JP4794599B2 - Plating equipment - Google Patents
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- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 139
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 107
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 24
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 38
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 6
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 230000001684 chronic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/002—Cell separation, e.g. membranes, diaphragms
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode
- C25D17/12—Shape or form
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- Materials Engineering (AREA)
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Description
本発明はメッキ装置に関する。より詳細には、電解メッキの際に、均一なメッキ厚さが得られるメッキ装置に関する。 The present invention relates to a plating apparatus. More specifically, the present invention relates to a plating apparatus capable of obtaining a uniform plating thickness during electrolytic plating.
電解メッキは、金属性の飾りや表面保護に用いられるだけでなく、電子部品、印刷回路基板、及び半導体素子の回路形成など多様な分野で用いられている。 Electrolytic plating is used not only for metallic decorations and surface protection, but also in various fields such as circuit formation of electronic components, printed circuit boards, and semiconductor elements.
電解メッキは、メッキしようとする被メッキ体をメッキ液中に投入して、被メッキ体をカソード(cathode)とし、電着(electrodeposition)しようとする金属をアノード(anode)として電気を通電して、所望する金属イオンを被メッキ体の表面に析出させることによりメッキ膜を形成する。被メッキ体が伝導性を有する場合には被メッキ体を直接カソードにしてメッキすることが可能であるが、回路基板のように絶縁材からなる場合には絶縁材に無電解化学メッキを通して電解メッキの電極になるシード層を形成し、これを電極にして電解メッキを行うことによりメッキ膜を形成する。 In electroplating, an object to be plated is put into a plating solution, and the object to be plated is used as a cathode, and a metal to be electrodeposition is used as an anode to supply electricity. Then, a desired metal ion is deposited on the surface of the object to be plated to form a plating film. If the object to be plated has conductivity, it is possible to plate the object to be plated directly as a cathode. However, if the object to be plated is made of an insulating material such as a circuit board, electrolytic plating is performed on the insulating material through electroless chemical plating. A plating layer is formed by forming a seed layer to be an electrode and performing electrolytic plating using the seed layer as an electrode.
図5は、従来技術に係るメッキ装置を示す平面図であり、図6は、従来技術に係るメッキ装置の使用状態図である。図5及び図6を参照すると、各基板108の一面が線形に配列され投入された複数の基板108にメッキを行う場合、線形に配列された複数の基板108を固定させるジグ106(jig)をメッキ槽102の中央に配置し、線形に配列された基板108の両面それぞれと対向してアノード104を線形に配置して基板108をメッキする。この場合、基板108のメッキ面に電着しようとする金属がアノード104となり、基板108がカソードとなる。基板108が伝導性の金属からなる場合には直接カソードとして用いることができるが、絶縁性の基板108である場合には予め基板108のメッキ面に電解メッキの電極になる伝導性のシード層を形成して、これをカソードとして用いる。
FIG. 5 is a plan view showing a plating apparatus according to the prior art, and FIG. 6 is a use state diagram of the plating apparatus according to the prior art. Referring to FIGS. 5 and 6, when plating is performed on a plurality of
しかしながら、従来技術に係るメッキ装置は、図6に示すように、線形に配列された複数の基板108を一括でメッキ槽102に投入して多量の基板108を同時にメッキする場合、アノード104も基板108の配列に対応して線形に配列されるため、アノード104から遊離された金属イオン110が、そのアノードに隣接したアノード104と対向している基板108に影響を与えて基板設計時のメッキ厚さとは異なる厚さを有することになって、メッキ偏差が発生するという問題点がある。
However, in the plating apparatus according to the prior art, as shown in FIG. 6, when a large number of
特に、基板108の端部にはメッキ電流が集中されやすいため、アノード104から遊離された金属イオン110が、そのアノードに隣接したアノード104と対向している基板108の端部に集中的に電着されて、メッキ偏差が大きく発生し、均一なメッキ厚さを得ることができないという問題点がある。
In particular, since the plating current tends to be concentrated on the end portion of the
このようなメッキ偏差は回路基板の電気的特性を悪化させたり、ソルダボール(solder ball)などが分離されるなどの慢性的な不良を誘発し、特に、最近では電子部品の小型化、高集積化に伴い、回路基板にて微細回路が要されているが、このようなメッキ偏差により精緻な回路基板の製作が困難であるという問題点がある。 Such plating deviations cause chronic defects such as deterioration of circuit board electrical characteristics and separation of solder balls, etc. Recently, electronic components have recently become smaller and highly integrated. As the circuit board becomes finer, a fine circuit is required in the circuit board. However, there is a problem that it is difficult to manufacture a precise circuit board due to such a plating deviation.
こうした従来技術の問題点に鑑み、本発明は、複数の基板を一括でメッキする場合、各基板が独立したメッキ処理領域にてメッキされるようにすることで、アノードから遊離された金属イオンが、そのアノードに隣接したアノードと対向している基板に到達することを防止できるようになって、均一なメッキ厚さを得ることができるメッキ装置を提供することを目的とする。 In view of the problems of the prior art, when the present invention is to collectively plate a plurality of substrates, the metal ions released from the anode are made to be plated in an independent plating region. It is an object of the present invention to provide a plating apparatus that can prevent reaching a substrate facing the anode adjacent to the anode and obtain a uniform plating thickness.
本発明の一実施形態によれば、複数の基板を一括でメッキする装置において、複数の基板が投入されるメッキ槽と、複数の基板のメッキ面それぞれと対向するように結合されるアノードと、複数の基板がそれぞれ隔離されるようにメッキ槽を区画する分離隔壁と、を含むメッキ装置が提供される。 According to an embodiment of the present invention, in an apparatus for collectively plating a plurality of substrates, a plating tank into which the plurality of substrates are placed, an anode coupled to face each of the plating surfaces of the plurality of substrates, There is provided a plating apparatus including a separation partition that partitions a plating tank so that a plurality of substrates are isolated from each other.
一方、アノードの両側に隣接して結合されるマグネットをさらに含むことができる。また、アノードと、アノードと対向する基板との間に介在され、基板の対向面に開口部が形成された遮蔽板をさらに含むことができる。複数の基板の一面が対向するように並列に投入される場合、分離隔壁は隣接している基板間に位置することができる。また、分離隔壁は絶縁物質からなってもよい。 Meanwhile, it may further include a magnet coupled adjacent to both sides of the anode. In addition, it may further include a shielding plate interposed between the anode and the substrate facing the anode and having an opening formed on the facing surface of the substrate. In the case where the plurality of substrates are placed in parallel so that the surfaces of the substrates face each other, the separation partition walls can be positioned between adjacent substrates. Further, the separation partition wall may be made of an insulating material.
アノードはメッキ金属が投入されるアノードバスケットを含むことができる。この場合、メッキ金属は銅、ニッケル、錫、銀、白金、金、及び亜鉛からなる群より選ばれる少なくとも一つ以上を含むことができる。また、アノードは、基板の両面それぞれと対向するように位置することができる。 The anode can include an anode basket into which the plating metal is charged. In this case, the plating metal can include at least one selected from the group consisting of copper, nickel, tin, silver, platinum, gold, and zinc. In addition, the anode can be positioned so as to face both surfaces of the substrate.
複数の基板がそれぞれ独立したメッキ処理領域にてメッキされるようにすることで、アノードから遊離された金属イオンが、そのアノードに隣接したアノードと対向している基板に到達することを防止できるようになって、均一なメッキ厚さが得られ、メッキの信頼性が向上され、高品質のメッキ製品を生産することができる。 By plating a plurality of substrates in independent plating regions, metal ions released from the anode can be prevented from reaching the substrate facing the anode adjacent to the anode. Thus, a uniform plating thickness is obtained, the reliability of plating is improved, and a high-quality plated product can be produced.
本発明は多様な変換を加えることができ、様々な実施形態を有することができるため、特定の実施形態を図面に例示し、詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の実施形態に限定するものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるあらゆる変換、均等物及び代替物を含むものとして理解されるべきである。本発明を説明するに当たって、かかる公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨をかえって不明にすると判断される場合、その詳細な説明を省略する。 Since the present invention can be modified in various ways and have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail. However, this is not to be construed as limiting the invention to the specific embodiments, but is to be understood as including all transformations, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. In describing the present invention, when it is determined that the specific description of the known technology is not clear, the detailed description thereof will be omitted.
本願で用いた用語は、ただ特定の実施形態を説明するために用いたものであって、本発明を限定するものではない。単数の表現は、文の中で明らかに表現しない限り、複数の表現を含む。本願において、「含む」または「有する」などの用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせたものの存在を指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除するものではないと理解しなければならない。 The terms used in the present application are merely used to describe particular embodiments, and are not intended to limit the present invention. A singular expression includes the plural expression unless it is explicitly expressed in a sentence. In this application, terms such as “comprising” or “having” specify the presence of a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof as described in the specification, It should be understood that this does not pre-exclude the existence or additionality of one or more other features or numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof.
以下、添付した図面を参照して本発明に係る好ましい実施形態を詳細に説明するが、添付図面を参照して説明することにおいて、同一かつ対応する構成要素は同一の参照番号を付し、これに対する重複説明は省略する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description with reference to the accompanying drawings, the same and corresponding components are denoted by the same reference numerals. The duplicate explanation for is omitted.
図1は、本発明の一実施形態によるメッキ装置を示す斜視図であり、図2は、本発明の一実施形態によるメッキ装置を示す平面図であり、図3は、本発明の一実施形態によるメッキ装置の使用状態図である。図1〜図3を参照すると、メッキ槽12、アノードバスケット14、メッキ金属16、アノード18、金属イオン19、分離隔壁20、開口部22、遮蔽板24、ジグ26、基板28が示されている。
1 is a perspective view illustrating a plating apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view illustrating a plating apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an embodiment of the present invention. It is a use condition figure of the plating apparatus by. 1-3, the
本実施形態に係るメッキ装置は、複数の基板28を一括でメッキする装置であって、複数の基板28が投入されるメッキ槽12と、複数の基板28のメッキ面それぞれと対向するように結合されるアノード18と、複数の基板28がそれぞれ隔離されるようにメッキ槽12を区画する分離隔壁20と、を含み、複数の基板28のそれぞれが独立されたメッキ処理領域にてメッキされるようにすることで、アノード18から遊離された金属イオン19が、そのアノードに隣接したアノード18と対向している基板28に到達することを防止できるようになって、均一なメッキ厚さが得られ、メッキの信頼性が向上され、高品質のメッキ製品を生産することができる。
The plating apparatus according to this embodiment is an apparatus for collectively plating a plurality of
メッキ槽12には、メッキに必要なメッキ液が収容され、複数の基板28を共に投入できる大きさを有する。ここで、基板28とは、回路が形成される絶縁体だけでなく、その他、亜鉛メッキが行われる鋼板、シリコーンウェハなど板形態の被メッキ体を意味する。
The
メッキ槽12は、メッキ液を噴射するノズル(図示せず)を含むことができ、ノズルから噴射されるメッキ液によりメッキ液が撹拌されて停滞しないようにすることができる。また、メッキ液をメッキ槽12からオーバーフロー(over flow)させたり、サクション(suction)により流出させたりして、再循環されるようにすることができる。
The
アノード18は、複数の基板28それぞれと対向するように結合され、アノード18のメッキ金属16から遊離された金属イオン19が容易にカソードの基板28に電着されるようにする。アノード18はアノードバスケット(anode basket)14とアノードバスケット14に投入されるメッキ金属16からなることができる。アノードバスケット14は多孔性の網形態になっており、メッキ金属16から遊離された金属イオン19が容易に流出されるようにする。メッキ金属16はボール(ball)形態に製作され、アノードバスケット14に投入されることができる。メッキ金属16は基板28に電着しようとする金属であって、メッキ金属16は純金属だけでなく、合金も可能である。メッキ金属16は、銅、ニッケル、錫、銀、白金、金、及び亜鉛からなる群より選ばれる少なくとも一つ以上を含むことができる。銅、ニッケル、錫、銀、白金、金、及び亜鉛のそれぞれをメッキ金属16としてメッキすることも可能であり、これら合金をメッキ金属16とすることも可能である。例えば、基板28に銅(Cu)を用いて回路を形成しようとする場合、銅ボール(ball)をメッキ金属16として用いることができる。その他、鋼板に亜鉛をメッキしようとする場合、亜鉛をメッキ金属16として用いることができる。また、銅と亜鉛との合金である黄銅をメッキ金属16として用いることもできる。
The
一方、基板28の両面を一つのメッキ槽12にて同時にメッキしようとする場合、図4に示すように、アノード18は基板28の両面それぞれと対向して位置することができる。
On the other hand, when both surfaces of the
アノード18とカソードとを整流器(rectifier)に連結して電気を通電すると、メッキ金属16が電気分解されて、アノード18のメッキ金属16の金属イオン19がメッキ液に遊離され、電子は整流器を通してカソードに移動する。メッキ液に遊離された金属イオン19は、移動されてきた電子とカソードの基板28の表面にて結合してメッキされることになる。
When electricity is applied by connecting the
分離隔壁20は、複数の基板28が各々隔離されるようにメッキ槽12を区画する。各基板28には、それに対応するアノード18が具備されており、アノード18からはそれと対向している基板28をメッキするための金属イオン19が遊離される。しかし、従来のように、各アノード18及び各基板28が互いに隣接している場合には、アノード18から遊離された金属イオン19が、そのアノードに隣接したアノード18と対向している基板28に影響を与えてメッキ偏差を起こすおそれがある。特に、基板28の端部にはメッキ電流の集中が生じやすいため、アノード18から遊離された金属イオン19が、そのアノードに隣接したアノード18と対向している基板28の端部に集中的に電着されてメッキ偏差が大きく発生することになり、均一なメッキ厚さを得ることができない。
The
したがって、本実施形態によれば、各基板28が独立したメッキ処理領域にてメッキされるように複数の基板28の各々を隔離して、他の基板28のメッキのために存在するアノード18から遊離された金属イオン19の到達を防止することにより、基板28が均一なメッキ厚さを有する。すなわち、複数の基板28のそれぞれは、それと対向しているアノード18に対応され、各基板28に対応しているアノード18から遊離された金属イオン19が、対向している基板28に電着されることになり、設計時の均一なメッキ厚さを得ることができるようになる。
Therefore, according to the present embodiment, each of the plurality of
図2に示すように、複数の基板28が、一面が対向するように並列に投入される場合、分離隔壁20は隣接している基板28間に位置することができる。
As shown in FIG. 2, when a plurality of
また、分離隔壁20は、各基板28がメッキ処理領域にて独立的にメッキされるように隔離するか、図2に示すように、メッキ槽12内で基板28のメッキ処理領域間をメッキ液が移動できるように、メッキ槽12の両壁面から一定距離離隔して設置されることができる。
Further, the
すなわち、複数の基板28のそれぞれを隔離するということは、メッキ液が移動されないように各基板28を独立的に完全に隔離するか、またはメッキ槽12内でメッキ液の流動が可能となるように隔離して各基板28のメッキ処理領域を区画することの意味である。
That is, isolating each of the plurality of
一方、図2に示すように、メッキ槽12内でメッキ液が流動されるように分離隔壁20を設置するということは、各基板28のメッキ処理領域の間に金属イオン19の移動が全くないという意味ではない。各基板28のメッキ処理領域の間に、分離隔壁20により各基板28を完全に独立的に隔離してメッキ液が移動できないようにしてメッキを行わない限り、金属イオン19はメッキ液に遊離されて拡散されるため、金属イオン19の到達を完全に排除することはできない。
On the other hand, as shown in FIG. 2, the
したがって、メッキ処理領域とは、一つのメッキ処理領域のアノード18から遊離された金属イオン19が他のメッキ処理領域に移動することを最小化して、他のメッキ処理領域の基板28のメッキ厚さに偏差が発生しない程度にメッキされる領域を意味する。
Accordingly, the plating region minimizes the movement of the
本実施形態ではメッキ槽12内でのメッキ液の流動が可能になるように、メッキ槽12の両壁面から一定距離離隔して分離隔壁20を設置した。
In the present embodiment, the
図3には、分離隔壁20を設置した場合、アノード18から遊離された金属イオン19が基板28に電着されることが示されている。図3を参照すると、各メッキ処理領域のアノード18から遊離された大部分の金属イオン19が分離隔壁20のため、隣接しているメッキ処理領域の基板28に到達されなく、各アノード18と対向している基板28に有効に到達されて基板28のメッキ厚さが均一に形成されたことが分かる。
FIG. 3 shows that the
分離隔壁20は絶縁物質からなってもよい。分離隔壁20が伝導性の金属材質からなる場合、通電によりメッキに影響を与えるおそれがあるため、分離隔壁20は電気伝導性のない絶縁物質を用いることがよい。
The
遮蔽板24は、アノード18と、アノード18と対向する基板28との間に介在され、基板28と対向する面に開口部22が形成される。前述したように、基板28の端部にはメッキ電流の集中が生じやすいため、アノード18から遊離された金属イオン19が基板28の端部に集中的に電着されて、均一なメッキ厚さを得ることができなくなる。したがって、開口部22が形成された遮蔽板24をアノード18とそれと対向する基板28との間に設置して、アノード18から遊離された金属イオン19が基板28の端部に集中されることを緩和させることにより、メッキ厚さを均一にすることができる。すなわち、アノード18から遊離された金属イオン19が開口部22を通してカソードである基板28に到逹するので、開口部22の大きさを調節して基板28の端部に金属イオン19が集中的に到逹することを阻むことにより、均一なメッキ厚さを得ることができる。
The shielding
ジグ26(jig)は、製造上、基板28の運搬の便宜性を考慮して複数の基板28を載置して複数の基板28を容易に運搬できるようにする。ジグ26が伝導性の物質からなり、基板28と電気的に接続されていれば、ジグ26に陰極を接続してこれをカソードにすることができる。
In consideration of convenience of transportation of the
図4は、本発明の他の実施形態によるメッキ装置を示す平面図である。図4を参照すると、メッキ槽12、アノード18、分離隔壁20、開口部22、遮蔽板24、基板28、マグネット30が示されている。
FIG. 4 is a plan view showing a plating apparatus according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, the
本実施形態は、各メッキ処理領域のアノード18から遊離された金属イオン19が他のメッキ処理領域に移動されることを防止して、アノード18から遊離された金属イオン19がそれと対向している基板28に誘導されるようにすることにより、メッキ厚さを均一にすることを特徴とする。
In this embodiment, the
ここでは、前述した一実施形態と同じ構成要素に対してはその重複説明を省略し、一実施形態と異なる構成要素を中心にして説明する。 Here, the description of the same components as those of the above-described embodiment will be omitted, and components different from those of the embodiment will be mainly described.
本実施形態は、アノード18の両側に隣接してマグネット30を結合させることにより、マグネット30の磁場によりアノード18から遊離された金属イオン19が拡散されることが防止され、かつ、それと対向している基板28に金属イオン19を誘導させて、カソードである基板28周辺の金属イオン19の濃度を一定に維持することにより、メッキ厚さを均一にすることができる。
In the present embodiment, the
アノード18から遊離された金属イオン19は、整流器を通してカソードに移動してきた電子と結合するために、アノード18と対向している基板28へ移動する。これにより、基板28周辺では金属イオン19の濃度が低下されるため、メッキ速度が低下される。したがって、カソードである基板28の周辺の金属イオン19の濃度を一定した水準に維持させなくては、均一なメッキ厚さを得ることができない。本実施形態では基板28の周辺の金属イオン19の濃度を一定した水準に維持するために、アノード18の両側にマグネット30を結合してマグネット30の磁場を用いてアノード18から流出された金属イオン19が拡散されることを防止し、カソードである基板28の周辺の金属イオン19の濃度を維持するようにする。
The
本実施形態ではアノード18の両側に隣接して永久磁石を結合したが、磁場の形成が可能である電磁石も用いることができることは勿論である。
In this embodiment, permanent magnets are coupled adjacent to both sides of the
前記では、本発明の好ましい実施形態を参照して説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば特許請求の範囲に記載した本発明の思想及び領域から脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更することができることを理解できよう。 The foregoing has been described with reference to the preferred embodiments of the present invention. However, those skilled in the art will appreciate that the present invention is within the scope and spirit of the present invention described in the claims. It will be understood that the invention can be modified and changed in various ways.
12 メッキ槽
14 アノードバスケット
16 メッキ金属
18 アノード
19 金属イオン
20 分離隔壁
22 開口部
24 遮蔽板
26 ジグ
28 基板
30 マグネット
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記複数の基板が投入されるメッキ槽と、
前記複数の基板のメッキ面とそれぞれ対向するように結合されるアノードと、
前記複数の基板がそれぞれ隔離するように前記メッキ槽を区画する分離隔壁と、
前記アノードの両側に隣接して結合されるマグネットと、
を含むことを特徴とするメッキ装置。 In an apparatus for plating multiple substrates at once,
A plating tank into which the plurality of substrates are placed;
An anode coupled to face each of the plating surfaces of the plurality of substrates;
A separating partition that partitions the plating tank so that the plurality of substrates are isolated from each other;
A magnet coupled adjacent to both sides of the anode;
The plating apparatus characterized by including.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070116339A KR20090049953A (en) | 2007-11-14 | 2007-11-14 | Plating equipment |
KR10-2007-0116339 | 2007-11-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009120939A JP2009120939A (en) | 2009-06-04 |
JP4794599B2 true JP4794599B2 (en) | 2011-10-19 |
Family
ID=40813405
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008121811A Expired - Fee Related JP4794599B2 (en) | 2007-11-14 | 2008-05-08 | Plating equipment |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4794599B2 (en) |
KR (1) | KR20090049953A (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102350044B1 (en) * | 2015-03-12 | 2022-01-10 | 에스케이넥실리스 주식회사 | Plating bath and plating device having the same |
KR102080649B1 (en) * | 2019-10-17 | 2020-02-24 | 삼성전기주식회사 | Plating apparatus |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08376Y2 (en) * | 1990-08-15 | 1996-01-10 | 株式会社アルメックス | Plating equipment using insoluble anode |
JPH0444373U (en) * | 1990-08-15 | 1992-04-15 | ||
JPH04107283A (en) * | 1990-08-29 | 1992-04-08 | Fujitsu Ltd | semiconductor manufacturing equipment |
JP3109548B2 (en) * | 1992-07-02 | 2000-11-20 | イビデン株式会社 | Electroplating equipment |
JP4027491B2 (en) * | 1998-03-03 | 2007-12-26 | 株式会社荏原製作所 | Wafer plating method and apparatus |
-
2007
- 2007-11-14 KR KR1020070116339A patent/KR20090049953A/en not_active Application Discontinuation
-
2008
- 2008-05-08 JP JP2008121811A patent/JP4794599B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090049953A (en) | 2009-05-19 |
JP2009120939A (en) | 2009-06-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110420 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110627 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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