JP4760457B2 - Substrate bonding equipment - Google Patents
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Description
本発明は基板貼り合せ装置に係り、特に真空チャンバ内で貼り合わせる基板同士をそれぞれ保持して対向させ、間隔を狭めて貼り合せる液晶表示パネルなどの組立に好適な基板貼り合せ装置に関する。 The present invention relates to a substrate bonding apparatus, and more particularly to a substrate bonding apparatus suitable for assembling a liquid crystal display panel or the like in which substrates to be bonded in a vacuum chamber are held opposite to each other and bonded at a small interval.
液晶表示パネルの製造には、透明電極や薄膜トランジスタアレイを設けた2枚のガラス基板を数μm程度の極めて接近した間隔をもって基板の周縁部に設けた接着剤(以下、シール剤ともいう)で貼り合せ(以後、貼り合せ後の基板をセルと呼ぶ)、それによって形成される空間に液晶を封止する工程がある。 In manufacturing a liquid crystal display panel, two glass substrates provided with a transparent electrode and a thin film transistor array are attached with an adhesive (hereinafter also referred to as a sealing agent) provided on the peripheral edge of the substrate with a very close distance of about several μm. There is a process of bonding (hereinafter, the substrate after bonding is referred to as a cell) and sealing the liquid crystal in the space formed thereby.
この液晶の封止には、注入口を設けないようにシール剤をクローズしたパターンに描画した一方の基板上に液晶を滴下しておいて、真空チャンバ内において他方の基板を一方の基板上に配置し、上下の基板を接近させて貼り合せる方法などがある。この真空チャンバ内に基板を搬入・搬出するために予備室を設け、真空チャンバ内を予備室と同じ雰囲気にして基板の出し入れを行うことが特許文献1に開示されている。 To seal the liquid crystal, liquid crystal is dropped on one substrate drawn in a pattern in which a sealing agent is closed so as not to provide an injection port, and the other substrate is placed on one substrate in a vacuum chamber. There is a method of arranging and bonding the upper and lower substrates close to each other. Patent Document 1 discloses that a preliminary chamber is provided for loading / unloading a substrate into / from the vacuum chamber, and the substrate is loaded / removed in the same atmosphere as the preliminary chamber.
上記特許文献1では、基板の出し入れの際に予備室と真空チャンバ内を同じ雰囲気にするために、大気状態から真空状態にするまでに時間がかかり、基板の生産性を上げるためにはネックとなっている。また、特許文献1では基板の搬送をコロの上に基板を搭載して搬送するようにしているが、基板を傷つける恐れや、基板がコロ上移動することで摩擦により、塵埃が発生する恐れもある。 In the above-mentioned Patent Document 1, in order to make the preliminary chamber and the vacuum chamber the same atmosphere when the substrate is taken in and out, it takes time to change from the atmospheric state to the vacuum state. It has become. Further, in Patent Document 1, the substrate is transported by mounting the substrate on a roller. However, there is a risk that the substrate may be damaged or dust may be generated due to friction due to the substrate moving on the roller. is there.
それゆえ本発明の目的は、予備室内に同時に2枚の基板を搬入できるようにして、予備室から貼り合せ室に1枚ずつ基板を搬入して、かつ貼り合せ室においては、基板搬送時に発生する塵埃を抑制して、基板の貼り合せを高精度かつ高速に行うことができ、生産性が高い基板貼合装置を提供することにある。 Therefore, an object of the present invention is to allow two substrates to be simultaneously loaded into the spare chamber, to carry the substrates one by one from the spare chamber to the bonding chamber, and in the bonding chamber, the substrate is transferred It is an object of the present invention to provide a substrate bonding apparatus that can suppress substrate dust and perform substrate bonding with high accuracy and high speed and has high productivity.
上記目的を達成するため、本発明では、予備室(第1チャンバ室)から第2チャンバ室へ上基板,下基板の順に1枚ずつ搬入するため、摩擦摺動部は第1チャンバ室に設けた直動式の基板搬入機構とし、上基板搬送時は貼り合せ面が下向きになるようにセットし、下基板搬送時は貼り合せ面である液晶滴下面が上向きにして搬送する構成とした。 In order to achieve the above object, in the present invention, since the upper substrate and the lower substrate are carried in order from the preliminary chamber (first chamber chamber) to the second chamber chamber, the friction sliding portion is provided in the first chamber chamber. In addition, a direct-acting substrate carrying mechanism is set so that the bonding surface faces downward when the upper substrate is conveyed, and the liquid crystal dropping surface that is the bonding surface is conveyed upward when conveying the lower substrate.
また、基板を第1チャンバ室から第2チャンバ室に搬入するとき、第2チャンバ室から第3チャンバ室に搬出するときは各チャンバ室内を中真空から高真空の状態とし、第2チャンバ室で貼り合せの作業を行っているときは高真空状態する。当然のことながら、第1チャンバ室への基板の搬入時、第3チャンバ室から基板を搬出するときは大気圧の状態とする。 Further, when the substrate is carried into the second chamber chamber from the first chamber chamber or when the substrate is carried out from the second chamber chamber to the third chamber chamber, each chamber chamber is brought into a state of medium vacuum to high vacuum. A high vacuum is applied during the bonding operation. As a matter of course, when the substrate is carried into the first chamber chamber, the atmospheric pressure is set when the substrate is carried out from the third chamber chamber.
本発明基板貼合装置によれば、第1チャンバ室内に上下基板を搬入して、室内を中真空状態にした後で、貼り合せ室に搬入できるようにしたため、貼り合せ時に時間の最も必要とする高真空状態にする真空排気を短時間で行うことができ、このために、製品のスループットが大幅に向上し、真空中での基板の貼り合せも高精度に行うことができる。 According to the substrate bonding apparatus of the present invention, since the upper and lower substrates are carried into the first chamber chamber and the chamber is brought into a medium vacuum state, it can be carried into the bonding chamber. Thus, the vacuum evacuation to a high vacuum state can be performed in a short time. For this reason, the throughput of the product is greatly improved, and the substrates can be bonded with high accuracy in a vacuum.
以下、本発明の基板貼合装置の一実施例を図に基づいて説明する。
図1(a)には各処理室の横断面図を、(b)には縦断面図を示す。本発明になる基板貼合装置1は、基板を搬入する第1チャンバ室C1(前予備室),第2チャンバ室C2
(真空貼合室),貼り合せた基板(液晶パネル)を搬出する第3チャンバ室C3(後予備室)を備えている。
Hereinafter, one Example of the board | substrate bonding apparatus of this invention is described based on figures.
FIG. 1A shows a cross-sectional view of each processing chamber, and FIG. 1B shows a vertical cross-sectional view. The substrate bonding apparatus 1 according to the present invention includes a first chamber chamber C1 (preliminary preliminary chamber) and a second chamber chamber C2 for loading a substrate.
(Vacuum bonding chamber) and a third chamber C3 (rear spare chamber) for carrying out the bonded substrate (liquid crystal panel).
第1チャンバ室C1には2枚の基板(上基板30と下基板31)をそれぞれ第2チャンバ室C2内に搬入するために、ラック・ピニオン方式の駆動部を備えた直動式の基板搬送機構が設けてある。この基板搬送機構は後述するように、基板を1枚づつ第1チャンバ室C1から第2チャンバ室C2内に直線移動させて搬入する構成となっている。さらに、第1チャンバ室C1内の上部には、下側基板31を保持して、基板搬入機構に受け渡すための下基板保持機構が設けてある。この下基板保持機構は、基板を保持する複数のサポートピン74と、そのサポートピン74を取り付けた搬送方向に細長い昇降バッファ73と、昇降バッファ73を上下に移動させるための昇降用シリンダ77から構成されている。
The first chamber chamber C1 has a rack-and-pinion type drive unit for carrying two substrates (
また、第3チャンバ室C3には貼り合せの終わった基板を装置外に搬出するための同じくラック・ピニオン方式の基板搬出機構が設けてある。さらに、第1チャンバ室C1の入口側に第1ドアバルブ2が、第1チャンバ室C1と第2チャンバ室C2の間には第1ゲートバルブ3が設けてある。同様に第2チャンバ室C2と第3チャンバ室C3との間には第2ゲートバルブ4が第3チャンバ室C3の出口側には第2ドアバルブ5が設けてある。また、図示していないが、第1チャンバ室C1内を真空排気するための真空ポンプが設けてある。
The third chamber C3 is also provided with a rack and pinion type substrate carry-out mechanism for carrying the bonded substrates out of the apparatus. Further, a first door valve 2 is provided on the inlet side of the first chamber chamber C1, and a first gate valve 3 is provided between the first chamber chamber C1 and the second chamber chamber C2. Similarly, a second gate valve 4 is provided between the second chamber chamber C2 and the third chamber chamber C3, and a
第2チャンバ室C2内の下テーブル8には基板搬入機構から上下基板30,31を受け取るために下テーブル面から突出する複数のサポートピン19aを備えた基板リフタ19が設けてある。この基板リフタ19は、基板搬出機構に貼り合せ後の基板を受け渡すため、基板をテーブル面から離間させ、テーブル面と基板間に図では第3チャンバ室C3に待機している基板搬出機構のガイドプレート72とその上部に設けたサポートピン74が挿入できるようにした機能も備えている。なお図1では、この基板リフタ19として1つの取り付け板に複数のサポートピン19aを設け、昇降用シリンダ19cを駆動して取り付け板を上下する構成のものを示している。なお、図示していないがこの第2チャンバ内を真空排気するために、真空ポンプとターボ分子ポンプとが設けてある。また、この第2チャンバ室内に窒素をパージする窒素供給源が弁を介して接続されている。
The lower table 8 in the second chamber chamber C2 is provided with a
さらに、第3チャンバ室C3には貼り合せた基板を搬出する際に稼動する直動式の基板搬出機構が備えてある。この基板搬出機構は、本実施例では基板搬入機構と略同様に、基板を載置する細長いのガイドプレート72とこのガイドプレート上に複数のサポートピン74とからなり、ラック・ピニオンからなる駆動機構を備えている。また、図示していないが第3チャンバ室C3内を負圧にするための真空ポンプが設けてある。さらに、第3チャンバ室C3内に窒素をパージするための窒素供給源が接続されている。また、第3チャンバ室C3にはスポットのUV光を照射して貼り合せた基板を仮付けして貼り合せた基板にずれが生じないようにUV照射機構80が設けてある。また、各チャンバ室にはそれぞれ圧力計(図示せず)が設けてあり、これらの圧力計の計測結果に基づいて、各真空ポンプや窒素パージ用の弁を動作させて真空状態を制御している。
Furthermore, the third chamber chamber C3 is provided with a direct acting substrate carry-out mechanism that operates when carrying out the bonded substrates. In this embodiment, the substrate carry-out mechanism is composed of a long and
本実施例では、貼り合せを行う第2チャンバ室C2は、基板を搬出入する際も所定の真空度(約150Torr程度:以降中真空と称する)を維持するようにして、基板搬入後に第2チャンバ室C2を高真空(5×10-3Torr)に戻すように制御している。そのため、各第1及び第2ゲートバルブ3,4を開放する際には中真空度まで戻すようにしている。また、第2チャンバ室C2は、中真空にするときは常時窒素がパージすることで、大気中の水分の影響を受けないようにしている。 In the present embodiment, the second chamber chamber C2 to be bonded is maintained at a predetermined degree of vacuum (about 150 Torr: hereinafter referred to as a medium vacuum) even when the substrate is carried in and out, so that the second chamber chamber C2 after the substrate has been carried in is second. The chamber chamber C2 is controlled to return to a high vacuum (5 × 10 −3 Torr). Therefore, when each of the first and second gate valves 3 and 4 is opened, it is returned to a medium vacuum level. Further, the second chamber chamber C2 is purged with nitrogen at all times when being in a medium vacuum so that it is not affected by moisture in the atmosphere.
また、上記のように各チャンバ室内の真空度を制御するために、図示していないが各チャンバ室に設けた圧力計の計測値に基づいて、各チャンバ室内の排気,気体(本実施例では窒素ガス)パージを行う。上下2枚の基板を第1チャンバ室C1内に搬入する時は、当然のことながら第1チャンバ室内は大気圧として、第1チャンバ室C1から第2チャンバ室C2に搬入する際には所定の真空度(中真空)に維持される状態で行い、第2チャンバ室内で貼り合せを行う場合は、第2チャンバ室を高真空の状態とする。また、貼り合せの完了した基板を第2チャンバ室から第3チャンバ室に搬出するときは、第2,第3チャンバ室を中真空状態として、第3チャンバ室から貼り合せ基板を搬出するときは、第3チャンバ室を大気状態とするものである。このように、各チャンバ室は半分の排気,吸気を行う構成とすることで、真空排気にかかる時間を、従来の半分以下の時間に短縮することができ、製品のスループと時間を大幅に短縮することができる。 In order to control the degree of vacuum in each chamber as described above, the exhaust and gas in each chamber (not shown) based on the measured value of a pressure gauge provided in each chamber (in this embodiment, Nitrogen gas) purge. When the two upper and lower substrates are carried into the first chamber chamber C1, it is natural that the first chamber chamber is at atmospheric pressure, and when the first chamber chamber C1 is carried into the second chamber chamber C2, a predetermined amount is used. When it is performed in a state where the degree of vacuum (medium vacuum) is maintained and bonding is performed in the second chamber chamber, the second chamber chamber is set in a high vacuum state. Also, when carrying out the bonded substrate from the second chamber chamber to the third chamber chamber, when carrying out the bonded substrate from the third chamber chamber with the second and third chamber chambers in an intermediate vacuum state. The third chamber chamber is brought into an atmospheric state. In this way, each chamber chamber is configured to perform half exhaust and intake, so that the time required for evacuation can be reduced to less than half of the conventional time, greatly reducing product throughput and time. can do.
図1を用いて基板搬入機構について説明する。第1チャンバ室C1の下側の室外にピニオン軸を駆動するシリンダ71が設けてある。このシリンダ軸の先端に上下に歯車溝を形成したピニオン70Pが回転可能に取り付けてある。また基板を載置して搬送するため搬送方向に長いガイドプレート72が部屋の左右に2本設けてある。ガイドプレート72上には基板に接触して支持するサポートピン74が複数設けてある。さらに、一方のガイドプレート72には駆動力を伝達するためのラック70R2が直線状に設けてある。このラック70R2に前述のピニオン70Pに設けた上側の歯が噛み合うように設置されている。また、ピニオン70Pの下側の歯に噛み合うように部屋側に固定されたラック70R1が設けられている。なお、左右に設けられた、ガイドプレート72は図示していないが互いに連結されており、一方側が駆動されれば他方も一緒に移動するようになっている。ピニオン70Pは第2チャンバ室C2側に設けてあり、最大移動したときにガイドプレート上の基板が第2チャンバ室のテーブル面に位置するように形成してある。
The substrate carry-in mechanism will be described with reference to FIG. A
また、先に述べたように、この第1チャンバ室C1内の上部には下基板31を一時保持するための搬送方向に細長い昇降バッファ73が設けてある。なお、この昇降バッファ
73の上部には、下基板31を支持するためのサポートピン74が複数設けてある。この昇降バッファ73は、先のガイドプレート72の外側に位置するように配置され、駆動力を発生するシリンダ77が搬送方向前後の位置にそれぞれ固定されている。なお図示していないが、シリンダ77の軸は腕を介して昇降バッファ73に連結されており、この腕で、シリンダ軸はチャンバ室壁側に位置するようになっている。このため、下基板31をガイドプレート72上のサポートピン74上に受け渡した後で、昇降バッファ73はそのままの位置に待機させるため、下基板31を第2チャンバ室C2に移動する際シリンダ軸が移動を妨げることがないようにしてある。なお、シリンダ77を駆動することで、ガイドプレート72のサポートピン上部の水平位置より下側まで降下できるようになっている。
As described above, the elevating
また、本実施例では、第2チャンバ室内に設けてある下テーブル8面には基板は入用又は基板搬出用のガイドプレート72が移動してきた時に、スムーズに移動できるようにガイドプレート用の溝8hが設けてある。さらに、上下基板の水平方向の位置合せを行うために、下テーブルはチャンバの外に設けた駆動機構によりXYθ方向に移動可能に構成されている。なお駆動機構の可動部はチャンバ外に設けてあり、その接続部は真空が漏れないように蛇腹形状の弾性部材で接続されている。
Further, in this embodiment, the guide plate groove is provided on the lower table 8 surface provided in the second chamber chamber so that the substrate can move smoothly when the
次に、基板搬出入機構を備えた貼り合せ装置の動作を図2〜図4のフローチャートを用いて説明する。 Next, operation | movement of the bonding apparatus provided with the board | substrate carrying in / out mechanism is demonstrated using the flowchart of FIGS.
まず、第1チャンバ室C1の入口の第1ドアバルブ2を開放(ステップ100)して、貼り合せる上基板30を室内に設けてある基板搬入機構のガイドプレート72のサポートピン74上に、貼り合せ面を下向きにして載置する(ステップ101)。次に、下基板
31が基板保持機構を構成する昇降バッファ73に設けた複数のサポートピン74上に、接着剤であるシール剤を環状に塗布され、その環状シール剤の内側に液晶を滴下した基板面を上向きにして搬入される(ステップ102)。このように、上下基板が第1チャンバ室内へ搬入されると第1ドアバルブ2が閉じられ(ステップ103)、第1チャンバ室内の真空排気を開始する(ステップ104)。第1チャンバ室内が中真空状態になると真空排気を停止し(ステップ105)、第1ゲートバルブ3を開放する(ステップ106)。なお、このとき第2チャンバ室内は中真空状態となっている。さらに、上基板と下基板の搬入順序は逆でも良い。また、環状のシール剤は上側基板面に塗布しておいても良く、もし上側基板にシール剤を塗布した場合はサポートピン74がシール剤に接触しないように配置する必要がある。
First, the first door valve 2 at the inlet of the first chamber chamber C1 is opened (step 100), and the
次に、上基板30を搭載した基板搬入機構を動作させて、第1チャンバ室C1から第2チャンバ室C2の下テーブル8の位置まで上基板30を移動させる(ステップ107)。第2チャンバ室C2の上テーブル9を上基板面近傍まで降下させ、真空吸着により上基板30を吸上げ、上テーブル9面に保持する(ステップ108)。次に、基板搬入機構を第1チャンバ室に戻す(ステップ109)。そして、昇降バッファ73を降下させて、基板搬入機構のガイドプレート72上のサポートピン74上に下基板31を受け渡す(ステップ110)。
Next, the substrate carry-in mechanism on which the
基板搬入機構が下基板31を受け取ると、基板搬入機構が動作され、第2チャンバ室
C2に移動される(ステップ111)。第2チャンバ室C2に下基板が搬出されると第1チャンバ室C1内では、昇降バッファ73を上昇させ待機位置に戻す。また、第2チャンバ室C2の下テーブル8上に下基板31が搬入されると、下テーブル8側に設けてある基板リフタ19が上昇動作され、下基板をサポートピン19aより上に位置させる(ステップ112)。次に基板搬入機構を第1チャンバ室に戻し第1ゲートバルブを閉じる(ステップ113)。同時に基板リフタ19を降下させ、下テーブル上に下基板を載置する(ステップ114)。下テーブル8に下基板31が載置されると静電吸着機構が動作され、下テーブル面に基板が固定される。なお、同時に上テーブルの上基板も静電吸着機構を動作させてテーブル面に保持する(ステップ115)。上テーブルと下テーブルに保持された基板の位置合せマークをカメラにより観測し、下テーブルを水平に移動して位置合せを行う(ステップ116)。第2チャンバ室内を中真空状態から高真空状態にするための真空排気を行う(ステップ117)。高真空状態になると再度基板同士の位置ずれを観測し精密位置合せをし、テーブル間隔を狭めて貼り合せを行う(ステップ118)。なお貼り合せ実行中は、加圧力又は基板間隔を計測しながら何段回かに分けて位置合せを行いながら貼り合せを行う。図1にはこれらの位置合せ用のカメラや加圧力センサ,基板間隔計測用センサに関しては示していない。
When the substrate carry-in mechanism receives the
加圧力による貼り合わせが完了すると、上テーブルを上昇又は下テーブルを下降させて、上テーブルと基板を離間させる(ステップ119)。なおこのとき、上基板30を保持している上テーブル9の静電吸着機構を停止させる。前述の実施例では高真空となる第2チャンバの上下テーブルには、真空中での基板保持に静電吸着機構を用いることで説明したが、静電吸着機構に代えて粘着吸着機構を用いる構成としても良いし、両者を組み合せて用いても良い。なお、粘着保持機構を用いた場合でも貼り合せ完了時に、粘着保持機構を上基板面から開放する動作を行う必要がある。
When the bonding by the applied pressure is completed, the upper table is raised or the lower table is lowered to separate the upper table from the substrate (step 119). At this time, the electrostatic adsorption mechanism of the upper table 9 holding the
次に、第2チャンバ室C2内に窒素ガスをパージして、第2チャンバ室C2内を中真空の状態とする(ステップ120)。第2チャンバ室内が中真空の状態になると、基板リフタ19を上昇させて、加圧貼り合された基板を下テーブル面から離間させる(ステップ
121)。同時に、第2ゲートバルブ4を開放して第2チャンバ室C2と第3チャンバ室C3とを連通させる(ステップ122)。このとき、第3チャンバ室C3内は予め中真空の状態としてある。中真空にすることでも基板間には圧力が加わり基板間隔は高真空時より狭くなる。
Next, nitrogen gas is purged into the second chamber chamber C2, and the inside of the second chamber chamber C2 is brought into a medium vacuum state (step 120). When the inside of the second chamber is in a medium vacuum state, the
第2ゲートバルブ4が開放されると、第3チャンバ室C3内の基板搬出機構が移動を開始して、基板搬出機構のガイドプレート72(サポートピン74を含む)が第2チャンバ室の下テーブル8と貼り合された基板間に挿入される。ガイドプレート72が基板を支持する位置に到達すると、そこで基板搬出機構は停止して、次に基板リフタ19が降下され、ガイドプレート72のサポートピン74上に基板が受け渡される(ステップ123)。基板の受け渡しが完了すると、基板搬出機構は第3チャンバ室に戻される(ステップ124)。そして、第2ゲートバルブ4が閉じられる(ステップ125)。この状態で、第3チャンバ室C3に設けてあるUV照射機構80が動作され、基板仮止め用接着剤にUV光を照射して仮止めを行う(ステップ126)。仮止めが完了すると第3チャンバ室に窒素ガスがパージするか、又は、大気を導入して大気圧の状態とする(ステップ127)。第2ドアバルブ5を開放する(ステップ128)。貼り合せ基板を搬出する(ステップ129)。
When the second gate valve 4 is opened, the substrate unloading mechanism in the third chamber chamber C3 starts to move, and the guide plate 72 (including the support pins 74) of the substrate unloading mechanism is moved to the lower table of the second chamber chamber. 8 is inserted between the substrates bonded to 8. When the
以上が、作業の一連の流れであるが、この中で、基板搬入機構を第1チャンバ室C1に戻し第1ゲートバルブ3を閉じた時点(ステップ113)で、第1チャンバ室C1では次の貼り合せ基板の搬入作業が開始される。すなわち、第1チャンバ室C1内を中真空の状態から大気圧に戻し、第1ドアバルブ2を開放して基板搬入を開始する。さらに、第3チャンバ室C3に貼り合せ基板が搬出され第2ゲートバルブ4が閉じられる(ステップ125)と、第2チャンバ室C2は中真空状態であるので、第1チャンバ室に基板搬入が完了し第1チャンバ室C1が中真空状態になっていれば、第2チャンバ室C2への第1ゲートバルブ3が開放され、ステップ106からの動作が実行される。
The above is a series of operations. Among them, at the time when the substrate loading mechanism is returned to the first chamber chamber C1 and the first gate valve 3 is closed (step 113), the first chamber chamber C1 The carrying-in operation of the bonded substrate is started. That is, the inside of the first chamber C1 is returned from the medium vacuum state to the atmospheric pressure, the first door valve 2 is opened, and the substrate loading is started. Further, when the bonded substrate is carried out to the third chamber chamber C3 and the second gate valve 4 is closed (step 125), since the second chamber chamber C2 is in an intermediate vacuum state, the substrate loading into the first chamber chamber is completed. If the first chamber chamber C1 is in a medium vacuum state, the first gate valve 3 to the second chamber chamber C2 is opened, and the operation from
なお、前記実施例で基板搬入機構及び基板搬出機構がラック・ピニオン構成としてシリンダでピニオンを駆動する構成として説明したが、基板を搭載したガイドプレートをリニアモータで駆動する構成としてもよい。 In the above-described embodiment, the substrate carry-in mechanism and the substrate carry-out mechanism have been described as a rack and pinion configuration in which the pinion is driven by the cylinder. However, the guide plate on which the substrate is mounted may be driven by a linear motor.
以上のように、本発明では貼り合せる2枚の基板を第1チャンバ室内に搬入した後で、第1チャンバ室内を中真空状態にして、第2チャンバ室に上下基板を移送して、上下テーブルに保持する構成とすると共に、第2チャンバ室を高真空状態にして貼り合せを行った後、第2チャンバ室を中真空にして、第3チャンバ室に貼り合せた基板を移送し、第3チャンバ室を大気開放して搬出する構成とした。このため、第2チャンバ室は中真空と高真空の繰り返し動作でよく、第1チャンバ室と第3チャンバ室は中真空と、大気間の繰り返しでよい。このため、各真空チャンバ室内を真空状態にする時間が大幅に短縮できる。また、中真空状態では吸引吸着機構を用いることができ、大きな吸引力を必要とする加圧板への基板の吸上げに吸引吸着機構を用いて保持しその後、高真空になっても基板を保持できる静電吸着機構又は粘着機構で基板を保持することが可能となる。 As described above, in the present invention, after the two substrates to be bonded are carried into the first chamber chamber, the first chamber chamber is brought into a medium vacuum state, the upper and lower substrates are transferred to the second chamber chamber, and the upper and lower tables are moved. And the second chamber chamber is brought into a high vacuum state and bonded, and then the second chamber chamber is set to a medium vacuum, and the bonded substrate is transferred to the third chamber chamber. The chamber chamber was opened to the atmosphere and carried out. Therefore, the second chamber chamber may be repeatedly operated in a medium vacuum and a high vacuum, and the first chamber chamber and the third chamber chamber may be repeatedly operated in a medium vacuum and the atmosphere. For this reason, the time for which each vacuum chamber chamber is kept in a vacuum state can be greatly shortened. In addition, the suction / adsorption mechanism can be used in a medium vacuum state, and the substrate is held using the suction / adsorption mechanism for sucking the substrate to the pressure plate that requires a large suction force, and then the substrate is held even when a high vacuum is applied. It is possible to hold the substrate by an electrostatic adsorption mechanism or an adhesive mechanism that can be used.
また、第2チャンバ室での上基板の吸着保持(ステップ108)を中真空での吸引吸着から静電吸着機構を用いることで、高真空状態で第2チャンバ室での上下基板の受け渡し、受け取りも可能となる。 In addition, the upper substrate is attracted and held in the second chamber chamber (step 108) by using an electrostatic attracting mechanism from the suction suction in the middle vacuum, so that the upper and lower substrates are transferred and received in the second chamber chamber in a high vacuum state. Is also possible.
1…基板貼合装置、C1…第1チャンバ室、C2…第2チャンバ室(貼り合わせ室)、C3…第3チャンバ室、2…第1ドアバルブ、3…第1ゲートバルブ、4…第2ゲートバルブ、5…第2ドアバルブ、8…下テーブル、9…上テーブル、70P…ピニオン、70R1,70R2…ラック、72…ガイドプレート、73…昇降バッファ、74…サポートピン。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Board | substrate bonding apparatus, C1 ... 1st chamber chamber, C2 ... 2nd chamber chamber (bonding chamber), C3 ... 3rd chamber chamber, 2 ... 1st door valve, 3 ... 1st gate valve, 4 ... 2nd Gate valve, 5 ... second door valve, 8 ... lower table, 9 ... upper table, 70P ... pinion, 70R1, 70R2 ... rack, 72 ... guide plate, 73 ... lifting buffer, 74 ... support pin.
Claims (7)
中真空状態で前記直動式の基板搬入機構から上基板を受け取り上テーブルに保持し、次に、下基板を下テーブルに受け取り保持し、2枚の基板をそれぞれのテーブルで保持した後チャンバ内を高真空状態にして、いずれか一方のテーブルを水平方向に移動して、上下2枚の基板の位置合せをし、上下いずれか一方のテーブルを上下に動作させて基板間隔を狭めて貼り合せを行う第2チャンバ室と、
中真空状態で、貼り合せた基板を第2チャンバ室から搬出する基板搬出機構を備え、大気状態で貼り合せた基板を室外に搬出する第3チャンバ室とを備え、
前記第1チャンバ室内の基板搬入機構及び第3チャンバ室内の基板搬出機構が、細長い1対又は複数のガイドプレートに複数のサポートピンを備え、前記サポートピン上に基板を搭載してチャンバ室外に設けた動力部からの駆動力で第2チャンバ室内に搬入又は搬出すること特徴とする基板貼り合せ装置。 A substrate holding mechanism that holds the lower substrate in the upper part of the first chamber chamber to carry the upper and lower substrates, and a direct-acting substrate that holds the upper substrate and the lower substrate one by one and carries them into the second chamber chamber. a first chamber room and a carrying mechanism, said first chamber compartment to the medium vacuum state from the atmospheric pressure, a vacuum pump to a high vacuum state from the medium vacuum state further,
In an intermediate vacuum state , the upper substrate is received from the direct-acting substrate loading mechanism and held on the upper table, and then the lower substrate is received and held on the lower table, and the two substrates are held on the respective tables and then the chamber. The inside of the chamber is in a high vacuum state, one of the tables is moved in the horizontal direction, the two upper and lower substrates are aligned, and either one of the upper and lower tables is moved up and down to narrow the interval between the substrates. A second chamber chamber for matching,
A substrate unloading mechanism for unloading the bonded substrates from the second chamber chamber in a medium vacuum state, and a third chamber chamber for unloading the substrates bonded in an atmospheric state to the outside;
The substrate carry-in mechanism in the first chamber chamber and the substrate carry-out mechanism in the third chamber chamber have a plurality of support pins on a pair of elongated guide plates or a plurality of guide plates, and the substrate is mounted on the support pins and provided outside the chamber chamber. A substrate bonding apparatus characterized in that it is carried into or out of the second chamber with a driving force from the power section.
前記第1チャンバ室内と前記第3チャンバ室内とは大気圧から中真空状態から高真空状態にまで可変制御し、前記第2チャンバ室は中真空から高真空まで可変制御するように構成したこと特徴とする基板貼り合せ装置。 In the board | substrate bonding apparatus of Claim 1,
The first chamber chamber and the third chamber chamber are variably controlled from atmospheric pressure to medium vacuum state to high vacuum state, and the second chamber chamber is variably controlled from medium vacuum to high vacuum state. A substrate bonding apparatus.
前記第1チャンバ室内に下基板を室内上部に一時保持する基板保持機構を設けたことを特徴とする基板貼り合せ装置。 In the board | substrate bonding apparatus of Claim 1,
A substrate bonding apparatus, wherein a substrate holding mechanism for temporarily holding a lower substrate in an upper portion of the room is provided in the first chamber.
基板搬入機構及び基板搬出機構の駆動力を伝達する手段として、歯車溝を形成したピニオンと直線状のラックを上下段に複数組設けたことを特徴とする基板貼り合せ装置。 In the board | substrate bonding apparatus of Claim 1,
A substrate bonding apparatus characterized in that a plurality of pairs of pinions having a gear groove and linear racks are provided in the upper and lower stages as means for transmitting the driving force of the substrate carry-in mechanism and the substrate carry-out mechanism.
前記貼合が終了すると、前記第2チャンバ内を中真空状態にし、前記第2チャンバ室と第3チャンバ室のゲートバルブを開放し、前記第2チャンバ室の下テーブル上の貼り合された基板を前記第3チャンバ室に備え付けてある基板搬出機構を用いて第3チャンバ室に搬入する基板貼り合せ方法。 In the substrate bonding method according to claim 5,
When the bonding is completed, the inside of the second chamber is brought into a medium vacuum state, the gate valves of the second chamber chamber and the third chamber chamber are opened, and the bonded substrates on the lower table of the second chamber chamber Is bonded to the third chamber using a substrate unloading mechanism provided in the third chamber.
前記第3チャンバ室ではUV照射機構を動作させて仮付けした後に第3チャンバ内を大気圧に戻すことで貼り合せを行うことを特徴とする基板貼り合せ方法。 In the substrate bonding method according to claim 6,
In the third chamber chamber, the substrate is bonded by returning the atmospheric pressure in the third chamber after temporarily attaching the UV irradiation mechanism by operating the UV irradiation mechanism.
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