JP4696478B2 - Plasma X-ray generator - Google Patents
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Description
本発明は、半導体リソグラフィー等に用いられ、極端紫外光(EUV)を発光するプラズマX線源を備えたプラズマX線発生装置に関するものである。 The present invention relates to a plasma X-ray generator that includes a plasma X-ray source that emits extreme ultraviolet light (EUV) and is used in semiconductor lithography and the like.
放電生成によるプラズマX線源を備えたX線発生装置は、プラズマ生成放電電極間にXe等の作動ガスを導入して、それを高速パルス放電により高密度、高電離プラズマ化し、このプラズマからX線を取り出す装置である。そのX線を取り出す過程を高速で繰り返すことで、X線を高出力化している(高繰り返し運転)。 An X-ray generator equipped with a plasma X-ray source by discharge generation introduces a working gas such as Xe between plasma generation discharge electrodes, converts it into high density and high ionization plasma by high-speed pulse discharge, A device for taking out a wire. By repeating the process of taking out the X-rays at a high speed, the output of the X-rays is increased (high repetition operation).
プラズマX線源の主なものとして、キャピラリ放電型といった放電方式のX線源がある(例えば、非特許文献1参照)。 As a main plasma X-ray source, there is a discharge type X-ray source such as a capillary discharge type (for example, see Non-Patent Document 1).
キャピラリ放電型のプラズマX線源は、作動ガスが封入された細管(キャピラリ)内に電流を流すことによって大電流を得て、ジュール加熱により高温プラズマを得ようとするもので、プラズマの閉じ込めをキャピラリ内で行うものである。 A capillary discharge type plasma X-ray source is a device that obtains a large current by flowing a current through a capillary (capillary) filled with a working gas and obtains a high-temperature plasma by Joule heating. It is performed in the capillary.
また、キャピラリ放電型のX線源の他に、Zピンチ型のプラズマX線源がある。Zピンチ型のプラズマX線源は、プラズマ中を流れる軸電流とこれにより生成される方位角方向磁界により、プラズマを強力に圧縮して衝撃波加熱を行うと共に、ジュール加熱を行って、高温、高密度のプラズマ柱を放電管軸上に生成し、閉じ込めるものである。 In addition to the capillary discharge X-ray source, there is a Z-pinch plasma X-ray source. The Z-pinch plasma X-ray source uses a shaft current flowing in the plasma and an azimuthal magnetic field generated thereby to compress the plasma strongly and perform shock wave heating, as well as Joule heating, A plasma column of density is generated on the discharge tube axis and confined.
X線の発光効率を良くするために、プラズマの密度分布の不均一性や非対称性を改善した回転プラズマをピンチ電極間に生成放電させたX線発生装置がある(例えば、特許文献1参照)。 In order to improve the X-ray emission efficiency, there is an X-ray generator that generates and discharges rotating plasma between pinch electrodes with improved nonuniformity and asymmetry of the density distribution of plasma (see, for example, Patent Document 1). .
しかしながら、従来のX線発生装置では、X線を発光し、発光有効時間を経過した残留プラズマを構成する質量数の大きい荷電粒子(イオン、微粒子等であり、電子を除く)がミラーやレンズ等の光学系へ衝突して起こすスパッタ効果によって、光学系を損傷させてしまう等、X線発光後のプラズマの拡散、光学系への入射が大きな問題であった。 However, in the conventional X-ray generator, charged particles having a large mass number (excluding ions, fine particles, etc., excluding electrons) constituting residual plasma that emits X-rays and has passed the effective emission time are mirrors, lenses, etc. Diffusion of plasma after X-ray emission and incidence on the optical system were major problems such as damage to the optical system due to the sputtering effect caused by collision with the optical system.
また、X線を高出力発生させるために、プラズマX線源を高繰り返し運転する際、真空ポンプによる排気では排気速度に限界があり、次のショットまでの間の残留プラズマの排出が不十分であるため、X線発生部近傍の残留プラズマの濃度が高くなり、X線の吸収損失が大きくなってしまう事も、高出力化への大きな障害となっていた。 In addition, when a plasma X-ray source is operated at a high repetition rate in order to generate a high output of X-rays, the exhaust speed by the vacuum pump is limited, and the residual plasma is not sufficiently discharged until the next shot. For this reason, the concentration of residual plasma in the vicinity of the X-ray generation portion increases and the absorption loss of X-rays increases, which is a major obstacle to higher output.
これに対し、レーザを用いたEUV光源において、EUV光を発生させた際に生じる、プラズマを構成する質量数の大きい荷電粒子等のデブリの除去を目的とした露光装置がある(例えば、特許文献2参照)。 On the other hand, in an EUV light source using a laser, there is an exposure apparatus for the purpose of removing debris such as charged particles having a large mass number constituting plasma generated when EUV light is generated (for example, Patent Documents). 2).
しかしながら、従来のプラズマ生成放電を利用したX線発生装置においては、残留プラズマを積極的に除去して、前記の課題を解決することを目的とした装置がなかった。 However, in the conventional X-ray generator using plasma generation discharge, there has been no device intended to solve the above-mentioned problems by positively removing residual plasma.
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、プラズマX線源付近の残留プラズマを排気して光学系の損傷及びX線の吸収損失を抑制したプラズマX線発生装置を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a plasma X-ray generator that solves the above-described problems and exhausts residual plasma in the vicinity of the plasma X-ray source to suppress damage to the optical system and X-ray absorption loss. .
上記目的を達成するために、請求項1の発明は、真空容器と、真空容器の側壁に形成された排気孔と、該排気孔に接続された排気手段と、上記排気孔近くの真空容器内に設置され、両端にプラズマ発生電極が設けられたキャピラリからなり、プラズマ生成放電電極間に形成されるキャピラリ内のプラズマ生成部に供給される作動ガスをプラズマ化してX線を発生させるキャピラリ放電型プラズマX線源と、真空容器の側壁の排気孔付近に設けられ真空容器内に磁場を発生させる磁場発生手段と、上記プラズマ生成放電電極に接続されたプラズマ生成用パルス電圧印加手段と、上記プラズマX線源のプラズマ生成放電電極から離れて形成された電子放出電極と、上記プラズマ生成部において発光有効時間を経過したのちにプラズマ生成放電電極より電位の低い低電圧を電子放出電極に印加する排出用パルス電圧印加手段とを備え、
上記プラズマ生成部において生成したプラズマからX線を発光させ、発光有効時間を経過した残留プラズマを上記磁場発生手段で発生させた磁場に電子放出電極から電子を放出、供給して形成された低電位電極による静電気力により加速させて上記排気孔から高速排気するプラズマX線発生装置である。
In order to achieve the above object, the invention of
A low potential formed by emitting X-rays from the plasma generated in the plasma generation unit and emitting and supplying electrons from the electron emission electrode to the magnetic field generated by the magnetic field generation means after the effective emission time has elapsed. A plasma X-ray generator that accelerates by an electrostatic force generated by an electrode and exhausts the gas from the exhaust hole at a high speed.
請求項2の発明は、上記電子放出電極は、LaB6やタングステン或いはタングステン化合物等、熱電子を低温で熱放出可能な物質で形成された熱電子供給体である請求項1記載のプラズマX線発生装置である。
The invention according to
本発明によれば、各ショット毎にX線源付近に残留するプラズマを構成するイオン等の荷電粒子を高速排気して、これらの粒子による光学系の損傷、X線の吸収損失を大幅に低減できるといった優れた効果を発揮する。 According to the present invention, charged particles such as ions constituting the plasma remaining in the vicinity of the X-ray source are exhausted at high speed for each shot, and optical system damage and X-ray absorption loss due to these particles are greatly reduced. Exhibits excellent effects such as
以下、本発明の好適な一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。 Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
本発明は、プラズマX線源付近に残留してX線の吸収損失の要因となるプラズマを、静電加速させて急速排気させる装置であり、本発明に係るプラズマX線発生装置は、以下の実施の形態に限られるものではない。 The present invention is an apparatus for electrostatically accelerating and rapidly exhausting plasma that remains in the vicinity of a plasma X-ray source and causes X-ray absorption loss. The plasma X-ray generator according to the present invention includes the following: The present invention is not limited to the embodiment.
図1は本発明に係るプラズマX線発生装置の好適な実施の形態を示した構成図である。 FIG. 1 is a block diagram showing a preferred embodiment of a plasma X-ray generator according to the present invention.
図1に示すように、本実施の形態に係るプラズマX線発生装置10は、真空容器11と、真空容器11内を排気する排気手段12と、真空容器11内に設けられ、X線を発生させるプラズマX線源13とを備える。
As shown in FIG. 1, a
真空容器11には、その側壁23に形成される排気孔24を介して、真空容器11内のガスを排気して真空度を上げる排気手段12が接続されている。図中では、排気手段12をプラズマX線源13の上側と下側に設けたが、排気手段12を真空容器側壁23のいずれの側に設けてもよく、例えば、プラズマX線源13の左右側(紙面垂直方向)の側壁に設けてもよい。真空容器11内の気圧は略1Pa(10-2torr)となっている。作動ガス(Xeガス等)の供給時の排気手段12としては、慣用の真空ポンプが挙げられ、高速排気可能なターボ分子ポンプ等が好ましい。
The vacuum vessel 11 is connected to an exhaust means 12 for exhausting the gas in the vacuum vessel 11 and raising the degree of vacuum through an
プラズマX線源13は生成放電プラズマを利用したX線源である。本実施の形態ではキャピラリ放電型のプラズマX線源を用いた。プラズマX線源13は、キャピラリ14とキャピラリ14の両端に設けられたプラズマ生成放電電極(以下、放電電極)15,16とを備える。キャピラリ14内の中空部は、キャピラリ14内に供給された作動ガスGをプラズマ化させるプラズマ生成部17である。キャピラリ14を形成する材料は、アルミナ(Al2O3)やセラミック等、絶縁体で、スパッタ係数が低く、熱安定性が良好なものが好ましい。
The
放電電極15,16は、図中左側の放電電極16をGNDとして図中右側の放電電極15を高電位とするようにプラズマ生成用パルス電圧印加手段(図示せず)が接続されている。すなわち、右側のX線が発生する放電電極が正放電電極(アノード)15、対して左側の放電電極が負放電電極(カソード)16となっている。プラズマ化させるターゲットとなる作動ガスGが、負放電電極16側からプラズマ生成部17に供給されるべく、作動ガス供給手段(図示せず)が設けられている。本実施の形態では、リソグラフィー等に利用する13.5nmのX線を発生させるために、作動ガスGとしてXeガスを用いたが、作動ガスGはこれに限られるものではない。
The
図2に示すように、プラズマ生成用パルス電圧印加手段は、プラズマ生成部17に供給された作動ガスGをプラズマ化させるために放電用の極短パルス電圧31を印加(ショット)するものであり、その電圧は数k〜10kV、一回の電圧印加時間が100ns程度であり、パルス周期は約100μs(10k〜100kHz)である。
As shown in FIG. 2, the pulse voltage applying means for plasma generation applies (shots) an extremely
本実施の形態の特徴は、プラズマX線発生装置10の真空容器11内のX線源13付近に低電圧電極を形成したことにある。
The feature of this embodiment is that a low voltage electrode is formed in the vicinity of the
低電圧電極は、真空容器11内に設けた電子放出電極19と磁場発生手段21との作用により形成される。
The low voltage electrode is formed by the action of the
電子放出電極19は、プラズマ生成放電電極15,16から離れて設けられ、正放電電極15に対して低電位(負電位)となるように排気用パルス電圧印加手段22が接続されている。より詳細には、電子放出電極19は、排気すべき作動ガスGのプラズマが電子放出電極19に衝突するのを避けるべく、X線の発光点25より後方に配置される(図中では、正放電電極15より左側)。
The
電子放出電極19には、低温で熱電子を放出させるために、LaB6 、或いはW(純タングステン)やBaW(バリウムタングステン)、ThW(トリウムタングステン)等のタングステン化合物で形成された熱電子供給体を用いた。
The
排気用パルス電圧印加手段22は、熱電子供給体19から熱電子を放出させるために、排気用パルス電圧32(図2)を印加するものである。また、印加する電圧は1kV以下とした。
The exhaust pulse voltage application means 22 applies the exhaust pulse voltage 32 (FIG. 2) in order to emit the thermoelectrons from the
磁場発生手段21は真空容器11の側壁23の排気孔24付近に設けられ、磁場発生手段21により真空容器11内に常時磁場Hを発生させるものである。磁場Hは放電電極15と電子放出電極19間で熱電子の移動を妨げる向き、すなわち、X線の照射方向と略平行に発生している。本実施の形態では、磁場発生手段21として、慣用のコイルで形成されたものを用いた。
The magnetic field generating means 21 is provided in the vicinity of the
次に、本実施の形態のプラズマX線発生装置10の作用について説明する。
Next, the operation of the
まず、プラズマX線源13よりX線が発生する動作について説明する。
First, an operation for generating X-rays from the
プラズマX線源13のプラズマ生成部17に作動ガスGを供給する。作動ガスGはプラズマ生成部17で高密度で封入されており、プラズマ生成放電電極間15,16に高電圧の極短パルス電圧31を印加することで、プラズマ生成部17内の作動ガスGがプラズマ化され、そのプラズマからX線が発光する。このとき、プラズマ生成部17に高温、高密度のプラズマを長時間保持する事は困難なため、X線等の極短紫外光を連続的に励起するのは困難であり、瞬間的に電圧を印加させて発光させるのが通例である。よって、X線の高出力化のために、ショットを繰り返し行ってX線を発生させている(高繰り返し運転)。
The working gas G is supplied to the
高繰り返し運転において、X線の発光有効時間は放電開始から100ns程度であり、発光有時間を経過したプラズマ(残留プラズマ)Dがプラズマ生成部17や発光点25付近に存在する。
In the high repetition operation, the X-ray emission effective time is about 100 ns from the start of discharge, and the plasma (residual plasma) D that has passed the light emission time exists in the vicinity of the
ここで、図3を用いて残留プラズマDを排気する作用について説明する。 Here, the effect | action which exhausts the residual plasma D is demonstrated using FIG.
発光有効時間の終了と共に電子放出電極19に排気用パルス電圧を印加して熱電子Eを放出する。真空容器11内は、常時、磁場発生手段21により磁場Hが発生しているので、熱電子Eが電子放出電極19を通過する磁場H1に沿って移動し、その磁場H1上に供給された多数の熱電子Eは、磁場H1の周囲を漂うように固定されるので負電位の平行電極を形成したものと同等になる。この磁場H1に保持された熱電子群で形成される低電圧電極を仮想電極18と称する。
With the end of the effective light emission time, an exhaust pulse voltage is applied to the
プラズマ生成部17近傍に存在している残留プラズマDは数〜十数価の正イオンであり、仮想電極18との静電力により仮想電極18の方向に加速される。ただし、仮想電極18の熱電子Eは磁場H1上に略固定されている。仮想電極18方向に静電加速された残留プラズマDは排気手段12により排気孔24から真空容器11外へ排気される。このように、静電加速により次のショットまでに残留プラズマDを排気できるので、プラズマ生成部17付近の真空度を高く(気圧を低く)することができ、X線の吸収損失を大幅に低減することができる。
The residual plasma D existing in the vicinity of the
さらに、プラズマX線発生装置10は、残留プラズマDをX線ミラー等の光学系のある方向(X線照射方向)とは異なる方向に高速排気することができるので、光学系の損傷を防止することができる。
Furthermore, since the
また、電子放出電極19である熱電子供給体を、熱電子Eを低温で放出させることのできる材料で形成しているので、排出用パルス電圧32を小さくすることができると共に、プラズマX線源13に熱の影響を与えることがない。
In addition, since the thermoelectron supply body that is the
ここで、図2に示したように、プラズマ生成放電パルス電圧31と排気用パルス電圧32が交互に印加されて、X線発生装置10は高繰り返し運転される。残留プラズマDを静電加速させた熱電子群は次第に拡散していくので、高繰り返し運転を行うにあたり、放電パルス電圧31を印加する毎に排気パルス電圧を印加して、新たなる仮想電極18を形成し、X線の発光と残留プラズマDの排気を繰り返している。よって、X線が発生されて、プラズマの発光有効時間が経過する度に残留プラズマDを排気することができ、常にプラズマ生成部17付近の真空度を高く保持することができる。
Here, as shown in FIG. 2, the plasma generation
また、残留プラズマDを加速させる方向は仮想電極18の位置と形状に依存するので、仮想電極18の形状を変えることで、残留プラズマDの静電加速方向を調整することができる。仮想電極18は、真空容器11内に発生させる磁場Hの向きや電子放出電極19の位置等により、その位置と形状を調整することができる。
Further, since the direction in which the residual plasma D is accelerated depends on the position and shape of the
本実施の形態のプラズマX線発生装置10では、低電位電極として仮想電極を形成したが、本発明に係るプラズマX線発生装置の低電位電極は仮想電極18に限定されない。
In the
例えば、低電位電極は、平板状や弧状に形成された金属製の金属電極でもよい。しかしながら、金属電極を用いると、残留プラズマDが金属電極に衝突して、残留プラズマDを真空容器11内に留まらせて排気効率が低下する可能性や、残留プラズマDが金属電極をスパッタして飛散物が発生する可能性がある。よって、静電加速させた残留プラズマDが電極に衝突せず透過できるように、低電位電極は、細かい網目状(メッシュ状)に形成された金属電極が好ましく、上述した熱電子群で形成された仮想電極18が最も好ましい。
For example, the low potential electrode may be a metal electrode made of metal formed in a flat plate shape or an arc shape. However, if a metal electrode is used, the residual plasma D may collide with the metal electrode, causing the residual plasma D to remain in the vacuum vessel 11 and reducing exhaust efficiency, or the residual plasma D may sputter the metal electrode. Flying objects may be generated. Therefore, the low potential electrode is preferably a fine mesh (mesh) metal electrode so that the electrostatically accelerated residual plasma D can be transmitted without colliding with the electrode. The
本実施の形態のX線発生装置10に用いたプラズマX線源13は、キャピラリ放電型のプラズマX線源であるが、本発明に係るプラズマX線源は、キャピラリ放電型に限らず、Zピンチ或いはプラズマフォーカス等を用いた放電生成のプラズマX線源でもよく、X線源の放電方式を問わず、本実施の形態と同様の作用効果を有する。
The
10 プラズマX線発生装置
11 真空容器
12 排気手段
13 プラズマX線源
15,16 プラズマ生成放電電極
17 プラズマ生成部
18 仮想電極
19 電子放出電極
21 磁場発生手段
22 排気用パルス電圧印加手段
G 作動ガス
D 残留プラズマ
H 磁場
DESCRIPTION OF
Claims (2)
上記プラズマ生成部において生成したプラズマからX線を発光させ、発光有効時間を経過した残留プラズマを上記磁場発生手段で発生させた磁場に電子放出電極から電子を放出、供給して形成された低電位電極による静電気力により加速させて上記排気孔から高速排気することを特徴とするプラズマX線発生装置。 A vacuum vessel, an exhaust hole formed in the side wall of the vacuum vessel, an exhaust means connected to the exhaust hole, and a capillary installed in a vacuum vessel near the exhaust hole and provided with plasma generating electrodes at both ends. A capillary discharge type plasma X-ray source that generates X-rays by converting the working gas supplied to the plasma generation part in the capillary formed between the plasma generation discharge electrodes into plasma, and in the vicinity of the exhaust hole on the side wall of the vacuum vessel A magnetic field generating means for generating a magnetic field in the vacuum vessel, a plasma generating pulse voltage applying means connected to the plasma generating discharge electrode, and electrons formed away from the plasma generating discharge electrode of the plasma X-ray source A low voltage having a lower potential than the plasma generation discharge electrode is applied to the electron emission electrode after the emission effective time has elapsed in the emission electrode and the plasma generation unit. And a pulse voltage applying means for output,
A low potential formed by emitting X-rays from the plasma generated in the plasma generation unit and emitting and supplying electrons from the electron emission electrode to the magnetic field generated by the magnetic field generation means after the effective emission time has elapsed. A plasma X-ray generator characterized in that it is accelerated by electrostatic force by an electrode and exhausted at a high speed from the exhaust hole .
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DE102016213830B3 (en) * | 2016-07-27 | 2017-12-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Source hollow body and EUV plasma light source with such a hollow source body |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04101344A (en) * | 1990-08-17 | 1992-04-02 | Nec Corp | Cylindrical electron beam generating apparatus and, method for exposure to electron beam |
JPH0817371A (en) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Kansai Electric Power Co Inc:The | Method and device for removing debris of laser plasma x-ray source |
JPH10221499A (en) * | 1997-02-07 | 1998-08-21 | Hitachi Ltd | Laser plasma X-ray source, semiconductor exposure apparatus and semiconductor exposure method using the same |
JPH10290053A (en) * | 1997-02-12 | 1998-10-27 | Sony Corp | Optical device and optical wavelength shortening method |
JP2003007611A (en) * | 2001-01-10 | 2003-01-10 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection system, method of manufacturing element, and element manufactured by the method |
-
2004
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04101344A (en) * | 1990-08-17 | 1992-04-02 | Nec Corp | Cylindrical electron beam generating apparatus and, method for exposure to electron beam |
JPH0817371A (en) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Kansai Electric Power Co Inc:The | Method and device for removing debris of laser plasma x-ray source |
JPH10221499A (en) * | 1997-02-07 | 1998-08-21 | Hitachi Ltd | Laser plasma X-ray source, semiconductor exposure apparatus and semiconductor exposure method using the same |
JPH10290053A (en) * | 1997-02-12 | 1998-10-27 | Sony Corp | Optical device and optical wavelength shortening method |
JP2003007611A (en) * | 2001-01-10 | 2003-01-10 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection system, method of manufacturing element, and element manufactured by the method |
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