[go: up one dir, main page]

JP4794599B2 - Plating equipment - Google Patents

Plating equipment Download PDF

Info

Publication number
JP4794599B2
JP4794599B2 JP2008121811A JP2008121811A JP4794599B2 JP 4794599 B2 JP4794599 B2 JP 4794599B2 JP 2008121811 A JP2008121811 A JP 2008121811A JP 2008121811 A JP2008121811 A JP 2008121811A JP 4794599 B2 JP4794599 B2 JP 4794599B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
anode
substrate
substrates
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008121811A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2009120939A (en
Inventor
達 鉉 柳
昌 煥 崔
龍 石 金
熙 洙 尹
東 成 金
智 ▲詰▼ 安
秀 興 李
宗 秀 兪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electro Mechanics Co Ltd filed Critical Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Publication of JP2009120939A publication Critical patent/JP2009120939A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4794599B2 publication Critical patent/JP4794599B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/002Cell separation, e.g. membranes, diaphragms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/10Electrodes, e.g. composition, counter electrode
    • C25D17/12Shape or form

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Description

本発明はメッキ装置に関する。より詳細には、電解メッキの際に、均一なメッキ厚さが得られるメッキ装置に関する。   The present invention relates to a plating apparatus. More specifically, the present invention relates to a plating apparatus capable of obtaining a uniform plating thickness during electrolytic plating.

電解メッキは、金属性の飾りや表面保護に用いられるだけでなく、電子部品、印刷回路基板、及び半導体素子の回路形成など多様な分野で用いられている。   Electrolytic plating is used not only for metallic decorations and surface protection, but also in various fields such as circuit formation of electronic components, printed circuit boards, and semiconductor elements.

電解メッキは、メッキしようとする被メッキ体をメッキ液中に投入して、被メッキ体をカソード(cathode)とし、電着(electrodeposition)しようとする金属をアノード(anode)として電気を通電して、所望する金属イオンを被メッキ体の表面に析出させることによりメッキ膜を形成する。被メッキ体が伝導性を有する場合には被メッキ体を直接カソードにしてメッキすることが可能であるが、回路基板のように絶縁材からなる場合には絶縁材に無電解化学メッキを通して電解メッキの電極になるシード層を形成し、これを電極にして電解メッキを行うことによりメッキ膜を形成する。   In electroplating, an object to be plated is put into a plating solution, and the object to be plated is used as a cathode, and a metal to be electrodeposition is used as an anode to supply electricity. Then, a desired metal ion is deposited on the surface of the object to be plated to form a plating film. If the object to be plated has conductivity, it is possible to plate the object to be plated directly as a cathode. However, if the object to be plated is made of an insulating material such as a circuit board, electrolytic plating is performed on the insulating material through electroless chemical plating. A plating layer is formed by forming a seed layer to be an electrode and performing electrolytic plating using the seed layer as an electrode.

図5は、従来技術に係るメッキ装置を示す平面図であり、図6は、従来技術に係るメッキ装置の使用状態図である。図5及び図6を参照すると、各基板108の一面が線形に配列され投入された複数の基板108にメッキを行う場合、線形に配列された複数の基板108を固定させるジグ106(jig)をメッキ槽102の中央に配置し、線形に配列された基板108の両面それぞれと対向してアノード104を線形に配置して基板108をメッキする。この場合、基板108のメッキ面に電着しようとする金属がアノード104となり、基板108がカソードとなる。基板108が伝導性の金属からなる場合には直接カソードとして用いることができるが、絶縁性の基板108である場合には予め基板108のメッキ面に電解メッキの電極になる伝導性のシード層を形成して、これをカソードとして用いる。   FIG. 5 is a plan view showing a plating apparatus according to the prior art, and FIG. 6 is a use state diagram of the plating apparatus according to the prior art. Referring to FIGS. 5 and 6, when plating is performed on a plurality of substrates 108 in which one side of each substrate 108 is linearly arranged and inserted, a jig 106 (jig) for fixing the plurality of substrates 108 arranged linearly is used. The substrate 108 is plated by arranging the anode 104 linearly so as to face each of both surfaces of the substrate 108 arranged in the center of the plating tank 102. In this case, the metal to be electrodeposited on the plated surface of the substrate 108 becomes the anode 104, and the substrate 108 becomes the cathode. When the substrate 108 is made of a conductive metal, it can be used directly as a cathode. However, when the substrate 108 is an insulating substrate 108, a conductive seed layer that becomes an electrode for electrolytic plating is previously formed on the plating surface of the substrate 108. Once formed, this is used as the cathode.

しかしながら、従来技術に係るメッキ装置は、図6に示すように、線形に配列された複数の基板108を一括でメッキ槽102に投入して多量の基板108を同時にメッキする場合、アノード104も基板108の配列に対応して線形に配列されるため、アノード104から遊離された金属イオン110が、そのアノードに隣接したアノード104と対向している基板108に影響を与えて基板設計時のメッキ厚さとは異なる厚さを有することになって、メッキ偏差が発生するという問題点がある。   However, in the plating apparatus according to the prior art, as shown in FIG. 6, when a large number of substrates 108 are simultaneously plated by simultaneously putting a plurality of linearly arranged substrates 108 into the plating tank 102, the anode 104 is also a substrate. Since the metal ions 110 released from the anode 104 influence the substrate 108 facing the anode 104 adjacent to the anode, the plating thickness at the time of designing the substrate is arranged. Therefore, there is a problem that a plating deviation occurs.

特に、基板108の端部にはメッキ電流が集中されやすいため、アノード104から遊離された金属イオン110が、そのアノードに隣接したアノード104と対向している基板108の端部に集中的に電着されて、メッキ偏差が大きく発生し、均一なメッキ厚さを得ることができないという問題点がある。   In particular, since the plating current tends to be concentrated on the end portion of the substrate 108, the metal ions 110 released from the anode 104 are concentrated on the end portion of the substrate 108 facing the anode 104 adjacent to the anode. As a result, there is a problem that a large plating deviation occurs and a uniform plating thickness cannot be obtained.

このようなメッキ偏差は回路基板の電気的特性を悪化させたり、ソルダボール(solder ball)などが分離されるなどの慢性的な不良を誘発し、特に、最近では電子部品の小型化、高集積化に伴い、回路基板にて微細回路が要されているが、このようなメッキ偏差により精緻な回路基板の製作が困難であるという問題点がある。   Such plating deviations cause chronic defects such as deterioration of circuit board electrical characteristics and separation of solder balls, etc. Recently, electronic components have recently become smaller and highly integrated. As the circuit board becomes finer, a fine circuit is required in the circuit board. However, there is a problem that it is difficult to manufacture a precise circuit board due to such a plating deviation.

こうした従来技術の問題点に鑑み、本発明は、複数の基板を一括でメッキする場合、各基板が独立したメッキ処理領域にてメッキされるようにすることで、アノードから遊離された金属イオンが、そのアノードに隣接したアノードと対向している基板に到達することを防止できるようになって、均一なメッキ厚さを得ることができるメッキ装置を提供することを目的とする。   In view of the problems of the prior art, when the present invention is to collectively plate a plurality of substrates, the metal ions released from the anode are made to be plated in an independent plating region. It is an object of the present invention to provide a plating apparatus that can prevent reaching a substrate facing the anode adjacent to the anode and obtain a uniform plating thickness.

本発明の一実施形態によれば、複数の基板を一括でメッキする装置において、複数の基板が投入されるメッキ槽と、複数の基板のメッキ面それぞれと対向するように結合されるアノードと、複数の基板がそれぞれ隔離されるようにメッキ槽を区画する分離隔壁と、を含むメッキ装置が提供される。   According to an embodiment of the present invention, in an apparatus for collectively plating a plurality of substrates, a plating tank into which the plurality of substrates are placed, an anode coupled to face each of the plating surfaces of the plurality of substrates, There is provided a plating apparatus including a separation partition that partitions a plating tank so that a plurality of substrates are isolated from each other.

一方、アノードの両側に隣接して結合されるマグネットをさらに含むことができる。また、アノードと、アノードと対向する基板との間に介在され、基板の対向面に開口部が形成された遮蔽板をさらに含むことができる。複数の基板の一面が対向するように並列に投入される場合、分離隔壁は隣接している基板間に位置することができる。また、分離隔壁は絶縁物質からなってもよい。   Meanwhile, it may further include a magnet coupled adjacent to both sides of the anode. In addition, it may further include a shielding plate interposed between the anode and the substrate facing the anode and having an opening formed on the facing surface of the substrate. In the case where the plurality of substrates are placed in parallel so that the surfaces of the substrates face each other, the separation partition walls can be positioned between adjacent substrates. Further, the separation partition wall may be made of an insulating material.

アノードはメッキ金属が投入されるアノードバスケットを含むことができる。この場合、メッキ金属は銅、ニッケル、錫、銀、白金、金、及び亜鉛からなる群より選ばれる少なくとも一つ以上を含むことができる。また、アノードは、基板の両面それぞれと対向するように位置することができる。   The anode can include an anode basket into which the plating metal is charged. In this case, the plating metal can include at least one selected from the group consisting of copper, nickel, tin, silver, platinum, gold, and zinc. In addition, the anode can be positioned so as to face both surfaces of the substrate.

複数の基板がそれぞれ独立したメッキ処理領域にてメッキされるようにすることで、アノードから遊離された金属イオンが、そのアノードに隣接したアノードと対向している基板に到達することを防止できるようになって、均一なメッキ厚さが得られ、メッキの信頼性が向上され、高品質のメッキ製品を生産することができる。   By plating a plurality of substrates in independent plating regions, metal ions released from the anode can be prevented from reaching the substrate facing the anode adjacent to the anode. Thus, a uniform plating thickness is obtained, the reliability of plating is improved, and a high-quality plated product can be produced.

本発明は多様な変換を加えることができ、様々な実施形態を有することができるため、特定の実施形態を図面に例示し、詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の実施形態に限定するものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるあらゆる変換、均等物及び代替物を含むものとして理解されるべきである。本発明を説明するに当たって、かかる公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨をかえって不明にすると判断される場合、その詳細な説明を省略する。   Since the present invention can be modified in various ways and have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail. However, this is not to be construed as limiting the invention to the specific embodiments, but is to be understood as including all transformations, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. In describing the present invention, when it is determined that the specific description of the known technology is not clear, the detailed description thereof will be omitted.

本願で用いた用語は、ただ特定の実施形態を説明するために用いたものであって、本発明を限定するものではない。単数の表現は、文の中で明らかに表現しない限り、複数の表現を含む。本願において、「含む」または「有する」などの用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせたものの存在を指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除するものではないと理解しなければならない。   The terms used in the present application are merely used to describe particular embodiments, and are not intended to limit the present invention. A singular expression includes the plural expression unless it is explicitly expressed in a sentence. In this application, terms such as “comprising” or “having” specify the presence of a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof as described in the specification, It should be understood that this does not pre-exclude the existence or additionality of one or more other features or numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof.

以下、添付した図面を参照して本発明に係る好ましい実施形態を詳細に説明するが、添付図面を参照して説明することにおいて、同一かつ対応する構成要素は同一の参照番号を付し、これに対する重複説明は省略する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description with reference to the accompanying drawings, the same and corresponding components are denoted by the same reference numerals. The duplicate explanation for is omitted.

図1は、本発明の一実施形態によるメッキ装置を示す斜視図であり、図2は、本発明の一実施形態によるメッキ装置を示す平面図であり、図3は、本発明の一実施形態によるメッキ装置の使用状態図である。図1〜図3を参照すると、メッキ槽12、アノードバスケット14、メッキ金属16、アノード18、金属イオン19、分離隔壁20、開口部22、遮蔽板24、ジグ26、基板28が示されている。   1 is a perspective view illustrating a plating apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view illustrating a plating apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an embodiment of the present invention. It is a use condition figure of the plating apparatus by. 1-3, the plating tank 12, the anode basket 14, the plating metal 16, the anode 18, the metal ion 19, the separation partition 20, the opening part 22, the shielding plate 24, the jig 26, and the board | substrate 28 are shown. .

本実施形態に係るメッキ装置は、複数の基板28を一括でメッキする装置であって、複数の基板28が投入されるメッキ槽12と、複数の基板28のメッキ面それぞれと対向するように結合されるアノード18と、複数の基板28がそれぞれ隔離されるようにメッキ槽12を区画する分離隔壁20と、を含み、複数の基板28のそれぞれが独立されたメッキ処理領域にてメッキされるようにすることで、アノード18から遊離された金属イオン19が、そのアノードに隣接したアノード18と対向している基板28に到達することを防止できるようになって、均一なメッキ厚さが得られ、メッキの信頼性が向上され、高品質のメッキ製品を生産することができる。   The plating apparatus according to this embodiment is an apparatus for collectively plating a plurality of substrates 28, and is coupled so that the plating tank 12 into which the plurality of substrates 28 are placed and the plating surfaces of the plurality of substrates 28 face each other. And a separation partition wall 20 that partitions the plating tank 12 so that the plurality of substrates 28 are isolated from each other so that each of the plurality of substrates 28 is plated in an independent plating region. By doing so, it becomes possible to prevent the metal ions 19 released from the anode 18 from reaching the substrate 28 facing the anode 18 adjacent to the anode 18, and a uniform plating thickness can be obtained. The reliability of plating is improved, and high quality plating products can be produced.

メッキ槽12には、メッキに必要なメッキ液が収容され、複数の基板28を共に投入できる大きさを有する。ここで、基板28とは、回路が形成される絶縁体だけでなく、その他、亜鉛メッキが行われる鋼板、シリコーンウェハなど板形態の被メッキ体を意味する。   The plating tank 12 contains a plating solution necessary for plating, and has a size that allows a plurality of substrates 28 to be put together. Here, the board | substrate 28 means not only the insulator in which a circuit is formed but the to-be-plated body of plate forms, such as the steel plate by which galvanization is performed, and a silicone wafer.

メッキ槽12は、メッキ液を噴射するノズル(図示せず)を含むことができ、ノズルから噴射されるメッキ液によりメッキ液が撹拌されて停滞しないようにすることができる。また、メッキ液をメッキ槽12からオーバーフロー(over flow)させたり、サクション(suction)により流出させたりして、再循環されるようにすることができる。   The plating tank 12 can include a nozzle (not shown) for injecting a plating solution, and the plating solution can be prevented from being stagnated by the plating solution being injected from the nozzle. Further, the plating solution can be recirculated by overflowing from the plating tank 12 or flowing out by suction.

アノード18は、複数の基板28それぞれと対向するように結合され、アノード18のメッキ金属16から遊離された金属イオン19が容易にカソードの基板28に電着されるようにする。アノード18はアノードバスケット(anode basket)14とアノードバスケット14に投入されるメッキ金属16からなることができる。アノードバスケット14は多孔性の網形態になっており、メッキ金属16から遊離された金属イオン19が容易に流出されるようにする。メッキ金属16はボール(ball)形態に製作され、アノードバスケット14に投入されることができる。メッキ金属16は基板28に電着しようとする金属であって、メッキ金属16は純金属だけでなく、合金も可能である。メッキ金属16は、銅、ニッケル、錫、銀、白金、金、及び亜鉛からなる群より選ばれる少なくとも一つ以上を含むことができる。銅、ニッケル、錫、銀、白金、金、及び亜鉛のそれぞれをメッキ金属16としてメッキすることも可能であり、これら合金をメッキ金属16とすることも可能である。例えば、基板28に銅(Cu)を用いて回路を形成しようとする場合、銅ボール(ball)をメッキ金属16として用いることができる。その他、鋼板に亜鉛をメッキしようとする場合、亜鉛をメッキ金属16として用いることができる。また、銅と亜鉛との合金である黄銅をメッキ金属16として用いることもできる。   The anode 18 is coupled to face each of the plurality of substrates 28 so that the metal ions 19 released from the plating metal 16 of the anode 18 can be easily electrodeposited onto the cathode substrate 28. The anode 18 may be composed of an anode basket 14 and a plated metal 16 that is put into the anode basket 14. The anode basket 14 is in the form of a porous mesh that allows the metal ions 19 released from the plated metal 16 to easily flow out. The plated metal 16 can be made in the form of a ball and loaded into the anode basket 14. The plated metal 16 is a metal to be electrodeposited on the substrate 28, and the plated metal 16 can be an alloy as well as a pure metal. The plated metal 16 can include at least one selected from the group consisting of copper, nickel, tin, silver, platinum, gold, and zinc. Each of copper, nickel, tin, silver, platinum, gold, and zinc can be plated as the plating metal 16, and these alloys can be used as the plating metal 16. For example, when a circuit is to be formed using copper (Cu) for the substrate 28, a copper ball can be used as the plated metal 16. In addition, when zinc is to be plated on a steel plate, zinc can be used as the plating metal 16. Further, brass which is an alloy of copper and zinc can be used as the plating metal 16.

一方、基板28の両面を一つのメッキ槽12にて同時にメッキしようとする場合、図4に示すように、アノード18は基板28の両面それぞれと対向して位置することができる。   On the other hand, when both surfaces of the substrate 28 are to be plated simultaneously in one plating tank 12, the anode 18 can be positioned opposite to both surfaces of the substrate 28 as shown in FIG.

アノード18とカソードとを整流器(rectifier)に連結して電気を通電すると、メッキ金属16が電気分解されて、アノード18のメッキ金属16の金属イオン19がメッキ液に遊離され、電子は整流器を通してカソードに移動する。メッキ液に遊離された金属イオン19は、移動されてきた電子とカソードの基板28の表面にて結合してメッキされることになる。   When electricity is applied by connecting the anode 18 and the cathode to a rectifier, the plating metal 16 is electrolyzed, the metal ions 19 of the plating metal 16 of the anode 18 are released into the plating solution, and the electrons are passed through the rectifier to the cathode. Move to. The metal ions 19 liberated by the plating solution are combined with the transferred electrons and the surface of the cathode substrate 28 to be plated.

分離隔壁20は、複数の基板28が各々隔離されるようにメッキ槽12を区画する。各基板28には、それに対応するアノード18が具備されており、アノード18からはそれと対向している基板28をメッキするための金属イオン19が遊離される。しかし、従来のように、各アノード18及び各基板28が互いに隣接している場合には、アノード18から遊離された金属イオン19が、そのアノードに隣接したアノード18と対向している基板28に影響を与えてメッキ偏差を起こすおそれがある。特に、基板28の端部にはメッキ電流の集中が生じやすいため、アノード18から遊離された金属イオン19が、そのアノードに隣接したアノード18と対向している基板28の端部に集中的に電着されてメッキ偏差が大きく発生することになり、均一なメッキ厚さを得ることができない。   The separation partition 20 partitions the plating tank 12 so that the plurality of substrates 28 are isolated from each other. Each substrate 28 is provided with a corresponding anode 18, and metal ions 19 for plating the substrate 28 opposed thereto are released from the anode 18. However, when each anode 18 and each substrate 28 are adjacent to each other as in the prior art, the metal ions 19 released from the anode 18 are transferred to the substrate 28 facing the anode 18 adjacent to the anode 18. There is a risk of causing plating deviations. In particular, since the plating current tends to concentrate at the end of the substrate 28, the metal ions 19 released from the anode 18 are concentrated on the end of the substrate 28 facing the anode 18 adjacent to the anode. Electrodeposition causes a large plating deviation, and a uniform plating thickness cannot be obtained.

したがって、本実施形態によれば、各基板28が独立したメッキ処理領域にてメッキされるように複数の基板28の各々を隔離して、他の基板28のメッキのために存在するアノード18から遊離された金属イオン19の到達を防止することにより、基板28が均一なメッキ厚さを有する。すなわち、複数の基板28のそれぞれは、それと対向しているアノード18に対応され、各基板28に対応しているアノード18から遊離された金属イオン19が、対向している基板28に電着されることになり、設計時の均一なメッキ厚さを得ることができるようになる。   Therefore, according to the present embodiment, each of the plurality of substrates 28 is isolated so that each substrate 28 is plated in an independent plating region, and from the anode 18 that exists for plating of the other substrate 28. By preventing the liberated metal ions 19 from reaching, the substrate 28 has a uniform plating thickness. That is, each of the plurality of substrates 28 corresponds to the anode 18 facing it, and the metal ions 19 released from the anode 18 corresponding to each substrate 28 are electrodeposited on the facing substrate 28. Therefore, a uniform plating thickness at the time of design can be obtained.

図2に示すように、複数の基板28が、一面が対向するように並列に投入される場合、分離隔壁20は隣接している基板28間に位置することができる。   As shown in FIG. 2, when a plurality of substrates 28 are input in parallel so that one surface faces each other, the separation partition wall 20 can be positioned between adjacent substrates 28.

また、分離隔壁20は、各基板28がメッキ処理領域にて独立的にメッキされるように隔離するか、図2に示すように、メッキ槽12内で基板28のメッキ処理領域間をメッキ液が移動できるように、メッキ槽12の両壁面から一定距離離隔して設置されることができる。   Further, the separation partition wall 20 is isolated so that each substrate 28 is plated independently in the plating processing region, or as shown in FIG. 2, a plating solution is provided between the plating processing regions of the substrate 28 in the plating tank 12. Can be moved away from both wall surfaces of the plating tank 12 by a certain distance.

すなわち、複数の基板28のそれぞれを隔離するということは、メッキ液が移動されないように各基板28を独立的に完全に隔離するか、またはメッキ槽12内でメッキ液の流動が可能となるように隔離して各基板28のメッキ処理領域を区画することの意味である。   That is, isolating each of the plurality of substrates 28 means that each substrate 28 is completely isolated independently so that the plating solution is not moved, or the plating solution can flow in the plating tank 12. This means that the plating region of each substrate 28 is partitioned in isolation.

一方、図2に示すように、メッキ槽12内でメッキ液が流動されるように分離隔壁20を設置するということは、各基板28のメッキ処理領域の間に金属イオン19の移動が全くないという意味ではない。各基板28のメッキ処理領域の間に、分離隔壁20により各基板28を完全に独立的に隔離してメッキ液が移動できないようにしてメッキを行わない限り、金属イオン19はメッキ液に遊離されて拡散されるため、金属イオン19の到達を完全に排除することはできない。   On the other hand, as shown in FIG. 2, the separation partition 20 is installed so that the plating solution flows in the plating tank 12, so that there is no movement of the metal ions 19 between the plating regions of each substrate 28. It does not mean that. The metal ions 19 are liberated by the plating solution unless plating is performed so that the plating solution cannot move by separating the substrates 28 completely and independently by the separating partition 20 between the plating regions of each substrate 28. Therefore, the arrival of the metal ions 19 cannot be completely eliminated.

したがって、メッキ処理領域とは、一つのメッキ処理領域のアノード18から遊離された金属イオン19が他のメッキ処理領域に移動することを最小化して、他のメッキ処理領域の基板28のメッキ厚さに偏差が発生しない程度にメッキされる領域を意味する。   Accordingly, the plating region minimizes the movement of the metal ions 19 released from the anode 18 in one plating region to another plating region, and the plating thickness of the substrate 28 in the other plating region. This means a region plated to such an extent that no deviation occurs.

本実施形態ではメッキ槽12内でのメッキ液の流動が可能になるように、メッキ槽12の両壁面から一定距離離隔して分離隔壁20を設置した。   In the present embodiment, the separation partition wall 20 is installed at a certain distance from both wall surfaces of the plating tank 12 so that the plating solution can flow in the plating tank 12.

図3には、分離隔壁20を設置した場合、アノード18から遊離された金属イオン19が基板28に電着されることが示されている。図3を参照すると、各メッキ処理領域のアノード18から遊離された大部分の金属イオン19が分離隔壁20のため、隣接しているメッキ処理領域の基板28に到達されなく、各アノード18と対向している基板28に有効に到達されて基板28のメッキ厚さが均一に形成されたことが分かる。   FIG. 3 shows that the metal ions 19 released from the anode 18 are electrodeposited on the substrate 28 when the separation partition 20 is installed. Referring to FIG. 3, most of the metal ions 19 released from the anodes 18 in the respective plating regions do not reach the substrate 28 in the adjacent plating region because of the separating partition 20, and face each anode 18. It can be seen that the substrate 28 is effectively reached and the plating thickness of the substrate 28 is formed uniformly.

分離隔壁20は絶縁物質からなってもよい。分離隔壁20が伝導性の金属材質からなる場合、通電によりメッキに影響を与えるおそれがあるため、分離隔壁20は電気伝導性のない絶縁物質を用いることがよい。   The separation barrier 20 may be made of an insulating material. When the separation partition 20 is made of a conductive metal material, there is a possibility that the plating may be affected by energization. Therefore, the separation partition 20 is preferably made of an insulating material having no electrical conductivity.

遮蔽板24は、アノード18と、アノード18と対向する基板28との間に介在され、基板28と対向する面に開口部22が形成される。前述したように、基板28の端部にはメッキ電流の集中が生じやすいため、アノード18から遊離された金属イオン19が基板28の端部に集中的に電着されて、均一なメッキ厚さを得ることができなくなる。したがって、開口部22が形成された遮蔽板24をアノード18とそれと対向する基板28との間に設置して、アノード18から遊離された金属イオン19が基板28の端部に集中されることを緩和させることにより、メッキ厚さを均一にすることができる。すなわち、アノード18から遊離された金属イオン19が開口部22を通してカソードである基板28に到逹するので、開口部22の大きさを調節して基板28の端部に金属イオン19が集中的に到逹することを阻むことにより、均一なメッキ厚さを得ることができる。   The shielding plate 24 is interposed between the anode 18 and the substrate 28 facing the anode 18, and an opening 22 is formed on the surface facing the substrate 28. As described above, the concentration of the plating current is likely to occur at the end portion of the substrate 28. Therefore, the metal ions 19 released from the anode 18 are intensively electrodeposited on the end portion of the substrate 28, and the uniform plating thickness is obtained. You will not be able to get. Therefore, the shielding plate 24 in which the opening 22 is formed is installed between the anode 18 and the substrate 28 facing it, so that the metal ions 19 released from the anode 18 are concentrated on the end of the substrate 28. By relaxing, the plating thickness can be made uniform. That is, since the metal ions 19 released from the anode 18 reach the substrate 28 which is a cathode through the opening 22, the size of the opening 22 is adjusted to concentrate the metal ions 19 on the end of the substrate 28. By preventing the arrival, a uniform plating thickness can be obtained.

ジグ26(jig)は、製造上、基板28の運搬の便宜性を考慮して複数の基板28を載置して複数の基板28を容易に運搬できるようにする。ジグ26が伝導性の物質からなり、基板28と電気的に接続されていれば、ジグ26に陰極を接続してこれをカソードにすることができる。   In consideration of convenience of transportation of the substrate 28, the jig 26 (jig) is mounted so that the plurality of substrates 28 can be easily transported. If the jig 26 is made of a conductive material and is electrically connected to the substrate 28, a cathode can be connected to the jig 26 to make it a cathode.

図4は、本発明の他の実施形態によるメッキ装置を示す平面図である。図4を参照すると、メッキ槽12、アノード18、分離隔壁20、開口部22、遮蔽板24、基板28、マグネット30が示されている。   FIG. 4 is a plan view showing a plating apparatus according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, the plating tank 12, the anode 18, the separation partition 20, the opening 22, the shielding plate 24, the substrate 28, and the magnet 30 are shown.

本実施形態は、各メッキ処理領域のアノード18から遊離された金属イオン19が他のメッキ処理領域に移動されることを防止して、アノード18から遊離された金属イオン19がそれと対向している基板28に誘導されるようにすることにより、メッキ厚さを均一にすることを特徴とする。   In this embodiment, the metal ions 19 released from the anode 18 in each plating region are prevented from being moved to other plating regions, and the metal ions 19 released from the anode 18 are opposed to each other. By being guided to the substrate 28, the plating thickness is made uniform.

ここでは、前述した一実施形態と同じ構成要素に対してはその重複説明を省略し、一実施形態と異なる構成要素を中心にして説明する。   Here, the description of the same components as those of the above-described embodiment will be omitted, and components different from those of the embodiment will be mainly described.

本実施形態は、アノード18の両側に隣接してマグネット30を結合させることにより、マグネット30の磁場によりアノード18から遊離された金属イオン19が拡散されることが防止され、かつ、それと対向している基板28に金属イオン19を誘導させて、カソードである基板28周辺の金属イオン19の濃度を一定に維持することにより、メッキ厚さを均一にすることができる。   In the present embodiment, the magnet 30 is coupled adjacent to both sides of the anode 18 to prevent the metal ions 19 released from the anode 18 from being diffused by the magnetic field of the magnet 30, and opposite thereto. By inducing the metal ions 19 in the substrate 28 and maintaining the concentration of the metal ions 19 around the substrate 28 as a cathode constant, the plating thickness can be made uniform.

アノード18から遊離された金属イオン19は、整流器を通してカソードに移動してきた電子と結合するために、アノード18と対向している基板28へ移動する。これにより、基板28周辺では金属イオン19の濃度が低下されるため、メッキ速度が低下される。したがって、カソードである基板28の周辺の金属イオン19の濃度を一定した水準に維持させなくては、均一なメッキ厚さを得ることができない。本実施形態では基板28の周辺の金属イオン19の濃度を一定した水準に維持するために、アノード18の両側にマグネット30を結合してマグネット30の磁場を用いてアノード18から流出された金属イオン19が拡散されることを防止し、カソードである基板28の周辺の金属イオン19の濃度を維持するようにする。   The metal ions 19 released from the anode 18 move to the substrate 28 facing the anode 18 in order to combine with electrons that have moved to the cathode through the rectifier. As a result, the concentration of the metal ions 19 is reduced around the substrate 28, so that the plating rate is reduced. Therefore, a uniform plating thickness cannot be obtained unless the concentration of the metal ions 19 around the substrate 28 serving as the cathode is maintained at a constant level. In this embodiment, in order to maintain the concentration of the metal ions 19 around the substrate 28 at a constant level, the magnets 30 are coupled to both sides of the anode 18 and the metal ions discharged from the anode 18 using the magnetic field of the magnet 30. 19 is prevented from being diffused, and the concentration of metal ions 19 around the substrate 28 serving as the cathode is maintained.

本実施形態ではアノード18の両側に隣接して永久磁石を結合したが、磁場の形成が可能である電磁石も用いることができることは勿論である。   In this embodiment, permanent magnets are coupled adjacent to both sides of the anode 18, but it is needless to say that electromagnets capable of forming a magnetic field can also be used.

前記では、本発明の好ましい実施形態を参照して説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば特許請求の範囲に記載した本発明の思想及び領域から脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更することができることを理解できよう。   The foregoing has been described with reference to the preferred embodiments of the present invention. However, those skilled in the art will appreciate that the present invention is within the scope and spirit of the present invention described in the claims. It will be understood that the invention can be modified and changed in various ways.

本発明の一実施形態によるメッキ装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the plating apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるメッキ装置を示す平面図である。It is a top view which shows the plating apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるメッキ装置の使用状態図である。It is a use state figure of the plating apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態によるメッキ装置を示す平面図である。It is a top view which shows the plating apparatus by other embodiment of this invention. 従来技術によるメッキ装置を示す平面図である。It is a top view which shows the plating apparatus by a prior art. 従来技術によるメッキ装置の使用状態図である。It is a use state figure of the plating apparatus by a prior art.

符号の説明Explanation of symbols

12 メッキ槽
14 アノードバスケット
16 メッキ金属
18 アノード
19 金属イオン
20 分離隔壁
22 開口部
24 遮蔽板
26 ジグ
28 基板
30 マグネット
DESCRIPTION OF SYMBOLS 12 Plating tank 14 Anode basket 16 Plating metal 18 Anode 19 Metal ion 20 Separation partition 22 Opening 24 Shielding plate 26 Jig 28 Substrate 30 Magnet

Claims (7)

複数の基板を一括でメッキする装置において、
前記複数の基板が投入されるメッキ槽と、
前記複数の基板のメッキ面とそれぞれ対向するように結合されるアノードと、
前記複数の基板がそれぞれ隔離するように前記メッキ槽を区画する分離隔壁と、
前記アノードの両側に隣接して結合されるマグネットと、
を含むことを特徴とするメッキ装置。
In an apparatus for plating multiple substrates at once,
A plating tank into which the plurality of substrates are placed;
An anode coupled to face each of the plating surfaces of the plurality of substrates;
A separating partition that partitions the plating tank so that the plurality of substrates are isolated from each other;
A magnet coupled adjacent to both sides of the anode;
The plating apparatus characterized by including.
前記アノードと、前記アノードと対向する前記基板との間に介在され、前記基板の対向面に開口部が形成される遮蔽板をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のメッキ装置。   The plating apparatus according to claim 1, further comprising a shielding plate interposed between the anode and the substrate facing the anode, and having an opening formed on a surface facing the substrate. 前記複数の基板は一面が対向するように並列に投入され、前記分離隔壁は隣接している基板間に位置することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のメッキ装置。 3. The plating apparatus according to claim 1, wherein the plurality of substrates are put in parallel so that one surface thereof is opposed, and the separation partition wall is located between adjacent substrates. 前記分離隔壁は、絶縁物質からなることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載のメッキ装置。 The plating apparatus according to claim 1, wherein the separation partition is made of an insulating material. 前記アノードは、メッキ金属が投入されるアノードバスケットを含むことを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載のメッキ装置。 The plating apparatus according to any one of claims 1 to 4 , wherein the anode includes an anode basket into which a plating metal is charged . 前記メッキ金属は、銅、ニッケル、錫、銀、白金、金、及び亜鉛からなる群より選ばれる少なくとも一つ以上を含むことを特徴とする請求項に記載のメッキ装置。 The plating apparatus according to claim 5 , wherein the plating metal includes at least one selected from the group consisting of copper, nickel, tin, silver, platinum, gold, and zinc. 前記アノードは、前記基板の両面とそれぞれに対向するように位置することを特徴とする請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載のメッキ装置。 The plating apparatus according to claim 1 , wherein the anode is positioned so as to face both surfaces of the substrate.
JP2008121811A 2007-11-14 2008-05-08 Plating equipment Expired - Fee Related JP4794599B2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070116339A KR20090049953A (en) 2007-11-14 2007-11-14 Plating equipment
KR10-2007-0116339 2007-11-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009120939A JP2009120939A (en) 2009-06-04
JP4794599B2 true JP4794599B2 (en) 2011-10-19

Family

ID=40813405

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008121811A Expired - Fee Related JP4794599B2 (en) 2007-11-14 2008-05-08 Plating equipment

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4794599B2 (en)
KR (1) KR20090049953A (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102350044B1 (en) * 2015-03-12 2022-01-10 에스케이넥실리스 주식회사 Plating bath and plating device having the same
KR102080649B1 (en) * 2019-10-17 2020-02-24 삼성전기주식회사 Plating apparatus

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08376Y2 (en) * 1990-08-15 1996-01-10 株式会社アルメックス Plating equipment using insoluble anode
JPH0444373U (en) * 1990-08-15 1992-04-15
JPH04107283A (en) * 1990-08-29 1992-04-08 Fujitsu Ltd semiconductor manufacturing equipment
JP3109548B2 (en) * 1992-07-02 2000-11-20 イビデン株式会社 Electroplating equipment
JP4027491B2 (en) * 1998-03-03 2007-12-26 株式会社荏原製作所 Wafer plating method and apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090049953A (en) 2009-05-19
JP2009120939A (en) 2009-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5763151B2 (en) Electrolytic plating shielding plate and electrolytic plating apparatus having the same
US9708724B2 (en) Anode unit and plating apparatus having such anode unit
JP4794598B2 (en) Plating equipment
CN103046105A (en) Plating apparatus
KR20100068737A (en) Shield plate and electroplating apparatus
KR100596992B1 (en) Method for depositing lead-free tin alloy
JP2008121097A (en) Electroplating apparatus, electroplating method and plating jig
US20230075605A1 (en) Distribution system for a process fluid and electric current for chemical and/or electrolytic surface treatment of a substrate
JP4794599B2 (en) Plating equipment
KR100956685B1 (en) Plating equipment
JP5822212B2 (en) Electrolytic plating equipment
TWI307371B (en)
KR100747132B1 (en) Plating system with remote second anode for semiconductor manufacturing
JP6601979B2 (en) Plating equipment
JP5888732B2 (en) Electroplating method and plating apparatus
KR20200016668A (en) Electroplating Apparatus
TWM381635U (en) Electroplate apparatus for plating copper on a printed circuit board
JP6004461B2 (en) Electroplating method and plating apparatus
KR101146740B1 (en) A TIN plating device
US20140014504A1 (en) Plating apparatus
JPH07147477A (en) Manufacture of printed wiring board of continuous length, plating shielding device, and plating device of printed wiring board material
KR20070059351A (en) Electroplating device
KR20100044608A (en) Anode for electrolysis plating and apparatus of electrolysis plating using the same
JPH02148882A (en) Plating of circuit board
KR20110012035A (en) Plating equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110420

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110426

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110627

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110719

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110726

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140805

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees