分離装置52に接続された排気管53を介してこの排気管53に接続された図示しない排気ブロアの吸引力が作用する。
When processing the substrate W with the first processing liquid, the
それによって、内カップ体21内に供給された第1の処理液が上記第1の排出管38から排出されると同時に、内カップ体21内の雰囲気が第2の排出管39の開口面に対向するガイドリング37の傾斜部37aにガイドされて上記第2の排出管39から排出される。内カップ体21内の雰囲気にはミスト状となった第1の処理液が含まれるから、その雰囲気が内カップ体21内に残留すると、第1の処理液が内カップ体21内に付着し、基板Wを第2の処理液で洗浄処理するときに基板Wに転移して汚れの原因になることがある。
As a result, the first processing liquid supplied into the
しかしながら、この実施の形態では内カップ体21内の雰囲気は第2の排出管39を通じて気液分離装置52に吸引される。そのため、ミスト状の第1の処理液を含む内カップ体21内の雰囲気が確実に排出されるから、第1の処理液が内カップ体21に付着残留するのを防止することができる。
However, in this embodiment, the atmosphere in the
このようにして、第1の処理液による基板Wの処理が終了したならば、第1の処理液の供給を停止し、内カップ体21を図2と図5に示す下降位置に下降させる。ついで、回転テーブル11の回転速度を上昇させる。つまり、基板Wを第1の処理液で処理する場合に比べて上記回転テーブル11の回転速度を高くする。
Thus, when the processing of the substrate W by the first processing liquid is completed, the supply of the first processing liquid is stopped, and the
回転テーブル11の回転速度を上昇させたならば、第2のノズル体45から基板Wの中央部分に純水からなる第2の処理液を供給する。基板Wに供給された第2の処理液は、基板Wの上面を洗浄してその周辺部から外方に向かって飛散する。
When the rotation speed of the
基板Wから飛散した第2の処理液は内カップ体21が回転テーブル11よりも低い下降位置まで下降しているので、内カップ体21に衝突することなく、外カップ体1の内周面に向かって飛散する。
The second processing liquid splashed from the substrate W is lowered to the lower position where the
なお、外カップ体1の内周面まで飛散せずに落下する第2の処理液は遮蔽板47上に落下し、この遮蔽板47の周辺部から外カップ体1の内周面へ飛散する。つまり、第2の処理液は内カップ体21内に落下することはない。
The second treatment liquid that falls without splashing to the inner peripheral surface of the
外カップ体1の内周面には上下方向に所定間隔で積層された4枚の第1の反射板6が設けられている。回転テーブル11に保持された基板Wの高さは、最下段の第1の反射板6の上端よりも高く、上から3枚目の第1の反射板6よりも低い位置にある。
Four first reflecting
そのため、基板Wから飛散する第2の処理液のうち、図5に矢印Aで示す水平方向に向かって飛散した第2の処理液は上から3枚目の第1の反射板6の下面に衝突し、下方に向かって反射する。なお、遮蔽板47から飛散する第2の処理液は最下段の第1の反射板6の下面に衝突して下方に反射する。
Therefore, among the second processing liquid scattered from the substrate W, the second processing liquid scattered in the horizontal direction indicated by the arrow A in FIG. 5 is applied to the lower surface of the third first reflecting
基板Wから飛散した第2の処理液が基板Wを保持した係合ピン15に衝突した場合などには飛散方向が同図に矢印Bで示すように上方に向かうことがある。その場合、第2の処理液は4枚の第1の反射板6のうちの、最上段及び上から2枚目の第1の反射板6などの下面に衝突して下方に向かって反射する。さらに、最上段の第1の反射板6よりも高い方向に向かって飛散した第2の処理液は外カップ体1の周壁1aの上端に設けられた上部傾斜壁2の下面に衝突し、下方に向かって反射する。
When the second processing liquid scattered from the substrate W collides with the engaging
したがって、基板Wを第2の処理液で洗浄処理する場合、第1の処理液で処理する場合に比べて基板Wの回転速度が速くなるため、第2の処理液が上方に向かって飛散することが多くなるが、そのような場合であっても、第2の処理液は第1の反射板6や上部傾斜壁2によって下方に向かって反射し、基板Wに向かって反射するということがない。そのため、基板Wから飛散した第2の処理液が再び基板Wに付着して汚染の原因になるということがない。
Accordingly, when the substrate W is cleaned with the second processing liquid, the rotation speed of the substrate W is faster than when the substrate W is processed with the first processing liquid, and thus the second processing liquid scatters upward. Even in such a case, the second processing liquid is reflected downward by the
第2の処理液が最上段の第1の反射板6の下面に衝突せずに、その第1の反射板6の先端に衝突した場合などには下方に向かって反射せず、図5に矢印Cで示すように上方に向かって反射し、上部傾斜壁2の下面に衝突するということがある。そのような場合、第2の処理液は上部傾斜壁2の下面で反射し、垂直壁3の内面に衝突して下方に滴下する。したがって、そのような場合であっても、第2の処理液が基板Wへ戻るのを防止することができる。
Without colliding with the lower surface of the first reflecting
第1の反射板6で下方に向かって反射した第2の処理液は、回転テーブル11の回転によって付与された遠心力で第1の反射板6の上面に沿って周方向に流れながら、ガイド板55の内面にガイドされて外カップ体1の四隅部に設けられた第3の排出管51に向かって飛散する。それによって、第2の処理液は上記外カップ体1内の雰囲気とともに上記第3の排出管51に吸引排出される。
The second processing liquid reflected downward by the first reflecting
最下段の第1の反射板6で下方に向かって反射したり、各第1の反射板6の径方向外方からガイドリング37の傾斜部37aの上面に落下した第2の処理液は、上記傾斜部37aの傾斜方向下端に向かって流れる。
The second treatment liquid that is reflected downward by the lowermost first reflecting
上記傾斜部37aの下端には切り欠き部37bが形成されている。そのため、傾斜部37aに沿って流れた第2の処理液は上記切り欠き部37bを通って第2の排出管39に吸引排出される。その際、第2の排出管39と第1の排出管38との間には遮蔽壁40が設けられているから、第2の処理液が第1の排出管38へ流れるのが阻止される。
A
つまり、第2の処理液は、第1の処理液と異なる経路を通って排出されるため、第1の処理液に混合するということがない。そのため、第1の処理液を第2の処理液から確実に分離して回収できるから、第1の処理液を繰り返して使用することが可能となる。 That is, since the second processing liquid is discharged through a different path from the first processing liquid, it is not mixed with the first processing liquid. Therefore, since the first processing liquid can be reliably separated from the second processing liquid and collected, the first processing liquid can be used repeatedly.
このように、上記構成のスピン処理装置によれば、内カップ体21を上昇させて基板Wを第1の処理液で処理するときと、内カップ21を下降させて基板Wを第2の処理液で処理するときのいずれの場合であっても、基板Wから第1、第2の処理液が水平方向或いは水平よりも上方に向かって飛散しても、その飛散方向に係らず、第1、第2の処理液を下方に向かって反射させて回収することができる。
As described above, according to the spin processing apparatus configured as described above, when the
そのため、基板Wから飛散した第1、第2の処理液が内カップ体21や外カップ体1の内周面で反射して回転テーブル11に保持された基板Wに戻ってくるのを防止できるから、基板Wから飛散した第1、第2の処理液が基板Wに付着して汚染の原因になるということがない。
Therefore, it is possible to prevent the first and second processing liquids scattered from the substrate W from being reflected on the inner peripheral surface of the
しかも、第1の処理液と第2の処理液とを、第1の排出管38と第2の排出管39とによって確実に分離回収することができるから、高価な第1の処理液を繰り返して使用することが可能となる。
In addition, since the first treatment liquid and the second treatment liquid can be reliably separated and recovered by the
さらに、第2の排出管39によって内カップ体21内の雰囲気を排出することができるから、基板Wを第1の処理液で処理したときに、ミスト状となって内カップ体21内に浮遊する第1の処理液が内カップ体21に付着残留することがない。そのため、基板Wを第1の処理液で処理した後、第2の処理液によって洗浄処理するとき、基板Wが第1の処理液によって汚染されることがないから、第2の処理液による基板の洗浄処理を確実に行なうことができる。
Furthermore, since the atmosphere in the
上記一実施の形態では基板として液晶表示装置に用いられる矩形状のガラス基板を例に挙げて説明したが、基板がガラス基板でなく、半導体ウエハの場合であってもこの発明のスピン処理装置を適用することが可能である。 In the above embodiment, the rectangular glass substrate used in the liquid crystal display device is described as an example of the substrate, but the spin processing apparatus of the present invention is used even when the substrate is not a glass substrate but a semiconductor wafer. It is possible to apply.
1…外カップ体、2…上部傾斜壁、6…第1の反射板(第1の反射手段)、11…回転テーブル、17…制御モータ、27…上下駆動機構(上下駆動手段)、21…内カップ体、25…第2の反射板(第1の反射部)、38…第1の排出管(第2の排出部)、39…第2の排出管(第1の排出部)。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
外カップ体と、
この外カップ体内に設けられ、基部、この基部の周方向に設けられ前記基板を支持する複数本のアーム、この各アームと一体に設けられ、外形寸法が後記内カップ体に設けられる後記第2の反射手段の内径寸法より小さな円盤状の遮蔽板を有し、上記基板を上記アームで保持した状態で回転駆動手段によって回転駆動される回転テーブルと、
上記外カップ体内に設けられ上端が上記回転テーブルに保持される上記基板よりも低い下降位置と上端が上記回転テーブルに保持された上記基板よりも高い上昇位置との間で上下駆動手段によって上下駆動可能に設けられた内カップ体と、
上記外カップ体の内周部に設けられ上記内カップ体が下降位置の状態で上記基板を回転させて上記第2の処理液で処理するときに上記基板の周辺部から飛散する上記第2の処理液を下方へ反射させる第1の反射手段と、
上記内カップ体の内周部に設けられこの内カップ体が上昇位置の状態で上記基板を回転させて上記第1の処理液で処理するときに上記基板の周辺部から飛散する上記第1の処理液を下方へ反射させる第2の反射手段と
を具備したことを特徴とする基板のスピン処理装置。 A spin processing apparatus for processing with a first processing liquid and a second processing liquid while rotating a rectangular substrate,
An outer cup body,
A second part provided in the outer cup body, a base part, a plurality of arms provided in the circumferential direction of the base part to support the substrate, and provided integrally with each arm, and the outer dimensions are provided in the inner cup body, which will be described later. A rotating table that has a disk-shaped shielding plate smaller than the inner diameter of the reflecting means, and is rotated by the rotation driving means in a state where the substrate is held by the arm ;
Up and down driving is performed by a vertical driving means between a descending position lower than the substrate, the upper end of which is provided in the outer cup body, and the upper end is held by the rotary table, and the upper end of the upper cup is held by the rotary table. An inner cup body provided as possible,
The second cup that is provided on the inner peripheral portion of the outer cup body and scatters from the peripheral portion of the substrate when the substrate is rotated and processed with the second processing liquid in a state where the inner cup body is in the lowered position. First reflecting means for reflecting the treatment liquid downward;
The first cup which is provided on the inner peripheral portion of the inner cup body and is scattered from the peripheral portion of the substrate when the inner cup body is rotated and the substrate is rotated and processed with the first processing liquid. A substrate spin processing apparatus comprising: a second reflecting means for reflecting the processing liquid downward.
上記内カップ体が上昇位置で上記基板を上記第1の処理液によって処理するときに上記内カップ体内の雰囲気が上記排出手段の吸引力によって上記第1の排出部を通じて排出されるようガイドするガイド手段と
を具備したことを特徴とする請求項3記載の基板のスピン処理装置。 Discharging means for sucking and discharging the second processing liquid in the outer cup body through the first discharging portion when the substrate is processed with the second processing liquid at the lowered position of the inner cup body;
A guide for guiding the atmosphere in the inner cup body to be discharged through the first discharge portion by the suction force of the discharge means when the substrate is processed by the first processing liquid at the raised position of the inner cup body. The substrate spin processing apparatus according to claim 3, further comprising: means.
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