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JP4756701B2 - Power supply voltage detection circuit - Google Patents

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JP4756701B2 JP2006336260A JP2006336260A JP4756701B2 JP 4756701 B2 JP4756701 B2 JP 4756701B2 JP 2006336260 A JP2006336260 A JP 2006336260A JP 2006336260 A JP2006336260 A JP 2006336260A JP 4756701 B2 JP4756701 B2 JP 4756701B2
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Description

本発明は、電源電圧検出回路に関し、特にスタンバイモードを有する半導体集積回路に用いられる電源電圧検出回路に関する。   The present invention relates to a power supply voltage detection circuit, and more particularly to a power supply voltage detection circuit used in a semiconductor integrated circuit having a standby mode.

マイクロコンピュータでは、電源電圧がある基準電圧以下に低下すると、回路動作が不安定となり、誤動作を起こす。これを防止する観点から、マイクロコンピュータには、電源電圧が半導体集積回路の正常動作を保証できる電圧の範囲内にあるかどうかを監視する電源電圧検出回路が内蔵されている。そして、電源電圧がある電圧以下になった場合は、所定の検出信号が電源電圧検出回路から出力され、自動的なリセット動作がなされている。   In a microcomputer, when the power supply voltage drops below a certain reference voltage, the circuit operation becomes unstable and malfunctions. From the viewpoint of preventing this, the microcomputer has a built-in power supply voltage detection circuit that monitors whether the power supply voltage is within a voltage range that can guarantee normal operation of the semiconductor integrated circuit. When the power supply voltage falls below a certain voltage, a predetermined detection signal is output from the power supply voltage detection circuit, and an automatic reset operation is performed.

図3は従来の一般的な電源電圧検出回路100の概略図である。電源電圧検出回路100は、一定の基準電圧Vrefを出力するバンドギャップ型の基準電圧発生回路101と、電源電圧Vddを分圧抵抗Ra及びRbによって分圧電圧Vxに分圧して出力する分圧回路と、それらの各出力を比較し、その判定結果を出力するコンパレータ102とから構成されている。コンパレータ102が出力する電源検出信号を電圧検出信号Vとする。 FIG. 3 is a schematic diagram of a conventional general power supply voltage detection circuit 100. The power supply voltage detection circuit 100 includes a band gap type reference voltage generation circuit 101 that outputs a constant reference voltage Vref, and a voltage dividing circuit that divides the power supply voltage Vdd into a divided voltage Vx by voltage dividing resistors Ra and Rb. And a comparator 102 that compares these outputs and outputs the determination result. The power detection signal comparator 102 outputs a voltage detection signal V 1.

次に、基準電圧発生回路101について図4を参照しながら説明する。バンドギャップ型の基準電圧発生回路101は、バンドギャップ電圧(半導体の固有電圧で、シリコンの場合は約1.2V)を利用した回路である。(例えば、特許文献1参照)   Next, the reference voltage generation circuit 101 will be described with reference to FIG. The bandgap-type reference voltage generation circuit 101 is a circuit using a bandgap voltage (a semiconductor intrinsic voltage, which is about 1.2 V in the case of silicon). (For example, see Patent Document 1)

電源電圧Vddに接続された同一サイズのPチャネル型MOSトランジスタ(以下、PMOSとする)Ma、Mbはミラー接続されてカレントミラー回路を構成している。このカレントミラー回路の出力側のPMOSMaのドレインは直列接続された抵抗Rc、Rdを介してNPN型BIPトランジスタQ(バイポーラトランジスタ)のコレクタに接続されている。NPN型BIPトランジスタQのエミッタは接地電圧に接続されると共に、そのベ−スは前記抵抗Rc、Rdの接続点に接続される。 P-channel MOS transistors (hereinafter referred to as PMOS) Ma and Mb of the same size connected to the power supply voltage Vdd are mirror-connected to form a current mirror circuit. The drain of the PMOSMa on the output side of this current mirror circuit is connected to the collector of an NPN type BIP transistor Q 1 (bipolar transistor) via resistors Rc and Rd connected in series. The emitter of the NPN BIP transistor Q 1 is connected to the ground voltage, its base - the scan is connected to the connection point of the resistors Rc, Rd.

一方前記カレントミラー回路のPMOSMbのドレインは、エミッタ、ベース、コレクタがそれぞれ共通接続されたK個のNPN型BIPトランジスタQ〜QK+1のコレクタ側に接続されている。当該NPN型BIPトランジスタQ〜QK+1のエミッタ側は接地電圧に接続されると共に、そのベ−ス側は前記NPN型BIPトランジスタQのコレクタに接続される。基準電圧Vrefは、NPN型BIPトランジスタQ1のドレインから出力される。但し、NPN型BIPトランジスタQ、Q〜QK+1は全て同一サイズとする。 On the other hand, the drain of the PMOS Mb of the current mirror circuit is connected to the collector side of K NPN-type BIP transistors Q 2 to Q K + 1 whose emitter, base, and collector are commonly connected. The emitter sides of the NPN type BIP transistors Q 2 to Q K + 1 are connected to the ground voltage, and the base side is connected to the collector of the NPN type BIP transistor Q 1 . The reference voltage Vref is output from the drain of the NPN BIP transistor Q 1. However, the NPN BIP transistors Q 1 , Q 2 to Q K + 1 are all the same size.

上記電源電圧検出回路100では、図5に示すように電源電圧Vddがある電圧Vdd以下であって、かつ分圧電圧Vxが基準電圧Vref以下の場合は、電圧検出信号Vはハイレベルとなる。当該ハイレベルの電源電圧検出信号Vはリセット信号として他の回路に供給され、他の回路のリセット動作がなされる。 In the supply voltage detection circuit 100, equal to or less than the voltage Vdd 1 is the power supply voltage Vdd as shown in FIG. 5, and when the divided voltage Vx is less than or equal to the reference voltage Vref, the voltage detection signal V 1 was a high level Become. The power supply voltage detection signal V 1 of the said high level is supplied to other circuits as a reset signal, the reset operation of the other circuit is made.

ところで、マイクロコンピュータでは、通常動作状態(以下、通常動作モードとする)以外に低消費電力状態(以下、スタンバイモードとする)と呼ばれる状態がある。スタンバイモードは、全ての回路が動作しているのでなく、一部の回路(例えば、CPUや発振回路等)が動作を停止している状態である。   By the way, in a microcomputer, there exists a state called a low power consumption state (henceforth a standby mode) other than a normal operation state (henceforth a normal operation mode). The standby mode is a state in which not all circuits are operating, but some circuits (for example, a CPU and an oscillation circuit) are not operating.

本発明に関連した技術は、例えば以下の特許文献に記載されている。
特開平6−75649号公報 特開平11−119873号公報
Techniques related to the present invention are described in, for example, the following patent documents.
JP-A-6-75649 Japanese Patent Laid-Open No. 11-119873

しかしながら、上述したような電源電圧検出回路では、以下の2つの問題があった。まず第1に、上述した電源電圧検出回路は検出精度が高いというメリットがある一方で、消費電流が大きく、低消費電流が求められるスタンバイモードに適さないという問題があった。   However, the power supply voltage detection circuit as described above has the following two problems. First, while the above-described power supply voltage detection circuit has the advantage of high detection accuracy, it has a problem that it consumes a large amount of current and is not suitable for a standby mode that requires low current consumption.

第2に、スタンバイモードでは、通常動作モードの動作保証電圧以下の電源電圧であっても一定値以上であれば、動作上特に問題が起きない場合がある。例えば、メモリやレジスタ等の記憶素子にデータを保持する場合である。しかしながら、上述した従来の電源電圧検出回路では検出レベル(検出信号が反転する境界となる電源電圧Vddのレベル)を通常動作モードの動作保証電圧の範囲内(例えば3V〜5V)で設定していた。そのため、例えば電源電圧が瞬間的に下がりその後直ぐに回復するような場合であって、スタンバイモードにおいては必ずしもリセット動作する必要がない場合にも関わらず、低電圧を検出する信号が出力されてしまうということがあった。そして、その結果としてLSIがリセット状態となり、メモリやレジスタに保持されたデータが消えてしまうという問題があった。   Secondly, in the standby mode, even if the power supply voltage is equal to or lower than the operation guarantee voltage in the normal operation mode, there may be no problem in operation as long as it is a certain value or more. For example, it is a case where data is held in a storage element such as a memory or a register. However, in the above-described conventional power supply voltage detection circuit, the detection level (the level of the power supply voltage Vdd that becomes the boundary where the detection signal is inverted) is set within the range of the operation guarantee voltage in the normal operation mode (for example, 3 V to 5 V). . Therefore, for example, when the power supply voltage drops instantaneously and then recovers immediately, a signal for detecting a low voltage is output in spite of the fact that the reset operation is not necessarily required in the standby mode. There was a thing. As a result, there is a problem that the LSI is in a reset state and data held in the memory or register is lost.

そこで本発明は、低消費電流を実現するとともに、スタンバイモードを有する半導体集積回路において期待しないリセット動作を防止可能な電源電圧検出回路を提供することを主たる目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is a primary object of the present invention to provide a power supply voltage detection circuit that realizes a low current consumption and can prevent an unexpected reset operation in a semiconductor integrated circuit having a standby mode.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、主な特徴は以下のとおりである。すなわち本発明の電源電圧検出回路は、バンドギャップ型の第1の基準電圧発生回路と、この第1の基準電圧発生回路から出力される第1の基準電圧と電源電圧に応じた電圧とを比較するコンパレータとを備え、このコンパレータから第1の電源電圧検出信号を出力する第1の電源電圧検出回路と、抵抗とトランジスタ又はダイオードを直列接続してなり、第2の電源電圧検出信号を出力する第2の電源電圧検出回路と、通常動作モードの場合に、前記第1の電源電圧検出信号を選択出力し、スタンバイモードの場合に、前記第2の電源電圧検出信号を選択出力する選択回路と、を備え、前記第2の電源電圧検出回路は、電源電圧の検出レベルが前記第1の電源電圧検出回路よりも低く設定されていることを特徴とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and the main features are as follows. That is, the power supply voltage detection circuit according to the present invention compares the first reference voltage generation circuit of the band gap type with the first reference voltage output from the first reference voltage generation circuit and a voltage corresponding to the power supply voltage. A first power supply voltage detection circuit for outputting a first power supply voltage detection signal from the comparator, and a resistor and a transistor or a diode connected in series to output a second power supply voltage detection signal. A second power supply voltage detection circuit; and a selection circuit that selectively outputs the first power supply voltage detection signal in the normal operation mode and selectively outputs the second power supply voltage detection signal in the standby mode. The second power supply voltage detection circuit is characterized in that the detection level of the power supply voltage is set lower than that of the first power supply voltage detection circuit.

また、本発明の電源電圧検出回路は、前記スタンバイモードの場合に、前記第1の基準電圧発生回路及び前記コンパレータへの電源電圧の供給を停止する制御回路を備えることを特徴とする。   The power supply voltage detection circuit according to the present invention includes a control circuit that stops supply of power supply voltage to the first reference voltage generation circuit and the comparator in the standby mode.

本発明の電源電圧検出回路は、検出レベルが異なる電源電圧検出回路を複数配置し、選択回路を用いて通常動作モードとスタンバイモードとで、出力する検出信号を選択している。そのため、本発明によれば従来に比してスタンバイモードでの期待しない低電圧の検出を抑えることができる。   In the power supply voltage detection circuit of the present invention, a plurality of power supply voltage detection circuits having different detection levels are arranged, and a detection signal to be output is selected in a normal operation mode and a standby mode using a selection circuit. Therefore, according to the present invention, it is possible to suppress detection of an unexpected low voltage in the standby mode as compared with the conventional case.

また、スタンバイモードの場合に、通常動作モード用の電源電圧検出回路への電源電圧の供給を停止する制御回路を設けることで、従来に比して低消費電流なスタンバイモードを実現することができる。   Further, by providing a control circuit for stopping the supply of the power supply voltage to the power supply voltage detection circuit for the normal operation mode in the standby mode, a standby mode with a lower current consumption than in the prior art can be realized. .

次に、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、従来と同様の構成については同一符号を示し、その説明を省略するか簡略する。   Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the same code | symbol is shown about the structure similar to the past, and the description is abbreviate | omitted or simplified.

本実施形態の電源電圧検出回路は主として、図1に示すように、第1の電源電圧検出回路10と、第2の電源電圧検出回路20と、これらの回路から出力される信号を選択的に出力するための選択回路30とから構成されている。   As shown in FIG. 1, the power supply voltage detection circuit of this embodiment mainly selects a first power supply voltage detection circuit 10, a second power supply voltage detection circuit 20, and signals output from these circuits. And a selection circuit 30 for outputting.

第1の電源電圧検出回路10について説明する。第1の電源電圧検出回路10は、マイクロコンピュータの通常動作モードに対応した電源電圧検出回路であり、電源電圧Vddが通常動作モードの動作保証電圧の範囲にあるか否かを検出するための回路である。第1の電源電圧検出回路10は、一定の基準電圧Vrefを出力するバンドギャップ型の第1の基準電圧発生回路11と、電源電圧Vddを分圧抵抗R及びRによって分圧電圧Vxに分圧して出力する分圧回路12と、それらの各出力を比較し、その判定結果を出力するコンパレータ13を備える。なお、第1の基準電圧発生回路11の具体的な回路構成例は、図4で示したものと同様である。 The first power supply voltage detection circuit 10 will be described. The first power supply voltage detection circuit 10 is a power supply voltage detection circuit corresponding to the normal operation mode of the microcomputer, and is a circuit for detecting whether or not the power supply voltage Vdd is within the range of the operation guarantee voltage in the normal operation mode. It is. The first power supply voltage detection circuit 10 includes a first reference voltage generating circuit 11 of the bandgap for outputting a constant reference voltage Vref, the by the power supply voltage Vdd voltage dividing resistors R 1 and R 2 in the divided voltage Vx A voltage dividing circuit 12 that divides and outputs the voltage and a comparator 13 that compares the respective outputs and outputs the determination result are provided. A specific circuit configuration example of the first reference voltage generation circuit 11 is the same as that shown in FIG.

また、第1の基準電圧発生回路11,分圧回路12及びコンパレータ13への電源電圧Vddの供給を制御するための制御回路として、スタンバイ信号STBがゲートに印加されたPMOSM〜Mが各回路に接続されている。スタンバイモードの場合は、スタンバイ信号STBがハイレベルとなり、PMOSM〜Mはオフして第1の電源電圧検出回路10への電源電圧Vddの供給が停止する。逆に通常動作モードでは、スタンバイ信号STBがロウレベルとなり、PMOSM〜Mはオンして第1の電源電圧検出回路10へ電源電圧Vddが供給される。 The first reference voltage generating circuit 11, as a control circuit for controlling the supply of the power supply voltage Vdd to the voltage divider circuit 12 and a comparator 13, PMOSM 1 ~M 3 the standby signal STB is applied to the gate each Connected to the circuit. If the standby mode, the standby signal STB becomes high level, PMOSM 1 ~M 3 the supply of the power supply voltage Vdd to the first power supply voltage detecting circuit 10 is turned off to stop. On the other hand, in the normal operation mode, the standby signal STB becomes low level, the PMOSM 1 to M 3 are turned on, and the power supply voltage Vdd is supplied to the first power supply voltage detection circuit 10.

コンパレータ13から出力される検出信号を第1の電源電圧検出信号Vとする。第1の電源電圧検出回路10では、電源電圧Vddが第1の電圧Vddよりも小さく、かつ分圧電圧Vxが第1の基準電圧Vrefよりも小さい場合には、図5に示すようにハイレベルの第1の電源電圧検出信号Vが出力される。ハイレベルの第1の電源電圧検出信号Vは、通常動作モードにおける電圧低下を検出する信号であり、後述する選択回路30を介して他の回路にリセット信号として供給される。 A detection signal output from the comparator 13 to the first power supply voltage detection signal V 1. In the first power supply voltage detection circuit 10, when the power supply voltage Vdd is smaller than the first voltage Vdd 1 and the divided voltage Vx is smaller than the first reference voltage Vref, as shown in FIG. first power supply voltage detection signal V 1 of the level is output. First power supply voltage detection signal V 1 of the high level is a signal for detecting a voltage drop in the normal operation mode, is supplied as a reset signal to other circuits via the selection circuit 30 to be described later.

ここで第1の電圧Vddは、通常動作モードの動作保証電圧の範囲内の電圧値であり、第1の電源電圧検出信号Vのレベルが反転する電圧値である。電源電圧Vddが第1の電圧Vddよりも小さく、かつ分圧電圧Vxが第1の基準電圧Vrefよりも小さい場合には、図5に示すようにハイレベルの第1の電源電圧検出信号Vが出力される。 Here, the first voltage Vdd 1 is a voltage value within the range of the operation guarantee voltage in the normal operation mode, and is a voltage value at which the level of the first power supply voltage detection signal V 1 is inverted. When the power supply voltage Vdd is smaller than the first voltage Vdd 1 and the divided voltage Vx is smaller than the first reference voltage Vref, a high-level first power supply voltage detection signal V as shown in FIG. 1 is output.

第2の電源電圧検出回路20について説明する。第2の電源電圧検出回路20は、マイクロコンピュータのスタンバイモードに対応した電源電圧検出回路であり、電源電圧Vddがスタンバイモードの動作保証電圧の範囲にあるか否かを検出するための回路である。つまり、第2の電源電圧検出回路20は、上記第1の電源電圧検出回路10よりも低い電圧値(第2の電圧Vddとする)を検出レベルとする回路である。さらに言えば、第2の電圧Vddは、通常動作モードにおける動作保証の最低電圧値よりも低い電圧値(例えば1ボルト)である。 The second power supply voltage detection circuit 20 will be described. The second power supply voltage detection circuit 20 is a power supply voltage detection circuit corresponding to the standby mode of the microcomputer, and is a circuit for detecting whether or not the power supply voltage Vdd is within the operation guarantee voltage range of the standby mode. . In other words, the second power supply voltage detection circuit 20 is a circuit that uses a voltage value (referred to as the second voltage Vdd 2 ) lower than that of the first power supply voltage detection circuit 10 as a detection level. Furthermore, the second voltage Vdd 2 is a voltage value (for example, 1 volt) lower than the lowest voltage value guaranteed for operation in the normal operation mode.

第2の電源電圧検出回路20は、例えば電源電圧Vddと接地電圧GNDとの間に直列接続された抵抗Rとゲートとドレインが短絡されたNチャネル型MOSトランジスタ(以下、NMOSとする)M及びMと、抵抗RとNMOSMとの接続点に接続されたバッファ21とから構成されている。 Second power supply voltage detection circuit 20, for example, the power supply voltage Vdd and N-channel type MOS transistor in series-connected resistors R 3 and the gate and drain are short-circuited between the ground voltage GND (hereinafter referred to as NMOS) M 4 and M 5, and a resistor R 3 and NMOSM 4 and buffer connected 21. to the connection point of the.

NMOSMのゲートは、電源電圧Vddと抵抗Rとの接続点に接続されている。そして、抵抗RとNMOSMとの接続点からバッファ21を介して第2の電源電圧検出信号Vが出力される。なお、抵抗RはNMOSM及びMに比して高抵抗であるとする。NMOSM及びMのそれぞれのしきい値をVtとする。 The gate of NMOSM 4 is connected to a connection point between the power supply voltage Vdd and the resistor R 3. Then, the second power supply voltage detection signal V 2 is output through the buffer 21 from the connection point between the resistor R 3 and the NMOS M 4 . The resistor R 3 is as a high resistance compared to NMOSM 4 and M 5. The threshold values of the NMOSs M 4 and M 5 are Vt.

第2の電源電圧検出回路20では、電源電圧Vddが上述した第2の電圧Vdd(本実施形態では、NMOSM及びMのしきい値Vtを加算した値=2Vt)よりも小さい場合には、NMOSM及びMはオフし、図2に示すように第2の電源電圧検出信号Vはハイレベルとなる。なお、上述のとおり、第2の電圧Vdd<第1の電圧Vddの関係が成り立つ。ハイレベルの第2の電源電圧検出信号Vは、スタンバイモードにおける電圧低下を検出する信号であり、後述する選択回路30を介して他の回路にリセット信号として供給される。 In the second power supply voltage detection circuit 20, the power supply (in this embodiment, NMOSM 4 and M 5 in the threshold Vt of the added value = 2Vt) second voltage Vdd 2 voltage Vdd is above is smaller than is, NMOSM 4 and M 5 are turned off, the power supply voltage detection signal V 2 of the second as shown in FIG. 2 is a high level. As described above, the relationship of the second voltage Vdd 2 <the first voltage Vdd 1 is established. Second power supply voltage detection signal V 2 of the high level is a signal for detecting a voltage drop in the standby mode, it is supplied as a reset signal to other circuits via the selection circuit 30 to be described later.

逆に、電源電圧Vddが第2の電圧Vddよりも大きい場合には、NMOSM及びMがオンするため、図2に示すように第2の電源電圧検出信号Vがロウレベルとなる。 On the other hand, when the power supply voltage Vdd is larger than the second voltage Vdd 2 , the NMOS M 4 and M 5 are turned on, so that the second power supply voltage detection signal V 2 becomes low level as shown in FIG.

このように、第2の電源電圧検出回路20はスタンバイモード専用の電源電圧検出回路であり、これにより第1の電源電圧検出回路10よりも低い電圧レベルを検出している。なお、第2の電源電圧検出回路20の検出レベル(第2の電圧Vdd)は、NMOSM及びMのしきい値や、配置するトランジスタの個数を調節することで任意に設定することができる。また、トランジスタに換えてダイオード素子を配置することもできる。 Thus, the second power supply voltage detection circuit 20 is a power supply voltage detection circuit dedicated to the standby mode, and thereby detects a voltage level lower than that of the first power supply voltage detection circuit 10. Note that the detection level (second voltage Vdd 2 ) of the second power supply voltage detection circuit 20 can be arbitrarily set by adjusting the threshold values of the NMOSs M 4 and M 5 and the number of transistors to be arranged. it can. In addition, a diode element can be arranged instead of the transistor.

選択回路30は、いわゆるマルチプレクサ(Multiplexer)であり、通常動作モードの場合には第1の電源電圧検出回路10から出力される第1の電源電圧検出信号Vを選択的に出力し、スタンバイモードの場合には第2の電源電圧検出回路20から出力される第2の電源電圧検出信号Vを選択的に出力するものである。具体的には例えば図1に示すように、第1の入力端子に第1の電源電圧検出信号Vが入力され、第2の入力端子にスタンバイ信号STBがインバータ32を介して入力されたAND回路31と、第1の入力端子にスタンバイ信号STBが入力され、第2の入力端子に第2の電源電圧検出信号Vが入力されたAND回路33と、AND回路31,33の出力がそれぞれ入力端子に入力されたOR回路34とから構成されている。このような選択回路30によれば、通常動作モードの場合(スタンバイ信号STBはロウレベル)には第1の電源電圧検出信号Vが出力され、スタンバイモードの場合(スタンバイ信号STBはハイレベル)には、第2の電源電圧検出信号Vが出力される。 Selection circuit 30 is a so-called multiplexer (Multiplexer), in the case of the normal operation mode selectively outputs the first power supply voltage detection signal V 1 output from the first power supply voltage detection circuit 10, the standby mode in the case of those for outputting a second power supply voltage detection signal V 2 output from the second power supply voltage detection circuit 20 selectively. Specifically, for example, as shown in FIG. 1, the first power supply voltage detection signal V1 is input to the first input terminal, and the standby signal STB is input to the second input terminal via the inverter 32. a circuit 31, the standby signal STB to the first input terminal is input, a second power supply voltage detection signal V aND circuit 33 2 is input to the second input terminal, the output of the aND circuit 31 and 33 respectively And an OR circuit 34 inputted to the input terminal. According to the selection circuit 30, in the normal operation mode (standby signal STB is low level) first power supply voltage detection signal V 1 is output to the, in the case of the standby mode (standby signal STB is high level) the second power supply voltage detection signal V 2 is output.

次に、上述の回路の動作を説明する。マイクロコンピュータの通常動作モードでは、スタンバイ信号STBはロウレベルであり、PMOSM〜Mはオンし、基準電圧発生回路11,分圧回路12及びコンパレータ13へ電源電圧Vddが供給される。そして、電源電圧Vddが第1の電圧Vddよりも大きい場合には、図5に示すようにロウレベルの第1の電源電圧検出信号Vが選択回路30から出力される。電源電圧Vddが第1の電圧Vddよりも小さい場合には信号が反転してハイレベルの第1の電源電圧検出信号Vが出力され、リセット動作がなされる。 Next, the operation of the above circuit will be described. In the normal operation mode of the microcomputer, the standby signal STB is at a low level, the PMOS M 1 to M 3 are turned on, and the power supply voltage Vdd is supplied to the reference voltage generation circuit 11, the voltage dividing circuit 12 and the comparator 13. When the power supply voltage Vdd is higher than the first voltage Vdd 1 , a low-level first power supply voltage detection signal V 1 is output from the selection circuit 30 as shown in FIG. When the power supply voltage Vdd is smaller than the first voltage Vdd 1 , the signal is inverted and the high-level first power supply voltage detection signal V 1 is output, and the reset operation is performed.

一方スタンバイモードではスタンバイ信号STBはハイレベルであり、PMOSM〜Mはオフし、第1の電源電圧検出回路10には電源電圧Vddが供給されない。そして、電源電圧Vddが第2の電圧Vddよりも大きい場合には、ロウレベルの第2の電源電圧検出信号Vが選択回路30から出力される。電源電圧Vddが第2の電圧Vddよりも小さい場合には信号が反転してハイレベルの第2の電源電圧検出信号Vが出力され、リセット動作がなされる。 On the other hand, in the standby mode, the standby signal STB is at a high level, the PMOSs M 1 to M 3 are turned off, and the power supply voltage Vdd is not supplied to the first power supply voltage detection circuit 10. When the power supply voltage Vdd is larger than the second voltage Vdd 2 , a low-level second power supply voltage detection signal V 2 is output from the selection circuit 30. When the power supply voltage Vdd is lower than the second voltage Vdd 2 , the signal is inverted and a high-level second power supply voltage detection signal V 2 is output, and a reset operation is performed.

このように本実施形態では、検出レベルが通常動作モードの動作保証電圧の範囲内で設定された第1の電源電圧検出回路10と、検出レベルが通常動作モードの動作保証電圧よりも低く設定された第2の電源電圧検出回路20とを配置し、選択回路30で動作モードに応じていずれかの検出信号のみを選択的に出力させている。これにより、従来に比してスタンバイモードでの期待しない低電圧の検出を抑えることができる。そして、不要なリセット動作を抑え、真にリセット動作が必要な時点でのみリセット動作を行うことができる。   Thus, in the present embodiment, the first power supply voltage detection circuit 10 in which the detection level is set within the range of the operation guarantee voltage in the normal operation mode, and the detection level is set lower than the operation guarantee voltage in the normal operation mode. The second power supply voltage detection circuit 20 is arranged, and the selection circuit 30 selectively outputs only one of the detection signals according to the operation mode. Thereby, it is possible to suppress detection of an unexpected low voltage in the standby mode as compared with the conventional case. Then, an unnecessary reset operation can be suppressed, and the reset operation can be performed only when the reset operation is truly necessary.

また、本実施形態では、スタンバイモードの際に消費電流の低い第2の電源電圧検出回路20のみに電源電圧を供給し、消費電流の高い第1の電源電圧検出回路10への電源電圧の供給を停止させている。そのため、従来に比して低消費電流なスタンバイモードを実現することができる。   In the present embodiment, the power supply voltage is supplied only to the second power supply voltage detection circuit 20 with low current consumption in the standby mode, and the power supply voltage is supplied to the first power supply voltage detection circuit 10 with high current consumption. Is stopped. Therefore, it is possible to realize a standby mode that consumes less current than in the prior art.

本発明は上記実施形態に限定されることはなくその要旨を逸脱しない範囲で設計変更が可能であることは言うまでも無い。例えば、バンドギャップ型の基準電圧発生回路11は、図4で示したようにNPN型BIPトランジスタを用いた回路構成でもよいし、PNP型BIPトランジスタを用いた回路構成でもよい。また、第2の電源電圧検出信号Vの遅延等を考慮し、上述したバッファ21を配置しない場合もある。 It goes without saying that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and that design changes can be made without departing from the scope of the invention. For example, the band gap type reference voltage generation circuit 11 may have a circuit configuration using an NPN type BIP transistor as shown in FIG. 4 or a circuit configuration using a PNP type BIP transistor. The second consideration of the supply voltage delay of the detection signal V 2, etc., may not place the buffer 21 described above.

本発明の実施形態に係る電源電圧検出回路を示す回路図である。1 is a circuit diagram showing a power supply voltage detection circuit according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係る電源電圧検出回路の動作を示す波形図である。It is a wave form diagram which shows operation | movement of the power supply voltage detection circuit which concerns on embodiment of this invention. 従来の電源電圧検出回路を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the conventional power supply voltage detection circuit. バンドギャップ型の基準電圧発生回路を示す回路図である。It is a circuit diagram showing a band gap type reference voltage generating circuit. 従来の電源電圧検出回路の動作を示す波形図である。It is a wave form diagram which shows the operation | movement of the conventional power supply voltage detection circuit.

符号の説明Explanation of symbols

10 第1の電源電圧検出回路 11 基準電圧発生回路 12 分圧回路
20 第2の電源電圧検出回路 21 バッファ 30 選択回路
31 AND回路 32 インバータ 33 AND回路 34 OR回路
100 電源電圧検出回路 101 基準電圧発生回路 102 コンパレータ
〜M,Ma,Mb Pチャネル型MOSトランジスタ
,M Nチャネル型MOSトランジスタ
Ra,Rb,Rc,Rd,R,R 抵抗 Vx 分圧電圧
Vref 基準電圧 Vref 第1の基準電圧
STB スタンバイ信号 V 第1の電源電圧検出信号
第2の電源電圧検出信号 Vdd 電源電圧
Vdd 第1の電圧 Vdd 第2の電圧
Q1〜QK+1 NPN型バイポーラトランジスタ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 1st power supply voltage detection circuit 11 Reference voltage generation circuit 12 Voltage dividing circuit 20 2nd power supply voltage detection circuit 21 Buffer 30 Selection circuit
31 AND circuit 32 Inverter 33 AND circuit 34 OR circuit 100 Power supply voltage detection circuit 101 Reference voltage generation circuit 102 Comparator
M 1 to M 3 , Ma, Mb P-channel MOS transistors M 4 , M 5 N-channel MOS transistors
Ra, Rb, Rc, Rd, R 1 , R 2 resistance Vx Divided voltage
Vref reference voltage Vref 1 first reference voltage
STB standby signal V 1 first power supply voltage detection signal V 2 second power supply voltage detection signal Vdd power supply voltage Vdd 1 first voltage Vdd 2 second voltage
Q1-Q K + 1 NPN bipolar transistor

Claims (3)

バンドギャップ型の第1の基準電圧発生回路と、
この第1の基準電圧発生回路から出力される第1の基準電圧と電源電圧に応じた電圧とを比較するコンパレータとを備え、このコンパレータから第1の電源電圧検出信号を出力する第1の電源電圧検出回路と、
抵抗とトランジスタ又はダイオードを直列接続してなり、第2の電源電圧検出信号を出力する第2の電源電圧検出回路と、
通常動作モードの場合に、前記第1の電源電圧検出信号を選択出力し、スタンバイモードの場合に、前記第2の電源電圧検出信号を選択出力する選択回路と、を備え、
前記第2の電源電圧検出回路は、電源電圧の検出レベルが前記第1の電源電圧検出回路よりも低く設定されていることを特徴とする電源電圧検出回路。
A band gap type first reference voltage generating circuit;
A first power source that includes a comparator that compares the first reference voltage output from the first reference voltage generation circuit with a voltage corresponding to the power source voltage, and that outputs a first power source voltage detection signal from the comparator; A voltage detection circuit;
A second power supply voltage detection circuit configured by connecting a resistor and a transistor or a diode in series, and outputting a second power supply voltage detection signal;
A selection circuit that selectively outputs the first power supply voltage detection signal in the normal operation mode and selectively outputs the second power supply voltage detection signal in the standby mode;
In the second power supply voltage detection circuit, the power supply voltage detection level is set lower than that in the first power supply voltage detection circuit.
前記スタンバイモードの場合に、前記第1の基準電圧発生回路及び前記コンパレータへの電源電圧の供給を停止する制御回路を備えることを特徴とする請求項1に記載の電源電圧検出回路。 The power supply voltage detection circuit according to claim 1, further comprising a control circuit that stops supply of power supply voltage to the first reference voltage generation circuit and the comparator in the standby mode. 前記第2の電源電圧検出回路の電源電圧の検出レベルが、前記通常動作モードにおける動作保証電圧よりも低い範囲に設定されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電源電圧検出回路。 The power supply voltage according to claim 1 or 2, wherein a detection level of the power supply voltage of the second power supply voltage detection circuit is set in a range lower than an operation guarantee voltage in the normal operation mode. Detection circuit.
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