JP4699156B2 - ガスバリアフィルム - Google Patents
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Description
また、超微粒子が溶剤に分散された超微粒子分散液を塗布し焼成することにより第2無機層を形成する場合には、超微粒子特有のサイズ効果により、焼結温度を通常の焼結温度よりも低くすることができる。これにより、耐熱性が比較的低い基材も用いることが可能となる。さらに、第1無機層上に第2無機層を設けることにより、上述したように水蒸気や酸素の侵入を防ぐことができるので、ガスバリア性を得るために厚膜の蒸着膜を設ける必要がなく、製造コストを削減することができる。
さらに本発明によれば、第2無機層形成工程にて、超微粒子特有のサイズ効果により、通常の温度よりも低温で焼結することができる。これにより、基材の耐熱温度以下での焼成が可能となる。
まず、本発明のガスバリアフィルムについて説明する。
本発明のガスバリアフィルムは、樹脂からなる基材と、上記基材上に形成され、蒸着膜である第1無機層と、上記第1無機層上に形成され、超微粒子で形成された膜である第2無機層とを有することを特徴とするものである。
図1は、本発明のガスバリアフィルムの一例を示す概略断面図である。図1に示すように、本発明のガスバリアフィルム10は、樹脂からなる基材1上に第1無機層2および第2無機層3が順次積層されたものである。
さらに、蒸着膜には、ピンホールや異物等の表面欠陥の他に構造欠陥もあり、そのような欠陥部分は構造的に弱い部分となる。また、蒸着膜の異物を研磨により除去し、さらにその上に蒸着膜を成膜した場合には、ピンホールのない層とすることができるが、研磨より異物が除去された部分は、上層の蒸着膜で覆われているとしても構造的に弱い。これに対し、本発明によれば、超微粒子のサイズ効果により超微粒子が構造的に弱い部分に入り込むので、蒸着膜の充填密度を向上させガスバリア性を向上させることができる。特に、大面積のガスバリアフィルムを効率良く製造するためにロールで連続して基材上に蒸着膜を高速で成膜した場合には、構造欠陥の多い蒸着膜となりやすいが、本発明においては、この蒸着膜の欠陥部分に超微粒子が入り込むので、構造欠陥の多い蒸着膜である場合にはガスバリア性を飛躍的に向上させることが可能である。
以下、このようなガスバリアフィルムの各構成について説明する。
本発明に用いられる第2無機層は、後述する第1無機層上に形成され、超微粒子で形成された膜である。
ここで、「超微粒子で形成された膜」とは、超微粒子が溶剤に分散された超微粒子分散液を塗布し焼成することにより得られる膜をいう。超微粒子で形成された膜であることは、走査型電子顕微鏡(SEM)観察写真(倍率:5万倍以上)により確認することができる。図2(a),(b)に超微粒子で形成された膜の断面および上面のSEM写真の一例をそれぞれ示す。また比較として、図3にスパッタリング法で形成された蒸着膜の断面のSEM写真の一例を示す。図3に例示するように、蒸着膜では断面にて柱状の粒子が確認できる。一方、図2に例示するように、超微粒子で形成された膜では、上面および断面のいずれにおいても柱状の粒子を確認できない。したがって、第2無機層の断面のSEM写真において、柱状の粒子を確認できない場合には、第2無機層は超微粒子で形成された膜であるということができる。
また、ゾルゲル法により形成される膜も、柱状の粒子を確認できないものではあるが、ゾルゲル法では分子レベルで液体である塗工液を塗布し硬化させて成膜するのに対し、本発明においては超微粒子を焼結させて成膜するため、ゾルゲル法により形成される膜と、超微粒子で形成された膜とでは、構造的に異なるものとなる。なお、膜の構造が異なることは、高倍率のSEM観察により確認することができる。
超微粒子としては、例えば無機酸化物、無機窒化物、および無機酸化窒化物の超微粒子を挙げることができる。具体的に、無機酸化物としては、酸化インジウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化スズ、酸化イットリウム、酸化ゲルマニウム、酸化カルシウム、酸化ホウ素、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、酸化鉛、酸化ジルコニウム、酸化ナトリム、酸化リチウム、酸化カリウム等が挙げられる。無機窒化物としては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化チタン、炭化窒化ケイ素等が挙げられる。無機酸化窒化物としては、酸化窒化ケイ素等が挙げられる。これらは、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。また、無機酸化物および無機窒化物の混合系であってもよい。
また、上記超微粒子としては、金属の超微粒子を用いることもできる。具体的に、金属としては、In、Al、Ti、Ta、Zn、Sn、Y、Ge、Pb、Zr、アルカリ金属(Li、Na、K)、アルカリ土類金属(Mg、Ca、Sr、Ba)等が挙げられる。
さらに、上記超微粒子としては、表面が酸化された状態である金属の超微粒子を用いることもできる。金属としては、上述したものが挙げられる。
この場合には、上述した中でも、酸化ケイ素、窒化ケイ素、および酸化窒化ケイ素からなる群から選択される少なくとも1種の超微粒子が好ましく用いられる。酸化ケイ素、窒化ケイ素、または酸化窒化ケイ素の超微粒子で形成された膜は、第1無機層との親和性が良く、製造の安定性や安全性が高く、コスト的にも有利であるからである。
またこの場合、酸化インジウム、インジウム、および表面が酸化された状態であるインジウムの超微粒子も好ましく用いられる。超微粒子が溶剤に分散された超微粒子分散液を塗布し焼成することにより第2無機層を形成する場合には、このようなインジウムを含む超微粒子を用いることにより、焼結温度をより低温にすることができるからである。
この場合には、上述した中でも、酸化インジウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素、および酸化窒化ケイ素からなる群から選択される少なくとも1種の超微粒子が好ましく用いられる。これらの超微粒子を用いることにより、絶縁性を高めることができるからである。また、超微粒子が溶剤に分散された超微粒子分散液を塗布し焼成することにより第2無機層を形成する場合には、酸化インジウムの超微粒子を用いることにより、焼結温度をより低温にすることができるからである。さらに、酸化ケイ素、窒化ケイ素、および酸化窒化ケイ素の超微粒子で形成された膜は、第1無機層等との密着性が良好であるからである。
またこの場合、表面が酸化された状態である、In(インジウム)、アルカリ金属、およびアルカリ土類金属からなる群から選択される少なくとも1種の超微粒子も好ましく用いられる。インジウム、アルカリ金属、アルカリ土類金属は酸化性が高いため、比較的低い温度での焼成でも酸化が促進されるからである。表面が酸化された状態である金属の超微粒子は、絶縁性を有する。
ここで、焼結とは、超微粒子の集合体を高温に加熱した場合に、焼き固まって緻密な多結晶体となる現象をいう。超微粒子は、熱力学的に非平衡な状態にあり、表面積を減少する方向に物質移動が起こり、その結果、粒子と粒子の間に結合が生じて緻密化する。つまり、焼結の駆動力は、系の表面エネルギーを最小にしようとする力である。また、焼結温度とは、超微粒子の溶融点以下の温度で超微粒子の集合体を加熱したときに、超微粒子同士が緻密化して焼き固まる温度をいう。
本発明において、上記焼結温度は、示差熱分析(DTA:differential thermal analysis)により測定することができる。DTAでは、試料と基準物質(一般的にはアルミナ)との温度差を測定して、転移温度を求めることができるものであり、試料および基準物質に熱を加えたときに生じる温度差(試料と基準物質との温度差で判断する)により、焼結温度を求めることができる。すなわち、試料および基準物質を同一雰囲気にて加熱した場合に、基準物質の温度が上昇しているのに対して、試料の温度が上昇していない場合には、超微粒子の焼結に熱が費やされており、吸熱現象が起きているということができる。したがって、吸熱現象が見られる温度、すなわちDTA曲線における吸熱開始温度を、本発明でいう焼結温度とする。
なお、上記焼結温度の測定には、リガク製のTG−DTA装置(TG 8120)を用いることとする。
なお、上記平均粒径は、走査型電子顕微鏡(SEM)観察写真(高倍率)により確認することができる。
第2無機層に透明性が要求される場合には、第2無機層の可視光領域における透過率が60%以上であることが好ましく、中でも80%以上、特に90%以上であることが好ましい。
一方、第2無機層に透明性が要求されない場合には、第2無機層の可視光領域における透過率が50%以下であることが好ましい。上記透過率が50%以下である第2無機層とするには、例えば金属の超微粒子を用いたり、第2無機層を厚膜にしたりすればよい。一般に、金属の膜は無機酸化等の膜に比べてガスバリア性が高いので、金属の超微粒子を用いることによりガスバリア性を高めることができる。また、第2無機層を厚膜にすることによってもガスバリア性を高めることができる。このように、第2無機層の透過率を50%以下とすることにより、ガスバリア性を向上させることが可能である。
なお、上記透過率は、波長380nm〜800nmの範囲内において、島津製作所(株)社製 UV−3100を用いて測定した値の平均値である。
なお、第2無機層の形成方法については、後述する「B.ガスバリアフィルムの製造方法」の項に記載するので、ここでの説明は省略する。
本発明に用いられる第1無機層は、蒸着膜である。
第1無機層の形成方法としては、蒸着法であれば特に限定されるものではない。なお、第1無機層の形成方法については、後述する「B.ガスバリアフィルムの製造方法」の項に記載するので、ここでの説明は省略する。
上述した中でも、酸化ケイ素、窒化ケイ素、および酸化窒化ケイ素からなる群から選択される少なくとも1種が好ましく用いられる。これらの材料は、基材や第2無機層等との密着性が良好であり、第2無機層との親和性が良く、製造の安定性や安全性が高く、コスト的にも有利であるからである。
第1無機層に透明性が要求される場合には、第1無機層の可視光領域における透過率が60%以上であることが好ましく、中でも80%以上、特に90%以上であることが好ましい。
一方、第1無機層に透明性が要求されない場合には、第1無機層の可視光領域における透過率が50%以下であることが好ましい。上記透過率が50%以下である第1無機層とするには、例えば金属を用いたり、金属と無機酸化物等とを併用して金属リッチな蒸着膜としたり、第1無機層を厚膜にしたりすればよい。一般に、金属の蒸着膜は無機酸化等の蒸着膜に比べてガスバリア性が高いので、金属の蒸着膜や金属リッチな蒸着膜とすることによりガスバリア性を高めることができる。また、第1無機層を厚膜にすることによってもガスバリア性を高めることができる。このように、第1無機層の透過率を50%以下とすることにより、ガスバリア性を向上させることが可能である。
なお、上記透過率の測定方法については、上記第2無機層の項に記載した方法と同様である。
本発明に用いられる基材は、樹脂からなるものであり、第1無機層および第2無機層を保持することができるものであれば、特に限定されるものではないが、所定の耐熱性を有することが好ましい。基材は、第2無機層を形成する際の焼成工程に耐える必要があるからである。
基材の耐熱性としては、80℃以上、中でも120℃以上、特に180℃以上を実現することが好ましい。
また、30℃〜150℃の範囲内において、線膨張係数が70ppm/℃以下であることが好ましい。上記線膨張係数が上記値を超えると、高温で基材寸法が安定せず、熱膨張および収縮に伴い、ガスバリア性能が劣化したり、クラックが生じたり、第1無機層等から剥離したりする可能性があるからである。なお、上記線膨張係数とは、幅5mm、長さ20mmのサンプルを用い、長さ方向に一定荷重(2g)をかけ、25〜200℃までの温度範囲を昇温速度で5℃/分で測定される寸法変動量をいうこととする。
本発明においては、第1無機層上に第2無機層を設けることにより、水蒸気や酸素に対するバリア性を得ることができる。本発明のガスバリアフィルムのガスバリア性としては、酸素ガス透過率が1cc/m2/day/atm以下、中でも0.5cc/m2/day/atm以下であることが好ましい。また、水蒸気透過率が、1g/m2/day以下、中でも0.5g/m2/day以下であることが好ましい。酸素ガス透過率および水蒸気透過率が上述した範囲であることにより、高いガスバリア性を実現することができるからである。
なお、上記酸素ガス透過率は、測定温度23℃、湿度90%Rhの条件下で、酸素ガス透過率測定装置(MOCON社製、OX−TRAN 2/20:商品名)を用いて測定した値である。また、上記水蒸気透過率は、測定温度37.8℃、湿度100%Rhの条件下で、水蒸気透過率測定装置(MOCON社製、PERMATRAN−W 3/31:商品名)を用いて測定した値である。
アンカーコート層の形成方法としては、例えばロールコート、グラビアコート、ナイフコート、ディップコート、スプレーコート等が挙げられる。
次に、本発明のガスバリアフィルムの製造方法について説明する。
本発明のガスバリアフィルムの製造方法は、樹脂からなる基材上に少なくとも一層の蒸着膜を形成する第1無機層形成工程と、上記第1無機層上に超微粒子が溶剤に分散された超微粒子分散液を塗布し、焼成して、膜を形成する第2無機層形成工程とを有することを特徴とするものである。
さらに、第2無機層を形成する際、超微粒子が、一般的な温度よりもはるかに低温で緻密に焼結するため、耐熱性が比較的低い基材も用いることができる。
以下、本発明のガスバリアフィルムの製造方法の各工程について説明する。
本発明における第1無機層形成工程は、基材上に少なくとも一層の蒸着膜を形成する工程である。
第1無機層の形成方法としては、蒸着法であれば特に限定されるものではなく、PVD法(物理的蒸着法)およびCVD法(化学的蒸着法)のいずれであってもよいが、中でもPVD法が好ましく用いられる。PVD法で形成された蒸着膜は、CVD法に比べてピンホール等の欠陥や製造面で構造的な欠陥が生じやすいが、本発明においては第2無機層中の超微粒子によりピンホール等の欠陥を塞ぐことができるので、本発明の効果が顕著に発揮されるからである。また、CVD法に比べてPVD法はコスト的に有利である。
PVD法としては、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などの一般的な方法が用いられる。特に、生産性が高い真空蒸着法あるいはイオンプレーティング法を用いた場合には、ガスバリア性向上の効果が顕著に発揮されるので、有効である。
また、ピンホールがないように蒸着膜を積層するには、上述したように二層の蒸着膜を積層する以外にも、研磨した蒸着膜上にさらに複数層の蒸着膜を形成し、多層化してもよい。
化学的研摩法は、例えば布、不織布、もしくはポリウレタン樹脂等の発泡体からなる研摩部材に、研摩剤としてエッチング性の液体を供給して行うものである。
機械的研摩法は、例えば布、不織布、もしくはポリウレタン樹脂等の発泡体を研摩部材とし、コロイダルシリカもしくは酸化セリウムの微粉末を研摩剤として含浸させて用いるか、あるいは研摩剤としてコロイダルシリカもしくは酸化セリウムを分散させた分散液を供給して行なうものである。
本発明における第2無機層形成工程は、上記第1無機層上に超微粒子が溶剤に分散された超微粒子分散液を塗布し、焼成して、膜を形成する工程である。
本工程は、超微粒子の種類により3つの態様に分けることができる。第1態様は、無機酸化物、無機窒化物、および無機酸化窒化物からなる群から選択される少なくとも1種の超微粒子を用いるものであり、この無機酸化物、無機窒化物、および無機酸化窒化物からなる群から選択される少なくとも1種の超微粒子で形成された膜が得られる。第2態様は、金属の超微粒子を用いるものであり、表面が酸化された状態である金属の超微粒子で形成された膜が得られる。第3態様は、金属の超微粒子を用いるものであり、金属の超微粒子で形成された膜が得られる。以下、各態様に分けて説明する。
本態様においては、無機酸化物、無機窒化物、および無機酸化窒化物からなる群から選択される少なくとも1種の超微粒子を溶剤に分散させた超微粒子分散液を塗布し、焼成して、膜を形成する。これにより、無機酸化物、無機窒化物、および無機酸化窒化物からなる群から選択される少なくとも1種の超微粒子で形成された膜が得られる。
本態様の第2無機層形成工程は、超微粒子分散液を調製する超微粒子分散液調製工程と、この超微粒子分散液を塗布する塗布工程と、この塗布工程で得られた塗膜を焼成する焼成工程とを有するものである。以下、各工程について説明する。
本態様に用いられる超微粒子分散液は、超微粒子が個々に独立して均一に分散したものであり、無機酸化物、無機窒化物、および無機酸化窒化物からなる群から選択される少なくとも1種の超微粒子を溶剤に分散させることにより調製される。
なお、無機酸化物、無機窒化物、および無機酸化窒化物の超微粒子については、上記「A.ガスバリアフィルム」の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
ここで、超微粒子分散液に用いられる超微粒子の平均粒径は、レーザー法により測定した値とする。平均粒径とは、一般に粒子の粒度を示すために用いられるものであり、レーザー法とは、粒子を溶媒中に分散し、その分散溶媒にレーザー光線を当てて得られた散乱光を細くし、演算することにより、平均粒径、粒度分布等を測定する方法である。なお、上記平均粒径は、レーザー法による粒径測定機として、リーズ&ノースラップ(Leeds & Northrup)社製 粒度分析計 マイクロトラックUPA Model-9230を使用して測定した値である。
塩化インジウム、硝酸インジウム、硫酸インジウム、酢酸インジウム、シュウ酸インジウム等のインジウム塩の水溶液を所定の温度に保持し、この水溶液と所定温度に保持されたアンモニウム化合物やアルカリ金属化合物等のアルカリ水溶液とを混合し、所定のpHで所定時間共沈反応を行い、水酸化物を沈殿させる。その後、所望により沈殿物をイオン交換水により繰返し傾斜洗浄し、上澄み液の電気伝導度が所定の値以下になった時点で、沈殿したインジウムの共沈水酸化物を濾別する。次いで、この共沈水酸化物ケーキを大気中で350〜800℃、好ましくは500〜800℃の温度で焼成処理し、酸化インジウム超微粒子を作製する。焼成後の粒子は凝集しているので、粉砕してその凝集粒子をほぐすことが好ましい。
上記共沈反応において、反応温度は一般に25〜70℃であり、反応時間は反応温度に依存するが、一般に30〜120分間であり、反応終了時のpHは5〜11である。
これらは、単独で用いても、混合溶剤として用いてもよい。例えば、長鎖アルカンの混合物であるミネラルスピリットであってもよい。
このような溶剤としては、上記の中でも、テルピネオール、デカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ドデシルベンゼン、ミネラルスピリットなどが好ましく用いられる。
本態様においては、次に、上記超微粒子分散液を塗布して塗膜を形成する。
超微粒子分散液の塗布方法としては、第1無機層のピンホール等の欠陥を塞ぐことができ、かつ均一な厚みに塗布できる方法であればよく、例えばスピンコート法、スプレーコート法、ディップコート法、ロールコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法等が挙げられる。
本態様においては、次に、上記塗膜を焼成する。
焼成温度は、使用する超微粒子の種類等によって適宜選択されるものであるが、150℃〜350℃程度であることが好ましく、より好ましくは150℃〜250℃の範囲内であり、さらに好ましくは150℃〜220℃の範囲内である。焼成温度が低すぎると超微粒子が十分に焼結しない可能性があり、また、焼成温度が高すぎると基材等に熱的ダメージを与えるおそれがあるからである。超微粒子を構成する無機酸化物等を単体で焼結するのに必要な温度は一般に400〜700℃程度であるが、本発明においては超微粒子のサイズ効果により、150℃〜350℃という極めて低い温度で焼成することができる。
また、焼成時間についても、使用する超微粒子の種類等によって適宜選択されるものであるが、通常は10分〜1時間程度であり、好ましくは15分〜30分である。
不活性ガス雰囲気としては、例えば希ガス、二酸化炭素、窒素等の不雰囲気が挙げられる。
還元性雰囲気としては、例えば水素、一酸化炭素、低級アルコール等の雰囲気が挙げられる。低級アルコールとしては、炭素数が1〜6の低級アルコール、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール等が挙げられる。
また、真空雰囲気が、例えば希ガス、二酸化炭素、窒素等の不活性ガス;酸素、水蒸気等の酸化性ガス;水素、一酸化炭素、低級アルコール等の還元性ガス;または上記不活性ガスと酸化性ガスもしくは還元性ガスとの混合ガス;を含んでいてもよい。真空雰囲気の場合に酸化性ガスを導入すると、超微粒子は酸化せずに、超微粒子に付着している有機化合物(溶剤や分散剤)だけを燃焼させる効果がある。真空状態は、単にポンプで引いただけでもよく、また一旦ポンプ引きした後、不活性ガス、還元性ガス、酸化性ガスを導入してもよい。真空雰囲気中での焼成は、通常、10−5〜103Pa程度で行うことができる。
さらに、焼成時に紫外線照射を行ってもよい。時間短縮・低温化の面でさらに効果がある。また、焼成では、大気圧プラズマ等を用いた、いわゆるプラズマ焼結を用いることもできる。
本態様においては、金属の超微粒子を含有する超微粒子分散液を塗布し、焼成して、膜を形成する。これにより、表面が酸化された状態である金属の超微粒子で形成された膜が得られる。本態様においては、焼成時に酸化および焼結が同時に進行するため、表面が酸化された状態である金属の超微粒子で形成された膜が形成されるのである。
本態様の第2無機層形成工程は、超微粒子分散液を調製する超微粒子分散液調製工程と、この超微粒子分散液を塗布する塗布工程と、この塗布工程で得られた塗膜を焼成する焼成工程とを有するものである。なお、塗布工程および焼成工程については、上記第1態様に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。以下、超微粒子分散液調製工程について説明する。
本態様に用いられる超微粒子分散液は、超微粒子が個々に独立して均一に分散したものであり、金属の超微粒子を溶剤に分散させることにより調製される。
なお、金属の超微粒子については、上記「A.ガスバリアフィルム」の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
なお、ガス中蒸発法による超微粒子の作製方法ついては、特許第2561537号公報や特開2005−183054公報などに詳しい。
化学還元法は、還元剤を用いる化学反応により超微粒子分散液を調製する方法である。この化学還元法により得られる製造した微粒子の場合、粒径を任意に調整可能である。化学還元法では、まず、原料に分散剤を添加した状態で、所定の温度で原料を加熱分解させるか、あるいは、還元剤、例えば水素や水素化ホウ素ナトリウム等を利用して、金属超微粒子を発生させる。次いで、発生した金属超微粒子のほぼ全量を独立分散状態で回収する。得られた分散液を、超微粒子分散液に使用する溶剤に置換すれば、所望の超微粒子分散液が得られる。得られた超微粒子分散液は、真空中での加熱により濃縮しても、安定な分散状態を維持している。
なお、化学還元法による超微粒子の作製方法ついては、特開2005−81501公報などに詳しい。
本態様においては、金属の超微粒子を含有する超微粒子分散液を塗布し、焼成して、膜を形成する。これにより、金属の超微粒子で形成された膜が得られる。
本態様の第2無機層形成工程は、超微粒子分散液を調製する超微粒子分散液調製工程と、この超微粒子分散液を塗布する塗布工程と、この塗布工程で得られた塗膜を焼成する焼成工程とを有するものである。なお、塗布工程については、上記第1態様に記載したものと同様であり、超微粒子分散液調製工程については、上記第2態様に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。以下、焼成工程について説明する。
本態様においては、金属の超微粒子で形成された膜を形成するので、超微粒子が酸化しない雰囲気中で焼成を行う。なお、超微粒子が酸化しない雰囲気については、上記第1態様に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
また、焼成温度および焼成時間については、上記第1態様と同様であるので、ここでの説明は省略する。
[実施例]
(第1無機層の形成)
透明基材として、DAIKIN製 フッ素樹脂フィルム(商品名:ネオフロンFEP、厚み:100μm)を準備した。この透明基材を定法にしたがって洗浄した。
透明基材上に下記の条件でスパッタリング法により酸化ケイ素膜を2回成膜して、厚み200nmの第1無機層を形成した。各成膜工程の間では、#800程度の研磨テープを用いて純水を噴霧しながらラッピング研磨を行った。次いで、下層の酸化ケイ素膜に対し、回転研磨機(Speed Fam社製)を使用してアルミナの微粒子研磨剤を噴霧しながら鏡面研磨(ポリッシング)を行った。
酸化珪素膜の成膜条件
・RFスパッタ電力:50W/cm2、周波数13.56MHz
・成膜レート:10nm/分
・成膜圧力:0.5Pa
・SiO2ターゲット:4N(密度2.25g/cm3)
ヘリウムガス圧力0.5torrの条件下で高周波誘導加熱を用いるガス中蒸発法によりIn微粒子を生成する際に、生成過程のIn微粒子にα−テルピネオールとドデシルアミンとの20:1(容量比)の蒸気を接触させ、冷却捕集してIn微粒子を回収し、α−テルピネオール溶媒中に独立した状態で分散している平均粒径10nmのIn微粒子を20重量%含有する分散液を調製した。この分散液(コロイド液)1容量に対してアセトンを5容量加え、攪拌した。極性のアセトンの作用により分散液中の微粒子は沈降した。2時間静置後、上澄みを除去し、再び最初と同じ量のアセトンを加えて攪拌し、2時間静置後、上澄みを除去した。この沈降物から、残留溶媒を完全に除去し、平均粒径10nmのIn微粒子を作製し、X線回折により、酸化されていない微粒子であることを確認した。この微粒子を10wt%の濃度にてテトラデカン中に分散させ、超微粒子分散液を得た。
この超微粒子分散液をスピンコート法により上記第1無機層上に塗布した。その後、塗膜を1×10−3Paの減圧下において230℃、10minの条件で焼成した。次いで、酸化性雰囲気(大気)中で、230℃、60minの焼成を行った。このときの膜厚は200nmであった。このようにして形成した第2無機層について、5cm2の領域における大きさ1μm以上のピンホールを、光学顕微鏡写真(倍率=1000倍)にて観察した結果、検出できなかった。
実施例の第1無機層の成膜条件にて、透明基材上にスパッタリング法により酸化ケイ素膜を2回成膜して、無機層(厚み300nm)を形成した。各成膜工程の間では、実施例と同様にして研磨処理を行った。このようにして形成した無機層について、5cm2の領域における大きさ1μm以上のピンホール数を、光学顕微鏡写真(倍率=1000倍)にて計数した結果は、実施例と同じであった。
透明基材と、実施例および比較例のガスバリアフィルムについて、上述した方法により酸素透過率および水蒸気透過率を測定した。
DAIKIN製 フッ素樹脂フィルム(商品名:ネオフロンFEP、厚み:100μm)単体では、酸素透過率が300cc/m2/day/atmであり、水蒸気透過率が0.7g/m2/dayであった。また、比較例のガスバリアフィルムでは、酸素透過率が12cc/m2/day/atmであり、水蒸気透過率が0.12g/m2/dayであった。これに対し、実施例のガスバリアフィルムでは、酸素透過率が1.1cc/m2/day/atm、水蒸気透過率が0.01g/m2/dayとなり、高いガスバリア性が得られた。
2 … 第1無機層
3 … 第2無機層
10 … ガスバリアフィルム
12a,12b … 蒸着膜
23 … 超微粒子分散液
Claims (8)
- 樹脂からなる基材と、前記基材上に形成され、蒸着膜である第1無機層と、前記第1無機層上に形成され、超微粒子で形成された膜である第2無機層とを有するガスバリアフィルムであって、
前記超微粒子が、酸化インジウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素、および酸化窒化ケイ素からなる群から選択される少なくとも1種の超微粒子であることを特徴とするガスバリアフィルム。 - 前記第1無機層が、複数の蒸着膜からなることを特徴とする請求項1に記載のガスバリアフィルム。
- 前記超微粒子の焼結温度が350℃以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のガスバリアフィルム。
- 前記超微粒子の平均粒径が0.5nm〜100nmの範囲内であることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかの請求項に記載のガスバリアフィルム。
- 樹脂からなる基材上に少なくとも一層の蒸着膜を形成する第1無機層形成工程と、前記第1無機層上に超微粒子が溶剤に分散された超微粒子分散液を塗布し、焼成して、膜を形成する第2無機層形成工程とを有するガスバリアフィルムの製造方法であって、
前記超微粒子が、酸化インジウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素、および酸化窒化ケイ素からなる群から選択される少なくとも1種の超微粒子であることを特徴とするガスバリアフィルムの製造方法 - 前記第2無機層形成工程にて、前記超微粒子が酸化しない雰囲気中で焼成し、その後、酸化性雰囲気中で焼成することを特徴とする請求項5に記載のガスバリアフィルムの製造方法。
- 前記第1無機層形成工程にて、前記基材上に下層の蒸着膜を形成し、前記下層の蒸着膜表面を研磨した後、前記下層の蒸着膜上に上層の蒸着膜を形成することを特徴とする請求項5または請求項6に記載のガスバリアフィルムの製造方法。
- 前記溶剤の沸点が120℃以上であることを特徴とする請求項5から請求項7までのいずれかの請求項に記載のガスバリアフィルムの製造方法。
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Citations (6)
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---|---|---|---|---|
JP2001035814A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | 銀配線パターンの形成法 |
JP2003011262A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 表示装置用基板 |
JP2003154596A (ja) * | 2001-11-22 | 2003-05-27 | Nitto Denko Corp | 透明ガスバリア性フィルム、及びそれを用いた透明導電性電極基材、表示素子、太陽電池又は面状発光体 |
JP2004119138A (ja) * | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Pioneer Electronic Corp | 多層バリア膜構造、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法 |
JP2005081501A (ja) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Ulvac Japan Ltd | 金属ナノ粒子及びその製造方法、金属ナノ粒子分散液及びその製造方法、並びに金属細線及び金属膜及びその形成方法 |
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---|---|---|---|---|
JP2001035814A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | 銀配線パターンの形成法 |
JP2003011262A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 表示装置用基板 |
JP2003154596A (ja) * | 2001-11-22 | 2003-05-27 | Nitto Denko Corp | 透明ガスバリア性フィルム、及びそれを用いた透明導電性電極基材、表示素子、太陽電池又は面状発光体 |
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