JP4744425B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
以下、第1の実施の形態に係る基板処理装置について図面を参照しながら説明する。
図1(a)は本発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置の平面図であり、図1(b)は図1(a)の基板処理装置を矢印Xの方向から見た模式的側面図である。また、図2は、図1(a)のA−A線断面を模式的に示す図である。
次に、図1および図2を参照して基板処理装置100の動作の概要について説明する。なお、以下に説明する基板処理装置100の各構成要素の動作は、図1の制御部4により制御される。
ここで、メインロボットMRの詳細な構成について説明する。図3(a)は、メインロボットMRの側面図であり、図3(b)はメインロボットMRの平面図である。
次に、反転ユニットRTの詳細について説明する。図4(a)は反転ユニットRTの側面図であり、図4(b)は反転ユニットRTの斜視図である。
次に、反転ユニットRTの動作について説明する。図5は裏面洗浄処理前の基板Wを反転させる場合の反転ユニットRTの動作を示し、図6は裏面洗浄処理後の基板Wを反転させる場合の反転ユニットRTの動作を示す。
次に、反転ユニットRTへの基板Wの搬入時および反転ユニットRTからの基板Wの搬出時におけるメインロボットMRの動作について詳細に説明する。ここでは、裏面洗浄処理前の基板Wを反転ユニットRTに搬入する場合およびその基板Wを反転ユニットRTから搬出する場合について説明する。図7および図8は、反転ユニットRTへの基板Wの搬入時および反転ユニットRTからの基板Wの搬出時におけるメインロボットMRの動作を示す図である。
次に、図1に示した表面洗浄ユニットSSおよび裏面洗浄ユニットSSRについて説明する。図9は表面洗浄ユニットSSの構成を説明するための図であり、図10は裏面洗浄ユニットSSRの構成を説明するための図である。図9に示す表面洗浄ユニットSSおよび図10に示す裏面洗浄ユニットSSRでは、ブラシを用いた基板Wの洗浄処理(以下、スクラブ洗浄処理と呼ぶ)が行われる。
第1の実施の形態では、反転ユニットRTにおいて、裏面洗浄処理前の基板Wの反転時には基板Wが第1可動板36aの支持ピン39cと固定板32の支持ピン39aとにより保持され、裏面洗浄処理後の基板Wの反転時には基板Wが第2可動板36bの支持ピン39dと固定板32の支持ピン39bとにより保持される。
以下、参考例としての基板処理装置について第1の実施の形態と異なる点を説明する。
図11(a)は参考例としての基板処理装置の平面図であり、図11(b)は図11(a)の基板処理装置のB−B線断面図である。
反転ユニットRTA,RTBについて図4の反転ユニットRTと異なる点を説明する。なお、反転ユニットRTA,RTBは互いに同じ構成を有する。
参考例では、裏面洗浄処理前の基板Wと裏面洗浄処理後の基板Wとが互いに異なる反転ユニットRTA,RTBにより反転される。この場合、裏面洗浄処理前の基板Wの裏面が汚染されていても、汚染物が裏面洗浄処理後の基板Wに転移しない。それにより、裏面洗浄処理後の基板Wの裏面を清浄な状態で維持することができ、裏面の汚染に起因した基板Wの処理不良を防止することができる。
上記実施の形態では、基板Wの表面洗浄処理後に基板Wの裏面洗浄処理を行うが、これに限らず、基板Wの裏面洗浄処理後に基板Wの表面洗浄処理を行ってもよい。この場合、基板Wに裏面洗浄処理が施される前に、その基板Wは反転ユニットRTにより裏面が上方に向くように反転される。そして、基板Wに裏面洗浄処理が施された後、その基板Wは反転ユニットRTにより表面が上方を向くように反転される。その後、基板Wに表面洗浄処理が施される。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
11 処理ブロック
32 固定板
36a 第1可動板
37a,37b シリンダ
38 ロータリアクチュエータ
39a,39b,39c,39d 支持ピン
40 キャリア載置台
100,100a 基板処理装置
IR インデクサロボット
IRH1,IRH2 ハンド
MR メインロボット
MRH1,MRH2 ハンド
RT,RTA,RTB 反転ユニット
SS 表面洗浄ユニット
SSR 裏面洗浄ユニット
W 基板
Claims (4)
- 表面および裏面を有する基板に処理を行う基板処理装置であって、
基板の前記裏面を洗浄する第1の洗浄処理部と、
基板の前記表面と前記裏面とを反転させる反転手段と、
前記第1の洗浄処理部と前記反転手段との間で基板を搬送する第1の搬送手段とを備え、
前記反転手段は、
基板を保持する第1の保持機構と、
基板を保持する第2の保持機構と、
前記第1および第2の保持機構を略水平方向の軸の周りで一体的に回転させる回転装置とを含み、
前記第1の搬送手段は、前記第1の洗浄処理部による洗浄前の基板を前記反転手段の前記第1の保持機構に搬入し、前記第1の洗浄処理部による洗浄後の基板を前記反転手段の前記第2の保持機構に搬入し、
前記第1および第2の保持機構は、一面および他面を有する共通の反転保持部材を含み、
前記第1の保持機構は、
前記共通の反転保持部材の前記一面に設けられ、基板の外周部を支持する複数の第1の支持部と、
前記共通の反転保持部材の前記一面に対向するように設けられた第1の反転保持部材と、
前記共通の反転保持部材に対向する前記第1の反転保持部材の面に設けられ、基板の外周部を支持する複数の第2の支持部と、
前記第1の反転保持部材と前記共通の反転保持部材とが互いに離間した第1の状態と、前記第1の反転保持部材と前記共通の反転保持部材とが互いに近接した第2の状態とに選択的に移行するように前記第1の反転保持部材を前記共通の反転保持部材に対して相対的に移動させる第1の駆動機構とを含み、
前記第2の保持機構は、
前記共通の反転保持部材の前記他面に設けられ、基板の外周部を支持する複数の第3の支持部と、
前記共通の反転保持部材の前記他面に対向するように設けられた第2の反転保持部材と、
前記共通の反転保持部材に対向する前記第2の反転保持部材の面に設けられ、基板の外周部を支持する複数の第4の支持部と、
前記第2の反転保持部材と前記共通の反転保持部材とが互いに離間した第3の状態と、前記第2の反転保持部材と前記共通の反転保持部材とが互いに近接した第4の状態とに選択的に移行するように前記第2の反転保持部材を前記共通の反転保持部材に対して相対的に移動させる第2の駆動機構とを含むことを特徴とする基板処理装置。 - 前記第1の搬送手段は、基板の下面を保持する第1および第2の搬送保持部を含み、
前記第1の洗浄処理部による洗浄前において、基板の下面が裏面である状態では前記第1の搬送保持部により基板の下面を保持し、前記第1の洗浄処理部による洗浄後において、基板の下面が裏面である状態では前記第2の搬送保持部により基板の下面を保持することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 基板を収納する収納容器が載置される容器載置部と、
基板の受け渡しのための第1および第2の受け渡し部と、
前記容器載置部に載置された収納容器と前記第1および第2の受け渡し部との間で基板を搬送する第2の搬送手段とをさらに備え、
前記第2の搬送手段は、基板を保持する第3および第4の搬送保持部を含み、前記第1の洗浄処理部による洗浄前の基板を前記容器載置部に載置された収納容器から前記第3の搬送保持部により前記第1の受け渡し部に搬送し、前記第1の洗浄処理部による洗浄後の基板を前記第4の搬送保持部により前記第2の受け渡し部から前記容器載置部に載置された収納容器に搬送し、
前記第1の搬送手段は、前記第1の受け渡し部から前記第1の保持機構までの搬送経路では前記第1の搬送保持部により基板を保持し、前記第2の保持機構から前記第2の受け渡し部までの搬送経路では前記第2の搬送保持部により基板を保持することを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。 - 基板の前記表面を洗浄する第2の洗浄処理部をさらに備え、
前記第1の搬送手段は、前記第1の洗浄処理部、前記第2の洗浄処理部および前記反転手段の間で基板を搬送することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の基板処理装置。
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Families Citing this family (15)
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---|---|---|---|---|
US20100195083A1 (en) * | 2009-02-03 | 2010-08-05 | Wkk Distribution, Ltd. | Automatic substrate transport system |
JP5678177B2 (ja) * | 2011-04-13 | 2015-02-25 | シャープ株式会社 | 基板支持装置、及び乾燥装置 |
KR101373507B1 (ko) * | 2012-02-14 | 2014-03-12 | 세메스 주식회사 | 디스플레이 셀들을 검사하기 위한 장치 |
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JP6320448B2 (ja) * | 2016-04-28 | 2018-05-09 | Towa株式会社 | 樹脂封止装置および樹脂封止方法 |
JP2018085354A (ja) * | 2016-11-21 | 2018-05-31 | 株式会社荏原製作所 | 反転機、反転ユニット、反転方法および基板処理方法 |
JP7114424B2 (ja) * | 2018-09-13 | 2022-08-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN111029273B (zh) * | 2018-10-10 | 2022-04-05 | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 | 一种低接触晶圆翻转系统 |
JP7227729B2 (ja) * | 2018-10-23 | 2023-02-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
WO2020082232A1 (en) * | 2018-10-23 | 2020-04-30 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Semiconductor device flipping apparatus |
CN111211064A (zh) * | 2018-11-21 | 2020-05-29 | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 | 一种低接触晶圆对中、翻转系统 |
CN110640324B (zh) * | 2019-09-02 | 2022-06-10 | 中芯集成电路(宁波)有限公司 | 一种晶圆双面制作系统 |
JP7446073B2 (ja) * | 2019-09-27 | 2024-03-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
KR102483735B1 (ko) * | 2022-06-15 | 2023-01-02 | 엔씨케이티 주식회사 | 다기능 반송로봇을 이용한 반도체 웨이퍼 세정장비 |
Family Cites Families (17)
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---|---|---|---|---|
JPH0723559B2 (ja) * | 1989-06-12 | 1995-03-15 | ダイセル化学工業株式会社 | スタンパー洗浄装置 |
JP3052105B2 (ja) * | 1992-11-20 | 2000-06-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄処理装置 |
US5518542A (en) | 1993-11-05 | 1996-05-21 | Tokyo Electron Limited | Double-sided substrate cleaning apparatus |
US6068002A (en) * | 1997-04-02 | 2000-05-30 | Tokyo Electron Limited | Cleaning and drying apparatus, wafer processing system and wafer processing method |
JP2001176833A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
KR100877044B1 (ko) * | 2000-10-02 | 2008-12-31 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 세정처리장치 |
JP3888608B2 (ja) * | 2001-04-25 | 2007-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板両面処理装置 |
KR100431515B1 (ko) * | 2001-07-30 | 2004-05-14 | 한국디엔에스 주식회사 | 반도체 세정설비에서의 웨이퍼 반전 유닛 |
JP2006502310A (ja) * | 2002-10-08 | 2006-01-19 | 株式会社荏原製作所 | 電解加工装置 |
CN100497731C (zh) * | 2002-11-15 | 2009-06-10 | 株式会社荏原制作所 | 基板处理装置和基板处理方法 |
US7735451B2 (en) * | 2002-11-15 | 2010-06-15 | Ebara Corporation | Substrate processing method and apparatus |
JP4287663B2 (ja) * | 2003-02-05 | 2009-07-01 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板の処理装置 |
JP4283559B2 (ja) * | 2003-02-24 | 2009-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 搬送装置及び真空処理装置並びに常圧搬送装置 |
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