JP4683772B2 - 発光装置の作製方法 - Google Patents
発光装置の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4683772B2 JP4683772B2 JP2001182657A JP2001182657A JP4683772B2 JP 4683772 B2 JP4683772 B2 JP 4683772B2 JP 2001182657 A JP2001182657 A JP 2001182657A JP 2001182657 A JP2001182657 A JP 2001182657A JP 4683772 B2 JP4683772 B2 JP 4683772B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic compound
- piezoelectric element
- mixture
- emitting device
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 109
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 75
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 34
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 16
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 10
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 5
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 117
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 40
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- -1 polyparaphenylene vinylene Polymers 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 7
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 4
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- PZWLRLIAVLSBQU-UHFFFAOYSA-N 1,2-dioctyl-9h-fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(CCCCCCCC)C(CCCCCCCC)=C3CC2=C1 PZWLRLIAVLSBQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEWTUGLUENRXFN-UHFFFAOYSA-N 3-(4-octylphenyl)-2-thiophen-2-ylthiophene Chemical compound C1=CC(CCCCCCCC)=CC=C1C1=C(C=2SC=CC=2)SC=C1 YEWTUGLUENRXFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHMILGIDWWDNMF-UHFFFAOYSA-N 3-(4-octylphenyl)thiophene Chemical compound C1=CC(CCCCCCCC)=CC=C1C1=CSC=C1 CHMILGIDWWDNMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBNBPEQRHOIIMO-UHFFFAOYSA-N 3-cyclohexyl-4-methylthiophene Chemical compound CC1=CSC=C1C1CCCCC1 UBNBPEQRHOIIMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000282 Poly(3-cyclohexylthiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000291 Poly(9,9-dioctylfluorene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 150000002681 magnesium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
- B05C11/1047—Apparatus or installations for supplying liquid or other fluent material comprising a buffer container or an accumulator between the supply source and the applicator
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M3/00—Printing processes to produce particular kinds of printed work, e.g. patterns
- B41M3/003—Printing processes to produce particular kinds of printed work, e.g. patterns on optical devices, e.g. lens elements; for the production of optical devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
- H10D30/673—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the shapes, relative sizes or dispositions of the gate electrodes
- H10D30/6733—Multi-gate TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
- H10D30/673—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the shapes, relative sizes or dispositions of the gate electrodes
- H10D30/6733—Multi-gate TFTs
- H10D30/6734—Multi-gate TFTs having gate electrodes arranged on both top and bottom sides of the channel, e.g. dual-gate TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B17/00—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups
- B05B17/04—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods
- B05B17/06—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations
- B05B17/0607—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations generated by electrical means, e.g. piezoelectric transducers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/06—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface with a blast of gas or vapour
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
- B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
- B05C5/027—Coating heads with several outlets, e.g. aligned transversally to the moving direction of a web to be coated
- B05C5/0275—Coating heads with several outlets, e.g. aligned transversally to the moving direction of a web to be coated flow controlled, e.g. by a valve
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2202/00—Embodiments of or processes related to ink-jet or thermal heads
- B41J2202/01—Embodiments of or processes related to ink-jet heads
- B41J2202/11—Embodiments of or processes related to ink-jet heads characterised by specific geometrical characteristics
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/01—Manufacture or treatment
- H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
- H10D86/0241—Manufacture or treatment of multiple TFTs using liquid deposition, e.g. printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/114—Poly-phenylenevinylene; Derivatives thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Ink Jet (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、一対の電極間に有機化合物で成る発光体が設けられた発光素子を有する発光装置の作製方法と、当該発光装置の作製に適用可能な印刷装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
発光体に有機化合物を用いた発光素子(以下、有機発光素子という)の構造は、陰極と陽極との間に有機化合物層が形成されたサンドイッチ型が一般的である。低分子系有機化合物を用いる場合は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層など複数の材料から成る層を組み合わせて形成されている。正孔注入層と正孔輸送層との区別は必ずしも厳密なものではなく、これらは正孔輸送性(正孔移動度)が特に重要な特性である意味において同じである。便宜上正孔注入層は陽極に接する側の層であり、正孔注入層に接する層を正孔輸送層と呼んで区別されている。また、陰極に接する層を電子注入層と呼び、電子注入層に接する層を電子輸送層と呼んでいる。発光層は電子輸送層を兼ねる場合もあり、発光性電子輸送層とも呼ばれる。低分子系有機化合物の層は真空蒸着法により形成する方法が採られている。
【0003】
これに対し、高分子系有機化合物材料は、塗布法や印刷法など湿式法により形成される。最近ではインクジェット方式による印刷法が注目されており、当該技術は特開平10−12377号公報、特開平10−153967号公報又は特開平11−54270号公報などで開示されている。インクジェット方式で用いる有機化合物材料は、水溶性或いはアルコール又はグリコール系溶剤可溶材料が適用され、ポリパラフェニレンビニレン(以下、PPVと記す)の前駆体などが用いられている。PPV前駆体は塩となって水に溶け、塗布後の加熱により重合して高分子化するものである。
【0004】
これら有機化合物における発光機構は、陰極から注入された電子と、陽極から注入された正孔が発光体で成る発光層で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る時に光を放出する現象として考えられている。励起状態には一重項状態からの発光(蛍光)と三重項状態からの発光(燐光)とがある。輝度は数千〜数万cd/m2に及ぶことから、原理的にも表示装置などへの応用が十分可能であると考えられている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
有機化合物層を半導体のように光露光プロセスによりパターン形成することが耐熱性や耐水性の点から不可能である。真空蒸着法ではシャドーマスクにより有機化合物層をパターン形成するが、その場合シャドーマスクに付着する有機化合物材料は利用されず損失することになる。その他にも蒸着装置のチャンバー内壁や蒸発源の坩堝内に残留する分も損失分となりので、その利用効率は10%程度であると見込まれる。従って、真空蒸着法で形成される低分子系有機化合物層は、材料の利用効率が悪いという問題点を有していた。
【0006】
勿論、材料のコストが廉価であればそれでも良いが、高純度化が要求される低分子系有機化合物材料は高価であり、それが製品のコストに反映されてしまう。
【0007】
一方、高分子系有機化合物を用いてインクジェット方式で有機発光素子を形成すると、このパターン形成工程が簡便であることが利点となる。1ドット毎に有機化合物層を形成することにより、フォトレジストパターンやエッチングなどの工程を不要なものとしている。さらに材料の利用効率も遙かに高まり80%以上を確保することも可能となる。
【0008】
しかし、効率的な生産方式として、1枚の大面積基板から複数枚の表示用パネルを切り出す多面取りの生産方式では、1ドット毎に混合物を滴下していくインクジェット方式は必ずしも処理能力が高いとは言えない。画面サイズが大きくなり画素数が増えるにつれ、高い位置精度と処理速度の高速化が要求されるので、結局処理時間が増大してしまうという問題点を有していた。
【0009】
また、1ドット毎に混合物を滴下して有機化合物層を形成する場合、当該混合物の吐出量のばらつきや、滴下される位置の揺らぎが発光強度の斑となり、多数の発光素子をもって形成される発光装置の品質を低下させる要因となっていた。
【0010】
本発明はこのような問題点を鑑みてなされたものであり、インクジェット方式による有機化合物層の形成を簡便でかつ高速に処理することが可能な印刷装置及びその装置を用いた発光装置の作製方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するために本発明の印刷装置は、インクヘッドの構成に特徴を有し、第1圧電素子が装着された第1弾性板と、第2圧電素子が装着された第2弾性板とを有し、第1の弾性板により一方の面が封止された圧力発生室と、圧力発生室に連接し、一方の面が前記第2弾性板により封止された供給経路とから成るインクヘッドと、気体の噴出により前記インクヘッドから吐出した混合物を平坦化する手段とが備えられ、前記第1圧電素子の振動周波数は、前記第2圧電素子の振動周波数よりも高い周波数で動作して、前記混合物を連続的に吐出する機能が備えられている。
【0012】
また他の構成は、第1圧電素子が装着された第1弾性板と、第2圧電素子が装着された第2弾性板とを有し、第1の弾性板により一方の面が封止された圧力発生室と、圧力発生室に連接し、一方の面が前記第2弾性板により封止された供給経路とから成るインクヘッドと、気体の噴出により前記インクヘッドから吐出した混合物を平坦化する手段とが備えられ、第1圧電素子が装着された第1弾性板により混合物を連続的に吐出し、第2圧電素子が装着された第2弾性板により混合物の吐出を止める機能が備えられているものである。
【0013】
混合物としては、有機発光材料又はその前駆体を液体に溶解又は分散させたものを用いる。混合物を連続的に吐出することにより、1ドット毎にインクをプリントしていくインクジェット方式と比較して、位置制御の時間が短縮され、印刷速度を向上させることができる。特に、1枚の大面積基板から複数枚の表示用パネルを切り出すマザーガラスを用いる生産方式に適用する場合に適している。また、マザーガラスに複数の画素領域が設けられている場合には、画素領域間の移動の間、混合物の吐出を瞬時に停止させることで、インクヘッドをマザーガラスに対してより高速に移動させることができる。第2圧電素子は混合物の吐出を瞬時に止めるために設けるものであり、この手段を設けることにより、印刷の高速化を実現することができる。
【0014】
このような構成のインクジェット方式の印刷装置を用いた発光装置の作製方法は、インクヘッドから、第1の圧電素子の振動により、連続的に混合物を滴下して画素領域にストライプ状の有機化合物層を形成する第1の段階と、第1の圧電素子の振動を停止させ、第2の圧電素子により前記混合物の滴下を瞬時に停止する第2の段階とを有している。この場合、混合物を塗布し、その塗布面に気体を吹き付けて平坦化しながら、画素領域にストライプ状の有機化合物層を形成する構成としても良い。
【0015】
また、他の構成は、インクジェット方式により第1乃至第n(n>1)の画素領域が区画された基板上に有機化合物層を形成する発光装置の作製方法において、インクヘッドから、第1の圧電素子の振動により、連続的に混合物を滴下して第nの画素領域にストライプ状の有機化合物層を形成する第1の段階と、第1の圧電素子の振動を停止させ、第n+1の圧電素子により前記混合物の滴下を瞬時に停止して、第2の画素領域へ前記インクヘッドを移動させる第2の段階とを有している。この場合にも混合物を塗布し、その塗布面に気体を吹き付けて平坦化しながら、画素領域にストライプ状の有機化合物層を形成する構成としても良い。
【0016】
上記発光装置の作製方法において、有機化合物層の第1層目を塗布法により第1の有機化合物層を形成し、その後インクジェット方式の印刷法により第2の有機化合物層を形成する工程としても良い。第1の有機化合物層をポリエチレンジオキシチオフェンなどで形成すると良い。
【0017】
第1及び第2圧電素子をインクヘッドに組み入れ、変位を与えるタイミングを同期させることにより、混合物を連続的に吐出したり、その吐出を瞬時に止めることができる。混合物を連続的に吐出して連続した有機化合物層を形成することにより、1ドット毎にインクをプリントしていくインクジェット方式と比較して、位置制御の時間が短縮され、印刷速度を向上させることができる。特に、1枚の大面積基板から複数枚の表示用パネルを切り出す生産方式に適用する場合に適している。また、大面積基板に複数の画素領域が設けられている場合には、画素領域間の移動の間、混合物の吐出を瞬時に停止させることで、インクヘッドを大面積基板に対してより高速に移動させることができる。第2圧電素子は混合物の吐出を瞬時に止めるために設けるものであり、この手段を設けることにより、印刷の高速化を実現することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図5は本発明のインクジェット方式を用いた印刷装置の構成を示している。印刷装置はインクヘッド401、気体を吹き付けるノズル403、基板を固定するステージ405などから成っている。その他付随する要素として、処理する基板を保持するカセット407、そのカセット407から搬出入させる搬送手段406などを備えていても良い。混合物はリザーバータンク402からインクヘッド401に供給される。また、吹き付ける気体は、圧縮容器、フィルター、流量制御装置などから成る気体供給手段404から供給される。気体は不活性気体を用い、窒素、アルゴンなどを適用する。
【0019】
気体を噴出するノズル403はインクヘッド401に隣接して設けられている。このノズルから噴出する気体は、基板408上に吐出された混合物を平坦化する手段として用いる。
【0020】
また、混合物は酸化しやすいものが多いので、処理室409内は、ガス供給手段410により、窒素などの不活気体を供給し雰囲気を置換しておくことが望ましい。
【0021】
図1はインクヘッドの構造を断面図として示している。筐体101には第1圧電素子102が装着された第1弾性板103により一方の面が封止された第1圧力発生室106と、第2圧電素子104が装着された第2弾性板105により一方の面が封止された第2圧力発生室107が形成されている。第2圧力発生室107には開口部が形成され、そこが吐出口108となり、混合物が吐出するようになっている。開口110が形成されたノズル109は気体を基板面に向かって噴出するものであり、インクヘッドの吐出口108の近傍に設けられている。
【0022】
第1圧力発生室106を構成する第1弾性板103は、第1圧電素子102のたわみ変位により第1圧力発生室106の容積を変動させ混合物を吐出させる。一方、第2圧力発生室107の第2弾性板105はも同様に、第2圧電素子104のたわみ変位により第2圧力発生室107の容積を変動させて、混合物の吐出を停止させる。
【0023】
図3は用いてインクヘッドから混合物を吐出する動作を説明する図である。第1圧力発生室106は、第1圧電素子102の振動により容積を変化させて混合物を第2圧力発生室107を介して吐出口108から吐出している。それに伴って混合物115はリザーバーから適時供給されている。この時、第2圧電素子104は振動せずに一定の位置にとどまっている。混合物の吐出を停止するには、第1圧電素子102の振動を止め、第2圧力発生室107の圧電素子104を第2圧力発生室107の容積が大きくなるように変位させる。圧電素子104の変位と共に、弾性板105が変位して第2圧力発生室の容積を大きくすることができる。この動作により、混合物の吐出を瞬時に止めることができる。
【0024】
図4は圧電素子に印加する信号電圧のタイミングチャートを示している。第1圧電素子には短い周期でパルス電圧を与えることにより混合物を連速的に吐出させている。所定に期間吐出を行い、それを停止させる時にそのパルス電圧は停止し、それと同時に第2圧電素子にパルス電圧を印加して変位を発生させる。これにより吐出を瞬時で停止させる。
【0025】
このように、2つの圧電素子をインクヘッドに組み入れ、変位を与えるタイミングを図4で示すように同期させることにより、混合物を連続的に吐出したり、その吐出を瞬時に止めることができる。
【0026】
図2はインクヘッド他の一例を示している。このインクヘッドの構成は、筐体201に第1圧電素子202、第1弾性板203、第2圧電素子204、第2弾性板205が設けられ、同様に混合物を連続的に吐出したり、その吐出を瞬時に止めることができる。但し、第2圧電素子204と第2弾性板205は圧力発生室207から延在する供給経路211の途中に設けられている。この構成では、第2圧電素子204が変位することにより、供給路211を塞ぎ、混合物の吐出を止める機構となっている。その他、気体を噴出するノズル209の構成は図1と同様なものとしている。
【0027】
インクヘッドに設けられる吐出口は一つでも良いが、より効率的に印刷を行うには複数の吐出口を設けても良い。例えば、一組の圧力発生室と吐出口を一対に対応させて設けても良いし、複数の吐出口に対し一組の圧力発生室を対応させても良い。
【0028】
第1及び第2圧電素子をインクヘッドに組み入れ、変位を与えるタイミングを同期させることにより、混合物を連続的に吐出したり、その吐出を瞬時に止めることができる。図4で示すように第1圧電素子と第2圧電素子を同期させて混合物を連続的に吐出させ、有機化合物層を形成することにより位置制御の時間が短縮され、印刷速度を向上させることができる。特に、1枚の大面積基板から複数枚の表示用パネルを切り出す生産方式に適用する場合に適している。また、大面積基板に複数の画素領域が設けられている場合には、画素領域間の移動の間、混合物の吐出を瞬時に停止させることで、インクヘッドを大面積基板に対してより高速に移動させることができる。第2圧電素子は混合物の吐出を瞬時に止めるために設けるものであり、この手段を設けることにより、印刷の高速化を実現することができる。
【0029】
【実施例】
[実施例1]
図6は、本発明のインクジェット方式の印刷装置を用い、有機発光素子の一方に電極が形成された基板上に、画素領域に合わせて高分子系有機化合物層を形成する様子を模式的に示している。図6において、610は基板であり、基板610上には画素領域611、ソース側駆動回路612、ゲート側駆動回路613がTFTにより形成されている。ソース側駆動回路612に接続された複数のソース配線とゲート側駆動回路613に接続された複数のゲート配線とで囲まれた領域が画素領域であり、画素領域にはTFTと該TFTに電気的に接続された有機発光素子が形成される。画素領域611はこのような画素がマトリクス状の配列された領域として区画される。
【0030】
ここで614aは赤色に発光する有機化合物材料と溶媒との混合物(以下、赤色発光層用混合物という)、614bは緑色に発光する有機化合物材料と溶媒との混合物(以下、緑色発光層用混合物という)、614cは青色に発光する有機化合物材料と溶媒との混合物(以下、青色発光層用混合物という)である。なお、これらの有機化合物材料は高分子を重合したものを直接溶媒に溶かして塗布する方法と、前駆体を溶媒に溶かしたものを成膜した後に加熱重合させる方法とがあるが、どちらの混合物を採用することも可能である。
【0031】
インクヘッドからは赤色発光層用混合物614a、緑色発光層用混合物614b、青色発光層用混合物614cが別々に吐出され、矢印の方向に向かって塗布される。即ち、赤色に発光すべき有機化合物層、緑色に発光すべき有機化合物層及び青色に発光すべき有機化合物層に、同時にストライプ状の発光層が形成される。
【0032】
有機化合物層を形成する高分子系有機化合物としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリアルキルフェニレン、ポリアセチレン誘導体などの有機溶媒に可溶な物質を用いることができる。
【0033】
ポリパラフェニレンビニレン誘導体としては、ポリ(2,5−ジアルコキシ−1,4−フェニレンビニレン):RO−PPVを用いることができ、具体的にはポリ(2−メトキシ−5−(2−エチル−ヘキソキシ)−1,4−フェニレンビニレン):MEH−PPVやポリ(2,5−ジメチルオクチルシリル−1,4−フェニレンビニレン):DMOS−PPVといった材料を用いることができる。
【0034】
ポリパラフェニレン誘導体としては、ポリ(2,5−ジアルコキシ−1,4−フェニレン):RO−PPPを用いることができる。
【0035】
ポリチオフェン誘導体としては、ポリ(3−アルキルチオフェン):PATを用いることができ、具体的にはポリ(3−ヘキシルチオフェン):PHT、ポリ(3−シクロヘキシルチオフェン):PCHTといった材料を用いることができる。その他にもポリ(3−シクロヘキシル−4−メチルチオフェン):PCHMT、ポリ(3−[4−オクチルフェニル]−2,2’ビチオフェン):PTOPT、ポリ(3−(4オクチルフェニル)−チオフェン):POPT−1等を用いることもできる。
【0036】
ポリフルオレン誘導体としては、ポリ(ジアルキルフルオレン):PDAFを用いることができ、具体的にはポリ(ジオクチルフルオレン):PDOFといった材料を用いることができる。
【0037】
ポリアセチレン誘導体としては、ポリプロピルフェニルアセチレン:PPA−iPr、ポリブチルフェニルフェニルアセチレン:PDPA−nBu、ポリヘキシルフェニルアセチレン:PHPAといった材料を用いることができる。
【0038】
また、これらの高分子系有機化合物の溶媒としては、トルエン、ベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロホルム、テトラリン、キシレン、アニソール、ジクロロメタン、γブチルラクトン、ブチルセルソルブ、シクロヘキサン、NMP(N−メチル−2−ピロリドン)、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノン、ジオキサンまたは、THF(テトラヒドロフラン)等を用いることができる。
【0039】
また、正孔注入性の高分子化合物としてPEDOT(poly(3,4‐ethylene dioxythiophene))や、ポリアニリン(PA)を用いることもできる。なお、これらの材料は水溶性である。このPEDOTは塗布法によっても形成可能である。塗布法で形成した第1の有機化合物層(PEDOT)の上に、インクジェット方式で第2の有機化合物層を形成することもできる。
【0040】
その他にも、昇華性を有せず、且つ分子数が10以下、又は連鎖する分子の長さが5μm以下の有機化合物(これを中分子系有機化合物という)を用いることもできる。そのような材料の一例は、テトラキス(2−メルカプト−ヘンズオキサゾラト)タングステンなどが上げられる。高分子有機化合物材料を用いたインクジェット方式によるパターン形成では、滴下した混合物が糸を引いて線状になってしまうなどの問題点があるが、連鎖する分子数の少ない中分子系有機化合物ではそのような不具合が発生しない。また、高分子系有機化合物材料の混合物を形成する場合には、それを溶かす溶媒とインクヘッドを構成する部材との組み合わせを考慮する必要がある。実際にはインクヘッドを構成する部材を腐食しない溶媒を用いる必要がある。しかし、中分子系有機化合物では、水溶液に分散させて用いることも可能であり、そのような問題が発生しない。
【0041】
なお、ここでいう有機化合物層とは隔壁621に仕切られた画素の列を指し、隔壁621はソース配線の上方に形成されている。即ち、ソース配線に沿って複数の画素が直列に並んだ列を有機化合物層と呼んでいる。但し、ここでは隔壁621がソース配線の上方に形成された場合を説明したが、ゲート配線の上方に設けられていても良い。この場合は、ゲート配線に沿って複数の画素が直列に並んだ列を有機化合物層と呼ぶ。
【0042】
従って、画素領域611は、複数のソース配線もしくは複数のゲート配線の上方に設けられたストライプ状の隔壁により分割された複数の有機化合物層の集合体として見ることができる。そのようにして見た場合、画素領域611は、赤色に発光するストライプ状の発光層が形成された有機化合物層、緑色に発光するストライプ状の発光層が形成された有機化合物層及び青色に発光するストライプ状の発光層が形成された有機化合物層からなるとも言える。
【0043】
また、上記ストライプ状の隔壁は、複数のソース配線もしくは複数のゲート配線の上方に設けられているため、実質的に画素領域611は、複数のソース配線もしくは複数のゲート配線により分割された複数の有機化合物層の集合体と見ることもできる。
【0044】
図6は画素領域に形成された有機化合物層全てに対して一括で有機化合物(厳密には混合物)を塗布する例を示している。即ち、ヘッド部601には有機化合物層の本数と同じ数でノズルが取り付けられている。このような構成とすることで一回の走査で全ての有機化合物層に塗布することが可能となり、飛躍的にスループットが向上する。
【0045】
また、画素領域を複数のゾーンに分けて、そのゾーンの中に含まれる有機化合物層の本数と同じ数でノズルを設けたヘッド部を用いても良い。即ち、画素領域をn個のゾーンに分割したとすると、n回走査すれば全ての有機化合物層に有機化合物材料(厳密には混合物)を塗布することができる。実際には画素のサイズが数十μmと小さい場合もあるため、有機化合物層の幅も数十μm程度となる場合がある。そのような場合、横一列にノズルを並べることは困難となるため、ノズルの配置を工夫する必要がある。
【0046】
[実施例2]
図7は本発明のインクジェット方式の印刷装置を用い、有機発光素子の一方に電極が形成された基板上に、画素領域に合わせて高分子系有機化合物層614を形成する他の一例を模式的に示している。尚、図7において、図6と重複するものは共通の符号を用いて示し、ここではその説明を省略する。図7では、単色毎に塗布する態様であり、インクヘッドから吐出される混合物は一種類である。この場合、赤色発光層用混合物、緑色発光層用混合物、青色発光層用混合物を装填したインクヘッドを個々に設け、単色毎に塗り分けることにより、厚さやその後の焼成重合温度などを個々の色に対して最適に調整することもできる。
【0047】
[実施例3]
また、図8は大面積基板(マザーガラス基板)に形成されたパネル部に本発明の印刷装置を適用する場合に一態様を示すものである。マザーガラス800には図6と同様の構成の画素領域を有するパネル801a〜801fが形成されている。図8では2つのインクヘッドを802a、802bで示しているが、その数は任意に設定することが可能である。隣接する画素領域に渡って連続して混合物を塗布する場合には、図3及び図4を用いて説明したように、第1及び第2圧電素子をインクヘッドに組み入れ、変位を与えるタイミングを同期させることにより、混合物を連続的に吐出したり、その吐出を瞬時に止めることができる。それにより大面積に多数の画素領域が形成された基板に対しても、高速で有機化合部層を形成することが可能となる。
【0048】
[実施例4]
本発明の印刷装置を組み入れた発光装置の製造装置の一例を図9に示す。図9は複数の印刷室906〜908、乾燥室903、ロード室901、アンロード室902を備え、これらは共通室904、909を介して連結されている。中間室905は共通室904と909の間を連結する部屋である。基板の搬送は、搬送手段910、911により行う。印刷室906〜908には図1又は図2で示す構成のインクヘッド915〜917が設けられている。
【0049】
ロード室901及びアンロード室902にはそれぞれ基板を保持するカセット912、913が保持されている。乾燥室903にはシーズヒータを内蔵した基板ステージ又はランプ光源、又は温風による加熱手段914が設けられ、印刷後に基板を加熱して乾燥させることができる。
【0050】
それぞれの部屋は仕切弁920a〜920hで区切られているので、印刷は不活性気体中又は、混合物と同種の溶媒雰囲気中で行うことにより、不純物汚染を防止することができる。印刷法は真空を必要としないので、真空ポンプや気密シールなどを必要とせず装置の構成が簡単になるという特徴がある。
【0051】
図10に示す製造装置の構成は、有機発光素子の電極やパッシベーション膜までを連続形成することを可能とした装置の構成を示している。印刷室705〜707には図1又は図2で示す構成のインクヘッド720〜722が設けられている。洗浄室702は印刷前の基板の洗浄を行い、洗浄手段718はスピン洗浄、ブラシ洗浄などである。薬液供給手段719はアルカリ又は酸性の洗浄液を供給するものである。その他の洗浄手段として、紫外光を用いたUV洗浄を採用しても良い。
【0052】
ここで示すロード室701、洗浄室702、印刷室705〜707、共通室703、708、中間室704は大気圧で各種処理を行う。一方、被膜を形成する成膜室710、711は減圧下で処理を行い、排気手段724、727が備えられている。排気手段としては、ドライポンプ、油回転ポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、メカニカルブースターポンプなどを適用する。従って、共通室716、中間室709、成膜の終わった基板を一時的に蓄えておくアンロード室712にも同様に排気手段723、731、730が備えられている。それぞれの部屋は仕切弁700a〜700lで区切られている
【0053】
成膜室710は蒸着法により導電膜の成膜を行い、蒸発源726、その加熱手段725などが備えられている。成膜室711は、プラズマCVD法により、窒化シリコン膜やダイヤモンドライクカーボンなどの被膜を形成する目的で設置されている。そのために、ガス供給手段729、グロー放電発生手段728などが備えられている。有機化合物層に上に電極を形成した後、連続してパッシベーション膜を形成することができ、有機化合物層に不純物の混入を防止することができる。
【0054】
[実施例5]
図11はアクティブマトリクス駆動する発光装置の画素の構造の一例を上面図で示す。また、図12は図11のA−A'線に対応した断面図であり、両図は共通した符号を用いて画素の構造を説明している。
【0055】
この画素構造は、一つの画素には2つのTFTが設けられ、一方はスイッチング動作を目的としたnチャネル型TFT1204であり、他方は有機発光素子に流す電流を制御する動作を目的としたpチャネル型TFT1205である。勿論、本発明を適用するに当たり、一つの画素に設けるTFTの数に限定はなく、発光装置の駆動方式に従い適切な回路構成とすれば良い。
【0056】
図12で示す如く、有機発光素子1174は第1電極1146、有機化合物層1171、第2電極1172から成っている。第1電極と第2電極はその極性により陽極と陰極とに区別することができる。陽極を形成する材料は酸化インジウムや酸化スズ、酸化亜鉛などの仕事関数の高い材料を用い、陰極にはMgAg、AlMg、Ca、Mg、Li、AlLi、AlLiAgなどのアルカリ金属又はアルカリ土類金属、代表的にはマグネシウム化合物で形成される仕事関数の低い材料を用いる。
【0057】
その上にはパッシベーション膜1173が形成されている。パッシベーション膜には窒化シリコン、酸窒化シリコン、ダイヤモンドライクカーボンなど酸素や水蒸気に対しバリア性の高い材料を用いて形成する。
【0058】
pチャネル型TFT205及びnチャネル型TFT1204はチャネル形成領域やソース及びドレイン領域、LDD領域などが形成される活性層1116、117を多結晶半導体膜で形成している。ゲート絶縁膜118を介して第1ゲート電極1133、1134が形成さているが、活性層を挟んで対向して第2ゲート電極1106、1108が絶縁膜1110、1111を介して設けられている。層間絶縁膜1143、1144は無機絶縁膜及び有機絶縁膜を組み合わせて形成されている。配線1105は映像データに基づく信号線であり、配線1107は有機発光素子に電流を供給する電源供給線である。
【0059】
有機発光素子の第1電極1146は、pチャネル型TFT1205の電極1153と接続されている。隔壁1170は隣接する画素を分離し、インクジェット方式で有機化合物層を形成する時に混合物が隣接する画素にまで及ばないように仕切る目的で形成されている。これはポリイミド、アクリルなどの感光性又は熱硬化型の樹脂材料で、第1電極の端部を覆うように形成してある。有機化合物層は縦方向に形成しても良いし、横方向に形成しても良い。
【0060】
隔壁の間には、インクジェット方式の印刷装置を用いて一対の隔壁の間に有機化合物層を連続して形成する。インクヘッドの構成は図1又は図2に示すものを用いている。
【0061】
縦方向に有機化合物層を形成した場合は、図14(A)のような配置となり、横方向に有機化合物層を形成した場合は、図14(B)のような配置となる。図14(A)において、1401は縦方向にストライプ状に形成された隔壁、1402aは赤色に発光する有機化合物層、1402bは緑色に発光する有機化合物層である。勿論、緑色に発光する有機化合物層1402bの隣には青色に発光する有機化合物層(図示せず)が形成される。なお、隔壁1401は絶縁膜を介したソース配線の上方に、ソース配線に沿って形成される。
【0062】
このとき、点線で示される画素1403の相互の距離Dは、有機化合物層の膜厚(t)の5倍以上(好ましくは10倍以上)とすることが望ましい。これは、D<5tでは画素間でクロストークの問題が発生しうるからである。なお、距離Dが離れすぎても高精細な画像が得られなくなるので、5t<D<50t(好ましくは10t<D<35t)とすることが好ましい。また、図14(B)において、1404は横方向にストライプ状に形成された隔壁、1405aは赤色に発光する有機化合物層、1405bは緑色に発光する有機化合物層である。1405cは青色に発光する有機化合物層である。なお、隔壁1404は絶縁膜を介したゲート配線の上方に、ゲート配線に沿って形成される。この場合も点線で示される画素1406の相互の距離Dは、有機化合物層の膜厚tの5倍以上(好ましくは10倍以上)、さらに好ましくは5t<D<50t(好ましくは10t<D<35t)とすると良い。
【0063】
[実施例6]
本実施例では、有機発光素子を備えた発光表示装置を作製する例を図13に示す。図13(A)は、発光装置を示す上面図であり、そのA−A'線の断面図を図13(B)に示す。絶縁表面を有する基板300(例えば、ガラス基板、結晶化ガラス基板、もしくはプラスチック基板等)に、画素領域302、ソース側駆動回路301、及びゲート側駆動回路303を形成する。これらの画素領域における有機化合物層は上記実施例に従い、本発明のインクジェット方式の印刷装置を用いて形成する。また、駆動回路については、公知のTFT及び回路技術を適用すれば良い。
【0064】
また、318はシール材、319はDLC膜であり、画素領域および駆動回路部はシール材318で覆われ、そのシール材は保護膜319で覆われている。さらに、接着材を用いてカバー材320で封止されている。熱や外力などによる変形に耐えるためカバー材320は基板300と同じ材質のもの、例えばガラス基板を用いることが望ましく、サンドブラスト法などにより図13に示す凹部形状(深さ3〜10μm)に加工する。さらに加工して乾燥剤321が設置できる凹部(深さ50〜200μm)を形成することが望ましい。なお、308はソース側駆動回路301及びゲート側駆動回路303に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプリントサーキット)309からビデオ信号やクロック信号を受け取る。
【0065】
次に、断面構造について図13(B)を用いて説明する。基板300上に絶縁膜310が設けられ、絶縁膜310の上方には画素領域302、ゲート側駆動回路303が形成されており、画素領域302は電流制御用TFT311とそのドレインに電気的に接続された発光素子の一方の電極312を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路303はnチャネル型TFT313とpチャネル型TFT314とを組み合わせたCMOS回路を用いて形成される。これらのTFT(311、313、314を含む)は、公知の技術に従い作製すればよい。
【0066】
画素電極312は有機発光素子の陽極として機能する。また、画素電極312の両端には隔壁315が形成され、発光素子の電極312上には有機化合物層316および有機発光素子の陰極317が形成される。有機化合物層316としては、発光層、電荷輸送層または電荷注入層などを自由に組み合わせて形成すれば良い。
【0067】
例えば、実施例1で示すように正孔注入層としてPEDOTから成る第1の有機化合物層を形成し、その上に本発明のインクジェット方式による印刷装置を用いて第2の有機化合物層を形成することができる。この場合、第2の有機化合物層が発光層となる。適用する有機化合物材料は、高分子系又は中分子系のものが可能であり、その具体例は実施例1で示されている。
【0068】
陰極317は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線308を経由してFPC309に電気的に接続されている。さらに、画素領域302及びゲート側駆動回路303に含まれる素子は全て陰極317、シール材318、及び保護膜319で覆われている。また、シール材318を用いて有機発光素子を完全に覆った後、すくなくとも図13に示すようにダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜などからなる保護膜319をシール材318の表面(露呈面)に設けることが好ましい。また、基板の裏面を含む全面に保護膜を設けてもよい。ここで、外部入力端子(FPC)が設けられる部分に保護膜が成膜されないように注意することが必要である。マスクを用いて保護膜が成膜されないようにしてもよいし、マスキングテープで外部入力端子部分を覆うことで保護膜が成膜されないようにしてもよい。
【0069】
以上のような構造で有機発光素子をシール材318及び保護膜で封入することにより、有機発光素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等の有機化合物層の酸化による劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。また、画素電極を陰極とし、有機化合物層と陽極を積層して図13とは逆方向に発光する構成としてもよい。
【0070】
[実施例7]
本発明を用いてして製造される発光装置は、自発光型であるため明るい場所での視認性に優れ、しかも視野角が広い。従って、様々な電子機器の表示部として用いることができる。例えば、TV放送等を大画面で鑑賞するには対角30インチ以上(典型的には40インチ以上)のテレビ受像器又は映像モニター装置(発光装置を筐体に組み込んだ表示装置)の表示部として本発明の発光装置を用いるとよい。
【0071】
尚、映像モニター装置には、パソコン用ディスプレイ、TV放送受信用ディスプレイ、広告表示用ディスプレイ等の全ての情報表示用ディスプレイが含まれる。また、その他にも様々な電子装置の表示部として本発明の発光装置を用いることができる。
【0072】
その他にも本発明の発光装置をビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはデジタルビデオディスク(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。特に、斜め方向から見ることの多い携帯情報端末は視野角の広さが重要視されるため、発光装置を用いることが望ましい。それら電子装置の具体例を図15、図16に示す。
【0073】
図15(A)はテレビ受像器又は映像モニター装置であり、筐体2001、支持台2002、表示部2003等を含む。本発明により作製される発光装置は表示部2003に用いることができる。このテレビ受像器又は映像モニター装置は自発光型であるためバックライトが必要なく、液晶ディスプレイよりも薄い表示部とすることができる。
【0074】
図15(B)はビデオカメラであり、本体2101、表示部2102、音声入力部2103、操作スイッチ2104、バッテリー2105、受像部2106等を含む。本発明により作製される発光装置は表示部2102に用いることができる。
【0075】
図15(C)は頭部取り付け型の表示装置の一部(右片側)であり、本体2201、信号ケーブル2202、頭部固定バンド2203、表示部2204、光学系2205、発光装置2206等を含む。本発明により作製されるは発光装置2206に用いることができる。
【0076】
図15(D)は記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDVD再生装置)であり、本体2301、記録媒体(DVD等)2302、操作スイッチ2303、表示部(a)2304、表示部(b)2305等を含む。表示部(a)は主として画像情報を表示し、表示部(b)は主として文字情報を表示するが、本発明により作製される発光装置はこれら表示部(a)、(b)に用いることができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。
【0077】
図15(E)は携帯型(モバイル)コンピュータであり、本体2401、カメラ部2402、受像部2403、操作スイッチ2404、表示部2405等を含む。本発明により作製される発光装置は表示部2405に用いることができる。
【0078】
図15(F)はパーソナルコンピュータであり、本体2501、筐体2502、表示部2503、キーボード2504等を含む。本発明により作製される発光装置は表示部2503に用いることができる。
【0079】
また、上記電子装置はインターネットやCATV(ケーブルテレビ)などの電子通信回線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増してきている。有機発光素子の応答速度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好ましいが、画素間の輪郭がぼやけてしまっては動画全体もぼけてしまう。従って、画素間の輪郭を明瞭にするという本発明により作製される発光装置を電子装置の表示部として用いることは極めて有効である。
【0080】
また、発光装置は発光している部分が電力を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動することが望ましい。
【0081】
図16(A)は携帯電話であり、本体2601、音声出力部2602、音声入力部2603、表示部2604、操作スイッチ2605、アンテナ2606を含む。本発明により作製される発光装置は表示部2604に用いることができる。なお、表示部2604は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。
【0082】
また、図16(B)は音響再生装置、具体的にはカーオーディオであり、本体2701、表示部2702、操作スイッチ2703、2704を含む。本発明により作製される発光装置は表示部2702に用いることができる。また、本実施例では車載用オーディオを示すが、携帯型や家庭用の音響再生装置に用いても良い。なお、表示部2704は黒色の背景に白色の文字を表示することで消費電力を抑えられる。これは携帯型の音響再生装置において特に有効である。
【0083】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子装置に用いることが可能である。
【0084】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の印刷装置は、第1及び第2圧電素子をインクヘッドに組み入れ、変位を与えるタイミングを同期させることにより、混合物を連続的に吐出したり、その吐出を瞬時に止めることができる。それにより、有機化合物層を印刷する際の位置制御の時間が短縮され、印刷速度を向上させることができる。
【0085】
このような印刷装置を発光装置を作製に適用することにより、有機化合物層の形成に必要な処理時間を短縮することができる。特に、1枚の大面積基板から複数枚の表示用パネルを切り出す生産方式に適用する場合に適している。大面積基板に複数の画素領域が設けられている場合には、画素領域間の移動の間、混合物の吐出を瞬時に停止させることで、インクヘッドを大面積基板に対してより高速に移動させることができる。第2圧電素子は混合物の吐出を瞬時に止めるために設けるものであり、この手段を設けることにより、印刷の高速化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のインクヘッドの構成を説明する断面図。
【図2】 本発明のインクヘッドの構成を説明する断面図。
【図3】 本発明のインクヘッドの構成とその動作を説明する断面図。
【図4】 圧電素子の動作タイミングを説明する図。
【図5】 本発明のインクジェット方式の印刷装置の構成を説明する図。
【図6】 画素領域を有する基板に有機化合物層の印刷工程を説明する図。
【図7】 画素領域を有する基板に有機化合物層の印刷工程を説明する図。
【図8】 複数の画素領域を有する基板に対して有機化合物層の印刷工程を説明する図。
【図9】 発光装置を形成する製造装置の一例を示す図。
【図10】 発光装置を形成する製造装置の一例を示す図。
【図11】 有機発光素子の画素の構成を説明する上面図。
【図12】 有機発光素子の画素の構成を説明する断面図。
【図13】 発光装置の構成を示す上面図及び断面図。
【図14】 有機発光素子の画素領域に有機化合物層を形成する形態を示す上面図。
【図15】 本発明を用いて作製される発光装置を用いて完成する電子装置の一例を示す図。
【図16】 本発明を用いて作製される発光装置を用いて完成する電子装置の一例を示す図。
Claims (8)
- 第1圧力発生室の一面に第1弾性板を間に介して装着された第1圧電素子と、第2圧力発生室の一面に第2弾性板を間に介して装着された第2圧電素子とが備えられ、前記第1圧力発生室と、前記第2圧力発生室とを介して混合物が吐出されるインクヘッドを有する印刷装置を用いる発光装置の作製方法であって、
前記インクヘッドから、前記第1圧電素子の変位により有機化合物材料を含む前記混合物を連続的に吐出し、前記第1圧電素子の変位を止めるとともに前記第2圧電素子を変位させることで前記混合物の吐出を止めてストライプ状の有機化合物層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 第1圧力発生室の一面に第1弾性板を間に介して装着された第1圧電素子と、第2圧力発生室の一面に第2弾性板を間に介して装着された第2圧電素子とが備えられ、前記第1圧力発生室と、前記第2圧力発生室とを介して混合物が吐出されるインクヘッドを有する印刷装置を用いる発光装置の作製方法であって、
前記インクヘッドから、前記第1圧電素子の変位による前記第1圧力発生室の容積の変動により有機化合物材料を含む前記混合物を連続的に吐出し、前記第1圧電素子の変位を止めるとともに前記第2圧力発生室の容積が大きくなるように前記第2圧電素子を変位させることで前記混合物の吐出を止めてストライプ状の有機化合物層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1又は請求項2において、前記第2圧電素子を変位させない状態で前記第1圧電素子の変位により前記有機化合物材料を含む前記混合物を連続的に吐出することを特徴とする発光装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
第1の電圧を印加することで前記第1圧電素子を変位させ、
前記第1の電圧を止めることで前記第1圧電素子の変位を止め、
第2の電圧を印加することで前記第2圧電素子を変位させ、
前記第1の電圧として、前記第2の電圧と比較して短い周期で繰り返されるパルス電圧を印加することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記インクヘッドから吐出された前記混合物に気体を吹き付けて平坦化しながら、前記ストライプ状の有機化合物層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
画素領域にストライプ状の隔壁を形成し、
前記隔壁に仕切られた領域に、前記ストライプ状の有機化合物層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、前記混合物として、前記有機化合物材料若しくは前記有機化合物材料の前駆体を溶媒に溶解させたもの又は分散させたものを吐出することを特徴とする発光装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか一において、前記有機化合物材料として、昇華性を有さずかつ連鎖する分子の長さが5μm以下の有機化合物を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001182657A JP4683772B2 (ja) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | 発光装置の作製方法 |
TW091112935A TW558506B (en) | 2001-06-15 | 2002-06-13 | Printing device and method of manufacturing a light emitting device |
US10/171,516 US7063869B2 (en) | 2001-06-15 | 2002-06-14 | Printing device and method of manufacturing a light emitting device |
US10/932,054 US7674494B2 (en) | 2001-06-15 | 2004-09-02 | Printing device and method of manufacturing a light emitting device |
US12/710,793 US8632166B2 (en) | 2001-06-15 | 2010-02-23 | Printing device and method of manufacturing a light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001182657A JP4683772B2 (ja) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | 発光装置の作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002370352A JP2002370352A (ja) | 2002-12-24 |
JP2002370352A5 JP2002370352A5 (ja) | 2007-11-08 |
JP4683772B2 true JP4683772B2 (ja) | 2011-05-18 |
Family
ID=19022711
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001182657A Expired - Lifetime JP4683772B2 (ja) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | 発光装置の作製方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7063869B2 (ja) |
JP (1) | JP4683772B2 (ja) |
TW (1) | TW558506B (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003022892A (ja) | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
JP4366896B2 (ja) * | 2002-01-24 | 2009-11-18 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置の製造装置 |
GB0225202D0 (en) | 2002-10-30 | 2002-12-11 | Hewlett Packard Co | Electronic components |
WO2004086487A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | 半導体装置およびその作製方法 |
US6998492B2 (en) * | 2003-05-16 | 2006-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organometallic complex and light-emitting element containing the same |
US7219970B2 (en) * | 2003-10-14 | 2007-05-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method and a system for single ligament fluid dispensing |
US7558827B2 (en) * | 2003-10-17 | 2009-07-07 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Mail distribution system, mail distribution method, and mail distribution program |
US7592207B2 (en) * | 2003-11-14 | 2009-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
US7601994B2 (en) * | 2003-11-14 | 2009-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US7341695B1 (en) * | 2003-12-16 | 2008-03-11 | Stuart Garner | Anti-fouling apparatus and method |
US7757631B2 (en) * | 2004-05-26 | 2010-07-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Apparatus for forming a circuit |
JP2006205415A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Brother Ind Ltd | インクジェット記録装置 |
JPWO2006120854A1 (ja) * | 2005-05-09 | 2008-12-18 | 松下電器産業株式会社 | 発光素子、発光素子アレイ及びそれらの製造方法、並びに露光装置 |
JP5160754B2 (ja) | 2006-01-31 | 2013-03-13 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | El装置 |
WO2007097114A1 (ja) * | 2006-02-22 | 2007-08-30 | Mutoh Industries Ltd. | インクジェット印字装置 |
KR20070104746A (ko) * | 2006-04-24 | 2007-10-29 | 삼성전자주식회사 | 잉크젯 분사 장치 및 방법과 이를 이용한 표시 소자의제조방법 |
EP2287006B1 (en) * | 2006-12-22 | 2012-11-21 | Fujifilm Dimatix, Inc. | Adjustable mount printhead assembly |
KR101415560B1 (ko) | 2007-03-30 | 2014-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
EP2155496A4 (en) * | 2007-06-14 | 2010-08-11 | Massachusetts Inst Technology | METHOD AND DEVICE FOR THERMAL INK JET PRESSURE |
DE102007034877A1 (de) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Schmid Rhyner Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Auftrag von Kunststoffbeschichtungen |
JP4725577B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2011-07-13 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置の製造方法 |
WO2009109273A1 (en) * | 2008-03-06 | 2009-09-11 | Merck Patent Gmbh | Organic semiconductor formulation |
US20100188457A1 (en) * | 2009-01-05 | 2010-07-29 | Madigan Connor F | Method and apparatus for controlling the temperature of an electrically-heated discharge nozzle |
JP2010046667A (ja) * | 2009-12-01 | 2010-03-04 | Seiko Epson Corp | 液状体の液滴吐出方法 |
KR101130889B1 (ko) | 2010-05-14 | 2012-03-28 | (유)에스엔티 | 더블 압전 잉크젯 프린터 헤드 |
JP5628123B2 (ja) * | 2011-09-21 | 2014-11-19 | 株式会社日立製作所 | ペースト塗布装置およびペースト塗布方法 |
CN103660572B (zh) * | 2012-09-07 | 2016-05-25 | 大连理工大学 | 液体喷头 |
JP2018107084A (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の製造方法 |
GB2590955B (en) | 2020-01-09 | 2022-06-15 | Edwards Ltd | Vacuum pump |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02251453A (ja) * | 1989-03-24 | 1990-10-09 | Canon Inc | インクジェット記録装置 |
JPH03278958A (ja) * | 1990-03-28 | 1991-12-10 | Canon Inc | インクジェット記録装置 |
JPH10181016A (ja) * | 1996-10-29 | 1998-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | インクジェット記録装置とその製造方法 |
JPH11268264A (ja) * | 1998-03-24 | 1999-10-05 | Sony Corp | インクジェットプリンタ用記録ヘッドおよびこれを用いる印画方法、並びに、インクジェットプリンタ |
JP2000208254A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Seiko Epson Corp | 有機el素子の製造方法および有機el表示装置 |
JP2000323280A (ja) * | 1999-05-07 | 2000-11-24 | Seiko Epson Corp | 電界発光素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60104337A (ja) * | 1983-11-11 | 1985-06-08 | Fujitsu Ltd | インクジエツトヘツド |
US5557304A (en) * | 1993-05-10 | 1996-09-17 | Compaq Computer Corporation | Spot size modulatable ink jet printhead |
JP3865406B2 (ja) * | 1995-07-28 | 2007-01-10 | 住友化学株式会社 | 2,7−アリール−9−置換フルオレン及び9−置換フルオレンオリゴマー及びポリマー |
JP3036436B2 (ja) | 1996-06-19 | 2000-04-24 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリックス型有機el表示体の製造方法 |
DE69739387D1 (de) | 1996-10-29 | 2009-06-10 | Panasonic Corp | Tintenstrahlaufzeichnungsgerät und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP3899566B2 (ja) * | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
JP3911775B2 (ja) | 1997-07-30 | 2007-05-09 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
US6592933B2 (en) * | 1997-10-15 | 2003-07-15 | Toray Industries, Inc. | Process for manufacturing organic electroluminescent device |
DE69734113T2 (de) * | 1997-10-15 | 2006-07-13 | Toray Industries, Inc. | Verfahren zur herstellung einer organischen elektrolumineszenten vorrichtung |
US6146716A (en) * | 1998-06-26 | 2000-11-14 | Sri International | Conservatively printed displays and methods relating to same |
TW480722B (en) | 1999-10-12 | 2002-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Manufacturing method of electro-optical device |
US6372154B1 (en) * | 1999-12-30 | 2002-04-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Luminescent ink for printing of organic luminescent devices |
JP2001341296A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-12-11 | Seiko Epson Corp | インクジェット法による薄膜形成方法、インクジェット装置、有機el素子の製造方法、有機el素子 |
JP2002331663A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-11-19 | Seiko Epson Corp | インクジェット式記録ヘッド及びインクジェット式記録装置 |
US6680578B2 (en) * | 2001-09-19 | 2004-01-20 | Osram Opto Semiconductors, Gmbh | Organic light emitting diode light source |
-
2001
- 2001-06-15 JP JP2001182657A patent/JP4683772B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-06-13 TW TW091112935A patent/TW558506B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-06-14 US US10/171,516 patent/US7063869B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-09-02 US US10/932,054 patent/US7674494B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-02-23 US US12/710,793 patent/US8632166B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02251453A (ja) * | 1989-03-24 | 1990-10-09 | Canon Inc | インクジェット記録装置 |
JPH03278958A (ja) * | 1990-03-28 | 1991-12-10 | Canon Inc | インクジェット記録装置 |
JPH10181016A (ja) * | 1996-10-29 | 1998-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | インクジェット記録装置とその製造方法 |
JPH11268264A (ja) * | 1998-03-24 | 1999-10-05 | Sony Corp | インクジェットプリンタ用記録ヘッドおよびこれを用いる印画方法、並びに、インクジェットプリンタ |
JP2000208254A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Seiko Epson Corp | 有機el素子の製造方法および有機el表示装置 |
JP2000323280A (ja) * | 1999-05-07 | 2000-11-24 | Seiko Epson Corp | 電界発光素子およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7063869B2 (en) | 2006-06-20 |
US20030010283A1 (en) | 2003-01-16 |
TW558506B (en) | 2003-10-21 |
US8632166B2 (en) | 2014-01-21 |
US20050037137A1 (en) | 2005-02-17 |
US7674494B2 (en) | 2010-03-09 |
JP2002370352A (ja) | 2002-12-24 |
US20100149286A1 (en) | 2010-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4683772B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
US8425016B2 (en) | Method of manufacturing a light emitting device | |
CN1444427B (zh) | 发光器件及其制造方法 | |
US7547562B2 (en) | Light emitting device and method for manufacturing same | |
JP5005071B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
JP3969698B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
US7208869B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
JP4651916B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
JP4230170B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
JP2004171943A (ja) | 発光装置の作製方法 | |
JP4837227B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP6348539B2 (ja) | インクヘッド | |
JP2015173113A (ja) | 発光装置の作製方法 | |
JP5520902B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
JP2014056839A (ja) | 装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070919 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070919 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100518 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100705 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100727 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100818 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20101018 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110201 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110208 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4683772 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |