JP4714406B2

JP4714406B2 - 半導体装置用ダイボンディング材及びこれを用いた半導体装置

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Publication number: JP4714406B2
Application number: JP2003055703A
Authority: JP
Inventors: 恵一畠山; 和彦蔵渕; 直也鈴木; 雅昭安田; 隆行松崎; 道生宇留野
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd; Showa Denko Materials Co Ltd; Resonac Corp
Current assignee: Resonac Corp
Priority date: 2003-03-03
Filing date: 2003-03-03
Publication date: 2011-06-29
Anticipated expiration: 2023-03-03
Also published as: JP2004266137A

Description

【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、シート状に加工した半導体装置用ダイボンディング材をシリコンウェハに貼り付けたときのウェハ反りを抑え、またこのダイボンディング材を用いて作製した半導体装置の吸湿リフロー処理によるはく離を低減できる半導体装置用ダイボンディング材、ダイボンディング材を貼り付けたシリコンウェハ、ならびにダイボンディング材を用いて製造される半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体装置にはデュアルインラインパッケージ（ＤＩＰ）、クアッドフラットパッケージ（ＱＦＰ）が用いられてきた。しかし、半導体素子の多ピン化、半導体装置の軽薄短小化に伴って、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）、ランドグリッドアレイ（ＬＧＡ）等のパッケージが注目されており、近年はパッケージの大きさが半導体チップとほぼ同等なサイズにまで小型化したチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）が開発されている。これら半導体装置、いわゆるＣＳＰの一般的な構造は、接着剤を用いて半導体チップを配線付外部接続部材に接着保持させ、半導体チップと外部接続部材の端子とをワイヤボンディングやＴＡＢのインナーリードボンディング等各種方法により電気的に接続し、さらに必要に応じてパッケージの一部又は全体を樹脂封止している。これらの半導体装置において、半導体チップの回路面が外部接続部材の逆側に配置してある方式はフェイスアップ方式と呼ばれている。このフェイスアップ方式では半導体チップと外部接続部材はワイヤボンディングにより接続され、半導体チップを外部接続部材に接続する接着剤層が樹脂封止により密閉される構造となる。
【０００３】
配線付外部接続部材はポリイミドなどのフィルム基板やＢＴ樹脂などのリジッド基板からなる基板の表面に配線層が形成され、場合により回路保護材のソルダレジストが塗布された構造である。基板の配線層は半導体チップ側、外部接続端子部側、及び基板の両面側に配置される構造に分けられる。この中で、配線層が半導体チップ側に配置される構造（サーキットイン構造）では接着フィルムを圧着する外部接続部材表面に、配線パターンによる１〜５０μｍ程度の凹凸が存在する。
【０００４】
また、近年ではフェイスアップ方式の半導体装置において、チップを２枚、３枚と重ね、パッケージサイズを変えずに実装密度を高くするスタックドＣＳＰも開発、量産されている。スタックドＣＳＰでは実装密度の高さからチップ端部／ワイヤボンド端子の距離が近いため、現行で用いていたペースト状接着剤を用いることが困難であり、高信頼性ダイボンディング材の開発が求められている。通常、半導体装置用ダイボンディング材は３０〜２００μｍ程度の厚みが好適に用いられている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１１−２２００５１号公報（段落［００１２］［００１４］）
【特許文献２】
特開２０００−２５６６２８号公報（段落［００１５］）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようなダイボンディング材の接着剤層をシリコンウェハに貼り付けた場合、ウェハと接着剤層の熱膨張係数差によってウェハに反りが生じる。ウェハ反りが大きい場合、その後のダイシングができないだけでなく、最悪の場合ウェハが割れる場合がある。
【０００７】
一方、フェイスアップ方式の半導体装置に吸湿リフロー処理を行った際、接着剤層に吸湿した水分がリフロー処理の高温で水蒸気化し、接着剤層を中心としたはく離等の不良が生じやすい。接着剤層の吸湿水分量を小さくすることで前述の不良を抑制することは可能であるが、接着剤の他の特性を維持しつつ吸湿水分量のみを小さくすることは困難であるため、フェイスアップ方式の半導体装置の信頼性を向上させることは困難であった。
【０００８】
従って、本発明はこれらの問題を解決するためのものであって、従来のダイボンディング材（フィルム材）の欠点を克服し、ウェハにダイボンディング材を貼り付けたあとのウェハ反りが小さく作業性に優れる半導体装置用ダイボンディング材、ダイボンディング材を貼り付けたシリコンウェハ、ならびにダイボンディング材を用いて製造される半導体装置の吸湿リフロー時に発生するはく離を抑制し高い信頼性を備えた半導体装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下記の半導体装置用ダイボンディング材、ダイボンディング材付半導体ウェハ及び半導体装置に関する。
（１）半導体装置用ダイボンディング材であって、接着剤層と少なくとも１層の保護フィルム層からなり、
接着剤層とＳＵＳ３０４の２５℃におけるタック強度が５０ｇｆ以下、
接着剤層の１８０℃における溶融粘度が５０〜１×１０⁷Ｐａ・ｓの範囲であり、
接着剤層の厚みが１〜２０μｍ、かつ保護フィルム層の厚みが１〜３０μｍの範囲であることを特徴とする半導体装置用ダイボンディング材。
【００１０】
（２）接着剤層と保護フィルム層１層の厚みの和が４０μｍ以下であることを特徴とする上記の半導体装置用ダイボンディング材。
（３）接着剤層硬化物及び保護フィルム層の２５℃における引張り弾性率が、各々、３．０ＧＰａ以下であることを特徴とする上記の半導体装置用ダイボンディング材。
（４）接着剤層硬化物及び保護フィルム層の２５℃〜１５０℃における平均線膨張係数が３０．０×１０^-5／℃以下であることを特徴とする上記の半導体装置用ダイボンディング材。
（５）サンプル形状２０ｍｍφ×２．０ｍｍの円盤形にした接着剤層硬化物の８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿後における吸湿率が０．０２ｇ／ｃｍ^３以下であることを特徴とする上記の半導体装置用ダイボンディング材。
【００１１】
（６）接着剤層硬化物の８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿後の配線付外部接続部材とのダイシェア強度（２６５℃）が１．０ＭＰａ以上であることを特徴とす上記の半導体装置用ダイボンディング材。
（７）接着剤層硬化物の２６５℃における引張り弾性率が１〜２０ＭＰａの範囲であることを特徴とする上記の半導体装置用ダイボンディング材。
【００１２】
（８）本発明の半導体装置用ダイボンディング材と半導体ウェハとを、接着剤層と半導体ウェハの片面とが接するように貼り付けたダイボンディング材付半導体ウェハ。
（９）配線付外部接続部材と、接着剤層によって配線付外部接続部材に接続された半導体チップとを有する半導体装置であって、接着剤層が、本発明の半導体装置用ダイボンディング材から保護フィルムを剥離して得られる接着剤層であることを特徴とする半導体装置。
（１０）更に、半導体チップと配線付外部接続部材の配線とを電気的に接続しているボンディングワイヤ、並びに、配線付外部接続部材の配線面、半導体チップ及びボンディングワイヤを封止している封止用樹脂を有する上記の半導体装置。
【００１３】
（１１）本発明のダイボンディング材付半導体ウェハを接着剤層付半導体チップに分割する工程、接着剤層付半導体チップと配線付外部接続部材とを、接着剤層と配線付外部接続部材の配線面とが接するように積層し、加熱加圧して半導体チップと配線付外部接続部材とを接続する工程、半導体チップと配線付外部接続部材の配線とをボンディングワイヤにより電気的に接続する工程、並びに、配線付外部接続部材の配線面、配線付外部接続部材に接続された半導体チップ、及び、半導体チップと配線付外部接続部材の配線とを電気的に接続しているボンディングワイヤを、封止用樹脂で封止する工程を含む（１０）記載の半導体装置の製造方法。
【００１４】
（１２）配線付外部接続部材に本発明の半導体装置用ダイボンディング材を、接着剤層が配線面に接するように貼り付ける工程、配線付外部接続部材に貼り付けた半導体装置用ダイボンディング材から保護フィルムを剥離する工程、配線付外部接続部材と半導体チップとを、配線付外部接続部材に貼り付けた接着剤層と半導体チップの片面とが接するように積層し、加熱加圧して配線付外部接続部材と半導体チップとを接続する工程、半導体チップと配線付外部接続部材の配線とをボンディングワイヤにより電気的に接続する工程、並びに、配線付外部接続部材の配線面、配線付外部接続部材に接続された半導体チップ、及び、半導体チップと配線付外部接続部材の配線とを電気的に接続しているボンディングワイヤを、封止用樹脂で封止する工程を含む（１０）記載の半導体装置の製造方法。
【００１５】
【発明の実施の形態】
ダイボンディング材をウェハに貼り付けた場合に生じるウェハ反りは、▲１▼接着剤層及び保護フィルム層の厚み、▲２▼接着剤層及び保護フィルム層の物性値、▲３▼ウェハの厚み、▲４▼ダイボンディング材のラミネート温度、に影響を受けると考えられる。
【００１６】
一方吸湿リフロー時に発生するはく離は、▲１▼ダイボンディング材と外部接続部材の界面に存在する初期欠陥の有無、▲２▼接着剤層に吸湿される吸湿水分量、▲３▼接着剤層の物性値、▲４▼接着剤層とそれと接する界面とのリフロー温度におけるダイシェア強度、に影響を受けると考えられる。
【００１７】
本発明者らはこれらの影響に着目し、これらを中心に研究を重ねた結果、ダイボンディング材を貼り付けたあとのウェハ反りと吸湿リフロー処理により生じるはく離は、接着剤層とＳＵＳ３０４のタック強度（２５℃）が５０ｇｆ以下、圧着温度付近である１８０℃における接着剤層の溶融粘度が５０〜１×１０⁷Ｐａ・ｓ、接着剤層厚みが１〜２０μｍ、保護フィルム層厚みが１〜３０μｍの条件を満たし、より好ましくは、接着剤層と保護フィルム層の厚みの和が４０μｍ以下、接着剤層硬化物及び保護フィルム層の引張り弾性率（２５℃）が３．０ＧＰａ以下、接着剤層硬化物及び保護フィルム層の平均線膨張係数（２５〜１５０℃）が３０．０×１０^-5／℃以下、接着剤層硬化物の８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿後における吸湿率が０．０２ｇ／ｃｍ^３以下、接着剤層の８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿後のダイシェア強度（２６５℃）が１．０ＭＰａ以上、接着剤層硬化物の引張り弾性率（２６５℃）が１〜２０ＭＰａの関係を満足するように設定することにより低減できることが分かった。
【００１８】
次に、本発明について詳細に説明する。
図１は、本発明の半導体装置用ダイボンディング材の一態様を示す断面図であり、接着剤層１とその片面に貼り付けた保護フィルム２からなる２層構造を有する。本発明の半導体装置用ダイボンディング材は、必要に応じ、接着剤層の両面に保護フィルムを貼り付けたものであってもよい。
本半導体装置に用いられるダイボンディング材の接着剤層を構成する接着剤組成物は特に限定するものではなく、熱可塑性樹脂としては、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエンゴム−スチレン樹脂、ポリブタジエン、スチレン−ブタジエン−エチレン樹脂、アクリル、ポリビニルブチラール、ポリアミド、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリウレタン等公知のものが例示される。また、熱可塑性樹脂は後述の熱硬化性樹脂との反応が可能な官能基を有しても良い。具体的にはアミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、水酸基、メチロール基、イソシアネート基、ビニル基、シラノール基等である。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、キシレン樹脂、フラン樹脂、シアン酸エステル樹脂等公知のものが例示される。エポキシ樹脂は、特に限定されるものでなく、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、レゾルシノール、ジヒドロキシナフタレン、ジシクロペンタジエンフェノール等のジグリシジルエーテル、エポキシ化フェノールノボラック樹脂、エポキシ化クレゾールノボラック樹脂、エポキシ化トリスフェニロールメタン、エポキシ化テトラフェニロールエタン、エポキシ化メタキシレンジアミン、シクロヘキサンエポキサイド等の脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。さらに、難燃付与のためにハロゲン化エポキシ樹脂、例えば、臭素化エポキシ樹脂等を用いることもできる。フェノール樹脂としては、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂等の公知のフェノール樹脂がいずれも使用できる。たとえば、フェノール、クレゾール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、ノニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール等のアルキル置換フェノール、テルペン、ジシクロペンタジエン等の環状アルキル変性フェノール、ニトロ基、ハロゲン基、シアノ基、アミノ基等のヘテロ原子を含む官能基を有するもの、ナフタレン、アントラセン等の骨格を有するもの、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、レゾルシノール、ピロガロール等の多官能性フェノールからなる樹脂、また、キシレン変性等、各種の変性フェノール樹脂が挙げられる。また、接着剤層にエポキシ樹脂やフェノール樹脂の硬化剤、及び硬化促進剤を添加することは何ら制限されない。たとえば、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミンなどの３級アミン化合物、芳香族ポリアミド、三フッ化ホウ素トリエチルアミン錯体等の三フッ化ホウ素のアミン錯体、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、無水フタル酸、無水トリメリット酸等の有機酸、ジシアンジアミド、トリフェニルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン及びトリ（ノニルフェニル）ホスフィンなどの有機ホスフィン化合物、等公知のものが使用できる。以上の成分以外に、接着剤の性能を損なわない範囲で酸化防止剤、イオン補足剤などの有機、無機成分を添加することは何ら制限されない。微粒子状の無機成分としては水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、カルシウム・アルミネート水和物等の金属水酸化物、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化鉄、酸化コバルト、酸化クロム、タルク等の金属酸化物、炭酸カルシウム等の無機塩、アルミニウム、金、銀、ニッケル、鉄等の金属微粒子、あるいはカーボンブラック、ガラス等が挙げられる。また、各種のカップリング剤、例えばメルカプトシラン系カップリング剤、ウレイドシランカップリング剤等を配合してもよい。
【００１９】
また、保護フィルム層についても特に限定するものではなく、その具体例としては、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリフェニレンスルフィド、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニル、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート等のプラスチックフィルム、これらに含フッ素化合物等の離型材のコーティング処理を施したフィルムあるいはこれらのフィルムをラミネートした紙やこれらのフィルム積層体、離型性のある樹脂を含浸あるいはコーティング処理した紙等が挙げられる。保護フィルム層は加工時に認識が良いように顔料による着色が施されても良い。
【００２０】
例えば、本発明において接着剤層に用いられる接着剤組成物には、エポキシ樹脂と組み合わせてキシレン変性フェノール樹脂等の低吸湿性フェノール樹脂を硬化剤として用いることにより、優れた耐吸湿特性が得られる。また、エポキシ基等の反応性基含有モノマーを含むアクリル共重合体を用いることにより、適切な架橋構造を形成させることによる優れた耐リフロークラック特性を与えることができる。また、エポキシ樹脂と非相溶性のアクリル共重合体、例えばエポキシ基含有アクリルゴム等を用いることにより、硬化後に明確な海島構造を形成させることによる優れた耐リフロークラック特性及び耐熱特性を与えることができる。さらに、無機フィラーの添加により高温弾性率が高く、かつ高温接着強度が高くなり、リフロークラック防止効果が働き、耐リフロークラック特性が優れる接着剤組成物を得ることができる。例えば、エポキシ樹脂及び硬化剤としてのフェノール樹脂の合計を１００重量部として、エポキシ樹脂３０〜７０重量部、好ましくは４０〜６０重量部、硬化剤としてのフェノール樹脂３０〜７０重量部、好ましくは４０〜６０重量部、硬化促進剤０．１〜５重量部、好ましくは０．２〜３重量部、カップリング剤０．１〜１０重量部、好ましくは０．２〜７重量部、エポキシ樹脂と非相溶性のアクリル共重合体１０〜４００重量部、好ましくは５０〜３００重量部、無機フィラー０．５〜４０重量部、好ましくは１〜３５重量部からなる接着剤組成物が好適に用いられる。
【００２１】
本発明の半導体装置用ダイボンディング材は、例えば、上記の接着剤組成物のワニスを保護フィルム上に塗布し、乾燥することによって作製することができる。ワニス化の溶剤は特に限定されないが、トルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族系、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、メチルエチルイソブチルケトン等のケトン系、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロドリン等の非プロトン系極性溶剤単独あるいは混合物が好適である。
【００２２】
接着剤層の１８０℃における溶融粘度（１８０℃）は５０〜１×１０⁷Ｐａ・ｓの範囲であり、好適には１×１０²〜５×１０⁶Ｐａ・ｓの範囲が好ましく、さらに好適には１×１０³〜１×１０⁶Ｐａ・ｓの範囲が好ましい。５０Ｐａ・ｓより小さいと圧着条件における接着剤のはみ出し量が大きくなるためワイヤボンド端子をふさいでしまい好ましくない。逆に１×１０⁷Ｐａ・ｓより大きいと圧着において配線等の凹凸に接着剤を充てんすることが困難となり、吸湿リフロー処理によるはく離が生じ易くなるからである。ここでの接着剤層の溶融粘度は、１９４６年度のＪｏｕｒｎａｌｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ第１７巻、４５８〜４７１項に記載された平行平板プラストメータ法により測定、算出した値で評価される。すなわち、接着剤層の溶融粘度（η）は、半径（ｒ）の接着フィルムに加重を一定時間加え、接着剤層の厚さの変化を測定することにより、下式（１）からηについて解いて算出した。Ｚ₀は加重を加える前の接着剤層の厚さ、Ｚは加重を加えた後の接着剤層の厚さ、Ｖは接着剤層の体積、Ｆは加えた加重、ｔは加重を加えた時間である。
【数１】

溶融粘度を高くするには、フィラーの増量、接着剤層形成時の塗工温度の高温化、樹脂の高Ｔｇ化の手法が主に用いられる。更に、アクリル樹脂／エポキシ樹脂併用系の場合は、エポキシ樹脂の比率を低くすることにより、溶融粘度を高くすることが可能である。溶融粘度を低くするには、フィラーの減量、接着剤層形成時の塗工温度の低温化、樹脂の低Ｔｇ化の手法が主に用いられる。更に、アクリル樹脂／エポキシ樹脂併用系の場合は、エポキシ樹脂の比率を高くすることにより、溶融粘度を低くすることが可能である。
【００２３】
接着剤層の厚みは１〜２０μｍであり、好適には１〜１５μｍの範囲が好ましい。２０μｍより厚くなると半導体装置内の接着剤層体積が大きくなるため接着剤層に吸湿する水分量が多くなり、リフロー処理の高温で界面はく離等の不良が発生しやすく好ましくない。逆に接着剤層の厚みが１μｍ未満になると、圧着で外部接続部材上の凹凸に接着剤を追従させることが困難となり、完成した半導体装置中にボイド等が生じ、吸湿リフロー処理によりはく離が生じ易くなるからである。
【００２４】
接着剤層硬化物の８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿後の吸湿率は０．０２ｇ／ｃｍ^３以下が好ましい。０．０２ｇ／ｃｍ^３より大きくなると吸湿後のリフローの高温により接着剤層に発生する蒸気圧が高くなり、接着剤層の厚みを薄くしてもリフロー処理により発生するはく離の低減が困難なためである。ここでの吸湿率は接着剤層を２０ｍｍφ×２．０ｍｍの円盤状にし、１７５℃／５時間の後硬化を行った後に、初期質量を測定し、次いで８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿処理を行い、吸湿前後の質量から下式（２）により吸湿率（Ｗ_vol）を算出した。ここでＣ₀はサンプルの初期質量、Ｃは吸湿後質量、Ｖは吸湿前の体積である。
【数２】

【００２５】
接着剤層硬化物と配線付外部接続部材との８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿後のダイシェア強度（２６５℃）は１．０ＭＰａ以上が好ましい。１．０ＭＰａより小さくなると外部接続部材との密着性不足によりはく離が生じやすく、接着剤層の厚みを薄くしてもリフロー処理により発生するはく離の低減が困難なためである。ここでの上記の接着剤層硬化物のダイシェア強度は、以下のようにして測定した。半導体ウェハに接着剤層をラミネート後３．２ｍｍ^□にダイシングし、接着剤層付き半導体チップを得た。そのチップを１８０℃、２ＭＰａ、３０秒の条件で基板に熱圧着し、次いで１７５℃で５時間、後硬化させた後に、ＪＥＤＥＣ（Ｊ−ＳＴＤ−０２０Ｂ）にて定められているレベル１の吸湿処理（８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間）行った。吸湿後のサンプルをボンドテスタ（ＤａｇｅＰｒｅｃｉｓｉｏｎＩｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製Ｄａｇｅ２４００）を用いて２６５℃にて３０秒間放置した後に、測定速度５０μｍ／ｓｅｃ、測定高さ５０μｍの条件にてダイシェアを行い評価した。
【００２６】
接着剤層硬化物の２６５℃における引張り弾性率（２６５℃）は１〜２０ＭＰａの範囲が好ましく、好適には１〜１０ＭＰａの範囲がより好ましい。１．０ＭＰａ未満では接着剤硬化物の凝集力不足のため、２０ＭＰａより高いと応力緩和が困難なため、接着剤層の厚みを薄くしてもリフロー処理により発生するはく離等不良の低減が困難なためである。ここでの接着剤層硬化物の引張り弾性率（２６５℃）は動的粘弾性測定装置（レオロジ社製ＤＶＥ−Ｖ４）を使用し、１７５℃／５時間の硬化処理を行った接着剤層に引っ張り加重をかけ、周波数１０Ｈｚ、昇温速度５〜１０℃／ｍｉｎの条件で−５０℃〜３００℃まで測定する温度依存性測定モードにて測定した。
【００２７】
このようにして得られた半導体装置用ダイボンディング材を用いることにより、半導体ウェハに貼り付けた後のウェハ反りを低減できるとともに、それを用いて組み立てた半導体装置は良好な耐リフロー性を示し、優れた半導体装置を得ることができる。
【００２８】
本発明のダイボンディング材付半導体ウェハは、図２に示すように、半導体装置用ダイボンディング材（１、２）と半導体ウェハ３とを、接着剤層１と半導体ウェハ３の片面とが接するように貼り付けたものである。接着剤層の両面が保護フィルムで保護されている場合には、片面の保護フィルムははがされる。半導体ウェハに貼り付けられる際の貼り付け温度は用いられるダイボンディング材によって異なるものの、通常５０〜１５０℃で貼り付けられる。半導体ウェハは通常２５０〜４００μｍ厚のものが好適に用いられるが、半導体装置の薄型化、チップスタック化に伴って５０〜１５０μｍ前後の厚みのウェハが最近用いられるようになってきており、半導体ウェハが薄い場合に本発明の効果は大きい。すなわち、本発明に用いられる半導体ウェハの厚みは特に制限はされないが、通常、５０〜４００μｍであり、特に５０〜１５０μｍの薄型ウェハに好適に用いることができる。また近年、例えば１０μｍ、２５μｍといった、更に薄型のウェハも検討されており、本発明の接着フィルムはこのような超薄型のウェハ（１０〜５０μｍ）にも好適に使用することができる。接着剤層の厚みは１〜２０μｍ、好適には５〜１５μｍが好ましい。２０μｍより厚くなると半導体ウェハ貼り付け後のウェハ反りが大きくなり、接着剤層や保護フィルム層の材料物性を最適化してもウェハ反りを低減することが難しくなるからである。保護フィルム層の厚みは１〜３０μｍ、好適には１〜２０μｍが好ましい。３０μｍより厚くなると半導体ウェハ貼り付け後のウェハ反りが大きくなり、接着剤層や保護フィルム層の材料物性を最適化してもウェハ反りを低減することが難しくなるからである。逆に接着剤層や保護フィルム層の厚みが１μｍより薄くなると外部からの損傷をうけやすくなるとともに、ダイシング個片化した接着剤層付き半導体チップを配線付外部接続部材に実装した後の半導体チップの反りが大きくなり、半導体チップを損傷する場合があるからである。接着剤層と保護フィルム層の厚みの和は４０μｍ以下、好適には３５μｍ以下が好ましい。接着剤層のみを薄くしてウェハ反りは接着剤層と保護フィルム層の両方の厚みに影響を受けるため、片方だけを薄くしてもウェハ反り低減効果は小さいからである。
【００２９】
接着剤層硬化物及び保護フィルム層の２５℃における引張り弾性率（２５℃）は３．０ＧＰａ以下、好適には０．１〜２．０ＧＰａが好ましい。引張り弾性率が３．０ＧＰａより大きくなるとウェハ貼り付け後の半導体ウェハ反りが大きくなり、接着剤層や保護フィルム層の厚みを薄くしても半導体ウェハの反りを低減することが難しくなるからである。ここでの接着剤層硬化物及び保護フィルム層の引張り弾性率（２５℃）は動的粘弾性測定装置（レオロジ社製ＤＶＥ−Ｖ４）を使用し、１７５℃／５時間の硬化処理を行った接着剤層及び保護フィルム層に引っ張り加重を加え、周波数１０Ｈｚ、昇温速度５〜１０℃／ｍｉｎの条件で−５０℃〜３００℃まで測定する温度依存性測定モードにて測定した。
【００３０】
接着剤層硬化物及び保護フィルム層の２５〜１５０℃における平均線膨張係数（２５〜１５０℃）は３０．０×１０^-5／℃以下が好ましい。平均線膨張係数が３０．０×１０^-5／℃より大きくなると、半導体ウェハ貼り付け後のウェハ反りが大きくなり、接着剤層や保護フィルム層の厚みを薄くしてもウェハ反りを低減することが難しくなるからである。ここでの接着剤層硬化物及び保護フィルム層の線膨張係数は１７５℃／５時間の硬化処理を行った接着剤層及び保護フィルム層を用い、熱機械分析装置を用いて室温からはんだ実装時の温度（２６５℃）まで測定を行った。２５〜１５０℃の平均線膨張係数は２５℃から１５０℃までの線膨張係数の傾きより求めた。
【００３１】
接着剤層とＳＵＳ３０４の２５℃におけるタック強度（２５℃）は５０ｇｆ以下であり、５〜３０ｇｆが好ましい。５０ｇｆより大きいとダイボンディング材を半導体ウェハに貼り付けた後に保護フィルム層をはがす際のウェハ割れやダイボンディング材切断行程における金型等への貼り付きが生じ、作業性が劣るためである。ここでの接着剤層のタック強度はタッキング試験器（（株）レスカ社製、タッキング試験器）を用い、押し込み速度：２ｍｍ／ｓｅｃ、引き上げ速度：１０ｍｍ／ｓｅｃ、停止加重：１００ｇｆ／ｃｍ²、停止時間：１秒の条件にて、５．１ｍｍφのＳＵＳ３０４に対するタック強度を測定し求めた。
タック強度を高くするには、フィラーの減量、塗工温度の低温化、樹脂の低Ｔｇ化、液状エポキシ樹脂の増量が有効である。一方、タック強度を下げるには、フィラーの増量、塗工温度の高温化、樹脂の高Ｔｇ化、液状エポキシ樹脂の減量が有効である。
【００３２】
本発明の半導体装置は、本発明の半導体装置用ダイボンディング材を用いて作製されるものである。すなわち、本発明の半導体装置は、配線付外部接続部材と、接着剤層によって配線付外部接続部材に接続された半導体チップとを有する半導体装置であって、接着剤層が、本発明の半導体装置用ダイボンディング材から保護フィルムを剥離して得られる接着剤層であるものである。例えば、本初雨胃の半導体装置がフェイスアップ方式のものであるばあいには、更に、半導体チップと配線付外部接続部材の配線とを電気的に接続しているボンディングワイヤ、並びに、配線付外部接続部材の配線面、半導体チップ及びボンディングワイヤを封止している封止用樹脂を有する。
例えば、本発明の半導体装置用ダイボンディング材を用いてフェイスアップ方式の半導体装置を作製する際には、下記の二通りの方法を通常用いる。
【００３３】
（１）半導体装置用ダイボンディング材を切り出して外部接続部材に貼り付け、その上にチップを圧着し、適宜必要に応じて硬化処理を行い、ワイヤボンド、半導体装置上面を樹脂封止により密閉した後に封止材の後硬化を行い、半導体装置を得る。あるいは、（２）半導体ウェハの裏面に半導体装置用ダイボンディング材を貼り付け、得られたダイボンディング材付き半導体ウェハをダイシングしてダイボンディング材付き半導体チップを得る。保護フィルムを剥離した後、このチップを直接外部接続部材に圧着する。前述いずれかの方法により半導体チップを外部接続部材に圧着後、適宜必要に応じて硬化処理を行い、ワイヤボンド、半導体装置上面を樹脂封止により密閉した後に封止材の後硬化を行い、半導体装置を得る。なお、ダイシングは、ダイボンディング材付半導体ウェハをそのままダイシングしてもよいし、図３に示すように、保護フィルム２を剥離した後、半導体ウェハ３に貼り付いて残った接着剤層１によってダイシングテープ４に貼り付けて行なってもよい。
【００３４】
上記（１）の方法は、具体的には、配線付外部接続部材に本発明の半導体装置用ダイボンディング材を、接着剤層が配線面に接するように貼り付ける工程、配線付外部接続部材に貼り付けた半導体装置用ダイボンディング材から保護フィルムを剥離する工程、配線付外部接続部材と半導体チップとを、配線付外部接続部材に貼り付けた接着剤層と半導体チップの片面とが接するように積層し、加熱加圧して配線付外部接続部材と半導体チップとを接続する工程、半導体チップと配線付外部接続部材の配線とをボンディングワイヤにより電気的に接続する工程、並びに、配線付外部接続部材の配線面、配線付外部接続部材に接続された半導体チップ、及び、半導体チップと配線付外部接続部材の配線とを電気的に接続しているボンディングワイヤを、封止用樹脂で封止する工程を含む。
【００３５】
上記（２）の方法は、具体的には、本発明のダイボンディング材付半導体ウェハをダイシングして保護フィルムを剥離し、あるいは保護フィルムを剥離した後にダイシングして、接着剤層付半導体チップに分割する工程、接着剤層付半導体チップと配線付外部接続部材とを、半導体チップに貼り付けた接着剤層と配線付外部接続部材の配線面とが接するように積層し、加熱加圧して半導体チップと配線付外部接続部材とを接続する工程、半導体チップと配線付外部接続部材の配線とをボンディングワイヤにより電気的に接続する工程、並びに、配線付外部接続部材の配線面、配線付外部接続部材に接続された半導体チップ、及び、半導体チップと配線付外部接続部材の配線とを電気的に接続しているボンディングワイヤを、封止用樹脂で封止する工程を含む。
【００３６】
図４に、本発明の半導体装置の一態様の断面図を示す。配線付外部接続部材６の配線面７（配線は図示せず）上に、半導体チップ５が、接着剤層１によって接着され、接続されている。配線付外部接続部材６は、通常、絶縁樹脂等からなる絶縁材料層８の少なくとも片面（配線面７）に配線を有し、絶縁材料層８を貫通する層間接続導体９が設けられてなるものである。配線面の表面凹凸が１８μｍ以下であることが好ましい。半導体チップ５上には、更に他の半導体チップ５′が、接着剤層１によって接着されている。半導体チップ５及び半導体チップ５′と配線付外部接続部材６の配線とは、ボンディングワイヤ１０によって電気的に接続されている。配線付外部接続部材６の配線面７、半導体チップ５、５′及びボンディングワイヤ１０は、封止用樹脂１１によって封止されている。配線付外部接続部材６の外面には、層間接続用導体９と接続するはんだボール等の外部接続端子１２が設けられている。半導体装置内の接着剤層１は、半導体チップ５、５′の加熱圧着時やその後の加熱による後硬化、又は樹脂封止時の加熱や後硬化により、硬化している。
【００３７】
【実施例】
次に、実験例について説明する。
実施例１、２、比較例１〜５に用いた半導体装置用ダイボンディング材の接着剤層は表１に示す原材料及び配合で作製し、比較例６、７は表２に示す原材料及び配合で作製した。接着剤層としては、１２．５、２５、３０、４０、５０、６０、７５μｍ厚の異なる数種類のサンプルを準備した。保護フィルム層は２０、５０μｍの離型処理を施したポリエチレンテレフタレートフィルムを準備した。シリコンウェハは５インチのものを用いて１４０μｍ、２８０μｍ、５０μｍ厚を準備した。
【００３８】
【表１】

【００３９】
【表２】

【００４０】
半導体装置用ダイボンディング材は以下の手順で作製した。
実施例１、２、比較例１〜５においては、まず、表１の接着剤組成物を溶剤としてのシクロヘキサノン（接着剤組成物１００重量部に対して１３００重量部）に溶解したワニスを、離型性を有するポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布、乾燥して、半導体装置用ダイボンディング材を作製した。乾燥条件は１００〜２００℃／１〜５分とし、１６０℃／２．０ＭＰａ／１８秒圧着後の接着剤はみ出し量が１５０〜５００μｍの範囲となるように設定した。比較例６、７においては、表２に示すように、溶剤としてＮ−メチル−２−ピロリドンを用いてワニスを作製した。このワニスを離型性を有するポリエチレンテレフタレートフィルム上に、乾燥後の厚みが４０μｍとなるように塗布し、オーブン中で８０℃３０分、続いて１５０℃３０分加熱し、半導体装置用ダイボンディング材を作製した。
各半導体装置用ダイボンディング材について、接着剤層とＳＵＳ３０４との２５℃におけるタック強度、１８０℃での溶融粘度、接着剤層硬化物及び保護フィルム層の２５℃での引張り弾性率、２５〜１５０℃での平均線膨張係数を測定し、表３に示した。また、各半導体装置用ダイボンチング材をウェハに１２０℃／線圧１．０ｋｇｆで貼り付けたあとの２５℃でのウェハ反りを測定した。結果を表３に示す。
なお、比較例６、７で用いたポリイミドＡ、ポリイミドＢは、下記のようにして合成した。
＜ポリイミドＡ＞
温度計、撹拌機及び塩化カルシウム管を備えた３００ｍｌフラスコに、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン６．８３ｇ（０．０５モル）、４，９−ジオキサデカン−１，１２−ジアミン３．４０ｇ（０．０５モル）及びＮ−メチル−２−ピロリドン１１０．５ｇを仕込み、撹拌した。４，９−ジオキサデカン−１，１２−ジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、デカメチレンビストリメリテート二無水物１７．４０ｇ（０．１０モル）を少量ずつ添加した。室温で８時間反応させたのち、キシレン７４ｇを加え、窒素ガスを吹き込みながら１８０℃で加熱し、水と共にキシレンを共沸除去し、ポリイミド溶液を得た（Ｔｇ：７３℃、重量平均分子量：８４３００）。
＜ポリイミドＢ＞
温度計、撹拌機及び塩化カルシウム管を備えた３００ｍｌフラスコに、１，１２−ジアミノドデカン５．４１ｇ（０．０４５モル）、エーテルジアミン（ＢＡＳＦ社製、エーテルジアミン２０００（分子量：１９２３））１１．５４ｇ（０．０１モル）、ポリシロキサンジアミン（信越シリコーン社製、ＫＦ−８０１０（分子量：９００））２４．３ｇ（０．０４５モル）及びＮ−メチル−２−ピロリドン１６９ｇを仕込み、撹拌した。各ジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、４，４′−（４，４′−イソプロピリデンジフェノキシ）ビス（フタル酸二無水物）３１．２３ｇ（０．１モル）を少量ずつ添加した。室温で８時間反応させたのち、キシレン１１２．７ｇを加え、窒素ガスを吹き込みながら１８０℃で加熱し、水と共にキシレンを共沸除去し、ポリイミド溶液を得た（Ｔｇ：２５℃、重量平均分子量：３５０００）。
表２において、種々の記号は下記のものを意味する。
ＥＳＣＮ−１９５：住友化学工業（株）製、クレゾールノボラック型固体状エポキシ樹脂（エポキシ当量２００、分子量：７７８）
ＢＥＯ−６０Ｅ：新日本理化学（株）製、エチレンオキシド６モル付加体ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（エポキシ当量：３７３、分子量：７４６）
Ｎ−７３０：大日本インキ化学（株）製、フェノールノボラック型液状エポキシ樹脂（エポキシ当量：１７５、分子量６００〜８００）
ＴｒｉｓＰ−ＰＡ：本州化学（株）製、トリスフェノールノボラック（ＯＨ当量：１４１、分子量：４２４）
ＸＬ−２２５：三井東圧化学（株）製、キシリレン変性フェノールノボラック（ＯＨ当量：１７５、分子量：９７６）
ＴＰＰＫ：東京化成（株）製、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート
２ＰＺ−ＣＮ：四国化成工業（株）製、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール
ＨＰ−Ｐ１：水島合金鉄（株）製、窒化ホウ素（平均粒子径：１．０μｍ、最大粒子径：５．１μｍ）
ＳＥ−１：トクヤマ（株）製、シリカ（平均粒子径：０．８μｍ、最大粒子径：３．１μｍ）
【００４１】
【表３】

【００４２】
比較例１は接着材層膜厚みが１２．５μｍと薄いが、保護フィルム層膜厚が５０μｍと厚いため、１４０μｍ、２８０μｍ厚のウェハにラミネート後の反りが大きく、また、５０μｍ厚のウェハではラミネート後に反りが大きく、割れてしまい、好ましくない。比較例２は接着材層膜厚が厚く、また接着層と保護フィルム層の厚みの和が４５μｍと厚いため、１４０μｍ、２８０μｍ厚のウェハにラミネート後の反りが大きく、また、５０μｍ厚のウェハではラミネート後に反りが大きく、割れてしまい、好ましくない。比較例３〜６は接着材層、保護フィルム層膜厚のいずれも厚いため、１４０μｍ、２８０μｍ厚のウェハにラミネート後の反りが大きく、また、５０μｍ厚のウェハではラミネート後に反りが大きく、割れてしまい、好ましくない。比較例７は接着材層と保護フィルム層の厚みの和が厚く、また接着剤層硬化物の平均線膨張係数が３０．０×１０^-5／℃より高いため、１４０μｍ、２８０μｍ厚のウェハにラミネート後の反りが大きく、また、５０μｍ厚のウェハではラミネート後に反りが大きく、割れてしまい、反りが大きく好ましくない。さらに比較例７は室温におけるタック強度が高く、薄ウェハ（１４０μｍ）にラミネート後保護フィルム層をはく離する際にウェハ割れが生じ好ましくない。
【００４３】
以上の結果から、接着剤層のタック強度（２５℃）が５０ｇｆ以下、溶融粘度（１８０℃）が５０〜１×１０^７Ｐａ・ｓの範囲、接着剤層厚みが１〜２０μｍ、保護フィルム層厚みが１〜３０μｍの半導体装置用ダイボンディング材、好ましくは、接着剤層と保護フィルム層の和が４０μｍ以下、接着剤層硬化物及び保護フィルム層の引張り弾性率（２５℃）が３．０ＧＰａ以下、接着剤層硬化物及び保護フィルム層の平均線膨張係数（２５〜１５０℃）が３０．０×１０^-5／℃以下の半導体装置ダイボンディング材を用いることによって、ウェハ貼り付け後のウェハ反りを抑えることができ、優れた半導体装置を得ることができることがわかる。
【００４４】
表４に、実施例１、比較例２、４、５、６、７のダイボンディング材の接着剤層のＳＵＳ３０４へのタック強度（２５℃）、溶融粘度（１８０℃）、サンプル形状２０ｍｍφ×２．０ｍｍの円盤形にした接着剤層硬化物の８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿後における吸湿率、接着剤層硬化物の８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿後のダイシェア強度（２６５℃）、接着剤層硬化物の２６５℃における引張り弾性率を示す。これらダイボンディング材を、半導体ウェハの裏面にダイボンディング材を１２０℃／線圧１．０ｋｇｆにてラミネートした。得られたダイボンチング材付半導体ウェハを公知の条件にてダイシングして６．５×６．５ｍｍのダイボンディング材付半導体チップを得た。保護フィルムを剥離した後に、１０×１０ｍｍ、厚さ１．５ｍｍの両面配線付外部接続部材に１５０℃／４００ｇ／３秒の条件にて熱圧着した。直径３０μｍの金ワイヤにて半導体チップ表面と配線付外部接続部材を接続した後、トランスファーモールドにてＣＥＬ−４１０ＨＦ（日立化成工業（株）製）を１８０℃／２．０ＭＰａ／９０秒の条件で半導体装置上面を封止し、１７５℃／５時間の熱硬化を行ない、半導体装置を作製した。各半導体装置をＪＥＤＥＣ規格（Ｊ−ＳＴＤ−０２０Ｂ）に基づきレベル１（８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間）の吸湿後に最大温度２６５℃のリフロー試験を行った。表４に試験後に接着剤部のはく離発生頻度を示す。
【００４５】
【表４】

【００４６】
比較例２、４、５は接着剤層膜厚が２５μｍ以上と厚いためダイボンディング材部に吸湿される水分量が多くなりリフロー処理によるはく離が生じ好ましくない。比較例６は接着剤層膜厚が厚く、またダイシェア強度が０．６ＭＰａと低いためリフロー処理によるはく離が生じ好ましくない。比較例７は、接着剤層膜厚が厚く、ダイシェア強度が０．５ＭＰａと低く、さらに２６５℃の接着剤層の引張り弾性率が１．０ＭＰａ未満と低いためリフロー処理によるはく離が生じ好ましくない。
【００４７】
以上の結果から、厚みが１〜２０μｍ、吸湿率が０．０２ｇ／ｃｍ^３以下、ダイシェア強度が１．０ＭＰａ以上、２６５℃の引張り弾性率が１〜２０ＭＰａの半導体装置用ダイボンディング材を用いることで吸湿リフロー処理によるはく離を抑制することができ、優れた半導体装置を得ることができることがわかる。
【００４８】
【発明の効果】
本発明の半導体装置用ダイボンディング材は、ウェハに貼り付けた後のウェハ反りを抑えることができ、ウェハに割れが生じることなく、良好なダイシング性を確保できるとともに、半導体装置の良好な耐リフロー性を確保できる。すなわち、本発明の半導体装置用ダイボンディング材は、組み立て性及び信頼性に優れ、それを用いて作製される半導体装置は、良好な耐リフロー性を有する信頼性に優れるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体装置用ダイボンディング材の一態様を示す断面図である。
【図２】本発明によるダイボンディング材付半導体ウェハの一態様を示す断面図である。
【図３】本発明によるダイボンディング材付半導体ウェハから保護フィルム層をはく離し、接着剤層側にダイシングテープを貼り合わせて、ダイシングにより個片化した接着剤層付半導体チップを示す断面図である。
【図４】本発明による半導体装置の一態様を示す断面図である。
【符号の説明】
１接着剤層
２保護フィルム
３半導体ウェハ
４ダイシングテープ
５、５′ 半導体チップ
６配線付外部接続部材
７配線面
８絶縁材料層
９層間接続用導体
１０ボンディングワイヤ
１１封止用樹脂
１２外部接続端子

Claims

半導体装置用の薄いウェハに用いるダイボンディング材であって、接着剤層と少なくとも１層の保護フィルム層からなり、接着剤層と保護フィルム層１層の厚みの和が４０μｍ以下であり、（株）レスカ社製タッキング試験器を用い、押し込み速度：２ｍｍ／ｓｅｃ、引き上げ速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、停止加重：１００ｇｆ／ｃｍ²、停止時間：１秒の条件にて５．１ｍｍφのＳＵＳ３０４に対して測定した、接着剤層とＳＵＳ３０４の２５℃におけるタック強度が５０ｇｆ以下、
接着剤層の１８０℃における溶融粘度が５０〜１×１０⁷Ｐａ・ｓの範囲であり、
接着剤層の厚みが１〜２０μｍ、かつ保護フィルム層の厚みが１〜３０μｍの範囲であり、サンプル形状２０ｍｍφ×２．０ｍｍの円盤形にした接着剤層硬化物の８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿後における吸湿率が０．０２ｇ／ｃｍ^３以下であることを特徴とする半導体装置用の厚み１５０μｍ以下の薄いウェハに用いるダイボンディング材。
接着剤層硬化物及び保護フィルム層の２５℃における引張り弾性率が、各々、３．０ＧＰａ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用の厚み１５０μｍ以下の薄いウェハに用いるダイボンディング材。
接着剤層硬化物及び保護フィルム層の２５℃〜１５０℃における平均線膨張係数が３０．０×１０^-5／℃以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用の厚み１５０μｍ以下の薄いウェハに用いるダイボンディング材。
接着剤層硬化物の８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿後の配線付外部接続部材とのダイシェア強度（２６５℃）が１．０ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用の厚み１５０μｍ以下の薄いウェハに用いるダイボンディング材。
接着剤層硬化物の２６５℃における引張り弾性率が１〜２０ＭＰａの範囲であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用の厚み１５０μｍ以下の薄いウェハに用いるダイボンディング材。
請求項１記載の半導体装置用の厚み１５０μｍ以下の薄いウェハに用いるダイボンディング材と半導体ウェハとを、接着剤層と半導体ウェハの片面とが接するように貼り付けたダイボンディング材付半導体ウェハ。